TWI310581B - Substrate proximity processing structures and methods for using and making the same - Google Patents

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TWI310581B
TWI310581B TW096125205A TW96125205A TWI310581B TW I310581 B TWI310581 B TW I310581B TW 096125205 A TW096125205 A TW 096125205A TW 96125205 A TW96125205 A TW 96125205A TW I310581 B TWI310581 B TW I310581B
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Carl Woods
Michael G R Smith
John Parks
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Description

1310581 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體晶圓之處理，尤有關 加〜體並自晶圓表面移除流體而同時降低 =^也施 本之設備及技術清理。 卞夂減少清理晶圓成 【先前技術】 於半導體晶片製程中，眾所周知有需要使 乾燥及電鍍輯作來處理晶圓。於每—種此青理、 體典型上會被施加或者被移除，以便進行 鍍程序。 』π理、乾煉及電 p』此而要實施晶圓清理，而此等製程择作夷也丨品 ΐ電^TmEB))及化學機械研磨_+等“ 以ϊ=ΐ!^ϊ ί 種包含化學劑及研磨材料的研聚 餘物。若μ θ μ ’此製料於在晶齡面歸鄕顆粒及殘 ίιΐ θ丨錄的殘餘物f及顆粒可能造成除此之 卜的缺1¾ ’例如阳圓表面刮傷及金屬化特徵部間的不當交互作 ，。在一些案例中，此等缺陷可能造成晶圓上之裝置無法運作。 ίϊίΪΐΐίϊ法操作之裝置的晶圓所造成之不當成本，因此 殘留夕餘殘餘物的製程操作後，有必要對做充分 而有效的清理。 亡在晶圓被溼式清理後，必須有效地令其乾燥以防止水或清理 ^殘液在晶圓上留下殘餘物。若允許晶圓表面之清理流體出現 m時經常發生喊魏象，_餘物或先前轉在清理流 體中巧染物將在蒸發後殘留在晶圓表面(並例如：形成污點）。為 =止瘵發發生’必須將清理流體儘快移除，而不致在晶圓表面形 成液滴。為圖完成此舉，可採用如旋轉乾燥法、異丙醇(ιρΑ)、或 5 \, 1310581
HfMrrni)乾燥法等數種不同的乾燥技術其中之-。此 ΐίίί術皆運用到晶圓表面上之某種形式的移動液/1界面，i 仔當贸即可乾燥晶圓表面而不致形成液滴。可惜的是，^ 發生/導致污染物殘留在晶圓表面上。當今最卢ΐί 用的乾餘處理技術為旋轉沖洗乾燥法(SRD) 〇 ^ 後體係由晶圓中心被拖$至晶圓外側，最 方向箭號16所示。當清理流體被拖離晶圓時
、、古移動液/界*所形成的圓之内部區域是沒右 二體:’而移動液/氣體界面12所形成的圓之 以J ，。因此，，著乾燥程序的_，位在移動液/氣界面12】忿t 域)則會減少。如上所述，若移動液/氣界面&夕 ===區 2液滴將形成於晶圓上’而污染則可能由於液滴鄉而jh =。因此，#乾燥處_序持續進行 $ 果，的水為基礎_到= 觸。又由於表面張力_卩因分子氫鍵），此 丄、有内聚傾向。因此，由於疏水性交互作用以及 &理 1310581 此方 、一 ^日日圓表面上。此液滴的形成導致了先前討論到的有宝基 id的，制在作用於液滴的離心力為最小的晶^ ϊ心處 2厭重。結，是，雖然SRD程序是#前最常料晶圓乾燥處理 、式，但特別疋當吾人將此方法用於疏水性晶圓表面上 法不易降低形成於晶圓表面上之清理流體液滴。、 以 此外，於其他如清理、蝕刻、及電鍍的晶圓處理操作中， 可減少料並增加產率之有效对麟觀 及將之從晶圓上移除，亦有其難處。 曰圓上 +曰f人需種方法及賴，其可藉㈣日日日®進行可減 表面上之污染沈積物之最適流體管理及施加，以避 =之缺失設備。當今時常發生的沈積物則降低了可接受晶圓的 產率並增加了製造半導體晶圓的成本。 【發明内容】 發明的綜合說昍 而言，本發賴由提供—種具有管理晶®表面流體之能 二，時此降低晶圓污染的基板處理(例如：乾燥、清理、触刻、 電鍍等)設備，來滿足了此些需求。應瞭解的是：本發明是 多方式實施的’包括作為—程序、—設備、―系統、—裝置、或 一方法。茲將本發明之幾個發明實施例說明於下。 /於-實施例中，提供了一包含外殼之設備，其係用以產生待 形成於基板表面之流體彎液面，其中該外殼包括一置放於靠近基 板之基板表面處之外殼表面。此外殼更包括一處理結構接受區 域’其為外殼表賴包g。該設備亦包括—具錢人表面之處理 結構内嵌物，其中該處理結構内嵌物係定義為密合於外殼之處理 結構接受II域内，俾使嵌人表面及外殼表面界定出一可置放於靠 近基板之基板表面處的近接面。 於另一實施例中，提供了一種用以產生處理基板之流體彎液 l3l〇581 面之設備，該稍包括-具有複數之導管之歧管表面 ， 该複數之導官制財其極赌基板雜基板表 液面。該歧管頭具有複數之可使«與該複數^ t該設備亦包括—可貼附至該歧管頭之-部分 该介面膜係甩來封鎖該複數之導管之一部份。 1臊/、中 於^-實施例中’提供了—種處理基板之方法，其係利用 j於外舶部之處理結勒絲，該方法包括經由外殼及處理 中ϊ:ΐί一入口以將第一流體施加至基板表面； 該方法亦包括.經由該處理結構内嵌物之第二人σ 甘—^另+!知例中’提供了一種處理基板之方法，盆係利用· ^ ί ϊ、ί ίΐ ίΓ部時關產生㈣f液_處^結構内i 物該方法已括產生-額外的處理結構内嵌 忒:二於原流體彎液面之不同結構;該方法更 液面。 "方林包括於基板上產生該*同流體彎 液面，=-種產生處理基板用之流體彎 經由第二入Π施加第二流體 一流體及第二流护，而#里Ab々A 4 L + Α 出自基板移除第 法亦包括遞^ Λ b夠產體f液面之近接頭。該方 口mi 二二第-流體通道、第二人 二面=3;:^:之至少-部份；該方法更包括形成流Ϊ; 第…中少以:係=變 入口之第二流體通道、出σ、以及來自出4;^體=忿 1310581 其中之一之封鎖部份來調整。 本發明之優點為數眾多。尤值得注意的是：此處所述之設備 及方法可有效地處理(清理、乾燥處理、钱刻、電锻及其他涉及流 體施加及/或自晶圓移除流體之最適管理之適當型式的晶圓處理) 半導體晶圓’並同時降低了殘留在晶圓表面之不必要流體及污染 物。因此，由於有效晶圓處理而可提生晶圓處理及生產，且可達 到更高之晶圓產率。
本發明可透過結合處理流體輸入之真空流體移除來改良處 理，其中該處理流體輸入可經由利用多模組歧管來施加，而該多 模組歧管可透過交換一或更多歧管區段而以許多方式任一種來裝 配0 與其他處理技術相較，藉由前述力量而產生於晶圓表面之流 體薄膜上的壓力可致能晶κ表面處之最適流體施加及移除，且能 留污染。此外’本發明可利用朝向晶圓表面施加異丙 處理㈣，實壯啊在#近絲處伴隨著產 ίί二能產生攸面並進行f液面之智慧化控制，也降低 界面的流體表面張力，因而致能晶圓表面之最適流 i r染物°藉由1pa、處理流體之輸入及該等 液r沿著晶圓表面移動，進而處理晶圓。 同的處理二嵌:抑或晶81處理操作可使用不 可針對一特定曰圓卢从田〇人而要不同的彎液面結構時， 面=就嵌物可形成不同大小二： 小/形狀。 、、阳&理㈣來產生最適之特定彎液面大 此，藉由封鎖在近接頭之特定4/之面之某些部份而成型。因 成最適於—特定晶圓處理操作之特殊形 9 1310581
狀 因，’依所要之處理及所需之彎液面結構， ====:量及形狀的界面膜，以封鎖導致二= 即不同的大小、形狀、及尺寸定義_發及戦支。—(亦 理明本發明之原 將使本發明之其他態樣及優點變得顯而易見 因此 【實施方式】 f施例的詳細說明 茲揭示一種處理基板用之設備與方法的發明。以下說 底瞭解，提出了許多特殊細節。然而，通常 =此巧者應暸解：此等特殊細節之有無，並不影響本發明^ ΐ並未力況中’為綱舰淆本發明，_之製程操
雖然本發明已就幾個較佳實施例作說明，然而，吾人應瞭 熟悉此項技術者在閱讀之前說明書並研究圖示之際’將可實施 =改、增補、變更、及其等效變化，此，本發明意欲包括所 有洛入本發明真正精神及範圍内之修改、增補、變更、及等效變 以下圖示綱_示紐晶圓處㈣制實關，該系 多模組近接頭與界賴以產生具有特定形狀、大小及位置的流體 彎液面。於一實施例中，此處所使用之技術可稱為彎液面真空異 丙醇（IPA)蒸氣(MVIV)技術。此技術可用以實施任何適當型式 之晶圓操作，例如彎液面真空異丙醇蒸氣乾燥(MVIVD)、4液^ 真空異丙醇蒸氣清理(MVIVC)、彎液面真空異丙醇蒸氣蝕刻 1310581 適當型式的結構。於所_干至緊鄰Μ處之任何其他 頭係採直線方式從晶圓®解的用其中近接 亦可為使用者所期望等:r卜，動作 施例中’晶圓可被旋轉而近接頭則採外，於一實 頭可以處理晶圓所有的部份。方=動’因此近接 實施例。此外，部分的直線方式移動的其他 理任何形狀及大小的基板凝晶圓處_断用於處 直面板等。處理μ可依♦心加棋贿晶圓、3GGmm晶圓、平 ㈣鑛、_ 之^而另用^圓^任何適當處理 離開及横越 :液面可藉—近接_支撐升職理。流 近接2'======’而多模組 統中，例如此處所描述者。亦應明=竹=用於任何適當系 巧2後物和/或界面膜’可改變彎液面的4=Jf換處理 實施例中，不同的處理結構内絲大小/位置。 、、古構’從而於近接頭操作時，可在不同位口及出口 禮及/或位置上之近接頭。以此種方式，在對體行經之路 狀/大小/位置之蚊近接齡置處，f液面之ϋ㈣之某獅 jus: ’彎液面之部份在尺寸上可“減以可= 自·形狀、大小、及位置。因此，藉以頭= 11 1310581 面和/或近接頭之流體輸入/路徑區域上使用不同形狀/大小的界面 =則可用單-型式的近接頭在不同位置形成不同大小及形 彎液面。 圖2顯示依本發明一實施例之晶圓處理系統1〇〇。系統1〇〇 $滾輪lG2a與腿，其可支撐和/或旋轉晶_使晶圓表面受 =理。於一實施例中，系統1〇〇亦包括分別貼附至上臂1〇如及 H 104b之近接頭i〇6a與106b。於一實施例中，近接頭1〇如和 = l〇6b可為於參關5至8時將進—步詳述的多模組近接頭。如 =處所描述者，「多模組近接頭」—詞係指具有—或多個構件的近 ，頭。近接頭可以是任何能產生流體彎液面的適當設備。於另一 =例中，近接頭腕和/或腿可以是於參照圖9A至i〇c時 I進厂步詳述的具有—或多個界面膜的近接頭。於又另-實施例 近接頭106a與職其中—者可為—多模組近接頭，而另一 可以是利用一或多個界面膜的近接頭。上臂104a盘下臂獅 實質上使近接頭驗與腿沿著晶圓半徑做直線移動的 用者定於再另—實施射，她件可使用任何適當的使 疋義的移動方式以移動近接頭1〇如與i〇6b。 盘曰桿臂⑴4係用於支撐晶圓上方之近接頭106a ’中曰，曰此兴其緊鄰晶圓。例如：於—示範實施例 :首式完成：藉由令上臂1G4a與下臂獅採一 圓故—旦近接頭被水平移動至—位置内以啟動晶 =:上臂购與下臂雜可用於在處理前於 106aH 愤動近接頭職與麵，且已產生於近接頭 /、06b之間的彎液面可被移動至晶圓表面上，以待自晶 何適％lit接受處理。因此，上臂馳與下臂祕可採任 1 木構，使得近接頭i〇6a與i〇6b可以進行移動，以 Ιίί ίίΓ晶圓處理。亦應瞭解的是：只要能使近接頭緊鄰 日日移動產生並控制彎液面，系統100是可採任何適當方式架 12 1310581 曰鬥^ 1解的是：只要彎液面得以維持’緊鄰晶圓處可指自 rfM何適當距離。於—實施例中，近接頭驗與祕(以 及任卜他此處所述的近接頭)每-個均可被置放在離晶圓約01 m之間的位置，以料®表面產生越彎液面。於一 1.5 it，,中’近接頭106a與106b(以及任何其他此處所述的近 3母。固均可被置放在離晶圓約0.5 mm至2 mm之間的位置， 絲產生雜f液面，且於―更錄施财，近接頭聽 /、（以及任何其他此處所述的近接頭)可被置放在離晶圓約 _的位置，以於晶圓表面產生流體彎液面。 中，系統1〇0、桿臂1〇4係用於使近接頭106a與 曰.理過之部份飾至尚未處理的部份。應瞭解的 杯# 1G4 S可採任何適當方式移動的，該移動能夠使近接頭 職與l〇6b移動，以依所需來處理晶圓。於一實施例中，桿臂 由一馬達驅動，以使近接頭職與腿沿著晶圓表面移 解，：雖然所顯示之晶圓處理系統1()()具有近接頭廳& 與1〇6b，但實可使用任何適當數量的近接頭，例如卜2、3、4、 5、6個等等。晶圓處理系統1〇〇的近接頭施和/或腿亦可具 ΪΪΪϋΪί小及形狀，如如此處所述之任-近接頭。此處 、*二、不同架構係在近接頭與晶圓間產生—流體彎液面，藉由將 表面及將之從表面移除，則流體彎液面可橫越晶 =，以處理晶圓。以此等方式’可根據施加至關之流體而完 ^理、乾燥、儀刻、和/或電鍍。因此，近接頭驗與祕可 此5示之多種型式的架構，或者其他能夠進行此處所描 ，之處理的架構。亦應暸解的是：晶圓處理系統⑽可以處理晶 _之一表面，也可處理晶圓頂面及底面兩者。 此外，除了處理晶圓之頂面和/或底面外，系統1〇〇亦可用於 程序(如餘刻、清理、乾燥、電鑛等)來處理晶圓之一側、， 並错由輸人及輸料_類之流體或者U由細不同結構的 面’而使用相同程序或不同類型程序來處理晶_另—側。除了 13 1310581 處理晶®之頂部和/或底料，近綱亦 其可藉由將彎細移則移至)餅叙；《ΐί 邊； 理。亦應瞭解的是：近接頭驗與職====邊的處 或不同類型的近接頭。 乂疋相问類型的設備 動’與的==當的位向讀及轉 份即可+實施例中：二近===之-部 l〇2a與l〇2b 1依順時鐘方向旋轉。應 1 ^ ’， ；!Γ：ίΓ#;，ΜΒ^ Γ 102a ·102b加諸於晶®108上之轉動且Li ，里的晶圓區域移動至緊鄰近接頭10如與心:::未 S ,轉本身並不會使晶圓乾燥或 = ，，，移動。因此’於—示範性晶圓處理操作中上 咖與106b的直線運動以及晶圓108的S動 -si現至近接頭购與祕。晶®處理操作本身則可以藉由近接 少::t〇力Γ!,ί。因此’於一實施例中，隨“理操作 周邊移動至晶圓108之中心時，晶圓⑽之已處理 螺旋運動方式由晶圓108之邊緣區域擴展至晶圓108 應瞭解的是：示範性處理操作中的近接頭购與腿可用 晶圓108進行乾燥、清理、钱刻、和/或電鍍。於一示範性乾 ，實施例中，可將至少一第—入口用於輸入去離子水(diw ^mzed water)(亦稱DIW人口），可將至少一第二入口用於輸入 :有蒸氣形式IPA的N2载氣(亦稱IPA入口），且至少一出口則可 稭由施加真空（又名真空出口）而將流體自介於晶圓與一特定近接 -頁，的區域移除。應瞭解的是：雖然於一些示範性實施例中用到 的疋IPA蒸氣，但亦可使用任何他種可與水互溶的蒸氣，例如氮 14 1310581 氣、任何適當的醇類蒸氣、有機化人 於-示範性清理實施例中，可:_、主揮發性化學品等。 執行-以__替DIW啦範^液储DIW ;亦可 例中，藉由_-處理趙及外的實施 成如此處所述的電鍍操作。此外，可^，頭結構，則可完 其他類型之溶液輸人至第—人口與3根„的處理操作而將 應瞭解的是：只要此處所述的轉 接頭之-面上的人口與出口二可貧利用’位於近 於ΐ接f與晶圓之間的f液面來處理晶圓。若上述工位向 ^ 乂保持丄可以任何適當方式來排列處理流體人口鳴舰基氣 氣二及ΪΪΪ 口。ΐ如:於一額外的實施例中、除了 N，:、蒸 =處理流f入口外，尚可根據所期望之近接頭 j而权置IPA蒸氣入口、處理流體入口、和/或真空出口之額外 =c丨ϋ: ipa—真空—處理流體位向之確實配置可視應用而加 2署2可以改變1PA輸入位置、真空位置、及處理流體輸 ^位置之間的距離，以使該些距離一致或不一致。此外，ipA輸入、 真空、及處理流體輸出間之距離大小可視近接頭1〇6a之大小、形 狀、與結構及所_之絲彎液面大小(即彎_形狀及大小)而有 所不同。此外，可如此處所述般地得到IPA—真空-處理流體之示範 性位向。 於一實施例中，近接頭106a與l〇6b可分別設置在緊鄰晶圓 108之頂面及底面處，並可使用IPA與DIW入口及真空出口，以 產生與晶圓108接觸且能夠處理晶圓1〇8頂面及底^二晶圓處理 15 1310581 可依此處之說明而產生。在1PA及處 處’以移除IPA蒸氣、處理流體表面面 蒸氣5機=適3類任何適當的醇類 為任何具有―附加至飽和碳原子之經基的適當 ί體亦稱為表面張力減小流體。位於近接頭 二曰「t二ΪΪ份處理流體即為彎液面。應瞭解如此處所 介於晶圓108與一特定近接頭間之區域 定近接頭間之llS。」对指將_通人介於晶圓1G8與該特 106。實侧之執行·處理操作的近接頭 ^ ；；« - - J -； 3ΐ2ίΛ: ί式隨著近接輕動轉動。透過入口 處理流體Μ4，即可真H2、透過入口 306施加 【口之位向本質上僅為示範性，可使用:能=== 背液面之適當人口/出口位向，如此處所描述者“體 曰本發明—實施例之近接頭驗加以執行的 二=总广頂面驗，應瞭解 理。於丨由Γ 70成日曰囫108之底面1〇訃之晶圓處 =口 302可用於朝向晶圓108之頂面驗施 产體。=屮口彻可用於朝向晶圓1G8之頂面職施加處理 机體。此外，出Π 304可用於將真空施加至—緊鄰晶圓表面之區 16 Ϊ310581 域，以移除可能位於或靠近頂面108a的流體或蒸氣。如上所述， 應瞭解：只要彎液面116得以形成，可使用任何適當的入口及出 口組合LIPA可以具有任何適當之形式，例如蒸氣形式之IPA是藉 用氮氣而輪入的IPA蒸氣。此外，可使用任何能促成或增進 晶圓處理之處理晶圓用的適當流體(例如清理流體、乾燥流體、蝕 刻流體、電鑛流體等）。於一實施例中，可藉由入口 3〇2提供一 ιρΑ ^流（inflow) 310，透過出口 304施加真空312，並藉由入口 306
提供一處理流體入流314。因此，若於晶圓ι〇8上殘留有一流體薄 膜，則可藉由IPA入流310對晶圓表面施加第一流體壓力，藉由 處=流，入流314對晶圓表面施加第二流體壓力，藉由真空312 可施加第二流體壓力以除移晶圓表面上之處理流體、IpA、以及流 體薄膜。 因此
长 於一 B曰圓處理實施例中，當處理流體入流314及IPA 入流IPA310朝向晶圓表面施加時，晶圓表面之流體作艾使有的話） 即，處理流體入流314相互混合，此時，朝向晶圓表面施加之處 ，流體入流314即遇到IPA入流31〇。IpA與處理流體入流314形 ，二,面118(亦稱為IPA/處理流體介面118)，且真空312有助於 1晶圓108表面移除處理流體入流314及任何其他流體。於一實 ，例η"處理流體介面118降低了處理流體之表面張力。操作 ^ ’處理流體係朝向晶圓表面施加，並且藉由透過出u 304施加 乎立即與晶圓表面上之流體—起移除。朝向晶圓表面施 表面上之任何流體_起短暫存在於近接頭與晶圓表 處理(物質)形成了—f液面116,其中該粒面116 加=處理流齡面118。因此，彎液面丨丨為朝向表面施 上之任何流體在實質上相同時間被移除之流體固 於幾乎立即自晶圓表面移除可防止流體液滴形成 ==1=刻九、清理、乾燥處理、電鍍等)而定之目的後，在 留下〉可染的可能性。向下注人IPA之壓力（由之流 17 1310581 里所造成)亦有助於容納彎液面116。 f 氣触量有祕改魏推滅理流體，使 t面間之區域而進入出口 304(真空出口)，其 ^ ^ 4而自近接頭輪出。注意到推擠處理流體 二lit ϋίΐϊ ί出σ 304内時’組成1PA/處理流體介 ，fir ί 邊界’原因在於氣體(如：空氣）伴隨著 入出σ綱°於一實施例中，當來自出口綱之真空
為不體、1ΡΑ、以及晶圓表面上之流體時，流入出口 304者 二睹，11動不連續性類似在真空施加於流體與氣體之組 二#二t上拖拉之流體與氣體。因此，隨著近接頭1〇6a 移動’而先前騎液輯佔狀區域則由於 之二二^面U8之移動而被乾燥。亦應瞭解的是：根據設備 α : & /妓之彎液面大小及雜’可使帛任何適當數量的入 ㈣旦孫二3Γ 7入口 306。於另一實施例中，流體流量及真 二真空出口之總流體流為連續性，所以並沒有氣 瞭解的疋：只要’彎液面116得以維持，可採用任何適當之 N2,、處理流體及真空流量。於一實施例中，流經一組入口 3〇6 =處^體流量約介於每分鐘25 mI至約每分鐘3，⑻Q ml之間。 實施例中’流_組人口 3G6之處理流體流速則約為每 刀、里^ ml，應瞭解：流體之流速可根據近接頭之大小來改變。 於施!?中，較大之近接頭可具有較小近接頭為大的流速。於 例會發生此現象，因為較大之近接頭具有較的入口 與306及出口 304。 ;—實施辦，流經一組入口 302之Ν2/ΙΡΑ蒸氣流速約介於 了刀在里1公升(1 SLPM，1 liters per如她)至1〇〇 SLpM之間。於一 車乂佳實施例中，其IPA流量則介於6 SLpM左右至2〇 SLpM之間。 於一實施例中，流經一組出口 304之真空流量約介於每小時 18 1310581 10 標準立方口尺(10 SCFH，10 standard cubic feet per hour)至 1250 SCFH之間；於一較佳實施例中，流經該組出口 304之真空流速則 在350 SCFH左右；於一示範實施例中’可使用一流量計以測定 N2/IPA、處理流體、及真空的流量。
應瞭解：依所使用之處理流體而定’可執行任何用及膏液面 之適當種類的晶圓處理操作。例如：可將像是SC-1、SC-2等等之 清理流體做為處理流體以進行晶圓清理操作。以一類似方式，可 使用不同之流體而用相似的入口、出口結構，故晶圓處理彎液面 亦可蝕刻和/或電鍍晶圓。於一實施例中，利用例如氫氟酸(HF)、 EKC專賣溶液、氫氧化卸(K〇H)等蝕刻流體以蝕刻晶圓；於另一 實施例中，可採用結合電氣輸入之例如硫酸銅、氯化金、硫酸銀 等電鍍流體。 - ί, 4B說明依本發明一實施例之用於双面晶圓表面處理系統 的不範近接頭的側視圖。於此實施例中，可藉由使用入口 3〇2、3〇6 以分別輸入Na/IPA並加以處理，伴隨使用出口 3〇4以提 *， =產生彎液面116。此外，在與人口搬相對之人口 3G6該彻 二以移除處理流體並維持彎液面116完好的出口綱。如上 所者’於-實施例中，可將入口組逝
結^ ί = 及騰可具有如此處顯示之 接及108b，均可藉由彎液面_移人及_表_ 模組n8於% 成近接頭之多重模組(或部件)的多 鬌 理結構内絲的可交換式部件^ j多模組近接頭可具有稱為處 同入口及出口型式的另由移除處理結構及插入具有不 面結構便得以就所要之晶“:::改產生之f液 -實施例中’根據所期望之晶圓處:：=== 19 131〇581 t夕二構模組可用料同的處理操 年统可同的處理結構内鼓物，而使單—晶圓處理 糸、Ί就不Ra日圓處理操作而產生不同型式的彎液面。 編圖Λ說明依本發明一實施例之多模組近接頭廳，。於-實祐 物y包括有一外殼模組40卜處理結構内嵌 及I杈、、且〇5。外殼模組40卜處理結構内嵌物4〇3、 全屬#可為任何與處理流體相容之適當材f，例如塑膠、 聚對苯二甲酸乙二酉旨卿)、聚偏二敦乙烯_仏
2 ΐ罩 是以PVDF加工製成的。應瞭解：外殼 二H處結構内嵌物403、以及罩蓋模⑯405每一個均可以 一種材貝製成，或者可由不同材質製成。 可將狀模組401設成使處理結構内嵌物·之一嵌 (包，位於處理結構内嵌物4〇3上之入口 3〇2、3〇6及出口 3〇4至少
It一)可插入至外殼模、组4〇1，以產生一其上設有入口 3〇2、306 以及出口 304的近接面407。外殼模多且撕將參照圖认作更詳細 明而處理結構内嵌物4〇3與嵌入表面則將參照圖6β作更詳 如下所述，於一實施例中，外殼模組4〇1在結構上可具有可 施加设^2蒸氣至晶圓1〇8表面的至少一入口(例如入口 3〇2)。舍 外殼模組401包括入口 302時，處理結構内嵌物4〇3可包括一二 口及一出口，該入口可為例如可施加處理流體的入口 3〇6，而該出 口可為例如可將IPA/N2及處理流體自晶圓顺表面移除的出口 304。於更另一實施例中，外殼模組4〇丨並不包括任何入口盥出口， 而處理結構内嵌物403則可包括入口 302與3〇6以及出口'3〇4。 因此，根據外殼模組401之結構，處理結構内嵌物4〇3可包 括產生動態流體彎液面所必須之入口/出口，然而於1他實施例 中，可將某些入口/出口設置在外殼模組401上，而將'其他入口/ 20 1 . 1310581 出口設置在處理結構内嵌物403上。因此 彻與内叙物4〇3之組合產生動態流體彎液面置又 外殼椟組401及處理結構内嵌物4〇3。此 ^ 與外請可配置成使得處理結構内嵌 理結構内嵌物所替代，以產生二同= 處理面結構的情況下， 内錢互換。構 ，鍍Π米用具有特定入口 /出口結構的特定處理結構内嵌物' 此：於：實施例中，當所要的是一不同彎液面結構時冓唯，歧管 處所权歧管亦稱為近接頭)中之處理結構内嵌物彻須加 因此，藉由更換處理結構内㈣彻，可輕易地 模組歧管106,的結構，以產生一不同的彎液面社 - 者，Γ成罩附至處理結構内絲彻及外殼備兩 者以形成夕Μ組近接頭106，。於一實施例中，罩蓋模組 一用於將處理流體輸入至多模組歧管1〇6，的埠口 54〇。、 ^ 4〇5亦可包括穿越罩蓋模組4〇5延伸的接 栓或= 糸之類的接附裝置可被插人罩蓋_ 4〇1(或處理結構内喪物403内，此乃視接附開口而定）内，以將 f 3 _在多模組近接頭1〇6'内側。應瞭解：接附 製成，例如鑽孔、加工等。罩蓋模組405 則將參妝圖6C作更詳細之說明。 辦t特定實施例中，多模組近接頭可包括至少一入口 二十一入口 3〇6、及至少一出口 304。於一實施例中，如上 入Λ3〇2可將1PA/N2輸入至一介於多模組近接頭廳與 二如上述之晶K 1G8)表關之區域。哪如上所述，庳睁解： 亦可使用入π搬來輸入其他類型之流體，例如其他蒸£形^的 21 1310581 2性流體’包括可與可降低水性流體之表面張力之水性流體互 ，貝她例中，視使用於何種處理，可將入口組306可根據 近接頭之程序來輸人—或更多各種不同之流體；於^ 二、、，且，接頭106'用於乾燥的一實施例中，可經由入口 3〇6將diw 至i模組近接頭與基板(例如上述之晶圓i〇8)表面間的區域； 二一實施:列中’為執行一清理操作，可經由入口 306將例如 、-、SC-2等之清理流體輸入至多模組近接頭1〇6與基板(例如像 108)表面間的區域；於又另一實施例中，為執行一蝕 入口 3〇6將例如耶#之餘刻流體輸入至多模組近 =106與基板(例如上述之晶圓刚)表面間之區域；於另一實施 行—電鑛操作，可經由人口 3G6將—紐流體輸人至 =模、、且近接頭觸，與基板(例如晶圓應)表面間之區域。因此，夢 由更換處理結構内㈣和/或改變處理流體，可將多模組近接^ 106用於執行任何需要處理流體控制之適當的晶圓處理操作。 實施例中，多模組近接頭服，之最好可具有作為凸起區 域409之近接面407，該近接面設置有入口 3〇2與3〇6以及出口 301°太應瞭解：凸起區* 409可自表面413提高任何適當高度量， ^要產生凸起區域彻内部之彎液面不致因表面張力而貼附至該 表面413即可。於一實施例中’因為具有凸起之入口 302與306 及出口 304之區域，，f液面更具可控制性；而可控制性之增加， 乃因無入口及出口之多模組近接頭1〇6，表面可設置於距具有入、 出=之多模組近接頭觸’之表面區域更遠處。因此，圍&彎液面 ^模組近接頭浙之表義更不易為彎液面之表面張力貼附所 於^另一實施例中，多模組近接頭106，之凸起區域4〇9之位 置可以疋凹入而非提高的，因此具有入、出口組之區域可設置於 較多模組近接頭106,之周圍區域更遠離晶圓表面處。於此二實施 例中’因為彎液面可維持在凹入部份内，所以入σ 3〇2並非】^ 22 1310581 流體彎液面所必須者。 使用無法齡咖…或者可 得用於狀處理需求之化學相容。該方法使 方法使得各別之元件可以可供選揠的蛀^更形見廣。此外，該 所要求之流動及輸送特徵最^化擇的、、、°構來替換，此舉可將製程 模組應瞭解：外殼 ^結構。於-實施例怜物模組：Γ具有的 其中於第-端之第-表面及第二端第 =及弟一知 表；:二=二= 口中，&理結構内肷物彻可以被限定於内部開 口中俾使其嵌入表面位於第一表面之開口中。雖 殼模組4〇1之示範性結構，應瞭解外殼模組4〇1之^構可依^理 ίίίίΐΓ3 構而有所不同’例如：若處理結構内嵌物403 ίΐί^；〇3 401 ^ 於一實施例中，外殼模組401可在某一邊有一開口，在該邊 之相反邊有一開口，而在兩開口間有一通道。於一實施例中，外 殼，組401可包括至少一入口 3〇2。因此，以此一結構，如上所述， =Js亥至少一入口 302可輸入IPA/N2蒸氣或任何其他適當種類的蒸 氣，以協助在處理環境中之流體與空氣間產生於及彎液面界面:、' 外殼模組401亦可包括一輸入口 411，待傳輸至該至少一入 口 302的流體可被輸入該輸入口 411内。應瞭解：外殼模組4〇1 疋可以用任何鹿將流體從輸入口 411運送至該至少一入口 302的 適當方式建構的。於一實施例中，可於外殼模組401内部加工出 一條連接輸入口 411與該至少一入口 302的通道，外殼模組401 亦可包括一用於接受處理結構内嵌物之嵌入表面的開口 404。 23 1310581 解.本發明一實施例之處理結構内嵌物403。岸睜 嵌物4G3可以具有任何適#的人 f瞭 ，而當其與外殼401、结合時，得以產 g 中，處理結構内錄403包括至少一入口 3〇/及7少一於= 例 内嵌物403亦可包括一條能防止其本身過度插 的隆起部440。處理結構内嵌物侧亦可包括一内 = /理係為產生一周長較内凹部420為大的礙入部41〇。 柯包括—基座43G，其為位在内凹部420 ===構内嵌物403之一部份，插入部41〇在其表面413 .至/ 一入口 306及至少一出口 304。於一實施例中，可將 由^入邱41^至魏紐處理結軸絲内部的通道，該通道係 ϊΐΐί，—端延伸至其另—端，故流體可由插人部41〇之一 二物賴，。可將入口 3。6連接至一(至數)條被限定於處理結構 Ξ部而自表面413延伸至基座430上之一開口的通道。 該至少一入口 3〇6排出的流體可先由基座43〇上之開 口 ，再透過處理結構内嵌物403内部之通道以抵達至少一入 基座430可包括開口 /通道’流體可經由該開口 /通道而往 返罩盍模組405。 說明依本發明一實施例之罩蓋模組—。於一實施例 :^盍杈組405包括〇型環47〇與49〇、流體通道48〇乃至於 幵口 460與446。〇型環470可用於密封流體通道48〇 (當罩 =、'且405、處理結構内嵌物4〇3、及外殼模組氣經過組合而形 莫組近接頭1〇6’時），故來自流體通道之流體不致渗漏至 二吴^近接頭1〇6’之其他區域。於一實施例中，〇型環47〇可提 二土岔封墊’故流體可自通道480流向通道564(如參照圖7B所討 二）而不致於有流體滲漏至多模組近接頭1〇6，之其他區域。〇型 ^90可用於密封一内部空間574(如參照® 7C所討論者），故内 。二間57^之流體不致自多模組近接頭1〇6，滲漏出來。 於一實施例中，接附開口 46〇可用於連結外殼4〇1與罩蓋 24 1310581 =5 ;此外，接附開口 46〇可配置成可使用螺栓來 • ί理結=礙物彻。應瞭解：可使用任何適當種類或^之^附 。卜设松組401、處理結構内喪物403、與罩蓋405相互連 附口 446可用於連結罩蓋405與處理結構内喪物彻。 結 圖7A乃+依本發明一實施例之罩蓋模組405的底視圖。於一 ^施例中’罩蓋模、组405包括接附開口 53〇與52〇。於一實施例中， ，附開口 5如可配置成俾使其自罩蓋模組秘—邊貫、一 藉此能使螺栓或任何其他接附裝置可連結罩蓋 殼.於一實施例中，，亦可將接附開口 52〇酉己置成俾使其〇5自罩= 邊，藉此能使栓或任何其他接附裝置 ，當數量和/或種類的開σ，以連結多模組歧 二不7定需要使用孔洞，也可使用的接附不同模組 的任何適當方式’例如黏合'焊接等。 一於貝施例中，罩蓋模組405亦包括一輸入口 540，流體可 Ϊ、由該f入:540加以輸入並經由流體通道彻(顯示於圖4C)加以 > 施例中，罩蓋難秘可經配置成具有以其本身定 ί 7故來自輸人口 ’之流體可被傳輸至處理結構内後 結構内絲4G3接著再將趙傳送至嵌人表面之至 罩蓋模組405亦可包括接附開口 51〇，吾人 何其他適當種類之連結設備，透過該接_训H 至罩蓋模組405。 叩竹杆#運、、Ό η Πί發明一實施例之處理結構内絲403的底視 ，於一實加例中，處理結構内叙物彻可包括接附開口 56〇。而 错由將接附裝置（例如螺栓）it過罩蓋模組4〇5中之接附開口 52〇 25 1310581 輸入至處理結構内嵌物403中之接附開口 560’則可將處理結構内 鼓物403與罩蓋模組405接附在一起。 ^理結構内嵌物403亦可包括一條可接受來自通道48〇(如圖 * 6C所示)之流體的通道564。於一實施例中，通道564可透過處理 結構内嵌物403而將流體移動至入口 3〇6。因此，流體 480流經通道564而抵達入口 306。 〜 圖7C為依本發明一實施例之外殼模組401的底視圖。於一 - 實施例中，外殼模組4〇1包括一可將流體供應給至少一入口 \〇2 的輸入口 406。於一實施例中，連結該輸入口 4〇6以及該至少一入 二302的通道係定義於外殼模組4〇1中。因此，流體和/或蒸氣可 _ 藉由該輸入口 406而被輸入至外殼模組内。流體接著可經外殼 模組401而被傳輸至該至少一入口 3〇2，該入口 3〇2可將此流體^ 加至一介於外殼模組401與晶圓1〇8之間的區域，以協助產生及 維持一穩定彎液面，該彎液面可透過自入口 3〇2與3〇6施加至晶 圓108之流體以及透過出口 304而自晶圓1〇8移除之流體來產生。 此外，外殼模組401可包括一能容納處理結構内嵌物4〇3的 内部空間574。於-實施射，具有插人部之處理結構内傲物 403的侧邊係被輸入至外殼模組4〇1的内部開口。以此方式，處理 結構内嵌物403可被定義於外殼模組4〇1内，俾使所得之結構得 φ 以形成如此處所述之流體彎液面。 圖8顯示依本發明一實施例之說明流體通道之多模組近接頭 106’的側，圖。於-實施例中，多模組近接頭包括含有一璋口 540)的罩蓋模組405 ’流體可透過該蜂口經由内部通道而被傳輸至 入口 306。多模組近接頭106，可包括一能供應ipa/N2至入口 3〇2 的供應口 408。當多模組近接頭106，執行操作時，可施加真空至 • 口 304使用以自晶圓表面移除流體。 、 圖9A顯示依本發明一實施例之具有界面膜6〇2的全用途歧 管606。應瞭解亦可將全用途歧管6〇6稱為具有如此處所描述之結 構及功能㈣近接頭。於-實施财，全用途歧管可包括一 26 1310581 歧官頭610及一歧管外蓋608。於一實施例中，入 可稱為近接頭)之歧管頭⑽可包括歧管606(亦 接·入心以=== 構。由於界面膜6〇2可被貼附至全用途 產生^==:=流體流動’故所 t小、形狀、及位置之界面膜602以控制往 =大。因此，歧管頭610可為一「空白」f支管有上= ϊί二Ξϊ膜6°2以控制f液面之形狀/大小’則可使用-適虽種類口/出口配置的歧管頭⑽。於—實施例中， 可為㈣至少部份地阻錢體流動的任何適當材料 、工程塑膠、—膠布 (如彎液面配置)之形狀及尺寸之孔洞與特 實施例中，可接著對彎液面結構進行測試， 構並非所需，可將界面膜_移除並以 舌ϊξϊϊϊ膜來曰代，如此可節省並再使用全用途歧管6〇6。可 重複遠方法制完成所期望的處理視g/f液面結構為止。 約=瞭f賴㈤可被_至全賤歧管内之任何 ^位，’，置可改變由全用途歧㈣6所形成之彎液面結構。 斗二^所』望的為液面應用及結構’可於全用途歧管606内之 -或夕處_-或多個界賴，以產生所要的彎液面結構。 於一實施例中，可將界面膜6〇2設置於歧管頭61〇與歧管 608之間’其中封鎖了通往特定人、出口組之流體通道。於另一 施例中，界面膜602可被貼附至入口 3〇2與3〇6以及出口 3〇4所 在之歧管頭610的-側；於又另一實施例中，可在歧管頭61〇與 27 1310581 歧管蓋608之間以及包含入口 302與306及出口 304之歧管頭610 的該側使用一或更多界面膜602。以此方式，則僅使用單一空白歧 管即能達成不同種類的彎液面結構。 圖9B顯示依本發明一實施例之全用途歧管606的底視圖。 於一實施例中’可利用全用途歧管606來傳輸歧管外蓋608上之 埠口與入口組302, 306以及出口組304間的流體。此外，歧管蓋 608可具有接附孔，是故可利用螺栓(或任何其他適當種類的接附 裝置或方法)將全用途歧管606接附至任何適當的移動設備，例如 桿臂104(如圖2所示）。應暸解：全用途歧管606可用以貼附至任 何能將全用途歧管606移動至緊鄰基板處之而使基板接受所期望 操作(例如：清理、乾燥、電鍍、蝕刻等)之處理的設備。 圖9C顯示依本發明一實施例之全用途歧管6〇6的放大底視 圖。於一實施例中，全用途歧管606包括一設置於歧管蓋6〇8與 歧管頭610間的界面膜602’，以及一設置於近接面612上的界面 膜602(如圖9A及9D所示）。界面膜602和/或界面膜6〇2,可以阻 止流體流入入口 302和/或入口 306，且/或阻止來自近接面612上 之出口 304之流體流動。因此，藉由阻止流體流入入口 3〇2和/ 入=06以及來自出口組304之流體流動，即可改變近接面612 與文處理基板/晶圓間之對應區域（相較於界面膜6〇2/6〇2， 區域）中之彎液面形狀/大小。因此’藉由將界面膜6〇2設 定位置’即可因應所期望之處理來調整彎㈣之結構。解： 於任何適當的晶圓處理操作中，例如_、清理、乾炉、'雷料 6〇1 0 0處理域_ ’吾人可㈣界面膜6G2來自定設 和/或形狀。因此’界面膜可與「空白」歧管一同用上 生特定的彎液面式樣，因此可避免新歧管 ，奶顯示依本發明-實施例之全用途歧^=的 圖。當使用全用途歧管606時，在可能影響类由 歧管_之任何適當部份中，全用途歧管_可^任 28 !310581 ίϊίΐ膜6〇2’和/或602。於一實施例中，可藉由利用一或多個 移除—部份由全用途歧管_所形成的部份彎液面或防 因此可視需要來移除或去掉彎液面的一或更多部份。 ^面尺$施例中，當部份入σ 302與出口 304阻塞時，可增加彎 6Π9 4圖i〇A顯示依本發明一實施例之至全用途歧管606之界面膜 人二4 f02的施加。如此處所述之全用途歧管606可為藉由組 二二二/〇以及歧官蓋608而產生的近接頭。應瞭解：可將界 -每6〇2,以任何適當之方式貼附於全用途歧管606上。於 κ & 歹’，可用例如 Loctlte 380、Loctite 401、Loctite 4210、及 6^^。4212等之接著劑將界面膜6〇2與6〇2,貼附於全用途歧管 田/ 根據全用途歧管606欲形成之幫液面結構，吾人可使 壬何適§數量和/或型式的界面臈6〇2/6〇2,。 =====形r但應瞭解“= ,弓夜面形狀及大小，吾人可使界面膜602/602,具有任 7 ^或形狀。因此，吾人可根據界面膜6_〇2·之大 J、形狀、及位置來產生任何適當的彎液面結構。 被阻只ί界面膜602與602,可至少部份地防止流體流經 二ί 6G2 #殿·係可具有任何適當厚度。應明 經受亦可具部份渗透性，藉此減少流體流 心施财’可將界爾_施加至歧管頭⑽的一面上。 面可具有用以施加並自基板表面移除流體之入口 610與歧管蓋_ 於—介於歧管頭 與_附至歧管於又另只施例中，可將界面_ 引〇 pf夕示依本發明一實施例之位於歧管蓋_與歧管頭 間之界面膜602的施加。於圖騰所示的實施例中，可將界 29 1310581 面膜602貼附至歧管頭，以覆蓋流體將自歧管蓋舰流至歧管頭 _以及流體將自歧管頭610流至歧管蓋6〇8的歧管頭61〇部份: ，此，供應流體至彎液面和/或自彎液祕除流體的流體通道之該 ，=$且塞。因此’當吾人切斷來自f液面之流體時，流體減 二之=_部份會變得更小。反之，#自f液面移除流體受阻 尺寸即會增加。—旦貼附界面膜_之後，可貼合歧 官頭610，歧管蓋608 ’以形成全用途歧管6〇6。應瞭解的是：將 王用述歧官_繪示成二件式設備僅為示範性用途，全用途 可包括任何適當數量之組件，例如：丨，2,3, 4, 5, 6件等。亦 應暸解·界面膜602可設置於能阻擋流體傳輸的任何適當位置， 圖=顯靴本發明—實麵之已施加至歧㈣6ig的界面 頭移除流體之人口/出口之至少—部份受阻。因 上因k體傳輸進入該區域而形成之彎液面的部份便遭消除。” 面膜6亦f界祕_可轉完好並雜錢體進入界 面膜602覆盍的通道，界面膜6〇2係可具有任何適當厚度。 圖㈣說明依本發明一實施例之施加至 ^ 面的界，602。於一實施例中，界面膜6〇2之貼 S3 Γΐί Ϊ入口302與306及出口304被覆蓋。應瞭解： ίίί 有入口逝與郷以及出口删之歧管頭表面 。以了圖示說明具有可產生流體彎液面之示範近 Ξίίϊϊν f ΐ解:亦即具有可產生流體彎液面之任何適；; ϊ接f何適當類型系統均可用於此處所述之本發明竇J =。此處所叙歧管可具有任何能產技體彎液 式，入口和/或出口，例如此處所提及之近接頭二田外:= 所述之歧管亦可稱為近接頭。 卜此處 30 1310581 圖11顯不依本發明一實施例之晶圓處理系統1100。應瞭解： 可採支撐或移動晶圓之任何適當方式，例如滾輪、銷 系統1100可包括_支撐域轉晶_使晶κ表 k 2〇2a、、與i驗；於一實施例中，系統_ ; J 近接頭lG6a與1_，其可分別接附至—上f丨綱a及 :i?H1104a與下臂1104b可為能實質上使近接頭驗與 6〜著曰曰圓半從作直線移動的近接頭载體組件的一份。 =-實施例中，近接頭載體組件則4可用於支撐晶圓上方之近接 頭106a及晶圓下方之近接頭腦使其緊鄰晶圓。此舉 士臂llG4a與下臂1祕採-垂直方式移動來完成，纽一旦近 接頭被水平義進錢械理關之·時，近翻職盘馳 可被垂直移動至緊鄰晶_位置。於另—實施财，流體^液面 =成於，頭職與腿二者之間且被移動至晶圓頂=及底 :上。上们104a與下臂11G4b可具有任何適#之結構，如此近 ^員106a與106b可加以移動來完成此處所述之晶圓處理。亦岸 瞭解：只要能使近接頭緊鄰晶圓移動以產生及控制晶圓表面之^ 液面，即可以使用任何適當的方式架構系統11〇〇。於另一示 ，例中，近接頭1G6可被設置於-桿臂的第—端，而該第一 ^著由該桿臂之第二端攸義的軸線旋轉。因此’於此一實 中，近接頭可採弧形方式而於晶圓上方移動；於再另一實施例 U合旋轉運動及直線運動來鑛桿臂。雖鋪示的是晶圓每面 各有一近接頭106’然而’就晶圓單一側而言，可使用單一近接
至於其他例如晶圓擦拭刷洗之表面製備操作可在不使用 忉6的晶圓侧邊上實施。 M 於另-實施例中’系統画可包括一具有與晶圓相鄰之轉換 表面（tr_ti〇n surface)的近接頭靠接基座（d〇cking _ 於 此種實施例中，流體彎液面可在一受控制與管理的狀態下於接 ，座與晶®表面之間進行轉換。同樣地，若只是晶圓的一 處理，則使用帶有一近接頭的一支桿臂即可。 31 1310581 106 本實施例之實施晶圓處理操作之近接頭 刻、lit a®處理齡，例如清理、沖洗、乾燥 '姓 108 "τ^δ t 液面時’晶圓⑽可保持靜止。而後，近 著晶圓表面液面沿
b H液面可包圍整個曰曰圓表面區域。於此LJ 一實施例中，近接頭106包括來源入口㈣與1306及- 一實施例中，可經由-來源入口 1302而將氮 =1^1ΐΐΓΙΡΑ/Ν2131G施加至晶圓表*，藉由—來源出口 1304而將真空1312施加至晶圓矣而，4f μ -l + 處理流體⑽施加至晶圓至^曰面圓表面並猎由一來源入口 1306將 實施例中，除了施加真空1312以自晶圓表面踰移除 131(UX 外’施加1PA/N21310 及處理流體 1314可產生流斷液面116。流體f液面116可為一定義於近接 頭106與晶圓表面間之流體層，其可以一穩定且可控制之方式移 動橫越晶圓表面108a。於-實施例中，流體弯液面116可由處理 流體1314的固定施加及移除來定義。定義流體彎液面ιΐ6的流體 層可依來源入口 1306、來源出口 1304、及來源入口 之大小、 數量、形狀和/或型式而具有任何適當的形狀和/或大小。 此外，可根據所期望產生的流體彎液面型式而採用任何適當 流速之真空、ipa/n2、及處理流體。於又另一實施例中，根據近 32 1310581 接頭106與晶圓表面間之距離，在產生及使用流體f液面116時， 可不使用IPA/N2。於此-實施例中’近接頭1〇6可不包括來源入 口 1302，因此，僅需經由來源入口 1306施加處理流體i314以及 經由來源出口 1304移除處理流體1314來產生流體彎液面116。 ，於近接頭106之其他實施例中，依欲產生之流體彎液面的結 構’近接頭106之處理表面(其上設置有人口及出口的近接頭區域) 可具有任何適當之拓樸結構。於一實施例中，近接 可為自周圍表面凹入或突出者。 处衣曲
圖12B顯示依本發明一實施例之近接頭1〇6的部份俯視圖。 應暸解：參照圖⑽所述之近接頭祕的結構本質上僅為示範性。 因此，只要可將處理流體施加至晶圓表面並將之從晶圓表面移除 ^於，圓表面上產生一穩定流體彎液面，即可使用其他結構的近 ，頭來產生流體f液面。此外，如上所述，當近接頭鄕係用於 在不使用n2/ipa之情況下產生f液面時，近接頭1〇6之其他 例並不需要具備來源入口 1306。 於一實施例之俯視圖中，由左至右為來源入口組13〇2、來源 土 口組1304、來源入口組1306、以及來源入口 13〇2組。因此:、 與處理化料被輸人至介於近接頭及晶圓刚間的 ^域日守’可用真空移除凡職、處理化學物質連同任何可 聰、以絲_ 13G4亦可以具細Si當類 =的λ何形狀，例如圓形開口、三角形開口、方形開口等；於一 來源入口 13〇2、來源入σ m6、以及來源出口 13〇4 口。應瞭解：根據職望產生的彎液面大小及形狀， 近，頭106可具有任何適當的大小、形狀、和 頭可延伸至小於晶圓半徑。於另-實施二，近 過晶圓之直徑。因此’根據在任意特定時間所要處理 區域大小’流體彎液面可具有任何適當大小的尺寸。 此外’應瞭解：根據晶圓處理操作，近細1〇6可以任何適$位 33
I310581 向來設置’例如以水平方式、垂直方式、或任何其他介於兩者間 的適當方式。亦可將近接頭106併入一種可執行一或多種晶圓處 理操作的晶圓處理系統中。 圖12C說明依本發明一實施例之近接頭的入口/出口樣式。於 此實施例中’近接頭106包括來源入口 13〇2與13〇6以及來源出 口 1304。於一實施例中，可使來源出口 13〇4環繞在來源入口 13〇6 周圍，並使來源入口組1302環繞在來源出口 13〇4周圍。 、圖12D說明依本發明一實施例之近接頭的另一入口/出口樣 式。於此實施例中，近接頭1〇6包括來源入口 13〇2與13〇6以及 來源出口 1304。於一實施例中，可使來源出口 13〇4環繞在來源入 口組1306周圍，而使來源入口組服可至少部份地環繞來源出 口 1304。 圖12E說明依本發明一實施例之近接頭的又另一入口/出口 樣式。於此實施例中，近接頭1〇6包括來源入口 13〇2與13〇6以 及來源出口 1304。於-實施例中，可使來源出口 13〇4環繞在來源 入口組1306周圍。於-實施例中，近接頭1〇6可不包括來源入口 1302 ,原因在於在此一實施例中，近接頭1〇6可在不使用IpA/N2 ^情況下產生流體彎液面。絲解：上述之人σ/出口樣式僅為示 範性’而只要可產生穩定、可控獅流贿液面，即可使用任何 適當類型之入口 /出口樣式。 雖然本發明已魏個難實施例作賴，然而，應暸解：熟 悉項，藝者在閱讀上述說明書及研究圖示之際，將可實現各種 f f Ξ、擴充、變更、及料之變化。因此，本發明意欲包 括所有不軸本發明真正精神及範_之修改、擴充、 等義之變化。 〃 34 1310581 【圖式簡單說明】 藉由結合以下詳細敘述及隨附圖示，即可容易地明暸本發 明。為方便敘述’相同的參照號碼用於指定相同的έ士構元件。 ,圖1說明於SRD乾燥操作期間清理流體於晶^上之運動情 圖2顯示依本發明一實施例之晶圓處理系統。 圖3說明依本發明一實施例之執行晶圓處理操作之近接頭。 圖4Α說明依本發明-實施例之以近接頭執行的晶圓處理操 1乍0
圖4Β說明依本發明一實施例之用於雙晶圓表面處理系統中 <不範近接頭的側視圖。 圖5說明依本發明一實施例之多模組近接頭。 圖6A說明依本發明一實施例之外殼模組。 圖6B說明依本發明一實施例之一處理結構内嵌物。 圖6C說明依本發明一實施例之罩蓋模組。 圖7A說明依本發明一實施例之罩蓋模組的底視圖。 ^ 7B顯示依本發明—實施例之處理結構内嵌物的底視圖。 圖7C說明依本發明一實施例之外殼模組的底視圖。 w =顯示依本㈣—實關之咖流體通道之紐組近接頭 的侧視圖。 圖9A顯示依本發明一實施例之具有界面膜的全用途歧管。 圖9B顯示依本發明一實施例之全用途歧管的底視圖。 月—實施例之—全用途歧管的放大底視圖。 明—實施例之一全用途歧管的放大俯視圖。 圖10A顯示依本發明一實施例之至全用彰支管之 加。 、 μ依本發明—實細之界峨施加，鄕面膜係位 於歧官罩盍與歧管頭之間。 圖10C描述依本發明一實施例之已施加至歧管頭之界面膜。 35 1310581 圖10D說明依本發明一實施例之已施加至歧管 的界面膜。 处理表面 • 圖11顯示依本發明一實施例之晶圓處理系統。 • 圖i2A說明依本發明一實施例之一行晶圓處理操作之近接 頭。 圖12B顯示依本發明一實施例之近接頭的部份頂視圖。 -- 圖i2C說明依本發明一實施例之近接頭所的入口/出口樣式。 圖12D說明依本發明一實施例之近接頭的另一入口/出口樣 式。 圖12E說明依本發明一實施例之近接頭的又另一入口/出口 # 樣式。 【主要元件符號說明】 10 晶圓 12 移動液/氣界面 14 轉動力 16 箭號 100 晶圓處理系統 l〇2a, 102b 滾輪 l〇4a 上臂 104b 下臂 106,106a, l〇6b 近接頭 106'多模組近接頭 108 晶圓 108a 晶圓頂面 108b 晶圓底面 116 彎液面 118 介面 302 入口 36 1310581
304 出口 306 入口 310 IPA 312 真空 314 處理流體 401 外殼模組 403 處理結構内嵌物 404 開口 405 罩蓋模組 406 輸入口 407 近接面 408 供應琿口 409 凸起區域 410 插入部 411 輸入口 413 表面 420 内凹部 430 基座 440 隆起部 446 接附開口 460 接附開口 470 0型環 480 流體通道 490 0型環 510、 520、530、560 540 埠口 564 通道 574 内部空間 602、 602’ 界面膜 接附開口 37 1310581 606 全用途歧管 608 歧管蓋 610 歧管頭 612 近接面 1100 晶圓處理糸統 1102a, 1102b, 1102c 滾 1104 近接頭載體組件 1104a 上臂 1104b 下臂 1302 來源入口 1304 來源出口 1306 來源入口 1310 ipa/n2 1312 真空

Claims (1)

1310581 第％1252〇5號專利申請案中文申請專利範圍修正本及圖式修正頁(無劃線) !----一） 97年10月丨Γ日修訂 十、申請專利範圍：γ年，。月π日修(更)正本 ^ I 一種處理基板用之流體彎液面的產生設備，包括： 一歧管頭，具有一包含複數之導管之歧管表面，其中當該複 數之導管设置於靠近該基板處時，其係用以在一基板表面上產生 流體彎液面；該歧管頭具有能夠使流體與該複數之導管相 數之通道；以及 一界面膜，貼附於該歧管頭之一部份，該界面膜係用於 讀複數之導管之一部份。 ' 鲁 2.如申請專利範圍第1項之處理基板用之流體彎液面的產生設 備，其中該界面膜為熱塑性膜、膠布、及工程塑膠其中之一。 二入口、及用以 3·如申請專利範圍第1項之處理基板用之流體彎液面的產生設 =，其中該複數之導管包含：用以施加第一流體至該基板表面之 f 入口、用以施加苐一流體至該基板表面之第二 從該基板表面移除該第一流體及該第二流體之出口 ^如申請利範圍第3項之處理基板用之流體彎液面的產生設 、s、音其中5亥第一入口及該第二入口之每一者係用以從對應的第一 第二通道接受流體供應，該出口係用於經由第三通道而從 该基板表面移除該第一流體及該第二流體之每一者。 i如:'利細第3項之處理基㈣之流體彎液面的產生設 妨i2ΐ該界面膜係貼附至該歧管表面上之近接面，以覆蓋該複 數之導官之至少一部份。 t如利範151第3項之處理基板用之流料液面的產生設 一二°亥界面膜係貼附至該歧管頭，以封鎖該第一通道、該第 一 L、及S亥弟三通道之至少一部份。 1310581 ^ -種利用處理結構内嵌物來處 物係定義於-外殼内，該方法包括：板妨去’該處理結構内嵌 透過該外殼及該處理結構内嵌物 一流體至該基板之—表面； 、r 者之第一入口施加第 該表ί過ϊί理結構嶋之第：人口施加第：流體至該基板之 第一流體及 該第二流體 ίίϊ處理結構内嵌物之出口以從該表面移除該第- 流體其中之一 ========基板的方 >ikm^ ^ ^ 姐乾备/现體、敍刻流體、及電鑛 U.=種處理基減之流體產生方法 施加ί! :ίίΠί面之近接頭，系藉由自第-入口 該第一流體及該第二流體來達成； 入σ : 1- 口、通f*該第一人口之第一流體通道、該第二 口> Μ ώ二一入口之第二流體通道、該出口、以及來自該出 之^流體通道至少其中之一者之至少-部份；且 者之封面冗狀及大小可藉由改變下列至少其中-鎖[伤來調整.β亥第一入口、通至該第一入口之該第一流
1310581 體通道、该第二入口、通至该苐二入口之該第二流體通、首、 口、以及來自該出口之該第三流體通道 ^ ' 12.如申請專利範圍第η項之處理基板用之流體彎液面的 法，其中當該出口與來自該出口之該第三通道至少其中之一 鎖時’該流體彎液面會變大。 子、 13.如申請專利範圍第η項之處理基板用之流體彎液面的產生方 法’其中該第一流體為清理流體、乾燥流體、蝕刻流f、' 流體其巾之-。 冤锻 14. 如申請專利範圍第u項之處理基板用之流體彎液面的產生方 法’其中該第二流體降低該第一流體之表面張力。 ' 15. 如申請專利範圍第u項之處理基板用之流體彎液面的產生方 法，其中该封鎖包括將一界面膜貼附至該近接頭之一 ， 接頭具有下列至少其中之一：該第一入口、通至該第二二口 = ΐ ίί體ί ί白1it二人口、通至該第二人σ之該第二流體通道” 忒出口、及來自該出口之該第三流體通道。 利範圍第15項之處理基板用之流體彎液面的產生方 /，，、中該界面膜為熱塑性膜、膠布、及工程塑膠其中之一。 ^申凊專利範圍第^理基板用之流 法，其中該第三流體通道對該㈣施加真空。面的產生方 十一、圖式：
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