TWI326127B - Liquid crystal display device and method of fabricating the same - Google Patents

Description

1326127 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一液晶顯示裝置，且特別係-液晶顯示裝置及其製造

X、藉由預防閘極墊之電解腐姓(士价。丨yticc〇iTOSj〇n)，以改盖其了 靠度。 DM 【先前技術】 在貢訊的社會中，需要各種型式的顯示裝置。為了滿足這樣的需求， 許多研究的進行已經發展出數種平面的顯示裝置，像是液晶顯示裝置 (LCD)、電聚顯*面板(PDp)以及電致發光顯示器(eld)，且這些平面顯示 裝置也已經由各種設備使用。 在這些平面顯示:裝置令，由於液晶顯示裳置的重量輕、輪靡薄、以 及低功率消耗料性，使得液晶顯示裝置倾廣泛地使用在移動式顯示 裝置’而取代了傳統的陰極射線管(CRT)顯示裝置。這些液晶顯示裝置也 被發展成各獅^，例如:麟筆記^電腦的監綠或是帛於電視。 液晶顯示ϋ使賊晶特性、光學非均向性以及驗化，以顯示影像。 由於液晶分子是長而薄的結構，液晶分子的排列可具有方向性，可以藉 由提供電場至液晶’而控制液晶分子排列的方向性。 若該液晶分子排列方向性的控制係透過人工方式供應電場至液晶， 該液晶中分子的翻會被改變，絲學的非物_光的偏極化方向 改變於液晶分子的排财向卜，液晶顯示器藉由控碰晶中分子 排列方向’而顯示影像資料。 第1圖所顯示係習知液晶顯示裝置(咖)技術中的一第一基板的平 面圖。 參考第！圖所顯示，-間極線4以及一資科線6交又配置在該習知 LCD的第-基板上，用以定義一像素區域，且一薄膜電晶體㈣設置在 該間極線4與該資料線6相互m ^，i極塾如係形成在該第 〆基板上，用以連接至該開極線4，且一資料塾25係形成在該第一基板 上，用以連接至該資料線6。 該薄膜電晶體(TFT)包括-_電極5，極電極5與制極線4 4形成，且-主動層8係形成於該臟電極5上，—源極電極^係在 該主動層8上與該資料線6 —體形成，—祕電極几係摘主動層8上 與該源極_ 7a之_成—預先確定距離的間隔1汲極電極几係透 過一汲極接觸孔Η埤接至一像素電極π。 該貪料塾25係藉由連接至一資料驅動器(未圖式)而提供一資料電壓 至以貝料線6 „玄貝料墊25包括自該資料線6延伸所形成之一資料塾底 電極乂及包括一貝料塾頂電極20透過該接觸孔η連接至該資料墊 底電極16。 。玄閘極墊30係藉由連接至一閘極驅動器(未圖式广以提供一掃描訊 號’極線4。玄閘極墊30包括-閑極墊底電極η，該閘極整底電 極1 ir人伸自。亥閘極線4，且一閘極塾頂電極Μ透過複數個接觸孔出 以及H2連接至該閘極墊底電極。 第2圖係本發明第丨圓之A_A，剖面線的剖面圖。 >考第®所顯不，m轉底電極A以及—第二閘極塾底 τ开/成於-透明基板i上，並構成該閘極塾底電極μ。一閘極 絕緣層11係形成於該第一閘極塾底電極14a以及該第二_塾底電極 ⑽上，且—鈍化層13係、形成於綱極絕緣層u上。 6 複數個接觸孔HI以及H2係形成於該透明基板1上的該鈍化層丨3形 成之處，以及一閘極墊頂電極18係形成於該複數個該接觸孔H1以及H2 上。 該第一閘極墊底電極14a係由鋁族金屬材料所製成，該第二閘極墊 底電極14b係鉬金屬族材料所製成，以及該閘極墊頂電極18係由導電的 銦錫氧化物(indium tin oxide ’以下簡稱ITO)族材料所製成。該閘極墊頂 電極18的材料係與該像素電極12相同。 當在該基板1上形成由鋁所製成的該第一閘極墊底電極Ma時如 果該1呂材接觸空氣中的氧，該第-閘極塾底電極14a會因而被侵姓。為 了避免該弟閘極墊:底電極13a被侵姓，該第二閘極墊底電極係形 成於該第一閘極塾底電極14a上。 由於該第二閘極墊底電極14b係由高抗蝕性金屬材料所構成，因而 可使得該第二閘極墊底電極14b以—雜狀體的龍形成於該第一閉極 墊底电極14a上。該第一閘極塾底電極以及該閘極塾頂電極a係透 過複數個接觸孔H1與m而連接。由於該第二閘極塾底電極丨物係前述 之高抗錄金屬材料所構成，如果關錄頂修1S連接雜第二閑極 墊底電極14b時，不會相互導電。 因此，該第-閘極塾底電極14a以及閘極墊頂電極18係透過係透過 複數個接觸孔H1與H2而連接。 ' “閘極塾頂電極18上未形成-絕緣層或-鈍化層，該閘極塾頂 电極18魅接曝露在空氣中。如果該閘極㈣電極a曝露到空氣中時， 空亂中的濕氣會經過該開極_電極18而滲人至該第_閘極塾底電極 14a。 - 7 如果該第-閘極塾底電極Ma接觸該空氣中的濕氣，這些濕氣將會 侵触材料所製成的該第-閘轉底電極14a。然而該第—閘極塾底電極

Ha的被· ’酬極驅娜傳輸至魏連接魏閘健3Q之閘極線4 的掃描訊號將會受到影響。而且，該第—_塾底電極…的侵侧題 也可能會進-步延伸至與該第—閘轉底電極體成形的該問極線 4 〇 因此本發明之發明人有鑑於習知液晶顯示裝置的缺失乃虽思發 明-液晶顯示裝置及其製造方法，而藉贿善這些缺失。 【發明内容】 本發明係提供一液晶顯示裝置及其製造方法，用以避免習知技術中一 個甚至是更多的缺失。 基於本發明上述目的，本發明提供__種液晶顯示裝置，其係包括一閉 極塾。該閘極塾進一步包括形成於該基板上的一閘極ΙΤΟ電極、形成於該 閘極ΙΤΟ電極上之預設區域的一第一閘極墊底電極與〜一第二閘極墊底電 極、形成於該第一閘極墊底電極與該第二閘極墊底電極上的一閘極絕緣 層形成於泫閘極絕緣層上的一純化層、形成於該鈍化層上的一閘極墊頂 電極以及至少一接觸孔。該液晶顯示裝置又包括一液晶顯示面板，該液晶 貝示面板具有一閘極線’該閘極線係具有雙層結構(dual structure)，此雙層 結構係與該第一閘極墊底電極與該第二閘極墊底電極一體成形者。 本發明另—目的係提供一製造該液晶顯示裝置的方法，其係包括：於 —基板上形成一閘極IT〇電極、於該閘極IT〇電極上形成一第一閘極金屬 層與一第二閘極金屬層、以及於該閘極ΙΤΟ電極的一第一預設區域上形成 一第-閘極墊底電極與一第二閘極塾底電極。該液晶顯示裝置的製造方 法’更進-步包括：於該第-閘極魏電極與該第二閘極塾底電極上形成 一間極絕緣層與-鈍化層、於刻極職賴雜化層的—預設區域上餘 刻’而露出該閘極IT0電極之—第二預設區域，以及於該閘極絕緣層與該 純化層上形成一閘極塾頂電極。 本發明之再一目的係提供一製造該液晶顯示裝置的方法，其係包括於 -基板上依序形成-第_金屬層一第二金屬層以及—第三金屬層。該製 造-液晶顯示裝置的方法更進—步包括：於形成該第三金屬層上的一問極 電極、随線以及—閘鋪^該製造—液晶顯示裝置的方法又進一步包 括：於該基板上該閘極，極處形成一鈍化層，形成至少一接觸孔，以及形成 Ή象素電極於-像無域巾，且碱____電極於該閘極塾區域。 為使热悉該項技藝人士瞭解本發明之目的、特徵及功效，兹藉由下述 具體實施例’並配合_之圖式，對本發明詳加說明如后。 【實施方式】 本說明書中所附的該些圖式係顯示數個本發明的具體實施例，同時係 配合S兒明本發明的主要精神，用以增進對於本發明的了解，這些圖式的結 合並可提供其應用時所需的構成要件。 以下將配合所提供的數個圖式，並針對本發明的較佳實施例作更詳細 的說明。而在說明書中，相同的元件參考符號，將也會對應地被顯示在圖 式中。 第3圖係顯示關於本發明液晶顯示裝置第一實施例第一基板之方塊圖。 參考第圖所顯示’一閘極線1〇4以及一資料線丨〇6係相互交叉排列 1326127 於一第一基板上’用以定義一像素區域’且一薄膜電晶體(TFT)係形成於該 閘極線104與該資料線1〇6交叉處。一閘極墊13〇係形成於該第一基板並 電氣連接至該閘極線104，且一資料墊125也係形成於該第一基板並電氣 連接至該資料線106。 該薄膜電晶體(TFT)包括：與閘極線1〇4 一體形成之一閘極電極、 I 形成於該閘極電極105上的一主動層1〇8、形成於該主動層1〇8上且與該資 料線106 —體形成的一源極電極1〇7a、以及與該源極電極1〇7&相隔一預先 確疋距难的/及極電極。該及極電極i〇7b係經由一沒極接觸孔η連 接至一像素電極112。 資料墊I25藉由連接至-資料驅動器(datadriver)(未圖式），用以供給 , 電壓至該資料線.該資雖125係-資健底電極116與一資料 • 麵電極120所構成’該資料塾底電極116係自該資料線106延伸形成， 且該資料墊底電極116經由複數個接觸孔m電氣連接至該資料塾頂電極 120。 該閘極塾no藉由連接至一閘極驅動器（未圖式用以提供一掃描訊 號至該閘極線1〇4。該_墊13〇包括由透明導電體IT〇所製成的—閘極 ΙΤΟ電極115、自該閘極ΙΤ0 115上的閘極線1〇4延伸之一問極塾底電 極U4、以及經由複數個接觸；LH1朗2連接至該閘極塾底電極⑴的— 閘極塾頂電極m該閘極墊13()可至少包括兩個接觸孔m與拉。 第4圖係顯不沿著第3 ιΒ·Β，剖面線的剖面圖。 參考第三以及第4圖所顯示，由透明導電體ΙΤ0材料或反0材料所製 成的第-金屬層係形成於一透明基板101上。而且，由铭或铭合金所製 成的-第二金屬層、以及由钥或翻合金所製成的一第三金屬層係依序形成 1326127 於該第一金屬層上。 :後光τ過域圖案化過程係並配合使用-繞射曝光遮罩或一半色 調遮罩’用以形成-閘極ΙΤ0電極115於一閘極塾區域中、形成第一閉極 塾底電極ma於該· ΙΤ〇電極115左側與右側上、以及形成第二問極塾 底電極114b於該第一閘極墊底電極U4a上。 該光學過程與圖案化過程侧時進行_製程用以形成—液晶顯示裝 置的一閘極電極以及一閘極線。 接著，-閘極絕緣層1U係形成於該第二閉極塾底電極㈣上且_ 鈍化層113係形成於該閘極絕緣層m上。 妓數個接觸孔H1以及H2係形成於該鈍化層113上，以及—閘極塾頂 電極118 _成於該複數個接觸孔m以及拉上。該閘極墊頂電極ιΐ8係 經過該複數個接觸孔H1以及H2連接至該閘極IT〇電極115。該閘極ιτ〇 電極115與該閘極塾頂電極118係由與該像素電極ιΐ2相同的材料所製成。 如前所述，該難ΙΤ0電極115係由ΙΤ〇材料所製成，該第一問極塾 底電極1 Ma係由與崎料所製成，該第二閘極麵電極丨_係_材料所 製成，且該閘極墊頂電極118係由與IT〇材料材料所製成。 第5Α圖至第5Ε圖係顯示本發明關於閘極塾之製造方法的—實施例。 參考第5Α圖所顯示，-第一金屬層126係由ΙΤ〇材料或ιζ〇材料所 製成並形成於-透明基板101上。接著，一第二金属層127係由紹或銘合 金所製成並形成於該第-金屬層126上，且一第三金屬層129係由翻或翻 合金所製成並形成於該第二金屬層127上。 在連續製造三個金屬層之後，該基板101上塗佈一光阻，且透過使用 -遮罩123而照射-紫外線(UY)或-光束’如第5Β騎顯示。其中，該遮 1326127 罩123包括一透光區域用以穿透100%的該UV或該光束、—半透光區域用 以穿透預定的S亥UV或該光束照射量以及一遮蔽區域用以完全阻撞該w 或該光束的穿透。而且，該半透光區域可以係形成一繞射鏠或一半色調圖 案。 在完成該曝光過程後，具有不同厚度分布的一光阻圖案121係形成於 該第三金屬層129上。 參考第5C圖所顯示’一蝕刻製程的實施係使用該光阻圓案12丨做為該 _ 遮罩，而用以分別於該閘極1T◦電極Π5的左側與右側形成—第一閘極墊 底電極IRa與一第二閘極墊底電極114b。 雖然相關的圖式未顯示，-閘極線與一閑極電極係形成於該閉極堅以 # 外的其它區域。 - 參考第5D圖所顯示’一閘極絕緣Ι⑴係、形成於該第-閘極塾底電極 U4a且該第二閘極塾底電極⑽上，以及一鈍化層ιΐ3係形成於該閉極絕 緣層111上。

在該閘極絕緣層m形成於該基板101上之後，_：通道層、一歐姆接 觸層、-祕/雜電極個時形成於_閘_極區域或麵數個個別的過 程所達成。 在糕極/祕電極形蚊後，—鈍化層ιΐ3卿躲該基板1⑴的整 個表面上祕雜道層、魏姆接觸層以及該織極電麵未形成於 該問極塾區域中’該鈍化層113係直接形成於該閘極絕緣層⑴上。 士複數個接觸孔m以及H2係形成於該鈍化層ιΐ3上用以使得可曝露 X ITO電極115上的—預設區域，且—閘極势頂電極us係形成於該 _接觸孔H1以及H2上’如第5£圖所顯示。該閘極墊頂電極ιΐ8係 12 電氣連接至該閘極ITO電極115 該閘極塾頂電極118係由ΙΤΟ金屬材料所製成並係形成於該基板1〇1 的整個區域上，且將該ΙΤΟ金屬材料圖案化，用以形成在一像素區域的一 像素電極、在該閘極墊區域的該閘極墊頂電極118以及在該資料墊區域的 —資料墊頂電極。 因為該第一閘極墊底電極i 14a以及該第二閘極墊底電極丨14b與該閘極 墊頂電極118之間具有該閘極絕緣層ιη以及該鈍化層113，使得該閘極墊 頂電極118並未電氣連接至該第一閘極墊底電極U4a以及該第二閘極墊底 電極114b 6 曝路至空氣中的該閘極墊頂電極118係電氣連接至該閘極〗丁〇電極 115,且並未統連接至該第__閘極魏電極U4a以及該第二陳塾底電極 1Mb。如前所述，由於該第一閘極墊底電極ma係由铭材料所製成，且铭 材料係很容易在空氣中被濕氣侵躺材料，所以該第―閘極塾底電極， 係無連接至制極墊職極118, gj而可肋避免該第—閘錄就極114a 被侵姓。 一 為了使得該第-閘極墊底電極114a並不連接至該閘極墊頂電極118， 該閘極ITO電極II5係形成於該基板1〇1上，且該閘極肋電極η5係連 接至該問極塾頂電極118。其中，該第_間極·電極馳以及該第二閑 極墊底電極114b並不連接至該閘極墊頂電極118。 該間極墊頂電極118曝露於外部空氣中，且在該空氣的濕氣會渗透經 過該閘極_電極心該濕氣渗透經過刻極麵電極丨關會接觸該閘 極ΓΤΟ電極115。 雖然該濕氣經過該閘極墊頂電極118而渗透至該間極IT0電極115，習 13 1JZ0127 知LCD的侵姓問題並不會發生，原因是該問極IT〇電極115的材料係不會 被該濕氣所侵蝕。 關於該第-實施例之該液晶顯示裝置的製造方法係包括透過在該基板 上形成該_ITQ電極，形成不魏連接至刻雜頂電極_第一問極 塾底電極，其中關極_形成係為了保護該第—閘錄底電極避免被侵 钱。 第6圖係顯示本發明液關於晶顯示裝置之第—基板第二實施例的平面 圖。 參考第6圖雌示閘極'線2〇4以及一資料線2〇6係相互交叉排列 於-第-基板上’用以定義-像素區域，且_薄膜電晶體(TFT)係形成於該 閘極線204與該資料線206交又處。一閘極墊230係形成於該第一基板並 連接至該閘極線204，且-資料墊225也係形成於該第一基板並連接至該 資料線206。

該薄膜電晶體(TFT)包括：與閘極線204 —體形成之一閘極電極2〇5、 形成於该閘極電極205上的一主動層208、形成於該主動層208上且與資料 線206 —體形成之一源極電極2〇7a、以及與該源極電極2〇7a相隔一預先確 定距離的一沒極電極207b。該沒極電極207b係經由一汲極接觸孔η電氣 連接至一像素電極212。 一資料墊225藉由連接至一資料驅動器(data driver)(未圖式），用以供給 一資料電壓(data voltage)至該資料線206。該資料墊225係一資料墊底電極 216與一資料墊頂電極220所構成，該資料墊底電極216係自該資料線206 延伸形成’而該資料墊頂電極220經由複數個接觸孔Η連接至該資料墊底 電極216。 14 1326127 該閘極墊230藉由連接至一閘極驅動器（未圖式），用以提供一掃描訊 號至該閘極線204。該閘極墊230包括：由透明導電金屬ITO所製成的一 問極ITO電極215、自該閘極ITO電極215上的閘極線204延伸之一閘極 墊底電極214、以及經由一個接觸孔H1連接至該閘極墊底電極214的一閘 極墊頂電極218。 第7圖為沿者第6圖C-C’線之剖面圖。 參考第7圖所顯示，一閘極IT〇電極215、一第一閘極墊底電極2Ma

隹· 以及一第二閘極墊底電極2i4b的形成係經過第4圖以及第5A圖至第5C 圖所顯示的過程。該閘極墊底電極214係該第一閘極墊底電極214a與一第 -閘極塾底電極2Mb所構成。這樣的一閘極塾底電極214係形成於該間極 4 ITO電極2丨5的兩側邊緣。 • —閘極絕緣層211係形成於該基板201形成該第二閘極墊底電極214b 的位置上’且-鈍化層213係形成於該基板2〇1形成該閘極絕緣層叫的 位置上接觸孔H1係形成於該鈍化層213，用以曝露該閘極IT〇電極215 的中心。形成-閘極墊頂電極218係經由該接觸孔m i^接該閘極ιτ〇電極 215。 k樣的製程鱗同於關於該第—實施例的製造方法，其中的細節係被 忽略的。 泫閘極ITO電極215係連接至該閉極墊料極218，且形成於該問極 1丁〇電極215上的該第一閉極塾底圖案化，而並未連接至該閉 極塾頂電極218。該閉極ΙΤ〇電極215與該閘極塾頂電極218係由肋材 料或ΚΟ材料所製成’且該第一閘極塾底電極⑽係由铭或銘合金所製 成’該第二閘極塾底電極214b係_轴合金所製成。 15 1326127 露’且雖然濕氣外部空氣會經過該閘 電極215，該閘極汀〇電極215並不 由於該閘極墊頂電極218對外曝 極墊頂電極218而滲透至該閘極IT〇 會被該濕氣所侵鞋。 雖然該濕氣經過該閘極塾頂電極218而參透至該閘極ίτ〇電極犯， •習知LCD#侵關題並不會發生，原因是該_了〇電極犯的材料係 .不會被該濕氣所侵蝕。 關於該第二實施例之魏晶顯示裝置的製造方法係包括：透過在該基 _板上形成$·ΙΤ〇電極，形成不連接至賴極_電極的該第—間極塾 底電極，射關鱗的職係為了職料—_魏雜敎被紐。 第8圖係顯示本發_於液晶顯示裝置之第—基板第三實施例的平面 . 圖。 參考第8圖所顯示，-像素區域係由在一第一基板上交叉排列的一間極 線304與-貢料線3()6所形成。—薄膜電晶體仰^係形成於閘極線· 與該資料線3〇6交又處。一閘極墊並形成於該第—基板上，並用以連 接至該間極線3〇4 ’且一資料墊325係形成於該第一基、板上，並用以連接至 該資料線306。 關於本發明之第三實施例中的液晶顯示裝置具有一相似於該第二實施 例的構成，且有許多相_元件H細部的敘述將被省略。 該閘極塾330係連接至一閘極驅動器(未圖式），且用以提供一掃描訊 號至該問極線304。該間極塾33〇包括一閘㈣〇電極315由如肋之透 明導電金屬所製成的。由該閘極線3〇4延伸形成一閘雜底電極314、係形 成於該閘極ΪΤΟ電極上的-預定的區域，以及—閘極墊頂電線训係經由 一接觸孔H1而連接至該閘極墊底電極314。 1326127 第9圖係顯示沿著第8圖之D_Di剖面線的剖面圖。 參考第9圖所顯示’-閑極塾底電極叫係形成於一問極ιτ〇電極315 的—側，該問極1Τ〇電極315係與第7圖所顯示者不同。該問極墊底電極 3Η係由-第巧腾底電極咖與—第二閘轉底電極鳩所構成。 關於本發明液晶顯示裝置之第三實施例的另-製造方法係相同於本發 明第-實施例中的第4圖以及第5Α圖至第5C圖所顯示的過程。因此，細 部的敘述將被省略》 • —基板301形成該第二閘極塾底電極314b之上形成一閘極絕緣層 311，且基板301形成該閘極絕緣層311之上形成一鈍化層313。該纯化層 M3形成-接觸孔H1以曝露該閘極IT〇電極315中域。一閘極塾頂電極 * 318係、形成於該接觸孔H1處’用以經過該接觸孔Η1連接該閘極ΙΤ0電極 . 315 〇 該閘極ΙΤΟ電極315係連接該閘極墊頂電線318，且形成於該閉極ιτ〇 電極315上的該第-閘極塾底電極314a被圖案化而未與該閘極塾頂電極 318連接。 ~ 該閘極墊頂電線318與該閘極no電極315係由金屬材料如IT〇材料 或ιζο材料所製成，該第一閘極墊底電極3Ma係由鋁或鋁合金所製成，以 及該第二閘極墊底電極314b係由翻以及钥合金所製成。 雖然外部空氣中的濕氣會經過曝露之該閘極墊頂電極318而滲透進入 該閘極ΙΤΟΊ：極315，但是該閘極no電極315並不會被渗透的濕氣所侵 钱。 因此，雖然該濕氣經過該閘極墊頂電極318而滲透至該閘極IT〇電極 315，但是習知LCD的侵姓問題並不會發生，原因是該閘極ΙΤ〇電極 1326127 不會被該濕氣所侵#。 關於該第三實施例之該液晶顯示裝置的製造方法係包括：透過在該基 板上形成制極™電極，以及形成不連接至該__電極的該第^ 極塾底電極，其巾該__形成係為了保護該第1極墊底電極避免被 侵姓。 第1〇圖係顯示本發明關於液晶顯示裝置之第—基板第四實施例的平面 圖。 參考第10圖所顯示，-像素區域係由在-第—基板上交又排列的一閉 極線4〇4與一資料線406所形成。一薄膜電晶體（TFT)係形成於閘極線4〇4 與該資料線406交叉處。一閘極墊430並形成於該第一基板上，並用以連 接至該閘極線404，且一資料墊425係形成於該第—基板上，並用以連接至 該資料線406。 關於該第四實施例之該液晶顯示裝置係與第三實施例的構造相似且具 有相同的元件。因此，細部的敘述將被省略。 該閘極墊430係連接該閘極驅動器(未圖式），且該閘極墊43〇係用以提 β· 供一掃描訊號至該閘極線404 該閘極墊430係包括：由透明導電金屬汀〇 所製成的一閘極ΙΤΟ電極415、該閘極線404延伸形成的該閘極ΙΤ〇電極 415上的一預先確定區域形成的一閘極墊底電極414、以及經由複數個接觸 孔Η1以及Η2連接至該閘極墊底電極414的一閘極墊頂電極418。其中， 該閘極墊430係可包括至少一接觸孔Η1以及一接觸孔Η2。 第11圖係顯示沿著第10圖之E_E'剖面線的剖面圖。 參考第11圖所顯示，不同於第7圖所顯示，一閘極墊底電極414係 形成於該閘極ιτο電極415的一側區域。其中，該閘極墊底電極414係由 1326127 -第-閘極塾底電極414a與-第二閘極塾底電極杨所構成。 關於本發明液晶顯示裝置之第四實施例的另一製造方法係相同於本發 明第一實施例中的第4圖以及第5A圖至第5C圖所顯示的過程。因此，細 部的敘述將被省略。 -閘極絕緣層411與-鈍化層413係依序形成於該第二閘極塾錢極 4Mb上。複數健觸孔H1以及接聽係形成於該純化層413上且一 閘極墊頂電極418係形成於該複數個接觸孔H1以及拉上。 _ 該閘極IT〇電極415電氣連接該閘極塾頂電極415，且該第-閘極塾 底電極414a係無電氣連接該閘極墊頂電極Mg。 因此，習知LCD被賴的問題係不會發生，雖然該濕氣會經過該閑極 . 塾頂電極418滲透至該閘極肋電極仍，但是該閘極IT〇電極仍係不 _ 會受到濕氣的侵姓。 關於該第四實關之該液晶顯示裝置㈣造方法係包括：透過在該基 板上形成該閘極ΙΤΟ電極，形成不連接至該閘極墊頂電極的該第一閉極塾 底電極，其中該閘極塾的形成係為了保護該第一閘極塾〜底電極避免被侵姓。 _ ㈣所述，本發日歸細裝置爾_形糊極爾極 於該基板上，當該閘極塾的形成係為了連接該閘極ΙΤ0電極與該閘極塾頂 電極。因此’本發明之液晶顯示裝置之閑極魏其製造方法係關於透過避 免該閘極墊的侵蝕而改善該閘極之可靠性。 雖然前述之實施例中的液晶顯示裝置具有改進閘極塾設計與製造方 法，本發不倾此所關。其他的紐實細包括：具有改善資料塾 設計與製造方法之液晶顯示裝置。 雖然本發明以具體實施例揭露如上，然其所揭露的具體實施例並非用 19 以限定本侧，任何齡此技藝者，在錢離本發.精姊範圍内，告 可作各種之更動與潤飾，其所作之更動與潤鋅皆屬於本發明之範脅本: 明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示習知技術關於液晶顯示裝置之第—基板的平面圖； 第2圖係顯示沿著第1圖之A-A'剖面線的剖面圖； 第3鼠係顯示關於本發明液晶顯示裝置第—實施例第一基板之方塊圖； 第4圖係顯示沿著第3圖之B_B，剖面線的剖面圖； 第5A圖至第$圖係顯示本發明關於閘極塾之製造方法的一實施例； 第6圖係顯示本發明液關於晶顯示裝置之第—基板第二實施例的平面 圖； 第7圖係顯示沿著第6圖之C_C，剖面線的剖面圖； 第8圖係顯示本發明關於液晶顯示裝置之第一基廠第三實施例的平面 圖； 第9圖係顯示沿著第8圖之D_D，剖面線的剖面圖； 第10圖係顯示本發明關於液晶顯示裝置之第一基板第四實施例的平面 圖；以及 第11圖係顯示沿著第i〇圖之E-E·刳面線的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 透明基板 4 閘極線 20 1326127

5 閘極電極 6 資料線 7a 源極電極 7b >及極電極 8 主動層 11 閘極絕緣層 13 鈍化層 14 閘極墊底電極 14a 第一閘極塾底電極 14b 第二閘極墊底電極 16 資料墊底電極 18 閘極塾頂電極 20 資料摯頂電極 25 資料墊 30 閘極墊 101 透明基板 104 閘極線 105 閘極電極 106 資料線 107a 源極電極 107b 汲極電極 108 主動層 111 閘極絕緣層 12、112 像素電極 113 純化層 114 閘極墊底電極 114a 第一閘極墊底電極 114b 第二閘極墊底電極 115 閘極ITO電極 21 1326127

116 資料墊底電極 118 閘極塾頂電極 120 資料墊頂電極 121 光阻圖案 123 遮罩 125 資料墊 126 第一金屬層 127 第二金屬層 129 第三金屬層 130 閘極塾 201 基板 204 閘極線 205 閘極電極 206 資料線 207a 源極電極 207b 汲極電極 208 主動層 211 閘極絕緣層 212 像素電極 213 鈍化層 214 閘極墊底電極 214a 第一閘極塾底電極 214b 第二閘極墊底電極 215 閘極ITO電極 216 資料墊底電極 218 閘極墊頂電極 220 資料墊頂電極 225 資料墊 230 閘極墊 22 1326127

301 基板 304 閘極線 305 閘極電極 306 資料線 307a 源極電極 307b 汲·極電極 308 主動層 311 閘極絕緣層 312 像素電極 313 鈍化層 314 閘極墊底電極 314a 第一閘極塾底電極 314b 第二閘極墊底電極 315 閘極ITO電極 316 資料墊底電極 318 問極塾頂電極 320 資料墊頂電極 325 資料墊 330 閘極墊 401 透明基板 404 閘極線 405 閘極電極 406 資料線 407a 源極電極 407b 及極電極 408 主動層 411 閘極絕緣層 412 像素電極 413 鈍化層 23 1326127

414 閘極墊底電極 414a 第一閘極墊底電極 414b 第二閘極墊底電極 415 間極ITO電極 416 資料墊底電極 418 閘極墊頂電極 420 貧料塾頂電極 425 資料墊 430 閘極墊 A-A， 剖面線 B-B，— 剖面線 C-C’ 剖面線 D-D’ 剖面線 E-E’ 剖面線 H 接觸孔 HI 接觸孔 H2 接觸孔 TFT 薄膜電晶體

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Claims (1)

1326127 + '中請專娜目： Wi!.n^ i.—液晶顯示裝置，其包括： 一閘極墊，其係包括形成於一基板上的一閘極ITO電極、形成於該閘 極ITO電極之一第一預設區域上的一第一閘極墊底電極與一第二閘極 墊底電極、形成於該第一閘極墊底電極與該第二閘極墊底電極上的一 閘極絕緣層、形成於該閘極絕緣層上的一鈍化層、形成於該鈍化層上 的一閘極墊頂電極以及使該閘極墊頂電極在不同於該第一預設區域的 。亥閘極ITO電極之一第二預設區域上與該閘極IT〇電極連接的至少一 接觸孔’而該第-’魏電極無第二閘轉底電極讀該閘極墊 頂電極連接；以及 -液晶面板，其係包括具有雙層結構之—閘極線、與該第-閘極塾底 電極以及該第二閘極墊底電極上整合地形成。 2·如申„月專利範圍第i項所述之液晶顯示裝置其中該閑極塾頂電極由 相同於該閘極ITO電極之材料所製成。 3. 如申明專利|己圍第i項所述之液晶顯示裝置，其中該第一間極塾底電 極係由紹族的材料所製成，以及該第二閘極墊底電極係由翻族的材料 所製成。 4. 如申請專利範圍第i項所述之液晶顯示裂置，其中該第一閘轉底電 極與該第二閘轉底電極由魏緣層與該鈍化層圍繞。 25 1326127 含9.月1日ί多f替换頁 5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第一與該第二間 極墊底電極係形成於該閘極ITO電極的兩側，且一或多個接觸孔係形 成於該鈍化層上。 6. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第—與該第二問 極墊底電極係形成於該閘極ITO電極的一側，且一或多個接觸孔係形 成於該鈍化層上。 7. —種液晶顯示裝置之製造方法，其包括： 形成一閘極ITO電極於一基板上； 形成-第-閘極金屬層與-第二閘極金屬層於該閘極IT〇電極上； 形成-第-閘極塾底電極與-第二·塾底電極於該_ιτ〇電極的 一預設區域上； 形成-閘極絕緣層與-鈍化層於該第—閘極墊底電極與該第二問極塾 底電極上； 姓刻該閘極絕緣層的—預設區域與該鈍化層，以曝露該閘極ιτ〇電極 的一第二預設區域； 幵/成閑極墊頂電極於曝露的閘極絕緣層與該鈍化層上；以及 形成至少-接觸孔於該鈍化層上，用以在該閉極ιτ〇電極之該第二預 設區域上將該閘極ΙΤ0電極電氣連接至制極墊頂電極，而該第1 極墊底电極與該第二閘極墊底電極不與該閘極塾頂電極連接。 8.如申專利翻第7項所述之製造方法，其中該形成—第—間極塾底 26 電極與一第-門极执广兩 L-99· 1 · 1 - 乐—閘極墊底電極於該閘極ITO電極的一預設區域上之步驟 包括： 塗佈-光阻於該第一閘極金屬詹與一第二開極金屬層上；以及 將該第1極金屬層與—第二酿金屬層圖案化。 汝申。月專利範圍第7項所述之製造方法，其中該閘極IT〇電極係由相 同於該閘極墊頂電極之材料所製成。 瓜如申凊專利範圍帛7項所述之製造方法，其中該第一閘極塾底電極 係由鋁族材料所製成’且該第二閘極墊底電極係由鉬族材料所製成。 11·如申請專利細第7項所述之製造方法，其中該第—閘極塾底電極 與該第二閘極墊底電極由該絕緣層與該鈍化層圍繞。 12·如申請專利細第7項所述之製造方法，其中該第—與該第二閑極 墊底電極係形成於該閘極ΙΤΟ電極之兩侧，且一或多個接觸孔形成 於該純化層上。 13.如申請專利範圍第7綱述之製造方法，其中該第__與該第二間極 墊底電極形成於該閘極ΙΤΟ電極之—側，且至少一或多個接觸孔形 成於該鈍化層上。 Η.—種液晶顯示裝置之製造方法，其包括： 1326127 _ ff 正， 依序形成一第一金屬層、一第二金屬層以及一第三金屬層於一基板上； 形成一閘極電極、一閘極線以及一閘極墊於該基板上，而該閘極墊具 有至少—閘極墊底電極； 形成—鈍化層於該基板上，而在此處形成該閘極電極； 形成一閘極墊頂電極在位於該閘極墊區域的該鈍化層上； 形成至少-接觸孔於該鈍化層上，用以電氣連接該閉極電極至該閉極 墊頂電極，而沒有閘極墊底電極與該閘極墊頂電極連接，其中該至少 • —鋪孔制彡成在*聰財關轉底電極之賊㈣的該閘極 電極之預設區域上；以及 形成一像素電極於一像素區域。 K如申請專利細第Μ酬述之製造方法，射該職—像素電極於 -像素區域以及形成電極於該祕舰域之步驟包括： 形成-透明電極層於該純化層上以及軸所產生之結構。匕

16.如申請專利範圍第μ項所述之製造方法 ΙΤΟ以及ΙΖΟ中的任一材料。 其中該第一金屬層係選擇 其中該第二金屬層係選擇 其中該第三金屬層係選擇 17.如申請專利範圍第14項所述之製造方法， 紹以及紹合金中的任一材料。 18.如申請專利範圍第μ項所述之製造方法 翻以及麵合金中的任一材料。 28 1326127 [%ΜΨ^ 19.如申請專利細第14項所述之製造方法，其中該形成__電極、 一閘極線以及一閘極墊於該基板上之步驟包括一光學過程以及—圖案 化過程。 2〇·如申請專利範圍第19項所述之製造方法，其中該光料程以及該圖 案化過程係同時實施。 21.如申請專利範圍第Μ項所述之製造方法，其中該形成—閘極電極、 -閘極線以及-閘_於該第三金騎上之轉包括—鮮過程，且 使用於4遮罩触之群為—繞祕光鮮或半色調縣，該遮罩包 - 括一透光區域、一遮蔽區域以及一半透光區域。 泣如申請專利範圍第U項所述之製造方法，其令該閘極塾包括該第_ • 金屬層所形成之一閘極1Τ〇電極'一第一間極墊底電極與-第二閉極 墊底電極所構紅-雙層電極，麟第—閘轉底電極與該第二間極 塾底電極分別係由該閉極1丁0金屬上的該第二金屬層與該第三金屬 層所形成。 ITO電極上 29 其中該閘極墊頂電極由相 24·如申請專利翻第22顧叙製造方法， 同於該閘極ITO電極之材料所製成。 25.如申4專利祕第22項所述之製造方法，其巾關極ιτ〇電極係經 過遠至少一接觸孔而連接至該閘極墊頂電極。 26‘如申4專她圍第22項所述之製造方法，其巾該第—閘極塾底電極 與該第二酿魏電極絲連接至關轉頂電極。 27. 如申請專利範圍第22項所述之製造方法，其中該第—閘極塾底電極 與該第二閘極健電極由該絕緣層與該鈍化層圍繞。 28. 如申請專娜圍第22項所述之製造方法，其中該第—與該第二問極 塾底電極係形成於該閘極ΙΤΟ電極之兩側，且一或多個接觸孔形成於 該純化層上。 29_如申請專利酬第22項所述之製造方法，其中該第—與該第二間極 塾底電極形成於該間極ΙΤ0電極之一側，且一或多個接觸孔形成於該 鈍化層上。 30.如申請專利範圍第14項所述之製造方法，更包括形成閘極電極之後 形成一閘極絕緣層。 1326127 3i.如申請專利範圍第14項所述之製造方法，更包括該形成問極電極之 後，形成一通道層以及形成一源極電極與一汲極電極。 32. 如申請專職_ 31綱述之製造方法，其巾該通道層、該源極電 極以及舰極·係_形成，或藉由實施數個獨立過程而形成。 33. —種液晶顯示裝置之製造方法，其包括： 依序形成-第-金屬層、-第二金屬層以及—第三金屬層於—基板上; 形成-資料電極、-龍線以及―資料墊於縣板上該資料塾具有 至少一資料墊底電極； 开/成鈍化層於S玄基板上，在此處形成資料電極； 形成一資料墊頂電極在位於該資料墊區域的該鈍化層上； 形成至少-接觸孔於該鈍化層上，用以電氣連接該資料電極至該資料 塾頂電極，而沒有資料魏電極與歸㈣頂錄連接，其中該至少 一接觸孔絲纽不同於具有該資雖底電極之預設區域的該資料 電極之預設區域上；以及 形成一像素電極於一像素區域。 从如申請專利範圍第33項所述之製造方法，其中該形成一像素電極於 一像素區域以及形成-資料塾頂電極於該f料塾區域之步驟包括： 形成一透明電極層於該鈍化層上以及蝕刻所產生的結構。 此如申請專利細第W項所述之製造方法，其中該第—金屬層係選擇 31 1326127 正替換頁 ITO以及IZO中的任一材料。 ' 36.如中請專利範圍第33項所述之製造方法，其中該第二金屬層係選擇 - 鋁以及鋁合金中的任一材料。 37.如申請專利範圍第33項所述之製造方法，其中該第三金屬層係選擇 翻以及銦合金中的任一材料。 38_如申請專利範圍第33項所述之製造方法，其中該形成一資料電極、 一資料線以及一資料墊於該基板上之步驟包括：一光學過程以及一 * 圖案化過程。 39· t申請專巧範圍f 38項所述之製造方法，其中該絲過程以及該圖 案化過程係同時實施。 φ 40·如申凊專利範圍第33項所述之製造方法，其中該形成一資料電極、 一資料線以及一資料墊於該第三金屬層上之步驟包括一遮罩過程， 且使用於該遮罩過程之遮罩為繞射曝光遮罩以及半色調遮罩，其各 包括一透光區域、一遮蔽區域以及一半透光區域。 41_如申請專利範圍第33項所述之製造方法，其中該資料墊包括該第一 金屬層所形成之一資料IT〇電極、一第一資料墊底電極與一第二資 料墊底電極所構成之一雙層電極，且該第一資料墊極底電極與該第 32 1326127 #9A.W替換頁 -貧料塾底電極分別係、由該資料IT0金屬上的該第二金屬層與該 第三金屬層所形成。 42.如申印專利關第41項所述之製造方法，其中該第一資料塾底電極 與第一貝料塾底電極所構成之一或多個雙層電極係形成於該資料 ΙΤΟ電極上。 籲 43·如申凊專利範圍帛41項所述之製造方法，其中該資料墊頂電極由相 同於該資料ΙΤΟ電極之材料所製成。 . 44.如申請專利範圍第41項所述之製造方法，其中該資料ΙΤ〇電極係經 • 過該至少一接觸孔而連接至該資料墊頂電極。 45.如申請專利範圍第41項所述之製造方法，其中該第一資料墊底電極 ^ 與該第二資料塾底電極並未連接至該資料墊頂電極。 46·如申請專利範圍第41項所述之製造方法，其中該第一資料墊底電極 與該第二資料墊底電極由該絕緣層與該鈍化層圍繞。 47. 如申請專利範圍第41項所述之製造方法，其中該資料墊底電極係形 成於該資料ΙΤΟ電極之兩側’且至少兩個接觸孔形成於該鈍化層上。 48. 如申睛專利範圍第41項所述之製造方法，其中該資料塾底電極形成 Λ 33 1326127 么月1曰1修产替換頁 於該資料ITO電極之-側，且至少兩個接觸孔形^^該純化層上。 收如申請專利範圍第33項所述之製造方法，更包括在形成該資料· 之後，形成一資料絕緣層。 50. 如申請專利範圍第33項所述之製造方法，更包括形成資料電極之 後，形成一通道層以及形成一源極電極與一汲極電極。 51. 如申請專利範圍第50項所述之製造方法’其中該通道層、該源極電 極以及s玄〉及極電極係同時形成或藉由實施數個獨立過程而形成。 34