TWI325134B - Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target - Google Patents

Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target Download PDF

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TWI325134B
TWI325134B TW094111252A TW94111252A TWI325134B TW I325134 B TWI325134 B TW I325134B TW 094111252 A TW094111252 A TW 094111252A TW 94111252 A TW94111252 A TW 94111252A TW I325134 B TWI325134 B TW I325134B
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Katsutoshi Takagi
Junichi Nakai
Yuuki Tauchi
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Kobe Steel Ltd
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Description

1325134 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種在光學資訊記錄媒體領域例如 CD(光碟）、DVD(數位多功能光碟）、藍光光碟（Blu_ray Disc)和HD DVD中的光學資訊記錄媒體用半反射膜或反 射膜’其具有高耐內聚性 '高耐光性和高耐熱性，同時具 有高反射率、高透射比、低吸收性和高熱傳導性；—種用 # 於沈積這種半反射膜或反射膜的光學資訊記錄媒體用濺射 . 靶；及配備有這種半反射膜或反射膜的光學資訊記錄媒 - 體。 【先前技術】 光學資訊記錄媒體（光碟）包括各種類型，而經由寫/讀 系統分類的三種主要類型是唯讀、一次寫入和可再寫光 碟。爲了提高儲存容量，已經從普通單面、單層光碟開發 ^ 出單面、多層光碟。例如，在單面雙層光碟的情況中，是 在離雷射光束入射面較遠的記錄層中寫入和讀出信號，因 此雷射光束應當透過離雷射光束入射較近的記錄層傳輸， 經由較遠的記錄層反射，再透過離雷射光束入射較近的記 錄層傳輸。因此，能反射和傳輸雷射光束的半反射膜便用 於離雷射光束入射較近的記錄層。 具有作爲半反射膜功能的材料包括金屬如Ag、Al、 Au、Pt、Rh和Cr，及元素半導體如Si和Ge。其中，純 Ag和包含Ag作爲其主要成份的Ag合金具有下述特徵： -5- (2) 1325134 (1 )高光效率（=反射率+透射比），（2 )對用於藍光光碟和 HD DVD的藍-紫色雷射（波長，405奈米）的高反射率’及 (3)能將記錄信號時記錄膜中所產生的熱充分擴散的高熱 傳導性。這種Ag基材料顯示出用作光碟半反射膜的優異 性質’包括高反射率、高透射比、低吸收性（吸收性二 100%-(反射率+透射比））和高熱傳導性。但是’爲了達成 用作具有長期可靠性的光碟半反射膜的充分功能’該等 • Ag基材料需要克服Ag基材料的缺點，即G)耐內聚性， (2)耐光性，及（3)耐熱性。 [缺點1]耐內聚性
Ag基材料在熱和鹵素（氟、氯、溴、碘等）的作用下 很可能進行內聚。當將它保持在光碟可靠性實驗中使用的 高溫、高濕度條件下，或與（有機染料記錄膜、保護層或 黏合劑層的）含鹵素有機物質接觸處理時，可能會發生內 • 聚作用，而導致薄膜表面粗糙度提高或薄膜連續性的喪 失，此可隨後引起作爲半反射膜或反射膜時材料功能的損 失。 [缺點2]耐光性 舉例而言，單面、雙層、唯讀的光碟具有聚碳酸酯 (PC)基底/半反射膜/黏合劑層/反射膜/PC基底的基本橫截 面結構。當這種光碟在所謂的”耐光性試驗"中被Xe燈（具 有類似於日光光譜的燈）輻照時，若半反射膜包含Ag基材 -6- (3) 1325134 料，則該膜之反射率會降低，且在這種情況下’一旦反射 率降低到偵測讀入信號所需的閩値之下’便無法讀取信 號。 [缺點3]耐熱性 舉例而言，單面、雙層、一次寫入的光碟具有PC基 底/記錄膜/半反射膜/隔離層/記錄膜/反射膜/pc基底的基 Φ 本橫截面結構，且單面、雙層、可再寫性光碟具有PC基 底/介電和保護層/介面層/記錄膜/介面層/介電和保護層/半 反射膜/中間層/介電和保護層/介面層/記錄膜/介面層/介電 和保護層/反射膜/PC基底的基本橫截面結構。在包括這些 —次寫入和可再寫光碟的可記錄光碟情況中，在寫入期間 記錄層被加熱至高達3 00至600。0的溫度’而且對半反射 膜或反射膜施加了非常嚴酷的熱磁滯作用。因爲這種熱磁 滞作用所導致的薄膜晶粒生長和薄膜連續性的喪失削弱了 ® 半反射膜和反射膜的功能。 爲了改善純Ag已經進行了各種嘗試，主要是使Ag 合金化。例如，經由下面的方法來改善耐腐蝕性：在U S P 6007889 及類似者中將 Au、Pd、Cu、Rh、Ru、Os、Ir 或 Pt加入Ag中；在USP 6280811、PCT國際專利申請公開 案之日文譯文公開案2002 -5 1 85 96及類似者中，將Au、 Pd、Cu、Rh、Ru、Os、Ir、Be 或 Pt 力口入 Ag 中；以及在 USP 5 948497、日本專利申請早期公開案Heisei 6-20 8 7 3 2 及類似者中，將Pd或Cu加入Ag中。本發明的發明人亦 (4) 1325134 已在日本專利3 3 6 5 762中揭示了一種經由將Nd加入Ag 中而改善晶體結構穩定性的方法，其中經由抑制Ag擴散 和晶粒發展，來獲得晶體結構穩定性。 儘管有這些努力，但是仍沒有發現可顯示高反射率、 高透射比、低吸收性、和高熱傳導性，且同時具有高耐內 聚性、高耐光性和高耐熱性的Ag基合金，因此，業界對 於能滿足所有這些性質要求的Ag基合金仍有強烈需求。 【發明內容】 發明槪述 本發明係鑑於業界所遭遇之此類情況而完成，且本發 明的目的是找出會展現經由純Ag或經由習用Ag合金所 迄未實現的水準的高耐內聚性、高耐光性、高耐熱性、高 反射率、高透射比、低吸收性、和高熱傳導性的Ag基合 金，以及根據這種合金而提供一種供具有優異寫/讀性質 ^ 和長期使用可靠性的光學資訊記錄媒體用半反射膜和反射 膜：一種沈積這種半反射膜和反射膜時所使用的光學資訊 記錄媒體用濺射靶；及一種配備有這種半反膜或反射膜的 光學資訊記錄媒體。 本發明的第一方面係關於一種包含Ag基合金的光學 資訊記錄媒體用半反射膜或反射膜，其中該Ag基合金包 含0.00 5至0.40%(原子％，除非另有指明）的Bi和總量爲 0.05 至 5%的選自 Zn、Al、Ga、In、Si、Ge 和 Sn 中的至 少一種元素。 1325134
本發明的第二方面係關於第一方面中包含Ag 的光學資訊記錄媒體用半反射膜或反射膜，其中靈 膜或反射膜具有其中在頂部和/或底部介面富含Bi 構。 本發明的第三方面係關於第一方面或第二方 Ag基合金的光學資訊記錄媒體用半反射膜或反 中該半反射膜或反射膜具有其中在頂部和/或底 含選自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少 的結構。 本發明的第四方面係關於第一方面至第三方 一個方面的包含Ag基合金的光學資訊記錄媒體 膜或反射膜，其中該Ag基合金還包含至少一種 元素》 本發明的第五方面係關於第四方面中包含Ag 的光學資訊記錄媒體用半反射膜或反射膜，其中該 屬元素是Nd和/或Y’總含量爲0.1至2°/。。 本發明的第六方面係關於第一方面至第五方面 一個方面的包含八8基合金的光學資訊記錄媒體用 膜或反射膜’其中該Ag基合金還包含選自Cu Rh、Pd和Pt中的至少—種元素’總含量爲〇· 1至 本發明的第七方面係關於一種具有第—方面至 面中任何一個方面的包含Ag基合金的半反射膜的 訊記錄媒體。 本發明的第八方面係關於一種具有第一方面至 基合金 芝半反射 的膜結 ί中包含 卜膜，其 ί介面富 -種元素 ί中任何 丨半反射 ^ 土金屬 基合金 [稀土金 丨中任何 I半反射 、A u、 3%。 第六方 光學資 第六方 -9- (6) 1325134 :訊 其 至 •種 丨射 :濺 0.1 中 還 總 和 具 所 和 上 反 向 含 能 面中任何一個方面的包含Ag基合金的反射膜的光學資 記錄媒體。 本發明的第九方面係關於一種A g基合金濺射靶， 中該A g基合金包含〇 · 〇 5至4 · 5 %的b i，和總量爲〇 . 0 5 5%的選自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一 元素。 本發明的第十方面係關於第九方面的Ag基合金源 ^ 祀’其中該Ag基合金還包含至少一種稀土金屬元素。 本發明的第Η--方面係關於第十方面的Ag基合金 射粑，其中該稀土金屬兀素是Nd和/或Y，總含量爲 至2%。 本發明的第十二方面係關於第九方面至第十一方面 任何一個方面的Ag基合金濺射靶，其中該Ag基合金 包含選自 Cu、Au、Rh、Pd和Pt中的至少一種元素， 含量爲〇. 1至3 %。 ® 如上所述，本發明的光學資訊記錄媒體用半反射膜 反射膜具有高耐內聚性、高耐光性和高耐熱性，並同時 有高反射率 '高透射比、低吸收性，和高熱傳導性，且 製備的光學資訊記錄媒體將具有顯著改善的寫/讀性質 優異的長期使用可靠性。本發明的濺射靶極適用於沈積 述的半反射膜或反射膜，且使用這種濺射靶而製成的半 射膜和反射膜在合金組成、合金元素的分佈和膜平面方 的均勻性方面是極爲優異的，而且這種膜還具有低雜質 量，因此，所得到的半反射膜或反射膜具有高性能，而 -10- (7) 1325134 生產具有優異的寫/讀性質和優異的長期使用可靠性的光 學資訊記錄媒體。此外，本發明的光學資訊記錄媒體將具 有顯著改善的寫/讀性質和長期使用可靠性。 較佳體系之詳細說明 鑑於上述情況，本發明的發明人進行了深入的硏究， 以提供包含Ag基合金的半反射膜和反射膜，其適用於光 Φ 學資訊記錄媒體，且顯示高耐內聚性、高耐光性和高耐熱 性’同時具有高反射率、高透射比、低吸收性和高熱傳導 性。更具體而言，本發明人經由濺射各種Ag基合金濺射 靶來沈積各種合金組成的Ag基合金薄膜，並評估這些膜 的膜組成、膜結構、耐內聚性、耐光性、耐熱性、反射 率、透射比、吸收性和熱傳導性。然後，本發明人發現， 包含0.005至0.40%的 Bi和總量爲 0.05至 5 %的選自 Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一種元素的光學 • 資訊sS錄媒體用Ag基合金半反射膜和反射膜，具有優異 的耐內聚性、耐光性和耐熱性，同時具有高反射率、高透 射比、低吸收性，和高熱傳導性，其超過由純Ag或習用 Ag合金製成的膜的這些性能，因爲本發明所得到的膜具 有其中這些形成合金的元素集中在頂部和/或底部介面的 結構。本發明係基於這種發現而得以完成。下文中將更詳 細地說明本發明。 本發明的發明人已經證實含有Bi和選自Zn、A1、 Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一種元素的Ag基合金薄 -11 - (8) 1325134 膜具有一種膜結構，其中形成合金的元素集中到頂部和/ 或底部介面，因爲在薄膜沈積期間，這些形成合金的元素 擴散到頂部和/或底部介面。這種形成合金的元素在頂部 和/或底部介面集中的現象據信是由於所有的B i、Zn、 Al、Ga、In、Si、Ge和Sn在Ag中的高擴散率所引起 的’其很可能導致與Ag分離》在這些元素中，Bi具有低 溶點和高蒸氣壓，因此，Bi顯示了從熱活化膜表面再蒸 ® 發’並經由熱活化擴散到頂部和/或底部介面的作用。這 種Bi的作用促進了到頂部和/或底部介面的擴散，這是 Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn的固有性質，而且由於Bi 與Zn、Al、Ga、In、Si、Ge或Sn的組合相加的效果，使 得獨特膜結構的形成更爲顯著。此外還顯示出這種效果是 組合相加的效果，當Bi與其他的合金元素結合時，便達 不到這種效果。前述Ag基材料的缺點，即耐內聚性、耐 光性和耐熱性，可經由這種獨特膜結構的形成而予以改 ^ 善。這種改善係經由下文所述的機制實現。 [缺點1]耐內聚性 由熱所引起的Ag基材料的內聚是Ag於高溫下在表 面上擴散的結果，這種Ag在表面上的擴散，係經由如本 發明Ag基合金薄膜中所顯示的，在膜的頂部和/或底部介 面上富含合金元素層的存在而予以抑制，並藉此改善了耐 內聚性。另一方面，因鹵素（氟、氯、溴、碘等）所引起的 內聚會在鹵素存在的環境中發生，因爲鹵素吸附在頂部和 -12- (9) 1325134 /或底部介面上，並由鹵化銀的產生開始A g內聚的相繼步 驟而發生內聚，而耐內聚性可經由富含合金元素層阻止鹵 素吸附在頂部和/或底部介面上，抑制隨後鹵化銀的產生 和A g內聚而改善耐內聚性^ [缺點2]耐光性 在Xe燈（具有類似日光光譜的燈）輻照下，只有在半 ® 反射膜包含Ag基材料時，才會發生於例如具有pc基底/ 半反射膜/黏合劑層/反射膜/PC基底之基本橫截面結構的 單面、雙層、唯讀光碟中的反射率降低，是一種因爲構成 該Ag基半反射膜之Ag原子擴散並滲透進入臨近的PC基 底和/或黏合劑層所引起的現象。當避免了 Ag基半反射膜 與PC基底或黏合劑層之間的直接接觸，如在頂部和/或底 部介面上具有富含合金元素層的本發明Ag基合金薄膜的 情況，便可抑制A g原子的擴散和滲透，而且即使以X e • 燈輻照光碟’也不會出現反射率的降低。耐光性因此獲得 改善。 [缺點3]耐熱性 即使對於單面、多層可記錄（一次寫入或可再寫）光碟 的半反射膜’其由於在信號記錄期間溫度升高到3 00至 6〇〇°C而經歷了極嚴酷的熱磁滯，也可以改善其耐熱性。 亦即’當該膜在頂部和/或底部介面上具有富含合金元素 層時’如本發明的Ag基合金薄膜，便可因這種富含合金 -13- (10) 1325134 元素層的存在而抑制Ag擴散，而且抑制晶粒的生長和膜 不連續性的形成，因此改善了耐熱性。 本發明的Ag基合金薄膜在膜的頂部和/或底部介面上 具有富含合金元素層，該膜的實質部分包含一種其組成類 似於合金元素含量相當低之純A g的膜結構，而且因爲促 進光性質和熱性質的部分具有類似於純Ag的組成，因此 該膜顯示出高反射率、高透射比、低吸收性和高熱傳導 • 性。 本發明的Ag基合金薄膜具有獨特的膜結構，在該膜 的頂部和/或底部介面的富含合金元素層會促進高耐內聚 性、高耐光性和高耐熱性的發展，同時包含幾近於純Ag 組成的部份則會促進高反射率、高透射比、低吸收性和高 熱傳導性的發展，這便導致作爲光學資訊記錄媒體的半反 射膜和反射膜的優異性能。 本發明的光學資訊記錄媒體用Ag基合金半反射膜和 ® 反射膜具有如下特徵：它們含有含量爲0.005至0.40 %的 3;，和總含量爲0.05至5%的選自211、厶1、〇3、111、8^ Ge和Sn中的至少一種元素。Bi、Zn、Al、Ga、In' Si、 Ge和Sn的加入導致在耐內聚性、耐光性和耐熱性上的改 善’這種改善隨著添加量的增加而更爲明顯，但是隨著這 種添加量的增加’會發生反射率、透射比和熱傳導性的降 低以及吸收性的提高。因此，在本發明中，Bi的添加量 爲 0.005 至 0.40%’ 且選自 Zn、Al、Ga、In、Si、Ge 和 Sn中的至少一種元素的添加總量爲0.05至5%。Bi含量 -14- (11) 1325134 低於Ο · Ο Ο 5 %是較不理想的，因爲其膜不會顯示高耐內聚 性、高耐光性和高耐熱性，但若Bi含量超過0.4〇°/。也不 理想，因爲所產生的膜不會顯示高反射率、咼透射比、低 吸收性和高熱傳導性。因此，Bi的含量較佳爲0.005至 0.40%，更佳含量爲〇.〇1至0.3%，且最佳含量爲0.05至 0.2%。另一方面，選自 Zn、Al、Ga、In、Si、Ge 和 Sn 中的至少一種元素的添加總量低於0.0 5%是較不理想的， • 因爲所產生的膜不會顯示高耐內聚性、高耐光性和高耐熱 性，但若選自Z η、A1、G a、I η、S i、G e和S η中的至少一 種元素的添加總量超過5%也不理想，因爲所產生的膜不 會顯示高反射率、高透射比、低吸收性和高熱傳導性。因 此，選自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一種元 素的添加總量較佳爲Ο . Ο 5至5 %，更佳總量爲Ο . 1至4 %， 且最佳總量爲0.2至3 %。 也有作用的是於本發明的光學資訊記錄媒體用Ag基 ^ 合金半反射膜和反射膜中添加稀土金屬元素，尤其是Nd 和/或Y，以改善耐內聚性和耐熱性。但是，當這種稀土 元素（尤其是N d和/或Y)的添加總量低於〇. 1 %時，無法達 到耐內聚性和耐熱性的進一步改善。另一方面，添加這種 元素超過2%不會產生高反射率、高透射比、低吸收性和 高熱傳導性。因此，這類元素的添加總量爲〇.丨至2%， 較佳爲0 · 2至1 %，且最佳爲〇 . 3至〇 _ 5 % » 此外也有作用的是於本發明的光學資訊記錄媒體用 Ag基合金半反射膜和反射膜中添加選自cu、Au、Rh、Pd -15- (12) 1325134 和Pt中的至少一種元素，以改善耐腐蝕性。然而，當該 選自C u、A u、R丨1、p d和P t中的至少一種元素的添加總 量低於0 . 1 %時，無法達到耐腐蝕性和耐熱性的進一步改 善。另一方面，添加這種元素超過3 %不會產生高反射 率、高透射比、低吸收性和高熱傳導性。因此，這類元素 的添加總量爲至3%，較佳爲0.2至2%，且最佳爲 0 · 3 至 1 %。 # 應當注意的是本發明的光學資訊記錄媒體用 Ag基合 金半反射膜是單面、多層光碟中的薄膜，其功能係在於將 離雷射光束入射面最遠的記錄層之外的記錄層上的雷射光 束透射和反射，這種膜可具有約45至80%的透射比和約 5至3 0 %的反射率。只要能使透射比和反射率在預定的範 圍內，其厚度可以是任何經確定足夠者。不過，該Ag基 合金半反射膜通常具有5至25奈米範圍內的膜厚度。 應當注意的是本發明的光學資訊記錄媒體用 Ag基合 ^ 金反射膜是單面、單層光碟的反射膜，或單面、多層光碟 中的反射膜，其離雷射光束入射面最遠，且這種膜可具有 約超過50%的反射率和實質上0%的透射比。只要能使反 射率和透射比在預定的範圍內，其厚度可以是任何經確定 足夠者。不過，該Ag基合金反射膜通常具有50至250 奈米範圍內的膜厚度。 本發明的光學資訊記錄媒體用Ag基合金半反射膜和 反射膜係經由下述方法製備：藉由各種薄膜沈積技術例如 抽真空沈積、離子電鍍和濺射在基底上沈積如上所述的 -16- (13) 1325134 A g基合金’且推薦的是利用濺射進行膜沈積所製得者。 與經由其他薄膜沈積技術所形成的膜相比，經由濺射形成 的A g蕋合金半反射膜和反射膜在合金組成、合金元素的 分佈、及膜平面中膜厚度的均勻性方面較爲優良，因此， 在作爲半反射膜和反射膜的性能上（包括高反射率、高透 射比、低吸收性、高熱傳導性、高耐內聚性、高耐光性和 高耐熱性）亦較爲優良，故可藉以製備具有優異寫入/讀取 • 性質和長期使用可靠性的光學資訊記錄媒體。 在源射方面，具有理想合金組成的反射膜可以經由利 用下述濺射靶來沈積而得：即包含含有0.05至4.5 %的Bi 和總量爲〇.〇5至5%之選自乙11、八丨、〇3、111、3丨、〇6和 Sn中的至少一種元素的Ag基合金的濺射靶（下文中簡稱 爲”靶"）。 在該靶中的Bi含量高於反射膜中的Bi含量，因爲在 使用包含含Bi的Ag基合金的耙進行擺射而沈積反射層的 ® 過程中，在反射膜中得到的B i量會減少至靶中所存在的 Bi量的數個百分比至數十個百分比。經評估這種減少是 因爲下面幾個原因所造成的：由於Ag和Bi之間熔點的實 質差異，在膜沈積過程中Bi從該膜表面再蒸發；由於Ag 的濺射速率比Bi高，濺射Bi較困難；以及由於Bi的反 應性比Ag高，在靶表面上只有Bi氧化。反射膜的Bi含 量比靶中Bi含量實質減少是一種在其他Ag基合金例如 Ag·稀土金屬合金中所沒有發現的現象。因此，與待沈積 的反射層中的Bi含量相比，在靶中的Bi含量應予提高。 -17- (14) (14)1325134 當於反射膜中進一步加入稀土金屬元素，尤其是Nd 和/或Y時，或當於反射膜中進一步加入選自Cu、Au、 R h、P d和P t中的至少一種元素時，可將這些元素加至靶 中。該稀土元素，尤其是N d和/或Y，的添加總量可爲 0.1至2% ’較佳爲〇.2至1%，且更佳爲〇.3至0.5%。該 選自Cu、Au、Rh、Pd和Pt中的至少一種元素的添加總 量可爲0.1至3%，較佳爲0.2至2%，且更佳爲0.3至 1% « 本發明的Ag基合金濺射靶可以經由包括熔體澆鑄、 粉末燒結和噴霧沈積的任何方法來製備，且其中較佳的是 經由抽真空熔體澆鑄而製備者，因爲經由抽真空熔體澆鑄 製備的Ag基合金濺射靶含有較少的氮、氧和其他雜質， 且使用這種濺射靶而製備的半反射膜和反射膜可有效地展 現優異的性質（高反射率、高透射比、低吸收性、高熱傳 導性、高耐內聚性、高耐光性和高耐熱性），從而能藉以 製備具有優異的寫入/讀取性質和長期使用可靠性的光學 資訊記錄媒體。 本發明的光學記錄媒體對於作爲光學資訊記錄媒體的 構造而言，並沒有特別的限制，只要它具有本發明的Ag 基合金半反射膜或Ag基合金反射膜即可，任何光學資訊 記錄媒體領域中已知的構造均可採用。例如，包含上述的 Ag基合金的半反射膜或反射膜具有高反射率、高透射 比 '低吸收性、高熱傳導性、高耐內聚性、高耐光性和高 耐熱性，因此’這些膜極適用於當前唯讀、一次寫入和可 -18- (15) 1325134 再寫入的光學資訊記錄媒體，以及下一代、高存儲容量的 光學資訊記錄媒體。 【實施方式】 實施例 本發明經由參考下面的實驗實施例進一步詳細說明， 惟這些實施例絕非用於限制本發明的範圍。在沒有背離本 9 發明範圍的情況下，對這些實施例的任何修改都是在本發 明的技術範圍內。 (1)薄膜的沈積 經由使用純Ag濺射靶（其尺寸爲··直徑101.6毫米和 厚度5毫米）、包含純Ag濺射靶和在該純Ag濺射靶上沈 積之預定數量的合金元素（Bi、Zn、Al、Ga、In、Si、 Ge、Sn)碎片（其尺寸爲：5毫米 x 5毫米 x厚度1毫 ® 米）的複合濺射靶（其尺寸爲：直徑101.6毫米和厚度5毫 米）、或Ag合金濺射靶（其尺寸爲：直徑10 1.6毫米和厚 度 5毫米），在 Shimadzu Corporation製造的灘射裝置 HSM-552中，經由DC磁控管濺射（底壓，0.27 xlO'3Pa或 以下；Ar氣體壓力，0.27 Pa; Ar氣體流速，30sccm;濺 射功率，DC 2 00W ;靶·基底距離，52毫米；基底溫度， 室溫）> 而在聚碳酸酯基底（其尺寸爲：直徑50毫米和厚 度1.0毫米）上沈積薄膜，至膜厚度爲15奈米（半反射膜） 或100奈米（反射膜）。所形成的薄膜是下列的膜：Ag(樣 -19- (16) (16)1325134 品號1)’ Ag-Bi(樣品號2至5)’ Ag-Sn(樣品號6)，八巨· B i - S η (樣品號 7 至 1 1 ) ’ A g - S i (樣品號 1 2 )，a g - B i - S i (樣品 號1 3至1 7 ) ’ A g -1 η (樣品號1 8 ) ’ a g · b丨_ i n (樣品號l 9至 23)，Ag-Ga(,品號 24)’ Ag-Bi-Ga(樣品號 25 至 29)，Ag· G e (樣品號3 Ο)，A g - B i - G e (樣品號3】至3 5 )，a g _ a丨（樣品 號 36)，Ag-Bi-Al(樣品號 37 至 41)，Ag-Zn(樣品號 42)， A g - B i - Ζ η (樣品號 4 3 至 4 7) ’ A g · B i _ s n - N d (樣品號 4 8)，
Ag-Bi-Sn-Y(樣品號 49)’Ag-Bi-Sn-Cu(樣品號 50)，Ag-Si-Sn-Au(樣品號 51)’Ag-Bi-Sn-Nd-Cu(樣品號 52)，Ag-Bi-Sn-Nd-Au(樣品號 53)，Ag-Bi-Sn-Y-Cu(樣品號 54)， Ag-Bi-Sn-Y-Au(樣品號 55)’Ag-Bi-Si-Nd(樣品號 56), Ag-Bi-Si-Y(樣品號 57)，Ag-Bi-Si-Cu(樣品號 58)，Ag-Bi-Si-Au(樣品號 59)’Ag_Bi-Si-Nd-Cu(樣品號 60)，Ag-Bi· Si-Nd-Au(樣品號 61)，Ag-Bi-Si-Y-Cu(樣品號 62)，Ag-Bi-Si-Y-Au(樣品號 63)’ Ag-Bi-In-Nd(樣品號 64)，Ag-Bi· In-Y(樣品號 65)，Ag-Bi-In-Cu(樣品號 66)，Ag-Bi-In-Au(樣品號 67)，Ag-Bi-In-Nd-Cu(樣品號 68)，Ag-Bi-In-Nd-Au(樣品號 69)’八吕-81-111-丫-(：11(樣品號70)，八§41-In-Y-Au(樣品號 71)，Ag-Bi-Ga-Nd(樣品號 72)，Ag-Bi-Ga-Y(樣品號 73)，Ag-Bi-Ga-Cu(樣品號 74)，Ag-Bi-Ga-Au(樣品號 75)’Ag-Bi-Ga-Nd-Cu(樣品號 76)，Ag-Bi-Ga-Nd-Au(樣品號 77)，Ag-Bi-Ga-Y-Cu(樣品號 78)，Ag-Bi-Ga-Y-Au(樣品號 79)，Ag-Bi-Ge-Nd(樣品號 80)，Ag-Bi-Ge-Y(樣品號 81)，Ag-Bi-Ge-Cu(樣品號 82)，Ag-Bi-Ge- -20- (17) (17)1325134
Au(樣品號 83)’ Ag-Bi-Ge-Nd-Cu(樣品號 84)’ Ag-Bi-Ge-Nd-Au(樣品號 85)，Ag-Bi-Ge-Y-Cu(樣品號 86)，Ag-Bi-Ge-Y-Au(樣品號 87)，Ag-Bi-Al-Nd(樣品號 88) ’ Ag-Bi-Al-Y(樣品 5¾ 89)，Ag_Bi-Al-Cu(樣品號 90) ’ Ag-Bi-Al_
Au(樣品號 91)，Ag-Bi-Al-Nd-Cu(樣品號 92)，Ag-Bi-Al-Nd-Au(樣品號 93)，Ag-Bi-A 卜Y-Cu(樣品號 94)，Ag-Bi-Al-Y-Au(樣品號 95)，Ag-Bi-Zn-Nd(樣品號 96) ’ Ag-Bi-Zn-Y(樣品號 97)，Ag-Bi-Zn-Cu(樣品號 98)，Ag-Bi-Zn-Au(樣品號 99)，和 Ag-Bi-Zn-Nd-Cu(樣品號 100)，Ag-Bi-Zn-Nd-Au(樣品號 101)，Ag-Bi-Zn-Y-Cu(樣品號 102)， Ag-Bi-Zn-Y-Au(樣品號 1〇3)。 (2)膜組成分析 在經沈積的薄膜中，經由感應耦合式電漿（I CP)質譜 分析儀，分析Ag合金薄膜（樣品號2至103)的膜組成。 更具體而言，分析是經由下面的方法進行的：在酸性溶液 (硝酸：純水=1 : 1)中溶解分析物Ag合金薄膜，在200°C 的電熱板上加熱該酸性溶液，在確定所有的分析物樣品已 溶解在該酸性溶液中後，冷卻該溶液至室溫，並使用 Seiko Instrument Inc.製造的 ICP 質譜分析儀 SPQ-8000 測 量該Ag合金薄膜中的合金元素的數量。樣品的膜組成（分 析結果）以及膜結構分析結果和下文所述各種性質評估的 結果示於表1至45中。 -21 - (18) 1325134 (3)膜結構的分析 經由盧瑟福背散射光譜法（R u t h e r f 〇 r d B a c k S c a 11 e r i n g Spectroscopy，RBS) ’分析經沈積的薄膜（樣品號1至i 〇3 ) 的膜結構。更具體而言，在包括下述的條件下測量R B S 光譜：光束能量23 00 keV，離子類型He+，散射角170 度，樣品的電流30 nA ’和光束輻照40μ(：，並擬合測量 的光譜和模擬的光譜’來評估在頂部表面和/或底部介面 ® 處富含合金元素層的存在和厚度。膜結構分析的結果示於 表1至5中。在表1至5中，具有厚度爲5埃或以上的富 含合金元素層的樣品標示爲"A "，具有厚度低於5埃的富 含合金元素層的樣品標示爲"B"，且沒有富含合金元素層 的樣品標示爲"C”。在Ag薄膜（樣品號1)中沒有發現富含 合金元素層。與此相較，在下面的膜中發現厚度低於5埃 的富含合金元素層：Ag_Bi薄膜（樣品號2至5)，Ag-Sn薄 膜（樣品號6)，Ag-Si薄膜（樣品號12)，Ag-In薄膜（樣品 ® 號1 8)，Ag-Ga薄膜（樣品號24)，Ag-Ge薄膜（樣品號 30)，Ag-Al薄膜（樣品號36)，和 Ag-Zn薄膜（樣品號 42)。在下面的膜中發現厚度爲5埃或以上的富含合金元 素層··具有所添加之Bi與選自Zn、Al、Ga、In、S卜Ge 和Sn中的至少一種元素的Ag-Bi-(Zn、Al、Ga' In、Si、 Ge、Sn)薄膜（樣品號7至1 1，13至1 7，19至23 ’ 25至 29，31至35，37至41，和43至47)，和另具有添加於 其中之選自Nd、Y、Cu和Au中的至少一種元素的Ag合 金薄膜（樣品號48至103)，以顯示在膜形成上的組合相加 -22- (19) 1325134 效果。添加R h、P d和P t的效果與添加C u和A u的效果 相當。
-23- (20)1325134
表1 樣品號 膜組成 富含合金元素層的厚度， 埃 膜結構 1 Ag 無富含合金元素層 C 2 A g - 0.0 0 5 % B i 1 .3 B 3 A g - 0 . 1 % B i 1.7 B 4 A g - 0.4 % B i 2.8 B 5 A g - 0.6 % B i 3.6 B 6 A g - 3 % S n 1 .4 B 7 A g - 0 . 1 % B i - 0.0 1 % S n 5.4 A 8 A g - 0 . 1 % B i - 0.0 5 % S n 5.5 A 9 A g - 0 . 1 % B i - 3 % S n 6.4 A 10 Ag_0.1%Bi-5%Sn 6.7 A 11 A g - 0 . 1 % B i - 7 % S n 7.1 A 12 A g - 3 % S i 1 .6 B 13 A g - 0 . 1 % B i - 0.0 1 % S i 5.6 A 1 4 A g - 0.1 % B i - 0.0 5 % S i 5.7 A 1 5 A g - 0 . 1 % B i - 3 % S i 8. 1 A 16 A g - 0.1 % B i - 5 % S i 8.4 A 17 A g - 0 . 1 % B i - 7 % S i 8 . 8 A -24- (21)1325134 表2
樣品號 膜組成 富含合金元素層的厚度， 埃 膜結構 18 A g - 3 % I η 1 . 4 B 19 A g - 0 . 1 % B i - 0.0 1 % I η 5.5 A 20 A g - 0.1 % B i - 0.0 5 % I n 5.6 A 2 1 A g - 0.1 % B i - 3 % I n 7.1 A 22 A g - 0.1 % B i - 5 % I n 7.4 A 23 A g - 0.1 % B i - 7 % I n 7.8 A 24 A g - 3 % G a 1.3 B 25 A g - 0 . 1 % B i - 0.0 1 % G a 5.5 A 26 A g - 0.1 % B i - 0.0 5 % G a 5.6 A 27 A g - 0.1 % B i - 3 % G a 6.0 A 28 A g - 0 . 1 % B i - 5 % G a 6.3 A 29 A g - 0.1 % B i - 7 % G a 6.7 A 30 A g - 3 % G e 1.3 B 3 1 A g - 0.1 % B i - 0.0 1 % G e 5 . 3 A 32 A g - 0.1 % B i - 0.0 5 % G e 5.4 A 33 A g - 0 . 1 % B i - 3 % G e 5.6 A 34 A g - 0.1 % B i - 5 % G e 5.9 A 35 A g - 0.1 % B i - 7 % G e 6.3 A -25- (22) 1325134 表3
樣品號 膜組成 富含合金元素層的厚度， 埃 膜結構 36 Ag-3%A1 1 .2 B 37 Ag-0.1%Bi-0.01%Al 5.3 A 38 Ag-0.1%Bi-0.05%Al 5.4 A 39 Ag-0.1%Bi-3%Al 5.6 A 40 Ag-0.1%Bi-5%Al 5.9 A 4 1 Ag-0.1%Bi-7%Al 6.3 A 42 Ag-3%Zn 1 .2 B 43 Ag-0.1%Bi-0.01%Zn 5.2 A 44 Ag-0.1°/〇Bi-0.05%Zn 5.3 A 45 Ag-0.1%Bi-3%Zn 5.5 A 46 Ag-0.1%Bi-5%Zn 5 . 8 A 47 Ag-0.1%Bi-7%Zn 6.2 A 48 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd 6.3 A 49 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y 6.2 A 50 Ag-0.1%Bi-2%Sn-0.5%Cu 6.3 A 5 1 Ag-0.1%Bi-2%Sn-0.5%Au 6.1 A 52 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Cu 6.4 A 53 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4°/〇Nd-0.5%Au 6.3 A 54 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4°/〇Y-0.5%Cu 6.3 . A 5 5 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Au 6.2 A -26 - (23)1325134 表4
樣品號 膜組成 富含合金元素層的厚度， 埃 膜結構 56 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd 7.9 A 57 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Y 7.8 A 58 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.5%Cu 7.9 A 59 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.5%Au 7.7 A 60 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Cu 8.0 A 61 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Au 7.9 A 62 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Cu 7.9 A 63 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4°/〇 Y-0.5%Au 7.8 A 64 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd 6.9 A 65 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4°/〇Y 6.8 A 66 Ag-0.1%Bi-2%In-0.5%Cu 6.9 A 67 Ag-0.1 %Bi-2°/〇In-0.5%Au 6.7 A 68 Ag-0.1%Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Cu 7.0 A 69 Ag-0.1%Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Au 6.9 A 70 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y-0.5%Cu 6.9 A 71 Ag-0.1%Bi-2%In-0.4%Y-0.5%Au 6.8 A 72 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd 5.8 A 73 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y 5.7 A 74 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Cu 5.8 A 75 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Au 5.6 A 76 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Cu 5.9 A 77 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Au 5.8 A 78 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Cu 5.8 A 79 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Au 5.7 A -27- (24)1325134
表5 樣品號 膜組成 富含合金元素層的厚度， 埃 膜結構 80 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd 5.4 A 81 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y 5.3 A 82 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.5%Cu 5.4 A 83 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.5%Au 5.2 A 84 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Cu 5.5 A 85 Ag-0.1 %Bi-2°/〇Ge-0.4%Nd-0.5%Au 5.4 A 86 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Cu 5.4 A 87 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Au 5.3 A 88 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd 5.4 A 89 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y 5.3 A 90 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.5%Cu 5.4 A 91 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.5%Au 5.2 A 92 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Cu 5.5 A 93 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Au 5.4 A 94 Ag-0.1%Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Cu 5.4 A 95 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Au 5.3 A 96 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd 5.3 A 97 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y 5.2 A 98 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5%Cu 5.3 A 99 Ag-0.1%Bi-2%Zn-0.5%Au 5.1 A 100 Ag-0.1%Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Cu 5.4 A 101 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Au 5.3 A 102 Ag-0.1%Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Cu 5.3 A 103 Ag-0.1%Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Au 5.2 A -28 - (25) (25)1325134 (4)耐內聚性的評估（因熱引發之內聚） 經由使用 D i g i t a I I n s t r u m e n t s 製造的 N a η 〇 s c 〇 p e IΠ a 掃描探測器顯微鏡，在AFM(原子力顯微鏡）觀察模式下’ 測量經沈積的薄膜（樣品號〗至1 03)的平均表面粗糙度 Ra。對這些薄膜施以80。(：的溫度、900/oRH的濕度和48 小時的保持時間下的高溫、高濕度試驗，在該試驗後再測 量平均表面粗糙度Ra。耐內聚性（因熱引發之內聚）的評估 結果示於表6至10中。在表6至10中，於該高溫、高濕 度試驗前後平均粗糙度的變化低於1 .5奈米的樣品被視爲 具有高耐內聚性的樣品，且這種樣品被評估爲"A ”，而平 均粗糙度的變化爲1 · 5奈米或以上的樣品被視爲不具有這 種高耐內聚性的樣品，且這種樣品被評估爲"B"。如表3 中所示’所有滿足本發明要求的Ag合金薄膜（樣品號2至 1〇3)顯示高耐內聚性，而未滿足本發明要求者，即Ag薄 膜（樣品號1 )則無法顯示高耐內聚性。添加Rh、Pd和Pt 的效果與添加Cu和Au的效果相當。 -29- (26) 1325134 (26)
表6
樣品號 膜組成 平均表面粗糙度的改變， 奈米 耐內聚性(因熱 引發之內聚） 1 Ag 3.0 B 2 Ag-0.005%Bi 0.5 A 3 Ag-0.1%Bi 0.4 A 4 Ag-0.4%Bi 0.3 A 5 Ag-0.6%Bi 0.3 A 6 Ag-3%Sn 1.0 A 7 Ag-0.1%Bi-0.01%Sn 0.3 A 8 Ag-0.1%Bi-0.05%Sn 0.3 A 9 Ag-0.1%Bi-3%Sn 0.2 A 10 Ag-0.1%Bi-5%Sn 0.2 A 11 Ag-0. l%Bi-7%Sn 0.2 A 12 Ag-3%Si 0.9 A 13 Ag-0.1%Bi-0.01%Si 0.3 A 14 Ag-0.1%Bi-0.05%Si 0.3 A 15 Ag-0.1%Bi-3%Si 0.2 A 16 Ag-0.1%Bi-5%Si 0.2 A 17 Ag-0.1%Bi-7%Si 0.2 A -30- (27)1325134 表7
樣品號 膜組成 平均表面粗糙度的改變， 奈米 耐內聚性(因熱 引發之內聚） 18 Ag-3%In 0.9 A 19 Ag-0.1%Bi-0.01%In 0.3 A 20 Ag-0.1%Bi-0.05%In 0.3 A 21 Ag-0.1%Bi-3°/〇In 0.2 A 22 Ag-0.1%Bi-5%In 0.2 A 23 Ag-0.1%Bi-7%In 0.2 A 24 Ag-3%Ga 1.1 A 25 Ag-0.1%Bi-0.01%Ga 0.3 A 26 Ag-0.1%Bi-0.05%Ga 0.3 A 27 Ag-0.1%Bi-3%Ga 0.2 A 28 Ag-0.1%Bi-5%Ga 0.2 A 29 Ag-0.1%Bi-7%Ga 0.2 A 30 Ag-3%Ge 1.1 A 31 Ag-0.1%Bi-0.01%Ge 0.3 A 32 Ag-0.1%Bi-0.05%Ge 0.3 A 33 Ag-0.1%Bi-3%Ge 0.2 A 34 Ag-0.1%Bi-5%Ge 0.2 A 35 Ag-0.1%Bi-7%Ge 0.2 A -31 - (28) 1325134 表8
樣品號 膜組成 平均表面粗糙度 的改變， 奈米 耐內聚性 (因熱引發之內聚） 36 Ag-3%A1 1.2 A 37 Ag-0.1%Bi-0.01%Al 0.3 A 38 Ag-0.1%Bi-0.05°/〇Al 0.3 A 39 Ag-0.1%Bi-3%Al 0.2 A 40 Ag-0.1%Bi-5%Al 0.2 A 41 Ag-0.1%Bi-7°/〇Al 0.2 A 42 Ag-3%Zn 1.2 A 43 Ag-0.1%Bi-0.01°/〇Zn 0.3 A 44 Ag-0.1%Bi-0.05%Zn 0.3 A 45 Ag-0.1%Bi-3%Zn 0.2 A 46 Ag-0.1°/〇Bi-5%Zn 0.2 A 47 Ag-0.1 %Bi-7%Zn 0.2 A 48 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd 0.1 A 49 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y 0.1 A 50 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Cu 0.2 A 51 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Au 0.2 A 52 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 53 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Au 0.1 A 54 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 55 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Au 0.1 A -32- (29)1325134
表9 樣品號 膜組成 平均表面粗糙度的改 變， 奈米 耐內聚性 (因熱引發之 內聚） 56 Ag-0. l%Bi-2%Si-0.4%Nd 0.1 A 57 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Y 0.1 A 58 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.5%Cu 0.2 A 59 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.5%Au 0.2 A 60 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 61 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Au 0.1 A 62 Ag-0.1%Bi-2°/〇Si-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 63 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Au 0.1 A 64 Ag-0.1 %Bi-2°/〇In-0.4%Nd 0.1 A 65 Ag-0. l%Bi-2%In-0.4%Y 0.1 A 66 Ag-0. l%Bi-2%In-0.5%Cu 0.2 A 67 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.5%Au 0.2 A 68 Ag-0.1%Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 69 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Au 0.1 A 70 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 71 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y-0.5%Au 0.1 A 72 Ag-0.1 %Bi-2°/〇Ga-0.4%Nd 0.1 A 73 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y 0.1 A 74 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Cu 0.2 A 75 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Au 0.2 A 76 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 77 Ag-0.1 %Bi-2°/〇Ga-0.4%Nd-0.5%Au 0.1 A 78 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 79 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4°/〇Y-0.5°/〇Au 0.1 A -33- (30)1325134
表】〇 樣品號 膜組成 平均表面粗糖度的改 變， 奈米 耐內聚性 (因熱引發之 內聚） 80 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd 0.1 A 81 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y 0.1 A 82 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.5%Cu 0.2 A 83 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.5%Au 0.2 A 84 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 85 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Au 0.1 A 86 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 87 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Au 0.1 A 88 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd 0.1 A 89 Ag-0.1%Bi-2%Al-0.4°/〇Y 0.1 A 90 Ag-0.1%Bi-2%Al-0.5%Cu 0.2 A 91 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.5%Au 0.2 A 92 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 93 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Au 0.1 A 94 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 95 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Au 0.1 A 96 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd 0.1 A 97 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y 0.1 A 98 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5%Cu 0.2 A 99 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5%Au 0.2 A 100 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 101 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4°/〇Nd-0.5%Au 0.1 A 102 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 103 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Au 0.1 A -34- (31) 1325134 (5)耐內聚性的評估（因鹵素引發之內聚） 經由使用 D i g i t a 1 Γη s t r u m e n t s 製造的 N a η 〇 s c 〇 p e 111 a 掃描探測器顯微鏡，在AFM(原子力顯微鏡）觀察模式下， 測量經沈積的薄膜（樣品號1至1 〇 3 )的平均表面粗糙度 Ra。對這些薄膜施以在鹽水濃度（NaCl濃度）爲0.05莫耳/ 升、鹽水溫度爲20°C和浸漬時間爲5分鐘的條件下的鹽 水浸漬試驗，且在該試驗後再測量平均表面粗糙度Ra。 Φ 耐內聚性（因鹵素引發之內聚）的評估結果示於表11至15 中。在表11至15中，於鹽水浸漬試驗前後平均粗糙度的 變化低於3奈米的樣品被視爲具有高耐內聚性的樣品，且 這種樣品被評估爲"A"，而平均粗糙度的變化爲3奈米或 以上的樣品被視爲不具有這種高耐內聚性的樣品，且這種 樣品被評估爲” B "。如表4中所示，滿足本發明要求的A g 合金薄膜（樣品號2至103)顯示高耐內聚性，而未滿足本 發明要求的Ag薄膜（樣品號1)則無法顯示高耐內聚性。 Φ 添加Rh、Pd和Pt的效果與添加Cu和Au的效果相當。 -35- (32) 1325134 (32)
表1 1
樣品號 膜組成 平均表面粗糖度的改變， 奈米 耐內聚性(因鹵 素引發之內聚） 1 Ag 10.8 B 2 Ag-0.005%Bi 0.6 A 3 Ag-0.1%Bi 0.4 A 4 Ag-0.4%Bi 0.3 A 5 Ag-0.6%Bi 0.3 A 6 Ag-3%Sn 1.2 A 7 Ag-0.1%Bi-0.01%Sn 0.3 A 8 Ag-0.1%Bi-0.05%Sn 0.3 A 9 Ag-0.1%Bi-3%Sn 0.2 A 10 Ag-0.1°/〇Bi-5°/〇Sn 0.2 A 11 Ag-0.1%Bi-7%Sn 0.2 A 12 Ag-3%Si 1.0 A 13 Ag-0.1%Bi-0.01%Si 0.3 A 14 Ag-0.1%Bi-0.05%Si 0.3 A 15 Ag-0.1%Bi-3%Si 0.2 A 16 Ag-0.1%Bi-5%Si 0.2 A 17 Ag-0.1%Bi-7%Si 0.2 A -36- (33)1325134
樣品號 膜組成 平均表面粗糖度的改變， 奈米 耐內聚性(因鹵 素引發之內聚） 18 Ag-3%In 1.1 A 19 Ag-0.1%Bi-0.01%In 0.3 A 20 Ag-0.1%Bi-0.05°/〇In 0.3 A 21 Ag-0.1%Bi-3%In 0.2 A 22 Ag-0.1%Bi-5%In 0.2 A 23 Ag-0.1%Bi-7%In 0.2 A 24 Ag-3%Ga 1.3 A 25 Ag-0.1%Bi-0.01%Ga 0.3 A 26 Ag-0.1%Bi-0.05°/〇Ga 0.3 A 27 Ag-0.1%Bi-3%Ga 0.2 A 28 Ag-0.1%Bi-5%Ga 0.2 A 29 Ag-0.1%Bi-7%Ga 0.2 A 30 Ag-3%Ge 1.4 A 31 Ag-0.1%Bi-0.01%Ge 0.3 A 32 Ag-0.1%Bi-0.05%Ge 0.3 A 33 Ag-0.1%Bi-3%Ge 0.2 A 34 Ag-0.1%Bi-5%Ge 0.2 A 35 Ag-0.1%Bi-7°/〇Ge 0.2 A -37- (34) 1325134 (34)
表13
樣品號 膜組成 平均表面粗縫度的改 變， 奈米 耐內聚性(因鹵 素引發之內聚） 36 Ag-3%A1 1.6 A 37 Ag-0.1%Bi-0.01%Al 0.3 A 38 Ag-0.1%Bi-0.05%Al 0.3 A 39 Ag-0.1%Bi-3%Al 0.2 A 40 Ag-0.1%Bi-5%Al 0.2 A 41 Ag-0.1%Bi-7%Al 0.2 A 42 Ag-3%Zn 1.6 A 43 Ag-0.1%Bi-0.01%Zn 0.3 A 44 Ag-0.1%Bi-0.05%Zn 0.3 A 45 Ag-0.1%Bi-3%Zn 0.2 A 46 Ag-0.1%Bi-5%Zn 0.2 A 47 Ag-0.1%Bi-7%Zn 0.2 A 48 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd 0.2 A 49 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y 0.2 A 50 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Cu 0.1 A 51 Ag-0.1%Bi-2%Sn-0.5%Au 0.1 A 52 Ag-0.1 %Bi-2°/〇Sn-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 53 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Au 0.1 A 54 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 55 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Au 0.1 A -38- (35)1325134
表14 樣品號 膜組成 平均表面粗縫度的改 變， 奈米 耐內聚性個鹵 素引發之內聚） 56 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Nd 0.2 A 57 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Y 0.2 A 58 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.5%Cu 0.1 A 59 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.5%Au 0.1 A 60 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 61 Ag-0.1%Bi-2°/〇Si-0.4%Nd-0.5%Au 0.1 A 62 Ag-0.1°/〇Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 63 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Au 0.1 A 64 Ag-0. l%Bi-2%In-0.4%Nd 0.2 A 65 Ag-0. l%Bi-2°/〇In-0.4%Y 0.2 A 66 Ag-0.1 %Bi-2°/〇In-0.5%Cu 0.1 A 67 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.5%Au 0.1 A 68 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 69 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Au 0.1 A 70 Ag-0.1 %Bi-2°/〇In-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 71 Ag-0.1%Bi-2°/〇In-0.4%Y-0.5%Au 0.1 A 72 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd 0.2 A 73 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y 0.2 A 74 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Cu 0.1 A 75 Ag-0.1%Bi-2%Ga-0.5%Au 0.1 A 76 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 77 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Au 0.1 A 78 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 79 Ag-0.1%Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Au 0.1 A -39- (36)1325134
表15 樣品號 膜組成 平均表面粗糖度的 改變， 奈米 耐內聚性(因 鹵素引發之 內聚） 80 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd 0.2 A 81 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y 0.2 A 82 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.5°/〇C.u 0.1 A 83 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.5%Au 0.1 A 84 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 85 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Au 0.1 A 86 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 87 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Au 0.1 A 88 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd 0.2 A 89 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y 0.2 A 90 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.5%Cu 0.1 A 91 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.5%Au 0.1 A 92 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 93 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Au 0.1 A 94 Ag-0.1%Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 95 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4°/〇Y-0.5%Au 0.1 A 96 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd 0.2 A 97 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y 0.2 A 98 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5%Cu 0.1 A 99 Ag-0.1%Bi-2%Zn-0.5%Au 0.1 A 100 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Cu 0.1 A 101 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Au 0.1 A 102 Ag-0.1%Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Cu 0.1 A 103 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Au 0.1 A -40- (37) 1325134 (6)耐光性的評估 使用 Suga Test Instruments Co·. Ltd.製造的 Super Xenon Fading Apparatus SX75F，對其中以 UV 可固化樹 脂膜覆蓋經沈積之薄膜（樣品號1至1 0 3 )的樣品施以U V / 可見光輻照試驗，其中經由氙弧燈，用U V/可見光在下述 條件下輻照樣品：輻照照度120W/米2，輻照溫度80°C， 和輻照時間1 44小時，並且經由TEM觀察試驗樣品的橫 # 截面，以評估Ag原子對聚碳酸酯基底或UV可固化樹脂 的擴散/滲透。耐光性的評估結果示於表1 6至20中。在 表16至20中，Ag原子之擴散/滲透深度低於10埃的樣 品被視爲具有優異耐光性，且這種樣品被評估爲"A" : Ag 原子之擴散/滲透深度爲10埃或以上且低於30埃的樣品 被視爲具有高耐光性，這種樣品被評估爲” B ” ；且Ag原 子之擴散/滲透深度爲3 0埃或以上的樣品被視爲不具有這 種耐光性，這種樣品被評估爲"C”。Ag薄膜（樣品號1)沒 • 有顯示高耐光性。與之相比，下述的薄膜由於其中有抑制 Ag原子擴散和滲透的富含合金元素層（其厚度低於5埃） 的存在，所以顯示具有高耐光性：Ag-Bi薄膜（樣品號2 至5)，Ag-Sn薄膜（樣品號6)，Ag-Si薄膜（樣品號12) ’ Ag-In薄膜（樣品號18)，Ag-Ga薄膜（樣品號24)，Ag-Ge 薄膜（樣品號30)，Ag-Al薄膜（樣品號36)，和Ag-Zn薄膜 (樣品號42)。而具有Bi及一起加入之選自Zn、A1、Ga、 In、Si、Ge和Sn中的至少一種元素的Ag-Bi-(Zn、AI、 Ga、In' Si、Ge、Sn)薄膜（樣品號 7 至 11，13 至 17’ 19 -41 - (38) (38)1325134 至23，25至29，31至35，37至41，和43至47)，以及 其中具有進一步加入之選自Nd、Y、Cu和Αιι中的至少一 種元素的Ag合金薄膜（樣品號48至103)，則因爲其中有 厚度爲5埃或以上之富含合金元素層的存在，而顯示優異 的耐光性，這顯示出該等添加組合對膜形成的效應。添加 R h、P d和P t的效果與添加C u和A u的效果相當。
-42- (39)1325134
表1 6 樣品號 膜組成 Ag原子擴散或滲透的深度， 埃 耐光性 1 Ag 120 C 2 Ag-0.005%Bi 20 B 3 Ag-0.1%Bi 18 B 4 Ag-0.4%Bi 15 B 5 Ag-0.6%Bi 15 B 6 Ag-3%Sn 14 B 7 Ag-0.1%Bi-0.01%Sn 無擴散或滲透 A 8 Ag-0.1%Bi-0.05%Sn 無擴散或滲透 A 9 Ag-0.1%Bi-3%Sn 無擴散或滲透 A 10 Ag-0.1%Bi-5%Sn 無擴散或滲透 A 11 Ag-0.1%Bi-7%Sn 無擴散或滲透 A 12 Ag-3%Si 13 B 13 Ag-0.1%Bi-0.01%Si 無擴散或滲透 A 14 Ag-0.1%Bi-0.05%Si 無擴散或滲透 A 15 Ag-0.1%Bi-3%Si 無擴散或滲透 A 16 Ag-0.1%Bi-5%Si 無擴散或滲透 A 17 Ag-0.1%Bi-7%Si 無擴散或滲透 A -43 - (40)1325134
表17 樣品號 膜組成 Ag原子擴散或滲透的深度， 埃 耐光性 18 Ag-3%In 14 B 19 Ag-0.1%Bi-0.01%In 無擴散或滲透 A 20 Ag-0.1%Bi-0.05%In 無擴散或滲透 A 21 Ag-0.1%Bi-3%In 無擴散或滲透 A 22 Ag-0.1%Bi-5%In 無擴散或滲透 A 23 Ag-0.1%Bi-7%In 無擴散或滲透 A 24 Ag-3%Ga 15 B 25 Ag-0.1%Bi-0.01%Ga 無擴散或滲透 A 26 Ag-0.1%Bi-0.05%Ga 無擴散或滲透 A 27 Ag-0.1%Bi-3%Ga 無擴散或滲透 A 28 Ag-0.1%Bi-5%Ga 無擴散或滲透 A 29 Ag-0.1%Bi-7%Ga 無擴散或滲透 A 30 Ag-3%Ge 14 B 31 Ag-0.1%Bi-0.01%Ge 無擴散或滲透 A 32 Ag-0.1%Bi-0.05%Ge 無擴散或滲透 A 33 Ag-0.1%Bi-3%Ge 無擴散或滲透 A 34 Ag-0.1%Bi-5%Ge 無擴散或滲透 A 35 Ag-0.1%Bi-7%Ge 無擴散或滲透 A -44- (41) 1325134 (41)
表1 8
樣品號 膜組成 Ag原子擴散或滲透的深 度， 埃 耐光性 36 Ag-3%A1 15 B 37 Ag-0.1%Bi-0.01°/〇Al 無擴散或滲透 A 38 Ag-0.1%Bi-0.05%Al 無擴散或滲透 A 39 Ag-0.1°/〇Bi-3%Al 無擴散或滲透 A 40 Ag-0.1%Bi-5%Al 無擴散或滲透 A 41 Ag-0.1%Bi-7°/〇Al 無擴散或滲透 A 42 Ag-3%Zn 14 B 43 Ag-0.1%Bi-0.01%Zn 無擴散或滲透 A 44 Ag-0.1%Bi-0.05%Zn 無擴散或滲透 A 45 Ag-0.1%Bi-3%Zn 無擴散或滲透 A 46 Ag-0.1%Bi-5%Zn 無擴散或滲透 A 47 Ag-0.1%Bi-7%Zn 無擴散或滲透 A 48 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd 無擴散或滲透 A 49 Ag-0.1 %Bi-2°/〇Sn-0.4%Y 無擴散或滲透 A 50 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 51 Ag-0.1 %Bi-2°/〇Sn-0.5%Au 無擴散或滲透 A 52 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 53 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Au 無擴散或滲透 A 54 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 55 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Au 無擴散或滲透 A -45- (42)1325134 表19
樣品號 膜組成 Ag原子擴散或滲透的深 度， 埃 耐光性 56 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd 無擴散或滲透 A 57 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Y 無擴散或滲透 A 58 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 59 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.5%Au 無擴散或滲透 A 60 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 61 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Au 無擴散或滲透 A 62 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 63 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Au 無擴散或滲透 A 64 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd 無擴散或滲透 A 65 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y 無擴散或滲透 A 66 Ag-0.1%Bi-2%In-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 67 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.5%Au 無擴散或滲透 A 68 Ag-0.1%Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 69 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4°/〇Nd-0.5%Au 無擴散或滲透 A 70 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 71 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y-0.5%Au 無擴散或滲透 A 72 Ag-0.1 %Bi-2°/〇Ga-0.4%Nd 無擴散或滲透 A 73 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y 無擴散或滲透 A 74 Ag-0. l%Bi-2%Ga-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 75 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Au 無擴散或滲透 A 76 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 77 Ag-0.1 %Bi-2°/〇Ga-0.4%Nd-0.5°/〇Au 無擴散或滲透 A 78 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 79 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Au 無擴散或滲透 A -46 - (43)1325134
表20 樣品號 膜組成 Ag原子擴散或滲透的深 度， 埃 耐光性 80 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd 無擴散或滲透 A 81 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4% Y 無擴散或滲透 A 82 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 83 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.5%Au 無擴散或滲透 A 84 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5°/〇Cu 無擴散或滲透 A 85 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Au 無擴散或滲透 A 86 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 87 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Au 無擴散或滲透 A 88 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd 無擴散或滲透 A 89 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y 無擴散或滲透 A 90 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 91 Ag-0.1%Bi-2%Al-0.5%Au 無擴散或滲透 A 92 Ag-0.1%Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 93 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Au 無擴散或滲透 A 94 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 95 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Au 無擴散或滲透 A 96 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd 無擴散或滲透 A 97 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y 無擴散或滲透 A 98 Ag-0.1%Bi-2%Zn-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 99 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5%Au 無擴散或滲透 A 100 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 101 Ag-0.1%Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Au 無擴散或滲透 A 102 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Cu 無擴散或滲透 A 103 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Au 無擴散或滲透 A • 47- (44) (44)1325134 (7)耐熱性的評估 經由使用 Digital Instruments 製造的 Nanoscope Ilia 掃描探測器顯微鏡’在A FM (原子力顯微鏡）觀察模式下， 測量經沈積的薄膜（樣品號1至1 0 3 )的平均表面粗糙度 Ra。使用Naruse Scientific Machines製造之在旋轉磁場 下的熱處理裝置，對這些薄膜在抽真空〇.27xl(T3Pa或以 下，溫度爲3 00°C和保持時間爲0.5小時的條件下進行抽 真空加熱試驗，且在該試驗後，再度測量平均表面粗糙度 Ra。耐熱性的評估結果示於表21至25中。在表21至25 中，於抽真空加熱試驗前後表面粗糙度的變化低於1 . 5奈 米的樣品被視爲具有優異耐熱性，且這種樣品被評估爲 ” A” ：且平均粗糙度的變化不低於1 .5奈米至低於3奈米 的樣品被視爲具有高耐熱性，且這種樣品被評估爲"B"; 且平均粗糙度的變化爲3奈米或更高的樣品被視爲不具有 高耐熱性，這種樣品被視爲"C"。Ag薄膜（樣品號1 )沒有 顯示高耐熱性。與之相比，下述的薄膜由於其中有抑制 Ag擴散的富含合金元素層（其厚度低於5埃）的存在，所 以顯示具有高耐熱性：Ag-Bi薄膜（樣品號2至5)，Ag-Sn 薄膜（樣品號6)，Ag-Si薄膜（樣品號12)，Ag-In薄膜（樣 品號1 8 )，A g - G a薄膜（樣品號2 4) ’ A g - G e薄膜（樣品號 3 0)，Ag-Al薄膜（樣品號36)，和 Ag-Zn薄膜（樣品號 42)。而具有Bi及一起加入之選自Zn、Al、Ga、In、Si、 Ge和Sn中的至少一種元素的Ag-Bi-(Zn、Al、Ga、In、 Si、Ge、Sn)薄膜（樣品號 7 至 11，13 至 17’ 19 至 23，25 -48- (45) (45)1325134 至29，31至35，37至41，和43至47)，以及其中具有 進一步加入之選自Nd、Y、Cu和Au中的至少一種元素的 Ag合金薄膜（樣品號48至103)，則因爲其中有厚度爲5 埃或以上之富含合金元素層的存在，而顯示優異的耐熱 性，這顯示出該等添加組合對膜形成的效應。添加Rh、 P d和P t的效果與添加C u和A u的效果相當。
-49- (46) 1325134 (46)
表21
樣品號 膜組成 平均表面粗糙度的改變， 奈米 耐熱性 1 Ag 5.5 C 2 Ag-0.005%Bi 2.5 B 3 Ag-0.1%Bi 2.0 B 4 Ag-0.4°/〇Bi 1.7 B 5 Ag-0.6%Bi 1.6 B 6 Ag-3%Sn 1.7 B 7 Ag-0.1%Bi-0.01%Sn 0.5 A 8 Ag-0.1%Bi-0.05%Sn 0.5 A 9 Ag-0.1°/〇Bi-3%Sn 0.4 A 10 Ag-0.1%Bi-5%Sn 0.4 A 11 Ag-0.1%Bi-7%Sn 0.4 A 12 Ag-3%Si 1.6 B 13 Ag-0.1%Bi-0.01%Si 0.5 A 14 Ag-0.1°/〇Bi-0.05%Si 0.5 A 15 Ag-0.1%Bi-3%Si 0.4 A 16 Ag-0.1%Bi-5%Si 0.4 A 17 Ag-0.1%Bi-7%Si 0.4 A -50- (47) 1325134 表22
樣品號 膜組成 平均表面粗糙度的改變， 奈米 耐熱性 18 Ag-3%In 1.7 B 19 Ag-0.1%Bi-0.01%In 0.5 A 20 Ag-0.1%Bi-0.05%In 0.5 A 21 Ag-0.1%Bi-3%In 0.4 A 22 Ag-0.1%Bi-5%In 0.4 A 23 Ag-0.1%Bi-7%In 0.4 A 24 Ag-3%Ga 1.8 B 25 Ag-0.1%Bi-0.01%Ga 0.5 A 26 Ag-0.1°/〇Bi-0.05%Ga 0.5 A 27 Ag-0.1%Bi-3%Ga 0.4 A 28 Ag-0.1%Bi-5%Ga 0.4 A 29 Ag-0.1%Bi-7%Ga 0.4 A 30 Ag-3%Ge 1.8 B 31 Ag-0.1%Bi-0.01%Ge 0.5 A 32 Ag-0.1%Bi-0.05%Ge 0.5 A 33 Ag-0.1%Bi-3%Ge 0.4 A 34 Ag-0.1%Bi-5%Ge 0.4 A 35 Ag-0.1%Bi-7%Ge 0.4 A -51 - (48) 1325134 (48)
表23
樣品號 膜組成 平均表面粗糨度的改 變， 奈米 耐熱性 36 Ag-3%A1 1.9 B 37 Ag-0.1%Bi-0.01%AI 0.5 A 38 Ag-0.1%Bi-0.05%Al 0.5 A 39 Ag-0.1%Bi-3%Al 0.4 A 40 Ag-0.1%Bi-5%Al 0.4 A 41 Ag-0.1%Bi-7%Al 0.4 A 42 Ag-3%Zn 1.8 B 43 Ag-0.1%Bi-0.01%Zn 0.5 A 44 Ag-0.1%Bi-0.05%Zn 0.5 A 45 Ag-0.1%Bi-3°/〇Zn 0.4 A 46 Ag-0.1%Bi-5%Zn 0.4 A 47 Ag-0.1%Bi-7%Zn 0.4 A 48 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd 0.3 A 49 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y 0.3 A 50 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Cu 0.4 A 51 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Au 0.4 A 52 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Cu 0.3 A 53 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Au 0.3 A 54 Ag-0.1%Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Cu 0.3 A 55 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Au 0.3 A -52- (49)1325134
表24 樣品號 膜組成 平均表面粗糖度的改 變， 奈米 耐熱性 56 Ag-0.1 °/〇Bi-2°/〇Si-0.4%Nd 0.3 A 57 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Y 0.3 A 58 Ag-0. l%Bi-2%Si-0.5%Cu 0.4 A 59 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.5%Au 0.4 A 60 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Cu 0.3 A 61 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Au 0.3 A 62 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Cu 0.3 A 63 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Au 0.3 A 64 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd 0.3 A 65 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y 0.3 A 66 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.5%Cu 0.4 A 67 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.5%Au 0.4 A 68 Ag-0.1%Bi-2%In-0.4%Nd-0.5°/〇Cu 0.3 A 69 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Au 0.3 A 70 Ag-0.1 %Bi-2°/〇In-0.4%Y-0.5%Cu 0.3 A 71 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y-0.5%Au 0.3 A 72 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd 0.3 A 73 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4% Y 0.3 A 74 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Cu 0.4 A 75 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Au 0.4 A 76 Ag-0.1%Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Cu 0.3 A 77 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Au 0.3 A 78 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Cu 0.3 A 79 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Au 0.3 A -53- (50)1325134
表25 樣品號 膜組成 平均表面粗糙度的改變， 奈米 耐熱性 80 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd 0.3 A 81 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y 0.3 A 82 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.5%Cu 0.4 A 83 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.5%Au 0.4 A 84 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Cu 0.3 A 85 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Au 0.3 A 86 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Cu 0.3 A 87 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Au 0.3 A 88 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd 0.3 A 89 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y 0.3 A 90 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.5%Cu 0.4 A 91 Ag-0.1 %Bi-2°/〇Al-0.5%Au 0.4 A 92 Ag-0.1 %Bi-2°/〇Al-0.4%Nd-0.5%Cu 0.3 A 93 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Au 0.3 A 94 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Cu 0.3 A 95 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Au 0.3 A 96 Ag-0.1 %Bi-2°/〇Zn-0.4%Nd 0.3 A 97 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y 0.3 A 98 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5%Cu 0.4 A 99 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5%Au 0.4 A 100 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Cu 0.3 A 101 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Au 0.3 A 102 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Cu 0.3 A 103 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Au 0.3 A -54 - (51) (51)1325134 (8)反射率、透射比和吸收性的評估 使用 JASCO製造的 UV-Vis-NIR分光光.度計 V· 570DS，在波長400至800奈米下’測量經沈積的薄膜（樣 品號1至1 03)的光譜反射率和光譜透射比’從因此測得 的反射率和透射比計算吸收性（=1 0 0 % -(反射率+透射 比））。在藍光光碟、HD DVD及類似者中使用波長爲405 奈米之雷射光束的反射率、透射比和吸收性的評估結果示 於表26至30、表31至35和表36至40中。在表26至 40中，相對於反射率爲1 8%、透射比爲68%和吸收性爲 14%的純Ag，反射率爲15%或以上、透射比爲60%或以上 和吸收性低於25%的樣品被視爲具有優異的光學性質，且 這種樣品被評估爲MA"，且反射率低於1 5%、透射比低於 60%和吸收性爲25%或以上的樣品被視爲不具有優異的光 學性質，且這種樣品被評估爲"B ”《由於具有高含量的 Zn、Al、Ga、In、Si、Ge 或 S η ’ Ag - 0 · 6 %B i 薄膜（樣品號 5)、A g - 0.1 % B i - 7 % S n 薄膜（樣品號 1 1 )、A g - 0 · 1 % B i - 7 % S i 薄膜（樣品號17)、Ag-0.1% Bi-7°/。In薄膜（樣品號23)、 A g - 0 . 1 % B i - 7 % G a 薄膜（樣品號 2 9)、A g - 0.1 % B i - 7 % G e 薄膜（樣品號35)、Ag-0.1% Bi-7% A1薄膜（樣品號41)和 Ag-0.1% Bi-7% Zn薄膜（樣品號47)沒有顯示高反射率、 高透射比和低吸收性。與之相比，A g薄膜（樣品號1 )、 Ag-Bi薄膜（樣品號2至4)、Ag-Sn薄膜（樣品號6)、Ag-Bi-Sn薄膜（樣品號7至10)、Ag-Si薄膜（樣品號〗2)、Ag-Bi-Si薄膜（樣品號1 3至1 6)、Ag-In薄膜（樣品號i 8)、 -55- (52) (52)1325134
Ag-Bi-In薄膜（樣品號19至22)、Ag-Ga薄膜（樣品號 24)、Ag-Bi-Ga薄膜（樣品號25至28)、Ag-Ge薄膜（樣品 號3 0)、Ag-Bi-Ge薄膜（樣品號31至34)、Ag-A】薄膜（樣 品號36)、Ag-Bi-Al薄膜（樣品號37至40) ' Ag-Zn薄膜 (樣品號42)和Ag-Bi-Zn薄膜（樣品號43至46)，以及其中 具有進一步加入之選自Nd、Y、Cu和Au中的至少一種元 素的 Ag合金薄膜（樣品號48至103)，則顯示了高反射 率' 高透射比和低吸收性。添加Rh、Pd和Pt的效果與添 加Cu和Au的效果相當。 參 -56 - (53)1325134
表26 樣品號 膜組成 反射率，％ 反射率的評估 1 Ag 18.0 A 2 Ag-0.005%Bi 17.8 A 3 Ag-0.1%Bi 17.6 A 4 Ag-0.4%Bi 16.2 A 5 Ag-0.6%Bi 14.4 B 6 Ag-3%Sn 16.0 A 7 Ag-0.1%Bi-0.01%Sn 17.4 A 8 Ag-0.1%Bi-0.05%Sn 16.5 A 9 Ag-0.1%Bi-3%Sn 15.6 A 10 Ag-0.1%Bi-5%Sn 15.2 A 11 Ag-0.1%Bi-7%Sn 14.3 B 12 Ag-3%Si 16.2 A 13 Ag-0.1°/〇Bi-0.01%Si 17.5 A 14 Ag-0.1%Bi-0.05%Si 16.6 A 15 Ag-0.1%Bi-3%Si 15.7 A 16 Ag-0.1%Bi-5%Si 15.3 A 17 Ag-0.1%Bi-7%Si 14.4 B -57- (54)1325134
表27 樣品號 膜組成 反射率，％ 反射率的評估 18 Ag-3%In 15.6 A 19 Ag-0.1%Bi-0.01%In 17.3 A 20 Ag-0.1%Bi-0.05°/〇In 16.4 A 21 Ag-0.1%Bi-3%In 15.5 A 22 Ag-0.1%Bi-5%In 15.1 A 23 Ag-0.1%Bi-7%In 14.2 B 24 Ag-3%Ga 15.7 A 25 Ag-0.1%Bi-0.01%Ga 17.3 A 26 Ag-0.1%Bi-0.05%Ga 16.5 A 27 Ag-0.1%Bi-3%Ga 15.6 A 28 Ag-0.1%Bi-5%Ga 15.1 A 29 Ag-0.1%Bi-7%Ga 14.3 B 30 Ag-3%Ge 15.4 A 31 Ag-0.1%Bi-0.01%Ge 17.2 A 32 Ag-0.1%Bi-0.05%Ge 16.3 A 33 Ag-0.1%Bi-3%Ge 15.4 A 34 Ag-0.1%Bi-5%Ge 15.0 A 35 Ag-0.1%Bi-7%Ge 14.0 B -58 - (55)1325134
表28 樣品號 膜組成 反射率，％ 反射率的評估 36 Ag-3%A1 15.8 A 37 Ag-0.1%Bi-0.01%Al 17.3 A 38 Ag-0.1%Bi-0.05°/〇Al 16.4 A 39 Ag-0.1%Bi-3%Al 15.5 A 40 Ag-0.1%Bi-5%Al 15.2 A 41 Ag-0.1%Bi-7%Al 14.4 B 42 Ag-3%Zn 15.6 A 43 Ag-0.1%Bi-0.01%Zn 17.1 A 44 Ag-0.1%Bi-0.05%Zn 16.2 A 45 Ag-0.1%Bi-3%Zn 15.5 A 46 Ag-0.1%Bi-5%Zn 15.1 A 47 Ag-0.1%Bi-7%Zn 14.0 B 48 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd 15.4 A 49 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y 15.3 A 50 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Cu 15.4 A 51 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Au 15.5 A 52 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Cu 15.3 A 53 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Au 15.4 A 54 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Cu 15.2 A 55 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Au 15.3 A -59- (56)1325134
表29 樣品號 膜組成 反射率，％ 反射率的評估 56 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd 15.5 A 57 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Y 15.4 A 58 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.5%Cu 15.5 A 59 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.5%Au 15.6 A 60 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Cu 15.4 A 61 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Au 15.5 A 62 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Cu 15.3 A 63 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Au 15.4 A 64 Ag-0.1 %Bi-2%in-0.4°/〇Nd 15.3 A 65 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y 15.2 A 66 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.5%Cu 15.3 A 67 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.5%Au 15.4 A 68 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Cu 15.2 A 69 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Au 15.3 A 70 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y-0.5%Cu 15.1 A 71 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y-0.5%Au 15.2 A 72 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd 15.4 A 73 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y 15.3 A 74 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Cu 15.4 A 75 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Au 15.5 A 76 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Cu 15.3 A 77 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Au 15.4 A 78 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5°/〇Cu 15.2 A 79 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5°/〇Au 15.3 A -60- (57)1325134
表3 Ο 樣品號 膜組成 反射率，％ 反射率的評估 80 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd 15.2 A 81 Ag-0. l%Bi-2%Ge-0.4%Y 15.1 A 82 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.5%Cu 15.2 A 83 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.5%Au 15.3 A 84 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5°/〇Cu 15.1 A 85 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Au 15.2 A 86 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Cu 15.0 A 87 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Au 15.1 A 88 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd 15.3 A 89 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y 15.2 A 90 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.5%Cu 15.3 A 91 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.5%Au 15.4 A 92 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Cu 15.2 A 93 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Au 15.3 A 94 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4°/〇 Y-0.5%Cu 15.1 A 95 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Au 15.2 A 96 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd 15.3 A 97 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y 15.2 A 98 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5%Cu 15.3 A 99 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5%Au 15.4 A 100 Ag-0.1%Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Cu 15.2 A 101 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Au 15.3 A 102 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Cu 15.1 A 103 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Au 15.2 A -61 - (58)1325134 表3 1
樣品號 膜組成 透射比，％ 透射比的評估 1 Ag 68.0 A 2 Ag-0.005%Bi 67.7 A 3 Ag-0.1%Bi 66.2 A 4 Ag-0.4%Bi 62.5 A 5 Ag，0,6%Bi 59.0 B 6 Ag-3%Sn 65.5 A 7 Ag-0.1%Bi-0.01%Sn 66.0 A 8 Ag-0.1%Bi-0.05%Sn 65.1 A 9 Ag-0.1%Bi-3%Sn 63.3 A 10 Ag-0.1%Bi-5%Sn 61.0 A 11 Ag-0.1%Bi-7%Sn 58.5 B 12 Ag-3%Si 65.8 A 13 Ag-0.1%Bi-0.01%Si 66.1 A 14 Ag-0.1%Bi-0.05%Si 65.0 A 15 Ag-0.1%Bi-3%Si 63.0 A 16 Ag-0.1%Bi-5%Si 61.0 A 17 Ag-0.1%Bi-7%Si 58.9 B -62- (59)1325134
表32 樣品號 膜組成 透射比，％ 透射比的評估 18 Ag-3%ln 65.4 A 19 Ag-0.1%Bi-0.01%In 66.2 A 20 Ag-0.1%Bi-0.05%In 65.1 A 21 Ag-0.1%Bi-3%In 63.1 A 22 Ag-0.1%Bi-5%In 60.9 A 23 Ag-0.1%Bi-7%In 58.6 B 24 Ag-3%Ga 65.2 A 25 Ag-0.1%Bi-0.01%Ga 66.0 A 26 Ag-0.1%Bi-0.05%Ga 64.9 A 27 Ag-0.1%Bi-3%Ga 62.9 A 28 Ag-0.1%Bi-5%Ga 60.4 A 29 Ag-0.1%Bi-7%Ga 57.8 B 30 Ag-3%Ge 64.7 A 31 Ag-0.1%Bi-0.01%Ge 65.8 A 32 Ag-0.1%Bi-0.05%Ge 64.8 A 33 Ag-0.1%Bi-3%Ge 62.8 A 34 Ag-0.1%Bi-5%Ge 60.2 A 35 Ag-0.1%Bi-7%Ge 57.6 B -63- (60)1325134 表3 3
樣品號 膜組成 透射比，％ 透射比的評估 36 Ag-3%A1 63.5 A 37 Ag-0.1°/〇Bi-0.01%Al 65.9 A 38 Ag-0.1%Bi-0.05%Al 65.0 A 39 Ag-0.1%Bi-3%Al 63.0 A 40 Ag-0.1%Bi-5%A) 60.5 A 41 Ag-0.1°/〇Bi-7%Al 57.9 B 42 Ag-3%Zn 64.0 A 43 Ag-0.1%Bi-0.01%Zn 66.0 A 44 Ag-0.1%Bi-0.05%Zn 65.1 A 45 Ag-0.1%Bi-3%Zn 63.1 A 46 Ag-0.1%Bi-5%Zn 60.7 A 47 Ag-0.1%Bi-7%Zn 58.2 B 48 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd 65.7 A 49 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y 65.6 A 50 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Cu 65.7 A 51 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Au 65.8 A 52 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Cu 65.6 A 53 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Au 65.7 A 54 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Cu 65.5 A 55 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Au 65.6 A -64- (61)1325134
表34 樣品號 膜組成 透射比，％ 透射比的評估 56 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd 65.8 A 57 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Y 65.7 A 58 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.5%Cu 65.8 A 59 Ag-0. l%Bi-2%Si-0.5%Au 65.9 A 60 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Cu 65.7 A 61 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Au 65.8 A 62 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Cu 65.6 A 63 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Au 65.7 A 64 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd 65.9 A 65 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y 65.8 A 66 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.5%Cu 65.9 A 67 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.5%Au 66.0 A 68 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Cu 65.8 A 69 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Au 65.9 A 70 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y-0.5%Cu 65.7 A 71 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y-0.5°/〇Au 65.8 A 72 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd 65.7 A 73 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y 65.6 A 74 Ag-0.1%Bi-2%Ga-0.5%Cu 65.7 A 75 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Au 65.8 A 76 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Cu 65.6 A 77 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Au 65.7 A 78 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Cu 65.5 A 79 Ag-0.1%Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5°/〇Au 65.6 A -65- (62)1325134
表35 樣品號 膜組成 透射比，％ 透射比的評估 80 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd 65.5 A 81 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y 65.4 A 82 Ag-0. l%Bi-2%Ge-0.5%Cu 65.5 A 83 Ag-0. l%Bi-2%Ge-0.5%Au 65.6 A 84 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Cu 65.4 A 85 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Au 65.5 A 86 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Cu 65.3 A 87 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Au 65.4 A 88 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd 65.6 A 89 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y 65.5 A 90 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.5%Cu 65.6 A 91 Ag-0.1%Bi-2%Al-0.5%Au 65.7 A 92 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Cu 65.5 A 93 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Au 65.6 A 94 Ag-0.1%Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Cu 65.4 A 95 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Au 65.5 A 96 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd 65.7 A 97 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y 65.6 A 98 Ag-0. l%Bi-2%Zn-0.5%Cu 65.7 A 99 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5%Au 65.8 A 100 Ag-0.1%Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Cu 65.6 A 101 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Au 65.7 A 102 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Cu 65.5 A 103 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Au 65.6 A -66- (63)1325134
表3 6 樣品號 膜組成 吸收性，％ 吸收性的評估 1 Ag 14.0 A 9 Ag-0.005%Bi 14.5 A 3 Ag-0.1%Bi 16.2 A 4 Ag-0.4%Bi 21.3 A 5 Ag-0.6%Bi 26.6 B 6 Ag-3%Sn 18.5 A 7 Ag-0.1%Bi-0.01%Sn 16.6 A 8 Ag-0.1%Bi-0.05%Sn 18.4 A 9 Ag-0.1%Bi-3%Sn 21.1 A 10 Ag-0.1%Bi-5%Sn 23.8 A 11 Ag-0.1%Bi-7%Sn 27.2 B 12 Ag-3%Si 18.0 A 13 Ag-0.1%Bi-0.01%Si 16.4 A 14 Ag-0.1%Bi-0.05%Si 18.4 A 15 Ag-0.1%Bi-3%Si 21.3 A 16 Ag-0.1%Bi-5%Si 23.7 A 17 Ag-0.1%Bi-7%Si 26.7 B -67 - (64)1325134
表37 樣品號 膜組成 吸收性，％ 吸收性的評估 18 Ag-3%In 19.0 A 19 Ag-0.1%Bi-0.01%In 16.5 A 20 Ag-0.1%Bi-0.05%In 18.5 A 21 Ag-0.1%Bi-3%In 21.2 A 22 Ag-0.1%Bi-5%In 24.0 A 23 Ag-0.1%Bi-7%In 27.2 B 24 Ag-3%Ga 19.1 A 25 Ag-0.1%Bi-0.01°/〇Ga 16.7 A 26 Ag-0.1%Bi-0.05%Ga 18.6 A 27 Ag-0.1%Bi-3%Ga 21.5 A 28 Ag-0.1%Bi-5%Ga 24.5 A 29 Ag-0.1%Bi-7%Ga 27.9 B 30 Ag-3%Ge 19.9 A 31 Ag-0.1%Bi-0.01%Ge 17.0 A 32 Ag-0.1%Bi-0.05%Ge 18.9 A 33 Ag-0.1%Bi-3%Ge 21.8 A 34 Ag-0.1%Bi-5%Ge 24.8 A 35 Ag-0.1%Bi-7%Ge 28.4 B -68- (65)1325134
表3 8 樣品號 膜組成 吸收性，％ 吸收性的評估 36 Ag-3%A1 20.7 A 37 Ag-0.1%Bi-0.01%Al 16.8 A 38 Ag-0.1%Bi-0.05%Al 18.6 A 39 Ag-0.1%Bi-3%Al 21.5 A 40 Ag-0.1%Bi-5%Al 24.3 A 41 Ag-0.1%Bi-7%Al 27.7 B 42 Ag-3%Zn 20.4 A 43 Ag-0.1%Bi-0.01%Zn 16.9 A 44 Ag-0.1%Bi-0.05%Zn 18.7 A 45 Ag-0.1%Bi-3%Zn 21.4 A 46 Ag-0.1%Bi-5%Zn 24.2 A 47 Ag-0.1%Bi-7%Zn 27.8 B 48 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd 18.9 A 49 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y 19.1 A 50 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Cu 18.9 A 51 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Au 18.7 A 52 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Cu 19.1 A 53 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Au 18.9 A 54 Ag-0.1%Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Cu 19.3 A 55 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Au 19.1 A -69- (66)1325134
表39 樣品號 膜組成 吸收性，％ 吸收性的評估 56 Ag-0. l%Bi-2%Si*0.4%Nd 18.7 A 57 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4% Y 18.9 A 58 Ag-0.1 %Bi-2°/〇Si-0.5%Cu 18.7 A 59 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.5%Au 18.5 A 60 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Cu 18.9 A 61 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Au 18.7 A 62 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Cu 19.1 A 63 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Au 18.9 A 64 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd 18.8 A 65 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y 19.0 A 66 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.5%Cu 18.8 A 67 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.5%Au 18.6 A 68 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Cu 19.0 A 69 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Au 18.8 A 70 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4°/〇 Y-0.5%Cu 19.2 A 71 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y-0.5%Au 19.0 A 72 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd 18.9 A 73 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y 19.1 A 74 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Cu 18.9 A 75 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Au 18.7 A 76 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Cu 19.1 A 77 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Au 18.9 A 78 Ag-0.1%Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Cu 19.3 A 79 Ag-0.1%Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Au 19.1 A -70- (67)1325134
表40 樣品號 膜組成 吸收性，％ 吸收性的評估 80 Ag-0. l%Bi-2%Ge-0.4%Nd 19.3 A 81 Ag-0. l%Bi-2%Ge-0.4%Y 19.5 A 82 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.5%Cu 19.3 A 83 Ag-0. l%Bi-2%Ge-0.5%Au 19.1 A 84 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Cu 19.5 A 85 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Au 19.3 A 86 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Cu 19.7 A 87 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Au 19.5 A 88 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd 19.1 A 89 Ag-0.1 %Bi-2%AI-0.4%Y 19.3 A 90 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.5°/〇Cu 19.1 A 91 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.5%Au 18.9 A 92 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Cu 19.3 A 93 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Au 19.1 A 94 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Cu 19.5 A 95 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Au 19.3 A 96 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd 19.0 A 97 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y 19.2 A 98 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5%Cu 19.0 A 99 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5%Au 18.8 A 100 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Cu 19.2 A 101 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Au 19.0 A 102 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Cu 19.4 A 103 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Au 19.2 A -71 - (68) 1325134 (9)熱傳導性的評估 經由下文所述的程序測量經沈積的薄膜（樣品號1至 1 03)的熱傳導性。亦即，熱傳導性測定如下：經由使用 HIOKI E.E. CORPORATION 製造的 3226γπΩ Hi TESTER 的
DC四探針技術，測量薄層電阻 Rs ;使用 TENCOR INSTRUMENTS製造的alpha-step 2 5 0測量膜厚度t ;經由 p=薄層電阻Rsx膜厚度t，來計算電阻率ρ (μΩ^η);然 後，由 Wiedemann-Franz定律κ = 2.51χ絕對溫度Τ/電阻率 Ρ，計算在絕對溫度 3 00Κ(約 27°C)的熱傳導性 K(W/m‘K)。熱傳導性的評估結果示於表41至45中。在 表41至45中，熱傳導性不低於160 W/ηνΚ的樣品，即 相應於不低於純Ag薄膜的熱傳導性3 20 W/m‘K之50%的 樣品，被視爲具有優異熱傳導性，且這種樣品被評估爲 "A"，而熱傳導性低於160 W/m，IC的樣品，被視爲不具有 優異熱傳導性，且這種樣品被評估爲"B "。由於具有高含 量的 Zn、Al、Ga、In、Si、Ge 或 Sn，Ag-0.6%Bi 薄膜（樣 品號 5)、Ag-0.1%Bi-7%Sn 薄膜（樣品號 11)、Ag-0.1%Bi- 7%Si薄膜（樣品號17)、Ag-0.1%Bi-7%In薄膜（樣品號 23)、Ag-0.1%Bi-7%Ga 薄膜（樣品號 2 9)、A g - 0 · 1 % B i-7%Ge薄膜（樣品號35)、Ag-0.1%Bi-7%Al薄膜（樣品號41) 和 Ag-0.1%Bi-7%Zn薄膜（樣品號47)沒有顯示高熱傳導 性。與之相比，Ag薄膜（樣品號1)、Ag-Bi薄膜（樣品號2 至4)、Ag-Sn薄膜（樣品號6)、Ag-Bi-Sn薄膜（樣品號7至 10)、Ag-Si薄膜（樣品號12)、Ag-Bi-Si薄膜（樣品號13至 -72- (69) (69)1325134 1 6)、Ag-In薄膜（樣品號1 8) ' Ag-Bi-In薄膜（樣品號1 9至 22)、Ag-Ga薄膜（樣品號24)、Ag-Bi-Ga薄膜（樣品號25 至2 8)、Ag-Ge薄膜（樣品號30) ' Ag-Bi-Ge薄膜（樣品號 31至34)、Ag-Al薄膜（樣品號36)、Ag-Bi-Al薄膜（樣品 號37至40)、Ag-Zn薄膜（樣品號42)和Ag-Bi-Zn薄膜（樣 品號43至46)，以及其中具有進一步加入之選自 Nd、 Y、Cu和Au中的至少一種元素的Ag合金薄膜（樣品號48 至1 〇 3 )，則顯示了高熱傳導性。
-73- (70)1325134
表4】 樣品號 膜組成 熱傳導性， W/(nvK) 熱傳導性的評估 1 Ag 320 A 2 Ag-0.005%Bi 307 A 3 Ag-0.1%Bi 222 A 4 Ag-0.4°/〇Bi 189 A 5 Ag-0.6°/〇Bi 155 B 6 Ag-3°/〇Sn 209 A 7 Ag-0.1%Bi-0.01%Sn 215 A 8 Ag-0.1%Bi-0.05%Sn 210 A 9 Ag-0.1%Bi-3%Sn 188 A 10 Ag-0.1°/〇Bi-5°/〇Sn 165 A 11 Ag-0.1%Bi-7%Sn 143 B 12 Ag-3%Si 214 A 13 Ag-0.1%Bi-0.01%Si 220 A 14 Ag-0.1%Bi-0.05%Si 216 A 15 Ag-0.1%Bi-3%Si 192 A 16 Ag-0.1°/〇Bi-5%Si 167 A 17 Ag-0.1%Bi-7%Si 142 B -74- (71)1325134
表42 樣品號 膜組成 熱傳導性， W/(m-K) 熱傳導性的評估 18 Ag-3%In 211 A 19 Ag-0.1%Bi-0.01%In 214 A 20 Ag-0.1%Bi-0.05%In 210 A 21 Ag-0.1%Bi-3%In 187 A 22 Ag-0.1%Bi-5%In 164 A 23 Ag-0.1%Bi-7%In 141 B 24 Ag-3%Ga 205 A 25 Ag-0.1%Bi-0.01%Ga 210 A 26 Ag-0.1%Bi-0.05%Ga 206 A 27 Ag-0.1%Bi-3%Ga 185 A 28 Ag-0.1%Bi-5%Ga 164 A 29 Ag-0.1%Bi-7%Ga 143 B 30 Ag-3%Ge 191 A 31 Ag-0.1%Bi-0.01%Ge 198 A 32 Ag-0.1%Bi-0.05%Ge 193 A 33 Ag-0.1%Bi-3%Ge 177 A 34 Ag-0.1%Bi-5%Ge 161 A 35 Ag-0.1%Bi-7%Ge 145 B -75- (72) 1325134 (72)
表4 3
樣品號 膜組成 熱傳導性， W/(m-K) 熱傳導性的評估 36 Ag-3%A1 200 A 37 Ag-0.1%Bi-0.01%Al 206 A 38 Ag-0.1%Bi-0.05%Al 202 A 39 Ag-0.1%Bi-3%Al 184 A 40 Ag-0.1%Bi-5%Al 165 A 41 Ag-0.1°/〇Bi-7%Al 146 B 42 Ag-3%Zn 203 A 43 Ag-0.1%Bi-0.01%Zn 208 A 44 Ag-0.1%Bi-0.05%Zn 205 A 45 Ag-0.1%Bi-3%Zn 184 A 46 Ag-0.1%Bi-5%Zn 163 A 47 Ag-0.1%Bi-7%Zn 142 B 48 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4°/〇Nd 183 A 49 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y 179 A 50 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Cu 190 A 51 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.5%Au 193 A 52 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Cu 174 A 53 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Nd-0.5%Au 178 A 54 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Cu 170 A 55 Ag-0.1 %Bi-2%Sn-0.4%Y-0.5%Au 174 A -76- (73)1325134
表44 樣品號 膜組成 熱傳導性， W/(nrK) 熱傳導性 的評估 56 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Nd 187 A 57 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Y 183 A 58 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.5%Cu 194 A 59 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.5%Au 198 A 60 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Cu 179 A 61 Ag-0.1%Bi-2%Si-0.4%Nd-0.5%Au 183 A 62 Ag-0.1 %Bi-2°/〇Si-0.4%Y-0.5%Cu 175 A 63 Ag-0.1 %Bi-2%Si-0.4%Y-0.5%Au 179 A 64 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd 182 A 65 Ag-0. l%Bi-2%In-0.4%Y 178 A 66 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.5%Cu 189 A 67 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.5%Au 192 A 68 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Cu 173 A 69 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Nd-0.5%Au 177 A 70 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y-0.5%Cu 169 A 71 Ag-0.1 %Bi-2%In-0.4%Y-0.5%Au 173 A 72 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd 180 A 73 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y 176 A 74 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Cu 187 A 75 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.5%Au 190 A 76 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Cu 171 A 77 Ag-0.1%Bi-2%Ga-0.4%Nd-0.5%Au 175 A 78 Ag-0.1%Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Cu 167 A 79 Ag-0.1 %Bi-2%Ga-0.4%Y-0.5%Au 171 A -77- (74)1325134
表45 熱傳導性， 熱傳導性 樣品號 膜組成 W/(m-K) 的評估 80 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd 172 A 81 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.4%Y 168 A 82 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.5%Cu 179 A 83 Ag-0. l%Bi-2%Ge-0.5%Au 183 A 84 Ag-0.1 %Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Cu 164 A 85 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.4%Nd-0.5%Au 168 A 86 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Cu 160 A 87 Ag-0.1%Bi-2%Ge-0.4%Y-0.5%Au 164 A 88 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4°/〇Nd 179 A 89 Ag-0. l%Bi-2%Al-0.4%Y 175 A 90 Ag-0. l%Bi-2%Al-0.5%Cu 186 A 91 Ag-0. l%Bi-2%Al-0.5%Au 190 A 92 Ag-0.1%Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Cu 171 A 93 Ag-0.1%Bi-2%Al-0.4%Nd-0.5%Au 175 A 94 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Cu 167 A 95 Ag-0.1 %Bi-2%Al-0.4%Y-0.5%Au 171 A 96 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd 179 A 97 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y 175 A 98 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5%Cu 186 A 99 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.5°/〇Au 190 A 100 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Cu 171 A 101 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Nd-0.5%Au 175 A 102 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4°/〇Y-0.5°/〇Cu 167 A 103 Ag-0.1 %Bi-2%Zn-0.4%Y-0.5%Au 171 A -78-

Claims (1)

1325134 ㈤丨月if日修疋氺j 十、申請專利範圍 第94 1 1 1 252號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國98年11月25曰修正 1. 一種包含A g基合金的光學資訊記錄媒體用半反 射膜，其中該Ag基合金包含0.005至0.40%(原子％，除 非另有指明）的Bi和總量爲〇.〇5至5%的選自Zn、A1、 • ba、In、Si、Ge和Sn中的至少一種元素。 2. 如申請專利範圍第1項之包含Ag基合金的光學 資訊記錄媒體用半反射膜，其中該半反射膜具有其中在頂 部和/或底部介面富含Bi的膜結構。 3·如申請專利範圍第1項之包含Ag基合金的光學 資訊記錄媒體用半反射膜，其中該半反射膜具有其中在頂 部和/或底部介面富含選自2!1、八1、〇3、111、8丨、〇6和 Sn中的至少一種元素的結構。 Φ 4.如申請專利範圍第1項之包含Ag基合金的光學 資訊記錄媒體用半反射膜，其中該Ag基合金還包含至少 一種稀土金屬元素。 5. 如申請專利範圍第4項之包含Ag基合金的光學 資訊記錄媒體用半反射膜’其中該稀土金屬元素是Nd和/ 或Y，總含量爲0.1至2%。 6. 如申請專利範圍第1項之包含Ag基合金的光學 資訊記錄媒體用半反射膜’其中該Ag基合金還包含選自 Cu、Au、Rh、Pd和Pt中的至少—種元素，總含量爲〇1 1325134 至3 % 〇 7. —種包含Ag基合金的光學資訊記錄媒體用反射 膜，其中該Ag基合金包含0.005至0.4〇%(原子％，除非 另有指明）的以和總量爲0.05至5%的選自211、八1、〇&、 In、Si、Ge和Sn中的至少一種元素。 8. 如申請專利範圍第7項之包含Ag基合金的光學 資訊記錄媒體用反射膜，其中該反射膜具有其中在頂部和 /或底部介面富含Bi的膜結構。 9. 如申請專利範圍第7項之包含Ag基合金的光學 資訊記錄媒體用反射膜，其中該反射膜具有其中在頂部和 /或底部介面富含選自211、八1、〇3、111、3丨、〇6和811中 的至少一種元素的結構。 10_如申請專利範圍第7項之包含Ag基合金的光學 資訊記錄媒體用反射膜，其中該Ag基合金還包含至少一 種稀土金屬元素。 11. 如申請專利範圍第10項之包含Ag基合金的光 學資訊記錄媒體用反射膜，其中該稀土金屬元素是Nd和/ 或Y，總含量爲0.1至2 %。 12. 如申請專利範圍第7項之包含Ag基合金的光學 資訊記錄媒體用反射膜，其中該Ag基合金還包含選自 Cu、Au、Rh、Pd和Pt中的至少一種元素，總含量爲〇.1 至3%。 1 3 · —種光學資訊記錄媒體，其具有申請專利範圍第 1項之包含Ag基合金的半反射膜。 -2- 1325134 14. 一種光學資訊記錄媒體，其具有申請專利範 7項之包含Ag基合金的反射膜。 15. —種Ag基合金濺射靶，其中該Ag基合金 0.05至4.5 %的Bi，和總量爲0.05至5 %之選自Zn、 Ga、In、Si ' Ge和Sn中的至少一種元素。 16. 如申請專利範圍第15項之 Ag基合金濺射 其中該Ag基合金還包含至少一種稀土金屬元素。 17. 如申請專利範圍第16項之Ag基合金濺射 其中該稀土金屬元素是Nd和/或 Y，總含量爲0. 2%。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之Ag基合金濺射 其中該Ag基合金還包含選自Cu、Au、Rh、Pd和Pt 至少一種元素，總含量爲〇. 1至3 %。 圍第 包含 A1、 靶， 靶， 1至 IG， 中的
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