TWI327686B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

1327686 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影設備及一種用於製造裝置之方 法。 【先前技術】 微影設備係將一期望的圖案施加到一基板或一基板—部 份上之一機器。舉例來說，微影設備可用來製造平板顯示 器、積體電路（ic)及其它涉及精細結構的裝置。在一習知的 汉備中，可參考為一光罩或一主光罩的圖案化裝置可用來 產生一對應於一平板顯示器（或其他裝置）之個別層的電路 圖案。此圖案可轉移於基板（例如一玻璃板）上（或其部份 上），例如經由成像於提供在基板上的輻射敏感材料（光阻） 層上。 取代一電路圖案，該圖案化構件可用來產生其他圖案’ 例如一濾色器圖案，或點矩陣。取代一光罩，該圖案化裝 置可包括一圖案化陣列，其包含個別可控制元件的陣列。 與基於光罩之系統相比的此一系統的優點在於，該圖案可 以更快速地改變以及較少的成本。 一平板顯示器基板的形狀可為矩形的。設計為曝露此一 類型基板的微影設備可提供-曝光區域，其覆蓋該矩形基 板的-全寬’或其覆蓋寬度的一部份(例#，該寬度的一 半）。在該曝光區域之下可掃描該基板，而且該光罩$主光 罩係透過投影光束同步掃描。以.方彳 以此方式，該圖案轉移到基 板上。如果該曝光區域覆蓋該基板的全寬，則可以一單一 110343.doc 1327686 掃描完成曝光。如果該曝光區域覆蓋，例如，該基板之寬 度的一半’則該基板可以在第一次掃描後橫向地移動，以 及典型地執行進一步掃描以曝露該基板的剩餘部份。 在個別可控制元件的陣列係用來產生該基板上圖案的情 況中’處理光柵化圖案資料的速度以及通過個別可控制元 件的陣列作為一適合的控制信號對微影設備的性能來說係 一關鍵因素，以及該設備的整體成本的明顯比例與提供以 執行此種處理的計算性硬體相關。該種根據需要的計算性 硬體係特別嚴苛的，其中處理需要和曝光基板㈣執行（有 時稱為「快速（on-the-fly)」處理 該圖案資料可藉由複數個個別可控制元件的陣列曝露， 以及各個元件可具備有分離的光學元件和資料處理硬體 (此種組件全部或—部份有時稱為—「光學行」或「光學引 擎」）。各光學行可以具有優墊妯 有優勢地被札派予該基板欲曝光的 一特疋條（strip)以及因此可分離資料處理任務。 為了要能以多樣化複製圖案佈局，各光學引擎必需罝備 足夠的處理能力以處理嗜圖宏竑+ u 案，而其係昂貴的 圖案條—最壞情況的方 【發明内容】 本毛月的目的包括提供一 有效率地管理。 仏備’纟中資料處理係更 2具體貫施例中，提供—種微影設傷，盆包括. 個：可控制元件的陣列，用於調變轄射光束：括. 資料處理管線，用# 於將一所需劑量圖案的第—資料表 U0343.doc 1327686 示轉變成適用於控制該個別可控制元株 j衩制兀件的陣列的控制資料 序列，以能夠實質上在一基板上形成嗲 饥丄仞风成所需劑量圖案；該 資料處理管線包括： 複數個資料調處裝置；以及 -計算負載控制H ’其配置成將該第1料表示分配成 複數個資料包’各資料包對應於該所需劑量圖案之—组子 區域中的-子區域’而且各該等請包遞送至該等資料調 處裝置之一，其中： 該計算負載控制器係配置成選擇㈣資料包以遞送至各 該等 > 料調處裝置，L%i /A φ ^ ΛΑ· ,. 以便付千衡该專責料調處裝置之間的 總計算負載。 在 ' 具體實施例中，iS· /tt <ίί- ·«- πσ jti 也例肀，袄供一種裝置製造方法，其包括： 使用個別可控制元件的—陣列調變輕射光束； 將所需劑置圖案的第一資料表示轉變成適用於控制該 個別可控制凡件的陣列的控制資料序列，以能夠實質上在 -基板上形成該所需劑量圖帛； 、 將該第一資料\ '寸衣不为配成複數個資料包，各資料包對 於該所需劑量jgj安 〜 案之一組子區域中的一子區域，並將各該 等資料包遞送i & 用於該轉變之複數個資料調處裝置之一； 以及 選擇該等資制^ I以遞送至各該等資料調處裝置，以此方 式會平衡該等資 貧枓调處裝置之間的總計算負載。 【霄施方式】 圖1示意性為' BB & α D月依據本發明之一具體實施例之微影設 110343.doc 1327686 備。該設備包括： 一照明系統（照明器）IL B(如UV輻射）； 其係配置用以調節— 輕射光束 一圖案化裝置PD(例如個別可控制元件的一陣列），盆^ 變該投影光束’通常該個別可控制元件之陣列的位置將: 相對於項目PS而固定；然而其也可取代成連接—定位器， 其配置成根據特定參數精確地定位該個別可控制元件 列的位置；

一基板台WT，錢構造用m撲一基板（如6塗布光阻 的基板）w’並連接至—^位器PW’該定位器”係配置用 以依據特定參數來精確地定位該基板；以及 一投影系統（如一折射投影透鏡系統）Ps，其係配置成將 藉由該個別可控制元件的陣列調變的輻射光束投影至基板 W的一目標部份c(如包含一或更多晶粒）上。 該照明系統可包括各種類型的光學組件，如折射、反射、 磁性、電磁、靜電或其他類型的光學組件，或其任何組合， 用於引導、成形或控制輻射。 本文中使用的術語「圖案化裝置」應廣泛地解釋成可用 於調變一輻射光束的斷面（如在基板的目標部份中產生一 圖案）的任何裝置。應該注意，賦予輻射光束的圖案可能不 會精確對應於基板之目標部份中的期望的圖案，例如，若 該圖案包含相移特徵或所謂的協助特徵。同樣地，最後在 該基板上產生的圖案可能會不對應於任何瞬間於個別可控 制元件之陣列上所形成的圖案。以下配置便可能如此：在 110343.doc •10- 1327686 該基板各部份上形成的最後圖案係經過一既定的時間週期 或既定數量的曝光後所建立的，而在此期間該個別可控制 元件之陣列上的圖案及/或該基板之相對位置會發生變 化。通常，產生於該基板之目標部份上的圖案將會對應於 一裝置中欲產生於目標部份中的一特定功能層’如—積體 電路或一平板顯示器（例如，在一平板顯示器中的一濾色層 或在一平板顯不器中的一薄膜電晶體層）^此種圖案化裝置 的範例包括’例如主光罩、可程式化鏡陣列、雷射二極體 陣列、發光二極體陣列 '光柵光閥&LCD陣列。圖案係藉 助電子構件（例如一電腦）而程式化的圖案化裝置，如包括複 數個可程式化元件的圖案化裝置，可錢變輻射光束一部 份的強度（例如，除了在先前段落提及用於主光罩的所有裝 置），以下統稱為「對比裝置」。應瞭解亦可使用具有複數 個可程式化元件的—電子可程式化圖㈣裝置該等元件 藉由相對於該輻射光束的鄰近部份調變該輻束光束之一部 份的相位而賦予該輻射光束一圖案。在一具體實施例中， 該圖案化裝置包括至少10個可程式化元件，例如至少1〇〇 個、至少1000個、至少1〇_個、至少1〇〇〇〇〇個至少 個二或至少10000000個可程式化元件。數個此種裝置的具 體實施例的某些更詳細内容敘述如下。 一可程式化鏡陣列。此可包含-矩陣可定址表面，其具 有一黏彈性控制層及-反射表面1種設備所依託的基: 原理為（例如）反射表面的已定址區域將入射光反射為繞射 光’而未定址區域將入射光反射為非繞射光。使用一適當 110343.doc 1327686 的空間濾光器便可濾掉該被反射光束中未被繞射的光線， 而僅留下繞射光線抵達該基板；依此方式，該光束便可根 據該矩陣可定址表面的定址圖案來進行圖案化。應明白， 另一替代例為，該濾光器亦可濾掉繞射光，而僅留下非繞 射光到達該基板。亦可以對應的方式使用一繞射光學微機 電系統（MEMS)裝置陣列。一繞射光裝置由複數個 反射帶所組成，該等反射帶可彼此相對而變形，以形成將 入射光反射為繞射光的光柵。可程式化鏡陣列的另一替代 具體實施例係使用小鏡面矩陣配置，藉由施加一適當的局 部電％或運用壓電驅動構件，便可讓各個鏡面相對於一轴 產生傾斜。再者，該等鏡為矩陣可定址，使得該等已定址 鏡會以不同方向反射入射的輻射光束至未定址的鏡；在此 方法中，根據矩陣可定址鏡的定址圖案來圖案化反射光 束。可使用適當的電子構件來執行所需的矩陣定址。本文 所述的鏡陣列的詳細資料’請參閱例如美國專利第 5,296,891號及第5,523,193號，以及PCT專利申請案 98/3 85 97及W0 98/3 3 096，此處以整體提及方式併入本文。 一可程式化LCD陣列。這種構造的實例可於美國專利第 5,229,872號中找到’此處以整體提及方式併入本文。 微影設備可包括一或多個圖案化裝置。例如，其可具有 複數個個別可控制元件的陣列，各彼此獨立被控制。在此 一配置中，個別可控制元件的某些或全部陣列可具有至少 一個共同照明糸統（或一照明系統的部份）、一用於個別可控 制元件之陣列的共同支撐結構及/或一共同投影系統（或該 110343.doc 1327686 投影糸統的部份）。 在具體貫施例中’如圖1所述的具體實施例，基板w具 有一實質圓形，視需要具有一缺口及/或一沿著其周邊的平 坦邊緣。在一具體實施例中’該基板具有一多邊形，例如 一矩形°在基板具有一實質圓形的具體實施例中，包括了 S玄基板具有一至少為25 mm直徑的具體實施例，例如至少5〇 mm、至少 75 mm' 至少 100 mm、至少 125 mm、至少 150 mm、 至少175 mm、至少200 mm、至少250 mm、或至少300 mm » 在具體實施例中’該基板具有一至多為500 mm、至多為 400 mm、至多為350 mm、至多為300 mm、至多為250 mm、 至多為200 mm、至多為150 mm、至多為100 mm、或至多為 75 mm的直徑。在該基板係多邊形，例如矩形的具體實施例 中’包括了其中該基板的至少一邊，例如至少2邊或至少3 邊具有一長度至少為5 cm的具體實施例，例如至少25 cm、 至少50 cm、至少1〇〇 cm、至少丨5〇 cm、至少200 cm、或至 少250 cm。在一具體實施例中，該基板的至少一邊具有一 長度至少為1000 cm，例如至少為750 cm、至多為500 cm、 至多為350 cm、至多為250 cm、至多為150 cm、或至多為 75 cm。在一具體實施例中，該基板係一矩形基板，其具有 一長度約250至350 cm及一寬度約250至300 cm。該基板的 厚度可變化，且其變化程度可根據例如基板材料及/或基板 維度。在一具體實施例中，該厚度至少為50 μπι，如至少為 100 μιη、至少為 200 μηι、至少為 300 μιη、至少為 400 μιη、 至少為500 μπι、或至少為600 μιη »在一具體實施例中，該 110343.doc •13· 1327686 基板的厚度至多為5000 μπι，如至多為35〇〇 μΓη、至多為2500 μηι、至多為 175〇 μηι、至多為 125〇 、至多為 1〇〇〇 μΓη、 至多為800 μιη、至多為6〇〇 μηι、至多為5〇〇 μιη、至多為4〇〇 μηι、或至多g3〇〇Mm。本文所參考的基板可在曝光之前或 之後’在如循跡（通常將光阻層塗佈到基板上並顯影曝光光 阻的工具）、度量衡工具及/或檢驗工具中進行處理。 在一具體實施例中，該基板上提供有一光阻層。在一具 體實施例中，基板界係一晶圓，如一半導體晶圓。在一具 體貫施例中’該晶圓材料係選自由Si、SiGe、、s】c、 Ge、GaAs、inPA InA^成的群。在一具體實施例中，該晶 圓係-III/V族化合物半導體晶圓。在—具體實施例中，該 晶圓係-石夕晶圓。在—具體實施例中，該基板係一陶曼基 板。在一具體實施例中，該基板係-玻璃基板。玻璃基板 可用於例如平板顯示器及液晶顯示面板的製造中。在一 八體實施例中’該基板係_塑膠基板。在—具體實施例中， 。亥基板係半透明（以裸眼）的。在一具體實施例中，該基板係 有色的。在—具體實施例中，該基板不具有顏色》 本文使用的術語「投影系統」應廣義地解釋為包含任何 類型的投影系統，如柏Μ 折射、反射、反折射、磁性、電磁及 靜電光學系統，或1h ,人 ^ 飞/、任何組合，其適合於所使用的曝光輻 射，或其他諸如佶用、令、主+ 上 茂潰液體或使用真空等因素。本文所 使用的名詞「投影读# ^ 、、 、，兄」6可視為與更普遍名詞「投影系 統」同義。 該投影系統可將鬧φ上、，Α , 圖木成像於個別可控制元件的陣列上， n0343.doc -14· 1327686 使得該圖案可連貫地形成在基板上· 败上，或者是，該投影系統 可成像用於個別可控制元件的陣列 干α作為快門的二次光源。 在此方面中，該投影系統可包括聚 '，、、兀仵的陣列，如一微 透鏡ρ車m已知為mLA)或-菲淫耳透鏡陣列’以形成該等 二次光源以及在基板上成像光點。在—具體實施例中，聚 焦元件陣列（例如MLA)包括至少10個聚焦元件例如至少 卿聚焦元件、至少1000個聚焦元件、至少1〇〇〇〇個聚焦 元件、至少100000個聚笋元株、—κ ,

私…、70件或至少1000000個聚焦元 件。在-具體實施例中，個別可控制元件在該圖案 中的數目等於或大於聚焦元件在聚焦元件陣列中的數目。 在-具體實施例中’聚焦元件陣列包括一聚焦元件，盆光 學關連於個別可控制元件陣列中的—或多個個別可控制元 件，例如關連於個別可控制元件陣列中的2個或2個以上的 個別可控制元件，如3個或3個以上、5個或5個以上、1〇個 或10個以上、20個或20個以上、25個或25個以上、35個或 35個以上、50個或50個以上。在一具體實施例中，聚焦元 件陣列包括多於一個的聚焦元件（例如多於丨〇〇〇個、過半數 或約全部），其光學關連於個別可控制元件陣列中的一或多 個個別可控制元件。在-具體實施例中，該MLA係可移動 的（如藉由驅動器的使用），例如藉由一或多個驅動器的使用 至少往基板方向移動或遠離基板。為了移動MLA朝向或遠 離基板，允許例如聚焦調整而不必移動基板。 如此所述，該設備屬於反射型（如運用個別可控制元件之 反射陣列）。或者該設備可為一透射型（如運用個別可控制 110343.doc 15 1327686 元件之一透射陣列）。 該微影設備可能係具有兩個 1回i雙級）或兩個以上基板台 一類型。在此等「多級，棬哭士 」機盗中，可並行使用該等額外 台’或可在-或多個台上實施多個預備步驟，同時一或 個其他台用於曝光。

微影設備亦可為—其中將該基板之至少-部份由具有相 對較高折射率的「浸潰液體」（如水）覆蓋之類型，以填充投 影系統與基板間的空間。亦可將浸潰液體施加於該微影設 備中的其他空間，例如，圖案化裝置與投影系統之間的空 間。浸潰技術在用於增加投影系統之數值孔徑的技術中已 為人熟知。在此使用之名詞「浸潰」並非意指一結構（諸如 基板）必須浸入液體中，而係只意指該液體在曝光期間係位 於投影系統和基板間。

之 的 多 參考圖1 ’照明器IL接收_自輻射源s〇的輻射光束。在一 具體實施例中，該輻射源提供具有一波長至少為5 nm的輻 射’例如至少為1 0 nm、至少為50 nm、至少為1 〇〇 nm、至 少為150 nm、至少為175 nm、至少為200 nm、至少為250 nm、至少為275 nm、至少為300 nm、至少為325 nm、至少 為3 50 nm、或至少為360 nm。在一具體實施例中，由輻射 源SO提供的該輕射具有一波長至多為450 nm，例如至多為 425 nm、至多為375 nm、至多為360 nm、至多為325 nm、 至多為275 nm、至多為250 nm、至多為225 nm、至多為200 nm、或至多為175 nm。在一具體實施例中，該輻射具有一 包括 43 6 nm、405 nm、365 nm ' 3 5 5 nm、248 nm、1 93 nm、 110343.doc -16· 1327686 157nm、及/或126nm的波長。在_且鞞者， 八遛貫知例中’該輻射 包括一約為365 nm或約為355 nm的波長。在一具體實施例 中，該輻射包括一寬頻波長，例如包含365、4〇5及⑽。 可使用- 355 nm的雷射源。純射源與該微影設備可以為 分離實體’例如該輻射源係一準分子雷射時。在此類情況 下，不認為該輻射源會形成微影設備之部份，且會藉助包 含(例如)合適導引鏡及/或光束擴張器之一光束二系= BD，將輻射光束從輻射源S0傳遞到照明器^在其他情形 下，輻射源可為微影設備的整合部份，例如，當輻射=為 水銀燈時。該輻射源SO與該照明器IL，連同必要時的光束 輸送系統BD’可稱為-賴射系統。若該圖案化裝置本身係 一光源’例如一雷射二極體陣列或—發光二極體陣列，則 該設備可設計成不需要m统或至少—簡化的照明系 統（例如可排除需求的輻射源S〇)。 照明器!L可包括用於調整輻射光束之角強度分配的調整 器AD。一般來說，至少可以調整該照明器之光瞳平面中之 強度分配的外徑及/或内徑範圍（一般分別稱為σ外及& 内）。此外，該照明器IL可包括各種其他組件，諸如一整合 器IN及一聚光器c〇。該照明器可用以調節輻射光束，以在 其斷面中具有期望之均勻度及強度分配。該照明器江或― 額外組件關連於亦可配置成將輕射光束分成複數個子光束 的組件，其例如各關連於個別可控制元件陣列中的一或複 數個個別可控制元件。一二维繞射光柵可例如用來將輕射 光束分成子光束。在本說明書中，術語「輻射光束」或「輻 M0343.doc 17 1327686 射束」包含但不限於，光束係由複數個此種輻射子光束組 成的情形中。 輻射光束B入射在圖案化裝置p D (例如個別可控制元件 陣列）上，且係由該圖案化裝置調變。在由圖案化裝置1>1) 反射後，輻射光束B穿過投影系統PS,其將光束聚焦在基板 w之目標部份(：上。藉助於定位器pw及位置感應器ιρ2(如， 一干涉裝置、線性解碼器或電容式感測器），基板台貨丁能 準確地移動’如以致在輻射光束B之路徑中定位不同目標部 份C。同樣地，用於個別可控制元件陣列的定位構件可用以 相對於光束B之路徑準確地校正圖案化裝置15〇的位置，如 在掃描期間。在-具體實施例t，基板台射的運動係藉助 一長衝程模組（粗略定位）及一短衝程模組（精細定位）而實 現，其未明確地制於圖4。在—具體實施射，該設備 缺少用於移動基板台WT的至少一短衝程模組。類似系統亦 可用於定位該個別可控制元件陣列。吾人蔣會發現，該投 影光束B可替代性/額外性係可移動的，而該物件台及/或該 個別可控制元件陣列則可能具有固定位置以提供所需的相 對運動。此-配置可幫助限制該設備的尺寸。如一例如應 心平板顯^製造中的另㈣代方案，該基板台WT及該 投影系統ps的位置可為固定的，及該基板w可配置成相對 於該基板台wt而移動。例如，該基板台w可呈有一用於 以-實質恆定速度橫跨該基板w掃描的系統。 如圖1所示’輻射光束B可钰A \ , 米衫了精由一分光器BS指向該圖案化 裝置PD’該分光器BS的配詈古々 置方式使得該輻射初始係由該分 H0343.doc 1^27686

且指向該圖案化裝置PD。應理解該輻射光束B亦 曰〜圖案化裝置而不需要使用-分光器。在一且體實 =中如該輕射光束以一。。及90。之間的角度指向該圖案化 裝置，心及85。之間、15。及75。之間、25。及Μ。之間、或 35及55。之間（圖丨所示的具體實施例係以9〇。的角度）。該圖 案化裝置PD調變該輻射光〇及反射其回到分光器bs，其 將已調變的光束傳送至投影系統ps。然而應瞭解到可使用 另外的配置將輻射光束B指向該圖案化裝置扣且隨後指向 該投影系統PSe特定言之，若使用—透射式圖案化裝置， 則可不需要如圖1所示的配置。 上述設備可在四種較佳模式中使用： 1.在步進模式中，個別可控制元件陣列及基板本質上保 持靜止，同時賦予於輻射光束的整個圖案係一次（即單一靜 態曝光）投影至一目標部份C上。接著基板台臂了在又及/或Y 方向上偏移，因此可以曝光一不同的目標部份c。在步進模 式中，曝光場之最大尺寸限制在一單一靜態曝光中成像的 目標部份C之尺寸。. 2·在掃描模式中，係同步掃描個別可控制元件陣列及基 板’同時一賦予於輻射光束的圖案係投影至一目標部份c 上（即單一動態曝光該基板相對於個別可控制元件陣列的 速度及方向可取決於投影系統PS之放大（縮小）倍數及影像 反轉特徵。在掃描模式中’曝光場之最大尺寸限制在一單 一動態曝光中目標部份之寬度（在非掃描方向上），而掃描運 動之長度決定目標部份之高度（在掃描方向上）。 I10343.doc -19· /ΌδΟ 在脈衝模式中’個別可控制元件陣列本質上保持靜 及《玄整個圖案會使用一脈衝賴射源投影到基板^的目 ^ = 上°玄基板台WT係以一本質上恆定速度移動，使 件該W光束B會橫跨該基板W掃描'線。在個別可控制元 件陣列上的該圖案會按照需求在輻射系統的脈衝及已定時 :脈衝：f新，使得連續目標部份C在基板w上的所需位置 #光〜不，可橫跨基板w掃描該投影光束B以曝光用於基 板條的π整圖案。該程序可重複進行直到逐線曝光整個 板W為止。 (在連⑽_式巾，本#上㈣於脈誠式除了基 板W係以實f上值^速度相對於已調變的輕射光束b掃 描之外’且在個別可控制元件陣列上的該®案係在投影光 束B橫跨該基板W掃描及曝光時更新。可使用—實質上怪定 的輻射源或-脈衝式輻射源，其與在個別可控制元件陣列 上的該圖案更新同步。 還可使用以上說明之佳用指斗十1 , λ 乃之便用摈式方面的組合及/或變化或 完全不同的使用模式。 丨小哪70隹丞板一 N ^ m !上。接 著顯影該光阻。接下來，在基板上執行額外的處理步驟β 這些隨後處理步驟在基板之各部份上的效果取決於光阻的 曝光°特定言之，調整料料，使彳㈣基板接收-輻射 劑量高於-給定劑量臨界值的部份，與該基板接收—輻射 劑量低於該劑量臨界值的部份有不同的回應。例如，在— 银刻程序中會保護該基板接收-輻射劑量高於該臨界值的 110343.doc -20· 區域免受已顯影光阻層的蝕刻。然而，在後曝光顯影中， 會移除該光阻接收—輕射劑量低於該臨界值的部份，及因 此這些區域不會被保護到而遭受_。因&，可㈣一期 望的圖案。特定言之，在圖案化裴置中的個別可控制元件 係設定成使得該輻射係透射至該基板上具有—至少足夠高 強度的圖案特徵的區域，其係在曝光期間接收—輻射劑量 高於，劑量臨界值的區域.。在基板上的剩餘區域接收-輻 射劑置低於該劑量臨界值，其藉由設定對應的個別可控制 元件以提供零或顯著較低的輻射強度。

實際上’如果該等個別可控制元件係設定成提供最大輕 射強度，、。圖案特徵邊界的—邊及提供最小輻射強度給另 -邊，則在該圖案特徵邊緣的輻射劑量不會從一給定最大 值劑里驟變成零劑量值。另夕卜’由於繞射效應，輻射劑量 的位置會橫跨—過渡區而下降。圖案特徵的邊界位置最終 會由該已接收劑量降至低於該輻射劑量臨界值之位置而決 定的已顯影光阻形成。藉由設定該等個別可控制元件可更 精確地控制橫跨過渡區而下降的輻射劑量曲線，且因此圖 案特徵邊界的精確位置，其提供的輕射不只指出該基板在 圖案特徵邊界上或接近於圖案特徵邊界的最大或最小強度 位準’而且亦指出該最大及最小強度位準之間的強度位 準。此一般稱為「灰階調整（grayscaling)」。 置可能在一微影系統 灰階δ周整提供該等圖案特徵邊界位 中有更咼的控制力，其中僅藉由設定兩值予一給定個別可 控制元件（即只有一最大值及一最小值）而提供該賴射強度 110343.doc •21 - 1327686 予該基板。在一具體實施例中，至少三個繞射輻射強度值 可投影至該基板上，例如至少4個輻射強度值、至少8個輕 射強度值、至少16個輻射強度值、至少32個輻射強度值、 至少64個輻射強度值 '至少128個輻射強度值或至少256個 輻射強度值。 應瞭解可使用如上述之額外或替代用途的灰階調整。例 如，可調整基板在曝光之後的處理，使得基板區域基於已 φ 接收的輻射劑量位準有多於二個的可能回應。例如，該基 板接收一輻射劑量低於一第一臨界值的部份以第一方式回 應；該基板接收一輻射劑量高於該第一臨界 :臨界值的部份以第二方式回應；及該基板接收=射= I尚於該第二臨界值的部份以第三方式回應。因此，可使 用灰階調整以提供橫跨該基板具有多於二個以上之期望的 劑量位準的-輻射劑量曲線。在—具體實施例中，該㈣ 劑量曲線具有至少2個期望的劑量位準，例如至少3個期望 • 的輻射劑量位準、至少4個期望的輻射劑量位準、至少6個 期望的輻射劑量位準或至少8個期望的輻射劑量位準。 應進一步瞭解到’輻射劑量曲線可由僅控制在基板上各 點接收的輻射強度以外的方法控制，如上述。例如，由基 板上各點接收到的輻射劑量可替代性或額外性地由控制: 點之曝光持續時間而控制。如另一範例，基板上的各點^ 能接收複數個連續曝光的輻射。因此，由各點接收的輕射 劑量可替代性或額外性地藉由使用該複數 選定子集來曝光該點而控制。 110343.doc -22- 1327686 為了形成基板上的所需/需求圖案，其需要設定在圖案化 裝置中的每一個別可控制元件在曝光程序的各階段中成為 必要狀態。因此控制信號，表示該必要狀態，必須發送至 每一個別可控制元件。較佳地係，微影設備包括一控制器， 其產生該等控制信號。欲形成在該基板上的圖案可提供給 一由向量定義的格式，如GDSII的微影設備。為了轉換設計 資訊給用於每一個別可控制元件的控制信號，該控制器包 括一或多個資料調處裝置，各配置成在一代表該圖案的資 料流上執行一處理步驟。該等資料調處裝置可共同稱為「資 料路徑（datapath) j。 該資料路徑的資料調處裝置可配置成執行一或多個下述 功能：將基於向量的設計資訊轉換成位元映像圖案資料； 將位元映像圖案資料轉換成一所需/需求輻射劑量映像（即 橫跨該基板的一所需輻射劑量曲線）；將—所需輻射劑量映 像轉換成用於每一個別可控制元件之所需輻射強度值；及 將該等用於每一個別可控制元件之所需輻射強度值轉換成 對應的控制信號》 圖2描述根據本發明可用於例如平板顯示器之製造中的 設倩的配置。對應於圖1之該些組件的組件以相同的參考元 件符號表示。而且，仍可應用上述說明的各種具體實施例， 例如基板、對比裝置、MLA、輻射光束等等的各種組態。 如圖2所示，投影系統PS包括一光束擴張器，其包括二個 透鏡LI、L2。透鏡L1係配置成接收已調變的輻射光束丑且 透過一孔徑光闌AS的孔徑聚焦該輻射光束b。一進—步透 110343.doc •23- 1327686 鏡AL可位於該孔徑中。接著發散該輻射光束B，且藉由第 二透鏡L2(例如一場透鏡）將其聚焦。 該投影系統PS進一步包括一透鏡陣列MLA，其配置成接 收已擴張的調變輻射光束B。該已調變的輻射光束b的不同 部份對應於該圖案化裝置PD中的一或多個個別可控制元 件，且通過該透鏡陣列MLA中的個別不同透鏡◊每一透鏡 ML聚焦該已調變輻射光束B的個別部份至位於基板w的一 點上。以此方式’曝光輻射點S的陣列至基板W上》應瞭解， 雖然僅顯示透鏡陣列MLA的8個透鏡ML，但透鏡陣列也可 包括幾千個透鏡（與用作圖案化裝置PD的個別可控制元件 的陣列相同）。 圖3示意性說明如何在基板w上產生圖案。黑圓圈表示由 投影系統PS中的透鏡陣列MLA投影在基板上的輻射點s陣 列。基板相對於投影系統在Y方向中移動，如同曝光在基板 上的一連串曝光。白圓圈表示先前已曝光在基板上的點曝 光SE。如所示，由投影系統PS中的透鏡陣列投影在基板上 的每一點曝光在基板W上的點曝光之一列R。基板的完整圖 案由每一該等點S曝光的點曝光SE之所有列r的總和產 生。此一配置統稱為「像素格柵成像」。 可看出輻射點S陣列係以一相對於基板w(基板平行於χ 及Υ方向的邊緣）的角度Θ而配置❶此完成的方式使得當該基 板係在掃描方向（Υ方向）中移動時，每一輻射點將會通過該 基板的不同區域，藉此允許整個基板由輻射點s陣列覆蓋。 在—具體實施例中，該角度Θ至多為2〇。、1 〇。，例如至多為 110343.doc -24- 1327686 5 、至多為3。、至多為i。、至多為〇.5。、至多為〇 25〇、至多 為0.10。'至多為0.05。或至多為0.01。。在一具體實施例中， 該角度Θ至少為0.0001。。

掃描中曝光整個平板顯示器基板W。輻射點s的八個陣列SA 係由八個光學引擎（未示出）產生，在一「棋盤」組態中排列 成二列R〗、R2 ’使得輻射點s的陣列邊緣與輻射點s的鄰近

陣列邊緣稱稍重疊（在掃描方向γ中卜在—具體實施例中， 該等光學引擎係排列成至少3列，例如4列或5列。以此方 式，橫跨基板W寬度延伸的輻射帶允許整個基板在一單一 掃描中執行曝光。將瞭解亦可使用任何合適數量的光學引 擎°在—具體實施例中，光學㈣的數量至少為】，例:至 個、至少4個、至少8個、至少1〇個、至少⑵固、至少μ :或至少m固。在一具體實施例中’光學引擎的數量少於 ’例如少於30個或少於20個。 、

圖4示意性說明藉由使用複數個 每-光學引擎包括-單獨照明系統IL' 投影系絲p c 东化裝置P D及 綱，如上述。然而應瞭解，二或多個光學引擎可 八子或多個照明系統、圖案化裝置及^ 部分。 置次心衫系統的至少— 該資枓路徑係配置成提供每一 列，其適合用於基吐路發杰丨 5丨擎〜控制資科序 、過。用於產生所需劑量圖案欲^ 份。每-控制資料序列係由使用者 ^曝光的部 一部份（或多個部份）導出。此導出程序通常^劑量圖案之 驟（例如，將—其於&旦 ^含一光栅化步 f基於向夏的圖案定義轉換成 、 位元映像表示） 110343.doc •25· 1327686 制資料，因為此位元映像表示太大以致不能以—簡易可存 取及具成本效應的方式儲存其全部。

因此微影設備的性能取決於資料調處裝置執行其個別計 算（例如光柵化、解壓縮等等）的速度。為此理由，且因為业 型劑量圖案所需的計算縮放能力，從專用的計算硬體建： 資料調處裝置對關注此類計算而言為最佳化的。例如，可 使用-包括場可程式化閘極陣列的大量平行處理系統。

及/或一解壓縮步驟，此一或二者必須在線上執行（即實質上 為即時的)’同時曝光該基板。此通常不可能直接從整個所 需劑量圖案的-原始的（即未壓縮的）位元映像表示產生控 該所需劑量圖案的複雜度可以自該圖案的—區域極度變 ㈣另-區域’且通常不會預先得知。甚至，#選擇該劑 !圖案時’微影設備的使用者應具有徹底的自由度為所期 望的。較佳地係、，㈣的選擇應不會影響微影程序處理的 速度。 如上述’可在複數個光學引擎之間分割圖案化程序’且 可為每一光學引擎提供資料調處裝置，以便為每一光學引 :產生平行的控制資料序列。圖5顯示根據此配置如何形成 -平板顯示器圖t。雖然在由鄰近光學引擎曝光的圖案之 :需要某些重疊，但大致說來該等光學引擎曝光該所需劑 1案的不同「條」’如箭頭5()1至细指示’且由虛線HO 區隔。在圖式中，該基板的掃描方向向上，平行於Y方向， 使得該圖案的上部份會最先被曝光。 ° 用於圖案化裝置的控制資料可相對於該所需劑量圖案藉 110343.doc • 26- 丄327686

掃計算窗」520而建立（箭頭522),其具有_平行於 :向的有限寬度且代表該所需劑量圖案的部份，該寬 輪入資料調處裝置的-給定組，以在-特定處理階段 光柵化和解壓縮）執行_步驟。例如，該等資料調處裝 可產生用於該窗之各位置的控制資料包，其以「階梯 乂向前的，例如該照明輻射的每—閃織有—階。該計 =窗520的幾何形狀取決於曝光方法。例如，該等光學行可 猎由掃描一相對較疏的點陣列在基板上（例如每一該等點 對，於在-微透鏡陣列中該等透鏡之―）曝光經由二相對 較密的位元映像定義的所需劑量圖案。根據此配置，點同 時曝光在密集位元映像圖案的一些不同線上，其可影響計 算窗520的寬度及/或長度（例如，計算窗52〇可以選擇成其寬 度足以至少包含該位元映像圖案的所有鄰近線，其可在該 輻射源的任何一次閃光中曝光卜額外性或替代性地，該資 料調處裝置的計算可要求考慮内容資訊（例如，考慮由光學 引擎曝光每一輻射點的因素可重疊該所需劑量圖案之位元 映像表示的數條線）。此傾向於擴大該計算窗52〇的所需寬 度及/或長度。 資料調處裝置執行該窗52〇之給定位置所需運算的速度 將指示該窗520如何快速地在基板W上掃描，及因此如何快 速地形成該所需劑量圖案。對於一給定裝置内部結構，計 异速度通常將取決於該所需劑量圖案在窗52〇中的性質，其 對於窗520的不同區域具有相當大的變化，如上述。對於圖 5所示的設計，例如對於一平板顯示器，用於較廣區域5 3 〇 II0343.doc -27- 1327686 的什舁比用於顯示區域540的計算很可能需要相當不同的 資源。較廣區域530典型地包括用於連接線路及類似者的圖 案，而顯示區域540典型地包括對應於該顯示像素的一大數 量重複圖案。較廣區域53〇的失序或熵因此很可能高於顯示 區域540 ’使得這些區域通常對於解壓縮及線上光柵化二者 皆更難以處理（即，他們對於計算性硬體有較大的要求 其中資料調處裝置受限於提供用於一特定光學引擎的控 制資料，由於欲曝光的圖案在光學引擎之間會變化的性 質，其計算負載在不同的資料調處裝置之間很可能極大。 〇如在圖5中，資料調處裝置提供用於片段501及508的控制 資料’其比其他的片段傾向於具有更大的負載，因為該圖 案處理關注於較廣區域53〇的一較大比例。然而，因為限制 客戶可能想要排列該圖案於基板上的方式係非所期望的， 所以需要提供等同計算功率用於所有的片段训至綱。此 意謂著，特別是所有的資料調處裝置必需提供足夠的能力 以處理最壞的情況，而不管大多數時間將不會用到此類能 力的事實。 圖說月本發明设計以克服上述多餘能力之問題，及藉此 =少微影設備可比性能之成本及/或增進一可比成本之性 的八體貫施例。雖然該系統顯示包括多個光學引擎（以 複數個圖案化裝置pDl至pD8指示），本發明的範_亦延伸 至”亥系統僅包括一用於複數個資料調處裝置的單一光學引 擎，其可平行處理該所需圖案之不同區域。 根據本發明具體實施例，-輸人裝置600係提供用於輸入 110343.doc •28* 1327686

该所需/需求劑量圖案的詳細内容。此可被儲存在該輸入裝 置600中，作為一基於向量的表示，如一 gdsII檔案。該資 料接著經由鏈路602通過一資料處理管線或資料路徑61〇。 鏈路602顯示為一虛線，因為其可包括一直接鏈路或一經由 一或多個資料處理裝置的鏈路，其可提供以執行例如該圖 案資料的離線調處。該資料路徑顯示為61〇的部份係配置用 以執行該所需劑量映像之基於向量的表示（其已部份地由 離線裝置及/或其他線上裝置轉變），及基於位元映像的控制 資料序列（其為圖案化裝置PD1至PD8所需）之間之轉變處理 的一線上階段（其他階段可由該資料路徑未顯示的額外部 份處理）。如上所述，該轉變處理的線上階段可包括例如， 即時解塵縮或即時光柵化。

該（等）轉變處理的線上階段需求實質計算資源及負載可 在數個資料調處裝置63β 638之間分離，例如等於圖案化 裝置PD1至PD8的數量。然而，根據欲由個別圖案化裝置剛 至PD8曝光的該等圖案區域或某些其他的幾何圖形，或用其 他較方便的方式可代替分離該資料，本發明具體實施例包 含一計算負載㈣器62〇’其係配置以根據各部份將表示所 關注的資料調處裝置之卫作負載分配該圖案資料，使得平 均地散布該總工作負載或以一最佳方式及/或平衡方式。特 定言^該裝置620係配置以接受一（通常已部份處理過）所 需劑里圖案的表不’根據—職負載分配演算法分割該資 料且轉送料最終資料包予料賴調處裝置⑶至。㈣，、 各資料包對應於劑量圖案的料區域。該負载分配演算法 110343.doc -29· 1327686 二八;各所需劑里圖案之相同的方式操作，其依靠於例 如刀割該劑量圖案成為小區域(「微磚」)及優先性地配置於 不同資料調處裝置以處理㈣區域。只要料區域係選擇 =顯小於圖案複雜度（或其他關於計算負載的特徵）會大 :變化的預期長度規格，此方法應提供-有效的方式散佈 總計算負載。

*額.it或替代性地’可提供_圖案預處理器㈣，其可以 掃描透過β亥所給劑量圖案及決定圖案相關於資料調處裝置 操作之性質的空間變化。例如，該預處理器㈣可產生一綱 或圖案複雜映圖。該計算負載控制器620可配置以基於該圖 案預處理器的輸出，求出對於在該等資料調處裝置之間分 配計算負載而言最佳的值。例如，該負載分配演算法可確 保資料對應於被計算得出為高網/複雜度等等的區域，及因 此可能會㈣職理實㈣源在料轉調處裝置之 間平均地分割。該預處理器65G係顯示為圖6中該資料路徑 610的一線上部份，但該預處理器65〇亦可離線操作。 例如，根據一具體實施例的微影裝置可配置以形成用於 複數個在基板上之LCD顯示器的一圖案。每— LCD具有— 大的中央區，其具有一高度重複能力（即重覆顯示像素）。在 顯示器的邊界處，多個區域存有較多的「白雜訊」（隨機變 化、高熵）圖案。負載分配演算法及/或微碑尺寸可變，直到 一期望的平衡在增加的整體處理工作負載（例如，較小的微 磚之使用會導致整體工作負載的增加），及在該等資料調處 裝置631至638之間已提升的工作負載平衡之間達成。根據 110343.doc -30- /Όδ〇 一變動， 的_ ^可選定較小的微磚用於高熵區域，如在此範例中 使二廣區域’及較大的微碑用於較低滴區域，如顯示區域， 作負載（在此例中’藉由減小工作負載中與不同 參目關的變化）。根據圖案的複雜度控制微磚尺寸可藉由 :考-預處理器’如預處理器65〇的輸出，或藉由參考該圖 、佈局的一預定義描述（在此範例中已給定，如一可包括顯 不及較廣區域輪廓的描述）執行。 ·' 資料》周處褒置631至638處理該等資料包（例如光拇化或 愚縮）及輸出已處理的資料至一資料再分配裝置64〇。該 資料再分配裝置64〇使用自該等f料調處裝置631至6糊 資料以產生控制資料序列或至少可較易轉變成控制資料序 列的資料包(例如，經由一簡單解壓縮演算法)以轉送至每一 該等圓案化裝置PD1至PD8。—資料連接652可具備有該計 异負載控制器620以提供資訊（若所需），其有關於該圖案資 料如何分配在該等資料調處裝置631至638之間。可提供一 緩衝器以允許計時在不同資料調處裝置631至638之輸出之 間的差異’且允許已處理資料在轉送至圖案化裝置刚至 PD8之前的效率重組。 圖7a說明計算負載控制器62〇如何配置以分配對應於圖 案之-範例區域53G(參見圖5)的圖案資料。區域53〇分成數 個子區域701至708。在顯示的範例中，使用64個子區域， 但可以選擇更多或更少的子區域。料區域接著被指派予 特定資料調處裝置。在本具體實施例中’有8個資料調處裝 置631至638及64個沿著對角線分割的子區域（自左上至右 II0343.doc -31 - U2/086 =著相鄰對角線排列的子區域被遞送至不同的資料調 資料MM / 域被遞送至相同的 =調處裝置。在此範例中，與八個子區域州至雇相關 + :索資料係遞送至每一資料調處裝置，且此藉由將隨 :對角線的資料遞送至隨後資料調處裝置而較便利地達 、例如，子區域701可能遞送至資料調處裝置63ι，子區 域702遞送至資料調處裝置㈣等等。_顯示此—圖0

配策略如何延伸橫跨該計算窗咖。方形粗框對應於子區域 7〇5,及以反白方式顯示出輸入至一單一資料調處裝置（在 此例中’為裝置635)如何分配至—計算窗別上。輸入至其 他資料調處裝置的分配方式亦已一極雷同的方式，作為清 晰呈現而未顯心圊中。對應於任—資料調處I置之該= 子區域的對角線及沒有方向的幾何圖形係極不可能地跟著 裝置圖案中熵/複雜度變化的幾何圖形。相同的，特別困難 之圖案的大區域’如平板顯示器中的較廣區域咖平均地分 配在該等資料調處裝置631至638之間。造成計算負载在資 料調處裝置631至638之間變化的結果會大幅度地減少可能 遭遇到的所有所需劑量圖案。此意料，每—資料調處裝 置631至638的能力可低於相同的整體性能，因為峰 將會實質上降低。 ' 圖7a及7b中所示的分配正好為該計算負載控制器如何配 置的範例。案可用其他方式分割而不脫離本發明的範 嗜外。例如’計算窗520中的該等子區域7〇1至7〇8可隨機地 分配在該等資料調處裝置之間。此具有進一步減少可能性 110343.doc -32- U2/686 :置:徵意外地沿著用於一特定資料調處裝置之子區域的 公：：列的優點(其可能造成資料調處 的一未預料的尖峰或凹槽）。 貝戰甲 圓8說明該所需劑量圖案如 可蠻涔碡_ T开員裁控制器020分成 了變㈣尺寸’該微磚尺寸係根 需劑量圖案之厂本質」而“卜在碑相關連的所

t利隹本文中，圖牵「太暂 的相關方面係影響資斜權垮驻 J 下m 何處理微相性質（見 下文）.例如，需要多少個計算工 异作負載u處理該微磚。在 員不的砣例中，該所需劑量圖案8〇〇包括 的區域810(其可對應於平板 ”又 丁低貝不窃之圖案中的較廣區域 ^圖案複雜度/綱的區域82〇(其可對應於平板顯示器之圖 案中的顯示區域）。為了減少關連於處理不同微碍之計算負 載的變化，該負載控制器62〇分 刀吾圖案，使得在低複雜度 ^域:的微碑84G大於在高複雜度區域中的微磚83〇。在給 疋的耗例中’該等微碑尺寸係控制為該微碑内該所需劑量 圖案之複雜度及/或熵的函數。然而，該微磚尺寸可通常變 化為連結計算工作負載之其他性質的函數，以減少微磚之 間的變化(及因此亦助於減少該等資料調處裝置之間的工 作負載變化）。例如’可使用圖案内裝置特徵的密度作為控 制該微磚尺寸的基本原則。選擇圖案性f (以作為此方面的 參考）可基於數個因素，不但包括欲藉由資料調處裝置執行 之處理的本質’而且還包括如何輕易地測量/量化考慮中的 圖案性質及如何確保圖案性質和微磚之計算工作負載之間 的關ίτ、。例如，壓縮比（提供圖案可被壓縮的測量程度）可用 H0343.doc -33- 1327686 以量化圖案熵/複雜度。計算負載控制器620可與實施微磚 尺寸控制無關’或結合微磚尺寸控制成為明智地在資料調 處裝置（如上述）之間分配微磚的函數，以有效率地影響工作 負載平衡的一期望的位準。

雖然在本文中指定參考微影設備係使用在一特定裝置 (如一積體電路或一平板顯示器）之製造中，但應瞭解亦可將 此處描述的微影設備使用在其他應用中。應用包括但不限 於積體電路、整合光學系統、用於磁域記憶體之導引及 偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、微 機電敦置_奶）等等的製造。當然、，例如在—平板顯示器 中，本設備可用於協助產生各種不同的[例如一薄膜電 晶體層及/或一濾色器層。 .、、、以上特別參考本發明之具體實施例在光學微影之背 $中的使用，但應明白，本發明可用在其他應用中，例如 壓印微影’且若情況允許’並不限定於光學微影。在壓印

微影中，K案化裝置中的佈局可定義基板上產生的圖案。 可將該圖案化裝置之佈局a印到施加至基板之一光阻層 中’然後藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來固化咳 先阻。在光阻得到固化後，從光阻中移出圖案化裝置，從 而在貧中留下一圖案。 雖然上面已說明本發明之特定且 α趑貫施例，但應明白， 本發明可以上面未說明的其他 可核&、 力忒禾貫施。例如，本發明 了私取以下形式··電腦程式， 出夕加— 八3有機态可讀取指令的一 或夕個序列（說明如上面揭 万法），或一資料儲存媒體 U0343.doc -34. 1327686 (如半導體記憶體'磁碟或 電腦程式。 砰）-具有儲存於其中之此— 雖然本發明已說明特定且 z、體實轭例，但應瞭解，孰朱本 技術者對本發明的許多_ & $ & β @ s ^ …，^本 夕乜改及建議將顯而易見，本發明僅 限於所附申請專利範圍的精神及範圍之内。 僅 【圖式簡單說明】 圖1說明依據本發明之—具體實施例之—微影設備； 圖2說明依據本發明另一具體實施例之-微影設備； 圖3說明使用如圖2所示之本發明具體實施㈣移—_ 至一基板上的模式； ' 圖4說明光學引擎的配置； 圖5說明一計算窗及光學引擎之間一平板顯示器圖案的 分配； 圖6說明根據本發明之一具體實施例的—計算負載控制 器及在一微影設備中之資料再分配裝置； 圖7a及7b說明在一計算窗中的子區域如何分配在資料調 處裝置之間；以及 圖8說明一範例所需劑量圖案分成不同尺寸的微磚。 【主要元件符號說明】 501 箭頭/片段 502 箭頭/片段 503 箭頭/片段 504 箭頭/片段 505 箭頭/片段 H0343.doc -35. 1327686

506 箭頭/片段 507 箭頭/片段 508 箭頭/片段 510 虛線 520 計算窗 522 箭頭 530 較廣區域 540 顯示區域 600 輸入裝置 602 鏈路 610 資料路徑 620 計算負載控制器 631 資料調處裝置 632 資料調處裝皇 633 育料調處裝置 634 資料調處裝置 635 資料調處裝置 636 資料調處裝置 637 資料調處裝置 638 資料調處裝置 640 資料再分配裝置 650 圖案預處理器 652 資料連接 701 子區域 110343.doc -36- 1327686

702 子區域 703 子區域 704 子區域 705 子區域 706 子區域 707 子區域 708 子區域 800 所需劑量圖案 810 高圖案複雜度/熵的區域 820 低圖案複雜度/熵的區域 830 高複雜度區域中的微磚 840 低複雜度區域中的微磚 AD 調整器 AL 進一步透鏡 AS 孔徑光闌 B 輻射光束/投影光束 BD 光束輸送系統 BS 分光器 C 基板的目標部份 CO 聚光器 IF 位置感應器 IL 照明系統/照明器 IN 整合器 LI 透鏡 110343.doc •37- 1327686 L2 透鏡 ML 透鏡 MLA 聚焦元件陣列/透鏡陣列 PD 圖案化裝置 PD1 圖案化裝置 PD2 圖案化裝置 PD3 圖案化裝置 PD4 圖案化裝置 PD5 圖案化裝置 PD6 圖案化裝置 PD7 圖案化裝置 PD8 圖案化裝置 PS 投影系統 PW 定位器 R 曝光列 R1 列 R2 列 S 輻射點 SA 輻射點陣列 SE 點曝光 SO 輻射源 W 基板 WT 基板台 110343.doc •38-

Claims (1)

1. 年（月巧曰修(更}正替換頁 132768备〇9512雇號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(99年1月） 十、申請專利範圍： / 1. 一種微影設備，其包括： 個另J可控制元件的一陣列，用於調變一輕射光束； ，資料處理管線’用於將一所需劑量圖案的一第一資 料表不轉變成—適用於控制該個別可控制元件陣列的控 制貝料序列，以能夠實質上在一基板上形成該所需劑量 圖案；該資料處理管線包括： 複數個資料調處裝置；以及 一計算負載控制器，其配置成將該第—資料表示分成 複數個貝料包，各資料包對應於該所需劑量圖案之一組 子區域中的_子區域，及將各該等資料包遞送至該等資 料調處裝置之一，其中： 該，算負載控制器係配置成選擇該等㈣包以遞送至 各該等資料調處裝置’以平衡該等資料調處裝置之間的 總計算負載。

   如响求項1之微影設備’進一步包括一圖案預處理器，其 配置以分析該第一資料表示並輸出資料，該所輸出資料 指不該圖案之複數個區域中每一區域被預期將如何貢獻 錢轉變之至少一階段由該等資料調處裝置所執行之計 异j載，且其中該計算負載控制器係配置以基於該所輸 出資料選擇該等資料包。 3.如請求項丨之微影設備，其進一步包含： -資料再分配裝置，其配置以接收及重組該複數個資 料調處裝置的資料輸出’以形成該控制資料序列。 110343-990129.doc ----- J年/月巧日修(更)正替換頁 4. t請求項i之微影設備，其中該計算負載控制器實質上以 隨機方式為每一資料調處裝置選擇資料包。 月长項4之微影設備’其中該等子區域係選擇成相較該 所需劑量圖案的特徵係足夠小，以確保該總計算負載係 實質上平衡。 6.如請求項1之微影設備，其中： 。亥負載控制器係配置以根據該所需劑量圖案對應於子 區域的本質，控制每一該子區域的尺寸。 7·如請求項6之微影設備，其中該負載控制器係配置以根據 該所需劑量圖案對應於子區域之部份之以下至少一項的 =質控制每一該子區域的尺寸：圖案不規則的程度、圖 圖案的烟、圖案的複雜度、及子區域對該等資 料調處裝置之總計算負載的預期貢獻。 8·如請求項6之微影設備，苴中 中該負載控制器係配置以控制 置之… 尺寸’以實質上平衡該等資料調處裝 置之間的總計算負载。 9.如請求項1之微影設備，其包括·· 輻射 :數個個別可控制元件的陣列，各陣列 光束，其中： 該資料處理管線能將該所需劑量圓 表示轉變成複數個控制資料序列， = τ控制元件之陣列之―，以二= -基板上的該所需劑量圖案；以& 起心成 右十貝科包，以產生用於 110343-990I29.doc 1327686 if年丨月巧日修(更)正替換頁 '亥等個別可控制元件之陣列任一的控制資料。 求項9之微影設備’進一步包括一圖案預處理器，其 以分析該第-資料表示並輸出資料，該所輸出資料 ⑼該圖案之複數個區域中每—區域被預期將如何貢獻 :該轉變之至少一階段由該等資料調處裝置所執行之計 :負載’且其中該計算負載控制器係配置以基於該所輸 出貢料選擇該等資料包。 η·如請求項9之微影設備，其進一步包含： 資料再分配裝置，其配置以接收及重配置該複數個 資料調處裝置的資料冑出，以形成該複數個控制資料序 列。 、 12. 如明求項9之微影設備，其中該計算負載控制器實質上以 隨機方式為每一資料調處裝置選擇資料包。 13. 如叫求項12之微影設備，其中該等子區域係配置成相較 該所需劑量圖案的特徵係足夠小，以確保該總計算負載 係貫質上平衡。 14·如請求項9之微影設備，其中該計算負載控制器係配置以 將若干資料包遞送至至少一資料調處裝置’該等資料包 對應於沿著相對於投影於該基板上的輻射光束的一掃描 方向為至少一斜線排列的一組子區域。 15. —種使用一微影設備之裝置製造方法，其包括： 使用個別可控制元件的一陣列以調變一輻射光束； 將一所需劑量圖案的一第一資料表示轉變成適用於控 制该個別可控制元件陣列的一控制資料序列，以能夠實 110343-990J29.doc ”年/月夕_更 >正替換頁 --一 質上在基板上形成該所需劑量圖案； 各資料包對應 子區域，並將各 資料調處裝置之 將該第一資料表示分成複數個資料包 於該所需劑量圖案之一組子區域令的一 »亥等貝料包遞送至用於該轉變之複數個 一；以及 ，擇該等資料包以遞送至各該等資料調處裝置 方式平衡該等資料調處裝置之間的總計算負栽。 16.如請求項15之裝置製造方法，其進—步包括： 分析該第一資料表示以決定該轉變之階 寺貧料調處裝置所執行之計算負载之子區 = =-函式變化，該函數為在該所 寺于(he域之位置的函數，其中： 17. 基於該分析步驟的結果執行該選擇步驟。 如請求項15之裝置製造方法，其進一步包括·· 該 根據該所需劑量圖案對應於子區域的本質控制 子區域的尺寸。 18·如請求項15之裝置製造方法，其進一步包括： 根據該所需劑量圖案對應於子區域的部份之以下至少 項的性質控制每-該子區域的尺寸：圖案不規則的程 度、圖案密度、圖案的熵、圖案的複雜度、及子區域 該等資料調處裳置之總計算負載的預期貢獻。 19.如請求項15之裝置製造方法，其進一步包括： 控制每-該等子區域的尺寸，以實質上平衡該等資料 調處裝置之間的總計算負載。 110343-990129.doc 1327686 ___ : 年(月如修(更)正替換頁 20·如請求項15之裝置製造方法，其包括： 1 ~~- ' 使用複數個個別可控制元件的陣列以調變一輕射光. 束； 將該所需劑量圖案之該第—資 ..貝枓表不轉變成複數個控 | 一’序列’各適用於控制該等個別可控制元件之陣列 之 Μ能夠實質上一起形成-基板上的該所需劑量圖 案；以及 使用每—該資料調處裝置以處理該所需劑量圖案之複 • *個區域的資料包，至少-子集係由不同的個別可控制 元件的陣列形成。 21. 種依據如請求項15之方法製造的平板顯示器。 22. 種依據如請求項15之方法製造的積體電路裝置。

   110343-990l29.doc