TWI323291B - - Google Patents

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TWI323291B
TWI323291B TW095105913A TW95105913A TWI323291B TW I323291 B TWI323291 B TW I323291B TW 095105913 A TW095105913 A TW 095105913A TW 95105913 A TW95105913 A TW 95105913A TW I323291 B TWI323291 B TW I323291B
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Kenji Nagao
Kenichi Saito
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Mitsui Shipbuilding Eng
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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Description

1323291 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於光罩支持機構以及成臈裝置。 【先前技術】 在製造有機電激發光(EL,Electroluminescence)元 件的真空蒸著裝置方面,在底部設置加熱•蒸發(昇華)有 機材料的蒸發源(昇華源)。又,在真空蒸著裝置方面,與 φ 蒸發源相對配置且將玻璃基板支持的夾頭、以及在夾頭的 上部被配設且將覆蓋基板表面用的光罩支持的磁石被設 置。夾頭係為用以在平面維持玻璃基板的平板。且,在真 空蒸著裝置方面,用以將有機EL元件的圖案(pattern)形 成在玻璃基板的光罩成為可在夾頭(玻璃基板)和坩堝之間 配置的方式。又,光罩係稂據磁性體被形成。 在此真空蒸者裝置中,將光罩在玻璃表面覆蓋時,首 先,使玻璃基板和夾頭的底面接觸而裝著支持。之後,將 藝玻璃基板、以及在此玻璃基板下方被配置的光罩配合位 置’使光罩上升,覆蓋在玻璃基板。又,光罩係藉由被配 設在夾頭的上部的磁石的磁力被吸引,而被支持在夹頭面。 又,作為將在玻璃基板的下側配設的光罩藉由 基板的上側配設的磁石支持的揭露,例如,在專利文獻1 中舉出。 [專利文獻1]日本特開2002-75638號公報
2189-7759-PF 5 ^23291 【發明内容】 然而,將光罩在玻璃基板的下方配設之時,在玻璃基 板表面和光罩之間發生間隙。因此’藉由蒸發源被蒸發二 有機材料進入上述間隙,直到本來應被遮蔽的部份,亦即, 有附著至不應形成有機EL元件的圓案的部份的情形。因 此,無法將微細的有機EL元件的圖案在玻璃基板表面較精 確地形成。 第4圖係有關於習知技術,說明在光罩裝著時的光罩 的形狀變化的圖示。光罩係為具備既定的開口圖案被形成 的光罩薄膜、以及將此光罩薄膜的周緣部支持的框形的光 • 罩架的構成。又,將光罩靠近玻璃基板的話,磁石的磁力 .可均等地施加在光罩全面。亦即,將光罩丨在玻璃基板2 •覆盍時,自玻璃基板2的下方將光罩慢慢地靠近的話 (51) ’藉由在夹頭3的上部被配設的磁石*的磁力,光罩 1的中央卩係在上側急速地被拉伸,將玻璃基板2覆蓋 (52) ,之後,其周緣部將玻璃基板2覆蓋(S3)。因此,因 為光罩的全面係不會一次將玻璃基板覆蓋,由光罩中央部 至周緣部依序覆蓋’所以在光罩和破璃基板之間發生位置 偏差’無法將正確的圖案在玻璃基板上形成。 以又’即使將光罩和玻璃基板的位置配合時’將光罩靠 近玻璃基板’亦即,光罩在受到磁石的磁力的影響的範圍 中進行的話,藉由磁力的影響,光罩靠近玻璃基板,無法 正確地作位置配合。特別是,光罩的中央部係因為和光罩 的周緣部同樣的磁力會作用,磁力過強,光罩的中央部以
2189-7759孑 F 6 1323291 山形隆起,黏在玻璃基板。因而,在作位置配合時,在光 罩和玻璃基板之間必須空出一定量的間隙(不會受磁力影 響的距離),在位置配合終了後,將光罩靠近玻璃基板的 話,如上述般,因為自光罩的中央部至周緣部順序漸漸地 覆蛊在玻璃基板’在光罩和玻璃基板之間發生位置偏差, 無法將正確的圖案在玻璃基扳上形成。 本發明係提供即使將光罩靠近基板,維持光罩和基板 間的位置關係的光罩支持機構作為目的。 φ 又’提供具備光罩支持機構的成膜.裝置作為目的。 為了達成上述目的’有關本發明的光罩支持機構係為 由在成膜裝置的夾頭被裝著支持的基板覆蓋的磁性體所構 成的光罩的光罩支持機構,在和將上述夾頭的上述基板支 持的夾頭面的相反側,使複數的磁石散佈,以此作為特徵。 又’上述複數的磁石係在形成格子的格子點被配設作 為特徵。 又’在上述夹頭的中央部被配設的上述磁石的磁力係 • 比在上述夾頭的周緣部配置的上述磁石弱作為特徵。 又,在上述夾頭的中央部被配設的上述磁石的大小係 比在上述夾頭的周緣部配置的上述磁石小作為特徵。 又’有關本發明的成膜裝置,包括:成膜材料的蒸發 源;夾頭,與上述蒸發源相對被配設,裝著支持基板;以 及複數的磁石,在和將j:述夾頭的上述基板支持的夾頭面 的相反側’以格子狀的格子點被配設。 此時,在上述夾頭的中央部被配設的上述磁石係可配 2189-7759-PF 7 1323291 設比在上述夾頭的周緣部被配設的上述磁石的磁力弱的物 件。又,在上述央頭的中央部被配設的磁石係可配設比在 上述夾頭的周緣部配設的磁石的大小小的物件。 藉由使複數的磁石散佈,可將作用在光罩的中央部的 磁力作為比周緣部弱。因此,即使將光罩靠近夾頭時,將 光罩以水平狀態,亦即,可將光罩維持和破璃基板平行。 又,因為可將光罩靠近基板,可進行光罩和基板間的位置 配合,將光罩在基板覆蓋時的移動距離可變短,而可將作 • 業時間縮短。 又,藉由將磁石配設為格子狀,可將作用在光罩的中 央部的磁力作為比周緣部弱。 - 又,藉由改變在夾頭的中央部被配設的磁石的磁力和 在夾頭的周緣部被配設的磁石的磁力,可將作用在光罩的 • 中央部的磁力作為比周緣部弱。 又’也藉由改變在夾頭的中央部被配設的磁石的大小 和在炎頭的周緣部被配設的磁石的大小,可將作用在光罩 _ 的中央部的磁力作為比周緣部弱。 又’成膜裝置係因為支持光罩的磁石的磁力在光罩的 中央部和周緣部不同,所以光罩可覆蓋保持在水平狀態下 的基板。因此,在光罩和基板之間不會發生位置偏差,可 將正確的圖案在基板上形成。 【實施方式】 以下說明有關本發明的光罩支持機構和成膜裝置的最
2189-7759-PF 汪:::==== 第1圖係為有關實施例的真空蒸著裝置的說明圖。第 2圖係為說明在夾頭上被設置的有關實施例的磁石的配置 的圖示。在這些圖示中’真空蒸著裝置1〇係除了在其底部 具備有機材料U的蒸發源12(昇華源)之外,在其上部具 備夾頭14磁石16、基板夾持具18、以及光罩夾持具2。。 有機材料11的蒸發源12係具備使有機材料u進入的 坩堝12a’在坩堝12a的外面設置使有機材料n加赦·蒸 發(昇華)的加熱器12b。又’在真空蒸著裝置1〇的上部被 設置的夾頭14係在成為真空蒸著裝置1〇的裝置本體的真 Μ㈣’與㈣12a相對被配設,為沿著水平方向被配 置的平板°又’夾頭14係、藉由在真空蒸著裝置1 G的外側 上部被設置的迴轉機構(未圖示)而可水平迴轉。 又在夾頭14的上部方面,亦即,在和與支持夾頭 14的玻璃基板22的面(夾頭面)相反側,複數的磁石㈣ 散佈。這些磁石16對應於覆蓋玻璃基板22的光罩24的大 小被配設。又’磁石16係、作用在夾頭14的中央部的磁石 16的磁力被配設為比周緣部弱般即可。如第2(A)圖所示 瓜位在格子交叉的格子點般被配設即可。
又’複數的磁石16係如在第2(β)圖作為磁石16a、Hb 所示般,在夾頭14的中央部被配設的磁石16a的大小作為 比在夾頭14的周緣部被配設的磁石的16b小,作用在夾頭 2189-7759-PF ^23291 央部的磁石16的磁力亦可作為比周緣部弱般。又, 係亦可如第2⑷圖所示般,將在央頭14的中央部 石…的配置圖案和在周緣部中的磁石⑽的配置 化,將作用在夾頭14的中央部的磁石16的磁力作 為比周緣部弱的方式。
又’磁石16的配置位置和磁力係將由不鏽的 咖)和鋼板等的磁性體“的光罩24在靠近夾頭 生的光$ 24的中央部的延展,亦即,將被形成在 根據光罩24的變形的光罩24的圓案的開口尺寸的延展作 為在既定的值以内的方式被設定。此磁石16的配置位置和 磁力係,例如,因為根據夾頭14的厚度和材質、玻璃基板 的厚度和材質、光罩24的厚度和材質等變化,考慮這 些原因進行實驗和計算等而決定即可。 〜 基板失持具18係貫通真空蒸著裝置1〇的真空夾頭的 頂部,下部的前端部18a係為向夾頭14側(蒸著裝置的中 央侧)被曲折的鈎形’沿著夾頭14的側緣,複數個被配設。 由於這些基板爽持具18係藉由其前端部…(折曲部)將玻 璃基板22的緣部支持,各前端部—成為相同高度(同一 内)般被η又疋。又,基板夾持具18係藉由在真空蒸著裝 置1〇的外侧上部被設置的升降機構(未圖示),各前端部 18a係-面維持在同一面内的狀態面可升降。又,藉 由基板夾持具18上升使玻璃基板22在央頭14接觸成 為可以使其裝著支持為平面狀。 光罩夾持具20係貫通真空蒸著裝置1〇的真空夹頭的
2189-7759-PF 10 頂部,下部的前端部20a係為 央側)被曲折的钩形,沿著夾頭14和其:,者裝置的中 緣,複數個被配設1於這些光罩的側 部施(折曲部)將光罩24的 持,各^藉由其前端 相同高度(同-面_設定二 在真空蒸著裝置j 〇L A …、20係措由 元),ϋΛ 、卜彳邛被設置的升降機構(未圖 :降。J °Ρ ―係一面維持在同一面内的狀態,-面可 。此,光罩24係配設為可將真空室内移動在上下方 向。又’光罩24係具備對應於有機EL元件的各晝素的開 圖案被複數置的光罩薄膜24a、以及將光罩薄膜^ 的周緣部支持的框形的光罩框24t^ 且,基板夹持具18和光罩夾持具2〇係藉由在真空蒸 著裝置10的外側上部被設置的迴轉機構(未圖示),可和夾 頭14 一起迴轉。 其次,說明有關光罩24的裝著方法。第3圖係為光罩 的裝著製程的說明圖β又,在光罩夾持具2〇上方面,預先 配設光罩24。首先,玻璃基板22係藉由基板搬送機構(未 圖不)進入真空蒸著裝置1〇内,在夾頭14和光罩24之間 被插入。又,玻璃基板22係和上述基板搬送機構的下降動 作一起朝下方被移動,在基板夾持具18上被承載(S100)。 之後,藉由使光罩夾持具20上升,使光罩24移動至 上方,在光罩24上將玻璃基板22承載(S110)。又,光罩 夾持具20係持續被上升直到玻璃基板22接觸在夾頭14的 底面(夾頭面)為止(S120)。又,玻璃基板22係在光罩24 2189-7759-PF 11 1323291 上被承載且沿著光罩24成為水平,—面維持此水平狀態, 一面在夾頭14被抵接。 之後,將基板夾持具18上升直到接觸玻璃基板 22(S130)。藉此’玻璃基板22係一面藉由基板央持具u 維持水平狀態,一面在夾頭14被裝著支持。又使光罩夾 持具下降,使光罩24移動至下方,自玻璃基板22分開, 將光罩24和玻璃基板22作位置配合(sl4〇)。 之後,藉由光罩夾持具20使光罩24上升,將玻璃 板22覆蓋(S150)。又,作帛+ 作用在先罩24的中央部的磁石16 的磁力比作用在周緣部的磁石16的磁力弱。因此,可防止 光罩24的中央部向上方以凸狀變形,光罩24的開口圖案 不會變得比既定的尺寸大。又,因為光罩24係藉由維持和 玻璃基板22平行的平面狀態,覆蓋玻璃基板22,所以不 會產生位置偏移β 、’生過此光罩24的裝著製程之後,除了將玻璃基板22 和光罩24迴轉之外,同時藉由加熱器m使有機材料“ 加熱•蒸發,綠由φ g 。4 、,由先罩24,在玻璃基板22的表面蒸著, 在玻璃基板22上將既宁 ^ 行既疋的圖案形成之後,使光罩24下降。 藉有機EL το件被製造。又,即使在光罩24的下降時, 由於作用在光罩24的中央部的磁力比周緣部弱,光罩24 全體同時自玻璃基板22分離。 根據此光罩2 4 & & a 的係持機構,除了在夹頭14的上部使 磁石16散佈之外,因為姑 四馬破覆盍在玻璃基板22的光罩24的 中央部作用的磁石16的 的磁力作為比周緣部的磁力弱,所以
2189-7759-PF 12 1323291 * 將光罩24覆蓋在玻璃基板22時,可在保持光罩24的水平 狀態下覆蓋。藉此,因為在光罩24和玻璃基板22之間不 會發生位置偏差,可正確地將圖案在玻璃基板22上形成。 又,因為光罩24即使靠近央頭14,可維持和玻璃基 扳22平行的水平狀態,可使光罩24和玻璃基板22間的= 置配合時的光罩24和基板22間的距離縮短。因此,因為 使光罩24覆蓋在玻璃基板22時的光罩24的移動距離變 小’所以可縮短作業時間,可提高有機EL元件的製造效率。 • 又,在本實施例中,雖然利用作為成膜裝置的真空蒸 著裝置ίο,說明有關藉由此真空蒸著裝置1〇製造有機el 元件的型態,但並不限定於此型態。又,磁石16亦可為電 磁石。 本發明係可適用於在玻璃和半導體等的基板藉由真空 蒸者和濺鍍等形成薄膜的成膜裝置^ 【圖式簡單說明】 ® 第1圖係為真空蒸著裝置的說明圖; 第2(A)〜(C)圖係為說明在夹頭上被設置的磁石的配置 的圖示; 第3圖係為光罩的裝著製程的說明圓;以及 第4圖係有關於習知技術,說明在光罩裝著時的光罩 的形狀變化的圖示。 【主要元件符號說明】
2189-7759-PF 13 1323291 1 〇真空蒸著裝置、 14夾頭、 16磁石、 18基板夾持具、 20光罩夾持具、 22玻璃基板、 24光罩。
2189-7759-PF 14

Claims (1)

13232,91 修正日期:98.5.5 第095】059〗3號中文申請專利範圍修正本 十、申請專利範圍: 係由在成膜裝置的夾頭被裝著 1. 一種光罩支持機構 支持的基板被覆蓋的磁性體所構成的光罩的光翠支持機 構, 在和將上述夾頭的上述基板支持的夹頭面的相反側, 使複數的磁石被散佈; 其中在上述炎頭的中央部被配設的上述磁石的磁力係 比配置在上述夾頭的周緣部的上述磁石弱。 2. —種光罩支持機構,係由在成膜裝置的夾頭被裝著 支持的基板被覆蓋的磁性體所構成的光罩的光罩支持機 構, 在和將上述夾頭的上述基板支持的夾頭面的相反側, 使複數的磁石被散佈; 其中上述複數的磁石係被配設在形成格子的格子點, 且在上述夾頭的中央部被配設的上述磁石的磁力係比配置 在上述夾頭的周緣部的上述磁石弱。 3_如申請專利範圍第1或2項所述之光罩支持機構, 其中在上述夾頭的中央部被配設的上述磁石的大小係比在 上述夾頭的周緣部配置的上述磁石小。 4.如申請專利範圍第1或2項所述之光罩支持機構, 其中在上述夾頭的中央部被配設的上述磁石的磁力係,以 作為比配置在上述夹頭的周緣部的上述磁石小的方 配置圖案。 5· 一種成膜裝置,包括: 2189-7759-PF2 15 成膜材料的蒸發源; 夾頭,與上述蒸發源相對被配設,裝著支持基板;以 及 複數的磁石,在和將上述央頭的上述基板支持的爽頭 •面的相反側,以格子狀的格子點被配設; 其中在上述夾頭的中央部被配設的上述磁石的磁力 係’比配置在上述夾頭的周緣部的上述磁石弱被設定。
2189-7759-PF2 16
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