TWI322931B - Photoresist stripper - Google Patents

Description

1322931 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種光阻剝除劑，其使用於具有銅線路的半 導體裝置。 【先前技術】 近來在半導體裝置的線路形成技術中，運用了使用光阻的 平版印刷技術。當平版印刷技術形成通孔時，在通孔形成 之後，光阻藉由電漿等予以灰化’而灰化後的殘留物則藉 由光阻剝除劑去除。 远今為止為人所知的光阻剝除劑中，有一種剝除劑含 .有一種叔胺化合物、一種氟化合物、一種金屬螯合劑等， 其作用於主要由鋁組成的線路上（專利文件，有一種 光阻剝除劑含有一種叔胺化合物、一種螯合劑等.（專利文 件 2 ) 〇 · ·

[專利文件1]曰本未審查專利申請號碼2()(^-5()8239 [專利文件2]曰本未審查專利申請號碼2001-507073 再者，由於此類大型廣告的造價成本高昂，所以委託 廣告的費用並不低廉，對於某些廣告主而言，因經費有限 :或其廣告内容具有時效性或季節性，如長期委託廣告並不 符合經濟效益，但若作短期之委託刊登，則又面臨儀工拆 除及更換所衍生之成本問題，實有必要一併設法加以解決 改善者。 【發明内容】 決之問顳 1322931 同時’由於電晶體等裝置具有高性能趨勢，故半導體 裝置使用銅線路作為線路材料，並使用一層低介電常數膜 (下稱低介電膜）作為線路之間的絕緣膜。然而，形成銅 線路側面或通孔的低介電膜極易受到化學試劑的腐蝕或損 傷’且上述光阻剝除劑不能說具有足夠特性可抑制銅線路 腐姓。此外，通孔内的殘留物的可去除性仍待改進。在此 情況下，近來需要一種光阻剝除劑，其可抑制銅線路或低 介電膜受到腐姓或損傷’且亦具有卓越能力可去除灰化後 的光阻殘留物。 本發明的目的是要提供一種光阻剝除劑，其可對銅線 路或低介電膜產生較少的腐蝕年損傷，且亦具有卓越能力 .可去除光阻殘留物。 發明之構成 的解決方式

發明人進行了廣泛研究，想要找到一種光阻剝除劑可 解決上述’，結果他們發現—種含有-種叔胺化合物、 一種鹼性化合物、一種氟化合物及一種陰離子界面活性劑 的成分具有卓越特性可抑制銅線路或低介電膜損傷，且具 有卓越的光阻殘留物可去除性，終能完成本發明。 亦即，本發明是要提供-種光阻剝除劑，其特點在於 含有-種叔胺化合物、一種鹼性化合物、一種氟化合物及 -種陰離子界面活性劑（下稱本發明的剝除劑），及使用 本發明的剝除劑製作半導體裝置的一種程序。 6 1322931 發明之作用 依據本發明，可提供一種光阻剝除劑，其可對銅線路 或低介電膜產生較少的腐蝕或損傷，且亦具有卓越能力可 去除光阻殘留物。 【實施方式】 接下來將詳細說明本發明。 本發明的光阻剝除劑含有一種叔胺化合物、一種鹼性 化合物、一種氟化合物及一種陰離子界面活性劑。 本發明的光阻剝除劑中所含的叔胺化合物可使用任何 廣為人知的化合物，其中最好的是在氮原子上至少具有二 個燒基的叔胺化合物^ • .在氮原子上至少具有二個烷基的私胺化合物包括具有 三烷基的胺類化合物、具有二個烷基及一彳固氫氧烷基的胺 類化合物、在分子中具有二個烷基及一個環烷基的胺類化 合物、在分子中具有二個以上氮原子的聚胺類化合物等。 # 此處的烷基包括具有1-4個碳原子的烷基，特別是指 甲基、乙基、異丙基、η-丙基、丁基等。 上述胺類化合物中， 合物包括三甲基胺、三乙 中，詳細言之，具有三烷基的胺類化 二乙基胺、二甲基丁基胺等；具有二 個烷基及一個氫氧烷基的胺類化合物包括Ν，Ν—二甲基乙醇 胺、Ν，Ν-二乙基乙醇胺、ν，Ν-二異丙基乙醇胺、队心二_ η-丙基乙醇胺等；而在分子中具有二個烷基及一個環烷基

基胺、Ν，Ν-二異丙基環己基胺、Ν，Ν-二-η_ 丙基環己基胺 7 1322931 、n，n-— 丁基環己基胺等。此外，在分子中具有二個以上 氮原子的聚胺類化合物包括四甲基乙稀二胺、四甲基丙燒 二胺、四曱基丁烷二胺、四甲基戊烷二胺、四甲基己烷二 胺、Ν’ Ν，Ν’，N"，N"-五曱基二乙烯三胺、二（二曱胺乙基） 醚、二（3-二甲胺丙基）六氫_s-三氮六環。 本發明的光阻剝除劑可包含這些叔胺化合物的二種或 三種。 廷些之中，最好的是二曱基環己基胺 五曱基二乙烯三胺及二（2-二甲胺乙基）醚。 本發明的光阻剥除劑所含的這些叔胺化合物通常最高 可佔重1的5%，最好是佔重量的〇 〇〇1_5%，佔重量的 01-0.1%更好，佔重量的0 01_0 05%特別好。若叔胺化合物 的含量低於重量的〇顧或高於重量的5%， 抗腐蝕作用傾向於降低。 峪的 本發㈣光__所含的㈣化合物包括無機氣氧 、虱减季銨、烷烴胺類、嗎啉（氧氮六環）、二乙 締一胺、經胺等。 .氫氧化物包括氫氧域、氫氧化钾、氫氧化納等 指氫氧化四甲録、氫氧化四乙铵、膽鹼等 二乙醇胺、三乙醇胺、2, 乙醇甲基二乙醇胺、的-氨基乙氧) 括嗎琳、"基，二早，胺、二丁醇胺等；嗎琳包 二乙婦ι 乙基嗎琳等；而二乙烯二胺包括 u邱一胺、氫惫 飞虱乙基一乙烯二胺，基二乙烯二胺、 羥胺等。 本發明的光阻剝除劑可包含這些鹼性化合物中的二種 以上。 14些之中，最好的是氫氧化銨、氫氧化四甲銨、氫氧 化四乙銨、膽鹼等’而更好的是氫氧化四曱銨、氫氧化四 乙錢等。 當含有胺類化合物例如叔烷烴胺類、嗎啉、二乙烯二 胺等作為叔胺化合物時，不可含有上述驗性化合物。一 本發明的光阻剝除劑所含的鹼性化合物通常佔重量的 0.01-31% ’最好是佔重量的〇. 〇5_概，佔重量的〇•卜5.收 更好丄當濃度太低時綠可去除性傾向於降低；另一方 面’當濃·度太高Bf ’卿制域路或低介料損傷的特性 傾向於降低。本發明的光阻剝除劑所含的氣化合物包括氯 氣酸f氟化物鹽類，氟化物鹽類包括lUbm四甲基 按、氟化四乙基録等。 本發明的光阻剥除劑可含有這些氣化合物的二種以上 0 氟化物鹽類最好是非金屑睡相 ^ ^ 。 疋非金屬鹽類，其令最好的是氟化銨 本發明的光阻剝除劑所含 的0·。㈣，最好是佔重量的。。氟化α物通吊佔重罝 更好。 .〇1~U，佔重量的0.01-0. 1% ’光阻可去除性傾向於 則抑制鋼線路或低介電 當氟化合物含量小於該範圍時 不足；另一方面，當含量太高時， 1322931 的特性傾向於降低 膜損傷 本發明的光阻剝除劑特點在於含有一 性劑。當本發明的光阻剝除劑 、=界面活 非離子界面活性劑、陽離子界面活二界面:=取例如 γ界面活性_，則光阻可去祕不如陰離子界面= 必要時可含有其

同時，當含有陰離子界面活性劑時 他界面活性劑。 陰離子界面活性劑可指所有廣為人知的陰離子界面活 性劑，而其巾最洲是在分子結構中擁有二㈣上陰離子 官能基的那些陰離于界面活性劑。 本文中巧陰離子官能基-詞是指在水中具有陰離子性 的基團，具體例子包括形成磺酸的基團（下稱磺酸基）、 形成硫酸酯的基團（下稱硫酸酯基）、形成磷酸酯的基團 (下稱磷酸酯基）、形成羧酸的基團（下稱羧酸基）等。 本發明的光阻剝除劑最好使用具有磺酸基或硫酸酯基的陰 離子界面活性劑。 本發明的光阻剝除劑所含的陰離子界面活性劑可包括 具有下列結構的的化合物或這些化合物的鹽類。 本發明所使用的這類化合物包括具有磺酸基的化合物 ’例如績酸烧基二苯基謎’如分子式（1)所示，二續酸稀 基’如分子式（2)所示，磺酸烷基苯，如分子式（3)所示 ’續酸二烧基號珀酸酯，如分子式（4)所示，續酸單烧基 琥珀酸酯，如分子式（5)所示，續酸烧基苯氧乙氧乙基， 1322931 ，如分子式（6)所示，濃縮磺酸萘-福馬林，如分子式（ 7)所示，濃縮磺酸酚-福馬林，如分子式（8)所示，濃縮 磺酸苯基酚-福馬林，如分子式（9)所示等；具有硫酸酯 基的化合物，例如聚氧烯基烧基苯基醚硫酸S旨，如分子式 (10)所示，聚氧烯基烧基醚硫酸S旨，如分子式（11)所示， 聚氧稀基聚環苯基醚硫酸酯，如分子式（12)所示，聚氧烯 基芳基醚硫酸酯，如分子式（13)所示，甲基牛磺酸化合物 ，如分子式(14)所示，例如烷基曱基牛磺酸、醯基甲基牛

磺酸、脂肪酸曱基牛磺酸等；具有磷酸酯基的化合物，例 如聚氧烯基烷基醚磷酸鹽、如分子式（15)所示，聚氧烯基 烷基苯基醚磷酸鹽，如分子式（16)所示；具有羧酸基的化 • · 合物，例如脂肪酸，例如棕櫚油、油酸等，肌氨酸化合物 ，如分子式（17)所示，例如醯i肌氨酸、脂肪酸肌氨酸等 ;及具有磺酸基與羧酸基的化合物，例如烷基磺琥珀酸， 如分子式（18)所示，聚氧烯基烷基磺琥珀酸，如分子式（1 9)所示等。 具有磺酸基的化合物可指由下列分子式所示的化合物 [分子式1]

[分子式2] 1322931

XOjS—R —SOjX

[分子式3]

[分子式4]

[分子式5]

CH2C〇〇R

I

CHCOOX

I

SO3X

[分子式6]

C2H4OC2H4S〇3X

[分子式7]

[分子式8] 1322931

[分子式9]

[分子式10]

丨—(CmH2mO)ri—SO3X

[分子式11]

R—0 — (CmH2mO)n-SO3X

[分子式12]

0—(CmH2mO)n- [分子式13]

0—(CmH2mO)n-S〇3X 13 1322931 [分子式14]

!CH2S〇3X R-C-WCHj' 具有磷酸酯基的化合物可指由下列分子式所示的化合 物。 [分子式15]

R_〇_(CmH2m〇)R_p〇3X

[分子式16]

—0—(CmH2m°)n— 具有羧酸基的化合物可指由下列分子式所示的化合物 • · 分子式17] -C—nch2c 0 ch3

磺酸基與羧酸基的化合物可指由下列分子式所示的化 合物。 [分子式18]

R-O—C-CHsCHCOOX

A W

[分子式19] R—Ο—(CmH2mO)n

2—CHCOOX S〇3X 在以上分子式（1) - (19)中，X個別代表氫、鋼、敍 14 1322931 、雀弓或二乙醇胺類’而r代表具有γ_2〇個碳原子的烧基或 烯基。同時’ m代表2與4 (含）之間的一個整數，而η 代表1與20 (含）之間的一個整數。 此外’在分子結構中具有二個以上陰離子官能基的陰 離子界面活性劑可指烷基二苯基醚二磺酸、烯基二磺酸、 濃縮磺酸萘-福馬林、濃縮磺酸酚—福馬林、濃縮磺酸苯 基酚-福馬林或這些化合物的鹽類。 在這些之中，最好的是烷基二苯基醚二磺酸或其鹽類 ，而二鈉十二烷基二苯基醚二磺鹽或二銨十二烷基二苯基 趟一崎鹽及二乙醇胺十二烧基二苯基醚二續鹽則更好。 .本發明的光阻剝除劑可含有二種以上的這些陰離子界 面活性劑。 本發明的光阻剝除劑所含的陰離子界面活性劑通’常佔 重量的0. 001-10%，最好是佔重量的〇. ，佔重量的〇 •01-1%更好。若陰離子界面活性劑含量低於重量的〇 〇〇1% ，則光阻可去除性傾向於降低；另一方面，若含量高於重 星的10% ’則泡沫會增加，造成處理困難。 本發明的剝除劑含有水作為溶劑。 本發明的光阻剝除劑所含的水通常佔重量的40_99.98% ，最好佔重量的50-99. 98%，佔重量的70_99· 98%更好，佔重 量的90-99. 98%特別好。 此外，儘管先前工藝的光阻剝除劑一般已含有有機溶 劑作為主要成分，但本發明的剝除劑含有水作為主要成分 15 且仍展現卓越的光阻剝除作。 要成分的藥劍，原因是降崎 已*要含水作為主 最好也是含有大量的水兄負擔'而本發明的剥_ 、—此外，本發明的剝除劑必要時可包含一種水溶性 為㈣1 °作為這種用途的水溶性有機溶劑可包括 般醇類，例如甲醇、乙醇、 劑了匕括一 乙烯乙1 ^ @異丙基醇等，乙二醇類，例如 乙席乙4、乙婦乙二醇單、乙烯乙二醇單乙 w乙二醇單丁基_、二乙婦 乙一醇、二乙婦乙二醇單甲基驗、二乙稀乙二醇單乙 、二乙婦乙二醇單異丙_、二乙婦乙二 料 N-甲基_2-料燒、二甲基亞硬等广 等’ 當含有這些水溶性有機溶劑時]盆 除劑總重量的5%到識。.呼-含里佔本發明的制 此外，只要不偏離本發 路 劑必要時可包含其他成分。㈣園树明的飼除 ^類其他成分可包括各種界面活性劑’例如非離子或 %離子界面活性劑、過氧化氫水、s泡泳劑等。 此處’非離子界面活性劑包括聚氧縣絲_ 埽基垸基苯基_、聚氧職乙二醇㈣㈣、聚⑽ · 梨糖醇脂肪酸醋、山梨糖醇野脂肪酸酷、聚氧婦基山；糖 醇酐脂肪酸酯等的界面活性劑。 陽離子界面活性劑包括烧基三歹基錄鹽、院 、及院基二mm基健的界面活性劑。 胺 去泡沫劑可指乳化劑，例如㈣聚趟、特殊非離子 16 1322931 、脂肪酸自旨等，及水溶性有機化合物，例如^、乙醇、 丙醇、2-丙醇…基+丙醇、丙綱、甲基乙基酌等 當本發明的劑含有這些其他成分時，其總量通常 佔重量的o.m-5%，最好佔重量的〇期％。 本發明的剝除劑使用-種製作光阻剝除劑一般所知的 :法予以調整。明確言之，藉由混合（舉例而言）一種溶 ^與胺類化合物、驗性化合物、氟化合物、陰離子界面活 性劑等成分來取得剝除劑。 此外，本發明__可製作成料溶液，其含有相 ..對高濃度的個別成分，在使用時可將儲存溶液加水稀釋成 +發明的剝除劑的原始濃度。 本發明的剝除劑係用於製作半導體裝置所用的一種基 質’、其中連接到電晶體等元件的線路材料是由銅或以銅為 主成分的銅合金所組成。 _ 此處以鋼為主成分的銅合金是指含銅量佔質量㈣ 以上的銅合金’且包括含有異種元素例如錫、銀、鎮、錄 録、鈦、石夕、IS等的銅合金。這些金屬的低抗力特性可 改善元素的高速性能，同時它們易遭受腐钱作用，例如在 試劑中溶解、變質等，故使得本發明的作用顯著。 至於使用本發明的剝除劑製作半導體裝置的方法，可 指下列方法。 首先，將一層絕緣膜例如氧化矽臈形成在半導體基質 上’其上方已有電晶體等元件形成’並利用已知的CMp技 17 術及平版印刷技術將銅線路形成在絕緣膜上。接著將低介 電膜或氧化矽膜、氮化矽膜等形成在銅線路上。接下來， 在藉由平版印刷技術製作光阻圖案之後，光阻被當作罩幕 使用，並利用乾钱刻技術將通孔形成在介電膜等中。接著 以氧氣電漿（oxygen plasma)等藉由灰化來去除光阻然後 再次使用本發明的剝除劑去除遺留在通孔的殘留物。然後 ，一層鋼膜或鎢膜被嵌進通孔内，以形成一個中間層連接 塞。 由於蝕刻之後銅線路層被暴露在通孔的開口處，而低 介t常數膜則被暴露在通孔的内〶上，故剝除劑化合物必 •‘須針對銅擁有抗腐蝕作用，或針對低介電常數膜擁有抑制 扣傷·的特性。藉由使用本發明的剝除劑，可有效去除光阻 殘留物及蝕刻殘留物，而不會損傷銅層或低>電常數膜。 至於可以本發明的剝除劑處理的絕緣膜可指近來被當 作線路之間的中間層絕緣膜使用的低介電膜、作為傳統中 • 間層絕緣膜的氧化;5夕膜等。 可成為本發明的剝除劑處理對象的低介電膜不設限， 不膜的種類或形成膜的方法為何只要是一般所知即可

。本文的低介電膜在傳統上是指相對介電常數在3 〇以下 的一層絕緣膜C 此低介電膜可包括無機膜，例如FSG (含氟的Si〇2) 就（含碳的⑽2)及Si〇N (含氮的Si〇2);聚有機石夕氧 烧基膜，例如MSQ (曱基梦酸鹽）、HSQ (氫石夕酸鹽）、 MHSQ (甲基化氫石夕酸鹽）等；芳香膜，例如pAE (聚芳基 1322931 、此β (二乙稀基石夕氧貌_二_苯環丁稀η’·及有 ，例如SiLk、多孔SiLk等。 寺另i疋適用本發明的剝除劑來處理的膜可包括Si〇c 、、PAE (聚芳基醚）等。 處理本發㈣剝_的方法可包括沈浸法，將半導體 基質直接沈浸在本發明的剝除射；喷霧法，將本發明的 剝除劑喷㈣25-50個旋轉中的基質上；單—晶片轉動法

醚） 機膜 ’將本發明的剝除劑喷灑到一個旋轉中的基質上； 範例 ^ 接下來將以下列範例更詳盡說明本發明，範例的用意 絕不在限制本發明。. 〜 範例1 ^ 在銅線路上形成通孔的程序中，本發明的剝除劑的剝 除特性及抗腐蝕特性受到評估。 供作评估之用的樣本是以下列方式準借。 首先，將銅線路形成在矽晶片上，然後藉由電漿化學 氣相沉積（CVD)技術將-層SiOC膜，其為低介電膜，形成 於其上。接著，將一層正型光阻膜形成於其上，經過暴露 與發展’以產生一個光阻圖案。 此光阻膜被用作乾蝕刻低介電膜時的罩幕，並形成通 孔。在完成蝕刻之後，藉由氧氣電漿灰化將光阻膜灰化， 然後使用本發明的光阻剝除劑（稱作本發明的剝除劑i ) ，其具有如表1所示的成分，及如專利文件丨所述的一種 剝除劑（稱作對照剝除劑1 )來進行剝除處理，以觀察樣 丄丄 本在灰化之後光阻殘留物仍附著的情形。 剝除處理的進行方式是，於室溫下將樣本沈浸在剝除 片！内10刀鐘，接著用純水沖洗，以掃瞎式電子顯微鏡⑽ ),觀察樣本橫截面。評估了通孔底部光阻殘留物的剝除情 形、對於暴露在通孔底部的鋼線路的抗腐録、及對於暴 露的低介電膜(Si0C)表面的損傷，結果顯示於表卜 汗估準則於下文表示。 表 n，n.，n，，n"，n".-五曱基二乙 缔三胺類 四甲基氫氧化銨 乳化錄 二錄十二烷基二苯基醚二 續鹽木1 本發明的剝 對照剝除劑 除劑1 ------ 1 佔重量的 佔重.量的 0.01% ----- 45% 佔重量的 0.5% ------__ 佔重量的 佔重量的5% 0. 02% 佔重量的 0. 25% —------ 20 1322931 曱基乙醯乙酸鹽*2 佔重量的6% 水 佔重量的 佔重量的 99. 22% 44% 孔内殘留物可去除性 ◎ X 對於銅線路的腐蝕性 ◎ △ 對於低介電膜的損傷 *1 :在分子結構中具'有二個以上陰離子官能基的陰離子·界 面活性劑 · η ： 金屬螯合劑 [評估準則] 殘留物可去除性 極好 〇： 良好 稍微不足 X · 不足

對於銅線路的腐蝕性 ◎:無腐蝕 〇：輕微腐钱 △:出現腐蝕 21 x :嚴重腐蝕 對於低介電臈的損傷 ◎.無損傷 〇··輕微損傷 △:出現損傷 x :嚴重損傷 如表1所

殘留物可土队 的光阻剝除劑1具有良好的孔内 钱及損傷。二：:於鋼線路及低介電膜未造成任何腐 足，且對於銅線路造成的孔内殘留物可去除性不 範例 使用與乾例1相同的樣本與剝除劑成分，樣本以500 —P二旋轉’接文！分鐘的單一晶片轉動’剝除劑流動率為

母刀鐘15G ml ’然後用水沖洗卿、。接下來以掃聪式電子 顯微鏡（SEM)觀察樣本職面。評佑了通孔底部光阻殘留 的到除It形、對於暴露在通孔底部的銅線路的抗腐钱性 及對於暴路的低介電膜（Si〇c)表面的損傷，結果顯示於 表2 。 表2 本發明的剝 對照剝除劑 ----- 除劑1 2 22 1322931

N，N，N’，NM，N”-五甲基二乙 佔重量的 佔重量的 烯三胺類 0. 01% 0.01% 四曱基氫氧化銨 佔重量的 佔重量的 0.5% 0. 5% 氟化錄 佔重量的 佔重量的 0.02% 0. 02¾ 二録十二烧基二苯基醚二 佔重量的 磺鹽*1 0. 25% _ . · 聚氧乙烯月桂醚*2 ♦ 佔重量的 0. 25% 水 佔重量的 佔重量的 99. 22% 99. 22% 孔内殘留物可去除性 ◎ X 對於銅線路的腐蝕性 ◎ ◎ 23

個以上陰離子官能基的陰離子界 對於低介電膜的損傷 *1 :在分子結構中具有 面活性劑 非離子界面活性劑添加8摩爾的氧化乙烯 ，即=1:二?除劑顯示良好的孔内殘留物可去除性 日曰片轉動處理的情況下，且對於銅線 及低介電料造成任何腐缺㈣。此外，❹非離子界 面活性劑的情況與本發 發月的界面活性劑不同，其孔内殘留 物可去除性不足。 範例3 + 成分如表3所示的剝·除劑受到調整。藉由電鍍將銅層. =成^個石夕晶片上的方式來準備樣本.，於室溫下將此樣 沈汉在剝除劑内i分鐘。銅層餘刻量藉由測量钮刻前後 的厚度來確定，並以掃猫式電子顯微鏡卿觀察沈浸後 的鋼層表面，以檢查腐蝕情形。 表3 本發明的 本發明的 對照剝除 —---- 剝除劑2 剝除劑3 劑3 四甲基氳氧化銨 佔重量的 佔重量的 佔重量的 0.5% 0.5% 0.5% 24 1322931

氟化銨 佔重量的 佔重量的 佔重量的 0. 02% 0.02% 0.02% 二敍十二烧基二 佔重量的 佔重量的 0. 25 wt% 苯基醚二磺鹽*1 0.25% 0.25% 二（2-二曱胺乙 佔重量的 基）醚 0. 05% 二曱基環己基胺 佔重量_的_ ...................- 0. 05% 2-(2-氨基乙胺乙 佔重量的 醇 0. 05% 水 佔重量的 佔重量的 佔重量的 99.18% 99.18% 99.1% 銅層姓刻量（A) 0.6 6.1 39.4 對於銅層的腐 良好 良好 腐蝕 *ι :在分子結構中具有二個以上陰離子官能基的陰離子界 25 面活性劍 如表3所千 ,_ '、’本發明的剝除劑2與3含有二（2-二甲 胺乙其）， 、 ' ^ v 1 醚，此為在氮原子上至少具有二個烷基的胺類化 一一f基環己基胺，它們的銅層蝕刻量小，且表面 腐钱性亦良好。然而’對關除劑3含有在氮原子上無燒 基的胺類化合物，例如2-(2-氨基乙胺）乙醇，其納声钱 刻量大，並觀察到腐蝕。 26

Claims (1)

1322931 十、申請專利範圍： p年呼日修正本 “ 1 . -種光阻剝除劑，特點在於含有一種叔胺化合物，其 在氮原子上至少具有二㈣基，最高可佔重量的5%，一種 鹼陡化口㉗’其至少選自氫氧化季銨或烷烴胺類中的一種 ，通常佔重量的〇.〇1-m ’ 一種氟化合物，其至少選自氫 氟酸或氟化物鹽類中的-種，佔重量的讓_5%，以及一 種=離子界面活性劑，其在分子結構中具有二個以上陰離 子官能基’佔重量的〇. 〇〇1_1〇%。 2 .如請求項1所述的光阻剝除劑，特點在於鹼性化合物 自四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨及膽鹼中的一 種。 2 ·如請求項1所述的光阻剝除劑，特點在於氟化合物至 ' 虱氟酸、氟化録、氟化四甲基録及氟化四乙基錢中 的一種。 ^如明求項1所述的光阻剝除劑，特點在於叔胺化合物 疋在分子中具有一個環烷基的化合物或在分子中具有二個 以上氮原子的聚胺類化合物。 5如凊求項1、2、3或4所述的光阻剝除劑，在製作 半導體裝置的程序上可用來在製作以銅或以銅為主成分的 銅合金作為線路材料的半導體裝置，以去除光阻殘留物。 27