TWI304871B - Reflector, light-emitting apparatus with the reflector, and illuminating apparatus with the reflector - Google Patents

Reflector, light-emitting apparatus with the reflector, and illuminating apparatus with the reflector Download PDF

Info

Publication number
TWI304871B
TWI304871B TW95110995A TW95110995A TWI304871B TW I304871 B TWI304871 B TW I304871B TW 95110995 A TW95110995 A TW 95110995A TW 95110995 A TW95110995 A TW 95110995A TW I304871 B TWI304871 B TW I304871B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
inorganic particles
inorganic
reflective layer
reflective
Prior art date
Application number
TW95110995A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200643340A (en
Inventor
Kousuke Katabe
Yuki Mori
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of TW200643340A publication Critical patent/TW200643340A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI304871B publication Critical patent/TWI304871B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/021—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures
    • G02B5/0221—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures the surface having an irregular structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
    • G02B5/0247—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of voids or pores
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0273—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
    • G02B5/0284—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use used in reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B2207/00—Coding scheme for general features or characteristics of optical elements and systems of subclass G02B, but not including elements and systems which would be classified in G02B6/00 and subgroups
    • G02B2207/107—Porous materials, e.g. for reducing the refractive index
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133605—Direct backlight including specially adapted reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249955—Void-containing component partially impregnated with adjacent component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249955—Void-containing component partially impregnated with adjacent component
    • Y10T428/249956—Void-containing component is inorganic

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)

Description

1304871 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ，本發明係有關用以使來自電磁波產生元件之電磁波，效 率良好地往所需方向反射之反射構件，及使用其之發光裝 置和照明裝置。 、 【先前技術】 以往，作為反射構件有如同圖14所示者。該圖所示之反 射構件90係例如作為照明器具用之反射板而使用，於金屬 Φ基材91之表面形成有反射塗膜92。反射塗膜％係於透明樹 知母材93，分散有氣化矽膠等之粒子94，利用起因於母材 93與粒子94之折射差之全反射，來提升反射率（參考例如 專利文獻1)。 由於反射構件90係利用起因於折射率差之全反射，因此 在用於母材93之樹脂材料未有光吸收之波長頻帶，顯示出 非常高之反射率。因此，可提升一般照明用之螢光燈具等 之光利用率。其另一方面，由於反射構件9〇係於母材叫吏 用樹脂，因此照射含母材93之樹脂會吸收之波長頻帶之光 之情況’具有母材93會劣化而著色之問題。 另一方面，作為反射構件，亦有利用將樹脂粉末壓縮成 形之反射材料（Spectralon :產品名）（參考例如專利文獻 2)。此種反射材料係加工性優異，利用於標準反射板或積 分球。由於此反射材料亦使用樹脂，因此於照射含樹脂會 吸收之波長頻帶之光之情況，具有劣化而著色之問題。 如此，作為有助於反射之部分之主成分是使用樹脂之情 109599.doc Ϊ304871 況’若照射使用之樹脂會 化 4收之波長頻帶之光，樹脂會劣 起因於 果，於使用樹腊之反射構件，具有反射率 起因於樹脂之劣化而降低之問題。 羊 :外，於顯示裝置或照明裝置中，由於在點燈電路等亦 =熱，因此具有由於該熱而促進樹脂劣化4色，助長 =率降低之問題點。因此，於如同顯示裝置或照明裝置 自先源之光出射頻率高之裝置中，作為反射構件之材
，不宜使用樹脂。特別於作為光源使用射出短波長之光 紫外光、近紫外光或藍色光）之咖⑽之裝置中， 由於自光源射出之光之能量大’因此容易發生起因於樹脂 之光吸收之反射構件劣化，亦即容易發生反射率降低。 其另一方面，亦有提案-種使無機粒子燒結之陶究之反 射構件（例如專利文獻3)。無機物—般比有機物之結合能 大，因此耐光性或耐熱性優異。因此’相較於使用有機物 之樹脂之情況，利用㈣之反射構件係具有起因於光吸收 之劣化少之優點。 [專利文獻1]曰本特開平11-29745號公報 [專利文獻2]美國專利第4912720號說明書 [專利文獻3]曰本特開2004-207678號公報 (發明所欲解決之問題） 热而，如圖15所 於反射之陶瓷部分96是藉由燒結無機粒子，而使無機粒子 相互一體化之型態，因此幾乎未有空隙97，氣孔率為 〇〜1%程度。因此，於反射構件95，大多數之入射光會於 109599.doc 1304871 表面98效率良好地反射’但另一方面，入射光之一部分會 進入反射構件95之内部。此對内部之進入光被封閉於陶瓷 部分96之内部，最後由陶瓷部分96所吸收。其結果，於反 射構件95，由於進入内部之光無法反射，因此光能衰減而 成為光損失，具有反射效率較低之問題。 【發明内容】 本發明之課題在於提供可效率良好地反射光等之波成 分’且抑制反射特性劣化之反射構件，及使用其之發光裝 置和照明裝置。 於本發明之第一側面，提供一種反射構件，其係具有藉 由無機材料形成為多孔質之反射層。 前述反射層係]列如，氣孔率為15〜43%。前述反射層係藉 由例如預燒成等，使複數無機粒子互相於一部分一體化， 藉由於前述複數無機粒子間設置空隙而形成為多孔質。前 述空隙係由例如翁體，& 士 + 田的如感《由折射率比前述無 明材料所充滿。 边 反射構件係僅包含前述反射層之構成，或於基 材上形成有前述反射層之構成均可。 作為前述無機粒子，宜使 釔、氧化牡η 1更用至）含選自氧化鋁、氧化 氧化錯及氧化鈦中之一種者。 於本發明之第二側面，提供 其係該反㈣件具反射構件之製造方法， j. ^ 、 …、機材料形成為多孔質之及射展. 其包含以下步驟··形成含複數無…夕孔資之反射層， 機成形體之步驟.另 、、、、之無機粒子層或無 ’及藉由預燒成將前述盔她j 7 引迷無機粒子層或無機 109599.doc 1304871 粒子成形體進行多孔質化之步驟。 ，本發明之第三側面，提供—種反.射構件之製造方法， 〃係該反射構件具有由無機材料形成為多孔質之反射層； 其包含附著步驟，並係於其姑 d 基材之表面，吹上含複數無機粒 子及黏結劑之附著材料，於前述基材表面形成多孔質層。 於此製造方法中’亦可進而包含：加熱步驟 加熱，使前述多孔質層之複數無機粒子一體化’並且料 前述黏結劑。 於本發明之第四侧面，提供-種發光裝置，其係具備. 1或複數發光元件，·及反射構件，其係用以反射自前述發 U件射出之光；作為前述反射構件係使用關於本發明之 第一側面者。 於本發明之發光裝置，作為反射構件係使㈣發光元件 之峰值波長之反射率為95%以上者。 作為前述發光元件’係使用例如咖晶片或ld晶片。作 為前述發光元件亦可使用構成為射出紫外光、近紫外光或 藍色光者。 於本發明之第五m，提供一種照明裝i，其係具備1 或複數發光裝置；作為前述發光裝置係使用有關本發明之 第四側面者。 作為關於本發明之照明裝置，彳舉例域用於例如室内 或至外之一般照明用器具、吊燈用照明器I、住宅用照明 器具、辦公室用照明器具、店面裝潰、展示用照明器二、 街路用照日m、誘導燈器具及信號裝置、舞台及錄影棚 109599.doc 1304871 用照明器具、廣告燈、照明 田政 4用知、水十照明用傺、閃氺衿 用燈、聚光燈、裝入電線桿等之防用I閃先燈 器且、丰#L ^ 防|用妝明、緊急用照明 益”手電琦、電光佈告板等、忐，t , 双寻、或調光器、自 古 顯示器算之普求Λ1; „ 目動to滅器、 只1窃导之#先、動態圖像裝置、 光感測哭 s ^ ^ 裝置扣、照光式開關、 庀歇而1§、醫療用燈、車載燈等。 (發明之效果）
由=發明之反射構件係具有例如使複數無機粒 =分-體化’於無機粒子間設置空隙而形成為多孔質 八層’因此不僅可於反射構件之表面反射光等之波成 刀’亦可於孔之内部與空隙之界面，將進人至反射構件 反射層）内之波成分進行全反射。亦即，藉由於空隙 中，填充折射率比空氣等氣體或無機粒子低之透明材料^ 可利用孔之内面與空隙之填充物間之折射率S，於其等之 界面（反射面）將人射之波成分進行全反射。此外，藉由將 反射層形成為適度之氣孔率之多孔質，可於反射層内部形 成適度之空隙（孔）’於反射構件之内部確保較多之反射 面。藉此，於本發明之反射構件，可效率良好地反射進入 至反射構件内部之波成分。其結果，可有效防止光等之波 成分被封閉於反射構件之内部，達成極高之反射率。 此外於藉由無機物形成反射層之反射構件，相較於且 有以有機物為主成分之反射層之反射構件，耐光性及耐熱 性變问。因此，於本發明之反射構件，可有效抑制材料劣 化所造成之反射效率降低。 並且’若藉由將無機粒子互相一體化來形成反射層，可 109599.doc -10- 1304871 獲得無機粒子不會剝落之具有充分強度之反射構件（反射 層）。 此外若使反射層之氣孔率成為15〜43%，由於空隙（孔） 不會不當地存在過多，因此可充分確保反射層（反射構件） 之強度，並且孔之内面與空隙之界面（反射面）之面積不會 不當地變小。其結果，本發明之反射構件係成為高強度及 高反射效率。 而且以本發明之製造方法，可形成具有適度空隙（孔）之 反射率尚之反射層（反射構件），此外，可形成無機粒子於 4刀互相一體化之具有充分強度之反射層（反射構件）。 由於本發明之發光裝置及照明裝置具有先前所述之反射 構件’因此能以極高之效率，使來自發光元件之射出光往 所需方向反射。因此，於本發明之發光裝置及照明裝置， 可使射出光強度非常高，並且可歷經長期維持安定之 光強度。 一此外，由於發光裝置係由無機材料而形成，其耐光性 同因此即使疋作為發光元件’冑用將紫外光、近紫外 光、或藍色光之高能量之光射出之LED晶片或⑶晶片之情 況，反射構件仍不易劣化，可歷經長期維持安定之輸出。月 【實施方式】 於以下，參考圖1至圖4，說明關於本發明之照明裝置、 發光裝置及反射構件。 圖1所示之照明裳置⑽於基板10上，複數發光裝置2配 置成矩陣狀，藉由同時使複數發光裝置2亮燈，可呈面狀 109599.doc 1304871 地照射光而構成。 於基板U)，將布線11(參考圖3)進行圖案形成，此布如 導通連接於後述之發光裝置2之下面導通部％(參考圖3卜 藉此各發光裝置2可實現來自外部之供電，可選擇亮燈 狀態及熄燈狀態。 U 1 如圖2及圖3所示，發光裝置2具備：基體3、發光元件 4、透光部50、波長轉換層51及第一及第二反射構件6、 7 ° 基體3係用以支持發光元件4及後述之第一反射構件6之 框體60’並作為絕緣體而形成。此基體3係由例如氧化紹 質燒結體、氮仙質燒結體m柱石f燒結體、玻璃 陶瓷燒結體等陶瓷所形成。 於此基體3 ’形成導通連接於基板1()之布線^及後述之 發光元件4之端子41之布線導體3Q。此布線導體3q係對發 光元件4提供用以驅動之電力’具有互相導通之上面導體 部3!、通孔（via)導體32、層間導體部33、通孔導體μ及下 面導體部3 5。 形成有此布線導體30之基體3，係可藉由於例如作為基 體3之複數胚>|(green sheet)’印刷作為布線導體觀w、 Mo、Mn、Cu等之金屬糊，於燒製基體3之同時 金屬糊來形成。 虽然基體3亦可藉由環氧樹月旨等樹脂來形成，布線導體 3〇亦能以電鍍法、薄膜形成法等習知之方法，形成於基體 5之表面或内部。布線導體3G亦宜於露出之表面U面導體 109599.doc -12· 1304871 部31及下面導體部35之表面），包覆厚度0.5〜9 μιη之Ni層 或厚度0.5〜5 μπι之Au層等耐蝕性優異之金屬層。如此一 來’由於可有效防止布線導體30表面氧化所造成之腐蝕， 因此於上面導體部31與後述之發光元件4之電極41之間， 以及於下面導體部35與基板1〇之布線η間，使用焊錫等導 電性接合材料80、8 1進行接合之情況，可使其等間之接合 強固。 發光元件4係射出作為目的之波長範圍之光，以面朝下 籲方式安裝於基體3。&發光元件4係於主面40内t作有電路 元件（省略圖式），具有導通於此電路元件（省略圖式）之電 極41。電極41係經由導電性接合材料8〇，導通連接於布線 導體30之上面導體部η。 作為導電性接合材料8〇 ’可使用例如鐵材、焊錫、導體 凸塊、導電性接著材料。作為焊劑及焊锡，可使用錫類之 例…n、Sn-Ag、Sn_Ag_Cl^Sn_pb;作為金屬凸塊， 籲可使用由例如Au或Ag所形成者；作為導電性接著材料， 可，用例如於環氧樹脂等樹脂成分中，分散有導體球者； 此外，發光元件4係依電極41或光射出區域 亦可藉由金屬縝蛀人&收‘ /双促置’ 、.’接σ而將電極41與布線導體30進行電性導 係射㈣如在從料線區至紅 =圍:有峰值波長之光，或射出在先前之波長區= =射：有寬頻特性之光。發光裝置咖應於= 應射出之光之顏色(波長)，而選擇其種類(射出^ 109599.doc -13· 1304871 =寺性)。例如於發光裝置2,為了使用波長轉換層”而 感性良好之白色光，作為發光元件4宜❹從300nm 卜系中，發出藍色系之短波長之光，特別宜使用發 光或近紫外光之元件。此係根據以下理由。
亦即，作為發光元件4而使用射出可視光者之情況，藉 由螢光體（波長轉換層51)將該射出光之一部分轉換成補色 關：之顏色’將射出光及螢光體之光混色而成為白色，於 月兄、由於動作所造成之溫度上升等，來自發光元件4 之射出光之波長容易變化，射出光與螢光體之光之混色平 衡'易破壞，難以獲得安定之白色光。此外，纟自光源之 光係從中、部越往外侧強度越#，對於該@度偏差，幾乎 無法以螢光體來調整顏色。 、相對於此，紫外光或近紫外光由於能量大，因此能以榮 光體將大部分之射出光進行波長轉換，因此僅考慮從勞光 體發出之光U色平衡即可，無須考慮射出光與螢光體之 光之平衡。因此，為了於發光裝置2，視感性良好地射出 白色光，作為發光元件4宜使用射出紫外光或近紫外光 者。 作為此種射出紫外光或近紫外光之發光元件4，宜使用 於例如藍寶石基板上，依序疊層含Ga_N、A1_Ga_N、ιη_
GaN等所構成之緩衝層、Ν型層、發光層、ρ型層之氮化鎵 系化合物半導體或矽碳化物系化合物半導體等之LEd或ld 透光部50係用以抑制發光元件4由於外氣中之水分等而 暴路，其密封發光元件4，並設置於後述之第一反射構件6 109599.doc • 14 - 1304871 框體60内。此透光部5〇係進而縮小發光元件4與其周 圍之折射率之差’抑制光被封閉於發光元件4之内部，發 揮提高發光元件4之發光強度之作用。 透光部50係由例如與發光元件4之折射率差小，對來自 發先兀件4之射出$，透過率較高之材料所形成。作為符 合此等條件之材料，可舉例如石夕樹脂、環氧樹脂、脲樹脂 (urea resm)等透明樹脂、低熔點玻璃、溶膠-凝膠 玻璃等透明玻璃等。 此透光邻50可藉由使用配量器等，將例如未硬化狀態或 溶融狀態之材料，填充於框體⑼之内部後，使材料固化而 形成。 波長轉換層51係用以轉換自發光元件4射出之光之波長 (顏色）’以覆蓋透光部50之方式位於發光元件4之正上方。 此波長轉換層51含有因應於應轉換之波長之螢光體。 作為螢光體T舉例如以驗土類結酸鹽螢光體、選自稀 土類元素之至少一種元素所活化之釔、鋁、石榴石系螢光 體。 此波長轉換層51亦可覆蓋發光元件4之光射出面而設 置，或於不將發光元件4之光進行波長轉換而直接利用之 情況下省略。 第一及第二反射構件6、7係用以反射自發光元件4射出 之光之後，往發光裝置2之外部射出，以包圍發光元件4之 方式形成。 第一反射構件6係具有框體6〇及反射層61，並經由接合 109599.doc -15- 1304871 材料接合於基體q 或樹脂接著劑。作為接合材料，可使用谭錫或鱲材、 Cu、Pb_Sn 為鐵材及谭錫，可使用錫類之例如Ag· 料，可AU_Sl' Sn_Ag'Cu;作為樹脂接著材 之接合需要高可靠性之：其中，於基體3與框體60 接合H H宜使料錫或金屬鱲材作為 框體60係用以差拄
支持反射層61，有具有圓形剖面之内部空 ^即，框體60係於規定内部空間62之内面63，密貼 I成有反射層61。於内部空間62，於收容有發光元件*之 狀態下設置透光部5 0。 此框體6〇係由例如鋁等金屬、陶究或樹脂所形成。其 中’框，6G係為了抑制作用在與基體3之間之熱應力之影 響，宜藉由與基體3之熱膨脹係數差較小之材料來形成。 例如於基體3由陶瓷形成之情況，框體60亦宜由陶瓷來形 成。於此情況，亦可藉由胚片法同時形成基體3及框體 60 » 反射層61係用以使從發光元件4射出之光，從發光裝置2 往圖之上方射出。此反射層61係密貼於框體6〇之内面63而 設置’並包圍發光元件4之側面42。 另一方面，第二反射構件7係密貼於基體3之上面36而設 置’於發光元件4之正下方往平面方向擴散。此第二反射 構件7係全體作為反射層而作用。 如圖4所示，反射層61及第二反射構件7係由無機材料形 成為多孔質。更具體而言，反射層61及第二反射構件7係 I09599.doc -16- 1304871 . 使複數無機粒子互相於一部分一體化，以便形成具有多數 孔64(70)之多孔質。孔64(70)係由氣體（例如空氣）所充滿。 於如此而多孔質化之反射層61及第二反射構件7，自折 射率低之空氣入射於折射率高之無機粒子之光，係透過表 面65(71)而進入於反射層61及第二反射構件7之内部。此透 過光係於無機粒子之表面67(73)與折射率比其低之孔 64(70)内之氣體之界面，由於折射率差而部分被全反射， 其他部分則透過《亦即，無機粒子之表面67(73)與孔 修 64(70)内之氣體之界面，以對光入射角度進行全反射之角 度存在之情況，入射光幾乎1〇〇%被反射。另一方面，無 機粒子之表面67(73)與孔64(70)内之氣體之界面，不以對 光入射角度進行全反射之角度存在之情況，入射光會透 過。於此透過之光之光路前方，與上述相同亦存在數個無 機粒子之表面67(73)與孔64(70)内之氣體之界面，於其等 界面中，以對光入射角度進行全反射之角度存在之界面， 鲁係以高確率存在。其結果，進入至反射層61及第二反射構 件7之内部之透過光，於所有界面均將近被反射。藉 由連續發Ub種現象’進人至反射層61及第二反射構件7 之内部之透過光，會有效地被反射，並射出至反射層61及 第一反射構件7之外部。亦即，於光自反射層61及第二反 射構件7之表面65(71)傳搬至内部之過程中，自反射層“及 第二反射構件7之表面再度射出至空氣中之光，係接近 透過反射層61及第二反射構件7之光係接近〇%。 同仗上述作用可理解，由效率良好地反射入射光之觀 109599.doc •17· 1304871 點考量’作為無機粒子宜使用折射率高並可較大地確保全 反射臨界角者。此外，從減少反射⑽及第二反射構们 之光衰減之觀點考量，宜使用對於應反射之光之吸收少 (例如光吸收率為5%以下）之材料。此外，在將第-反射構 件1之反射層61、第二反射構件7形成為層狀之情況，其厚 度宜為0.03 mm以上。因兔萁度命 u為右厚度未達〇.〇3 mm，光透過之 確率會變高。 此等反射層61及第二反鼾糂 久射構件7係為了以高確率，使進 入至反射層61及第二反勒嫌h * 夂射構件7之内部之透過光反射、射 出’宜以氣孔率成為15〜43 之方式形成。此係由於在氣 孔率不當地過小之.潜、、9 ’ 孔64(70)會變少，因此有助於光 反射之反射面數目變少（内矣而接嫩，、 m表面積變小），反射率降低所 致，於氣孔率不當地過大衅 c ^ 、穴之if况，反射層61及第二反射構 件7之強度降低所致。 於此’氣孔率係表示藉由幾何學法所測定之全氣孔率， 由下述數式1所定義。 [數1] 氣孔率（％)= 密度 真密度
xlOO 數式1中之體密度喊density)可藉由阿基米德法來測 定’真被度可藉由氣相置換法（比重瓶法）來測定。此外， 反射層薄之情況，可藉由顯微鏡觀察反射層之剖面，求出 該剖面之氣孔之面積率(以總面積除以氣孔面積之總和而 109599.doc -18- 1304871 求出），將此氣孔面積率乘以3/2來求出氣孔率。 此反射層61及第二反射構件7可於框體6〇之内面63或基 體3之上面36’形成含複數無機粒子之無機粒子層後，將 此無機粒子層進行預燒成來形成。 而且，所胡預燒成係與無機粒子間幾乎不存在空隙之狀 態（氣孔率為0.001〜1 %程度）之燒結體（陶瓷）不同，其意味 用以形成具有適度之氣孔率之多孔質體之不完全燒成。 無機粒子層可藉由將例如混合有無機粒子及黏結劑樹脂 之材料，進行喷霧塗佈來形成。 作為黏結劑樹脂，可使用例如丙烯酸樹脂、石蠟樹脂或 聚乙烯樹脂。
另方面，如上述，作為無機粒子宜使用對於應反射二 光之吸收少（例如光吸收率為5%以下），折射率高並可較） 地確保全反射臨界角者；典型上可使用氧化鋁、氧化釔 氧化锆、氧化鈦、鑽石、氧化鈣及硫酸鋇。無機粒子宜J 2金屬無機粒子。以金屬，由於光難以透過無機粒·Ϊ 中，因此光會被封閉於孔64(70)中，損失容易變大。 :等無機材料中，從折射率之觀點考量，特別宜為可較 大地·全反射臨界角之例如氧化鈦(金紅…2 化錯（n=2.1)或鑽石（n=2.4)。 此外從光吸收（透過率）之觀 於應反射d …棧材枓可因應 氧化欽較適宜折料之觀點考量， 會吸收光之特性。因此：：”35°nm前後之近紫外區域 為了以反射波長350 11爪前後之近 109599.doc •19- 1304871 紫外光之方式，來構成反射層61及第二反射構件7，宜使 用難以吸收近紫外光之氧化鋁。 作為無機粒子，宜使用粒徑比入射光之波長之1/4大， 且儘可能小者。此係由於在無機粒子之粒徑比光波長之 1/4小之情況’對光之外觀上之折射率差變小，難以反射 光所致’於無機粒子之粒徑過大之情況，孔64(7〇)之内面 積、亦即反射面積變小所致。並且，從提高將入射光進行 全反射之確率之觀點來看’作為無機粒子宜不使用球形狀 而使用板形狀或柱形狀等不定形者。 無機粒子層之預燒成係依使用之無機材料、應達成之氣 孔率及抗折強度而不同，而通常於1〇〇〇〜14〇吖進行卜5小 夺於預燒成中’亦可添加用以降低燒結溫度之助劑。作 為於，情況所使用之助劑，可舉例如氧化㈣氧化鎂，其 添加置為1〜10 wt%。 藉由進行此預燒成，無機粒子相互一體化，可獲得 質體’其係無機粒子相互—體化，氣孔率及 =體例如氣孔率為15〜俄、抗折強度為㈠⑽咖之多 二體。而且於無機粒子層預先含有黏結劑樹脂之情況， =腊係藉由預燒成之加熱來蒸散或燃燒而除去。 …曰61及第二反射構件7亦可作為無機粒子藉由接著 合之多孔質體而形成。此多孔質體亦可=含 用之接著：，使溶劑揮發而形成。於此情況使 力’殘留於多孔質體，因此為了抑制起因於接著劑 109599.doc -20- 1304871 之光吸收而反射率降低，作為接著劑宜使用具有透光性 者。作為此類接著劑，可使用例如環氧樹脂、矽樹脂、氟 樹脂、丙烯酸樹脂、脲樹脂、曱基丙烯樹脂及聚碳酸酯樹 脂等樹脂系接著劑、或低熔點玻璃、溶膠_凝膠玻璃及Si_ Mg_Al-〇系等之玻璃系接著劑。 此外，反射層61及第二反射構件7亦可不製作於框體6〇 之内面63或基體3之表面36，而藉由將另外形成之多孔質 體，貼合於框體60之内面63或基體3之表面％。第一反射 構件6亦可使用無機材料，將全體形成為多孔質。於該情 況，僅藉由多孔質體來形成第—反射構件6，並省略框體 6〇 ’但照射有光之表面係作為良好之反射面而作用，同時 作為多孔質體之第-反射構件6亦作為隔熱材料而作用， 可有效防止發光裝置之外表面之高溫化。此多孔質體例如 可如下而形成。 首先’獲得以無機粒子及黏結劑樹脂之混合物作為目的 之形狀之成形體。無機粒子及黏結劑樹脂可使用與先前所 說明相同者。另一方面，成形體可藉由使用模具之加壓來 進行。此外，成形體係於其形狀為膜狀之情況，於先前之 混合物添加&松油醇，並且加入甲苯等溶劑而製成聚體， 將此漿體使用刮刀而於台上成形後，使溶劑揮發而形成亦 7Γ 人別傅仟果構成/土、祖/王、體亦可。 於该情況，照射有光之表面係 昨忭马艮好之反射面而作用， 並且框體60或基體3亦作為 ^ 刀作為隔熱材料而作用 l〇9599.d< -21 · 1304871 • 發光裝置之外表面之高溫化。 其次’進行成形體之預燒成。預燒成之條件係、與先前說 明者相同。藉由此預燒成，黏結劑樹脂藉由蒸散或燃燒而 除去，形成具有適度之氣孔率之多孔質體。 於發光裝置2,第-反射構件6(反射層61)及第二反射構 件7被多孔f化。因此，於發光元件4射出之光進入至第一 及第二反射構件6⑺之内部，於無機粒子與孔64⑽内之 氣體之界面被全反射。亦即，藉由使折射率比無機粒子低 之空氣等氣體，存在於孔64(7〇)，由於無機粒子與孔 64(70)内之氣體間之折射率差，可於其等之界面（反射面） 使入射之-部分之光進行全反射。此外，藉由使第一反射 構件6之反射層61及第二反射構件7多孔質化，可使多數之 孔64(70)存在於其等之内部。其結果，於第一反射構件 6(反射層61)及第二反射構件7之内部，存在多數可有效反 射對内部之進入光之界面（反射面），可效率良好地反射進 籲入至第-及第二反射構件6、7内部之光。亦即，光從第一 及第二反射構件6(7)之表面65(71)傳搬至内部之過程中， 從第-及第二反射構件6⑺之表面65(71)再度射出往空氣 之光係接近着/。，透過第—及第二反射構件6⑺之光接近 0%。 此外，藉由無機物形成第一反射構件6(反射層61)及第 二反射構件7，可相較於具有以有機物為主成分之反射層 之反射構件，更提高耐光性及耐熱性，因此可有效抑制材 料劣化所造成之反射效率降低。藉此，於發光裝置2中， 109599.doc -22- 1304871 可歷經長期維持安定之反射效率，維持安定之光輸出。此 效果即使於作為發光元件，使用射出紫外光、近紫外光戋 藍色光之高能量之光之led晶片或LD晶片之情況亦可享 爻。亦即’藉由採用本發明之反射構件6、7，即使於作為 發光元件4,採用射出高能量之光之發光裝置2,仍可有效 抑制起因於反射構件6、7之劣化之反射效率降低或輸出降 低。 本發明不限定於上述實施型態，可進行各種變更。例如 亦可構成為第一構件6之反射層61及第二反射構件7，亦可 藉由折射率比構成此等之無機材料小之透明材料來充滿孔 64、70。但於第一反射構件6之反射層“及第二反射構件7 作為無機粒子藉由接著劑結合之多孔質體而構成之情況， 作為充滿孔64(70)之透明材料不僅可使用構成多孔質體之 無機材料’亦可使用折射率比接著劑小者。 此外，於先前之實施型態中，說明有關於發光裝置適用 φ反射構件之例，但本發明之反射構件不限於光，亦可使用 於例如用以反射熱（紅外線）、叉線等其他之電磁波之目 的。 並且，先前說明之發光裝置2具備第一反射構件6及第二 反射構件7，但亦可省略此等反射構件6、7中之一方。 於先前之實施型態中，說明有關複數發光裝置排列為矩 陣狀之照明裝置，但將複數發光裝置排列為線狀而構成照 明裝置，或將1個發光裝置作為照明裝置使用均可。並 且關於本發明之發光裝置及反射構件亦可對顯示裝置適 109599.doc -23- 1304871 <* . 用。 此外，本發明之反射構件可作為在基板上，形成矽等之 半導體層而成之太陽能電池用基板（參考曰本特開2〇〇1_ 203373號公報）。 此種太陽能電池之情況，從太陽能電池表面穿透半導體 層而到達反射構件之光’係於反射構件之孔隙狀表面以低 損失而擴散反射’光會於半導體表面與基板表面間重複反 射，而多次通過半導體層，於當時，光會被半導體層吸收 鲁而可發電’因此提高太陽能電池之發光效率。 並且，若以陶瓷形成此反射構件，可縮小反射構件與矽 之熱膨脹係數差，因此可於反射構件上，品質良好地由矽 .來形成半導體層， 此外，本發明之反射構件係藉由作為聚光器而使用，亦 可構成固體雷射裝置；其中該聚光器係具有開口部，其係 内面形成擴散反射狀，具有將來自半導體雷射之光導入内 φ部，並且於内部配置含半導體雷射光所激發之活性媒質之 Nd : YAG等之固體元件’從固體元件取出雷射光（參考日 本特開2004-7012號公報）。 使用如此之本發明之反射構件之聚光器，係於内部以低 損失而擴散反射來自半導體雷射之光，並且於聚光器内 部’以接近均勻之光強度來傳搬擴散反射之光。其結果， 固體雷射裝置可無損於固體元件之振盡效率，進而無損於 光束品質而激發固體元件。 [實施例1 ] 109599.doc •24- 1304871 種無機材料之無機粒子而 反射率之關係。 於本實施例中，關於使用含各 製作之反射構件，檢討氣孔率與 (反射構件之製作） 於反射構件中，首先作為無機粒子而準備氧化鋁粒子、 氧化錐粒子、氧化釔粒子及氧化鈦粒子，將各無機粒子與 氧化鈣粒子、矽粒子及氧化鎂粒子之重量比為9.2 : 0.2 : 〇.5 · 0.1之比例秤量並混合，調製出混合物。 其人’對先前之混合物，以重量比成為1 〇%之方式混合. 丙烯酸樹脂，並與甲苯及氧化鋁球一同放入球磨機，混合 24小時而調製出漿體，並且以喷霧乾燥使漿體乾燥，製成 粉體。 其次’將獲得之粉體秤量1 g，於手壓裝置以壓力 壓，成形為直徑20 mm之錠。 並且藉由下述表1所示之條件燒結錠，以獲得本實施命 所使用之反射構件。 [表1] -------------1 --燒結條件 氣孔率[%] 時間[h] ---J200 2 37 —-__1400 2 14 __L600 2 0 -^J200 2 42 ssJ400 2 38 -_J600 2 0 _J000 2 51 -__1200 2 48 2 1 0 -_^000 2 40 s·__1200 2 24 ---1400 2 0 無機粒子 氧化在呂 ----- 氧化釔 乳化錯 氧化鈦 109599.doc -25 · 1304871 於此，氣孔率係藉由幾何學法所測定之全氣孔率（參考 前述數式1)，體密度係藉由阿基米德法，真密度係藉由氣 相置換法（比重瓶法）來測定。 (反射率之測定） 反射率係藉由分光測色計（日本美能達製cm_37〇〇d)來 測定。使氤燈之光人射於獲得之取樣，於取樣表面反射，
測定其反射光之強度，將人射光與反射光之強度比作為反 射率。而且，測定波長為400 nm46〇()nme 關於反射率之測定結果，於圖5〜圖8表示以橫軸為氣孔 率之圖。此外’分職5是表示關於氧化銘之測定结果， ，表示關於氧化錯之测定結果，圖7表示關於氧化紀之測 定結果，圖8表示關於氧化鈦之測定結果。 :自圖5 18可知’於本次測定之氣孔率之範圍内，氣孔 率越大’ S射料員向越大。肖別於氣孔率為ι〇〜观之範 圍，相較於氣孔率G%(陶幻，反射率顯著變大。因此，於 使用無機粒子形成反斜错^生 珉夂射構件之情況，可說宜適度形成空隙 而進行多孔質化。 [實施例2] 於本實施例中，關^用氧化_子形成反射構件之情 况’更洋細地檢討氣孔率與反射率之關係。此外，於本實 及絲姑作為比例，亦針對美國LabSph㈣公㈣之標準 (商°°名「Speetl:alGn」）測定反射率。 而且’反射構件之製作方法、氣孔率之敎方法及反射 率之測定方法其太μ & 土本上與實施例丨相同。此外，氣孔率係藉 109599.doc -26- 1304871 由改變燒結條件來調整。於下述表2表示有關燒結條件、 氣孔率及反射率之測定結果。關於氣孔率及反射率之測定 結果’進-步將橫細為氣孔率，將縱轴作為反射率，分 別於圖9A表不測定波長為4⑽⑽之情況，於圖9B表示測 定波長為600 nm之情況。 [表2]
從表2、圖9A及圖9B可知，使用氧化銘粒子之反射構件 係不限測定波長^氣孔率1G〜45%之Μ内均顯示出高 反射率。特別於氣孔率15〜43%之範圍内，相較於比較例 之標準反射板’顯示出更高之反射率。因此，於使用氧化 銘形成反射構件之情況，可說宜將氣孔率設定於Μ〜桃 之範圍内。 而且於本實施射，檢討有關使用氧化銘粒子之情況， 但若亦參考實施例i之結果，可視為即使於使料他無機 :子之情況’在與使用氧化紹粒子之情況相同之之 靶圍内，仍可提供具有高反射率之反射構件。、 [實施例3] ^9599.doc •27- 1304871 於本實施例中，針對實施例2所製作之氣孔率37%之反 射構件（本發明）’觀察表面性狀及剖面性狀。表面性狀及 剖面性狀之觀察係使用掃描型電子顯微鏡（sem)來進行， 於圖H)A及圖1〇B表示當時拍攝之照片。分別是圖i〇a為拍 攝本發明之反射構件（反射層）之表面性狀者，圖為拍 攝本發明之反射構件（反射層）之剖面性狀者。
而且’為了參考’於圖11A及圖UB表示拍攝比較例之 #氣孔率吸氧化㈣兗之表面及剖面形狀。分別是圖11A 為拍攝比較例之標準反射板之表面性狀，圖UB為拍攝比 較例之標準反射板之剖面性狀。 從圖1〇A及圖1〇B可知，本發明之反射構件係氧化㈣ 子彼此於-部分一體化而進行多孔質化。亦即，·於本發明 中，由於較大地破保反射構件之内部之反射面積，因此以 雨確率存在以對光人射角度進行全反射之角度存在之界 面，於該界面會有效地反射，進入至反射構件内部之光會 I 有效地射出。 [實施例4] ' 細例中，如下評估本發明之發光裝置。首先，如 圖3所示，形成含氧化 現、、°體之基體3，該氧化鋁質燒 、、，α體具有含鎢金屬化物之布線 々墙_亡 心邛踝导體30(於主面未形成如圖3 之第一反射構件7)。 其次，藉由各種材料， 於此，在本發明之取樣中 晶而成為氣孔率36·6%之 將框體60接合於基體3之上面。 ，框體60全體係由加熱氧化鋁結 夕孔質體所組成，框體6〇具有作 109599.doc -28- 1304871 為反射構件之功能。此外，作為比較用之取樣，準備以鋁 構成框體全體者、及以氧化鋁質燒結體（氣孔率〇%)構成框 體全體者。 接著，將峰值波長互異之各種LED元件安裝於基體3， 以矽樹脂填充框體内侧，藉此製作評估用之發光裝置。 於表3表示框體對於此等各種LEd元件之峰值波長之反 射率。而且，於圖12及圖13表示使用此等各種LED元件之 發光裝置之光強度。 [表3] 各LED元件 之峰值波長 (nm) 本發明 比較例 (鋁） 比較例 (氣孔率0% 氧化鋁質燒結艚、 365 95.3 77.3 82.9 370 ' 95.8 78.0 833~~' 381 96.3 79.3 86^0 386 394 96.6 ~ 97Λ ——_ 80.8 8M ~ 87^ ~ 403 97.3 81.2 88J ^ 453 97.7 84.9 89J~~ ~' 由表3、圖12及圖13所示之結果可知，本發明之發光裝 各種反射構件對 置係藉由使反射構件之反射率為95%以上，而成為光輸出 高之優異裝置。 【圖式簡單說明】 圖1係表示關於本發明之照明裝置之一例之全體立體 圖0 圖2為圖1所示之照明裝置中之發光裝置之平面圖。 圖3係沿著圖2之in-in線之剖面圖。 109599.doc •29· 圖4係放大表示圖1及圖2所于 層）之剖面圖。 斤不之發光裝置之要部（反射 圖5係表示於實施例!中 果之圖。 氧化鋁作為無機粒子時之結 :6係表示於實施例… 孔率及反射率之測定結果之^化紀作為無機粒子時之氣 孔率及反射率之實:定::::氧化錯作為無機粒子時之氣 圖8係表示於實施例1 孔率及θ使用氧化鈦作為無機粒子時之氣 年及反射率之測定結果之圖。 # 、、表不實施例2之氣孔率及反射率之測定之圖；圖9Α ^不測定波長為4G()nm，圖⑽表示敎波長為_nm 子之結果。 係表示實施例3之本發明之反射構件之SEM照片； 圖10A係拍攝表面性狀，圖】〇B係拍攝剖面性狀。 圖11係表示實施例3之比較例之反射構件之SEM照片； 圖11A係拍攝表面性狀，圖11B係拍攝剖面性狀。 圖12係表示實施例4之結果之圖。 圖13係表示實施例4之結果之圖。 圖14係表示以往之反射構件之一例之剖面圖。 圖15係表示以往之反射構件之其他例之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 照明裝置 2 發光裝置 109599.doc 30- 1304871 4 6 7 61 64 70 (發光裝置之）發光元件 第一反射構件 第二反射構件 (第一反射構件之）反射層 (第一反射構件之）孔 (第二反射構件之）孔 109599.doc -31 -

Claims (1)

  1. DO臀為贈95號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(97年6月） 十、申請專利範圍： 1. -種反射構件’其係包含藉由無機材料形成為 反射層’其中前述反射層係使複數無機粒子互相於―之 分一體化而於前述複數無機粒子間設置空隙，藉而：： 為多孔質。 猎Μ成 2. 如請求項1之反射構件，1由兄 心桃。 ”中刖述反射層係氣孔率為 3. :請：項1之反射構件，其中前述空隙係由氣體或折射 。比刖述無機粒子低之透明材料所充㈤。 、 4. 如請求項1之反射構件，装φ a、+，％把> 述複數無機粒子係藉由 預麂成而互相於一部分一體化。 6. 月长員1之反射構件，其中前述無機粒子係含選自氧 化銘、氧化妃、氧化錯及氧化鈦中之至少一種。 2反射構件之製造方法，其係該反射構件包含藉由無 機材料形成為多孔皙 處之反射層，其中前述反射層係使複 t 互相於—部分—體化㈣前述複數無機粒子 '置空隙’藉而形成為多孔質；其包含以下步驟： 形成3複數無機粒子之無機粒子層或無機粒子成形體 之步驟；及 精由預燒成將前述無機粒子層或無機粒子成形體進行 多孔質化之步驟。 7. 種反射構件之製造方法，其中該反射構件包含藉由無 機材料形成為多孔質之反射層，其中前述反射層係使複 數無機粒子互4日认 於一 4 7刀一體化而於前述複數無機粒子 109599-970612.d〇i p〇487l j h:;:: mwi 〇 .......=- 間設置空^Ϊ '、糟而形成為多孔質；其包含： 附著步驟’其係於基 及斑钍添,丨4 衣囬人上3複數無機粒子 、'、。叙㈣㈣而於前述基材表面 如請求項7之反射構件之製造方…“夕孔質層。 熱步驟，其係_由 '’、 '而包含：加 9. 粒子-體化，：、、」使前述多孔質層中之複數無機 並且除去前述黏結劑。 發光裝置’其係具備：1或複數發光元件；及反 件’其係用以反射自前述發光元件射出之光. . 孔=LT1T用包含藉由無機材料形成為多 相於1八T 述反射層係使複數無機粒子互 藉而开/Γ 而於前述複數無機粒子間設置空啤， 猎而形成為多孔質。 1承 .卜求項9之發光裝置’其中前述反 15〜43%。 肖即乳孔率為 U·如請求項9之發光裝置，其中 率t卜俞、+、— 4二丨永係由氣體或折射 則述無機粒子低之透明材料所充滿。 12·如請求項9之發光裝置’其中前述複數無 預燒成而互相於__部分H -係藉由 13 _如請求項9之發光裝置， 自m 裝置，、中别述無機粒子係至少含選 氧化鋁、氧化釔、氧化锆及氧化鈦中之—種。 14_如請求項9之發光裝置’其中前述反射構件對前 兀件之峰值波長之反射率為95%以上。 a發先 15_如請求項9之發光裝置’其中前 LD晶片。 兀件為LED晶片或 109599-970612.doc i 1304871 求項9之發光裝置，其中前述發光元件係構成為射 紫外光、近紫外光或藍色光。 17 一種照明裝置，其係具備1或複數發光裝置； 作為前述發光裝置係使用具⑴或複數發光元件，及 :以反射自前述發光元件射出之光，且包含藉由無機材 U成為多孔質之反射層之反射構件者，其中前述反射 層係使複數無機粒子互相於一部分一體化而於前述複數 無機粒子間設置空隙’藉而形成為多孔質。 如明求項17之照明裝置，其中前述反射層係氣孔 15〜43% 〇 H項17之照明裝置，其中前述空隙係由氣體或折射 ;、比則述無機粒子低之透明材料所充滿。 2〇 =求項17之照明裝置，其中前述複數無機粒子係藉由 預燒成而互相於—部分一體化。 21·如請求項17之照明I置，其中前述無機粒子係至少含選 自氧化鋁、氧化釔、氧化锆及氧化鈦中之-種。 I如請求項17之照明裝置’其中前述反射構件對前述發光 疋件之峰值波長之反射率為95%以上。 23^請求項17之照^置’其中前述發光元件為咖晶片 或LD晶片。 “·=項17之照明裝置，其中前述發光元件係 出务外光、近紫外光或藍色光。 109599-970612.doc
TW95110995A 2005-03-29 2006-03-29 Reflector, light-emitting apparatus with the reflector, and illuminating apparatus with the reflector TWI304871B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005095015 2005-03-29
JP2005346904 2005-11-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200643340A TW200643340A (en) 2006-12-16
TWI304871B true TWI304871B (en) 2009-01-01

Family

ID=37053319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW95110995A TWI304871B (en) 2005-03-29 2006-03-29 Reflector, light-emitting apparatus with the reflector, and illuminating apparatus with the reflector

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8449973B2 (zh)
EP (1) EP1873563B1 (zh)
JP (3) JP4847954B2 (zh)
KR (1) KR20070112411A (zh)
CN (1) CN101180557B (zh)
TW (1) TWI304871B (zh)
WO (1) WO2006104061A1 (zh)

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4847954B2 (ja) * 2005-03-29 2011-12-28 京セラ株式会社 反射部材、これを用いた発光装置および照明装置
JP4991173B2 (ja) * 2005-04-27 2012-08-01 京セラ株式会社 発光素子搭載用基体ならびにこれを用いた発光装置
JP2008147610A (ja) * 2006-11-15 2008-06-26 Kyocera Corp 発光装置
JP2010517213A (ja) * 2007-01-19 2010-05-20 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 改善された熱伝達を伴う発光装置
JP2008198962A (ja) * 2007-02-16 2008-08-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2009032943A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Japan Gore Tex Inc 発光素子用プリント配線基板
EP2187177A4 (en) * 2007-09-05 2012-12-26 Nikon Corp REFLECTOR PLATE FOR AN OPTICAL CODING DEVICE, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND OPTICAL CODING DEVICE
DE102007046339A1 (de) * 2007-09-27 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle mit veränderlicher Abstrahlcharakteristik
JP2009088112A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Kyocera Corp 発光装置
US9461201B2 (en) 2007-11-14 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitting diode dielectric mirror
JP5526782B2 (ja) 2007-11-29 2014-06-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
TWI389350B (zh) * 2007-12-25 2013-03-11 Kyocera Corp Light emitting device
WO2009082011A1 (ja) 2007-12-26 2009-07-02 Kyocera Corporation 発光装置および照明装置
JP5153402B2 (ja) * 2008-01-30 2013-02-27 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
US8506130B2 (en) 2008-07-22 2013-08-13 Koninklijke Philips N.V. Optical element for a light emitting device and a method of manufacturing thereof
TWI478370B (zh) 2008-08-29 2015-03-21 Epistar Corp 一具有波長轉換結構之半導體發光裝置及其封裝結構
JP2010153556A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Kyocera Corp 発光装置及びこれを用いた照明装置
KR101383673B1 (ko) * 2009-04-16 2014-04-09 박준영 터치패널 제조용 패드, 이를 이용한 터치패널 제조방법 및 이에 의해 제조되는 터치패널
JP2011009461A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Kyocera Corp 光電変換装置および光電変換装置用部品
KR101245615B1 (ko) * 2009-07-31 2013-03-20 쿄세라 코포레이션 발광 소자 탑재용 세라믹스 기체
US9362459B2 (en) 2009-09-02 2016-06-07 United States Department Of Energy High reflectivity mirrors and method for making same
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US9105824B2 (en) * 2010-04-09 2015-08-11 Cree, Inc. High reflective board or substrate for LEDs
JP5745784B2 (ja) * 2010-06-10 2015-07-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
CN102456809B (zh) * 2010-10-26 2015-09-30 比亚迪股份有限公司 一种led组件及其制备方法
JP5281665B2 (ja) * 2011-02-28 2013-09-04 株式会社東芝 照明装置
EP2684224B1 (en) * 2011-03-07 2019-05-08 Lumileds Holding B.V. A light emitting module, a lamp, a luminaire and a display device
CN103477458A (zh) 2011-03-28 2013-12-25 富士胶片株式会社 发光元件用反射基板及其制造方法
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
US9728676B2 (en) 2011-06-24 2017-08-08 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip
JP2013062500A (ja) * 2011-08-25 2013-04-04 Fujifilm Corp Ｌｅｄ発光素子用反射基板およびｌｅｄパッケージ
JP2013065847A (ja) * 2011-09-01 2013-04-11 Fujifilm Corp 絶縁反射基板およびｌｅｄパッケージ
US9599292B2 (en) * 2011-09-20 2017-03-21 Koninklijke Philips N.V. Light emitting module, a lamp, a luminaire and a display device
JP5781006B2 (ja) * 2012-05-14 2015-09-16 京セラ株式会社 発光素子用配線基板および発光装置
WO2013047874A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 富士フイルム株式会社 発光素子用反射基板
WO2014017108A1 (ja) * 2012-07-27 2014-01-30 コニカミノルタ株式会社 Ｌｅｄ装置及びその製造方法
JP6061072B2 (ja) * 2012-09-24 2017-01-18 東芝ライテック株式会社 照明器具
US9923132B2 (en) * 2013-05-24 2018-03-20 Cree, Inc. Solid state lighting component package with conformal reflective coating
JP6062801B2 (ja) * 2013-05-28 2017-01-18 京セラ株式会社 発光素子用基板および発光装置
KR102304741B1 (ko) * 2013-11-07 2021-09-24 루미리즈 홀딩 비.브이. Ｌｅｄ를 둘러싸는 내부 전반사 층을 갖는 ｌｅｄ를 위한 기판
DE102013114226B4 (de) * 2013-12-17 2019-03-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaserdiode, Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiodenanordnung
JP6314472B2 (ja) * 2013-12-20 2018-04-25 日本電気硝子株式会社 プロジェクター用蛍光ホイール、その製造方法及びプロジェクター用発光デバイス
US9508907B2 (en) * 2014-09-15 2016-11-29 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device on a mount with a reflective layer
JP6623508B2 (ja) * 2014-09-30 2019-12-25 日亜化学工業株式会社 光源及びその製造方法、実装方法
JP6478894B2 (ja) * 2014-10-22 2019-03-06 クアーズテック株式会社 多孔質セラミックス
US10658546B2 (en) 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
KR20170113533A (ko) * 2015-02-03 2017-10-12 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 파장 변환 부재 및 그것을 사용한 발광 디바이스
JP6726486B2 (ja) * 2015-03-10 2020-07-22 シチズン時計株式会社 反射基板の製造方法及び反射基板
WO2017023502A1 (en) * 2015-08-03 2017-02-09 Koninklijke Philips N.V. Semiconductor light emitting device with reflective side coating
JP6634766B2 (ja) * 2015-09-30 2020-01-22 日亜化学工業株式会社 分光放射束測定装置
CN108105604B (zh) * 2016-11-25 2020-05-29 深圳光峰科技股份有限公司 发光陶瓷结构及其制备方法、相关发光装置和投影装置
JP6822660B2 (ja) * 2017-02-08 2021-01-27 株式会社オプトコム 積分球型減光器
US10670200B2 (en) * 2017-03-03 2020-06-02 Nichia Corporation Optical component and method of manufacturing same
JP6891648B2 (ja) 2017-06-07 2021-06-18 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、波長変換装置、光源装置およびプロジェクター
JP6870592B2 (ja) * 2017-11-24 2021-05-12 豊田合成株式会社 発光装置
JP2019125683A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 東芝マテリアル株式会社 Ｌｅｄモジュール
CN110488560B (zh) 2018-05-14 2021-10-26 中强光电股份有限公司 波长转换元件及其形成方法、波长转换模块以及投影装置
CN110687674B (zh) 2018-07-06 2021-10-29 中强光电股份有限公司 波长转换模块、波长转换模块的形成方法以及投影装置
JP7097255B2 (ja) * 2018-07-25 2022-07-07 クアーズテック株式会社 反射部材接合波長変換部材
WO2021149497A1 (ja) * 2020-01-20 2021-07-29 岡本硝子株式会社 レジストインク
EP4160704A1 (en) * 2021-09-29 2023-04-05 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4802186A (en) * 1987-07-06 1989-01-31 Hughes Aircraft Company High reflectance laser resonator cavity
US4838935A (en) * 1988-05-31 1989-06-13 Cominco Ltd. Method for making tungsten-titanium sputtering targets and product
JPH068490B2 (ja) * 1988-08-20 1994-02-02 川崎製鉄株式会社 鏡面性に優れた焼結合金とその製造方法
US4912720A (en) 1988-10-27 1990-03-27 Labsphere, Inc. Laser cavity material
DE4242842C2 (de) * 1992-02-14 1999-11-04 Sharp Kk Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3329573B2 (ja) * 1994-04-18 2002-09-30 日亜化学工業株式会社 Ｌｅｄディスプレイ
JPH09157060A (ja) * 1995-12-06 1997-06-17 Sumitomo Chem Co Ltd 無機焼結多孔体およびフィルタ
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
JPH1129745A (ja) * 1997-07-09 1999-02-02 Matsushita Electric Works Ltd 塗料組成物、塗膜形成方法、塗装品、照明器具用反射板
JP3220081B2 (ja) 1998-01-20 2001-10-22 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP4631153B2 (ja) 1999-12-02 2011-02-16 パナソニック株式会社 ディスプレイ用部材およびディスプレイ
JP2003086475A (ja) 2001-06-26 2003-03-20 Kyocera Corp ダミーウェハとその製造方法及びそれを用いた検出方法
KR100854233B1 (ko) 2001-08-06 2008-08-25 가부시키가이샤 유포 코포레숀 광반사체
WO2003032073A1 (en) * 2001-09-27 2003-04-17 Tsujiden Co., Ltd. Reflective film
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
CN1330983C (zh) 2002-07-24 2007-08-08 优泊公司 光反射体
JP2004207678A (ja) * 2002-10-30 2004-07-22 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
US7118438B2 (en) 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
JP4847954B2 (ja) * 2005-03-29 2011-12-28 京セラ株式会社 反射部材、これを用いた発光装置および照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200643340A (en) 2006-12-16
JP2011180618A (ja) 2011-09-15
JP2011191785A (ja) 2011-09-29
EP1873563A1 (en) 2008-01-02
EP1873563B1 (en) 2017-03-22
CN101180557B (zh) 2013-03-13
CN101180557A (zh) 2008-05-14
EP1873563A4 (en) 2010-09-01
US8449973B2 (en) 2013-05-28
US20090213591A1 (en) 2009-08-27
JP5383747B2 (ja) 2014-01-08
WO2006104061A1 (ja) 2006-10-05
JP5362777B2 (ja) 2013-12-11
JPWO2006104061A1 (ja) 2008-09-04
KR20070112411A (ko) 2007-11-23
JP4847954B2 (ja) 2011-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI304871B (en) Reflector, light-emitting apparatus with the reflector, and illuminating apparatus with the reflector
TWI311803B (zh)
TWI239659B (en) Light emitting apparatus
JP5196711B2 (ja) 発光装置およびそれを用いた照明装置
TWI261937B (en) Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
TWI251356B (en) Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
TWI245436B (en) Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
RU2452059C1 (ru) Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным отражающим конвертером
JP4744335B2 (ja) 発光装置および照明装置
JP2006237264A (ja) 発光装置および照明装置
TW201132740A (en) Wavelength converting particle, wavelength converting member including same, and light-emitting device
WO2006090834A1 (ja) 発光装置および照明装置
RU2475887C1 (ru) Светодиодный источник белого света с удаленным отражательным многослойным фотолюминесцентным конвертером
JP2011114096A (ja) 照明装置
WO2012112073A1 (ru) Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером
JP4707433B2 (ja) 発光装置および照明装置
JP2006093399A (ja) 発光装置およびその製造方法ならびに照明装置
JP2005277331A (ja) 発光装置および照明装置
JP5535276B2 (ja) 発光装置
JP5085851B2 (ja) 発光装置および照明装置
JP2005285871A (ja) 発光装置およびその製造方法ならびに照明装置
JP2005294796A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2011155127A (ja) 発光装置
JP2006270120A (ja) 発光ダイオード装置
CN104576875A (zh) 一体化封装的led灯

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees