TWI324272B - Display device - Google Patents

Description

1324272 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於顯示裝置，特別係關於具有反射領域與 透過領域之顯示裝置。 【先前技術】 傳統的顯示裝置中’有種具有：使入射於液晶層之光 只朝著一方的方向通過之透過型以及使入射於液晶層之光 反射之反射型等2種功能的半透過型液晶顯示裝置為人所 知。此種裝置揭示於例如日本特開2〇〇2_98951號公報。 第1 7圖為顯示具有傳統之凸狀絕緣膜（平坦化膜） 之半透過型液晶顯示裝置的構造之平面圖。第1 8圖為沿著 第17圖所示之傳統顯示裝置之190-190線的剖面圖。 傳統之半透過型液晶顯示裝置，係如第1 8圖所示， 在具備緩衝層l〇la之玻璃基板ιοί上之與反射領域i6〇a 對應的預定領域，形成主動層1 〇2。在該主動層1 〇2，以夾 著通道領域1 02c之方式，形成源極領域i 〇2a以及汲極領 域l〇2b。此外，在通道領域102c上，隔著閘極絕緣膜ι〇3 而形成閘極電極104。另在對應於反射領域16〇a之閘極絕 緣膜103上的預定領域，形成輔助電容線ι〇5。藉由主動 層102的輔助電容領域1〇2d、閘極絕緣膜ι〇3、輔助電容 線105構成輔助電容。如第17圖所示，閘極電極1〇4連接 於閘極線104a。 如第18圖所示’以覆蓋薄膜電晶體以及輔助電容之 方式形成具有接觸孔l〇6a以及106b之層間絕緣膜1〇6。 315490 5 1324272 在層間絕緣膜106上，以透過接觸孔106a以及1〇6b分別 與源極領域1 02a以及汲極領域i 〇2b電性連接之方式形成 源極電極107與汲極電極108。此外，汲極電極1〇^，:第 17圖所示，係連接於汲極線1〇8a。如第18圖所示，在層 間絕緣膜106上，形成剖面形狀呈凸狀之具有開口部ι〇9& 與1〇9b的平坦化膜109。此外，開口部109a，如第17圖 所不，係以圍繞透過領域丨6〇b之方式形成，而開口部 10外，則形成於與源極電極1〇7對應之領域。上述閘極線 l〇4a的側端部1〇4b以及輔助電容線ι〇5的側端部， 係形成於與開口部職之側端部版所在的領域隔著預 定間隔的平坦化膜109的下方領域。 此外，如第18圖所示，在與反射領域16〇&對應的領 域’以透過開口部1()913與源極電極1G7電性連接並沿著 平一化臈1 〇9的上面以及開口部丨〇9a的側面延伸之方式形 ::射電極110。另外，在反射電極11〇之與透過領域祕 的領域，形成開口部11Ga。在該反射電極U0以及位 :開口部UOa的層間絕緣膜1〇6上’形成透明電極⑴。 精由該透明電極⑴與反射電極11〇，構成晝素電極。 此外，在與基板1〇1對向的位置設置基板（對向基 "2。在基板112上’形成呈紅色綠色以及藍色等各 光器㈣orfilter)1!3’並以填埋於彩色據光器 式形成黑矩陣（blackmatrix)114。此外，在彩色渡 =⑴以及黑料114上’形成對向電極⑴。另外， 在透明電極1丨丨以及斜而堂 及對向電極115上’分別形成配向膜（未 315490 6 1324272 圖示），並在2個配向膜之間，充填液晶層ιΐ6。 在上述傳統的半透過型液晶顯示裝置中，利用光微影 技術在對應於透過領域16〇b的領域形成開口部1〇9&時， 在使平坦化膜109曝光時，會因曝光裝置之基板安裝台（未 圖示）導致透過基板1G1的光產生亂反射的情形。在該情 況下曝光時由於亂反射的光會照射在開口部丨〇9a之側 端部109c的形成領域，故經該亂反射的光入射的部分會 在顯像時被去除。如此―來，在開口部丨_的側端部 109c如第17圖所示，將形成起因於亂反射的光的凹部 109d而產生形成於平坦化膜i 〇9之侧端部1 上的反射 電極11 0的。[5刀亦會形成具有凹部的形狀之不良情況。如 此一來，反映反射電極11〇之凹部的影像顯示於晝面，而 導致顯示品質降低的問題。 【發明内容】 本么明之目的係在提供一種可抑制曝光時因亂反射 的光而導致之顯示品質降低。 本發明之第1形態之顯示裝置，係一種具有反射領域 與透過領域之顯示裝置，具備有：形成於基板上之與反射 領域對應之領域的凸狀絕緣膜；以及形成於凸狀絕緣膜 下且以至少延伸到凸狀絕緣膜之側端部所在的領域之方 式形成的遮光膜。 本發明之第2形態之顯示裝置，係一種具有基板、基 板上的凸狀絕緣膜、基板上之第i電極、及第丄電極上之 第2電極’且在第1電極與第2電極之間夾有液晶層的顯 7 315490 1324272 示裝置，其中具備有：第1電極係由透明物質所形成，且 第1電極與第2電極之距離為第j距離之透過領域；於凸 狀絕緣膜上含有反射體，藉由凸狀絕緣膜使第1電極與第 2電極間的距離為短於第j距離之第2距離的反射領域； 、及配置在基板與凸狀絕緣膜之間的遮光膜，而遮光膜係 至少延伸到凸狀絕緣膜之透過領域側的端部。 以上之第1以及第2形態之顯示裝置，係如上述一 敖，以延伸到形成於基板上之與反射領域對應的領域之凸 狀絕緣膜的側端部所在領域的方式，在&狀絕緣膜下方形 成遮光膜’藉此，在運用光微影技術於基板上之與反射領 域對應㈣域巾形成凸狀料料，錢純絕緣膜曝光 之際、’可藉由遮光膜抑制透過基板且經由基板安裝台亂反 射的光’照射到凸狀絕緣膜之側端部的形成領域。藉此， 在顯像之際，由於可抑制凸狀絕緣膜之側端部之一/ 士哈，私· -Γ 口丨力被· =可抑制凸狀絕緣膜的側端部形成亂反射的光所導 :之凹部。因A ’可抑制形成於凸狀絕緣膜的側端部 射膜的部分，形成具有亂反射的光所導致之凹部的形 因此，可抑制反映該反射膜之凹部之影像顯示在書面 上’而得以抑制因曝光時之亂反射的光所導致： 的降低。 貝不質 【實施方式】 以下’根據圖式說明本發明之實施形態。 (第1實施形態） 參照第1圖至第5圖’第i實施形態之液晶顯示裳置 315490 8 1324272 的1晝素内，係具有反射領域60a以及透過領域60b的2 個領域。此外，反射領域60a中形成有反射電極1 〇，而透 過領域60b中則未形成有反射電極1〇。藉此，反射領域6〇a 可藉由反射第5圖之箭頭A方向的光來顯示影像。另一方 面’透過領域60b則藉由使第5圖之箭頭B方向的光透過 來顯示影像。

如第5圖所示’具備有SiNx膜以及SiO 緩衝層la的玻璃基板1上之與反射領域6〇a對應的預定領 域上’形成有由具有約30nm至約50nm的厚度之非單結晶 石夕或非晶珍所構成之主動層2。此外，玻璃基板1為本發 明之「基板」的一例。另外，主動層2中以夾著通道領域 2c的方式形成有源極領域2a以及極極領域2b。此外，在 通道領域2c上，係隔著厚度約8〇nm至約15〇nm，由8ίΝχ 膜以及si〇2膜之疊層膜所構成之閘極絕緣膜3，形成有具 有約2〇〇nm至約250nm的厚度，由鉬（M〇)層所構成之閘極 電極4。如此，藉由源極領域2a、汲極領域2b、通道領域 2c、閘極絕緣膜3以及閘極電極4而構成頂閘極型薄膜電 晶體（TFT)。此外，如第丨圖所示，閘極電極4,係連接 於由與閘極電極4同一層所構成的閘極線&。 此外，如第5圖所示，閘極絕緣膜3上之與反射領域 6〇a對應的職領域，形成有由具有約則_至約25〇_ 之厚度之Mo層所構成之輔助電容線5。如此，藉由主動 層2的輔助電容領域2(1、閉極絕緣膜3以及輔助電容線5 而構成輔助電容。 315490 9 1324272 此外，如第5圖所示’以覆蓋TFT以及辅助電容之方 式 形成具有約500nm至約700nm的厚度，由8丨〇膜以 及SiNx膜之疊層膜所構成之具有接觸孔心與讣的層間絕 緣膜ό。在層間絕緣膜6上，透過接觸孔6a以及6b， 为別與源極領域2a以及汲極領域2b電性連接的方式形成 源極電極7與汲極電極^該源極電極7以及汲極電極^， 係分別由從下層往上層之銦（M〇)層 '铭⑷）層以及翻⑽） 層所構成，且具有約4〇〇nm至約800nm之厚度。此外，、及 極電極8，如第1圖所示，係連接於汲極線8a。 此外，如第5圖所示，層間絕緣膜6上形成有：具有 侧面傾斜一定角度之開口部％以及9b，由具有約2":至 約之厚度的丙烯酸樹脂所構成的平坦化膜9,該平坦 化膜之剖面形狀係形成凸狀。此外，>第i圖所示f平坦 化膜9的開口冑9a，係以圍繞透過領域_的方式形成從 平面觀看時為四㈣之形狀。此外，—部⑽，係形成於 與源極電極7對應之領域。料，平坦化膜9,係本發明 之「絕緣膜」的一例。 在第1實施形態中，傲盔士找。。「A y U為本發明之「遮光膜」的一例， 係使閘極線4a以及輔助雷六& ^ 神助電各線5具有遮光膜之功能。如第

2圖所示，使閘極線4 a的你丨^ A J 4 4b超越開口部9a之側端 部9c的其中1邊所在的領 貝垮而延伸至透過領域6〇b側。此 外’如第3圖所示’使輔助 助電谷線5的側端部5 a越過側端 部9c其餘的3邊所在的領枝 貝垮而延伸至透過領域60b側。以 此方式形成之閘極線4a以R ^ A及輔助電容線5,在後述之製造 10 315490 1324272 程序中’在使由丙烤酸樹脂所形成的平坦化臈9曝光 可發揮遮光獏的功能’以抑制亂反射的光照射到平坦化 9的開口告"a的側端部9c的形成領域。此外，在該-第1、 實施形態中’如第4圖所示，為了使閘極線钧與辅助電容 線5電性分離，位於輔助電容線5附近的閘極線h的側端 部4b的一部份係以不超過側端部9c所在的領域之方式形 成。此外，在各列晝素，輔助電容線5係共用。 此外，如第5圖所示，在平坦化膜9上之與反射領域 60a對應的領域，以透過開口部9b與源極電極7電性連接 且沿著平坦化膜9之上面以及開口部％的側面延伸之方式 形成有具有開口部l〇a的反射電極1〇。此 1〇與閘極線4a之間的部份領域，如第！圖所示， 觀看時，係設有預定之間隔。此外，反射電極i 〇，係由具 有約8〇nm至約200nm的厚度之Amd所構成。此外，反、 射電極10，係本發明之「反射膜」之一例。 另外，在反射電極10上以及位於開口部1〇a之層間絕 緣膜6上，形成有由具有約1〇〇nm至約15〇〇爪的厚度之 IZO(Indium Zinc Oxide)所構成之透明電極丨！。如此，藉由 該透明電極11與反射電極10而構成畫素電極。此外，透 明電極11 ’係本發明之「第丨電極」之一例。 此外’在與玻璃基板丨相向的位置，設有玻璃基板丨2。 玻璃基板12上，係形成有呈現紅、綠以及藍等各色的彩色 濾光器13。此外，玻璃基板丨2上之與畫素間對應的領域， 形成有防止晝素間之漏光的黑矩陣丨4。在彩色濾光器i 3 11 315490 丄:524272 二及黑矩陣14上形成有由具有約10〇nm至約150nm的厚 又之ιζο所構成之對向電極15。此外，對向電極15，係 本發明之「第2電極」的一例。 此外’在透明電極u以及對向電極15上分別形成 配向膜（未圖示），在2個配向膜之間係充填液晶層Μ。 此’係藉由在平坦膜9之與透過領域_對應的領域形 成開口部9a’使反射領域6〇a與透過領域6肿中之畫素電 =對向電極間的距離相異。具體而言，反射領域_之 :晶層16的厚度，係做成透過領域_之液晶層μ的厚 :的一半。藉此，相對於在反射領域6〇a中光係通過液晶 曰16兩次，在透過領域6〇b中光僅通過液晶層μ 一次， 二此，藉由將反射領域60a之液晶層16的厚度做成透過領 f6〇b之液晶層16的厚度的1/2，可使反射領域…以及 =^域_的光程長—致。藉此’可降低進行透過顯示 寺〜進仃反射顯示時之間的顯示品質的不均。 在第1實施形態中’如上述一般，係以越過側端部％ 所在領域而延伸至透過領域6Gb側的方式形成側端部4b 以及側端部5a，藉此在進行形成開口部93之曝光程序時， 7由閘㈣4a以及輔助電容線5’來抑制透過破璃基板 ，經由基板安裝台而形成亂反射的光照射到側端部％的 形成領域。藉此，在顯像之際，可抑制側端部之—部分 被去除的情形’故可抑制因曝光裝置中之亂反射的光二 成凹部的情形。因此，由於可抑制在側端部9。附近的反射 d 份形成曝光時之亂反射的光所導致的凹部，故 315490 12 可抑制反映該凹部之影像顯示在晝面上，而得以抑制顯示 品質的降低。 此外，在第i實施形態中，閘極線乜以及辅助電容線 5 ’能以具有遮光膜功能的形式形成，因此無須另外追加形 成遮光膜的程序，而不會使製造程序複雜化。 此外，在第1實施形態甲，係以沿著平坦化膜9的上 面以及平坦化膜9的開口部9a的側面延伸的方式形成反射 電極1 0 ’因此較容易擴大反射領域6〇a。 接著，參照第i圖至第12圖，說明第i實施形態之 半透過型液晶顯示裝置的製造程序。 如第6圖所示，在具備有由SiNx膜以及si〇2膜所構 成之緩衝層la的玻璃基板丨上的預定領域，形成具有約 3〇nm至約5〇nm的厚度之非單結晶矽或非晶矽所構成之主 動層2。接著’以覆蓋主動層2的方式，形成具有約⑽ 至約150nm之厚度，由SiNx膜與Si〇2膜之疊層膜所構成 之絕緣膜3。之後，於整面形成具有約2〇〇nm至約25〇nm 的厚度之Mo層45。 接著，運用光微影技術與乾蝕刻技術將M〇層45圓案 化藉Λ如第7圖所示，形成包含問極電極斗且具有遮 光膜功能的閘極線4a(參照第1圖），以及亦具有遮光膜功 能的輔助電容線5。具體而言，閘極線“的側端部❹（參 照第2圖)係以越過後述之平坦化膜9之開口部以之側端 部9c中的一邊所在的領域而延伸至透過領域6卟側之方式 形成。另外’輔助電容線5的側端部5a(參照第3圖)係以 13 315490 1324272 超過側柒部9c之剩餘3邊所在的 你丨夕+ a 的7頁域而延伸至透過領域 6〇b側之方式形成。此外， 4,盘Μ “ 弟4圖所不’ S 了使閘極線 4a與輔助電容線5電性分離， β Θ ΛΑ + , Λ不超過側端部9c所在 領域的方式形成位於輔助電容線 八 冰3附近之側端部4b的一部 分0 之後，以閉極電極4做為遮罩並藉由注入雜質離子， 形成源極領域2a以及汲極領域2b。 逆源極領域2a與汲極 v頁域2b之間，係形成通道領域2c。 :著’如第8圖所示，以覆蓋全面的方式，形成具有 =⑽⑽至約彻nm的厚度，且由叫膜與叫膜之疊 層=所構成之層間絕緣膜6。㈣，分別於層間絕緣膜6 之”源極領域2a以及汲極領域2b對應的領域形成接觸 孔6a以及6b。然後’以透過接觸孔&以及^而分別盥 源極領域23以及沒極領域2b電性連㈣方式，形成由從 下層往上層之、A1層以及M。層所構成之具有約 4〇〇nm至約800nm的厚度之源極電極7以及汲極電極8。 並於此時’形成由與没極電極8同—層所構成之汲極線 8a(參照第i圖)。之後，以覆蓋全面之方式，形成具有約2 β m至約3 // m厚度之丙烯酸樹脂所構成之平坦化膜9。 接著，如第9圖所示一般，將玻璃基板丨設置在曝光 裝置之基板安裝基台（未圖示）上。此外，在平坦化膜9上 方，與透過領域60b(參照第丨圖）對應的領域以及與源極領 域7對應的領域上，分別地設置具有開口部2〇a以及2〇b 的光罩20。接著，透過光罩2〇使平坦化膜9之預定部分 315490 14 1324272 曝光後，藉由顯像，如第10圖所示一般，在與透過領域 60b對應H域以及與源極領域7對應的領域，分別形成 二口 ：9a以及9b。此時，在進行曝光程序時，經由基板 女裝口產生之亂反射的光，會被閘極線4a(參照第1圖） 以及輔助電容線s恥响& , … 所遮住’故可抑制平坦化膜9之開口部 9a的側端部9c + π > /成項域受到光的照射。藉此，可抑制 在側端部9c形成凹部。 从在大、力200 C的溫度下，進行約30分鐘的熱處 理’而如第11圖所示-般，在平坦化膜9之開口部9a以 及9b的側面，形成預定角度的傾斜。 接著，以覆蓋全面之方式，形成具有約8〇nm至約 15 0nm的厚度之时“ ^ 膜（未圖示）後’去除AINd膜的預定 領域。藉此，如第12圖所示，形成透過開口部9b而與源 極電極7電性連接，並 I /口考十坦化膜9之上面以及開口部 9 a之側面延4 在，、透過領域60b對應的領域具有開口部 10a的反射電極石 如此一來，即形成了形成有反射電極 之反射項域60a，與未形成反射電極1〇的透過領域 6〇卜之後’在反射電極1G上以及對應於開口部10a的層 間絕緣膜6上，依序形成由具有約·m至約Η—的厚 度之ιζο所構成之透明電極u以及配向膜(未圖示卜 = 在°又成與玻璃基板1對向的玻璃基板（對向基 板)12上’形成彩色濾光器13,並在玻璃基板n 於晝素間的領域，报忐审化丁您 、 貝域形成黑矩陣14。接著，在彩色濾光器13 以及黑矩陣14卜，价皮π上 依序形成具有約l〇〇nm至約I50nm的 315490 15 A , 又’由IZO所構成之對向電極15,以及配向膜（未圖示）。 最後’藉由在破璃基板1侧之配向膜與玻璃基板1 2側之配 α膜之間充填液晶層1 6 ’而形成如第5圖所示之液晶顯示 裝置。 參照第13圖’該第1實施形態之第1變形例之液晶 .“、頁示裝置’係在上述第1實施形態之構成中，於平坦化膜 9的上面’形成微細之凹凸形狀的擴散領域9d。此外，位 於與擴散領域9d對應之領域的反射電極30以及透明電極 3 1 ’亦形成反映擴散領域9 d之微細凹凸形狀的形狀。藉 此’使入射於反射領域60a的光擴散，故得以進一步提升 反射顯示時的顯示品質。 參照第1 4圖，第1實施形態之第2變形例之液晶顯 不裝置，係在上述第1實施形態的構造中，未在開口部9a 之傾斜側面上形成反射電極4 〇，而僅在平坦化膜9的上面 的預疋領域形成反射電極40。此外，在反射電極40上、 平坦化膜9的側面上以及位於透過領域6〇b的層間絕緣膜 6上，形成透明電極4卜由於開口部9a之傾斜的側面附近 的液晶分子的排列容易產生紊亂，因此藉由僅在平坦化膜 9的上面形成反射電極40 ’可防止入射於反射領域60a的 光在開口部9a的傾斜側面反射。藉此，可抑制反射光通過 位於傾斜的側面之液晶層1 6，進而抑制對比的降低。 (第2實施形態） 參照第1 5圖’在本第2實施形態中，不同於上述第j 貫施形態’係在玻璃基板（未圖示）上，或玻璃基板與緩 315490 16 1324272 衝層（未圖示）之間形成黑矩陣膜5〇。之後，在黑矩陣膜 50之與透過領域60b對應的領域，以圍繞透過領域6扑之 方式，形成由平面觀看時呈四角形狀的開口部5〇a。此外， 該開口部50a的側端部50b，係以越過平坦化膜9之開口 部9a之側端部9c所在的領域而延伸到透過領域6扑之方 式形成。亦即，該黑矩陣膜5〇，除了具有一般各晝素間之 遮光功能外，在進行平坦化膜9的曝光程序時，亦可發揮 抑制亂反射的光照射於側端部9c之形成領域的功能。 此外，不同於上述第！實施形態，閘極電極54的閘 極線54a以及輔助電容線55無須具備遮光膜的功能，因此 閘極線54a的侧端部54b以及辅助電容線55的側端部 55a’並未以越過側端部“所在的領域而延伸到透過領域 儀的方式形成。此外，在反射電極1()以及閘極線^之 間’從平面觀看時，係設有一定的間隔。此外，黑矩陣膜 5〇由金屬等導電體所構成時，係在黑矩陣膜5〇與主動層2 之間設置絕緣膜（未圖示）。此外，其他的構成係與上述第 1實施形態相同。 在第2實施形態中，如上所述，僅以黑矩陣膜5〇構 成可發揮遮光膜功能之膜，藉此，可以越過平坦化膜9之 開口部9a之側端部9c所在的領域而延伸 側的：式形成遮光膜（黑矩陣膜50)。因此，不同= 第1實施形態，在側端部9(：所在領域之下方，必然存在有 遮光膜（黑矩陣膜50)。因此，在形成開口部93之曝光程 序中，可抑制亂反射的光照射到側端部9c的形成領域。藉 315490 17 ^4272 此，由於可進一步抑制側端部9c的其中—部分被去除，故 可避免在側端部9c形成由亂反射的光所導致之凹部。因 此，可抑制反映反射電極丨〇之凹部的影像顯示於畫面，而 得以抑制顯示品質的降低。 此外’在第2實施形態中，由於用以在一般之各晝素 間進行遮光的黑矩陣膜50，亦可發揮在平坦化膜9的曝光 時用以抑制光的亂反射之遮光膜的功能，故無須另行追加 形成該遮光膜的程序。因此不會使製造程序複雜化。 此外，以上揭示的實施形態之各點均為例子而已，不 應將之視為本發明之限制。本發明之範圍，並不限於上述 實施形態之說明，而是如專利申請範圍所示，且包含與專 利申請範圍同等之意義以及範圍内之所有變化。 本發明，同樣可適用於使用薄膜電晶體（TFT)之主動矩 車聖液日日，.，.員不裝置以外的液晶顯示裝置。例如可列舉被動 矩陣型液晶顯示裝置或分段（segment)型液晶顯示裝置 此卜亦可適用於液晶顯示裝置以外的顯示裝置。 此外，遮光膜，只要至少延伸至平坦化膜之開口部的 f則端部即可。 方式，使反射電 如第16圖所示 使反射電極以延伸至閘極線的方式形

另外，以使反射電極與間極電極之間不會產生間隔的 315490 18 1324272 此外，亦可只在閘極線以及輔助電容線的其中一方， 構成遮光膜。 此外’亦可取代玻璃基板，而使用石英以及塑膠等所 構成的透明基板。另外，在基板上亦可省略緩衝層之設置。 另外’亦可取代IZO，而使用iTO(Indium Tin Oxide) 等透明導電體（包括所謂的半透明體）所形成的透明電極。 【圖式簡單說明】 第1圖為顯示本發明之第1實施形態之半透過型液晶 顯示裝置之構造的平面圖。 第2圖為顯示第丨圖所示之第丨實施形態之顯示裝置 的閘極線的形成領域的平面圖。 第3圖為顯示第1圖所示之第！實施形態之顯示裝置 之輔助電容線之形成領域的平面圖。 之門I:圖為顯示帛1圖所示之第1實施形態之顯示裝置 以及輔助電容線之形成領域的平面圖。 第圖為沿著第1圖所示之第1奋你开彡離之a* 的90 90始λα 、第1貝施形態之顯示裝置 J川90線的剖面圖。 第6圖為用以說明本發明之第 之製诰轺皮从 弟1貝她形態之顯示裝置

心裂W %序的剖面圖。 τ I 1實施形態之顯示裝置 1實施形態之|員示裝置 1實施形邊之顯示裝置 弟7圖為用以說明本發明之第 之製造程序的剖面圖。 第8圖為用以說明本發明之第 之製造裎序的剖面圖。 第9圖為用以說明本發明之第 315490 19 之製造程序的剖面圖。 第10圖氧y At w « Μ ’用以說明本發明之第1實施形慼之顯示裝 置之製造程序的剖面圖。 ^ 1 1 1§1 % _马用以說明本發明之第1實施形態之顯示裝 置之製造程序的剖面圖。 第1 2圖為用以說明本發明之第1實施形態之顯示裝 置之製造程序的剖面圖。 第13圖為顯示第1實施形態之第1變形例之顯示裝 置之構造的剖面圖。 第14圖為顯示第1實施形態之第2變形例之顯示裝 置之構造的剖面圖。 第1 5圖為顯示本發明之第2實施形態之半透過型液 晶顯示裝置之構造的平面圖。 第1 6圖為顯示第2實施形態之變形例之顯示裝置之 構造的平面圖。 第1 7圖為顯示具有傳統的凸狀絕緣膜（平坦化膜） 之半透過型液晶顯示裝置之構造的平面圖。 第1 8圖為沿著第1 7圖所示之傳統的顯示裝置之 190-190線的剖面圖。 la,101a 緩衝層 2a, 102a 源極領域 2c, 102c 通道領域 4,54,104閘極電極 U〇l 玻璃基板 2.102 主動層 2b,102b 汲極領域 3.103 閘極絕緣膜 20 315490 1324272 4a,54a，104a 閘極線 4b,5a，9c,104b，105a,109c 側端部 5,55,105 輔助電容線 6,106 層間絕緣膜 6a，6b,106a，106b 接觸孔 7,107 源極電極 8,108 汲極電極 8a, 108a 汲極線 9,109 平坦化膜 9a，9b,10a,109a，109b，110a 開口部 9d 擴散領域 10,30,40,110 反射電極 11,31,41,111 透明電極 12,112 對向基板 13,113 彩色濾光器 14,114 黑矩陣 15,115 對向電極 16,116 液晶層 20 光罩 20a,20b 開口部 45 Mo層 50 黑矩陣膜 50a 開口部 50b,54b,55a 側端部 60a, 160a 反射領域 60b,160b 透過領域 70 黑矩陣 109d 凹部 21 315490

Claims (1)

1. 第93102581號專利申請案 (98年9月7日） 拾、申請專利範圍— 一 K -種顯示裝置，係具有相對向的第1€極與第2電極， 並具有反射領域與透過領域之顯示裝置，其中具備有: 形成於基板上之鱼、+，d A. 之與則述反射領域對應之領域而使 前述第1電極與前述第2電㈣對向間隔在反射領域小 於透過領域的凸狀絕緣臈；以及 形成於前述凸狀絕緣膜下’且以越過前述凸狀絕緣 膜之侧端部所在的領域而延伸至前述透過領域側之方 式形成的遮光膜。 2. 如申請專利範圍第i項之顯示裝置，其中，前述凸狀絕 緣膜’係以從平面觀看時包圍前述透過領域之方式形 成。 3. 如申請專利範圍第丨項之顯示裝置，其中，另具備有： 形成於前述凸狀絕緣膜與前述基板之間，具有一對之源 極/汲極領域以及閘極電極的薄膜電晶體， 前述遮光膜，係由構成前述閘極電極之層的同一層 所形成。 4. 如申明專利範圍第1項之顯示裝置，其中，另具備有： 具有輔助電容線的輔助電容， 則述遮光膜，係由構成前述輔助電容之辅助電容線 之層的同一層所形成。 5. 如申响專利範圍第1項之顯示裝置’其中，另具備有： 形成於前述凸狀絕緣膜與前述基板之間的黑矩陣膜， 前述遮光膜，係由構成前述黑矩陣膜之層的同一層 22 315490修正版 1324272 第93102581號專利申請案 (98年9月7曰) 所形成。 6. 如申清專利範圍第5項之顯示裝置，其中，另具備有： 形成於前述凸狀絕緣膜與前述基板之間，具有一對之源 極/及極領域以及連接於閘極線之閘極電極的薄膜電晶 體， 由構成前述黑矩陣膜之層的同一層所形成的遮光 膜’係以延伸至前述閘極線之方式形成。 7. 如申哨專利乾圍帛1項之顯示裝置，其中，前述凸狀絕 緣膜之上面，係具有微細之凹凸形狀的擴散領域。 8. 如申„月專利範圍帛i項之顯示裝置，纟中，冑述凸狀絕 緣膜之側端部，係具有傾斜之侧面， 該顯不裝置另具備有：未形成於前述凸狀絕緣膜之 側面上而形成於前述凸狀絕緣膜之上面上的反射膜。 如申明專利範圍第i項之顯示裝置，其中，前述凸狀絕 緣膜之側端部，係具有傾斜之侧面， 5…員示裝置另具備有：形成於前述絕緣膜之上面上 以及側面上的反射膜。 1〇·如申請專利範圍帛1項之顯示裝置，其中，另具備有： 形成於前述凸狀絕緣膜與前述基板之間，具有一對之源 極/汲極領域以及閘極電極的薄膜電晶體；以及具有輔 助電容線的辅助電容， •前述遮光膜，係由構成前述閘極電極之層與構成前 述辅助電容線之層所構成。 1 1.如申請專利範圍第1〇瑁 #固矛ιυ項之顯不裝置，其中，構成前述 315490修正版 23 第93l〇258i號專利申請案 (98年9月7曰 木電極之層與構成前述輔助電容線之層， 所形占 保由问一層 所形成 12· —種顯示梦罢 _ "，係有基板、前述基板上的凸狀絕緣 2、雷J述基板上之第1電極、以及前述第1電極上之第 Z电極，且太并 晶層的顯示裝置乂電極與前述第2電極之間夾有液 展置，其中具備有： 盥一Γ S第1電極係由透明物質所形成’前述第1電極 /、則述1 2電極之距離為第丨距離之透過領域； 綾膜佶—述凸狀絕緣膜上含有反射體’藉由前述凸狀絕 述、則述第1電極與前述第2電極間的距離為短於前 以 距離之第2距離的反射領域；以及 &置在别述基板與前述凸狀絕緣膜之間的遮光臈， 月J述遮光膜係以越過前述凸狀絕緣膜之側端部所 在的領域而延伸到前述透過領域側之方式形成。 13. 如申請專利範圍第12 』裝置其中，前述凸狀 、，/ 、 從平面觀看時包圍前述透過領域之方式形 成。 14. 如申咕專利&圍第12項之顯示裝置，其中，另 =前述凸狀絕緣模與前述基板之間，具有一對之源 極汲，領域以及間極電極的薄膜電晶體， 月』述遮光膜’係由構成前述閉極電極 所形成。 增 K如申請專利範圍第12項之顯示裝置，其 具有輔助電容線的輔助電容， 有. 315490修正版 24 1324272 第93102581號專利申請案 (98年9月7日） 前述遮光膜’係由構成前述輔助電容之辅助電容線 之層的同一層所形成。 16. 如申請專利範圍第12項之顯示裝置，其中，另具備有： 形成於前述凸狀絕緣膜與前述基板之間的黑矩陣膜， 前述遮光膜，係由構成前述黑矩陣膜之層的同一層 所形成" 17. 如申請專利範圍第16項之顯示裝置，其中，另具備有： 形成於則述凸狀絕緣膜與前述基板之間，具有一對之源 極/汲極領域以及連接於閘極線之閘極電極的薄膜電晶 體， 由構成前述黑矩陣膜之層的同一層所形成的遮光 膜，係以延伸至前述閘極線之方式形成。 18. 如申請專利範圍第12項之顯示裝置，其中，前述凸狀 絕緣膜之上面，係具有微細之凹凸形狀的擴散領域。 19. 如申請專利範圍第12項之顯示裝置，其中，前述凸狀 絕緣膜之侧端部’係具有傾斜之側面， 該顯示裝置另具備有：未形成於前述凸狀絕緣膜之 側面上，而形成於前述凸狀絕緣膜之上面上的反射膜。 20. 如申請專利範圍第12項之顯示裝置，其中，前述凸狀 絕緣膜之側端部，係具有傾斜之侧面， 該顯示裝置另具備有：形成於前述絕緣膜之上面上 以及側面上的反射膜。 21. 如申請專利範圍第12項之顯示裝置，其中，另具備有： 形成於前述凸狀絕緣膜與前述基板之間，具有一對之源 25 315490修正版 1324272 第9310258〗號專利申請案 (98年9月7曰） 極/没極領域以及閘極電 助電容線的輔助電容 #膜電晶體；以及具有辅 if輔：膜’係由構成前述間極電極之層與構成前 述辅助電谷線之層所構成。 22.如申請專利範圍第21項之顯示裝置，其中，構成前述 閘極電極之層與構成前述輔助電容線之層，係由同一層 所形成。 23.如申請：利範圍第12項之顯示裝置，纟中，前述反射 領域的則述第2距離，係前述透過領域之前述第丨距離 之實質的1/2之距離。 26 315490修正版