TWI333895B - - Google Patents

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1333895 Π) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關，適合使用於對應電子機器類之小型化 及輕量化的要求，做爲配線材料之可撓性印刷基板等的兩 面導體聚醯亞胺層積體之連續製造方法者；尤其是有關， 採用壓縮滾筒可穩定生產不產生皺紋，且品質無偏差之滾 筒卷取製品的兩面導體聚醯亞胺層積體之連續製造方法者 【先前技術】 近年來，隨高功能化行動電話、及數位化照相機、導 航器、其他各種電子機器類之小型化與輕量化的進展，所 使用之電子配線材料的可撓性印刷基板（配線基板）之小 型高密度化、多層化、精細化、低介電化等的要求更爲提 高；此可撓性印刷配線基板，已往係以可低溫硬化之黏著 劑將聚醯亞胺薄膜與金屬箔黏合製造而得，有黏著劑層做 爲配線基板之特性降低的問題，尤其有損及聚醯亞胺基底 薄膜之優越的耐熱性及阻燃性等的問題；進而，亦有黏著 劑層之其他問題的配線之電路加工性不良的問題。 具體的有，由於通孔加工時之鑽孔所引起的樹脂污染 、導體通孔加工時之尺寸改變率大的問題等等；尤其於兩 面通孔結構時（以絕緣體層之基底薄膜爲中心，其兩面以 黏著劑介入，將導體之銅箔等黏合形成者等），與單面結 構之可撓性印刷基板相比較，一般而言有其柔軟性低的問 -5- ⑧ (2) (2)1333895 題；另一方面，隨1C之高密度化、印刷配線之精細化及高 密度化，發熱升高，有必要黏合優良導熱體的情況；又， 爲更緊密而小型，亦有將殻體與配線整體化之方法；進而 ，亦有必要電容量不同之配線，亦有必要耐更高溫之配線 材料的情況；因此，有不使用黏著劑，將硬化前之聚胺酸 溶液直接塗佈於銅箔等導體，加熱硬化之可撓性印刷基板 的製造方法之各種提案。 例如，有將硬化物之線膨脹係數爲3.0 X 1 0 - 5以下的 二胺、與四羧酸酐合成之聚胺酸塗佈於金屬箔，加熱硬化 者（例如參照專利文獻1 );將含有具特定結構單位之聚 醯胺醯亞胺前驅體化合物的樹脂溶液，塗佈於導體上而醯 亞胺化者（例如參照專利文獻2 );將含二胺基苯（甲） 醯苯胺或其衍生物之二胺類與芳香族四羧酸反應而得的具 結構單位之絕緣材料的前驅體溶液，直接塗佈於導體上而 硬化者（例如參照專利文獻3 )等等；進而，亦有爲提高 與金屬箔之密著性，使用複數之聚醯亞胺前驅體樹脂溶液 ’在導體上施行複數次之塗佈與乾燥，製造具有複數之聚 醯亞胺樹脂層的可撓性印刷配線用基板之方法的提案（例 如參照專利文獻4 )。 此等可撓性印刷配線基板，係有關不使用黏著劑，僅 於導電性金屬箔之單面側將絕緣體層加熱硬化而黏著的單 面結構者；另一方面，對應於電子機器類之小型化及輕量 化’本發明之工作同仁，有使用先在導電性金屬箔（M| )之單面具有至少三層之聚醯亞胺的單面導體層積體，於 -6 - (3) (3)1333895 其聚醯亞胺層將導電性金屬箔（M2 )加熱加壓而層積之 兩面導體聚醯亞胺層積體的製造方法之提案（例如參照專 利文獻5):如此之兩面導體層層積體，尤其在基板之兩 面可形成配線電路，於高密度實裝已實用化之近年來的各 種領域，大多數均已採用。 專利文獻1 :特開昭6 2 - 2 1 2 1 4 0號公報 專利文獻2 :特開昭6 3 - 8 4 1 8 8號公報 專利文獻3 :特開昭6 3 - 2 4 5 9 8 8號公報 專利文獻4:特公平6-49 1 8 5號公報 專利文獻5 :特開平1 0- 3 23 93 5號公報 【發明內容】 〔發明之揭示〕 在上述之專利文獻5的兩面導體聚醯亞胺層積體之製 造方法中，有採用熱壓縮裝置等之分批方式的具體例之揭 示；在此分批方式之熱壓縮裝置等的稱呼爲熱板之支撑台 上，同時裝載單面導體層積體與導電性金屬箔之組合的複 數層，而加熱壓黏者；通常之加熱，係以配置在熱板內之 電熱器進行；壓力係以油壓使支撑台推上之薄片通過，於 上部支撑台傳送壓力，而維持所定之壓力：如此的熱板之 電熱器的溫度偏差大之故，雖進行各種之修正，尙有因加 熱不足或加熱過量所導致之部份不良處所的情況。 又，同時處理複數層時，由於長時間的加熱促進層積 樹脂層之劣化，係各種產品種類之最適條件狹窄，爲極不 ⑧ (4) (4)1333895 穩定的製程：進而，層積基材由常溫加熱加壓至一定溫度 後冷卻之分批方式的重覆循環之生產，不僅使生產效率降 低，且必要層積基材之切斷操作，於此時容易捲入雜質； 黏附雜質時，層積體全部複製雜質的形狀，大部份引起外 觀不良；因此，強烈要求以連續方式製造品質穩定之兩面 導體聚醯亞胺層積體的方法。 本發明之工作同仁，在先前提案之專利文獻5的兩面 導體聚醯亞胺層積體之製造方法中，替代所採用熱壓縮裝 置等之分批方式，藉由以一對加熱壓縮滾筒加熱壓黏，連 續製造兩面導體聚醯亞胺層積體之方法，然後，進行其檢 討之結果，在引.入壓縮滾筒間之前基材的運輸條件與預熱 方法、及自壓縮滾筒拉出之基材的運輸條件與冷卻方法不 適當時，基材於通過中產生起因於熱膨脹•冷卻收縮之晶 格皺紋、聚焦皺紋等近1 0種之皺紋；又，在滾筒面之平滑 度過高的狀態，基材與滾筒面之密著度太強，於運轉中纏 繞’容易產生多量之複雜皺紋（以下稱爲拖曳紋）或起因 於雜質之凹痕（於製品表面之數十微米的打擊痕）等各種 應解決的問題。 因此，本發明之目的係提供，在聚醯亞胺系樹脂層之 兩面，以不黏著劑介入，將導電性金屬層層積之連續製造 無縱條皺紋等外觀不良的品質穩定之兩面導體聚醯亞胺系 層積體的方法者；又，本發明之另一目的爲提供，製造滾 筒卷取狀態之，尤其是使用者強烈要求的具有優越之配線 電路加工性，且具有做爲配電路基板之優異的耐熱性及可 -8- ⑧ (5) (5)1333895 撓性之兩面導體聚醯亞胺層積體的方法。 本發明之工作同仁，就上述課題經深入探討、不斷硏 究之結果發現，藉由將引入加熱壓縮滾筒間之前的單面導 體層積體與導電性金屬箔（M2 )於特定溫度下預備加熱 ，使用將壓縮滾筒表面經粗糙化處理爲特定之表面粗糙度 (Ra)者，能達成上述之目的；完成本發明。 即，本發明爲如下述之說明者^ (1) 一種兩面導體聚醯亞胺層積體之製造方法，其 特徵爲，在將於導電性金屬箔（M,)上具有基底層、中 間主層、上層之至少三層的聚醯亞胺系樹脂層之單面導體 層積體、與導電性金屬箔（M2)所成之基材，連續引入 一對加熱壓縮滾筒間，藉由將於上述上層之導電性金屬箔 (M2)加熱壓黏而層積整體化的兩面導體聚醯亞胺層積 體之製造方法中，將引入加熱壓縮滾筒間之前的單面導體 層積體與導電性金屬箔（M2 )，分別在20(TC以上至上層 之聚醯亞胺系樹脂的玻璃轉移點以下預備加熱後，接觸於 加熱壓縮滾筒表面。 (2 )上述本發明中，一對加熱壓縮滾筒表面係經粗 糙化處理，平均表面粗糙度（Ra)爲0.01〜5 v m ;在惰性 氣體大氣下壓縮滾筒之表面溫度設定爲340〜390 °C、壓縮 滾筒間之線壓爲50〜500 kg/cm( 490〜4900 N/cm)、 通過時間爲2〜5秒鐘之條件下，加熱壓黏較爲適合。 (3)上述本發明中，單面導體層積體與導電性金屬 箔（M2 )係由滾筒卷取狀態拉出，分別經由中心軸的高 -9- ⑧ (7) (7)1333895 基鋁、鋁螯合劑、矽烷偶合劑等化學或機械之表面處理亦 可。 在導電性金屬箔（M2 )之單面上，不採用黏著劑， 使絕緣體層之聚醯亞胺系樹脂加熱硬化而黏著之單面導體 層積體’可使用上述專利文獻1〜4及5所揭示之眾所周知 者；做爲絕緣體層使用之聚醯亞胺系樹脂，係具有醯亞胺 環結構之樹脂的總稱，有例如聚醯亞胺、聚酿胺酿亞胺、 聚酯醯亞胺等等；然後，聚醯亞胺系樹脂層，可使用如上 述專利文獻1〜4記載之低熱膨脹性者，及加熱時熔融或軟 化之熱塑性聚醯亞胺等，沒有特別的限制；但是，尤其適 合之絕緣體層，係由專利文獻5記載之聚醯亞胺前驅體樹 脂溶液加熱硬所得的熱塑性聚醯亞胺系樹脂而成之基底層 、與由低熱膨脹性聚醯亞胺系樹脂所成之中間主層、及由 熱塑性聚醯亞胺系樹脂而成之上層的至少三層之聚醯亞胺 系樹脂層所成者，較爲適合。 於此，形成中間主層之低熱膨脹性聚醯亞胺系樹脂， 其線膨脹係數以3 Ο X 1 0 - 6 ( 1 / °C )以下較適合，薄膜之 耐熱性、可撓性中以具有優越性能者爲佳；於此，線膨脹 係數係使用醯亞胺化反應充分完成後之試料，採用熱機構 分析器（TMA )升溫至250°C後，以l〇°C /分鐘之速度冷 卻，求出在240〜100 °C之範圍的平均線膨脹係數者；具有 如此性質之低熱膨脹性聚醯亞胺系樹脂的具體例，以上述 專利文獻5記載之具有下述一般式（I )所示的單位結構之 聚醯亞胺系樹脂，較爲適合。 -11 - 1333895

(式中，R i〜R4爲低級烷基、低級烷氧基、 氫原子。） 又，基底層或上層所使用之熱塑性聚醯亞月I 只要其玻璃轉移點爲3 5 0 °C以下者，任何結構均 加熱加壓下壓黏之際，其界面具有充分之黏著強 ;於此所謂熱塑性聚醢亞胺系樹脂’係指在玻瑪 上之通常狀態，不一定顯示充分流動性亦可’色 可黏著者；具有如此之性質的熱塑性聚醯亞胺系 體例有，上述專利文獻5記載之具有以下述一座 及一般式（ΠI )表示的單位結構者。 c(y (式中，Ar,爲二價之芳香族基，其碳數爲 X0. •C0 订 s〇OTc>， CO, (式中，Ar2爲二價之芳香族基，其碳數爲 於此，二價之芳香族基An或A r2的具體例有 (I) 鹵原子或 系樹脂， 可；以在 度者爲佳 轉移點以 含經加壓 樹脂之具 :式（II )(I) 1 2以上。(I) 1 2以上。 ，例如， -12- ⑧ 1333895 ' Ο) -^-CO-NH-0- s Ό·〇Ο~°-0-ν -^•〇^-s〇zO°O~s Ό·°Ό·°Ό· CH3

等等；以下述者較爲適合。

p-s〇2-Q 又’單面導體層積體之製造方法，係如上述專利文獻 4及5之記載，在聚醒亞胺前驅體溶液或聚醯亞胺溶液中， 加入眾所周知的酸酐系或胺系硬化劑等硬化劑、矽烷偶合 劑、鈦酸酯偶合劑、環氧化合物等黏著性賦予劑、橡膠等 ® 可撓性賦予劑等各種添加劑或催化劑，塗佈於導電性金屬 箔（M!)上；接著，藉由熱處理熱硬化，即得單面導體 層積體：還有，單面導體層積體，以在導電性金屬箔（ Μ !)上將基底層之熱塑性聚醯亞胺系樹脂層層積，於中 間主層將低熱膨脹性聚醯亞胺系樹脂層層積，進而將上層 (最表面層）之熱塑性聚醯亞胺系樹脂層層積，較爲適合 ;於此，在中間主層不含低熱膨脹性聚醯亞胺系樹脂層時 ，於加熱硬化步驟所得之單面導體層積體的翹曲、卷邊增 大，以後之步驟的操作性顯著降低；又，上層（最表面層 -13 - (10) (10)1333895 )不含熱塑性聚醯亞胺系樹脂層時，於加熱壓黏滾筒步驟 之與導電性金屬箔的熱壓黏，不能充分發揮黏著力，極不 適合。 其時，低熱膨脹性聚醯亞胺系樹脂層之厚度t !與熱塑 性聚醯亞胺系樹脂層之厚度12的厚度比（t2 )，爲2〜 100之範圍，以5〜20之範圍更適合。 此厚度比（t2 )小於2時，聚醯亞胺系樹脂層全體 之熱膨脹係數，與金屬箔相比過高，於此第一步驟所得之 單面導體層積體的翹曲、卷邊增大，使第二步驟之操作性 顯著降低；又，熱塑性聚醯亞胺系樹脂層之厚度t2過小， 其厚度比（q/h)超過100時，第二步驟之熱壓黏的黏著 力充足，產生不能發揮之情況。 此等複數之聚醯亞胺系樹脂對導電性金屬箔（ivh) 上的塗佈，雖能以其樹脂溶液之型態施行，但以如上述專 利文獻4及5記載之以其前驅體溶液的型態，將複數之前驅 體溶液總括或逐次的塗佈，或於聚醯亞胺閉環溫度以下之 脫溶劑處理後，總括進行對前驅體之聚醯亞胺的加熱轉換 ’較爲適合，在完全轉換爲聚醯亞胺之層上，更塗佈另外 之聚醯亞胺系前驅溶液，經熱處理而醯亞胺閉環時，各聚 醯亞胺系樹脂層間之黏著力有不能充分發揮之情況，成爲 使製品之兩面層積體的品質降低之原因。 在導電性金屬箔（M,)上，塗佈聚醯亞胺系樹脂溶 液或其前驅體溶液（聚胺酸溶液），可使用例如刮板塗佈 器、模頭塗佈器、滾筒塗佈器、幕帷塗佈器等藉由眾所周 -14- (11) 1333895 知的方法施行；尤其施行厚塗時，以使用模頭塗佈器或刮 板塗佈器爲宜：又，塗佈使用之聚醯亞胺系前驅體溶液的 .. 聚合物濃度’隨聚合物之聚合度而異，通常爲5〜30重量 ' % ’以10〜20重量％更適合；聚合物濃度低於5重量％時 ，以一次塗佈不能獲得充分之膜厚；又，高於3 〇重量％時 ，溶液黏度過高，難以塗佈。 以均勻之厚度塗佈於導電性金屬箔的聚胺酸溶液，其 次，經熱處理去除溶劑，進而醯亞胺閉環；此情況以高溫 激烈進行熱處理時，於樹脂表面生成被膜層使溶劑難以蒸 發’且發泡之故。以緩慢由低溫上升至高溫同時進行熱處 ' 理較爲適合；此時之最終熱處理溫度，通常以3 00〜400°C • 爲佳；於400°C以上時，徐徐引起聚醯亞胺之熱解；又’ 於30(TC以下時，聚醯亞胺被膜不能充分定向於導電性金 屬箔上，難以獲得平面性優越之單面導體層積體；如此形 成之做爲絕緣體的聚醯亞胺系樹脂層的全體厚度，通常爲 1 0 〜1 5 0 // m。 依圖式詳細說明如下：圖1爲，將本發明之單面導體 - 層積體與導電性金屬箔（M2)引入一對壓縮滾筒間’藉 . 由加熱壓黏層積整體化之兩面導體聚醯亞胺層積體的製造 方法槪略圖；圖2爲表示預備加熱用導向滾筒之一例的槪 略縱剖面圖；圖3爲表示壓縮滾筒之一例的槪略縱剖面圖 〇 圖1中，將在如上所述之導電性金屬箔（M 1 )的單面 上由聚醯亞胺系樹脂所成之絕緣體層加熱硬化而黏著的單 -15- (12) (12)1333895 面導體層積體1、與導電性金屬箔（M2)，一起由滾筒卷 曲狀態連續拉出’經複數之導向滾筒3、3 >、4、4/等’ 以提高平面性後之狀態施行預備加熱後’以接觸於一對加 熱壓縮滾筒5、6之表面的狀態’通過壓縮滚筒間之加壓點 ，藉由將導電性金屬箔（M2)加熱壓黏於上述單面導體 層積體1之上層，層積整體化’形成兩面導體聚醯亞胺層 積體7後，以吹送適合於冷卻用之惰性氣體等冷卻方法設 施C預備冷卻，經複數之導向滾筒8、8 > ，於外氣中再加 以冷卻，即得卷取製品9。 於此’複數之導向滾筒3、3' 、4、4 — 、8、8'等及 一對加熱壓縮滾筒5、6，爲防止導電性金屬箱之氧化，配 置於保持在大氣壓以上之氮氣等惰性氣體大氣下的處理室 10內，而且在基材引入口及層積體之排出口的設置密封機 構（迷宮式密封）1 1較爲適合；於此，由滾筒卷曲狀態連 續拉出之單面導體層積體1、與導電性金屬箔（Μ2) 2, 在引入處理室10內（圖中未顯示）之前，分別經由中心軸 之高度相異的複數之導向滾筒，於拉伸狀態提高平面性， 較爲適合；又，自處理室10拉出之兩面導體聚醯亞胺層積 體，亦在成爲滾筒卷曲製品9之前（圖中未顯示），分別 經由中心軸之高度相異的複數之導向滾筒，於拉伸狀態降 低表面溫度，較爲適合。 尤其，本發明中以提高平面性後之狀態的預備加熱之 方法’係將於加熱壓縮滾筒5、6之前的導向滾筒3 — 、4一 以內藏型之方法加熱；或在加熱壓縮滾筒之前設置加熱燈 -16- ⑧ (13) (13)1333895 或放射輻射能量之加熱器h ,及h2，預備加熱亦可；於此， 以圖2說明特別適合之內藏型加熱方法的預備加熱用導向 滾筒之一例：圖2中’導向滾筒3 - ( 4 -)，係內部爲空 洞之外圍部、與由空洞之兩端突出的中心軸1 2，以配置於 滾筒外圍部之兩端內部的軸承等旋轉支撑構材13介入而整 體化：且滾筒外圍部，係以該旋轉支撑構材1 3使中心軸1 2 旋轉之自由旋轉結構。 又，在滾筒內部之中心軸1 2，以介電加熱使選自加熱 線圈、紅外線加熱器、電阻加熱線圈等放射輻射熱之加熱 控制的方法設施1 4，適當劃分或整體化而定；改變對此等 加熱控制方法設施之流入電流値，可控制對滾筒之內壁面 的照射之輻射熱能量；又，在滾筒外表面附近埋入配置， 塡充導熱性良好之有機熱媒的稱呼爲夾套或加熱管之導熱 元件1 7，藉由加熱控制方法，以照射之輻射熱能量使表面 溫度均勻加熱化：如此之加熱管，由上述中心軸1 2之加熱 方法設施14熱傳送，瞬間傳送至滾筒外表面全體之故，表 面溫度之精確度高，幾乎不產生軸方向之溫度差。 於此，引入加熱壓縮滾筒間之前的單面導體層積體1 與導電性金屬箔（M2 ) 2之預備加熱溫度，爲200 °C以上 、上層樹脂之熱塑性聚醯亞胺系樹脂的玻璃轉移點以下之 溫度，以200〜3 5 0 °C較適合；如此預備加熱滾筒外表面溫 度，以由埋置於滾筒表面之溫度感知器監視，控制供給至 加熱控制方法設施1 4之電流値，使可常時保持於所定之溫 度，較爲適合；不施行預備加熱時，或預備加熱溫度在 -17- (14) 1333895 2 00 °C以下時，使極薄之金屬箔通過加熱壓縮滾筒間 烈升溫壓黏之結果，不僅在層積體之表面產生多數之 紋、橫皺紋、及聚焦雛紋等而導致外觀不良，從黏著 低之點而言，極不適合；又’在玻璃轉移點以上時， 亞胺系樹脂劣化之故，甚不適合。 其次，一對加熱壓縮滾筒5(6)，如圖3所示， 上與以圖2說明之內藏型加熱方法的導向滾筒(4 相同’附註符號亦與圖2相同，與圖2說明者同一意義 直徑較大，且加熱方法劃分爲1 4、1 5、1 6等三部份， 拌動力機構（圖中未顯示）強制旋轉的結構之點不相 在壓縮滾筒外表面附近，埋設塡充導熱性良好之有機 的稱呼爲夾套或加熱管之導熱元件17，使表面溫度均 之方法；壓縮滾筒外表面溫度，以熱塑性聚醯亞胺系 之玻璃轉移點以上爲佳，以控制於3 6 0〜3 9 0 °C之範圍 定値更適合；如此之壓縮滾筒外表面溫度，以由埋置 筒表面之溫度感知器監視，控制供給至加熱方法設施 1 5、1 6之電流値，較爲適合。 又，上述一對加熱壓縮滾筒5、6在氮氣大氣下， 中未顯示）以油壓或齒輪之加壓方法使配置往上下的 —方之壓縮滾筒移動至以中心軸1 2之兩側保持之所定 ，施行兩者間隙之調整，對引入之基材1、2，相互傳 自壓縮滾筒之最適宜的加熱力；此時加熱壓縮滾筒間 壓爲 50 〜500 kg / cm ( 490 〜4900 N / cm)，以 100 -kg/cm( 980〜2940 N/cm)更適合；於通過時間2- ，激 縱條 性降 聚醯 結構 ;其 以攪 同； 熱媒 勻化 樹脂 的設 於滾 14、 (圖 至少 位置 送來 之線 - 300 '5秒 ⑧ -18- (16) (16)1333895 化之進展，所使用之電子配線材料。 【實施方式】 〔實施例〕 以實施例爲基準，具體的說明本發明之實施型態如下 ;還有’下述之實施例及比較例中’線膨脹係數、單面鑛 銅品之卷邊及黏著力，係以下述之方法測定。 即’線膨脹係數係採用精工電子工業股份有限公司製 之熱機構分析器（TMA 100) ’在升溫至250 °c後，以10 °C/分鐘之速度冷卻，算出於240〜l〇〇°c間之平均線膨脹 係數而求得；單面鍍銅品之卷邊，係測定經熱處理醯亞胺 化後，lOOmmxlOO mm之尺寸的鍵銅品之曲率半徑。 單面鑛銅品之黏者力’係依JIS-C 5016— 7.1項，使用 導體寬3 mm之圖型，以50 mm /分鐘之速度，求出將銅箔 依1 8 0 °的方向拉開時之値。 又，實施例及比較例中，使用下述之簡稱符號。 PMDA:均苯四酸二酐 BTDA: 3、、4、4'-二苯甲酮四羧酸酐 DDE: 4、4一二胺基二苯基醚 MABA : —甲氧基_4、—二胺基苯（甲）醯 苯胺 (合成例1 ) 在玻璃製反應器中通入氮氣’同時加入N，N—二甲 -20- ⑧ (17) (17)1333895 基乙醯胺2532 g，於繼續攪拌下加入〇·5莫耳之DDE、與 0.5莫耳之MABA，使完全溶解；將此溶液冷卻至l〇°C ’少 量多次添加1莫耳之PMDA ’使反應液保持於30°C以下之溫 度，添加完成後繼續於室溫攪拌2小時，完成聚合反應； 所得聚醯亞胺前驅體溶液爲聚合物濃度1 5重量％，B型黏 度計於25°C之黏度爲1〇〇〇 mP · s。 (合成例2 ) 除使用1莫耳之二胺成份的DDE、〗莫耳之酸酐成份的 BTDA以外，與合成例1同樣的進行，即調製成聚醯亞胺前 驅體溶液；所得聚醯亞胺前驅體溶液爲聚合物濃度1 5重量 %，B型黏度計於25°C之黏度爲300 mPa· s。 (層積體之製作） 在35;/m滚筒狀之電解銅箔（日鑛古魯多公司製）的 粗糙面上，使用模頭塗佈器，將合成例2調製之聚醯亞胺 前驅體溶液2均勻塗佈12// m的厚度後，以120°C熱風乾燥 爐連續處理，去除溶劑：其次，於此聚醯亞胺前驅體層上 ’使用逆輥塗佈機，將合成例1調製之聚醯亞胺前驅體溶 液1均勻塗佈200# m的厚度，以120 °C之熱風乾燥爐連續 處理，去除溶劑後；再將合成例2調製之聚醯亞胺前驅體 溶液2均勻塗佈15// m的厚度，接著使用熱風乾燥爐，以 30分鐘由120 °C升溫至360 °C施行熱處理醯亞胺化，即得聚 薩亞胺樹脂層之厚度25" m，無翹曲及卷邊之平均性良好 -21 - ⑧ (18) (18)1333895 的早面鑛銅品a;測定此單面鑛銅品a之銅泊層、與聚釀亞 胺樹脂層之間的1 8 0。剝離強度（n S - C 5 0 1 6 )之結果爲 0.8 kg/ cm，蝕刻後之薄膜的線膨脹係數爲23.5 X 1 0 6 ( 1 / 〇C )。 〔實施例1〕 將合成例調製之單面絕緣體層的鍍銅品之橫寬500 nm 滾筒卷取薄片的樹脂面、無同橫寬尺寸之35#m的滾筒卷 取薄片之壓延銅箔的粗糙面，分別於氮氮大氣下經由導向 滾筒引入一對加熱壓縮滾筒間（外徑爲3 00 mm、寬800 mm’於表面附近埋置灌入萘之夾套式加熱管的均勻加熱 方法設施’於內部之中心軸將介電加熱線圈內藏之結構） ，在引入之前以內藏型加熱方法的導向滾筒(4> )預 備加熱，於加熱壓縮滾筒表面溫度360〜390。(：、壓縮滾筒 間之線壓150〜170 kg/cm、通過時間2〜5秒鐘之範圍內 加熱壓黏；此時’在相同基材材料、相同加熱壓縮滾筒之 條件下，就不施行預備加熱之情況、與改變預備加熱溫度 爲150°C、25 0 °C、及34〇°C之情況，以目視檢測所得兩面 鑛銅品之表面狀態’結果如表1所示。 (19) (19)1333895 表1 預備加熱溫度rc ) 兩面鍍銅品之表面狀態 無預備加熱 不良（產生多數之縱條紋、橫皺紋） 150 不良（產生皺紋） 250 外觀良好（無皺紋） 340 外觀良好（無皺紋） 〔實施例2〕 上述實施例1中，加熱壓縮滾筒之表面設定溫度爲360 °C、壓縮滾筒間之線壓爲150 kg/ cm、通過時間爲3秒， 且引入加熱壓縮滾筒間之基材的預備加熱，分別爲無預備 加熱，250 °C、及340 °C時，加熱壓縮滾筒之表面粗糙度（ Ra )，分別改變爲0.01以下，0.05、0·20、10.0// m之4階 段時，以目視檢測所得兩面鍍銅品之表面狀態，結果如表 2所示。 (20) (20)1333895

〔產業上利用性〕 本發明之兩面導體聚醯亞胺層積體的製造方法，係能 以滾筒卷取狀態，連續製造無縱條皺紋等外觀不良、品質 之兩面導體聚醯亞胺系層積體的產業上利用性高之製造方 法。 【圖式簡單說明】 -24 - ③ (21) (21)1333895 圖1爲表示本發明之兩面導體聚醯亞胺層積體的製造 方法之槪略流程圖。 圖2爲表示預備加熱用導向滾筒之一例的槪略縱剖面 圖。 圖3爲表示加熱壓縮滾筒之一例的槪略縱剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 單面導體層積體 2 導電性金屬箱 3 導向滾筒 3 ^ 預備加熱用導向滾筒 4 導向滾筒 4 ^ 預備加熱用導向滾筒 5 加熱壓縮滾筒 6 加熱壓縮滚筒 7 兩面導體聚醯亞胺層積體 8 導向滾筒 9 滾筒卷曲製品 I 〇 氮氣大氣之處理室 II 氮氣密封機構 12 中心軸 13 軸承等旋轉支撑構件 14 加熱方法設施 17 加熱管 -25- ⑧

Claims (1)

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十、申請專利範圍 第94 1 0 1 1 97號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國99年7月5日修正 1. 一種兩面導體聚醯亞胺層積體之連續製造方法， 將由於導電性金屬箔（Μ ,)上具有基底層、中間主層、 上層之至少三層的聚醯亞胺系樹脂層之單面導體層積體， 與導電性金屬箔（Μ2)所成之各自之導入基材，連續引 入一對加熱壓縮滾筒間，藉由將導電性金屬箔（Μ2 )力口 熱壓黏於該上層而層積整體化的兩面導體聚醯亞胺層積體 之製造方法中’其特徵爲將引入加熱壓縮滾筒間之前的單 面導體層積體與導電性金屬箔（Μ2 )，分別在惰性氣體 環境下於2 0 0 °C以上至上層之聚醯亞胺系樹脂的玻璃轉移 點以下預備加熱後，使其與經過比平均表面粗度（Ra ) Ο.ΟΙμιη大至5μπι以下之粗面化處理之加熱壓縮滾筒之表面 接觸。 2. 如申請專利範圍第1項之兩面導體聚醯亞胺層積體 的連續製造方法’其中在該一對加熱壓縮滾筒之表面溫度 爲3 40〜3 9 0 °C、壓縮滾筒間之線壓爲50 kg/ cm〜3 00 kg / c m、通過時間爲2〜5秒鐘之條件下加熱壓黏。 3. 如申請專利範圍第1或2項之兩面導體聚醯亞胺層 積體的連續製造方法，其中該單面導體層積體與導電性金 屬泊（Μ2 ) ’係由滾同卷曲狀態拉出，分別經由中心軸 之高度相異的複數之導向滾筒，以提高平面性後之狀態施[s j 1333895 行預備加熱。 4.如申請專利範圍第1項之兩面導體聚醯亞胺層積體 的連續製造方法，其中該預備加熱係以內藏加熱手段之導 向滾筒施行。 5 .如申請專利範圍第1項之兩面導體聚醯亞胺層積體 的連續製造方法，其中滾筒表面以熱噴塗陶瓷被膜，形成 表面粗糙度（Ra)。 -2