CN1331138C - 半反射膜或反射膜，光学信息记录介质和溅射靶材 - Google Patents
半反射膜或反射膜，光学信息记录介质和溅射靶材 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1331138C CN1331138C CNB2005100666653A CN200510066665A CN1331138C CN 1331138 C CN1331138 C CN 1331138C CN B2005100666653 A CNB2005100666653 A CN B2005100666653A CN 200510066665 A CN200510066665 A CN 200510066665A CN 1331138 C CN1331138 C CN 1331138C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- sample number
- diffusion
- infiltration
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/259—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on silver
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
考虑到这种情况，完成了本发明，且本发明的一个目的是发现显示通过纯Ag或通过常规Ag合金没有实现的水平的高耐内聚性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸光率，和高热传导率的Ag基合金，和在这种合金的基础上，提供一种具有优异写/读性能和长期使用可靠性的光学信息记录介质用半反射膜和反射膜；在沉积这种半反射膜和反射膜中使用的光学信息记录介质用溅射靶材；和一种配备有这种半反膜或反射膜的光学信息记录介质。光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其包含Ag基合金，其中Ag基合金包含0.005至0.40%(原子%，除非另外注明)的Bi和总量为0.05至5%的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。
Description
技术领域
本发明涉及一种在光学信息记录介质领域例如CD(光盘)、DVD(Digital Versatile Disc)、Blu-ray Disc和HD DVD中的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其具有高耐内聚性、高抗光性和高耐热性，同时具有高反射率、高透射率、低吸光率和高热传导率；用于沉积这种半反射膜或反射膜的光学信息记录介质用溅射靶材；和配备有这种半反射膜或反射膜的光学信息记录介质。
背景技术
光学信息记录介质(光盘)包括各种类型，和通过写/读系统分类的三种主要类型是只读、一次写入和可再写光盘。为了提高存储容量，已经从普通单面、单层光盘开发出单面、多层光盘。例如，在单面双层光盘的情况下，其中在更远离激光束入射面的记录层中写入和读出信号，激光束应当通过记录层传输，其更靠近激光束入射，通过更远的记录层反射，再通过靠近光束入射的记录层传输。因此，可以反射和传输激光束的半反射膜被用于更靠近激光束入射的记录层。
起半反射膜作用的材料包括金属如Ag、Al、Au、Pt、Rh和Cr，和元素半导体如Si和Ge。在这些当中，从(1)高光效率(＝反射率+透射率)，(2)对在Blu-线盘和HD DVD中使用的蓝-紫色激光的高反射率(波长，405mm)，和(3)高热传导率，其可以在记录膜中由记录信号产生的热进行充分扩散考虑，以纯Ag和包含Ag的Ag合金作为它们的主要元件为特征。这种Ag基材料显示作为光盘的半反射膜使用的优异性能，包括高反射率、高透射率、低吸光率(吸光率＝100％-(反射率+透射率))和高热传导率。但是，为了实现作为具有长期使用可靠性的光盘半反射膜的充足功能，Ag基材料需要克服Ag基材料的缺陷，即，(1)耐内聚性，(2)耐光性，和(3)耐热性。
[缺点1]耐内聚性
Ag基材料在热和卤素(氟、氯、溴、碘等)下可以进行内聚。当它保持在光盘可靠性实验中使用的高温、高湿度条件下，或被安置与(有机染料记录膜、保护层或粘合剂层的)含卤素有机物质接触时，内聚可以发生，导致薄膜表面粗糙度提高或薄膜连续性的丧失，其可以反过来引起作为半反射膜或反射膜的材料的功能损失。
[缺点2]耐光性
例如，单面、双层，只读的光盘具有聚碳酸酯(PC)衬底/半反射膜/粘合剂层/反射膜/PC衬底的基本横截面结构。当这种光盘通过在所谓“耐光性试验”中的Xe灯(具有类似于日光的光谱的灯)辐照时，当该膜包含Ag基材料时，半反射膜经受反射率的降低，且在这种情况下，一旦反射率降低到对于检测所读入的信号所需要的阈值之下，信号的读入变得不可能。
[缺点3]耐热性
例如，单面、双层、一次写入的光盘具有PC衬底/记录膜/半反射膜/隔离片/记录膜/反射膜/PC衬底的基本横截面结构，且单面、双层、可再写性光盘具有PC衬底/介电和保护层/界面层/记录膜/界面层/介电和保护层/半反射膜/中间层/介电和保护层/界面层/记录膜/界面层/介电和保护层/反射膜/PC衬底的基本横截面结构。在包括这种一次写入和可再写光盘的可记录光盘情况下，在写入期间记录层被加热至高达300至600℃的温度，对半反射膜或反射膜施加了非常严酷的热滞后。作为这种热滞后的结果所导致的薄膜晶粒的生长和薄膜连续性的丧失削弱了半反射膜和反射膜的功能。
为了改善纯Ag已经进行了各种尝试，主要是通过使Ag合金化。通过下面的方法来改善耐腐蚀性：例如，在USP 6007889等中向Ag中加入Au、Pd、Cu、Rh、Ru、Os、Ir或Pt；在USP 6280811、专利申请2002-518596的PCT国际出版物所公布的日文译文等中，向Ag中加入Au、Pd、Cu、Rh、Ru、Os、Ir、Be或Pt；和在USP 5948497、日本专利申请公开Heisei6-208732等，向Ag中加入Pd或Au。本发明的发明人在日本专利3365762中公开了一种通过向Ag中加入Nd改善晶体结构稳定性的方法，其中通过抑制Ag扩散和晶粒发展，来获得晶体结构稳定性。
虽然这些努力，但是还没有发现显示高反射率、高透射率、低吸光率，和高热传导率，同时具有高耐内聚性、高耐光性和高耐热性的Ag基合金，因此，产生了对达到所有这些性能要求的Ag基合金的强烈需要。
发明内容
发明概述
考虑到这种情况，完成了本发明，且本发明的一个目的是发现显示通过纯Ag或通过常规Ag合金没有实现的水平的高耐内聚性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸光率，和高热传导率的Ag基合金，和在这种合金的基础上，提供一种具有优异写/读性能和长期使用可靠性的光学信息记录介质用半反射膜和反射膜；在沉积这种半反射膜和反射膜中使用的光学信息记录介质用溅射靶材；和一种配备有这种半反膜或反射膜的光学信息记录介质。
本发明的第一方面在于一种包含Ag基合金的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其中Ag基合金包含0.005至0.40％(原子％，除非另外注明)的Bi和总量为0.05至5％的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。
本发明的第二方面在于第一方面的包含Ag基合金的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其中半反射膜或反射膜具有其中在顶部和/或底部界面Bi富有的膜结构。
本发明的第三方面在于第一方面或第二方面的包含Ag基合金的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其中半反射膜或反射膜具有其中在顶部和/或底部界面选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素富有的结构。
本发明的第四方面在于第一方面至第三方面的任何一个方面的包含Ag基合金的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其中Ag基合金还包含至少一种稀土金属元素。
本发明的第五方面在于第四方面的包含Ag基合金的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其中稀土金属元素是Nd和/或Y，总量为0.1至2％的。
本发明的第六方面在于第一方面至第五方面的任何一个方面的包含Ag基合金的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其中Ag基合金还包含选自Cu、Au、Rh、Pd、Pt中的至少一种元素，总量为0.1至3％。
本发明的第七方面在于一种具有第一方面至第六方面任何一个方面的包含Ag基合金的半反射膜的光学信息记录介质。
本发明的第八方面在于在于一种具有第一方面至第六方面任何一个方面的包含Ag基合金的反射膜的光学信息记录介质。
本发明的第九方面在于一种Ag基合金溅射靶材，其中Ag基合金包含0.05至4.5％的Bi，和总量为0.05至5％的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。
本发明的第十方面在于第九方面的Ag基合金溅射靶材，其中Ag基合金还包含至少一种稀土金属元素。
本发明的第十一方面在于第十方面的Ag基合金溅射靶材，其中稀土金属元素是Nd和/或Y，总量为0.1至2％。
本发明的第十二方面在于第九方面至第十一方面任何一个方面的Ag基合金溅射靶材，其中Ag基合金还包含选自Cu、Au、Rh、Pd和Pt中的至少一种元素，总量为0.1至3％。
如上所述，本发明的光学信息记录介质用半反射膜和反射膜具有高耐内聚性、高耐光性和高耐热性，同时具有高反射率、高透射率、低吸光率，和高热传导率，且所制备的光学信息记录介质将具有显著改善的写/读性能和优异的长期使用可靠性。本发明的溅射靶材很好地适应用于沉积上述的半反射膜或反射膜，通过使用这种溅射靶材而制备的半反射膜和反射膜在合金组成、成合金元素的分布和膜平面方向的均匀性方面是优异的，且这种膜还具有低杂质含量，因此，所得到的半反射膜或反射膜具有高性能，由此可以生产具有优异的写/读性能和优异的长期使用可靠性的光学信息记录介质。此外，本发明的光学信息记录介质将具有显著改善的写/读性能和长期使用可靠性。
优选实施方案详述
考虑到如上所述的情况，本发明的发明人进行了深入细致的研究，以提供包含Ag基合金的半反射膜和反射膜，其适应于在光学信息记录介质中使用，和其显示具有高耐内聚性、高耐光性和高耐热性，同时具有高反射率、高透射率、低吸光率和高热传导率。更具体而言，本发明人通过溅射各种Ag基合金溅射靶材沉积各种合金组合物的Ag基合金薄膜，和评估这些膜的它们的膜组成、膜结构、耐内聚性、耐光性、耐热性、反射率、透射率、吸光率和热传导率。然后，本发明人发现，包含0.005至0.40％的Bi和总量为0.05至5％的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素的光学信息记录介质用Ag基合金半反射膜和反射膜，具有优异的耐内聚性、耐光性和耐热性，同时具有高反射率、高透射率、低吸光率，和高热传导率，其超过由纯Ag或传统Ag合金制成的膜的那些性能，因为得到的膜具有其中这些成合金元素集中在顶部和/或底部界面的结构。本发明基于这种发现而得以完成。以下更详细地描述本发现。
本发明的发明人已经证实包含Bi和选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素的Ag基合金薄膜具有这样一种膜结构，其中成合金元素集中在顶部和/或底部界面，因为在薄膜沉积期间，这些成合金元素扩散到顶部和/或底部界面。成合金元素在顶部和/或底部界面的这种集中被认为是由于所有Bi、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn在Ag中的高扩散率引起的，其很可能导致与Ag离析。在这些元素中，Bi具有低熔点和高蒸汽压，因此，Bi显示了从热活化膜表面的再蒸发性质，和通过热活化扩散到顶部和/或底部界面。这种性质的Bi促进至顶部和/或底部界面的扩散，这是Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn的固有性质，和由于Bi与Zn、Al、Ga、In、Si、Ge或Sn的组合相加的效果，独特膜结构的形成变得突出。还揭示出这种效果是组合相加的效果，当Si与其它成合金元素结合时，达不到这种效果。上述的Ag基材料的缺点，即耐内聚性、耐光性和耐热性通过这种独特膜结构的形成而得到了改善。通过下面描述的机理实现这种改善。
[缺点1]耐内聚性
由于热导致的Ag基材料的内聚是Ag在高温下在表面上扩散的结果，由于膜的顶部和/或底部界面的成合金元素富有层作为本发明中的Ag基合金膜的存在，抑制了表面上的这种Ag的扩散，因此改善了耐内聚性。另一方面，由于卤素(氟、氯、溴、碘等)导致的内聚在卤素存在的环境中产生，和由于在顶部和/或底部界面上卤素吸收、卤化银的产生和从卤化银产生开始的Ag内聚的相继步骤，内聚出现，通过成合金元素富有层，妨碍在顶部和/或底部界面上卤素的吸收，这抑制了卤化银和Ag内聚的相继产生，可以改善耐内聚性。
[缺点2]耐光性
对于通过Xe灯(具有类似日光的光谱的灯)辐照的光反射率的降低，其例如发生在下面的情况：只有当半反射膜包含Ag基材料时，在单面、双层、只读光盘中，所述的光盘具有PC衬底/半反射膜/粘合剂层/反射膜/PC衬底的基本横截面结构，是一种由由Ag原子构成的Ag基半反射膜扩散和渗透进入临近的PC衬底和/或粘合剂层引起的现象。当Ag基半反射膜和PC或粘合剂层衬底之间的直接接触如具有成合金元素富有层的本发明Ag基合金薄膜在顶部和/或底部界面上的情况一样，抑制了Ag原子的扩散和渗透，即使由Xe灯辐照光盘时，也不会出现反射率的下降。因此改善了耐光性。
[缺点3]耐热性
即使对于单面、多层可记录(一次写入或可再写)光盘的半反射膜，由于在信号记录期间温度升高到300至600℃，其经历了非常严重的热滞后，也可以改善耐热性。即，当膜在顶部和/或底部界面上具有成合金元素富有层，与本发明的Ag基合金薄膜一样，由于这种成合金元素富有层的存在抑制了Ag扩散，且抑制了晶粒的生长和膜不连续性的形成，因此改善了耐热性。
本发明的Ag基合金薄膜层在膜的顶部和/或底部界面具有成合金元素富有层，膜的基本部分包含具有类似于具有相当低的成合金元素含量的纯Ag的组成的膜结构，且因为对光性能和热性能起作用的部分具有与纯Ag类似的组成，因而该膜具有高反射率、高透射率、低吸光率和高热传导率。
本发明的Ag基合金薄膜具有独特的膜结构，且在膜的顶部和/或底部界面的成合金元素富有层对高耐内聚性、高耐光性和高耐热性的发展起作用，同时包含几乎如纯Ag的组合物的部分对高反射率、高透射率、低吸光率和高热传导率的发展起作用，这得到优异性能的光学信息记录介质的半反射和反射膜。
本发明的光学信息记录介质用Ag基合金半反射和反射膜具有如下特征：它们包含含量为0.005至0.40％的Si，和总量为0.05至5％的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。Bi、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn的加入导致耐内聚性、耐光性和耐热性的改善，这种改善随着加入量的增加变得清楚，而随着这种加入量的提高，发生反射率、透射率和热传导率的下降，以及吸光率的提高。因此，在本发明中，加入的Bi含量为0.005至0.40％，和选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素的加入总量为0.05至5％。Bi含量低于0.005％是不优选的，因为膜没有显示高耐内聚性、高耐光性和高耐热性，但是Bi含量超过0.40％也是不优选的，因为得到的膜没有显示高反射率、高透射率、低吸光率和高热传导率。因此，优选Bi的含量为0.005至0.40％，更优选含量为0.01至0.3％，且最优选含量为0.05至0.2％。另一方面，选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素的加入总量低于0.05％是不优选的，因为得到的膜没有显示高耐内聚性、高耐光性和高耐热性，但是，选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素的加入总量超过5％也是不优选的，因为因为得到的膜没有显示高耐内聚性、高耐光性和高耐热性。因此，选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素的加入总量优选为0.05至5％，更优选总量为0.1至4％，且最优选总量为0.2至3％。
还有效的是向本发明的光学信息记录介质用Ag基合金中加入稀土金属元素，特别是Nd和/或Y，以改善耐内聚性和耐热性。但是，当这种稀土元素，特别是Nd和/或Y的加入总量低于0.1％时，没有达到对耐内聚性和耐热性的进一步改善。另一方面，这种元素的加入量超过2％没有得到高反射率、高透射率、低吸光率和高热传导率。因此，这些元素的加入总量为0.1至2％，优选为0.2至1％，且最优选为0.3至0.5％。
此外有效的是向本发明的光学信息记录介质用Ag基合金中加入选自Cu、Au、Rh、Pd和Pt中的至少一种元素，以改善耐腐蚀性。但是，选自Cu、Au、Rh、Pd和Pt中的至少一种元素的加入总量低于0.1％时，没有达到对耐腐蚀性和耐热性的进一步改善。另一方面，这种元素的加入量超过3％没有得到高反射率、高透射率、低吸光率和高热传导率。因此，这些元素的加入总量为0.1至3％，优选为0.2至2％，最优选为0.3至1％。
应当注意的是本发明的光学信息记录介质用Ag基合金半反射膜是单面、多层光盘中的薄膜，其起到传输和反射在除了设置在离光束入射最远的记录层外的记录层激光束的作用，这种膜可以具有的透射率为约45至80％和反射率为5至30％。厚度可以被任何充分确定，以便透射率和反射率在预定的范围内。但是，通常，Ag基合金半反射膜可以具有的膜厚度为5至25nm。
应当注意的是本发明的光学信息记录介质用Ag基合金反射膜是单面、单层光盘中的反射膜，或单面、多层光盘中的反射膜，其离光束入射面最远，这种膜可以具有的反射率超过约50％和透射率基本上为0％。厚度可以被任何充分确定，以便透射率和反射率在预定的范围内。但是，通常，Ag基合金反射膜可以具有的膜厚度为50至250nm。
本发明的光学信息记录介质用Ag基合金半反射膜和反射膜通过下面方法制备：通过各种薄膜沉积技术例如真空沉积、离子电镀法和溅射在衬底上沉积如上所述的Ag基合金，且推荐的是通过使用用于膜沉积的溅射而制备的那些。与通过其它薄膜沉积技术形成的膜相比，通过溅射形成的Ag基合金半反射膜和反射膜在合金组成、成合金元素的分布、膜平面中的膜厚度的均匀性方面是优良的，因此，作为半反射膜和反射膜的性能(包括高反射率、高透射率、低吸光率、高热传导率、高耐内聚性、高耐光性和高耐热性)方面是优良的，所述的这些性能可以制备具有优异写入/读出性能和长期使用可靠性的光学信息记录介质。
在溅射中，具有理想合金组成的反射膜可以通过使用包含含0.05至4.5％的Bi和总量为0.05至5％的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素的Ag基合金的溅射靶材(以下，简称为“靶材”)来沉积。
在靶材中的Bi含量高于反射膜中的Bi含量，因为在通过使用包含含Bi的Ag基合金的靶材溅射而沉积反射层的过程中，在反射膜中得到的Bi量减少至靶材中存在的Bi的百分比几十。估计这种减少是由下面原因造成的：由于在Ag和Bi之间的熔点存在实质差异，在膜沉积过程中Bi从膜表面再蒸发；由于Ag比Bi的溅射速率高，溅射Bi困难；和由于Bi比Ag的反应性高，在靶材表面上只有Bi氧化。反射膜的Bi含量比靶材实质减少是一种在其它Ag基合金例如Ag-稀土金属合金中还没有发现的现象。因此，与沉积的反射层中Bi含量相比，应当提高在靶材中的Bi含量。
当向反射膜中再加入稀土金属元素，特别是Nd和/或Y时，或当向反射膜中再加入选自Cu、Au、Rh、Pd和Pt中的至少一种元素时，可以将这些元素加入到靶材中。可以加入的稀土金属元素，特别是Nd和/或Y的总量为0.1至2％，优选为0.2至1％，且更优选为0.3至0.5％。可以加入的选自Cu、Au、Rh、Pd和Pt中的至少一种元素的总量为0.1至3％，优选为0.2至2％，更优选为0.3至1％。
本发明的Ag基合金溅射靶材可以通过包括熔体浇铸、粉末烧结和喷雾沉积的任何方法来制备，且在这些当中，优选的是通过真空熔体浇铸而制备的那些，因为通过真空熔体浇铸制备的Ag基合金溅射靶材包含较少的氮、氧和其它杂质，和通过使用这种溅射靶材而制备的半反射膜和反射膜充分地具有优异的性能(高反射率、高透射率、低吸光率、高热传导率、高耐内聚性、高耐光性和高耐热性)，能够制备具有优异的写入/读出性能和长期使用可靠性的光学信息记录介质。
对于作为光学信息记录介质的本发明的光学信息记录介质而言，对其构造没有特别限制，只要它具有本发明的Ag基合金半反射膜或Ag基合金反射膜即可，且可以采用任何本光学信息记录介质领域中已知的构造。例如，包含如上所述的Ag基合金的半反射膜或反射膜具有高反射率、高透射率、低吸光率、高热传导率、高耐内聚性、高耐光性和高耐热性，因此，这些膜很好地适宜用于当前只读、一次写入和可再写入的光学信息记录介质以及下一代、高存储容量的光学信息记录介质。
具体实施方式
实施例
本发明通过参考下面的实验实施例进一步详细描述，这些实施例不限制本发明的范围。在没有背离本发明范围的条件下对这些实施例的任何修改都是在本发明的技术范围内。
(1)薄膜的沉积
通过使用纯Ag溅射靶材(其尺寸为：直径为101.6mm和厚度为5mm)，包含纯Ag溅射靶材和在纯Ag溅射靶材上沉积的预定数量的成合金元素(Bi、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn)碎片(其尺寸为：5mm×5mm×1mm厚)的复合溅射靶材(其尺寸为：直径为101.6mm和厚度为5mm)，或Ag合金溅射靶材(其尺寸为：直径为101.6mm和厚度为5mm)，在由Shimadzu Corporation制备的溅射装置HSM-552中，通过DC磁电管溅射(底压，0.27×10-3Pa或以下，Ar气压力，0.27Pa；Ar气流速，30sccm；溅射功率，DC 200W；靶材-衬底距离，52mm；衬底温度，室温)，在聚碳酸酯衬底(其尺寸为：直径50mm和厚度为1.0mm)上沉积薄膜，至膜厚度为15nm(半反射膜)或100nm(反射膜)。形成的薄膜是以下的膜：Ag(样品号1)，Ag-Bi(样品号2至5)，Ag-Sn(样品号6)，Ag-Bi-Sn(样品号7至11)，Ag-Si(样品号12)，Ag-Bi-Si(样品号13至17)，Ag-In(样品号18)，Ag-Bi-In(样品号19至23)，Ag-Ga(样品号24)，Ag-Bi-Ga(样品号25至29)，Ag-Ge(样品号30)，Ag-Bi-Ge(样品号31至35)，Ag-Al(样品号36)，Ag-Bi-Al(样品号37至41)，Ag-Zn(样品号42)，Ag-Bi-Zn(样品号43至47)，Ag-Bi-Sn-Nd(样品号48)，Ag-Bi-Sn-Y(样品号49)，Ag-Bi-Sn-Cu(样品号50)，Ag-Si-Sn-Au(样品号51)，Ag-Bi-Sn-Nd-Cu(样品号52)，Ag-Bi-Sn-Nd-Au(样品号53)，Ag-Bi-Sn-Y-Cu(样品号54)，Ag-Bi-Sn-Y-Au(样品号55)，Ag-Bi-Si-Nd(样品号56)，Ag-Bi-Si-Y(样品号57)，Ag-Bi-Si-Cu(样品号58)，Ag-Bi-Si-Au(样品号59)，Ag-Bi-Si-Nd-Cu(样品号60)，Ag-Bi-Si-Nd-Au(样品号61)，Ag-Bi-Si-Y-Cu(样品号62)，Ag-Bi-Si-Y-Au(样品号63)，Ag-Bi-In-Nd(样品号64)，Ag-Bi-In-Y(样品号65)，Ag-Bi-In-Cu(样品号66)，Ag-Bi-In-Au(样品号67)，Ag-Bi-In-Nd-Cu(样品号68)，Ag-Bi-In-Nd-Au(样品号69)，Ag-Bi-In-Y-Cu(样品号70)，Ag-Bi-In-Y-Au(样品号71)，Ag-Bi-Ga-Nd(样品号72)，Ag-Bi-Ga-Y(样品号73)，Ag-Bi-Ga-Cu(样品号74)，Ag-Bi-Ga-Au(样品号75)，Ag-Bi-Ga-Nd-Cu(样品号76)，Ag-Bi-Ga-Nd-Au(样品号77)，Ag-Bi-Ga-Y-Cu(样品号78)，Ag-Bi-Ga-Y-Au(样品号79)，Ag-Bi-Ge-Nd(样品号80)，Ag-Bi-Ge-Y(样品号81)，Ag-Bi-Ge-Cu(样品号82)，Ag-Bi-Ge-Au(样品号83)，Ag-Bi-Ge-Nd-Cu(样品号84)，Ag-Bi-Ge-Nd-Au(样品号85)，Ag-Bi-Ge-Y-Cu(样品号86)，Ag-Bi-Ge-Y-Au(样品号87)，Ag-Bi-Al-Nd(样品号88)，Ag-Bi-Al-Y(样品号89)，Ag-Bi-Al-Cu(样品号90)，Ag-Bi-Al-Au(样品号91)，Ag-Bi-Al-Nd-Cu(样品号92)，Ag-Bi-Al-Nd-Au(样品号93)，Ag-Bi-Al-Y-Cu(样品号94)，Ag-Bi-Al-Y-Au(样品号95)，Ag-Bi-Zn-Nd(样品号96)，Ag-Bi-Zn-Y(样品号97)，Ag-Bi-Zn-Cu(样品号98)，Ag-Bi-Zn-Au(样品号99)，和Ag-Bi-Zn-Nd-Cu(样品号100)，Ag-Bi-Zn-Nd-Au(样品号101)，Ag-Bi-Zn-Y-Cu(样品号102)，Ag-Bi-Zn-Y-Au(样品号103)。
(2)膜组成分析
在因此沉积的薄膜中，通过感应耦合等离子体(ICP)质谱分析仪，分析Ag合金薄膜(样品号2至103)的膜组成。更具体而言，分析是通过下面的方法进行的：在酸性溶液(硝酸∶纯水＝1∶1)中溶解分析物Ag合金薄膜，通过200℃的电热板加热酸性溶液，在证实所有的分析物样品溶解在酸性溶液中后，冷却溶液至室温，且通过使用由Seiko Instrument Inc.制备的ICP质谱分析仪SPQ-8000测量在Ag合金薄膜中成合金元素的量。样品的膜组成(分析结果)以及膜结构分析和如下所述的各种性能评估的结果示于表1至45中。
(3)膜结构的分析
通过卢瑟福背散射谱法(PBS)，分析因此沉积的薄膜(样品号1至103)的膜结构。更具体而言，在包括下面的条件下测量PBS光谱：射束能量2300keV，离子类型He+，散射角170度，样品的电流30nA，和光束辐照40μC，且拟合测量的光谱和模拟的光谱，以评估在顶部表面和/或底部界面处成合金元素富有层的存在和厚度。膜结构分析的结果示于表1至5中。在表1至5中，具有厚度为5埃或以上的成合金元素富有层的样品被表示为“A”，具有厚度低于5埃的成合金元素富有层的样品被表示为“B”，且具有成合金元素富有层的成合金元素富有层样品被表示为“C”。在Ag薄膜(样品号1)中没有发现成合金元素富有层。相反，在下面的膜中发现厚度低于5埃的成合金元素富有层：Ag-Bi薄膜(样品号2至5)，Ag-Sn薄膜(样品号6)，Ag-Si薄膜(样品号12)，Ag-In薄膜(样品号18)，Ag-Ga薄膜(样品号24)，Ag-Ge薄膜(样品号30)，Ag-Al薄膜(样品号36)，和Ag-Zn薄膜(样品号42)。在下面的膜中发现厚度为5埃或以上的成合金元素富有层：具有与选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素一起加入Bi的Ag-Bi-(Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn)薄膜(样品号7至11，13至17，19至23，25至29，31至35，37至41，和43至47)，和还具有向其中加入的选自Nd、Y、Cu和Au中的至少一种元素的Ag合金薄膜(样品号48至103)，表明对在膜形成的组合相加的效果。加入Rh、Pd和Pt的效果与Cu和Au的加入效果相等。
表1
| 样品号 | 膜组成 | 成合金元素富有层的厚度，埃 | 膜结构 |
| 1 | Ag | 无成合金元素富有层 | C |
| 2 | Ag-0.005％Bi | 13 | B |
| 3 | Ag-0.1％Bi | 1.7 | B |
| 4 | Ag-0.4％Bi | 2.8 | B |
| 5 | Ag-0.6％Bi | 3.6 | B |
| 6 | Ag-3％Sn | 1.4 | B |
| 7 | Ag-0.1％Bi-0.01％Sn | 5.4 | A |
| 8 | Ag-0.1％Bi-0.05％Sn | 5.5 | A |
| 9 | Ag-0.1％Bi-3％Sn | 6.4 | A |
| 10 | Ag-0.1％Bi-5％Sn | 6.7 | A |
| 1 1 | Ag-0.1％Bi-7％Sn | 7.1 | A |
| 12 | Ag-3％Si | 1.6 | B |
| 13 | Ag-0.1％Bi-0.01％Si | 5.6 | A |
| 14 | Ag-0.1％Bi-0.05％Si | 5.7 | A |
| 15 | Ag-0.1％Bi-3％Si | 8.1 | A |
| 16 | Ag-0.1％Bi-5％Si | 8.4 | A |
| 17 | Ag-0.1％Bi-7％Si | 8.8 | A |
表2
| 样品号 | 膜组成 | 成合金元素富有层的厚度，埃 | 膜结构 |
| 18 | Ag-3％In | 1.4 | B |
| 19 | Ag-0.1％Bi-0.01％In | 5.5 | A |
| 20 | Ag-0.1％Bi-0.05％In | 5.6 | A |
| 21 | Ag-0.1％Bi-3％In | 7.1 | A |
| 22 | Ag-0.1％Bi-5％In | 7.4 | A |
| 23 | Ag-0.1％Bi-7％In | 7.8 | A |
| 24 | Ag-3％Ga | 1.3 | B |
| 25 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ga | 5.5 | A |
| 26 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ga | 5.6 | A |
| 27 | Ag-0.1％Bi-3％Ga | 6.0 | A |
| 28 | Ag-0.1％Bi-5％Ga | 6.3 | A |
| 29 | Ag-0.1％Bi-7％Ga | 6.7 | A |
| 30 | Ag-3％Ge | 1.3 | B |
| 31 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ge | 5.3 | A |
| 32 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ge | 5.4 | A |
| 33 | Ag-0.1％Bi-3％Ge | 5.6 | A |
| 34 | Ag-0.1％Bi-5％Ge | 5.9 | A |
| 35 | Ag-0.1％Bi-7％Ge | 6.3 | A |
表3
| 样品号 | 膜组成 | 成合金元素富有层的厚度，埃 | 膜结构 |
| 36 | Ag-3％Al | 1.2 | B |
| 37 | Ag-0.1％Bi-0.01％Al | 5.3 | A |
| 38 | Ag-0.1％Bi-0.05％Al | 5.4 | A |
| 39 | Ag-0.1％Bi-3％Al | 5.6 | A |
| 40 | Ag-0.1％Bi-5％Al | 5.9 | A |
| 41 | Ag-0.1％Bi-7％Al | 6.3 | A |
| 42 | Ag-3％Zn | 1.2 | B |
| 43 | Ag-0.1％Bi-0.01％Zn | 5.2 | A |
| 44 | Ag-0.1％Bi-0.05％Zn | 5.3 | A |
| 45 | Ag-0.1％Bi-3％Zn | 5.5 | A |
| 46 | Ag-0.1％Bi-5％Zn | 5.8 | A |
| 47 | Ag-0.1％Bi-7％Zn | 6.2 | A |
| 48 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd | 6.3 | A |
| 49 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y | 6.2 | A |
| 50 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Cu | 6.3 | A |
| 51 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Au | 6.1 | A |
| 52 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Cu | 6.4 | A |
| 53 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Au | 6.3 | A |
| 54 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Cu | 6.3 | A |
| 55 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Au | 6.2 | A |
表4
| 样品号 | 膜组成 | 成合金元素富有层的厚度，埃 | 膜结构 |
| 56 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd | 7.9 | A |
| 57 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y | 7.8 | A |
| 58 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Cu | 7.9 | A |
| 59 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Au | 7.7 | A |
| 60 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Cu | 8.0 | A |
| 61 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Au | 7.9 | A |
| 62 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Cu | 7.9 | A |
| 63 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Au | 7.8 | A |
| 64 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd | 6.9 | A |
| 65 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y | 6.8 | A |
| 66 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Cu | 6.9 | A |
| 67 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Au | 6.7 | A |
| 68 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Cu | 7.0 | A |
| 69 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Au | 6.9 | A |
| 70 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Cu | 6.9 | A |
| 71 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Au | 6.8 | A |
| 72 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd | 5.8 | A |
| 73 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y | 5.7 | A |
| 74 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Cu | 5.8 | A |
| 75 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Au | 5.6 | A |
| 76 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Cu | 5.9 | A |
| 77 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Au | 5.8 | A |
| 78 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Cu | 5.8 | A |
| 79 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Au | 5.7 | A |
表5
| 样品号 | 膜组成 | 成合金元素富有层的厚度，埃 | 膜结构 |
| 80 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd | 5.4 | A |
| 81 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y | 5.3 | A |
| 82 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Cu | 5.4 | A |
| 83 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Au | 5.2 | A |
| 84 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Cu | 5.5 | A |
| 85 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Au | 5.4 | A |
| 86 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Cu | 5.4 | A |
| 87 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Au | 5.3 | A |
| 88 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd | 5.4 | A |
| 89 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y | 5.3 | A |
| 90 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Cu | 5.4 | A |
| 91 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Au | 5.2 | A |
| 92 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Cu | 5.5 | A |
| 93 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Au | 5.4 | A |
| 94 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Cu | 5.4 | A |
| 95 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Au | 5.3 | A |
| 96 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd | 5.3 | A |
| 97 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y | 5.2 | A |
| 98 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Cu | 5.3 | A |
| 99 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Au | 5.1 | A |
| 100 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Cu | 5.4 | A |
| 101 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Au | 5.3 | A |
| 102 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Cu | 5.3 | A |
| 103 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Au | 5.2 | A |
(4)耐内聚性评估(由于加热导致的内聚)
通过使用由Digital Instruments制备的Nanoscope IIIa扫描探测器显微镜，在AFM(原子力显微镜)观察模式下，测量因此沉积的薄膜(样品号1至103)的平均表面粗糙度Ra。对这些薄膜在80℃的温度、90％RH的湿度和48小时的保持时间下的高温、高湿度试验，在该试验后再测量平均表面粗糙度Ra。耐内聚性(通过加热导致的内聚)的评估结果示于表6至10中。在表6至10中，在高温、高湿实验前后平均粗糙度的变化低于1.5nm的样品被视为是具有高耐内聚性的样品，且这种样品被评估为“A”，且平均粗糙度的变化为1.5nm或以上的样品被视为不具有这种高耐内聚性的样品，且这种样品被评估为“B”。如表3中所示，满足本发明要求的Ag合金薄膜(样品号2至103)显示高耐内聚性，和不满足本发明要求的那些，即Ag薄膜(样品号1)没有显示高耐内聚性。加入Rh、Pd和Pt的效果与Cu和Au的加入效果相等。
表6
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 由热导致的耐内聚性 |
| 1 | Ag | 3.0 | B |
| 2 | Ag-0.005％Bi | 0.5 | A |
| 3 | Ag-0.1％Bi | 0.4 | A |
| 4 | Ag-0.4％Bi | 0.3 | A |
| 5 | Ag-0.6％Bi | 0.3 | A |
| 6 | Ag-3％Sn | 1.0 | A |
| 7 | Ag-0.1％Bi-0.01％Sn | 0.3 | A |
| 8 | Ag-0.1％Bi-0.05％Sn | 0.3 | A |
| 9 | Ag-0.1％Bi-3％Sn | 0.2 | A |
| 10 | Ag-0.1％Bi-5％Sn | 0.2 | A |
| 11 | Ag-0.1％Bi-7％Sn | 0.2 | A |
| 12 | Ag-3％Si | 0.9 | A |
| 13 | Ag-0.1％Bi-0.01％Si | 0.3 | A |
| 14 | Ag-0.1％Bi-0.05％Si | 0.3 | A |
| 15 | Ag-0.1％Bi-3％Si | 0.2 | A |
| 16 | Ag-0.1％Bi-5％Si | 0.2 | A |
| 17 | Ag-0.1％Bi-7％Si | 0.2 | A |
表7
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 由热导致的耐内聚性 |
| 18 | Ag-3％In | 0.9 | A |
| 19 | Ag-0.1％Bi-0.01％In | 0.3 | A |
| 20 | Ag-0.1％Bi-0.05％In | 0.3 | A |
| 21 | Ag-0.1％Bi-3％In | 0.2 | A |
| 22 | Ag-0.1％Bi-5％In | 0.2 | A |
| 23 | Ag-0.1％Bi-7％In | 0.2 | A |
| 24 | Ag-3％Ga | 1.1 | A |
| 25 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ga | 0.3 | A |
| 26 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ga | 0.3 | A |
| 27 | Ag-0.1％Bi-3％Ga | 0.2 | A |
| 28 | Ag-0.1％Bi-5％Ga | 0.2 | A |
| 29 | Ag-0.1％Bi-7％Ga | 0.2 | A |
| 30 | Ag-3％Ge | 1.1 | A |
| 31 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ge | 0.3 | A |
| 32 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ge | 0.3 | A |
| 33 | Ag-0.1％Bi-3％Ge | 0.2 | A |
| 34 | Ag-0.1％Bi-5％Ge | 0.2 | A |
| 35 | Ag-0.1％Bi-7％Ge | 0.2 | A |
表8
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 由热导致的耐内聚性 |
| 36 | Ag-3％Al | 1.2 | A |
| 37 | Ag-0.1％Bi-0.01％Al | 0.3 | A |
| 38 | Ag-0.1％Bi-0.05％Al | 0.3 | A |
| 39 | Ag-0.1％Bi-3％Al | 0.2 | A |
| 40 | Ag-0.1％Bi-5％Al | 0.2 | A |
| 41 | Ag-0.1％Bi-7％Al | 0.2 | A |
| 42 | Ag-3％Zn | 1.2 | A |
| 43 | Ag-0.1％Bi-0.01％Zn | 0.3 | A |
| 44 | Ag-0.1％Bi-0.05％Zn | 0.3 | A |
| 45 | Ag-0.1％Bi-3％Zn | 0.2 | A |
| 46 | Ag-0.1％Bi-5％Zn | 0.2 | A |
| 47 | Ag-0.1％Bi-7％Zn | 0.2 | A |
| 48 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd | 0.1 | A |
| 49 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y | 0.1 | A |
| 50 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Cu | 0.2 | A |
| 51 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Au | 0.2 | A |
| 52 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 53 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 54 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 55 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
表9
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 由热导致的耐内聚性 |
| 56 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd | 0.1 | A |
| 57 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y | 0.1 | A |
| 58 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Cu | 0.2 | A |
| 59 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Au | 0.2 | A |
| 60 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 61 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 62 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 63 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
| 64 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd | 0.1 | A |
| 65 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y | 0.1 | A |
| 66 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Cu | 0.2 | A |
| 67 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Au | 0.2 | A |
| 68 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 69 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 70 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 71 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
| 72 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd | 0.1 | A |
| 73 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y | 0.1 | A |
| 74 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Cu | 0.2 | A |
| 75 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Au | 0.2 | A |
| 76 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 77 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 78 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 79 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
表10
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 由热导致的耐内聚性 |
| 80 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd | 0.1 | A |
| 81 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y | 0.1 | A |
| 82 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Cu | 0.2 | A |
| 83 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Au | 0.2 | A |
| 84 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 85 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 86 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 87 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
| 88 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd | 0.1 | A |
| 89 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y | 0.1 | A |
| 90 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Cu | 0.2 | A |
| 91 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Au | 0.2 | A |
| 92 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 93 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 94 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 95 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
| 96 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd | 0.1 | A |
| 97 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y | 0.1 | A |
| 98 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Cu | 0.2 | A |
| 99 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Au | 0.2 | A |
| 100 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 101 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 102 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 103 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
(5)耐内聚性评估(由于卤素导致的内聚)
通过使用由Digital Instruments制备的Nanoscope IIIa扫描探测器显微镜，在AFM(原子力显微镜)观察模式下，测量因此沉积的薄膜(样品号1至103)的平均表面粗糙度Ra。对这些薄膜在盐水浓度(NaCl浓度)为0.05mol/l、盐水温度为20℃和浸渍时间为5分钟的条件下的盐水浸渍试验，且在该试验后再测量平均表面粗糙度Ra。耐内聚性(由卤素导致的内聚)的评估结果示于表11至15中。在表11至15中，在盐水浸渍试验前后平均粗糙度的变化低于3nm的样品被视为是具有高耐内聚性的样品，且这种样品被评估为“A”，和平均粗糙度的变化3nm或以上的样品被视为不具有这种高耐内聚性的样品，且这种样品被评估为“B”。如表4中所示，满足本发明要求的Ag合金薄膜(样品号2至103)显示高耐内聚性，和不满足本发明要求的Ag薄膜(样品号1)没有显示高耐内聚性。加入Rh、Pd和Pt的效果与Cu和Au的加入效果相等。
表11
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 由卤素导致的耐内聚性 |
| 1 | Ag | 10.8 | B |
| 2 | Ag-0.005％Bi | 0.6 | A |
| 3 | Ag-0.1％Bi | 0.4 | A |
| 4 | Ag-0.4％Bi | 0.3 | A |
| 5 | Ag-0.6％Bi | 0.3 | A |
| 6 | Ag-3％Sn | 1.2 | A |
| 7 | Ag-0.1％Bi-0.01％Sn | 0.3 | A |
| 8 | Ag-0.1％Bi-0.05％Sn | 0.3 | A |
| 9 | Ag-0.1％Bi-3％Sn | 0.2 | A |
| 10 | Ag-0.1％Bi-5％Sn | 0.2 | A |
| 11 | Ag-0.1％Bi-7％Sn | 0.2 | A |
| 12 | Ag-3％Si | 1.0 | A |
| 13 | Ag-0.1％Bi-0.01％Si | 0.3 | A |
| 14 | Ag-0.1％Bi-0.05％Si | 0.3 | A |
| 15 | Ag-0.1％Bi-3％Si | 0.2 | A |
| 16 | Ag-0.1％Bi-5％Si | 0.2 | A |
| 17 | Ag-0.1％Bi-7％Si | 0.2 | A |
表12
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 由卤素导致的耐内聚性 |
| 18 | Ag-3％In | 1.1 | A |
| 19 | Ag-0.1％Bi-0.01％In | 0.3 | A |
| 20 | Ag-0.1％Bi-0.05％In | 0.3 | A |
| 21 | Ag-0.1％Bi-3％In | 0.2 | A |
| 22 | Ag-0.1％Bi-5％In | 0.2 | A |
| 23 | Ag-0.1％Bi-7％In | 0.2 | A |
| 24 | Ag-3％Ga | 1.3 | A |
| 25 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ga | 0.3 | A |
| 26 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ga | 0.3 | A |
| 27 | Ag-0.1％Bi-3％Ga | 0.2 | A |
| 28 | Ag-0.1％Bi-5％Ga | 0.2 | A |
| 29 | Ag-0.1％Bi-7％Ga | 0.2 | A |
| 30 | Ag-3％Ge | 1.4 | A |
| 31 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ge | 0.3 | A |
| 32 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ge | 0.3 | A |
| 33 | Ag-0.1％Bi-3％Ge | 0.2 | A |
| 34 | Ag-0.1％Bi-5％Ge | 0.2 | A |
| 35 | Ag-0.1％Bi-7％Ge | 0.2 | A |
表13
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 由卤素导致的耐内聚性 |
| 36 | Ag-3％Al | 1.6 | A |
| 37 | Ag-0.1％Bi-0.01％Al | 0.3 | A |
| 38 | Ag-0.1％Bi-0.05％Al | 0.3 | A |
| 39 | Ag-0.1％Bi-3％Al | 0.2 | A |
| 40 | Ag-0.1％Bi-5％Al | 0.2 | A |
| 41 | Ag-0.1％Bi-7％Al | 0.2 | A |
| 42 | Ag-3％Zn | 1.6 | A |
| 43 | Ag-0.1％Bi-0.01％Zn | 0.3 | A |
| 44 | Ag-0.1％Bi-0.05％Zn | 0.3 | A |
| 45 | Ag-0.1％Bi-3％Zn | 0.2 | A |
| 46 | Ag-0.1％Bi-5％Zn | 0.2 | A |
| 47 | Ag-0.1％Bi-7％Zn | 0.2 | A |
| 48 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd | 0.2 | A |
| 49 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y | 0.2 | A |
| 50 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 51 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Au | 0.1 | A |
| 52 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 53 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 54 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 55 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
表14
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 由卤素导致的耐内聚性 |
| 56 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd | 0.2 | A |
| 57 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y | 0.2 | A |
| 58 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 59 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Au | 0.1 | A |
| 60 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 61 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 62 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 63 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
| 64 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd | 0.2 | A |
| 65 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y | 0.2 | A |
| 66 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 67 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Au | 0.1 | A |
| 68 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 69 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 70 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 71 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
| 72 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd | 0.2 | A |
| 73 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y | 0.2 | A |
| 74 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 75 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Au | 0.1 | A |
| 76 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 77 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 78 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 79 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
表15
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 由卤素导致的耐内聚性 |
| 80 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd | 0.2 | A |
| 81 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y | 0.2 | A |
| 82 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 83 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Au | 0.1 | A |
| 84 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 85 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 86 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 87 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
| 88 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd | 0.2 | A |
| 89 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y | 0.2 | A |
| 90 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 91 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Au | 0.1 | A |
| 92 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 93 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 94 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 95 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
| 96 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd | 0.2 | A |
| 97 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y | 0.2 | A |
| 98 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 99 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Au | 0.1 | A |
| 100 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 101 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Au | 0.1 | A |
| 102 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Cu | 0.1 | A |
| 103 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Au | 0.1 | A |
(6)耐光性评估
使用由Suga Test Instruments Co.，Ltd.制备的Super Xenon FadingApparatus SX75F，对其中由UV可固化树脂膜覆盖因此沉积薄膜(样品号1至103)的样品进行UV/可见光辐照试验，其中通过用氙弧灯，用UV/可见光在下面的条件下辐照样品：在辐照照度120W/m2，辐照温度80℃，和辐照时间144小时，并且通过TEM观察试验样品的横截面，以评估Ag原子向聚碳酸酯或UV可固化树脂中的扩散/渗透。评估耐光性的结果示于表16至20中。在表16至20中，Ag原子扩散/渗透深度低于10埃的样品被视为具有优异耐光性的样品，且这种样品被评估为“A”；Ag原子扩散/渗透深度为10埃或更上且低于30埃的样品被视为具有高耐光性的样品，这种样品被评估为“B”；且Ag原子扩散/渗透深度为30埃或以上的样品被视为不具有这种耐光性的样品，且这种样品被评估为“C”。Ag薄膜(样品号1)没有显示高耐光性。相反，由于抑制Ag原子扩散和渗透的成合金元素富有层(其厚度低于5埃)的存在，Ag-Bi薄膜(样品号2至5)，Ag-Sn薄膜(样品号6)，Ag-Si薄膜(样品号12)，Ag-In薄膜(样品号18)，Ag-Ga薄膜(样品号24)，Ag-Ge薄膜(样品号30)，Ag-Al薄膜(样品号36)，和Ag-Zn薄膜(样品号42)显示了高耐光性。由于成合金元素富有层厚度为5埃或以上的存在，具有与选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素一起加入的Bi的Ag-Bi-(Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn)薄膜(样品号7至11，13至17，19至23，25至29，31至35，37至41，和43至47)，和还具有向其中加入的选自Nd、Y、Cu和Au中的至少一种元素的Ag合金薄膜(样品号48至103)显示优异的耐光性，表明对膜形成的组合相加的效果。加入Rh、Pd和Pt的效果与Cu和Au的加入效果相等。
表16
| 样品号 | 膜组成 | Ag原子扩散或渗透的深度，埃 | 耐光性 |
| 1 | Ag | 120 | C |
| 2 | Ag-0.005％Bi | 20 | B |
| 3 | Ag-0.1％Bi | 18 | B |
| 4 | Ag-0.4％Bi | 15 | B |
| 5 | Ag-0.6％Bi | 15 | B |
| 6 | Ag-3％Sn | 14 | B |
| 7 | Ag-0.1％Bi-0.01％Sn | 无扩散或渗透 | A |
| 8 | Ag-0.1％Bi-0.05％Sn | 无扩散或渗透 | A |
| 9 | Ag-0.1％Bi-3％Sn | 无扩散或渗透 | A |
| 10 | Ag-0.1％Bi-5％Sn | 无扩散或渗透 | A |
| 11 | Ag-0.1％Bi-7％Sn | 无扩散或渗透 | A |
| 12 | Ag-3％Si | 13 | B |
| 13 | Ag-0.1％Bi-0.01％Si | 无扩散或渗透 | A |
| 14 | Ag-0.1％Bi-0.05％Si | 无扩散或渗透 | A |
| 15 | Ag-0.1％Bi-3％Si | 无扩散或渗透 | A |
| 16 | Ag-0.1％Bi-5％Si | 无扩散或渗透 | A |
| 17 | Ag-0.1％Bi-7％Si | 无扩散或渗透 | A |
表17
| 样品号 | 膜组成 | Ag原子扩散或渗透的深度，埃 | 耐光性 |
| 18 | Ag-3％In | 14 | B |
| 19 | Ag-0.1％Bi-0.01％In | 无扩散或渗透 | A |
| 20 | Ag-0.1％Bi-0.05％In | 无扩散或渗透 | A |
| 21 | Ag-0.1％Bi-3％In | 无扩散或渗透 | A |
| 22 | Ag-0.1％Bi-5％In | 无扩散或渗透 | A |
| 23 | Ag-0.1％Bi-7％In | 无扩散或渗透 | A |
| 24 | Ag-3％Ga | 15 | B |
| 25 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ga | 无扩散或渗透 | A |
| 26 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ga | 无扩散或渗透 | A |
| 27 | Ag-0.1％Bi-3％Ga | 无扩散或渗透 | A |
| 28 | Ag-0.1％Bi-5％Ga | 无扩散或渗透 | A |
| 29 | Ag-0.1％Bi-7％Ga | 无扩散或渗透 | A |
| 30 | Ag-3％Ge | 14 | B |
| 31 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ge | 无扩散或渗透 | A |
| 32 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ge | 无扩散或渗透 | A |
| 33 | Ag-0.1％Bi-3％Ge | 无扩散或渗透 | A |
| 34 | Ag-0.1％Bi-5％Ge | 无扩散或渗透 | A |
| 35 | Ag-0.1％Bi-7％Ge | 无扩散或渗透 | A |
表18
| 样品号 | 膜组成 | Ag原子扩散或渗透的深度，埃 | 耐光性 |
| 36 | Ag-3％Al | 15 | B |
| 37 | Ag-0.1％Bi-0.01％Al | 无扩散或渗透 | A |
| 38 | Ag-0.1％Bi-0.05％Al | 无扩散或渗透 | A |
| 39 | Ag-0.1％Bi-3％Al | 无扩散或渗透 | A |
| 40 | Ag-0.1％Bi-5％Al | 无扩散或渗透 | A |
| 41 | Ag-0.1％Bi-7％Al | 无扩散或渗透 | A |
| 42 | Ag-3％Zn | 14 | B |
| 43 | Ag-0.1％Bi-0.01％Zn | 无扩散或渗透 | A |
| 44 | Ag-0.1％Bi-0.05％Zn | 无扩散或渗透 | A |
| 45 | Ag-0.1％Bi-3％Zn | 无扩散或渗透 | A |
| 46 | Ag-0.1％Bi-5％Zn | 无扩散或渗透 | A |
| 47 | Ag-0.1％Bi-7％Zn | 无扩散或渗透 | A |
| 48 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd | 无扩散或渗透 | A |
| 49 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y | 无扩散或渗透 | A |
| 50 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 51 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 52 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 53 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 54 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 55 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
表19
| 样品号 | 膜组成 | Ag原子扩散或渗透的深度，埃 | 耐光性 |
| 56 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd | 无扩散或渗透 | A |
| 57 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y | 无扩散或渗透 | A |
| 58 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 59 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 60 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 61 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 62 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 63 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 64 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd | 无扩散或渗透 | A |
| 65 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y | 无扩散或渗透 | A |
| 66 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 67 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 68 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 69 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 70 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 71 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 72 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd | 无扩散或渗透 | A |
| 73 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y | 无扩散或渗透 | A |
| 74 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 75 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 76 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 77 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 78 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 79 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
表20
| 样品号 | 膜组成 | Ag原子扩散或渗透的深度，埃 | 耐光性 |
| 80 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd | 无扩散或渗透 | A |
| 81 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y | 无扩散或渗透 | A |
| 82 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 83 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 84 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 85 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 86 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 87 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 88 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd | 无扩散或渗透 | A |
| 89 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y | 无扩散或渗透 | A |
| 90 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 91 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 92 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 93 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 94 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 95 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 96 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd | 无扩散或渗透 | A |
| 97 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y | 无扩散或渗透 | A |
| 98 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 99 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 100 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 101 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
| 102 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Cu | 无扩散或渗透 | A |
| 103 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Au | 无扩散或渗透 | A |
(7)耐热性的评估
通过使用由Digital Instruments制备的Nanoscope IIIa扫描探测器显微镜，在AFM(原子力显微镜)观察模式下，测量因此沉积的薄膜(样品号1至103)的平均表面粗糙度Ra。使用由Naruse Scientific Machines制备的加热处理装置，在旋转磁场下，对这些薄膜在真空为0.27×10-3Pa或以下，温度为300℃和保持时间为0.5小时的条件下进行真空加热试验，且在该试验后，再测量平均表面粗糙度Ra。耐热性的评估结果示于表21至25中。在表21至25中，在真空加热试验前后表面粗糙度的变化低于1.5nm的样品被视为是具有优异耐热性的样品，且这种样品被评估为“A”；且平均粗糙度的变化不低于1.5nm至低于3nm的样品被视为具有高耐热性的样品，且这种样品被评估为“B”；且平均粗糙度的变化为3nm或以上的样品被视为不具有高耐热性的样品，这种样品被视为“C”。Ag薄膜(样品号1)没有显示高耐热性。相反，由于抑制Ag扩散的成合金元素富有层(其厚度低于5埃)的存在，Ag-Bi薄膜(样品号2至5)、Ag-Sn薄膜(样品号6)、Ag-Si薄膜(样品号12)、Ag-In薄膜(样品号18)、Ag-Ga薄膜(样品号24)、Ag-Ge薄膜(样品号30)、Ag-Al薄膜(样品号36)、Ag-Zn薄膜(样品号42)显示了高耐热性。由于成合金元素富有层厚度为5埃或以上的存在，具有与选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素一起加入的Bi的Ag-Bi-(Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn)薄膜(样品号7至11，13至17，19至23，25至29，31至35，37至41，和43至47)，和还具有向其中加入的选自Nd、Y、Cu和Au中的至少一种元素的Ag合金薄膜(样品号48至103)显示显示优异的耐热性，表明对膜形成的组合相加的效果。加入Rh、Pd和Pt的效果与Cu和Au的加入效果相等。
表21
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 耐热性 |
| 1 | Ag | 5.5 | C |
| 2 | Ag-0.005％Bi | 2.5 | B |
| 3 | Ag-0.1％Bi | 2.0 | B |
| 4 | Ag-0.4％Bi | 1.7 | B |
| 5 | Ag-0.6％Bi | 1.6 | B |
| 6 | Ag-3％Sn | 1.7 | B |
| 7 | Ag-0.1％Bi-0.01％Sn | 0.5 | A |
| 8 | Ag-0.1％Bi-0.05％Sn | 0.5 | A |
| 9 | Ag-0.1％Bi-3％Sn | 0.4 | A |
| 10 | Ag-0.1％Bi-5％Sn | 0.4 | A |
| 11 | Ag-0.1％Bi-7％Sn | 0.4 | A |
| 12 | Ag-3％Si | 1.6 | B |
| 13 | Ag-0.1％Bi-0.01％Si | 0.5 | A |
| 14 | Ag-0.1％Bi-0.05％Si | 0.5 | A |
| 15 | Ag-0.1％Bi-3％Si | 0.4 | A |
| 16 | Ag-0.1％Bi-5％Si | 0.4 | A |
| 17 | Ag-0.1％Bi-7％Si | 0.4 | A |
表22
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 耐热性 |
| 18 | Ag-3％In | 1.7 | B |
| 19 | Ag-0.1％Bi-0.01％In | 0.5 | A |
| 20 | Ag-0.1％Bi-0.05％In | 0.5 | A |
| 21 | Ag-0.1％Bi-3％In | 0.4 | A |
| 22 | Ag-0.1％Bi-5％In | 0.4 | A |
| 23 | Ag-0.1％Bi-7％In | 0.4 | A |
| 24 | Ag-3％Ga | 1.8 | B |
| 25 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ga | 0.5 | A |
| 26 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ga | 0.5 | A |
| 27 | Ag-0.1％Bi-3％Ga | 0.4 | A |
| 28 | Ag-0.1％Bi-5％Ga | 0.4 | A |
| 29 | Ag-0.1％Bi-7％Ga | 0.4 | A |
| 30 | Ag-3％Ge | 1.8 | B |
| 31 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ge | 0.5 | A |
| 32 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ge | 0.5 | A |
| 33 | Ag-0.1％Bi-3％Ge | 0.4 | A |
| 34 | Ag-0.1％Bi-5％Ge | 0.4 | A |
| 35 | Ag-0.1％Bi-7％Ge | 0.4 | A |
表23
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 耐热性 |
| 36 | Ag-3％Al | 1.9 | B |
| 37 | Ag-0.1％Bi-0.01％Al | 0.5 | A |
| 38 | Ag-0.1％Bi-0.05％Al | 0.5 | A |
| 39 | Ag-0.1％Bi-3％Al | 0.4 | A |
| 40 | Ag-0.1％Bi-5％Al | 0.4 | A |
| 41 | Ag-0.1％Bi-7％Al | 0.4 | A |
| 42 | Ag-3％Zn | 1.8 | B |
| 43 | Ag-0.1％Bi-0.01％Zn | 0.5 | A |
| 44 | Ag-0.1％Bi-0.05％Zn | 0.5 | A |
| 45 | Ag-0.1％Bi-3％Zn | 0.4 | A |
| 46 | Ag-0.1％Bi-5％Zn | 0.4 | A |
| 47 | Ag-0.1％Bi-7％Zn | 0.4 | A |
| 48 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd | 0.3 | A |
| 49 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y | 0.3 | A |
| 50 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Cu | 0.4 | A |
| 51 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Au | 0.4 | A |
| 52 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 53 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Au | 0.3 | A |
| 54 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 55 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Au | 0.3 | A |
表24
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 耐热性 |
| 56 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd | 0.3 | A |
| 57 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y | 0.3 | A |
| 58 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Cu | 0.4 | A |
| 59 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Au | 0.4 | A |
| 60 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 61 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Au | 0.3 | A |
| 62 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 63 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Au | 0.3 | A |
| 64 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd | 0.3 | A |
| 65 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y | 0.3 | A |
| 66 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Cu | 0.4 | A |
| 67 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Au | 0.4 | A |
| 68 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 69 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Au | 0.3 | A |
| 70 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 71 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Au | 0.3 | A |
| 72 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd | 0.3 | A |
| 73 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y | 0.3 | A |
| 74 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Cu | 0.4 | A |
| 75 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Au | 0.4 | A |
| 76 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 77 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Au | 0.3 | A |
| 78 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 79 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Au | 0.3 | A |
表25
| 样品号 | 膜组成 | 平均表面粗糙度的改变，nm | 耐热性 |
| 80 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd | 03 | A |
| 81 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y | 0.3 | A |
| 82 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Cu | 0.4 | A |
| 83 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Au | 0.4 | A |
| 84 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 85 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Au | 0.3 | A |
| 86 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 87 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Au | 0.3 | A |
| 88 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd | 0.3 | A |
| 89 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y | 0.3 | A |
| 90 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Cu | 0.4 | A |
| 91 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Au | 0.4 | A |
| 92 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 93 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Au | 0.3 | A |
| 94 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 95 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Au | 0.3 | A |
| 96 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd | 0.3 | A |
| 97 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y | 0.3 | A |
| 98 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Cu | 0.4 | A |
| 99 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Au | 0.4 | A |
| 100 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 101 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Au | 0.3 | A |
| 102 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Cu | 0.3 | A |
| 103 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Au | 0.3 | A |
(8)反射率、透射率和吸光率的评估
使用由JASCO制备的UV-Vis-NIR分光光度计V-570DS，在波长为400至800nm下，测量因此沉积的薄膜(样品号1至103)的光反射率和光透射率，从因此测得的反射率和透射率计算吸光率(100％-(反射率+透射率)。在Blu-rayDisc、HD DVD等中使用的波长为405nm的激光束的反射率和透射率和吸光率的评估结果等示于表26至30、表31至35和表36至40中。在表26至40中，相对于反射率为18％、透射率为68％和吸光率为14％的纯Ag，反射率为15％或以上、透射率为60％或以上和吸光率低于25％的样品被视为具有优异的光学性能的样品，且这种样品被评估为“A”，且反射率低于15％、透射率低于60％和吸光率为25％或以上的样品被视为不具有优异的光学性能的样品，且这种样品被评估为“B”。由于Zn、Al、Ga、In、Si、Ge或Sn的高含量，Ag-0.6％Bi薄膜(样品号5)、Ag-0.1％Bi-7％Sn薄膜(样品号11)、Ag-0.1％Bi-7％Si薄膜(样品号17)、Ag-0.1％Bi-7％In薄膜(样品号23)、Ag-0.1％Bi-7％Ga薄膜(样品号29)、Ag-0.1％Bi-7％Ge薄膜(样品号35)、Ag-0.1％Bi-7％Al薄膜(样品号41)和Ag-0.1％Bi-7％Zn薄膜(样品号47)没有显示高反射率、高透射比和低吸光率。相反，Ag薄膜(样品号1)、Ag-Bi薄膜(样品号2至4)、Ag-Sn薄膜(样品号6)、Ag-Bi-Sn薄膜(样品号7至10)、Ag-Si薄膜(样品号12)、Ag-Bi-Si薄膜(样品号13至16)、Ag-In薄膜(样品号18)、Ag-Bi-In薄膜(样品号19至22)、Ag-Ga薄膜(样品号24)、Ag-Bi-Ga薄膜(样品号25至28)、Ag-Ge薄膜(样品号30)、Ag-Bi-Ge薄膜(样品号31至34)、Ag-Al薄膜(样品号36)、Ag-Bi-Al薄膜(样品号37至40)、Ag-Zn薄膜(样品号42)和Ag-Bi-Zn薄膜(样品号43至46)，以及还具有向其中加入选自Nd、Y、Cu和Au中的至少一种元素的Ag合金薄膜(样品号48至103)显示了高反射率、高透射率和低吸光率。加入Rh、Pd和Pt的效果与Cu和Au的加入效果相等。
表26
| 样品号 | 膜组成 | 反射率，％ | 反射率的评估 |
| 1 | Ag | 18.0 | A |
| 2 | Ag-0.005％Bi | 17.8 | A |
| 3 | Ag-0.1％Bi | 17.6 | A |
| 4 | Ag-0.4％Bi | 16.2 | A |
| 5 | Ag-0.6％Bi | 14.4 | B |
| 6 | Ag-3％Sn | 16.0 | A |
| 7 | Ag-0.1％Bi-0.01％Sn | 17.4 | A |
| 8 | Ag-0.1％Bi-0.05％Sn | 16.5 | A |
| 9 | Ag-0.1％Bi-3％Sn | 15.6 | A |
| 10 | Ag-0.1％Bi-5％Sn | 15.2 | A |
| 11 | Ag-0.1％Bi-7％Sn | 14.3 | B |
| 12 | Ag-3％Si | 16.2 | A |
| 13 | Ag-0.1％Bi-0.01％Si | 17.5 | A |
| 14 | Ag-0.1％Bi-0.05％Si | 16.6 | A |
| 15 | Ag-0.1％Bi-3％Si | 15.7 | A |
| 16 | Ag-0.1％Bi-5％Si | 15.3 | A |
| 17 | Ag-0.1％Bi-7％Si | 14.4 | B |
表27
| 样品号 | 膜组成 | 反射率，％ | 反射率的评估 |
| 18 | Ag-3％In | 15.6 | A |
| 19 | Ag-0.1％Bi-0.01％In | 17.3 | A |
| 20 | Ag-0.1％Bi-0.05％In | 16.4 | A |
| 21 | Ag-0.1％Bi-3％In | 15.5 | A |
| 22 | Ag-0.1％Bi-5％In | 1 5.1 | A |
| 23 | Ag-0.1％Bi-7％In | 14.2 | B |
| 24 | Ag-3％Ga | 15.7 | A |
| 25 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ga | 17.3 | A |
| 26 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ga | 16.5 | A |
| 27 | Ag-0.1％Bi-3％Ga | 15.6 | A |
| 28 | Ag-0.1％Bi-5％Ga | 15.1 | A |
| 29 | Ag-0.1％Bi-7％Ga | 14.3 | B |
| 30 | Ag-3％Ge | 15.4 | A |
| 31 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ge | 17.2 | A |
| 32 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ge | 16.3 | A |
| 33 | Ag-0.1％Bi-3％Ge | 15.4 | A |
| 34 | Ag-0.1％Bi-5％Ge | 15.0 | A |
| 35 | Ag-0.1％Bi-7％Ge | 14.0 | B |
表28
| 样品号 | 膜组成 | 反射率，％ | 反射率的评估 |
| 36 | Ag-3％Al | 15.8 | A |
| 37 | Ag-0.1％Bi-0.0 1％Al | 17.3 | A |
| 38 | Ag-0.1％Bi-0.05％Al | 16.4 | A |
| 39 | Ag-0.1％Bi-3％Al | 15.5 | A |
| 40 | Ag-0.1％Bi-5％Al | 15.2 | A |
| 41 | Ag-0.1％Bi-7％Al | 14.4 | B |
| 42 | Ag-3％Zn | 15.6 | A |
| 43 | Ag-0.1％Bi-0.01％Zn | 17.1 | A |
| 44 | Ag-0.1％Bi-0.05％Zn | 16.2 | A |
| 45 | Ag-0.1％Bi-3％Zn | 15.5 | A |
| 46 | Ag-0.1％Bi-5％Zn | 15.1 | A |
| 47 | Ag-0.1％Bi-7％Zn | 14.0 | B |
| 48 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd | 15.4 | A |
| 49 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y | 15.3 | A |
| 50 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Cu | 15.4 | A |
| 51 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Au | 15.5 | A |
| 52 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Cu | 15.3 | A |
| 53 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Au | 15.4 | A |
| 54 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Cu | 15.2 | A |
| 55 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Au | 15.3 | A |
表29
| 样品号 | 膜组成 | 反射率，％ | 反射率的评估 |
| 56 | Ag-0.1％B i-2％Si-0.4％Nd | 15.5 | A |
| 57 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y | 15.4 | A |
| 58 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Cu | 15.5 | A |
| 59 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Au | 15.6 | A |
| 60 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Cu | 15.4 | A |
| 61 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Au | 15.5 | A |
| 62 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Cu | 15.3 | A |
| 63 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Au | 15.4 | A |
| 64 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd | 1 5.3 | A |
| 65 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y | 15.2 | A |
| 66 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Cu | 15.3 | A |
| 67 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Au | 15.4 | A |
| 68 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Cu | 15.2 | A |
| 69 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Au | 15.3 | A |
| 70 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Cu | 15.1 | A |
| 71 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Au | 15.2 | A |
| 72 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd | 15.4 | A |
| 73 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y | 15.3 | A |
| 74 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Cu | 15.4 | A |
| 75 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Au | 15.5 | A |
| 76 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Cu | 15.3 | A |
| 77 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Au | 15.4 | A |
| 78 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Cu | 15.2 | A |
| 79 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Au | 15.3 | A |
表30
| 样品号 | 膜组成 | 反射率，％ | 反射率的评估 |
| 80 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd | 15.2 | A |
| 81 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y | 15.1 | A |
| 82 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Cu | 15.2 | A |
| 83 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Au | 15.3 | A |
| 84 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Cu | 15.1 | A |
| 85 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Au | 15.2 | A |
| 86 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Cu | 15.0 | A |
| 87 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Au | 15.1 | A |
| 88 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd | 15.3 | A |
| 89 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y | 15.2 | A |
| 90 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Cu | 15.3 | A |
| 91 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Au | 15.4 | A |
| 92 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Cu | 15.2 | A |
| 93 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Au | 15.3 | A |
| 94 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Cu | 15.1 | A |
| 95 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Au | 15.2 | A |
| 96 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd | 15.3 | A |
| 97 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y | 15.2 | A |
| 98 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Cu | 15.3 | A |
| 99 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Au | 15.4 | A |
| 100 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Cu | 15.2 | A |
| 101 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Au | 15.3 | A |
| 102 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Cu | 15.1 | A |
| 103 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Au | 15.2 | A |
表31
| 样品号 | 膜组成 | 透射率，％ | 透射率的评估 |
| 1 | Ag | 68.0 | A |
| 2 | Ag-0.005％Bi | 67.7 | A |
| 3 | Ag-0.1％Bi | 66.2 | A |
| 4 | Ag-0.4％Bi | 62.5 | A |
| 5 | Ag-0.6％Bi | 59.0 | B |
| 6 | Ag-3％Sn | 65.5 | A |
| 7 | Ag-0.1％Bi-0.01％Sn | 66.0 | A |
| 8 | Ag-0.1％Bi-0.05％Sn | 65.1 | A |
| 9 | Ag-0.1％Bi-3％Sn | 63.3 | A |
| 10 | Ag-0.1％Bi-5％Sn | 61.0 | A |
| 11 | Ag-0.1％Bi-7％Sn | 58.5 | B |
| 12 | Ag-3％Si | 65.8 | A |
| 13 | Ag-0.1％Bi-0.01％Si | 66.1 | A |
| 14 | Ag-0.1％Bi-0.05％Si | 65.0 | A |
| 15 | Ag-0.1％Bi-3％Si | 63.0 | A |
| 1 6 | Ag-0.1％Bi-5％Si | 61.0 | A |
| 17 | Ag-0.1％Bi-7％Si | 58.9 | B |
表32
| 样品号 | 膜组成 | 透射率，％ | 透射率的评估 |
| 18 | Ag-3％In | 65.4 | A |
| 19 | Ag-0.1％Bi-0.01％In | 66.2 | A |
| 20 | Ag-0.1％Bi-0.05％In | 65.1 | A |
| 21 | Ag-0.1％Bi-3％In | 63.1 | A |
| 22 | Ag-0.1％Bi-5％In | 60.9 | A |
| 23 | Ag-0.1％Bi-7％In | 58.6 | B |
| 24 | Ag-3％Ga | 65.2 | A |
| 25 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ga | 66.0 | A |
| 26 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ga | 64.9 | A |
| 27 | Ag-0.1％Bi-3％Ga | 62.9 | A |
| 28 | Ag-0.1％Bi-5％Ga | 60.4 | A |
| 29 | Ag-0.1％Bi-7％Ga | 57.8 | B |
| 30 | Ag-3％Ge | 64.7 | A |
| 31 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ge | 65.8 | A |
| 32 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ge | 64.8 | A |
| 33 | Ag-0.1％Bi-3％Ge | 62.8 | A |
| 34 | Ag-0.1％Bi-5％Ge | 60.2 | A |
| 35 | Ag-0.1％Bi-7％Ge | 57.6 | B |
表33
| 样品号 | 膜组成 | 透射率，％ | 透射率的评估 |
| 36 | Ag-3％Al | 63.5 | A |
| 37 | Ag-0.1％Bi-0.01％Al | 65.9 | A |
| 38 | Ag-0.1％Bi-0.05％Al | 65.0 | A |
| 39 | Ag-0.1％Bi-3％Al | 63.0 | A |
| 40 | Ag-0.1％Bi-5％Al | 60.5 | A |
| 41 | Ag-0.1％Bi-7％Al | 57.9 | B |
| 42 | Ag-3％Zn | 64.0 | A |
| 43 | Ag-0.1％Bi-0.01％Zn | 66.0 | A |
| 44 | Ag-0.1％Bi-0.05％Zn | 65.1 | A |
| 45 | Ag-0.1％Bi-3％Zn | 63.1 | A |
| 46 | Ag-0.1％Bi-5％Zn | 60.7 | A |
| 47 | Ag-0.1％Bi-7％Zn | 58.2 | B |
| 48 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd | 65.7 | A |
| 49 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y | 65.6 | A |
| 50 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Cu | 65.7 | A |
| 51 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Au | 65.8 | A |
| 52 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Cu | 65.6 | A |
| 53 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Au | 65.7 | A |
| 54 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Cu | 65.5 | A |
| 55 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Au | 65.6 | A |
表34
| 样品号 | 膜组成 | 透射率，％ | 透射率的评估 |
| 56 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd | 65.8 | A |
| 57 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y | 65.7 | A |
| 58 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Cu | 65.8 | A |
| 59 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Au | 65.9 | A |
| 60 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Cu | 65.7 | A |
| 61 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Au | 65.8 | A |
| 62 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Cu | 65.6 | A |
| 63 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Au | 65.7 | A |
| 64 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd | 65.9 | A |
| 65 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y | 65.8 | A |
| 66 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Cu | 65.9 | A |
| 67 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Au | 66.0 | A |
| 68 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Cu | 65.8 | A |
| 69 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Au | 65.9 | A |
| 70 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Cu | 65.7 | A |
| 71 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Au | 65.8 | A |
| 72 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd | 65.7 | A |
| 73 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y | 65.6 | A |
| 74 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Cu | 65.7 | A |
| 75 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Au | 65.8 | A |
| 76 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Cu | 65.6 | A |
| 77 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Au | 65.7 | A |
| 78 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Cu | 65.5 | A |
| 79 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Au | 65.6 | A |
表35
| 样品号 | 膜组成 | 透射率，％ | 透射率的评估 |
| 80 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd | 65.5 | A |
| 81 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y | 65.4 | A |
| 82 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Cu | 65.5 | A |
| 83 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Au | 65.6 | A |
| 84 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Cu | 65.4 | A |
| 85 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Au | 65.5 | A |
| 86 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Cu | 65.3 | A |
| 87 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Au | 65.4 | A |
| 88 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd | 65.6 | A |
| 89 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y | 65.5 | A |
| 90 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Cu | 65.6 | A |
| 91 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Au | 65.7 | A |
| 92 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Cu | 65.5 | A |
| 93 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Au | 65.6 | A |
| 94 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Cu | 65.4 | A |
| 95 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Au | 65.5 | A |
| 96 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd | 65.7 | A |
| 97 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y | 65.6 | A |
| 98 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Cu | 65.7 | A |
| 99 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Au | 65.8 | A |
| 100 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Cu | 65.6 | A |
| 101 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Au | 65.7 | A |
| 102 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Cu | 65.5 | A |
| 103 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Au | 65.6 | A |
表36
| 样品号 | 膜组成 | 吸光率，％ | 吸光率的评估 |
| 1 | Ag | 14.0 | A |
| 2 | Ag-0.005％Bi | 14.5 | A |
| 3 | Ag-0.1％Bi | 16.2 | A |
| 4 | Ag-0.4％Bi | 21.3 | A |
| 5 | Ag-0.6％Bi | 26.6 | B |
| 6 | Ag-3％Sn | 18.5 | A |
| 7 | Ag-0.1％Bi-0.01％Sn | 16.6 | A |
| 8 | Ag-0.1％Bi-0.05％Sn | 18.4 | A |
| 9 | Ag-0.1％Bi-3％Sn | 21.1 | A |
| 10 | Ag-0.1％Bi-5％Sn | 23.8 | A |
| 11 | Ag-0.1％Bi-7％Sn | 27.2 | B |
| 12 | Ag-3％Si | 18.0 | A |
| 13 | Ag-0.1％Bi-0.01％Si | 16.4 | A |
| 14 | Ag-0.1％Bi-0.05％Si | 18.4 | A |
| 15 | Ag-0.1％Bi-3％Si | 21.3 | A |
| 16 | Ag-0.1％Bi-5％Si | 23.7 | A |
| 17 | Ag-0.1％Bi-7％Si | 26.7 | B |
表37
| 样品号 | 膜组成 | 吸光率，％ | 吸光率的评估 |
| 18 | Ag-3％In | 19.0 | A |
| 19 | Ag-0.1％Bi-0.01％In | 16.5 | A |
| 20 | Ag-0.1％Bi-0.05％In | 18.5 | A |
| 21 | Ag-0.1％Bi-3％In | 21.2 | A |
| 22 | Ag-0.1％Bi-5％In | 24.0 | A |
| 23 | Ag-0.1％Bi-7％In | 27.2 | B |
| 24 | Ag-3％Ga | 19.1 | A |
| 25 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ga | 16.7 | A |
| 26 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ga | 18.6 | A |
| 27 | Ag-0.1％Bi-3％Ga | 21.5 | A |
| 28 | Ag-0.1％Bi-5％Ga | 24.5 | A |
| 29 | Ag-0.1％Bi-7％Ga | 27.9 | B |
| 30 | Ag-3％Ge | 19.9 | A |
| 31 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ge | 17.0 | A |
| 32 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ge | 18.9 | A |
| 33 | Ag-0.1％Bi-3％Ge | 21.8 | A |
| 34 | Ag-0.1％Bi-5％Ge | 24.8 | A |
| 35 | Ag-0.1％Bi-7％Ge | 28.4 | B |
表38
| 样品号 | 膜组成 | 吸光率，％ | 吸光率的评估 |
| 36 | Ag-3％Al | 20.7 | A |
| 37 | Ag-0.1％Bi-0.01％Al | 16.8 | A |
| 38 | Ag-0.1％Bi-0.05％Al | 18.6 | A |
| 39 | Ag-0.1％Bi-3％Al | 21.5 | A |
| 40 | Ag-0.1％Bi-5％Al | 24.3 | A |
| 41 | Ag-0.1％Bi-7％Al | 27.7 | B |
| 42 | Ag-3％Zn | 20.4 | A |
| 43 | Ag-0.1％Bi-0.01％Zn | 16.9 | A |
| 44 | Ag-0.1％Bi-0.05％Zn | 18.7 | A |
| 45 | Ag-0.1％Bi-3％Zn | 21.4 | A |
| 46 | Ag-0.1％Bi-5％Zn | 24.2 | A |
| 47 | Ag-0.1％Bi-7％Zn | 27.8 | B |
| 48 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd | 18.9 | A |
| 49 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y | 19.1 | A |
| 50 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Cu | 18.9 | A |
| 51 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Au | 18.7 | A |
| 52 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Cu | 19.1 | A |
| 53 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Au | 18.9 | A |
| 54 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Cu | 19.3 | A |
| 55 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Au | 19.1 | A |
表39
| 样品号 | 膜组成 | 吸光率，％ | 吸光率的评估 |
| 56 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd | 18.7 | A |
| 57 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y | 18.9 | A |
| 58 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Cu | 18.7 | A |
| 59 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Au | 18.5 | A |
| 60 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Cu | 18.9 | A |
| 61 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Au | 18.7 | A |
| 62 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Cu | 19.1 | A |
| 63 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Au | 18.9 | A |
| 64 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd | 18.8 | A |
| 65 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y | 19.0 | A |
| 66 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Cu | 18.8 | A |
| 67 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Au | 18.6 | A |
| 68 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Cu | 19.0 | A |
| 69 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Au | 18.8 | A |
| 70 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Cu | 19.2 | A |
| 71 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Au | 19.0 | A |
| 72 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd | 18.9 | A |
| 73 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y | 19.1 | A |
| 74 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Cu | 18.9 | A |
| 75 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Au | 18.7 | A |
| 76 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Cu | 19.1 | A |
| 77 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Au | 18.9 | A |
| 78 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Cu | 19.3 | A |
| 79 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Au | 19.1 | A |
表40
| 样品号 | 膜组成 | 吸光率，％ | 吸光率的评估 |
| 80 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd | 19.3 | A |
| 81 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y | 19.5 | A |
| 82 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Cu | 19.3 | A |
| 83 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Au | 19.1 | A |
| 84 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Cu | 19.5 | A |
| 85 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Au | 19.3 | A |
| 86 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Cu | 19.7 | A |
| 87 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Au | 19.5 | A |
| 88 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd | 19.1 | A |
| 89 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y | 19.3 | A |
| 90 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Cu | 19.1 | A |
| 91 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Au | 18.9 | A |
| 92 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Cu | 19.3 | A |
| 93 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Au | 19.1 | A |
| 94 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Cu | 19.5 | A |
| 95 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Au | 19.3 | A |
| 96 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd | 19.0 | A |
| 97 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y | 19.2 | A |
| 98 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Cu | 19.0 | A |
| 99 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Au | 18.8 | A |
| 100 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Cu | 19.2 | A |
| 101 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Au | 19.0 | A |
| 102 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Cu | 19.4 | A |
| 103 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Au | 19.2 | A |
(9)热传导率的评估
通过下面描述的程序测量因此沉积的薄膜(样品号1至103)的热传导率。即，如下确定热传导率：通过使用由HIOKI E.E.CORPORATION制备的3226mΩ Hi TESTER的DC四探针技术，测量薄层电阻Rs；通过使用由TENCOR INSTRUMENTS制备的alpha-step 250测量膜厚度t；通过ρ＝薄层电阻Rs×膜厚度t，来计算电阻率(μΩcm)；然后，通过κ＝2.51×绝对温度T/电阻率ρ，由Wiedemann-Franz定律，计算在绝对温度300K(ca.27℃)的热传导率κ(W/m·K)。热传导率的评估结果示于表41至45中。在表41至45中，热传导率不低于160 W/m·K的样品，相应于不低于纯Ag薄膜的热传导率320W/m·K50％的样品，被视为具有优异热传导率的样品，且这种样品被评估为“A”，且热传导率低于160W/m·K的样品，被视为不具有优异热传导率的样品，且这种样品被评估为“B”。由于Zn、Al、Ga、In、Si、Ge或Sn的含量高，Ag-0.6％Bi薄膜(样品号5)、Ag-0.1％Bi-7％Sn薄膜(样品号11)、Ag-0.1％Bi-7％Si薄膜(样品号17)、Ag-0.1％Bi-7％In薄膜(样品号23)、Ag-0.1％Bi-7％Ga薄膜(样品号29)、Ag-0.1％Bi-7％Ge薄膜(样品号35)、Ag-0.1％Bi-7％Al薄膜(样品号41)和Ag-0.1％Bi-7％Zn薄膜(样品号47)没有显示高热传导率。相反，Ag薄膜(样品号1)、Ag-Bi薄膜(样品号2至4)、Ag-Sn薄膜(样品号6)、Ag-Bi-Sn薄膜(样品号7至10)、Ag-Si薄膜(样品号12)、Ag-Bi-Si薄膜(样品号13至16)、Ag-In薄膜(样品号18)、Ag-Bi-In薄膜(样品号19至22)、Ag-Ga薄膜(样品号24)、Ag-Bi-Ga薄膜(样品号25至28)、Ag-Ge薄膜(样品号30)、Ag-Bi-Ge薄膜(样品号31至34)、Ag-Al薄膜(样品号36)、Ag-Bi-Al薄膜(样品号37至40)、Ag-Zn薄膜(样品号42)和Ag-Bi-Zn薄膜(样品号43至46)，以及还具有向其中加入选自Nd、Y、Cu和Au中的至少一种元素的Ag合金薄膜(样品号48至103)显示高的热传导率。
表41
| 样品号 | 膜组成 | 热传导率，W/(m·K)％ | 热传导率的评估 |
| 1 | Ag | 320 | A |
| 2 | Ag-0.005％Bi | 307 | A |
| 3 | Ag-0.1％Bi | 222 | A |
| 4 | Ag-0.4％Bi | 189 | A |
| 5 | Ag-0.6％Bi | 155 | B |
| 6 | Ag-3％Sn | 209 | A |
| 7 | Ag-0.1％Bi-0.01％Sn | 215 | A |
| 8 | Ag-0.1％Bi-0.05％Sn | 210 | A |
| 9 | Ag-0.1％Bi-3％Sn | 188 | A |
| 10 | Ag-0.1％Bi-5％Sn | 165 | A |
| 11 | Ag-0.1％Bi-7％Sn | 143 | B |
| 12 | Ag-3％Si | 214 | A |
| 13 | Ag-0.1％Bi-0.01％Si | 220 | A |
| 14 | Ag-0.1％Bi-0.05％Si | 216 | A |
| 15 | Ag-0.1％Bi-3％Si | 192 | A |
| 16 | Ag-0.1％Bi-5％Si | 167 | A |
| 17 | Ag-0.1％Bi-7％Si | 142 | B |
表42
| 样品号 | 膜组成 | 热传导率，W/(m·K)％ | 热传导率的评估 |
| 18 | Ag-3％In | 211 | A |
| 19 | Ag-0.1％Bi-0.01％In | 214 | A |
| 20 | Ag-0.1％Bi-0.05％In | 210 | A |
| 21 | Ag-0.1％Bi-3％In | 187 | A |
| 22 | Ag-0.1％Bi-5％In | 164 | A |
| 23 | Ag-0.1％Bi-7％In | 141 | B |
| 24 | Ag-3％Ga | 205 | A |
| 25 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ga | 210 | A |
| 26 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ga | 206 | A |
| 27 | Ag-0.1％Bi-3％Ga | 185 | A |
| 28 | Ag-0.1％Bi-5％Ga | 164 | A |
| 29 | Ag-0.1％Bi-7％Ga | 143 | B |
| 30 | Ag-3％Ge | 191 | A |
| 31 | Ag-0.1％Bi-0.01％Ge | 198 | A |
| 32 | Ag-0.1％Bi-0.05％Ge | 193 | A |
| 33 | Ag-0.1％Bi-3％Ge | 177 | A |
| 34 | Ag-0.1％Bi-5％Ge | 161 | A |
| 35 | Ag-0.1％Bi-7％Ge | 145 | B |
表43
| 样品号 | 膜组成 | 热传导率，W/(m·K)％ | 热传导率的评估 |
| 36 | Ag-3％A1 | 200 | A |
| 37 | Ag-0.1％Bi-0.01％Al | 206 | A |
| 38 | Ag-0.1％Bi-0.05％Al | 202 | A |
| 39 | Ag-0.1％Bi-3％Al | 184 | A |
| 40 | Ag-0.1％Bi-5％Al | 165 | A |
| 41 | Ag-0.1％Bi-7％Al | 146 | B |
| 42 | Ag-3％Zn | 203 | A |
| 43 | Ag-0.1％Bi-0.01％Zn | 208 | A |
| 44 | Ag-0.1％Bi-0.05％Zn | 205 | A |
| 45 | Ag-0.1％Bi-3％Zn | 184 | A |
| 46 | Ag-0.1％Bi-5％Zn | 163 | A |
| 47 | Ag-0.1％Bi-7％Zn | 142 | B |
| 48 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd | 183 | A |
| 49 | A g-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y | 179 | A |
| 50 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Cu | 190 | A |
| 51 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.5％Au | 193 | A |
| 52 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Cu | 174 | A |
| 53 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Nd-0.5％Au | 178 | A |
| 54 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Cu | 170 | A |
| 55 | Ag-0.1％Bi-2％Sn-0.4％Y-0.5％Au | 174 | A |
表44
| 样品号 | 膜组成 | 热传导率，W/(m·K)％ | 热传导率的评估 |
| 56 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd | 187 | A |
| 57 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y | 183 | A |
| 58 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Cu | 194 | A |
| 59 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.5％Au | 198 | A |
| 60 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Cu | 179 | A |
| 61 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Nd-0.5％Au | 183 | A |
| 62 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Cu | 175 | A |
| 63 | Ag-0.1％Bi-2％Si-0.4％Y-0.5％Au | 179 | A |
| 64 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd | 182 | A |
| 65 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y | 178 | A |
| 66 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Cu | 189 | A |
| 67 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.5％Au | 192 | A |
| 68 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Cu | 173 | A |
| 69 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Nd-0.5％Au | 177 | A |
| 70 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Cu | 169 | A |
| 71 | Ag-0.1％Bi-2％In-0.4％Y-0.5％Au | 173 | A |
| 72 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd | 180 | A |
| 73 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y | 176 | A |
| 74 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Cu | 187 | A |
| 75 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.5％Au | 190 | A |
| 76 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Cu | 171 | A |
| 77 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Nd-0.5％Au | 175 | A |
| 78 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Cu | 167 | A |
| 79 | Ag-0.1％Bi-2％Ga-0.4％Y-0.5％Au | 171 | A |
表45
| 样品号 | 膜组成 | 热传导率，W/(m·K)％ | 热传导率的评估 |
| 80 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd | 172 | A |
| 81 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y | 168 | A |
| 82 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Cu | 179 | A |
| 83 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.5％Au | 183 | A |
| 84 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Cu | 164 | A |
| 85 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Nd-0.5％Au | 168 | A |
| 86 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Cu | 160 | A |
| 87 | Ag-0.1％Bi-2％Ge-0.4％Y-0.5％Au | 164 | A |
| 88 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd | 179 | A |
| 89 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y | 175 | A |
| 90 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Cu | 186 | A |
| 91 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.5％Au | 190 | A |
| 92 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Cu | 171 | A |
| 93 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Nd-0.5％Au | 175 | A |
| 94 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Cu | 167 | A |
| 95 | Ag-0.1％Bi-2％Al-0.4％Y-0.5％Au | 171 | A |
| 96 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd | 179 | A |
| 97 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y | 175 | A |
| 98 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Cu | 186 | A |
| 99 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.5％Au | 190 | A |
| 100 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Cu | 171 | A |
| 101 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Nd-0.5％Au | 175 | A |
| 102 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Cu | 167 | A |
| 103 | Ag-0.1％Bi-2％Zn-0.4％Y-0.5％Au | 171 | A |
Claims (12)
1.一种包含Ag基合金的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其中Ag基合金包含0.005至0.40原子％的Bi和总量为0.05至5原子％的选自Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。
2.根据权利要求1所述的包含Ag基合金的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其中所述半反射膜或反射膜具有其中在顶部和/或底部界面Bi富有的膜结构。
3.根据权利要求1所述的包含Ag基合金的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其中所述半反射膜或反射膜具有其中在顶部和/或底部界面选自Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素富有的结构。
4.根据权利要求1所述的包含Ag基合金的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其中所述Ag基合金还包含至少一种稀土金属元素。
5.根据权利要求4的包含Ag基合金的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其中稀土金属元素是Nd和/或Y，总含量为0.1至2原子％。
6.根据权利要求1所述的包含Ag基合金的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其中所述Ag基合金还包含选自Cu、Au、Rh、Pd和Pt中的至少一种元素，总含量为0.1至3原子％。
7.一种具有根据权利要求1所述的包含Ag基合金的半反射膜的光学信息记录介质。
8.一种具有根据权利要求1所述的包含Ag基合金的反射膜的光学信息记录介质。
9.一种Ag基合金溅射靶材，其中所述Ag基合金包含0.05至4.5原子％的Bi，和总量为0.05至5原子％的选自Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。
10.根据权利要求9所述的Ag基合金溅射靶材，其中所述Ag基合金还包含至少一种稀土金属元素。
11.根据权利要求10所述的Ag基合金溅射靶材，其中所述稀土金属元素是Nd和/或Y，总含量为0.1至2原子％。
12.根据权利要求9所述的Ag基合金溅射靶材，其中所述Ag基合金还包含选自Cu、Au、Rh、Pd和Pt中的至少一种元素，总含量为0.1至3原子％。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004125932 | 2004-04-21 | ||
| JP2004125932 | 2004-04-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1691167A CN1691167A (zh) | 2005-11-02 |
| CN1331138C true CN1331138C (zh) | 2007-08-08 |
Family
ID=34935118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005100666653A Expired - Fee Related CN1331138C (zh) | 2004-04-21 | 2005-04-21 | 半反射膜或反射膜，光学信息记录介质和溅射靶材 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7704581B2 (zh) |
| EP (1) | EP1589531B1 (zh) |
| KR (1) | KR100694944B1 (zh) |
| CN (1) | CN1331138C (zh) |
| AT (1) | ATE381758T1 (zh) |
| DE (1) | DE602005003863T2 (zh) |
| SG (1) | SG116607A1 (zh) |
| TW (1) | TWI325134B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105324510A (zh) * | 2013-06-26 | 2016-02-10 | 株式会社神户制钢所 | 反射电极用或布线电极用Ag合金膜、反射电极或布线电极、和Ag合金溅射靶 |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7384677B2 (en) | 1998-06-22 | 2008-06-10 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6852384B2 (en) | 1998-06-22 | 2005-02-08 | Han H. Nee | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| KR100568392B1 (ko) * | 2002-06-24 | 2006-04-05 | 가부시키가이샤 코베루코 카겐 | 은 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법 |
| US7514037B2 (en) * | 2002-08-08 | 2009-04-07 | Kobe Steel, Ltd. | AG base alloy thin film and sputtering target for forming AG base alloy thin film |
| EP1560704B1 (en) * | 2003-04-18 | 2012-06-13 | Target Technology Company, LLC. | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| JP3993530B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2007-10-17 | 株式会社神戸製鋼所 | Ａｇ−Ｂｉ系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| US20050112019A1 (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho(Kobe Steel, Ltd.) | Aluminum-alloy reflection film for optical information-recording, optical information-recording medium, and aluminum-alloy sputtering target for formation of the aluminum-alloy reflection film for optical information-recording |
| TWI248978B (en) * | 2003-12-04 | 2006-02-11 | Kobe Steel Ltd | Ag-based interconnecting film for flat panel display, Ag-base sputtering target and flat panel display |
| TWI325134B (en) | 2004-04-21 | 2010-05-21 | Kobe Steel Ltd | Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target |
| JP3907666B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2007-04-18 | 株式会社神戸製鋼所 | レーザーマーキング用再生専用光情報記録媒体 |
| JP2006240289A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-09-14 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体用記録膜および光情報記録媒体ならびにスパッタリングターゲット |
| JP2006294195A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット |
| JP4377861B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2009-12-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット |
| JP2007035104A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット |
| JP4527624B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2010-08-18 | 株式会社神戸製鋼所 | Ａｇ合金反射膜を有する光情報媒体 |
| JP4377877B2 (ja) | 2005-12-21 | 2009-12-02 | ソニー株式会社 | 光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット |
| JP2007335061A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-12-27 | Sony Corp | 光情報記録媒体とそのＢＣＡ（ＢｕｒｓｔＣｕｔｔｉｎｇＡｒｅａ）マーキング方法 |
| WO2008026601A1 (fr) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | FILM RÉFLÉCHISSANT EN ALLIAGE Ag POUR SUPPORT D'ENREGISTREMENT D'INFORMATIONS OPTIQUE, SUPPORT D'ENREGISTREMENT D'INFORMATIONS OPTIQUE ET CIBLE DE PULVÉRISATION POUR FILM RÉFLÉCHISSANT EN ALLIAGE Ag POUR FORMATION DE SUPPORT D'ENREGISTREMENT D'INFORMATIONS OPTIQUE |
| CA2667228C (en) * | 2006-10-23 | 2015-07-14 | Micell Technologies, Inc. | Holder for electrically charging a substrate during coating |
| JP2008117470A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Sony Corp | 光情報記録媒体および光情報記録媒体の製造方法、ＢＣＡ（ＢｕｒｓｔＣｕｔｔｉｎｇＡｒｅａ）マーキング方法 |
| JP4540687B2 (ja) * | 2007-04-13 | 2010-09-08 | 株式会社ソニー・ディスクアンドデジタルソリューションズ | 読み出し専用の光情報記録媒体 |
| JP4694543B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2011-06-08 | 株式会社コベルコ科研 | Ａｇ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法 |
| JP4833942B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2011-12-07 | 株式会社コベルコ科研 | Ａｇ基合金スパッタリングターゲット |
| JP2009076129A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Kobe Steel Ltd | 読み出し専用の光情報記録媒体 |
| WO2009041529A1 (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | 反射膜、反射膜積層体、ｌｅｄ、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明器具 |
| JP5046890B2 (ja) * | 2007-11-29 | 2012-10-10 | 株式会社コベルコ科研 | Ａｇ系スパッタリングターゲット |
| JP5331420B2 (ja) | 2008-09-11 | 2013-10-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 読み出し専用の光情報記録媒体および該光情報記録媒体の半透過反射膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2010225572A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-10-07 | Kobe Steel Ltd | 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極および配線膜 |
| KR20110128198A (ko) | 2009-04-14 | 2011-11-28 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 광 정보 기록 매체, 광 정보 기록 매체의 반사막 형성용 스퍼터링 타깃 |
| JP5719179B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2015-05-13 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射膜積層体 |
| SE536911C2 (sv) * | 2011-02-09 | 2014-10-28 | Impact Coatings Ab | Material för att åstadkomma ett elektriskt ledande kontaktskikt, ett kontaktelement med sådant skikt, metod för att åstadkomma kontaktelementet, samt användning av materialet |
| CN103443323B (zh) * | 2011-04-06 | 2015-06-17 | 三菱综合材料株式会社 | 导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法 |
| JP5796883B2 (ja) * | 2011-04-14 | 2015-10-21 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP5806653B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-11-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射電極用Ａｇ合金膜、反射電極、およびＡｇ合金スパッタリングターゲット |
| JP5890700B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2016-03-22 | 株式会社神戸製鋼所 | 熱アシスト記録用磁気記録媒体に用いられる熱拡散制御膜、磁気記録媒体、およびスパッタリングターゲット |
| EP3146528A4 (en) * | 2014-05-23 | 2018-01-03 | The Regents of The University of Michigan | Ultra-thin doped noble metal films for optoelectronics and photonics applications |
| RU2676089C1 (ru) | 2014-11-04 | 2018-12-26 | ЭЛЛАЙД БИОСАЙНС, Инк. | Композиция и способ создания самодезинфицирующейся поверхности |
| US10258046B2 (en) | 2014-11-04 | 2019-04-16 | Allied Bioscience, Inc. | Antimicrobial coatings comprising quaternary silanes |
| US10993441B2 (en) | 2014-11-04 | 2021-05-04 | Allied Bioscience, Inc. | Antimicrobial coatings comprising organosilane homopolymers |
| US10980236B2 (en) | 2014-11-04 | 2021-04-20 | Allied Bioscience, Inc. | Broad spectrum antimicrobial coatings comprising combinations of organosilanes |
| EP3256531A1 (en) | 2015-02-11 | 2017-12-20 | Allied Bioscience, Inc | Anti-microbial coating and method to form same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1046632A (zh) * | 1987-02-13 | 1990-10-31 | 陶氏化学公司 | 光学记录介质 |
| JP2000057627A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Mitsui Chemicals Inc | 光反射膜及びそれを用いた光記録媒体 |
| CN1446941A (zh) * | 2002-03-25 | 2003-10-08 | 日立金属株式会社 | Ag合金膜以及Ag合金膜形成用喷溅靶材 |
| CN1483852A (zh) * | 2002-08-08 | 2004-03-24 | ��ʽ�������Ƹ��� | Ag基合金薄膜及Ag基合金薄膜形成用溅射靶 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4998239A (en) * | 1987-10-07 | 1991-03-05 | The Dow Chemical Company | Optical information recording medium containing a metal alloy as a reflective material |
| US5948497A (en) | 1992-10-19 | 1999-09-07 | Eastman Kodak Company | High stability silver based alloy reflectors for use in a writable compact disk |
| US5989669A (en) * | 1996-09-24 | 1999-11-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical information recording disc |
| EP1628296B1 (en) * | 1997-11-17 | 2013-03-06 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US6007889A (en) | 1998-06-22 | 1999-12-28 | Target Technology, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6544616B2 (en) * | 2000-07-21 | 2003-04-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| JP4030205B2 (ja) * | 1998-10-26 | 2008-01-09 | 日立マクセル株式会社 | 情報記録媒体及び情報記録装置 |
| SG116432A1 (en) | 2000-12-26 | 2005-11-28 | Kobe Steel Ltd | Reflective layer or semi-transparent reflective layer for use in optical information recording media, optical information recording media and sputtering target for use in the optical information recording media. |
| US7022384B2 (en) | 2002-01-25 | 2006-04-04 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Reflective film, reflection type liquid crystal display, and sputtering target for forming the reflective film |
| KR100568392B1 (ko) | 2002-06-24 | 2006-04-05 | 가부시키가이샤 코베루코 카겐 | 은 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법 |
| EP1560704B1 (en) | 2003-04-18 | 2012-06-13 | Target Technology Company, LLC. | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| JP3993530B2 (ja) | 2003-05-16 | 2007-10-17 | 株式会社神戸製鋼所 | Ａｇ−Ｂｉ系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| DE10327336A1 (de) * | 2003-06-16 | 2005-01-27 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Legierung und deren Verwendung |
| JP4009564B2 (ja) | 2003-06-27 | 2007-11-14 | 株式会社神戸製鋼所 | リフレクター用Ａｇ合金反射膜、及び、このＡｇ合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このＡｇ合金反射膜のＡｇ合金薄膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット |
| JP2005029849A (ja) | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Kobe Steel Ltd | リフレクター用Ａｇ合金反射膜、及び、このＡｇ合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このＡｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット |
| JP2005048231A (ja) | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Ishifuku Metal Ind Co Ltd | スパッタリングターゲット材 |
| TWI325134B (en) | 2004-04-21 | 2010-05-21 | Kobe Steel Ltd | Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target |
-
2005
- 2005-04-08 TW TW094111252A patent/TWI325134B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-04-11 SG SG200502224A patent/SG116607A1/en unknown
- 2005-04-12 US US11/103,615 patent/US7704581B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-13 AT AT05008087T patent/ATE381758T1/de active
- 2005-04-13 DE DE602005003863T patent/DE602005003863T2/de active Active
- 2005-04-13 EP EP05008087A patent/EP1589531B1/en not_active Not-in-force
- 2005-04-20 KR KR1020050032776A patent/KR100694944B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-04-21 CN CNB2005100666653A patent/CN1331138C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1046632A (zh) * | 1987-02-13 | 1990-10-31 | 陶氏化学公司 | 光学记录介质 |
| JP2000057627A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Mitsui Chemicals Inc | 光反射膜及びそれを用いた光記録媒体 |
| CN1446941A (zh) * | 2002-03-25 | 2003-10-08 | 日立金属株式会社 | Ag合金膜以及Ag合金膜形成用喷溅靶材 |
| CN1483852A (zh) * | 2002-08-08 | 2004-03-24 | ��ʽ�������Ƹ��� | Ag基合金薄膜及Ag基合金薄膜形成用溅射靶 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105324510A (zh) * | 2013-06-26 | 2016-02-10 | 株式会社神户制钢所 | 反射电极用或布线电极用Ag合金膜、反射电极或布线电极、和Ag合金溅射靶 |
| US9947429B2 (en) | 2013-06-26 | 2018-04-17 | Kobe Steel, Ltd. | Ag alloy film for reflecting electrode or wiring electrode, reflecting electrode or wiring electrode, and Ag alloy sputtering target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1589531B1 (en) | 2007-12-19 |
| DE602005003863D1 (de) | 2008-01-31 |
| SG116607A1 (en) | 2005-11-28 |
| US7704581B2 (en) | 2010-04-27 |
| EP1589531A2 (en) | 2005-10-26 |
| KR100694944B1 (ko) | 2007-03-14 |
| ATE381758T1 (de) | 2008-01-15 |
| CN1691167A (zh) | 2005-11-02 |
| EP1589531A3 (en) | 2006-04-19 |
| KR20060047275A (ko) | 2006-05-18 |
| DE602005003863T2 (de) | 2008-12-11 |
| TWI325134B (en) | 2010-05-21 |
| TW200540862A (en) | 2005-12-16 |
| US20050238839A1 (en) | 2005-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1331138C (zh) | 半反射膜或反射膜，光学信息记录介质和溅射靶材 | |
| CN100416681C (zh) | 用于光学信息记录介质的半反射膜和反射膜，光学信息记录介质以及溅射靶 | |
| JP4320000B2 (ja) | 光情報記録媒体用半透過反射膜と反射膜、および光情報記録媒体ならびにスパッタリングターゲット | |
| US7514037B2 (en) | AG base alloy thin film and sputtering target for forming AG base alloy thin film | |
| EP1617427B1 (en) | Silver alloy reflective film, sputtering target therefor, and optical information recording medium using the same | |
| EP1746591B1 (en) | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media | |
| JP3655907B2 (ja) | 光情報記録媒体用反射膜と半透過反射膜、および光情報記録媒体 | |
| JP4153484B2 (ja) | 光情報記録媒体用Ａｇ基合金スパッタリングターゲット | |
| JP4320003B2 (ja) | 光情報記録媒体用半透過反射膜と反射膜、及び光情報記録媒体、並びにスパッタリングターゲット | |
| CN101346491A (zh) | 光记录介质用半透明反射膜和反射膜、以及用于形成这些半透明反射膜和反射膜的Ag合金溅射靶 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070808 Termination date: 20200421 |