TWI321847B - Method for fabricating a back-side illuminated image sensor - Google Patents

Description

1321847 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種半導體製程，且特別是有關於一 種用以製造背光感測器的半導體製程。 【先前技術】 一圖像感測器具有排列成—柵格的像素【例如光敏 . 二極體或光電二極體、重設電晶體（reset • transist〇r)、源跟隨器電晶體（source f0ll0wer transistor)·固定層光電二極體（pinned layer photodiodes)和 / 或傳輪電晶體（transfer transistor)】，藉以記錄光的—強度或亮度。像素藉由 累積電荷以回應一光線一光越多，電荷累積越大。電荷 隨後可被另一電路使用，因而借此色彩和亮度可以運用 于合適的應用（例如數位相機）。最常見的像素柵格包含 電荷耦合裝置（CCD)或互補型金屬氧化物半導體（CM〇s) β 圖像的感測器（C I s)。 , 月光感測器（back_side illuminated sensor)用於 感應一束投射於一基材背面的光源。像素位於該基材的 刖側，並且該基材需足夠薄，因而這些像素才能感測投 射於基材背面的光。背光感測器與前側照明的感測器相 比，提供了高填充係數並且減少了破壞性的干擾。 伴隨背光感測器的一個問題是，爲了順利的加工晶 圓的背面’對應於一特殊器件層的光罩圖案必須準確的 7 1321847 與一現有的位於該晶圓前面的圖案對準。對準是確崎 位於晶圓上的圖案的位置、彳向及變形，然後將它：： 對於光罩欲投射圖像佈置於正確關係的過程。對準標吒 是位於光罩和晶圓上的用於確定它們的位置和方向的圓 案。然而，在當在晶圓的背面形成圖案的加工製程中， 用現有的工具來偵測和對準形成於晶圓前面的對準標記 很困難。因此，急需一種改進對準的方法以正確的^精 確的圖案化及加工背光感測器。 【發明内容】 因而，本發明提供了一製造一背光圖像感測器的方 法。在一實施例中，該方法包括提供一半導體基材，其 具有刖表面、背表面及清理區，提供複數電晶體、金屬 内連線及金屬焊墊於該基材前表面上。粘接一支撐層於 該基材的前表面’從背表面薄化該半導體基材。從該背 表面執行對準，並且使用一全局對準標記作爲參考，清 理該基材的背表面覆蓋精細對準標記之區域。從背表面 執行對準並使用該精細對準標記作爲參考，用以執行該 基材背表面的製程。在一些實施例中，該半導體基材爲 矽。在另外的實施例中，該半導體基材爲一矽上絕緣層 (SOI)設計。在另外的實施例中，該半導體基材是一磊 碎晶層設計。 在一些實施例中’全局對準標記由至少一 IX光罩圖 案形成於該基材的前表面上。在另外的實施例中，該精 8 該 些 離 記 記 準 Ο 通 準 〇 使 與 材 例 > 包 主 面 該 背 —1-~ 的 細對準標記借由至少一4)(光罩圖案形成於前表面上。 精細對準標記爲―鏡像類型的對準或覆蓋標記。在-實加例中，該精細對準標記包含-鄰近於-淺溝渠隔 、°構的金屬接點。纟另外的實施例中，該第二對準標 ^ 3金屬烊墊。在另外的實施例中，該精細對準標 匕3永溝渠°還有另外的一些實施例中，該精細對 標記包含一鄰近於…淺溝渠隔離結構的-多晶矽結構 在一些實施例中，該支撐層爲一透明玻璃，並且 過使用紅外線透過該透明玻璃而光學的對準該精細對 才$。己與鏡像類型的光罩圖案，從該背表面執行對準 在另外的實施例中，該支撐層爲一矽晶片，並且通過 用可見光透過該矽晶片而光學的對準該精細對準標記 一鏡像類型的光罩圖案，從該背表面執行對準。 在一些實施例中，該方法進一步包含使用一有機 料填充和平坦化該基材的清理後的區域。在一些實施 中 該有機材料爲一正光阻劑。在另外一些實施例中 該有機材料爲一負光阻劑。 在另一實施例中，製造一背光圖像感測器的方法 括’提供一半導體基材，其具有一前表面、背表面、 動區及清理區。形成一第一對準標記於該基村的前表 上’並形成—第二對準標記于該清理區的前表面上。 方法進一步包括粘接一支撐層於該基材的前表面。從 表面薄化該半導體基材。從背表面執行對準並使用第 對準標記作爲參考，在清理區内選擇性的蝕刻該基材 9 一部分。從背 考，用以執行 括形成一第一 紅、綠及藍 表面執行 該基材主 、第二及 彩色濾光 第 第二及第三摻雜 彩色濾光層上 該支撐層並光 _ 斜準標記，從 * 中’位於光罩 在另外一些實 覆蓋於第二對 方。在一 學的檢測 該基材的 上的對準 施例中， 準標記上 對準並使用第 動區的製程。 第三摻雜區于 層於該背表面 區對準，以及 些實施例中， 及對準第二對 背表面執行對 標記是第二對 .位於該光罩上 的鏡像形狀。 二對準標 該主動區 該主動區 上’並且 形成一微 通過使用 準標記與 準。在一 準標記的 的該對準 記作爲參 的製程包 内’形成 分別與該 透鏡於該 輻射穿過 一光罩的 些實施例 一鏡像。 標記爲·一 在另一實施例中，製造一電子器件的方法包括，提 供一具有一前表面和一背表面的基材，形成一第一對準 標記作爲在該基材前表面上全局對準之用，形成一第二 對準彳示§己作爲在該基材前表面上一清理區内精細對準之 用’使用第一對準標記來從背表面對準該基材，對準之 後’移去一部分位於該清理區内的該基材的背表面，藉 以定位該第二對準標記。在一些實施例中，該方法進一 步包括加入一支樓層至該基材的前表面。在一些實施例 中’該方法進一步包括在對準該基材之前減少該基材的 厚度。在另外的實施例中，第一對準標記利用一 1 X光罩 圖案所形成。其他的實施例中，第二對準標記爲一鏡像 類型對準或覆蓋標記，且利用一 4X光罩圖案所形成。 【實施方式】 10 132184/ x下面的揭露提供了許多不同的實施例或例子用 以只現各種實施例的不同特點。以下描述了元件和安排 的特疋例子’藉以使本發明容易理解。當然，這些僅僅不 過疋舉例而不是用來限定本發明β此外，本揭露可能會在 不5的例子中重復標號和/或字母。這種重復的目的是爲 了簡單和清楚’其本身並沒有規定所討論的不同的實施 或配置之間的關係。而且，如下描述中的一第一特 • 徵位於第二特徵的上方或上面的結構可以包括該第一 和第一特徵以直接接觸的方式成形的實施例，還可以包 括附加的特徵可能介入於該第一特徵和第二特徵之間成 形的實施例，這樣的話該第一和第二特徵可能不是直接 接觸。 參考第1圖，一晶圓5 〇具有複數背光圖像感測器的 電路古+ 1 Λ Λ ° βΤ 100。這些電路設計100包括複數的電晶體、 金屬内遠& . α 測器 信 參 、金屬接點、金屬焊墊以及其他電路，爲感 .供可運作的環境，並且支撐外部與感測器的通 日日圓50包括形成於晶圓前面 在以1又也空 1 圖案声的步-微影的時候，標記60,70可以與形成非β 非二 起印刷在晶®150的表面上。舉例來 關鍵圖案層可以是一應用於 曝夯於〗 阳圓50的光阻層^光！! 、U光罩下，然後進行一 5〇上執杆 ^ 圖案化的製程。在^ 上轨仃—蝕刻製程以形成對 光星平探5己60、70。由於々 元罩爲IX，對準標記60、

畀隹光罩上的標記的J 11 ::標記6〇、7。可以在後來的圖案化步驟中用作粗略 準之用。雖然第i圖中只顯示位於該晶圓相對兩邊的 兩個對準標記，對準標記的數量和排列是可以變化的。 現在參考第2圖，在一矽基材110上形成電路設計 10 0。另一種實施方式基材11〇可以包含—元素半導體 (例如鍺和金剛石），或基材11 〇也可以包含一化合物半 • 導體（例如碳化矽、砷化鎵、碘化銦、及碘化磷）。同樣 • 地，基材11 0也可以具有類似於絕緣體上矽（s〇的半導 -體的設計。基材110還可以包含一合金半導體（例如矽 錯、矽鍺碳、鎵砷磷及鎵碘磷 在本實施例中，基材110包含一重摻雜P型石夕。石夕 摻雜的製程可以利用離子植入或擴散等方式用不同步驟 來實現。一矽磊晶層（epi layer) 120通過例如化學氣相 几積法（CVD)生長於基材11〇上。磊晶層12〇的摻雜物濃 度低於重摻雜P型矽基材110。基材n〇和磊晶層12〇 癱共同形成了前面ill和背面m 如前所述’電路設計1 00包括電晶體、金屬内連線、 金屬接點、金屬焊墊以及其他電路147、148，形成於基 材丨1〇.的前表面111上。這些金屬内連線、金屬接點、 金屬焊墊以及其他電路147、148形成於一二氧化矽絕緣 層130内。氧化層13〇利用類似於化學氣相沉積（CVD) 的方法而沉積生成。儘管第2圖只畫出了一層氧化層 130’但是實際上可能有多層氧化層存在，作爲每一金屬 層之間或第一金屬層和該基材11〇之間的絕緣材料。基 12 1321847 材110可能進一步包含側向隔離特徵，例如一淺溝渠隔 離（STIM46結構以隔離基材上形成的不同元件。電晶 體、金屬内連線、金屬接點、金屬焊墊以及其他電路二7、 148可使用習知的製程和設備來製作。在此，保留與像' 素的主動區（active regi〇n) 15〇相聯繫的一些結構直 到處理所述晶圓50的背面時再根據第6圖和第7圖來 論。 wW) 電路設計100進一步包括對準標記，其在以4Χ光罩 微影以圖案化電晶體、金屬内連線、金屬接點、金屬焊 墊以及其他電路147、148時，形成於前表面ηι上。對 準標記可以是在4X光罩上的一條或多條線，隨後在印到 晶圓上時形成溝渠。另一種方式，這些標記也可以是在該 4X光罩上的一形狀覆蓋在已存在於電路設計上的標 記上面。例如，沉積—光阻層到晶圓5〇上’並於光丁 罩下曝光，隨後進行圖案化步驟。執行一蝕刻步驟於晶 圓50上以形成這些對準標記。由於使用光罩爲形 成於晶圓上的標記是那些在光罩上形成的標記的大小的 1/4。這些標記可以被用來在每一晶圓5〇曝光位置及後 續製程所使用的光罩之間作最终的對準調整，借此正確 f準確的形成電路設計1〇〇中的關鍵層。可以理解的 是，其他類型的光罩（例如5χ或1〇χ)也可以用來形成這 些對準標記。 舉例說明，這些對準標記可以在磊晶層12〇的一清 理區160内形成（在一表面141上或深溝渠142内）。另 13 1321847 一種方式’這些對準標記可以包含多晶矽丨43結構、金 屬接點144或金屬焊墊145。上述結構形成於所述清理 -區160内’鄰近於淺溝渠隔離（STI)146結構或在其上 方。深溝渠1 42和淺溝渠隔離1 46結構可以填充一絕緣 的氧化物。爲了說明的簡單和明確，全部的對準標記 141、142、143、144、145在第2圖中以緊鄰的方^來 表示。任何對準標記的結合或排列都可能會用到，這取 φ 決於晶圓5 0上所形成的電路設計1 0 〇。 ' 現在參考第3圖，藉由使用粘合劑將一支撐材料層 170結合到基材110的前表面1U上。支撐材料層i7S〇 可以包含一透明的玻璃或矽晶片。 現在參考第4圖，基材110可以從背表面112 一侧被 薄化及拋光’直至由基材保留的厚度丨丨3約4|jm。基材 厚度的減少可以利用背面研磨、金剛石擦洗、化學機械 拋光（CMP)或其他相近技術來實現。薄化處理形成一具有 • 新责表面212的梦基材220，以進行下一步的製程β 當從晶圓的背表面21 2進行對準時，形成於晶圓5 〇 前表面111上的對準標記141、142、143' 144、145不 能用傳統的設備（例如，ASML或KLA的設備）來進行光學 上的偵測。因此，在基材2 2 0的清理區1 6 0内，覆蓋於對 準標記141、142、143、144、145上的矽材料需通利用 一選擇性蝕刻步驟移去。 現在參考第5圖，一光遮罩180形成於一像素的主動 區150之上，無遮罩（unmasked)的對準標記141、ι42、 14 1321847 143、144、145位於保留的清理區ι6〇内。這可以從背 表面212與晶圓50的前表面U1上的對準標記6〇, 70(第 1圖）執行對準來實現。因爲對準標記6〇、是先前由 一 IX光罩形成的，這些標記可以傳統的設備來進行光學 #測，並且足夠用來圖案化背表面212以形成光遮罩 180。

以一光阻層應用於晶圓5 〇的背表面21 2上為例。一 包含圖案和對準標記的1X光罩可以與晶圓50上已存在 的對準標記60、7〇相對準。由於ιχ光罩是用來圖案化 晶圓5 0的背表面2丨2，丨χ光罩上的對準標記與形成於晶 圓5 0的前表面的對準標記6 〇、7 〇爲鏡像關係。一對準 系統照射（例如以紅外線或可見光）於對準標記6 〇、7 〇， 並杈射光線穿過1 X光罩上的對準標記，並投射到晶圓 5〇的月表面21 2上與1X光罩執行對準。對準系統使用 光學偵測器藉以偵測1Χ光罩標記和晶圓5〇上的對準標 Ζ 6 0、7 0。對準系統基於光學偵測器測量得到的位置資 料進行調整，以對準所述晶圓50和IX光罩。 旦對準，光阻層用IX光罩來曝光，接著進行 案化製程。圖案化製程形成光遮罩18〇覆蓋於主動區15〇 j以保留作進一步製程，並且保持清理區16〇不被覆 二在清理區16〇内的矽材料可以利用一選擇性化學蝕

製程來移去。由於主動p· 1 r Λ ,, ( Λ TO 自 紅15Q被光料180所覆蓋， =性钱刻製程僅僅移去位於清理$ _内_材料。 矽之後，保護主動區的光遮罩18〇亦被移去並且使 15 1321847 用一有機材料填充清理區16〇 # a , 尺，、I為十坦。有機材 科了以疋一先阻材料或一正或負型光阻劑。 =考第6圖’基材22。包括含有輕…型石夕的 主動區150及包含光阻115填充材料的清理區16〇。合 自背表面212處理主動ι15〇時，光阻劑ιΐ5填充材料二 以作爲一遮罩使用。因爲矽材料由清理區16〇移去，使得 傳統的設備可以用來進行對準背表面212與對準標記 141、142、143、144、145,從而正確及精確的圖案化基 材220的主動區1 5〇。 以一光阻層被應用於晶圓5 〇的背表面21 2上為例。 一包含圖案和對準標記的4X光罩，可以與已存在的對準 標記141 ' 142、143、144、145對準（在處理前表面ηι 時形成）。因爲4X光罩是用來圖案化晶圓5〇的背表面 212，這些4X光罩上的標記是形成於前表面丨丨丨上的對 準標記14卜142、143、144、145的鏡像。另一種方式， 4X光罩上的標記可以是鏡像的形狀，其就像盒中盒 (box-in-box)結構一樣覆蓋在已存在的對準標記141、 U2、143、144、145上。一對準系統照射（例如紅外線 或可見光）於對準標記141、142、143、144、145上，投 射光線穿過4X光罩上的對準標記並投射到晶圓5〇的背 表面21 2上，與4 X光罩的執行對準。對準系統使用光學 偵測器藉以光學檢測4 X光罩對準標記和形成於電路設 計100上的對準標記141、142、143、144、145»對準 系統基於光學偵測器測量得到的位置資料進行調整，以 16 1321847 對準晶圓心4X光罩。這些標記可以被用來在每一晶 固曝光位置及4Χ光罩之間作最終的對準調整，並借此正 確及準確的在主動區15〇中圖案化一像素的接面植入 (junction implant)，彩色濾光層及微透鏡。其他類型的 光罩（例如5X或10X)也可以用來圖案化晶圓5〇的背面， 並且其取決於用來在前面形成對準標記1411 42 143、 、145的光罩的類型。

在本實施例中，電路設計100包括複數個像素。這些像素 每個都包含一感光區域（或Ph0t0-sensing regi〇n—)。在

本實施例中其爲一形成於基材220的主動區15〇中的具 有摻雜劑的N型摻雜區域，借由如擴散或離子注入等方 法形成。本實施例之摻雜區域進一步標註爲19〇R、i9〇G 及1 90B，藉以分別代表红、綠及藍光的像素。在某些實 施例中，摻雜區域190R，190G，190B彼此之間可以有:差 異，例如擁有不同的連接深度、厚度等等。這些列舉出來 的紅、綠、藍的波長只是爲了舉例，並且這些像素以光電 二極體作爲圖示也是爲了舉例。其他像素類型包括重設 電晶體（reset transistor)、源跟隨器電晶體（s〇urce follower transistor)、固定層光電二極體（“⑽以 layer photodiodes)和 / 或傳輸電晶體（transfer transistor) ° 現在參考第7圖，電路設計ι〇〇進一步包含一彩色淚 光層195。彩色濾光層195可以支援數個不同的彩色濾 光層（例如、紅、綠及藍），並且可以被定位以使其上附帶 17 1321847 的光被定向》在一實施例中，這樣的彩色_透明層可能包 含一聚合材料（例如，基於丙烯酸（酯）類聚合物的負光阻 劑）或樹脂。彩色濾光層1 9 5可能包括含有彩色色素在内 的基於丙烯酸（酯）類聚合物的負光阻劑。本實施例中， 彩色濾、光層195R、195G及195B分別對應於帶有摻雜區 域190R，190G，及190B的像素。 電路設計100可能包含複數透鏡196(例如微透鏡），

伴隨像素和彩色濾光層1 95而變化位置的排列這樣可 以使背光200聚焦於感光區域。

電路設計1〇〇設計成爲在應用中定向朝向基材 的背面接受光照200,排除任意由其他物體例如電極特 徵和其他電路147、148所引起的對光路的阻礙，並且使 暴露於照射光線的摻雜（感光）區域19〇R、19〇G、及ig〇B 最大化。照射光線200可以不局限於可見光束，還可以 是紅外（IR)、紫外（UV)或其它輻射。 前述内容已經概括了幾個實施例的特徵，因此習知 本領域的技術人員可以更好的理解隨後的詳細說明 =領域的技術人員很容易以本發明爲基 =他的製程和結構以實現同樣的目的和/或得二戈： 此"紹的實施例同樣的效果。習知本領域的技術人員 ^應該瞭解這樣等效的結構都不脫離及: :精::::的各種改變，替代及變形都不脫= 18 丄 JZiOH· / 過下述的說明及相應的附圖更加容 是，與産業上的標準實踐相—致的是 同的比例畫出》實際上，不同特徵的 増加或減少以使討論更加清楚。 的俯視圖，其上具有一背光圖像感

【圖式簡單說明】 本發明的内容通 易理解。值得強調的 不同的特徵沒有以相 尺寸可能會被任意的 第1圖爲一晶圓 測器的電路設計圖案 第2-7圖爲根據本發明一個或多個實施例造/背 光彩色圖像感測器的剖面圖。 【主 要元件符號說明] 50 晶圓 100 電路設計 111 前表面 115 光阻劑 130 氧化層 142 深溝渠 144 金屬接點 146 淺溝渠 150 主動區 170 支撐材料層 190R 、190G、190B 摻雜 195R 、195G、195B 彩色瀘 200 背光

60、70 對準標記 110、220 基材 11 2、212背表面 120 遙晶層 141表面 143多晶矽 145金屬焊墊 147、148其他電路 16 0 清理區 18 0 光遮罩 區域1 9 5 彩色濾光層 光層1 9 6透鏡 19

Claims (1)

1321847 十、申請專利範圍： 1 · 一種製造背光圖像感測器的方法，至少包括： 提供一半導體基材，其具有一前表面和一背表 面； 形成複數電晶體、金屬内連線及金屬焊墊於該 基材的前表面上； 粘接一支撐層於該基材的前表面； 從該背表面磨薄該半導體基材， 從該背表面執行對準，並且使用一全局對準標 記作爲參考，清理該基材的背表面覆蓋一精細對準 標記之區域；以及 從該背表面執行對準，並使用該精細對準標記 作爲參考，用以執行該基材背表面的製程。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該半導 體基材爲一矽。 3·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該半導 體基材爲一矽上絕緣體的設計。 4.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該半導 體基材爲一磊晶層矽排列。 5·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該全局 20 1321847 對準標記利用至少一 1 X朵罢π 前表面上。 口本，形成於該基材的 6 ·如申請專利範圍第1項所述 對準標記利用至少一 4Χ光 之方法，其中該精細 益矣而卜。 圖案，形成於該基材的 對 準標記爲-鏡像類型對方法，其中該精細 一兄復蓋標記。 8 ·如申請專利範圍第7項 ^ it i® ^ ^ ^ 之方法，其中該精細 對準標δ己包括一結構，其係選 Μ ,θ - ^ ^ ^ 自由金屬接點、金 屬知墊冰溝渠及多晶珍所組忐 叮、且成的群組之一。 9.如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該金屬 接點和多晶石夕結構鄰近於一淺溝渠隔離結構。 10·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該支 撐層爲一透明玻璃。 11.如申請專利範圍第10項所述之方法，其中藉由 使用紅外線穿過該透明玻璃，並以一鏡像類型的光 罩圖案對準該精細對準標記’從該基材的背表面執 行對準。 21 1321847 對準。 坦 12.如申請專利範圍第i項所述之方法，其中 樓層爲一石夕晶片。 13.如申請專利範圍第12項所述之方法，其中 使用可見光透過該矽晶片’並以一鏡像類型的 圖案對準該精細對準標記，從該基材的背表面 14 .如申請專利範圍第1項所述之方法’進一 括使用-有機材料填充並使該基材W清理區變 15如申請專利範圍第1 4 賊·、+、 , 吗乐丄4項所述之方法，其年 機材料爲一正光阻劑。 t如申請專利範圍第14項所述之方法，其4 機材料爲一負光阻劑。 =如申請專利範圍第1項所述之方法，其中 該基材背表面的製程更包括： 形成帛一、第二及第三掺雜區於該基材 主動區内； 形成紅、綠及藍彩色渡光層於該基材的 該支 ’藉由 光罩 執行 步包 平 r該有 r該有 執行 的一 背表 22 1321847 面上，並且分別與該第一、第二及第三摻雜區對準； 以及 形成一微透鏡於該彩色濾光層上方。 1 8 _ —種製造背光圖像感測器的方法，至少包括： 提供一半導體基材，其具有一前表面、背表面、 主動區及清理區， 形成一第一對準標記於該基材的前表面上； 形成一第二對準標記于該清理區的前表面上； 粘接一支撐層至該基材的前表面； 從背表面磨薄該半導體基材； 從背表面執行對準，並使用該第一對準標記作 爲參考，在清理區内從該背表面選擇性的蝕刻該基 材的一部分；以及 從背表面執行對準，並使用該第二對準標記作 爲參考，用以從該背表面執行該基材的主動區的製 程。 19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中藉由 使用輻射穿過該支撐層，並以一光罩圖案上的對準 標記檢測及對準該第二對準標記，從該基材的背表 面執行對準。 20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中位於 23 該光罩圖案上的對準標記 像0 爲該第二對準標記的一鏡

第二對準標記上β 項所述之方法，其中位於 I 一鏡像形狀，覆蓋在該 一種製造電子裝置的方法 提供一具有二前 农罝的方法，至少包括： 前表面和一背表面的基材 形成一第一對準標記作爲在該基材前表面上全 局對準之用； 形成一第二對準標記作爲在該基材前表面上一 清理區内精細對準之用； 使用該第一對準標記從該背表面對準該基材； 以及 對準之後，移除一部分位於該清理區内的該基 材的背表面，藉以定位該第二對準標記。 23 ·如申請專利範圍第22項所述之方法，更包括加 入一支撐層至該基材的前表面。 24 ·如申請專利範圍第22瑣所述之方法，該方法進

24 1321847 25 .如申請專利範圍第22項所述之方法，其中第一 對準標記係利用一 1 X光罩圖案所形成。 2 6.如申請專利範圍第22項所述之方法，其中第二 對準標記爲一鏡像類型對準或覆蓋標記，且利用一 4X光罩圖案所形成。

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