TWI312815B - Plasma processing apparatus - Google Patents

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Young Joo Hwang
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Description

1312815 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一電漿處理裴詈，豆扁 一 =Γ及使用該議理-基板。中的- 使用电漿以處理-基板表面 製造半導體裝置及液晶顯示获罢从、:二，置已廣泛使用名 括-電漿蝴裝置，用㈣巾。錢漿處理裝置台 相沉積_裝置，用以執反ά’及一電漿化學翕 f平行設置。及2〇, 此，下電極20可稱為，，_基板底座，，。踩下电極2〇上。因 外部升高銷3〇及數個 成的空間中，並可垂直地移"^、。电水處理裳置1的側壁之間形 的氣體，及使用電漿除電黎處理裝置！中 持電漿處理裝置1的—真空狀離。ΰ又置的一泵（未顯示）以維 上電極10位於崎下電極 處理氣體供應單元，用以供置。上電極1G作為-2〇間的一空間，以及作.」=乳體到上電極10與下電極 氣頭12連接到上電極1〇的_^ $ ° ’如圖1所示，一淋 氣體擴散孔U，其1有部。淋氣頭12具有複數個處理 有細小直從。'淋氣頭12均-地供應該處 1312815 理氣體到上電極10盥ΟΛ βΒ ' 極20間的空間的處理 ®〇 、喊辨㈣換成電漿，及該《處理基板s的表 媒。ίϊϊί 成’帛以在其_環-冷 置以遍及上電極10的所有‘！’及均—地設 一冷媒收集管18。因此，冷媒通道16 f到 -新冷媒，及送回廢冷_A 自冷媒供應官Π接收 冷媒通道16用以防Α電'後處7 · a此循環該冷媒。 產生導致淋氣頭12溫度執行的過程中因電浆 ^傳^電漿處理褒置i具有』 乳碩12中形成，卻在上電 :未直接在淋 地冷卻’因此不易控制淋氣頭12二，。$淋氣頭12間接 由於難以控制淋氣頭12溫度而增加r夺%度 再製性。 手雜刻中的均一性，藉此劣化電漿處理的 【發明内容】 供因3二有鑑於上述問題而提出本發明，及本發日月的目的為摇 提高電讓處理的再製性。 接 淋乳頭的温度’藉此 在漿處理裝置，其包括-安裝 氣頭的間的熱傳齡元，藉此輕易地調整該淋 ^康本發明的概念，上述及其他 在-維持於=空= 括·上電極及下笔極，其個別地設置在該腔體的上部及下 1312815 加高頻功率到該腔體中；—淋氣頭，其連接到該上 1二辞，用以擴散一處理氣體到該腔體中；一冷媒通i， i ·及"中通過該淋氣頭，用以提供—通道以通過—冷 的其，到r媒通道的兩端，“ 該冷媒，簡^^的―及自該冷媒通道的另一端收集 -^ ’提供—種電漿處理裝置，其用以在 理=中的腔財產生電漿，及使用該電漿以處 钟罢二分心电水處理裝置包括：上電極及下電極，其個別地 又;腔^^上部及下部，用以施加高頻功率到該'腔體中； 分，用以擴散一處理氣體_腔體中； 提供-通道二二= 的;ΐ面接觸該淋氣頭的上表面及該上電極 ，下U以傳輸該淋氣頭的熱到該上電極；及—冷媒循^ 冷媒通道的兩#，用以供應該冷媒到該冷媒 12二】 通道的另—端收集該冷媒。、 〈第以-下3=至關詳蝴明本㈣的數倾佳實施例。 包’1=據本發第—實施例的電Ε處理裝置100 升高銷⑽、數個排氣單Γ Η0 Λ，150、_内部 -,Λ见^ ,, - , + 7 , 一處理氣體供應單元（未顯 功3體上與-傳統電 1處：置3二及: 5忍為不需再贅述’因此省略其詳細說明 在此實施例找漿處理裝置1QQ的上電極⑽及淋氣頭15〇

Claims (1)

1312815 8. 十、申請專利範圍·· L 理裝置，用以在-維持於-真空狀態中之-腔體中 ^if漿，及使用該電漿以處理一基板，該裝置包括： 設置在該腔體之上部及下部’用以 該係連接至該上電極之下部，用以擴散一處理氣體至 、首，係在該水平方向巾通過該淋氣頭，用以提供-通 :，頭呈繞線嶋於該淋氣頭 媒，以循環該ii。 冷媒通道之另一端收集該冷 2·=請專利細第丨項所述之賴處理裝置， ίϊϊ這處ί該淋氣頭上表面刻有複數個凹槽：、。又^ 凹===第if所述之電漿處理裝置，其中在沿著該等 複牙透該淋氣頭而形成用以通過該處理氣體之 4.利範圍第3項所述之電漿處理裝置，其中該冷媒循環 至該冷媒通道之一端及外面，用以供應 集該r通道之另-端及外面，用以從 果’係連接至該冷媒供應管及該冷媒收集管，用以 冷雜鮮韻冷魏絲通雜之上壁，及連接 &如申料纖_ 4項所述之賴處縣置，其中該冷媒循環 16 1312815 6· 產生電聚，及使狀態中之—腔體中 施加高頻=力===地設置细腔體之上料下部，用以 8. 9. 10. 出的邊 :冷媒通道’係在該水平方向中通過該上 道以通過從外界供應之一冷媒； :熱:輸：元’係接觸該淋氣頭之上表面及該上電極 ，用以傳輸該淋氣頭之熱至該上電極；及 用以供應該冷 媒。 鳊及自該冷媒通道之另一端收集該冷=====聚處理裝置，其中該熱傳輸單 =請專利細第7項之賴處理裝置，其中該熱傳 如ΐίΪΙ由圍互相分開之熱傳輸銷。 ιϊ所述之電襞處理裝置，其中該熱傳輸單 ^括獲數個以-彳日&間距而互相賴之熱傳輸板。 括==第7項之電聚處理裝置’其_輸單元包 緣部 .電極，用以提供—通 1.，申請專利範圍第9項所述之電漿處理裝置，其中通過該處理 氣體之複數個孔係穿透該熱傳輸板之水平方向而形成。 12.所述如申2專利範圍第1Q項所述之電漿處理裝置，其中在該 水平方向穿透該熱傳輸栅格而形成用以通賴處理氣體之複
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