TWI334155B - Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reaction at said surface - Google Patents
Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reaction at said surface Download PDFInfo
- Publication number
- TWI334155B TWI334155B TW092120662A TW92120662A TWI334155B TW I334155 B TWI334155 B TW I334155B TW 092120662 A TW092120662 A TW 092120662A TW 92120662 A TW92120662 A TW 92120662A TW I334155 B TWI334155 B TW I334155B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electron beam
- sample
- reaction product
- substance
- reaction
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 159
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 68
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 53
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 44
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 18
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 10
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 238000003795 desorption Methods 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 3
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims 4
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021647 smectite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 17
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 8
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000126002 Ziziphus vulgaris Species 0.000 description 1
- 235000008529 Ziziphus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 carbonium compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004969 ion scattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching for microworking, e. g. etching of gratings or trimming of electrical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31742—Etching microareas for repairing masks
- H01J2237/31744—Etching microareas for repairing masks introducing gas in vicinity of workpiece
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
丄 j 3|44"55— — _____{ I年月曰t正替換頁· 狄、發明說明： 【發明所屬技彿"領域】 本發明有關根據申請專利範圍第丨項之前序部分的特 5性之一在表面上利用聚焦電子束誘發之化學反應蝕刻在該 5表面上之物質的方法以及根據申請專利範圍第15項之一用 於進行該方法之裝置。
C先前技術;J 般而β，本發明有關聚焦電子束誘發之化學反應及 ’、f於材料加工之應用。特定言之，本發明有關利用電子 束誘發的钱刻以南空間解析度來移除物質。本發明亦有關 光罩模板遮罩、EUV-及其他下一代微影術母片和遮罩之 修理以及奈米尺度之積體電路和其他元件之改良。 已經研發出數種大部份基於聚焦粒子或光子束之直接 寫入技術’故其能夠以奈米尺度來修改物質。使這些技術 15應用於半導體業之範例係包括光罩之修理及積體電路之改 良。在大部伤的逆些應用中，此技術需能夠以次微米精密 度來移除及添加物質。添加物質時，可能需要沉積數種具 有特定化學及物理性質之物質。移除物質時，可能需要移 除〆種攸-物質組合選出之物質而不對於其餘物質造成損 2〇害。其他需求可能係包括此方法可獲得之定位精確度及最 小特性尺寸譬如解析度。部分的這些需求係顯示於下文中 關於光微影遮罩之修良，其為本發明的—植佳應用。 對此用途來說，半導體製程中用於作為光罩的材料係 使用或有機會使用光子束繞飯、光子束誘發之化學姓刻、 5 1334155 離子束噴濺及離子束輔助化學蝕刻來独刻。 光微影遮罩通常由1如玻璃、石英等光透明基材所 組成’其承載-100奈米厚度的結構式鉻金屬層。在遮罩的 特定區域上利用-諸如絡等光吸收材料_吸收劑-加以圖案 5化，以阻絕這些區域中的光透射。這些遮罩在半導體業中 用來將一位於遮罩上的圖案投影至一覆蓋有—諸如光阻等 感光物質之晶圓上。這些遮罩可具有至少二種需修復之缺 陷。 1) 在應具有吸收劑的地點喪失吸收劑物質_無色缺陷_ 10 及 2) 在不應具有吸收_地點存在魏劑物質·不透明缺 陷。 現今，常見的遮罩修理工具係以一雷射束或一聚焦離 子束-FIB為基礎。這些工具所採用或可採用之化學及/或物 15理處理係為光子束燒蝕、光子束誘發之化學蝕刻、離子束 喷濺及離子束輔助化學反應、沉積及姓刻。 先進技術係利用一聚焦雷射束來移除諸如鉻等吸收劑 物質。通常，使用咼能短脈衝雷射束。雷射束與物質之間 的交互作用譬如可為光熱性或光化性。使用遮罩修理雷射 20燒蝕，其中利用雷射束局部地加熱物質使其蒸發。對於遮 罩亦有可能使用雷射誘發之化學反應，其中雷射束提供能 量造成物質與一諸如氯等適當氣體之間的反應，導致將會 脫附之揮發性產物。有鑒於此’請參照以下文件：R Haight D. Hayden，P. Longo, T，Neaty及A. Wagner在日本真空科學 6 技術，17(6)，1999年 11/12月，第 3137至3143 頁的 “MARS : 製用之毫微微秒雷射遮罩先進修理系統”；及D. j. Ehrlich 及J- Y. Tsao’日本真空科學技術，B 1 (4)’ 1983年10-12月“雷 射微化學處理之評論”。 然而，所有以光子束為基礎的處理皆會因為阿貝比衍 射解析度判別標準(Abb0 diffraction resolution criterion)而 具有有限解析度之困擾’阿貝比衍射解析度判別標準描述 了可獲得的解析度係為所使用光波長的大約0.5倍。 離子束喷濺係為一種潛在具有10奈米解析度之有效處 理’但在基材中產生對於數種應用不可忍受的損害。離子 束辅助化學蚀刻亦為一種具有約1 〇〇奈米的略低解析度之 有效處理，但亦在基材中產生對於數種應用不可忍受的損 害。兩種處理皆可在光罩修理中用來蝕刻不透明缺陷。 隨著新世代晶片製造對於光罩解析度具有提高的需求 且隨著遮罩圖案的額外技術修改以獲得所需要的解析度， 諸如光學鄰近效應結構或相位移遮罩層及EUV多層遮罩， 半導體產業現今無法容忍雷射燒蝕及蝕刻、離子束噴濺及 化學輔助離子束蝕刻及沉積等認可方法之狀況，因為修理 過後將缺乏解析度及缺乏基材透射作用。因此，需要對於 光罩及諸如EUV遮罩等“新世代遮罩”中的不透明缺陷施加 一種非破壞性的柔軟且潔淨之化學蝕刻方法，其未將金屬 離子植入基材_且不會混合下方物質而造成離子衝擊所導 致之結構性損害。 現今’聚焦電子束只用來藉由局部地添加吸收劑物質 以修理無色缺陷。可將一選定的局部區域暴露於一電子束 同時將一前驅物氣體流輸送至此區域，藉以達成此作用。 電子束隨後分解前驅物氣體，譬如碳氳化合物、無機或有 機金屬分子，而在電子束所掃描的區域中留下一沉積物。 因為電子不像聚焦離子束般地能夠輸送足夠動量以喷射譬 如噴濺基材原子，故更難將物質移除。目前，電子束蝕刻 /、對於藉由聚焦電子束活化之數種物質系統示範誘發一化 學反應，其導致揮發性產物，因此移除了物質。 雖然對於電子束誘發之蝕刻反應只具有極少的研究， 此反應必定為一種複雜順序的單一初級反應，其包含諸如 以下數項步驟.吸附刖驅物氣體分子_物理吸附及/或化學吸 附-，前驅物分子或其片段擴散至基材中，這些前驅物分子 與基材原子之_-或多種反應，及最後包含反應產物的 脫附。為了將蝕刻處理侷限在一已暴露於—聚焦電子束之 區域且藉此提供處理的高空間解析度，需使蝕刻處理不會 自發性發生，且反應順序中的至少一步驟必須由電子束暴 露作用所誘發。電子束誘發的蝕刻之一範例係為以xeF2來 移除二氧化矽-Si〇2 ’其中蝕刻只發生在已經同時暴露於一 電 α 子束及XeF2分子之區域中。譬如請見Ted Liang，a %糊
Liu, G. Dao, V. Liberman，Μ· Rothchild，S. T. paimacci及 L· Sdpkmi的“利用電子束誘發的化學反應所進行之無損害 遮罩修理，’，157奈米微影術的第二屆國際研討會，加州戴 納點（2001年5月）。 中之物質蝕刻 光波長的結構 的修理採用一 半導體產業的光罩修理及電路編輯方法 的極高解析度及精密度在其具有低於超紫外 之新穎電路及遮罩方面係需要對於此等結構 種新額技術。 因此，本發明之一目的係改善在表面上利用聚焦電子 束誘發之化學反應蝕刻在該表面上之物質的方法 服提及的缺點並提供一以較高空間解析度局部二 之方法。 、貝 本發明之-特定目的係姓刻多層結構而不混合有時只 為數十奈米厚的金屬層與絕緣體。 、 藉由申請專利範圍第i項所界定之特徵特性以及其前 序部分的特性來達成此目的。 . 、 _本發明所依據的原理係為：_第_種類的聚焦電子束 及一分子束之-組合係對於-化學反應提供了高空間解析 度及所需要的活化能，形成H第二種類的電子束所 絲之反應產物。因此，該反應只發生在已經暴露於該第 一電子束且被其化學性或物理性修改之區域中。 根據本發明，在表面上利用聚焦電子束誘發之化學反 應餘刻在此表面上之物f的方法係包含町步驟： a)在一真空大氣中，以至少一分子束及至少一第一電 子束來輻照受蝕刻物質，因此受輻照物質及分子束的分子 被激發的方式可發生一化學反應及形成_非氣態，非揮發 性的反應產物·反應步驟_， 1334155 b)利用一將物質局部地加熱至_比反應產物蒸發溫度 更高的溫度之第二電子束藉以將反應產物從該表面蒸發· 移除步驟。 特定言之，提供一用於產生該第—及該第二電子束之 5電子束產生電子束柱。 根據本發明的-實施例，該第二電子束係在一與該第 一電子束不同的環境下產生且特別具有—脈衝及/或聚焦 方式。 根據本發明另一實施例，受麵刻物質的表面初步受到 10 清理-清理步驟。 最好藉由用於形成另-反應產物以移除污染物、氧化 物或覆蓋住表面層的其他物質之另一化學反應來實行清理 步驟。 另-方面，其他化學反應可由―額外的分子束加以誘 15發。紐，覆蓋住表面層的物質係_由碳污染物所形成， 且該額外的分子束係包含水、過氧化氫、氣或是可釋出受 激發齒素原子以與來自表面層的碳起反應之其他函素化合 物。 另-方面，其他化學反應可由-額外的分子束及一第 20 —電子束所誘發。然後，覆蓋住表面層的物質特別係由矽 上的氧化矽以及包含氣或在該第三電子東輕照下釋出受激 發鹵素原子且在對於該其他反應產物的電子束激發下氧化 石夕及塗覆層起反應之其他鹵素化合物之額外分子束所形 成0 10 在其他反應產物不為氣態/揮發性之案例中，則可利用 一具有足以將表面加熱至比該其他反應產物的蒸發溫度更 高的溫度之功率密度或能量密度的第四聚焦電子束來加熱 受清理區域的表面，藉以使其他反應產物蒸發。 5 特定言之，該第三及/或第四電子束係在一與該第一及 /或第二電子束不同的環境下產生。該電子束產生電子束柱 係產生第三及第四電子束。
根據本發明的一實施例，由一化學計量组成物中的選 定化合物所組成之該分子束係在該反應步驟期間從一氣體 10 進給系統發送至物質表面。 甚且，根據本發明之一用於實行上述方法之裝置係特 別具有一包含一控制裝置之電子束產生電子束柱，藉以在 對於該電子束產生電子束柱輸送不同功率及迄今不同強度 的該電子束之預定位置之間進行切換。 15 最好，該控制裝置進一步控制用於不同電子束之開孔 及/或該控制裝置進-步控制用於不同電手束之偏向構件。
綜言之，本發明描述一利用一聚焦電子束以高空間解 析度界定受移除區域來移除物質之方法。物質係藉由基材 物質與一諸如画素等適當前驅物氣體-分子束·之間的一反 20應加以移除。特定言之，本發明描述將物質餘刻而無揮發 性蝕刻產物，形成了反應步驟的反應產物。利用一多喷注 氣體供應源將該分子束類型的前驅物氣體導往 面。並將化學物配送至受蝕刻之表面。 / 利用良好定時的束施加作用，在與一作為將兹刻產物 11 1334155 15
20 及基材進行熱處理的來源之第二電子束不同的環境下施加 一作為能量源之具有高解析度的第一電子束。為了提供高 蚀刻速率，揭露-種特定的物質供應及能量供應定時方法。 藉由一不同環境下利用第二電子束對於基材的第一熱 處理’此表面係由誘發之脫附加以清理。然後，利用低劑 量的該第一電子束，在使基材受麵刻的區域中產生基材上 用於反應性氣體分子之化學吸附部位。此後，一或多物種 的反應性氣體分子或其前驅物係以適當化學計量之組成物 從多贺注氣體供應糸統發送’以在單層的吸附劑中與樣本 表面獲得一化學反應。如果在下個第一電子束暴露中需要 一吸附層反應’則觸發特定不成比例的前驅物反應以在單 層中產生反應基且產生用於樣本物質的蝕刻反應之條件。 第一束的環境通常係為在一良好聚焦及去像散 (stigmated)環境下以微秒（psec)至毫秒(msec)時間長度具有 數個pA。因為固體的高熱導性且因為只有數個平方奈米的 大輻照面積等因素，此束無法加熱樣本表面。 一般而言，一固體或液體化合物係由姓刻反應獲得。 此化學反應產物則在電子束系統的一不同電子光學環境下 藉由一短高功率脈衝的第二電子束對於此區域的後續熱處 理將基材區域加熱至比所產生化合物的昇華或蒸發溫度更 高之一溫度予以蒸發，亦即反應產物。 在此工作中’在一可能散焦環境中使用一具有約1至2〇 奈安及微秒至毫秒脈衝長度之高電流的寬束。此輻照係藉 由比傳導散除能重更南的進入能量來加熱受輕照區域中心 12
If仰日 的表面。此加熱只發生在極短時間中，但可達到極高溫度。 接下來從表面驅除了所有其他吸附物，然後係為一種 在此良好定時的方法中供應反應物及蝕刻基材物質之新循 環。 藉由重覆進行上述循環，可提供每分鐘數微米之蝕刻 速率。 特別對於鉻、銅、矽及其他金屬與金屬化合物之蝕刻 方法使用根據本發明之方法。 圖式簡單說明 10 參照圖式藉由下文對於一實施例的描述可以得知本發 明之其他優點及特性，其中： 第1圖為根據本發明之一遮罩修理系統的示意圖； 第2圖為此方法之主要步驟的示意圖，亦即反應及移除 步驟；及 15 第3圖為根據本發明之後續電子及分子束的示意圖。 t實施方式】 較佳實施例之詳細說明 第1圖顯示一具有一已知的分子束輸送系統之遮罩修 理系統10的示意裝設圖，其在下文中係指用於根據本發明 20的方法之氣體供應系統12、-已知的電子束系統14及-可 具有及時觸發作用且使這些束（分子束及不同電子束)合作 之電腦控制系統16。 電子束系統14係由一電子束控制單元18加以控制。並 且，電子束系統14係包含—用於測量電流之法拉第蘢2〇、 13 1334155 具有一遮黑平板(beam blanker)之電子束偏向器線圈22、以 及一次級電子偵測器2 4及對應的控制單元2 6 _用於聚焦模 式之電子束模式亦即第一電子束，及加熱模式亦即第二電 子束之切換單元-和28。 5 氣體供應系統12具有-：用於控制氣置物氣體的閥、壓 力及溫度之氣體供應多噴注控制系統30。將氣體供應多喷 注控制糸統30經由CAN開啟匯流排23連接至電腦控制系统 16以供控制之用。 用於液體或固體前驅物之數個未圖示的經帕雷帝 10 (Peletier)冷卻或加熱的貯槽係經由進給件連接至一喷嘴歧 管34。喷嘴歧管34在各噴嘴上具有端閥36。 提供一環境室38，在其中發生下述之根據本發明的方 法。可利用電子束系統14達成（比擬)此作用，其能夠利用由 器具製造商供應之一可變壓力或環境真空壓力控制系統以 15高壓操作樣本室。這些系統亦可將樣本室中的壓力升高至 15托耳，而不使電子束的操作失效。氣體供應系統12及電 子束系統14在環境室38中產生作用。提供一經干涉計控制 的機動化階級40，藉以定位一遮罩42進行修理。 提供電腦控制系統16以控制電子束系統μ ^因此，杵 20制單元24與法拉第籠20連接以供測量電流之用。 藉由依時性控制，使控制單元8、26及28具有一觸發作 用。 > 並且’ 一雷射干涉計階級控制單元44係與—階級祁及 電腦控制系統16連接》 14 現在描述遮罩修理系統10所用之方法。 使用一高解析度掃描束系統之電子束，其採用最亮且 長期穩定的電子源，熱場發射陰極。藉由良好發展的電子 光學系統’可以將電子束聚焦至具有1〇〇 eV至高達40 keV 或甚至200 keV能量之2奈米點區直徑。由於電子源及專用 束路徑的低透鏡像差及低能量寬度，在束橫跨部中的電子 分佈受到極敏銳的界定，在部分案例中不具有橫跨部，其 中束的能量寬度係由電子的庫倫交互作用予以加寬。原則 上’電子束系統在解析度及功率密度方面比起離子束或光 子束系統達成幾乎更優良一個數量級之效能，請見下表： 表1 粒子 --—.— 功率密度亮度 解析度 能量範圍 基材損害 離子 —----- ι〇ί瓦/平方公分 102Α/平方公分sr 伏特 100奈米 10-30千電子伏特 混合， 金屬摻雜 電子 ---- 6 \〇7瓦/平方公分 10 A/平芳公分sr 伏特 2奈米 100電子伏特-200千電子伏特 無 說If下 6 1〇7瓦/平方公分 -2千瓦/平方公分 10 A/平方公分sr 伏特 1微米 100電子伏特-100千電子伏特 基材表面 加熱至 >300K， 無損害 從上表1可看出，在一不同譬如局電流核境中係可以很 南的功率密度及短的脈衝長度將電子束輸送至一較大區域 以脫附表面層。 電子束在功率密度方面超過離子束有數個數量級之 多，然而由於電子至工件原子的低動量轉移，需要遠比相 同作用的離子更多之電子。一般來說，相較於離子係需要 1334155 50至250倍更多的電子。這亦導因於遠為更高的慢離子散射 橫剖面所致’且其係為比電子更慢的離子質量數平方根之 48倍，因此可與原子具有更好的交互作用。此外，對於撞 擊(knock on)處理之庫倫交互作用由於離子的核電荷因素 5而更強。然而，離子衝擊係產生級聯式的聚焦敲擊處理， 其將離子的動量轉移至樣本的深度中且在此處損傷到物 質。離子本身係植入一接近樣本表面之淺區中且作為一雜 質並吸收深UV光子，特別是157奈米。 種 >糸淨且非破壞性方法係使用電子及化學物吸收， 10以活化所吸收化學物使其與基材金屬起反應形成—固體、 液體或氣態化合物，且在一液體或固體反應產物之案例 中’利用一細微聚焦高功率電子脈衝將這些分子驅離表 面，其中此脈衝將表面熱性加熱至一比化學化合物的昇華 或蒸發溫度更高之溫度。 15 根據本發明之方法係採用具有高氣體通量切換能力之 氣體供應系統 12 ’ 如DE 100 42 098 A1 及WO 02/19575 A1 所述。這些文件係為本發明的此申請案揭示的一部分。這 可使單一單層的前驅物沉積在工件表面上。需要一類似於 掃描電子顯微鏡之掃描電子束系統以良好界定的停頓時間 2〇及電流密度將工作表面予以圖案化。 添加性奈米微影術的方法清楚地描述於以下文件：11· w. P. Koops，J. Kretz，M. Rodolph，M_ Weber, G. Dahm及 K. Lee的利用電子束誘發的沉積所進行之物質成長的特徵及 應用 ’ ’ Jpn. J. Appl Phys v〇1 33 (1994) 7〇99 71〇7。此文件 16 ^ - 含 Q|if itf l33ftT5^~ 是本發明的此申請案揭示之一部分。 電子束可能造成一譬如鹵素等潛在可反應的分子化學 性吸附在目標物質上，或其可能在電子束誘發的活化下以 某些其他方式改變化學組成物，同時沒有化學吸附或組成 5物變更發生於未暴露於電子束之區域中。 本方法之新穎特性係為將脈衝式電子束加以及時地耦 合’其以一細微聚焦模式切換成接通狀態以刺激所吸附化 學物與基材表面之化學反應，而不具有加熱表面頂單層之 能力，然後在電子束柱的一不同環境下改變，代表選擇一 10不同開孔，以允許束中具有一遠為更高的電流且其具有將 表面短時間地加熱至高溫之能力，然後在所吸附的分子與 基已經發生化學反應之後將非揮發性反應產物加以驅除。 這是因為使用與其在電路編輯應用中所產生者相同之聚焦 光學裝置所致，且其亦可能位於深孔底部上。 15 束電流及聚焦的此種快速改變係需要一在標準掃描電 子顯微鏡及微影系統中並不常見之可電性選擇的開孔，及 一專用快速束位置開關藉以選擇一不同的束限制開孔來改 變電流，一聚焦線圈在最後物透鏡中之一快速設定或其激 發藉以一適當方式使束散焦。需要散焦以將功率分佈排列 2〇 成為可藉由周圍加熱使得中心區加熱至所需要的溫度》因 為半導體具有很高的熱量消散’必須輸送及輕照一合理量 的電流及面積》如果利用可以MHz速率切換的束偏向場在 電子光學柱中以一電子設定來選擇電子束限制開孔，需要 在一短時間内將非揮發性反應產物脫附以獲得微米/秒的 17 祕 10 15 20 蝕刻速率，才能夠施用此方法。 可在下列時間順序中產生此處理： 在第步一中，將高熱功率的電子脈衝接通以 熱脫附吸附物來清理h L ± t子脈衝接通以齬由 , 。此^間維持數微秒至數毫秒之 =:，，的電子束係產生―方公分劑量的 在此時，射與電子束標準微影術比擬之劑量。 ,^於室溫且具有高的氡體分子黏滯係數。然 之内’前驅物層·學吸附至黯化表面， 良較製的能量密度發生電子束交互作用以觸發化 Γ Χ'反應。此步驟需要—最高達到10 c/平方公分的劑 5。依據電流、衫條件及電子缝蚊，在-段丨微毫秒 至1秒的停頓時間中採用此劑量。或者，可能使用至少-種 諸如碳IUt合物等歧應性氣體，其錢子束暴露作用下 產生分解且作出化學反應轉放时軒，且分解產物只 在已經暴露的區域中吸附於目標物質上。此時過後，一或 多個高電流f子能脈衝係碰撞工件且將化學⑽反應的反 應產物料蒸發。在任何案财，局部電子束暴露的效果 係使得暴露區域處於某種化學活化的狀態中，當被電子束 選擇性誘發時，該等區域將進一步起反應造成目標物質的 姓刻處理，請見第2圖。在此處理中，亦可施加催化劑， 其藉由多喷注束系統發送至該部位且藉由在加熱時間長度 的期間擴散至物質中來支持此反應。 在非揮發性反應產物蒸發之後，重覆此處理以作用在 下個單層的基材物質上，藉以在此部位触刻入其深度中。 18 此處理亦藉由催化增強的反應加以支持，譬如，藉由與鋁 的一還原反應之幫助來蝕刻氧化鉻。 在此“逐層蝕刻”方案中，電子束將夠長地以掃描或光 柵方式橫越此區域而足以造成該表面上之一或數個單層的 5 化學改質。然後，送到相同部位之一短的高功率電子束脈 衝將譬如以熱性方式選擇性脫附此修改層（在文件中知道 此方式為電子束誘發之熱性脫附），或者其藉由造成只出現 在修改層中之分子的一電子激發予以達成。隨後重覆進行 電子束暴露及電子束加熱脈衝之循環，直到將物質移除至 10 所需要的深度為止，請見第3圖。 從經脫附單層的物質之化學分析可知，因為係以良好 界定的時間間隔發生脫附及蒸發，可藉由一質譜儀以DC或 鎖定方法來監測蝕刻處理。 亦可利用電致發光及光學光偵測以化學方式決定出蝕 15 刻終點。亦可藉由詮釋位於蝕刻位置上之改變的次級電子 或背散射電子發射，來偵測出此終點。表2顯示工作步驟之 示意順序。 19 1334155 表2 #刻方法的示意步驟 作用 束 時間/劑量 -----j 結果 不同環境下用於 加^電子束 具有1¾電流的電子 毫秒，毫焦耳/平方 公分 酬物卿清理穌 電子束100電子伏特 纪〇〇千電子伏特 區域性掃描以激發 吸附部位 毫秒，mC/平方公分 產生化學物的吸附 部位 多喷注氣體混合 物，其具有1至200 單層/秒 用於鞋刻氣體的化 學計量之組成物之 氣體或前驅物混合 物 毫秒至秒 1至2單層 吸附反應夥伴及瞬 間反應 電子束100電子伏特 1200千電子伏特 前驅物及化學姓刻 反應的活化 毫秒至分鐘 mC/平方公分至 100C/平方公分 化學钱刻成固體、 液會或氣態化合物 高電流環境下用於 加熱位置之電子成 以電子束觸發聚焦 束觸發之後將脈衝 式高功率電子束接通 微秒至分鐘 焦耳/平方公分至 千焦耳/平方公分 局部加熱物質及基 材藉以蒸發化學蝕 刻產物 在不同環境下重覆 電子束的觸發作$ 表面的多層燒钱 第2圖提供步驟1中的實驗性配置之示意圖，其用於吸 附前驅物且用於藉由電子束掃描暴露所界定的區域中之化 5 學反應。產生一固體或缓慢蒸發物質層。 第3圖顯示用於蝕刻及物質蒸發作用之時間順序。 【圖式簡單說明】 第1圖為根據本發明之一遮罩修理系統的示意圖； 第2圖為此方法之主要步驟的示意圖，亦即反應及移除 步驟；及 第3圖為根據本發明之後續電子及分子束的示意圖。 20 1334155 公告本 【圖式之主要元件A表符號 10.. .遮罩修理系統 12.. .分子束系統/氣體供應系統 14.. .電子束系統 16.. .電腦控制系統 18.. .電子束控制單元 20.. .法拉第籠 22.. .電子束偏向器線圈 24.. .次級電子偵測器 26.. .控制單元/電子束切換單元 28…控制單元 修正; 梢充 30…氣體供應多喷注控制系統 32.. .CAN開啟匯流排 34.. .歧管喷嘴 36.. .端閥 38.. .環境室 40.. .干涉計控制的機動化階級 42.. .待修理的遮罩 44.. .雷射干涉計階級控制器 46…階級 21
Claims (1)
1334155 雙面影印
法，該樣品包含一物質且具有一
號專利申請案申請專邓蚝圍修止未、99年7月12曰 1. 一種利用聚焦電子束誘發之化學反應蝕刻一樣品的方 表面，且該蝕刻係在$/ 表面且於該物質的一部份中進行，該方法包含以下步 驟： a. 提供一能產生一聚焦電子束之電子束柱， b. 在一真空大氣中，進給一反應氣體之分子至樣品 之該表面， c. 以至少一第一電子束在該真空大氣中輻照該表 面、待蝕刻樣品之物質的該部份、及該反應氣體之分 子；該表面、待蝕刻物質的該部份、及該反應氣體之分 子進行一化學反應而形成一非氣態且非揮發性的反應 產物，該反應產物具有一蒸發溫度及一昇華溫度，以及 d. 以一第二電子束輻照該反應產物，該第二電子束 局部地加熱該反應產物及該物質至一比該反應產物之 蒸發溫度與昇華溫度之至少一者更高的溫度，以自該表 面移除該反應產物。 2. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該第二電子束係以 一脈衝及/或聚焦方式產生。 3. 如申請專利範圍第1項的方法，其中待蝕刻樣品之該表 面係初步地藉由電子束加熱的熱脫附來清理。 4. 如申請專利範圍第1項的方法，其中樣品之該表面上具 有碳污染，且該方法進一步包含令藉由一分子束所釋放 之受激發齒素原子與該碳污染反應以造成樣品表面之 22 1334155 清理的一反應步驟，該分子束之分子係包含水、過氧化 氫、氯或其他齒素化合物，該反應步驟係在該提供一能 產生一聚焦電子束之電子束柱的步騾之前進行的。 5.如申凊專利範圍第丨項的方法，其中該反應氣體之該分 5 子包括在該以至少一第一電子束在該真空大氣中輻照 該表面、待蝕刻樣品之物質的該部份、及該反應氣體之 分子的步驟期間從一氣體進給系統發送至該樣品表面 之一化學計量組成物中的選定化合物。 6·如申請專利範圍第1項的方法，其中該反應氣體之該分 10 子係由一多喷注供應源發送以增強該反應。 7. 如申請專利範圍第1項的方法，其中樣品之該表面上具 有石夕氧化物污染，且該方法進一步包含在以一第三電子 束輻照之下，令藉由一分子束所釋放之受激發函素原子 與該矽氧化物污染反應以造成樣品表面之清理的一反 15 應步驟，該分子束之分子係包含氯或其他鹵素化合物， 該第二電子束係以一與該第一及/或第二電子束不同開 孔設定所產生的，該反應步驟係在該提供一能產生一聚 焦電子束之電子束柱的步驟之前進行的。 8. 如申請專利範圍第7項的方法，其包含一第四電子束， 2〇 真其中一第二反應產物係由在該矽氧化物污染與該分 子束之間的反應所形成的，該分子束之分子不是氣態且 不是揮發性，而藉由以該第四聚焦電子束的加熱蒸發， 以加熱樣品之該表面至一比該第二反應產物的蒸發溫 度更高的溫度，該第四電子束係以一與該第一及/或第 23 1334155 二電子束不同開孔設定所產生的。 9. 一種利用聚焦電子束誘發之化學反應蝕刻一樣品的方 法，該樣品包含一物質且具有一表面，且該钱刻係在該 表面且於該物質的一部份中進行，該方法包含以下步 5 驟： a. 提供一能產生一聚焦電子束之電子束柱， b. 在一真空大氣中，進給一反應氣體之分子至樣品 '之該表面， φ c.以至少一第一電子束在該真空大氣中輻照該表 10 面、待蝕刻樣品之物質的該部份、及該反應氣體之分 子；該表面、待蝕刻物質的該部份、及該反應氣體之分 子進行一化學反應而形成一非氣態且非揮發性的反應 產物，該反應產物具有一蒸發溫度及一昇華溫度，以及 d.以一第二電子束輻照該反應產物，該第二電子束 15 局部地加熱該反應產物及該物質至一比該反應產物之 蒸發溫度與昇華溫度之至少一者更高的溫度，以自該表 • 面移除該反應產物；其中該第一電子束及該第二電子束 係由相同電子束柱之不同設定所產生的。 10. 如申請專利範圍第9項的方法，其中該第二電子束係以 20 —脈衝及/或聚焦方式產生。 11. 如申請專利範圍第9項的方法，其中待蝕刻樣品之該表 面係初步地藉由電子束加熱的熱脫附來清理。 12. 如申請專利範圍第9項的方法，其中該電子束柱包含有 數個束限制開孔且其中電子束柱之該不同設定係由通 24 1334155 過該等數個束限制開孔之不同者經過該電子束柱所建 立的。 13.如申請專利範圍第12項的方法，其中個別的該等數個束 限制開孔之選擇係由偏向場所電性進行的。 5 14. —種利用聚焦電子束誘發之化學反應蝕刻一樣品的方 法，該樣品包含一物質且具有一表面，且該姓刻係在該 表面且於該物質的一部份中進行，該方法包含以下步 驟： a.提供一能產生一聚焦電子束之電子束柱， 10 b.在一真空大氣中，進給一反應氣體之分子至樣品 之該表面， c ·以至少一第一電子束在該真空大氣中輻照該表 面、待蝕刻樣品之物質的該部份、及該反應氣體之分 子；該表面、待蝕刻物質的該部份、及該反應氣體之分 15 子進行一化學反應而形成一非氣態且非揮發性的反應 產物，該反應產物具有一蒸發溫度及一昇華溫度，以及 d.以一第二電子束輻照該反應產物，該第二電子束 局部地加熱該反應產物及該物質至一比該反應產物之 蒸發溫度與昇華溫度之至少一者更高的溫度，以自該表 20 面移除該反應產物；其中該第二電子束具有一較該第二 電子束更高的強度。 15. 如申請專利範圍第14項的方法，其中該第二電子束係以 一脈衝及/或聚焦方式產生。 16. 如申請專利範圍第14項的方法，其中待蝕刻樣品之該表 25 1334155 面係初步地藉由電子束加熱的熱脫附來清理。 17. 如申請專利範圍第14項的方法，其中該第二電子束提供 在1及20 nA之間之範圍内的電子流。 18. 如申請專利範圍第17項的方法，其令該電子束柱包含有 5 數個束限制開孔且其中電子束柱之該不同設定係由通 過該等數個束限制開孔之不同者經過該電子束柱所建 立的。 • 19.如申請專利範圍第18項的方法，其中個別的該等數個束 φ 限制開孔之選擇係由偏向場所電性進行的。 10 20.如申請專利範圍第14項的方法，其中該第一電子束係以 一聚焦方式輻照至樣品之該表面，且其中該第二電子束 相較於該第一電子束之聚焦係以一散焦方式輻照至樣 品之該表面。 21. 如申請專利範圍第20項的方法，其中該電子束柱包含有 15 數個束限制開孔且其中電子束柱之該不同設定係由通 過該等數個束限制開孔之不同者經過該電子束柱所建 鲁 立的。 22. 如申請專利範圍第21項的方法，其中個別的該等數個開 孔之選擇係由偏向場所電性進行的。 20 23.如申請專利範圍第22項的方法，其中該第二電子束提供 在1及20 nA之間之範圍内的電子流。 24. —種利用聚焦電子束誘發之化學反應蝕刻一樣品的方 法，該樣品包含一物質且具有一表面，且該姓刻係在該 表面且於該物質的一部份中進行，該方法包含以下步 26 1334155 驟： a. 提供一能使用不同開孔來產生一多數的聚焦電 子束之電子束柱； b. 以·一第*-電子束加熱該樣品以清理該樣品之該 5 表面並脫附吸附物； C.以一第二電子束掃描產生一反應氣體之分子的 吸附位置； d.在一真空大氣中，進給一反應氣體之分子至樣品 之該表面， 10 e.以至少一第三電子束在該真空大氣中輻照該表 面、待蝕刻樣品之物質的該部份、及該反應氣體之分 子；該表面、待蝕刻物質的該部份、及該反應氣體之分 子進行一化學反應而形成一非氣態且非揮發性的反應 產物，該反應產物具有一蒸發溫度及一昇華溫度，以及 15 f.以一第四電子束輻照該反應產物，該第四電子束 為一脈衝能束，其局部地加熱該反應產物及該物質至一 比該反應產物之蒸發溫度與昇華溫度之至少一者更高 的溫度，以自該表面移除該反應產物；其中該第一、該 第二及該第三電子束係由相同電子束柱之不同設定所 20 產生。 27
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP02023217A EP1411538B1 (en) | 2002-10-16 | 2002-10-16 | Method for focussed electron beam induced etching |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200406803A TW200406803A (en) | 2004-05-01 |
| TWI334155B true TWI334155B (en) | 2010-12-01 |
Family
ID=32039139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW092120662A TWI334155B (en) | 2002-10-16 | 2003-07-29 | Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reaction at said surface |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7452477B2 (zh) |
| EP (1) | EP1411538B1 (zh) |
| JP (1) | JP2004140346A (zh) |
| AT (1) | ATE497250T1 (zh) |
| DE (1) | DE60239062D1 (zh) |
| IL (1) | IL157999A (zh) |
| TW (1) | TWI334155B (zh) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1363164B1 (en) | 2002-05-16 | 2015-04-29 | NaWoTec GmbH | Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reactions at said surface |
| DE10302794A1 (de) * | 2003-01-24 | 2004-07-29 | Nawotec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Korpuskularstrahlsystemen |
| DE10353591A1 (de) * | 2003-11-17 | 2005-06-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum lokal begrenzten Ätzen einer Chromschicht |
| DE10354112B4 (de) * | 2003-11-19 | 2008-07-31 | Qimonda Ag | Verfahren und Anordnung zur Reparatur von Speicherchips mittels Mikro-Lithographie-Verfahren |
| US7674389B2 (en) * | 2004-10-26 | 2010-03-09 | The Regents Of The University Of California | Precision shape modification of nanodevices with a low-energy electron beam |
| US7893397B2 (en) * | 2005-11-07 | 2011-02-22 | Fibics Incorporated | Apparatus and method for surface modification using charged particle beams |
| US20070278180A1 (en) * | 2006-06-01 | 2007-12-06 | Williamson Mark J | Electron induced chemical etching for materials characterization |
| US7791055B2 (en) * | 2006-07-10 | 2010-09-07 | Micron Technology, Inc. | Electron induced chemical etching/deposition for enhanced detection of surface defects |
| US7807062B2 (en) | 2006-07-10 | 2010-10-05 | Micron Technology, Inc. | Electron induced chemical etching and deposition for local circuit repair |
| US7892978B2 (en) | 2006-07-10 | 2011-02-22 | Micron Technology, Inc. | Electron induced chemical etching for device level diagnosis |
| US7833427B2 (en) | 2006-08-14 | 2010-11-16 | Micron Technology, Inc. | Electron beam etching device and method |
| US7569484B2 (en) * | 2006-08-14 | 2009-08-04 | Micron Technology, Inc. | Plasma and electron beam etching device and method |
| US7791071B2 (en) * | 2006-08-14 | 2010-09-07 | Micron Technology, Inc. | Profiling solid state samples |
| US7718080B2 (en) | 2006-08-14 | 2010-05-18 | Micron Technology, Inc. | Electronic beam processing device and method using carbon nanotube emitter |
| DE102007054073A1 (de) | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Carl Zeiss Nts Gmbh | System und Verfahren zum Bearbeiten eines Objekts |
| US8541066B2 (en) * | 2007-11-26 | 2013-09-24 | University Of North Carolina At Charlotte | Light-induced directed self-assembly of periodic sub-wavelength nanostructures |
| TWI479570B (zh) * | 2007-12-26 | 2015-04-01 | Nawotec Gmbh | 從樣本移除材料之方法及系統 |
| DE102008009640A1 (de) | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Prozessierungssystem |
| US8907277B2 (en) * | 2008-03-07 | 2014-12-09 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Reducing particle implantation |
| US20100068408A1 (en) * | 2008-09-16 | 2010-03-18 | Omniprobe, Inc. | Methods for electron-beam induced deposition of material inside energetic-beam microscopes |
| KR101610260B1 (ko) * | 2008-12-15 | 2016-04-08 | 삼성전자주식회사 | 전자빔 어닐링 장치 및 이를 이용한 어닐링 방법 |
| WO2011016208A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡及び試料観察方法 |
| WO2011060444A2 (en) * | 2009-11-16 | 2011-05-19 | Fei Company | Gas delivery for beam processing systems |
| US9721754B2 (en) * | 2011-04-26 | 2017-08-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and apparatus for processing a substrate with a focused particle beam |
| US9169567B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-10-27 | General Electric Company | Components having tab members |
| US9587632B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-03-07 | General Electric Company | Thermally-controlled component and thermal control process |
| US9671030B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-06-06 | General Electric Company | Metallic seal assembly, turbine component, and method of regulating airflow in turbo-machinery |
| JP6126425B2 (ja) | 2013-03-27 | 2017-05-10 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置及びその制御方法 |
| US9123506B2 (en) * | 2013-06-10 | 2015-09-01 | Fei Company | Electron beam-induced etching |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3968476A (en) * | 1974-07-17 | 1976-07-06 | Sperry Rand Corporation | Spurious signal removal in optical processor fingerprint identification apparatus |
| US4650778A (en) * | 1985-01-18 | 1987-03-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Metal halide vaporization into diluents |
| JP2650930B2 (ja) * | 1987-11-24 | 1997-09-10 | 株式会社日立製作所 | 超格子構作の素子製作方法 |
| JPH0262039A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Hitachi Ltd | 多層素子の微細加工方法およびその装置 |
| US5151135A (en) * | 1989-09-15 | 1992-09-29 | Amoco Corporation | Method for cleaning surfaces using UV lasers |
| US6067062A (en) * | 1990-09-05 | 2000-05-23 | Seiko Instruments Inc. | Light valve device |
| US5683547A (en) * | 1990-11-21 | 1997-11-04 | Hitachi, Ltd. | Processing method and apparatus using focused energy beam |
| JP3235144B2 (ja) * | 1991-08-02 | 2001-12-04 | ソニー株式会社 | 量子箱列の作製方法 |
| JP3331563B2 (ja) * | 1992-08-28 | 2002-10-07 | 石川島播磨重工業株式会社 | 電子ビーム加熱装置 |
| JP2671089B2 (ja) * | 1992-11-20 | 1997-10-29 | 光技術研究開発株式会社 | 量子構造作製方法 |
| US5472749A (en) * | 1994-10-27 | 1995-12-05 | Northwestern University | Graphite encapsulated nanophase particles produced by a tungsten arc method |
| JP3464320B2 (ja) * | 1995-08-02 | 2003-11-10 | 株式会社荏原製作所 | 高速原子線を用いた加工方法及び加工装置 |
| US5665658A (en) * | 1996-03-21 | 1997-09-09 | Motorola | Method of forming a dielectric layer structure |
| AU719341B2 (en) * | 1997-01-22 | 2000-05-04 | De Nora Elettrodi S.P.A. | Method of forming robust metal, metal oxide, and metal alloy layers on ion-conductive polymer membranes |
| US6673127B1 (en) * | 1997-01-22 | 2004-01-06 | Denora S.P.A. | Method of forming robust metal, metal oxide, and metal alloy layers on ion-conductive polymer membranes |
| JPH10223512A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 電子ビーム投影露光装置 |
| US6261938B1 (en) * | 1997-02-12 | 2001-07-17 | Quantiscript, Inc. | Fabrication of sub-micron etch-resistant metal/semiconductor structures using resistless electron beam lithography |
| US6783643B2 (en) * | 1999-06-22 | 2004-08-31 | President And Fellows Of Harvard College | Control of solid state dimensional features |
| US6387530B1 (en) * | 1999-08-27 | 2002-05-14 | Seagate Technology Llc | Patterned magnetic media via thermally induced phase transition |
| JP2001242300A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-09-07 | Sony Corp | 電子ビーム照射装置 |
| US6751516B1 (en) * | 2000-08-10 | 2004-06-15 | Richardson Technologies, Inc. | Method and system for direct writing, editing and transmitting a three dimensional part and imaging systems therefor |
| DE10042098A1 (de) * | 2000-08-26 | 2002-03-14 | Deutsche Telekom Ag | Gasversorgung für Additive Lithographie |
| JP2002252212A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 表面加工方法、光起電力発生装置の製造方法及び製造装置 |
| US20030000921A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Ted Liang | Mask repair with electron beam-induced chemical etching |
| EP1363164B1 (en) | 2002-05-16 | 2015-04-29 | NaWoTec GmbH | Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reactions at said surface |
| US6843927B2 (en) * | 2002-08-27 | 2005-01-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for endpoint detection in electron beam assisted etching |
| US6677586B1 (en) * | 2002-08-27 | 2004-01-13 | Kla -Tencor Technologies Corporation | Methods and apparatus for electron beam inspection of samples |
| US6943350B2 (en) * | 2002-08-27 | 2005-09-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and apparatus for electron beam inspection of samples |
| US6787783B2 (en) * | 2002-12-17 | 2004-09-07 | International Business Machines Corporation | Apparatus and techniques for scanning electron beam based chip repair |
| DE10302794A1 (de) | 2003-01-24 | 2004-07-29 | Nawotec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Korpuskularstrahlsystemen |
-
2002
- 2002-10-16 AT AT02023217T patent/ATE497250T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-10-16 EP EP02023217A patent/EP1411538B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-16 DE DE60239062T patent/DE60239062D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-07-28 US US10/628,174 patent/US7452477B2/en active Active
- 2003-07-29 TW TW092120662A patent/TWI334155B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-09-18 IL IL157999A patent/IL157999A/en active IP Right Grant
- 2003-09-24 JP JP2003332272A patent/JP2004140346A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7452477B2 (en) | 2008-11-18 |
| IL157999A0 (en) | 2004-03-28 |
| US20050072753A1 (en) | 2005-04-07 |
| TW200406803A (en) | 2004-05-01 |
| EP1411538B1 (en) | 2011-01-26 |
| IL157999A (en) | 2013-06-27 |
| JP2004140346A (ja) | 2004-05-13 |
| EP1411538A1 (en) | 2004-04-21 |
| DE60239062D1 (de) | 2011-03-10 |
| ATE497250T1 (de) | 2011-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI334155B (en) | Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reaction at said surface | |
| JP4481592B2 (ja) | 集束された電子ビームによって誘導された化学反応を用いた材料表面のエッチング方法 | |
| EP1829088B1 (en) | Lift-off patterning processes employing energetically-stimulated local removal of solid-condensed-gas layers | |
| EP1710327B1 (en) | Method of beam-induced selective etching of a material from a quartz substrate | |
| US6753538B2 (en) | Electron beam processing | |
| US8536549B2 (en) | Light source employing laser-produced plasma | |
| KR101285450B1 (ko) | 전자빔을 이용한 박층의 고분해능 처리 방법 | |
| JP2014055352A (ja) | シード層レーザ誘起付着 | |
| KR102691174B1 (ko) | 루테늄의 선택적 제거를 위한 광 보조 화학 기상 에칭 | |
| EP3875633A1 (en) | Method and apparatus for forming a patterned layer of material | |
| EP3722457A1 (en) | Method and apparatus for forming a patterned layer of material | |
| KR20030089479A (ko) | 표면에 화학반응을 유도하는 초점전자빔에 의해 표면에재료를 에칭하기 위한 공정 | |
| JP3218024B2 (ja) | 金属パターン膜の形成方法及びその装置 | |
| JP2666734B2 (ja) | 無機レジスト描画装置及び描画方法 | |
| JP2005294310A (ja) | エネルギー線照射装置およびそれを用いたパタン作成方法 | |
| Iwasaki et al. | Electron-beam-induced decomposition of SiO 2 overlay on Si in STM nanolithography | |
| JPH01189839A (ja) | 電界電離ガスイオン化方法とそのイオン源 | |
| JPH08336894A (ja) | テフロンの微細加工方法及び加工装置 | |
| Peled et al. | SEM analysis of bimode photodeposition-ablation cycles on the structural changes of laser-irradiated a-Se thin films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |