WO2012112073A1 - Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером - Google Patents

Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером Download PDF

Info

Publication number
WO2012112073A1
WO2012112073A1 PCT/RU2012/000025 RU2012000025W WO2012112073A1 WO 2012112073 A1 WO2012112073 A1 WO 2012112073A1 RU 2012000025 W RU2012000025 W RU 2012000025W WO 2012112073 A1 WO2012112073 A1 WO 2012112073A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
converter
radiation
light
emitting diodes
light emitting
Prior art date
Application number
PCT/RU2012/000025
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Владимир Николаевич УЛАСЮК
Original Assignee
Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=46672815&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=WO2012112073(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" filed Critical Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд"
Priority to KR1020137024808A priority Critical patent/KR20140073462A/ko
Priority to US13/985,951 priority patent/US9347622B2/en
Priority to CA2827469A priority patent/CA2827469A1/en
Priority to JP2013554416A priority patent/JP5946228B2/ja
Priority to CN201280009161.6A priority patent/CN103380327B/zh
Priority to EP12747039.1A priority patent/EP2677233B1/en
Publication of WO2012112073A1 publication Critical patent/WO2012112073A1/ru
Priority to US15/093,779 priority patent/US20160290574A1/en

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K2/00—Non-electric light sources using luminescence; Light sources using electrochemiluminescence
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F21V3/04—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings
    • F21V3/10—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by coatings
    • F21V3/12—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by coatings the coatings comprising photoluminescent substances
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/0066—Reflectors for light sources specially adapted to cooperate with point like light sources; specially adapted to cooperate with light sources the shape of which is unspecified
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/502—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components
    • F21V29/505—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components of reflectors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/0025—Combination of two or more reflectors for a single light source
    • F21V7/0033—Combination of two or more reflectors for a single light source with successive reflections from one reflector to the next or following
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2101/00—Point-like light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/10—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Definitions

  • the present invention relates to electrical and electronic engineering, more specifically to semiconductor light emitting diode (LED) light sources, and more particularly to LED white light sources with conversion photoluminophores.
  • LED semiconductor light emitting diode
  • Solid state lighting technology is beginning to conquer the white lighting market thanks to the latest advances in the development of efficient LEDs, especially nitride (InGaN), and the highest achievable lighting efficiency among all known white light sources.
  • LED solutions are widely used in those lighting devices, such as linear and street luminaires, in which the illuminator is relatively large and highly heated LEDs can be distributed so as to facilitate efficient heat removal from them.
  • LED substitutes for traditional incandescent and halogen lamps with a small form factor with a high luminous flux in view of the significant prospects in solving the problem of energy conservation, is one of the most urgent modern scientific and technical problems, but its solution is very difficult due to volume limitations for the placement of control electronics ( drivers) and a relatively small surface to remove the heat generated by the LEDs in such lamps.
  • White LEDs often include blue LEDs coated with YAG: Ce phosphorus.
  • High-power (one watt or more) blue LEDs have an efficiency of approximately 30-45%, with approximately 550-700 mW allocated to heat the device from each applied watt.
  • An object of the present invention is to provide an LED lamp with a small form factor for replacing standard lamps in which problems of known technical solutions are overcome.
  • SUBSTITUTE SHEET (RULE 26)
  • the basis of any LED lamp designed to replace standard white lamps is LED chips.
  • White light is often obtained by mixing the radiation of a combination of LED chips with different colors of radiation, for example, blue, green and red, or blue and orange, etc.
  • FIG. 1 shows a diagram explaining the principle of operation of a white light source of this type.
  • the device comprises an LED chip emitting primary relatively short-wavelength radiation, and a conversion photoluminophore medium irradiated with said relatively short-wavelength radiation, which, when irradiated with said relatively short-wavelength radiation, is excited to produce a second, relatively longer-wavelength radiation in response.
  • the monochrome blue or UV radiation exiting the chip is converted into white light by packing the chip into organic and / or inorganic phosphors (photoluminophores) in a polymer matrix.
  • FIG. 2 shows a device of a known white LED-based white light source with a photophosphor converter described in US Pat. No. 6,351,069.
  • the white light source 1 10 includes a nitride chip LED 1 12, which when excited, emits primary blue radiation.
  • Chip 112 is placed on the conductive frame of the reflector bowl 114, and is electrically connected to conductors 1 16 and 1 18.
  • Conductors 1 16 and 1 18 supply electrical power to chip 1 12.
  • Chip 1 12 is coated with a transparent resin layer 120 that includes a conversion material to convert the radiation wavelength 122.
  • the type of conversion material used to form layer 120 may be selected, depending on the desired spectral distribution of the secondary radiation that is produced by the material 122.
  • Chip 1 12 and the fluorescent layer 120 are covered with a lens 124.
  • Lens 124 is typically made of clear epoxy resin or silicone.
  • an electric voltage is applied to the chip 1 12, while primary radiation is emitted from the upper surface of the chip. A portion of the emitted primary radiation is absorbed by the conversion material 122 in the layer 120. Then, the conversion material 122, in response to the absorption of the primary light, emits secondary radiation, that is, converted light having a longer wavelength
  • the output light is a complex light, which is composed of the primary radiation emitted by the chip 1 12 and the secondary radiation emitted by the conversion layer 120.
  • the conversion material can also be configured so that only a small part or all of the primary light does not leave the device, as in the case of a chip that emits UV primary light combined with one or more conversion materials that emit visible secondary light.
  • the aforementioned known devices in which a photophosphor layer is formed on the surface of an LED have several disadvantages. It is difficult to achieve color uniformity when the photophosphor is in direct mechanical, optical and thermal contact with the surface of the LED, due to significant changes in the path length of light depending on the angle of propagation of the radiation through the thickness of the photophosphor layer. In addition, the high temperature from the heated LED can undesirably change the color coordinates of the photoluminophore or lead to its degradation.
  • FIG. four An illuminator device constructed on this principle and described, for example, in US Pat. No. 6,600,175 (B1), is illustrated in FIG. four.
  • Such a white light source includes a shell 207 formed by a transparent medium 21 1, with an internal volume.
  • the medium 21 1 may be formed from any suitable light transmitting material, such as a transparent polymer or glass.
  • the medium 21 1 contains in the internal volume an LED chip 213 located on the base 214.
  • the first and second electrical contacts 216 and 217 are connected to the emitting and rear sides 218 and 219 of the LED chip 213, respectively, and to the emitting side 218 of the LED chip, connected to the first electrical contact 216 by a conductor 212.
  • the photophosphor is scattered in the shell 207 of the medium 21 1, and / or
  • the photoluminophore can be a coating on the outer wall of the shell of the assembly (not shown) if the shell is used exclusively in environmental conditions in which such an outer coating can satisfactorily be maintained in working condition (for example, where it is not subject to abrasion, or degradation).
  • the photophosphor can, for example, be distributed in a polymer, or in a glass melt, from which a shell is then formed to provide a homogeneous composition of the shell and to allow light to exit from its entire surface.
  • the luminaire 310 includes a linear heat sink 312, a plurality of LEDs 314 mounted on the heat sink 312 along the long side of the heat sink, and a light-emitting shade 316 mounted on the heat sink 312 in line with the LED 314, where the semicircular section 318 of the shade 316 opposite the LED 314 includes photophosphor 320, which is excited by light from an LED.
  • the heat sink 312 is made of a heat-conducting material, such as aluminum.
  • the ceiling 316 is made of a transparent material such as glass or plastic.
  • Photo phosphor 320 can be applied as a coating on the inside of the ceiling or, introduced into the coating material.
  • the photoluminophore-free flat portions 326 that are attached to the heat sink on either side of the LEDs have internal reflective surfaces 328, for example, aluminum coatings reflecting the light incident on them from the LEDs 314 to the lamp portion 318.
  • the conversion layer may include photoluminophore material, quantum dot material, or a combination of such materials, and may also include a transparent host material in which phosphorus material and / or quantum dot material are dispersed.
  • SUBSTITUTE SHEET (RULE 26) partially absorbed in the photoluminophore layer and on the internal elements of the device, which reduces the efficiency of the white light source.
  • Yamada [1] and Narendran [2] determined the ratio of the fractions of the radiation propagating back and forth from the conversion layer of the YAG: Ce photoluminophore excited by blue radiation with a wavelength of about 470 nm, which is converted to radiation in the yellow wavelength range. Narendran showed that in this case, more than 60% of the light emitted and reflected by the conversion layer propagates back to the excitation source and most of this light is lost within the LED assembly [2].
  • This device is closest to the proposed in the present invention and therefore is selected as a prototype.
  • FIG. 6 shows in section one of the claimed variants of a lighting system with a lateral radiation output.
  • the lateral light output lighting system includes an LED 402, a first reflector 404, a second reflector 406, an output aperture 412, a conversion layer
  • an additional transparent cover layer 408 and supporting means that support and separate the second reflector 406 from the first reflector 404.
  • Supporting means include a flat transparent element 502, side supports
  • the side supports 504 are preferably transparent or reflective.
  • the first reflector 404 is attached to the base 506.
  • the second reflector 406 is attached to the flat transparent element 502.
  • the conversion layer 602 is located on the surface of the second reflector 406 and converts at least part of the primary radiation emitted by the active region of the LED 402 into radiation with a wavelength different from the wavelength of the primary radiation.
  • the light beams 414, 415 and 416 illustrate the operation of the illumination system with lateral radiation output.
  • the primary color light beam 414 is emitted by the active region of the LED 402 and is directed towards the output surface of the LED 402.
  • the primary color light beam 414 passes through the output surface of the LED 402 and is directed to the transparent cover layer 408.
  • the first color light beam 414 passes through the transparent cover layer 408 and is directed into a conversion layer 602, which converts a beam of light 414 of a first color into a beam of light 415 of a second color different from the first color.
  • Light of the second color can be emitted in any direction from the point of conversion of the wavelength.
  • a second color beam 415 is guided through the transparent cover layer 408 and is directed through the output aperture 412 to the first reflector 404.
  • a second color light beam 416 is reflected by the first reflector 404 and directed to the flat transparent element 502.
  • the second color light beam 416 passes through the flat transparent element 502 and leaves the lighting system with lateral radiation output.
  • the disadvantage of this system is the large aperture losses and light losses at the boundaries of supporting means and at reflectors.
  • FIG. 7 shows a sectional view of a searchlight lamp according to one embodiment of the invention according to the patent US 7810956 B2.
  • the light source 730 is placed on the mount 734, and an additional heat sink 736.
  • the heat sink 736 may be finned, as shown in FIG. 7.
  • the light emitted from the source 730 and reflected from the mirror 732 surrounding the light source 730 is emitted into the optical plate 738.
  • the wavelength conversion layer 742 is separated from the light source 730 and positioned to receive light from the source 730.
  • An additional heat sink 744 may cool conversion layer 742.
  • the collecting optics 740 collimates the light.
  • the light source 730 may be an LED that produces shortwave light such as blue or ultraviolet.
  • the light source 730 can be mounted on an additional mount 734 and attached to an additional heat radiator
  • the optical plate 738 may be formed so as to direct light to the collecting optics 740.
  • the sides 748 may be tilted or bent so that total internal reflection directs the light to the collecting optics 740.
  • the disadvantage of such a system is also the relatively large aperture losses, light losses at the boundaries of the optical plate with the light source, mirrors, and the conversion layer, which reduce its efficiency.
  • the light beam emerging from the collimating optical system is quite narrow, which is unacceptable when using such a illuminator to replace traditional lamps with a small form factor, having a sufficiently wide angular solution of the emitted light flux, even in the case of halogen lamps.
  • the basis of the invention is the task of ensuring maximum efficiency of the LED white light source with a remote converter, ensuring high color uniformity and rendering, as well as a wide angular solution of the emitted light flux with a small illuminator form factor.
  • a lighter includes a primary radiation source consisting of one or more LEDs, a heat sink with a flat peripheral part on which these LEDs are mounted, a conversion layer for converting primary radiation to secondary radiation, located at a distance from the LEDs.
  • the problem is solved in that an aperture hole is made in the heat sink base for outputting radiation, LEDs are placed near the edge of the heat sink base, and the indicated surface of the conversion layer irradiated by the LED has a concave shape facing with the concavity to the primary radiation source and the aperture hole.
  • Fig.8 schematically shows a sectional view of the proposed illuminator.
  • the illuminator includes a primary radiation source, consisting of one or more LEDs 1, a heat sink 2 with an aperture hole 3 and a peripheral part 4 on which these LEDs 1 are fixed, a conversion layer 5 for converting the primary radiation 6 into secondary radiation 7, with a concave surface 8 facing the LED 1 and the second convex surface 9, the conversion layer 7 being located at a distance from the LED 1.
  • the illuminator operates as follows.
  • the primary radiation 6 from the LED 1 hits the surface 8 of the conversion layer 5, partially reflects from the surface 8, leaving the aperture hole 3 of the heat sink base 2, partially reflects from
  • SUBSTITUTE SHEET (RULE 26)
  • the surface of the grains of the photoluminophore, scattered in the conversion layer 5, is partially absorbed by the material of the conversion layer 5 with conversion to secondary radiation 7, while the part of the primary radiation 6 that has passed to the surface 9 comes out together with the part of the secondary radiation 7 generated by the conversion layer 5, creating in their mixture is white light.
  • a certain part of the primary radiation 6 thus leaves the conversion layer into the aperture opening 3 of the luminaire and, mixed with the secondary radiation 7, forms white radiation.
  • Another part of the primary radiation 6 in this case passes through the conversion layer outward through the surface 9 and, mixed with the secondary radiation 7 passing through the surface 9, forms white radiation.
  • the spectral distribution of white light is determined by the properties of the materials of the conversion layer, primarily the composition, dispersion of the photoluminophore and the thickness of the conversion layer.
  • the thickness of the conversion layer in the range from 5 to 500 ⁇ m, it is possible to approximate the chromaticity coordinates of the white light exiting into the aperture opening and exiting through the outer surface 9 of the conversion layer 5.
  • Photoluminophores are usually optical inorganic materials doped with rare earth ions (lanthanides), or alternatively, ions such as chromium, titanium, vanadium, cobalt or neodymium.
  • Lanthanide elements - lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, promethium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium and lutetium.
  • Optical inorganic materials include (but are not limited to): sapphire (A1 2 0 3 ), gallium arsenide (GaAs), beryllium aluminum oxide (BeA1 2 0 4 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), indium phosphide (InP), gallium phosphide (GaP ), yttrium aluminum garnet (YAG or ⁇ 3 ⁇
  • a typical red photoluminophore is Y 2 0 3 : Eu.
  • a typical yellow phosphor is YAG: Ce.
  • Typical green phosphors include: CeMgAluOi 9 : Tb ⁇ 3+>,
  • typical optical inorganic materials include yttrium aluminum garnet (YAG or ⁇ 3 ⁇ 1 5 0 ⁇ 2 ), terbium containing garnet, yttrium oxide (Y2O3), YV0 4 , SrGa 2 S 4 , ( Sr, Mg, Ca, Ba) (Ga, Al, In) 2 S 4 , SrS, and nitridosilicates.
  • Typical for photoluminescent excitation LED in the wavelength range 400-450 nm include the YAG: Ce +3, YAG: Ho +3, YAG: Pr +3, SrGa2S 4: Eu +2, SrGa 2 S 4: Ce +3, SrS: Eu +2 and nitridosilicates subsidized by Eu +2 .
  • Quantum dot materials are small particles of inorganic semiconductors having sizes less than about 30 nm.
  • Typical quantum dot materials include, but are not limited to, CdS, CdSe, ZnSe, InAs, GaAs, and GaN particles.
  • Quantum dot materials can absorb light of the same wavelength and then re-emit light with different wavelengths, which depend on the particle size, particle surface properties, and inorganic semiconductor material.
  • the conversion layer may include both a single type of photoluminophore material or quantum dot material, or a mixture of photoluminophore materials and quantum dot materials. Using a mixture of more than one such material is advisable if a wide spectral range of emitted white radiation is desired (high color rendering).
  • One typical approach to obtaining warm white light with a high color rendering coefficient is to mix the InGaN LED radiation with the radiation from a mixture of yellow and red conversion photophosphors.
  • the conversion layer may include several photophosphors absorbing light emitted by the LED and emitting light with a longer wavelength. For example, for blue LEDs, the conversion layer may include a single photophosphor emitting yellow light, or several photophosphors that emit red and green light.
  • the conversion layer may include photophosphors that emit blue-yellow light, or photophosphors that emit blue, green, and red light. Photophosphors emitting complementary colors may be added in order to control the color coordinates and rendering of the mixed light exiting the illuminator.
  • Transparent host materials may include polymeric and inorganic materials.
  • Polymeric materials include, but are not limited to: acrylates, polycarbonate, fluoroacrylates, perfluoroacrylates, fluorophosphinate polymers, fluorosilicones, fluoropolyimides, polytetrafluoroethylene, fluorosilicones, sol gels, epoxy resins, thermoplastics, and thermoplastics.
  • Fluorine-containing polymers are particularly useful in the ultraviolet wavelength ranges of less than 400 nm, and infrared wavelengths of more than 700 nm, due to their low light absorption in these wavelength ranges.
  • Typical inorganic materials include, but are not limited to: silicon dioxide, optical glasses, and chalcogenide glasses.
  • the photoluminophore of the conversion layer can be conformally applied as a coating on the inner surface of an additional transparent supporting element, for example, by spraying, spreading paste, sedimentation, or electrophoresis from a suspension of photoluminophore in a liquid.
  • One of the problems associated with coating a carrier element with a photoluminophore is applying a uniform reproducible coating to the carrier element, especially if the carrier element has a non-planar surface, for example, a cylindrical or hemispherical one.
  • liquid suspensions are used to deposit photoluminophore particles on a substrate.
  • the uniformity of the coating is highly dependent on the viscosity of the suspension, the concentration of particles in the suspension, and environmental factors such as, for example, ambient temperature and humidity. Coating defects due to flows in the suspension before drying and daily changes in coating thickness are common problems.
  • Bearing elements can be made, for example, of glass, transparent heat-conducting ceramics, or transparent plastics such as polycarbonate, PET, polypropylene, polyethylene, acrylic, formed by extrusion.
  • the supporting element can be made of a matte material or a transparent material with a matte surface.
  • the photoluminophore in the material of the supporting element formed by extrusion for example, in a transparent plastic such as polycarbonate, PET, polypropylene, polyethylene, polyacryl.
  • the conversion layer can be prefabricated in sheets, which are then thermally molded to the desired shape.
  • the conversion layer preformed conformally to the inner surface of the carrier can be glued to it, for example, with silicone adhesive located between the conversion layer and the inner surface of the carrier.
  • the adhesive layer in this case can be thin, thinner, for example,
  • a preformed sheet is used which is glued to a glass or polycarbonate cylindrical support element.
  • a suspension of photoluminophore, surfactants and polymer is prepared in an organic solvent.
  • the suspension can then be formed into a sheet by extrusion or injection molding, or poured onto a flat substrate, for example, glass, followed by drying.
  • the resulting sheet may be separated from the temporary substrate and attached to the carrier using a solvent or cyanoacrylate adhesive.
  • the sheet was attached to the cylindrical supporting element by moistening the inner surface of the supporting element with isopropanol and applying pressure to the sheet through a punch of the desired shape.
  • the solvent softens the sheet and allows air bubbles to be squeezed out from under it to ensure complete adhesion of the sheet to the supporting element.
  • the glass carrier can be coated with a mixture of photophosphor with a transparent silicone binder, which is then annealed. In this case, the silicone binder is not removed during annealing.
  • the photoluminophore which converts blue light to orange-red, can degrade to the point of complete unsuitability after heating to 480 ° C in air.
  • other polymers with a lower burning temperature should be used. In some embodiments, the burning temperature is in the range of 260 ° C to 540 ° C.
  • the surface of the conversion layer can be further coated with a transparent protective layer, which prevents the penetration of moisture and / or oxygen into the conversion layer, since some types of photophosphors, for example, sulfide, are susceptible to damage from moisture.
  • a transparent protective layer may be further coated with a transparent protective layer, which prevents the penetration of moisture and / or oxygen into the conversion layer, since some types of photophosphors, for example, sulfide, are susceptible to damage from moisture.
  • SUBSTITUTE SHEET (RULE 26) be made of any transparent material that blocks moisture and / or oxygen from entering the conversion layer, for example, inorganic materials such as silicon dioxide, silicon nitride or aluminum oxide, as well as organic polymeric materials or a combination of polymeric and inorganic layers.
  • Preferred materials for the protective layer are silicon dioxide and silicon nitride.
  • the protective layer can also perform the function of optical clarification of the grain boundary of the photophosphor with the atmosphere and reduce the reflection of the primary radiation of the LED and the secondary radiation of the phosphor at this boundary, reducing the absorption loss of the radiation of the photophosphor in its grains, and thereby increasing the efficiency of the illuminator.
  • the protective layer can also be applied by finishing surface treatment of photoluminophore grains, in which, for example, a nanosized film of zinc silicate 50-100 nm thick is formed on the grain surface, which enlightens the grain boundary of the photoluminophore.
  • the aperture opening can be additionally hermetically sealed by an optically transparent window that protects the conversion layer from moisture and / or oxygen, while the internal volume of the illuminator can be filled with an inert atmosphere or evacuated.
  • An inert atmosphere and vacuum are optically transparent to emit used LEDs and photoluminophores.
  • said protective window may be made of a matte material or a transparent material with a matte surface.
  • the surface 8 of the converter 5 and the surface 11 of the bearing element 10 may have an axisymmetric shape of a sphere or an ellipsoid or a paraboloid or cylinder truncated by the surface of the heat sink base 2, the LEDs 1 being located near and along the line of intersection of the surface of the heat sink base 2 with the surface 8 of the converter 5.
  • the surface 8 of the converter 5 may also be formed of a plurality of flat facets or segments.
  • optimization of the thickness and shape of the surface of the converter 8 and the location of the LEDs, taking into account their radiation pattern, can improve the color uniformity and angular distribution of the radiation emerging from the illuminator due to the incidence of LED radiation on the surface of the converter 8 at different angles
  • SUBSTITUTE SHEET (RULE 26) redistribution of reflected radiation inside the cavity of the converter 5 to exit from the aperture opening and through the thickness of the converter 5.
  • the radiation pattern of LED chips can have a Lambertian distribution (a cone of light 90 ° from the normal to the surface of the LED chip), or be limited to a smaller cone with an angle a ⁇ 90 °, for example, when using a quantum-sized lattice structure formed on the surface of the LED chip to output radiation.
  • a Lambertian distribution a cone of light 90 ° from the normal to the surface of the LED chip
  • a ⁇ 90 ° for example, when using a quantum-sized lattice structure formed on the surface of the LED chip to output radiation.
  • the LED is located on the heat sink base so that the axis of the radiation pattern of the LED intersects the axis of symmetry of the converter at an angle ⁇ > 90 ° - ⁇ / 2.
  • the heat-conducting base 2 may include a protrusion 12 that shields the direct exit of the primary radiation to the outside of the illuminator, bypassing the surface 8 of the converter 5, as shown in FIG. 10.
  • the said protrusion 12 of the heat-conducting base 2 contains an additional reflector - a flat mirror-reflecting part 13, directing the primary radiation incident on it to the surface 8 of the converter 5.
  • the illuminator in this design in addition to the elements shown in Fig. 8, having the same numbering as in Fig. 8, includes an optically transparent carrier element 10, the inner surface 1 1 of which is in contact with the surface 9 of the converter 5, and the protruding part 12 with reflective coated 13.
  • FIG. 1 1 shows an enlarged section of the illuminator in the region of the base 2 with fixed LEDs 1 while maintaining the numbering of the corresponding elements of Fig. 8 (without preserving scale).
  • the additional reflector is an inclined reflective surface 15 (for example, a truncated conical surface turned upside down in the case of an axisymmetric shape of the converter) located between the LED chips 1 and converter 5, the reflection from which allows almost completely
  • SUBSTITUTE SHEET (RULE 26) redirect the part of the radiation of the LED chips 1 falling on it to the opposite side of the converter 5, homogenizing the output radiation of the illuminator.
  • the LED chips 1 are located on the base 2 so that the normal to the surface of the LED chip 1 is parallel (or makes a small angle) with the axis of symmetry of the converter 5, made in the form of a film deposited by one of the previously described methods on the inner surface of a hemispherical optical a transparent glass cap 17 glued by an elastic heat-resistant heat-conducting compound 18 to an aluminum hemispherical electric contacting element 19, which in turn is glued elastic m heat-resistant heat-conducting electrically insulating compound 20 to the inner surface of the heat-removing ribs 21 located between the windows for outputting light from the outer surface 9 of the converter 5, made in a heat sink designed to dissipate the heat released in the illuminator.
  • the contacting element 19 there are also made windows for outputting radiation from the outer surface 9 of the converter 5, located between the heat-removing fins 21 of the heat sink, acting together as a second common electrode for the LED chips 1, electrically (parallel) connected to them by conductors 14 and a polyimide loop 16, plated 15.
  • metallization 15 on the polyimide plume is coated with a thin layer of aluminum and serves as an additional reflector along with the function of electrical contact. With this arrangement of LEDs, their primary radiation does not directly enter the eye of the observer.
  • the role of the first electrode is played by the base 2, to which the LED chips 1 are soldered, and the heat-removing fins of the heat sink located in it with electrical and thermal contact.
  • the electric current is supplied to the contacting element 19 by means of a central cylindrical terminal (not shown in FIG. 1), welded (or soldered) to the top of the contacting element 19 coaxially with the axis of symmetry of the converter 5, and connected through an electrically insulated hole in the inner surface of the heat sink to the power driver located in the corresponding cavity, made in the upper body
  • LED chips 1 and wire contacts 14 can be sealed with an optical compound 22 according to the known technology used in the manufacture of LED assemblies.
  • the hemispherical cap 17 can also be made of heat-conducting ceramic or optically transparent plastic such as polycarbonate, PET, polypropylene, polyethylene, acrylic or other similar material.
  • the contacting element 19 may also be made of stainless steel, copper, brass, kovar or other similar material.
  • the heat sink may be made of any suitable material, for example, copper or aluminum.
  • the heat radiator may be finned to increase the heat transfer surface, for example, as shown in FIG.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к источникам белого света на основе полупроводниковых светоизлучающих диодов с удаленными фотолюминофорными конвертерами. Сущность изобретения: осветитель содержит теплоотводящее основание с отверстием для выхода излучения, закрепленные по периферии отверстия светоизлучающие диоды, на удалении от которых последовательно расположены конвертер излучения, выполненный в виде вогнутого слоя фотолюминофорного материала, обращенного вогнутостью к светоизлучающим диодам и выходному отверстию. При попадании на поверхность конвертера первичного излучения от светоизлучающих диодов образующийся в результате смешения отраженного первичного излучения и вторичного излучения фотолюминофорного материала белый свет выходит в отверстие в теплоотводящем основании, а образующийся в результате смешения проходящего через конвертер первичного излучения и вторичного излучения фотолюминофорного материала белый свет выходит через слой фотолюминофорного материала. Вогнутая поверхность конвертера может быть выполнена в форме усеченного эллипсоида вращения, в частности сферы, или параболоида, с главной осью перпендикулярной плоскости отверстия в теплоотводящем основании, или цилиндра, усеченного плоскостью выходного отверстия.

Description

Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным
конвертером
Настоящее изобретение относится к электротехнике и электронной технике, более конкретно к источникам света на основе полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД), еще более конкретно к источникам белого света на основе СИД с конверсионными фотолюминофорами.
Технология твердотельного освещения начинает завоевывать рынок белого освещения, благодаря последним достижениям в разработке эффективных СИД, особенно, нитридных (InGaN), и наиболее высокой достижимой эффективности освещения среди всех известных источников белого света. Светодиодные решения находят широкое применение в тех осветительных устройствах, типа линейных и уличных светильников, в которых осветитель относительно велик и сильно нагревающиеся СИД могут быть распределены так, чтобы облегчить эффективный отвод тепла от них. Разработка светодиодных заменителей традиционных ламп накаливания и галогенных ламп с малым форм-фактором, обладающих высоким световым потоком, ввиду значительных перспектив в решении проблемы энергосбережения является одной из наиболее актуальных современных научно-технических задач, но ее решение сильно затруднено ограничениями объема для размещения управляющей электроники (драйверов) и относительно малой поверхностью для отвода тепла, выделяемого СИД, в таких лампах. Белые СИД часто включают синий СИД, покрытый YAG:Ce фосфором. Высокомощные (один ватт или больше) синие СИД имеют эффективность приблизительно 30-45%, при приблизительно 550-700 мВт, выделяемых на нагревание прибора из каждого приложенного ватта. Кроме того, считается, что при преобразовании фосфором синего света в желтый свет в белых СИД приблизительно 20% падающей световой энергии уходит на нагревание фосфора. Технические спецификации указывают, что падение мощности излучения синих СИД составляет приблизительно 7% при температуре 25-125 °С, в то время как падение мощности белых СИД составляет приблизительно 20% при той же самой температуре. Таким образом, в высокомощных белых СИД имеются существенные ограничения на тепловые и световые потоки.
Целью настоящего изобретения является создание СИД лампы, с малым форм- фактором для замены стандартных ламп, в которой преодолены проблемы известных технических решений.
1
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) Основу любой СИД лампы, предназначенной для замены стандартных ламп белого свечения, составляют чипы СИД. Белый свет зачастую получается в результате смешения излучения комбинации чипов СИД с различными цветами излучения, например, синего, зеленого и красного, или синего и оранжевого и др.
Однако в последние годы на первый план по масштабам использования выходят источники белого света на основе СИД с фотолюминофорами-конвертерами, которые излучают желтое или оранжевое (красное) излучение при поглощении синего или УФ излучения чипа СИД. На Фиг.1 показана схема, поясняющая принцип действия источника белого света такого типа.
Устройство содержит чип СИД, излучающий первичное относительно коротковолновое излучение, и конверсионную фотолюминофорную среду, облучаемую указанным относительно коротковолновым излучением, которая при облучении указанным относительно коротковолновым излучением, возбуждается, излучая в ответ второе, относительно более длинноволновое излучение. В конкретном исполнении, монохромное синее или УФ излучение, выходящее из чипа, конвертируется в белый свет упаковкой чипа в органические и/или неорганические фосфоры (фотолюминофоры) в полимерной матрице.
На Фиг. 2 показано устройство известного источника белого света на основе СИД с фотолюминофором-конвертером, описанного в патенте US 6351069.
Источник белого света 1 10 включает нитридный чип СИД 1 12, который при возбуждении испускает первичное синее излучение. Чип 112 размещен на проводящей рамке чаши отражателя 114, и электрически соединен с проводниками 1 16 и 1 18.
Проводники 1 16 и 1 18 подводят электрическую мощность к чипу 1 12. Чип 1 12 покрыт слоем 120 прозрачной смолы, которая включает конверсионный материал для преобразования длины волны излучения 122. Тип конверсионного материала, используемого для формирования слоя 120, может выбираться, в зависимости от желательного спектрального распределения вторичного излучения, которое продуцируется материалом 122. Чип 1 12 и флуоресцентный слой 120 накрыты линзой 124.
Линза 124 обычно изготавливается из прозрачной эпоксидной смолы или силикона. При работе источника белого света электрическое напряжение прикладывается к чипу 1 12, при этом из верхней поверхности чипа испускается первичное излучение. Часть испускаемого первичного излучения поглощается конверсионным материалом 122 в слое 120. Затем конверсионный материал 122 в ответ на поглощение первичного света испускает вторичное излучение, то есть преобразованный свет, имеющий более длинноволновый
2
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) пик. Остающаяся непоглощенной часть испускаемого первичного излучения передается через конверсионный слой вместе с вторичным излучением. Линза 124 направляет непоглощенное первичное излучение и вторичное излучение в общем направлении, обозначенном стрелкой 126 как выходящий свет. Таким образом, выходящий свет - сложный свет, который составлен из первичного излучения, испускаемого чипом 1 12 и вторичного излучения, испускаемого конверсионным слоем 120. Конверсионный материал может также быть сконфигурирован таким образом, чтобы лишь малая часть или вообще весь первичный свет не покидал устройства, как в случае чипа, который испускает УФ первичный свет, объединенный с одним или более конверсионных материалов, которые испускают видимый вторичный свет.
Вышеупомянутые известные устройства, в которых слой фотолюминофора сформирован на поверхности СИД, имеют несколько недостатков. Трудно достигнуть цветовой однородности, когда фотолюминофор находится в прямом механическом, оптическом и тепловом контакте с поверхностью СИД, из-за значительных изменений в длине пути света в зависимости от угла распространения излучения через толщу слоя фотолюминофора. К тому же высокая температура от нагретого СИД может нежелательным образом изменять цветовые координаты фотолюминофора или приводить к его деградации.
Для устранения указанных недостатков предложены источники белого света с удаленным от СИД конвертером длины волны, принцип действия которых поясняется на Фиг. 3.
Устройство осветителя, построенного на данном принципе и описанного, например, в патенте US 6600175 (В1), поясняется Фиг. 4.
Такой источник белого света включает оболочку 207, формируемую прозрачной средой 21 1 , с внутренним объемом. Среда 21 1 может быть сформирована из любого подходящего материала, пропускающего свет, типа прозрачного полимера или стекла.
Среда 21 1 содержит во внутреннем объеме чип светодиода (СИД) 213, размещенный на основании 214. Первый и второй электрические контакты 216 и 217 соединены с излучающей и тыльной сторонами 218 и 219 чипа СИД 213, соответственно, и с излучающей стороной 218 чипа СИД, присоединенной к первому электрическому контакту 216 проводником 212. Со светопропускающей средой 211 связаны флуоресцентные и/или фосфоресцентные компоненты, или их смеси, иначе говоря, фотолюминофорная среда, которая конвертирует излучение, испускаемое стороной 218
СИД 213, в белый свет. Фотолюминофор рассеян в оболочке 207 среды 21 1, и/или
3
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) размещен в виде пленочного покрытия 209 на внутренней стенке поверхности оболочки 207. Альтернативно, фотолюминофор может быть покрытием на внешней стенке оболочки сборки (не показано), если оболочка используется исключительно в условиях окружающей среде, в которых такое внешнее покрытие может удовлетворительно поддерживаться в рабочем состоянии (например, там, где оно не подвержено истиранию, или деградации). Фотолюминофор может, например, быть распределен в полимере, или расплаве стекла, из которого затем сформирована оболочка, чтобы обеспечить гомогенный состав оболочки и обеспечить выход света со всей ее поверхности.
Известен светодиодный белый протяженный светильник с удаленным конвертером цилиндрической формы, описанный в патенте US7618157 B1. Его устройство схематически показано на Фиг.5. Светильник 310 включает линейный теплоотвод 312, множество СИД 314, установленных на теплоотводе 312 вдоль длинной стороны теплоотвода, и светоиспускающий плафон 316, установленный на теплоотводе 312 в линию с СИД 314, где полукруглая в сечении часть 318 плафона 316, расположенная напротив СИД 314, включает фотолюминофор 320, который возбуждается светом от СИД. Теплоотвод 312 изготовлен из теплопроводящего материала, например, алюминия. Плафон 316 изготовлен из прозрачного материала типа стекла или пластмассы. Фото люминофор 320 может быть нанесен как покрытие на внутреннюю сторону плафона или, введен в материал покрытия. Не содержащие фотолюминофора плоские части 326, которые прикреплены к теплоотводу по обе стороны от СИД, имеют внутренние отражательные поверхности 328, например, алюминиевые покрытия, отражающие свет, попадающий на них от СИД 314, к части 318 плафона.
Конверсионный слой может включать фотолюминофорный материал, материал квантовых точек или совокупность таких материалов, а также может включать прозрачный материал-хозяин, в котором диспергированы материал фосфора и/или материал квантовых точек.
Известно, что слои, которые содержат порошковые фотолюминофорные материалы, могут пропускать, поглощать, отражать и рассеивать падающий на них свет. Когда такой слой рассеивает свет, он может также пропускать, поглощать и отражать часть рассеянного света.
В связи с этим обстоятельством общим недостатком упомянутых известных изобретений является то, что излучение, возбуждаемое в зернах фотолюминофора при воздействии излучения СИД, равно как и отраженное излучение СИД, неизбежно
4
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) частично поглощаются в слое фотолюминофора и на внутренних элементах устройства, что приводит к уменьшению эффективности источника белого света.
Yamada [1] и Narendran [2] определили соотношение долей излучения, распространяющегося вперед и назад от конверсионного слоя фотолюминофора YAG:Ce, возбуждаемого синим излучением с длиной волны около 470 нм, которое конвертируется в излучение желтого диапазона длин волн. Narendran показал, что при этом более 60% света, испускаемого и отражаемого конверсионным слоем, распространяется назад к источнику возбуждения и большая часть этого света теряется в пределах СИД сборки [2] . В работе [3] показано, что даже в случае фотолюминофора YAG:Ce с коэффициентом оптического преломления 1,8, замешенного в эпоксидной смоле с коэффициентом оптического преломления 1,6 при плотности фотолюминофора 8 мг/см2, позволяющей создавать сбалансированный белый свет, доли направленного обратно и прошедшего вперед излучения, включая синее и желтое излучение, составляют 53% и 47%, соответственно, а для только желтого излучения 55% и 45%, соответственно.
По этой причине значительного выигрыша в световом потоке и максимально возможной эффективности светодиодно-конверсионных источников белого света можно достичь при прочих равных условиях, направляя в выходную апертуру светодиодного источника с удаленным конвертером излучение, исходящее от поверхности фотолюминофора, непосредственно облучаемой излучением СИД,
Подобное техническое решение предложено в патенте US7293908 В2, в котором один из заявленных вариантов системы освещения с боковым выводом излучения, выполненной согласно этому патенту, включает удаленный от СИД конверсионный слой, расположенный на отражателе света.
Этот прибор наиболее близок к предлагаемому в настоящем изобретении и поэтому выбран в качестве прототипа.
Принцип действия источника белого света с боковым выводом излучения, выполненной согласно этому патенту, поясняется Фиг.6, на которой показан в разрезе один из заявленных вариантов системы освещения с боковым выводом излучения.
Система освещения с боковым выводом излучения включает СИД 402, первый отражатель 404, второй отражатель 406, выводную апертуру 412, конверсионный слой
602, дополнительный прозрачный покровный слой 408 и поддерживающие средства, которые поддерживают и отделяют второй отражатель 406 от первого отражателя 404.
Поддерживающие средства включают плоский прозрачный элемент 502, боковые опоры
504 и основание 506. Боковые опоры 504 предпочтительно прозрачные или отражающие.
5
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) Первый отражатель 404 прикреплен к основанию 506. Второй отражатель 406 прикреплен к плоскому прозрачному элементу 502. Конверсионный слой 602 расположен на поверхности второго отражателя 406, и преобразует, по крайней мере, часть первичного излучения, испускаемого активной областью СИД 402, в излучение с длиной волны, отличной от длины волны первичного излучения.
Взятые для примера, лучи света 414, 415 и 416 иллюстрируют действие системы освещения с боковым выводом излучения. Луч света 414 первичного цвета испускается активной областью СИД 402 и направляется к выходной поверхности СИД 402. Луч света 414 первичного цвета проходит через выходную поверхность СИД 402 и направляется к прозрачному покровному слою 408. Луч света 414 первого цвета проходит через прозрачный покровный слой 408 и направляется в конверсионный слой 602, который конвертирует луч света 414 первого цвета в луч света 415 второго цвета, отличающегося от первого цвета. Свет второго цвета может испускаться в любом направлении от точки преобразования длины волны. Луч 415 второго цвета направляется через прозрачный покровный слой 408 и направляется через выходную апертуру 412 к первому отражателю 404. Луч света 416 второго цвета отражается первым отражателем 404 и направляется к плоскому прозрачному элементу 502. Луч света 416 второго цвета проходит через плоский прозрачный элемент 502 и выходит из системы освещения с боковым выводом излучения.
Недостатком такой системы являются большие апертурные потери и потери света на границах поддерживающих средств и на отражателях.
Попытка устранить эти недостатки предпринята в другом известном источнике белого света прожекторного типа, описанном в патенте US 7810956 В2.
На Фиг.7, поясняющей конструкцию и принцип действия такого устройства, показан вид в разрезе прожекторной лампы согласно одному из вариантов исполнения изобретения по патенту US 7810956 В2. Источник света 730 размещен на креплении 734, и дополнительном тепловом радиаторе 736. Тепловой радиатор 736 может быть оребрен, как показано на Фиг.7. Свет, испускаемый от источника 730 и отраженный от зеркала 732, окружающего источник света 730, излучается в оптическую пластину 738. Слой преобразования длины волны 742 отделен от источника света 730 и расположен так, чтобы воспринимать свет от источника 730. Дополнительный тепловой радиатор 744 может охлаждать конверсионный слой 742. Собирающая оптика 740 коллимирует свет.
Источником света 730, может быть СИД, который производит коротковолновый свет, например синий или ультрафиолетовый. Источник света 730 может быть установлен на дополнительном креплении 734 и присоединен к дополнительному тепловому радиатору
6
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) 736. Оптическая пластина 738 может быть сформирована так, чтобы направлять свет к собирающей оптике 740. Например, стороны 748 могут быть наклонены или изогнуты так, что полное внутреннее отражение направляет свет в собирающую оптику 740.
Недостатком такой системы также являются относительно большие апертурные потери, потери света на границах оптической пластины с источником света, зеркалами и конверсионным слоем, снижающие ее эффективность. Кроме того, световой пучок, выходящий из коллимирующей оптической системы достаточно узок, что неприемлемо при использовании подобного осветителя для замены традиционных ламп с малым форм- фактором, обладающих достаточно широким угловым раствором испускаемого светового потока, даже в случае галогенных ламп.
В основу предлагаемого изобретения поставлена задача обеспечения максимальной эффективности светодиодного источника белого света с удаленным конвертером, обеспечения высоких цветовой однородности и рендеринга, а также широкого углового раствора испускаемого светового потока при малом форм-факторе осветителя.
Предлагается осветитель, включающий источник первичного излучения, состоящий из одного или нескольких СИД, теплоотводящее основание с плоской периферийной частью, на которой закреплены указанные СИД, конверсионный слой для преобразования первичного излучения во вторичное излучение, расположенный на отдалении от СИД. Поставленная задача решается тем, что в теплоотводящем основании для вывода излучения выполнено апертурное отверстие, вблизи от края которого на теплоотводящем основании размещены СИД, а указанная поверхность конверсионного слоя, облучаемая СИД, имеет вогнутую форму, обращенную вогнутостью к источнику первичного излучения и апертурному отверстию.
Сущность изобретения поясняется фиг.8, на которой схематически показан в разрезе предлагаемый осветитель.
Осветитель, включает источник первичного излучения, состоящий из одного или нескольких СИД 1 , теплоотводящее основание 2 с апертурным отверстием 3 и периферийной частью 4, на которой закреплены указанные СИД 1 , конверсионный слой 5 для преобразования первичного излучения 6 во вторичное излучение 7, с вогнутой поверхностью 8, обращенной к СИД 1 , и второй выпуклой поверхностью 9, причем конверсионный слой 7 расположен на удалении от СИД 1.
Осветитель работает следующим образом. Первичное излучение 6 от СИД 1 попадает на поверхность 8 конверсионного слоя 5, частично отражается от поверхности 8, выходя в апертурное отверстие 3 теплоотводящего основания 2, частично отражается от
7
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) поверхностей зерен фотолюминофора, рассеиваясь в конверсионном слое 5, частично поглощается материалом конверсионного слоя 5 с преобразованием во вторичное излучение 7, при этом часть первичного излучения 6, прошедшая к поверхности 9, выходит наружу вместе с частью вторичного излучения 7, порожденного конверсионным слоем 5, создавая в их смеси белый свет. Определенная часть первичного излучения 6 при этом выходит из конверсионного слоя в апертурное отверстие 3 светильника и, смешиваясь со вторичным излучением 7, образует излучение белого цвета. Другая часть первичного излучения 6 при этом проходит через конверсионный слой наружу через поверхность 9 и, смешиваясь со вторичным излучением 7, проходящим через поверхность 9, образует излучение белого цвета. Спектральное распределение белого света определяется свойствами материалов конверсионного слоя, в первую очередь составом, дисперсностью фотолюминофора и толщиной конверсионного слоя. Подбором толщины конверсионного слоя в пределах от 5 до 500 мкм можно сблизить координаты цветности белого света, выходящего в апертурное отверстие, и выходящего через внешнюю поверхность 9 конверсионного слоя 5.
Фотолюминофорами обычно являются оптические неорганические материалы, допированные ионами редкоземельных элементов (лантанидов), или альтернативно, ионами типа хрома, титана, ванадия, кобальта или неодима. Лантанидные элементы - лантан, церий, празеодим, неодим, прометий, самарий, европий, гадолиний, тербий, диспрозий, гольмий, эрбий, тулий, иттербий и лютеций. Оптические неорганические материалы включают (но не ограничиваются): сапфир (А1203), арсенид галлия (GaAs), алюмоокись бериллия (ВеА1204), фторид магния (MgF2), фосфид индия (InP), фосфид галлия (GaP), алюмоиттриевый гранат (YAG или Υ3Α|50ι2), тербий-содержащий гранат, иттрий-алюминий-лантанид окисные составы, компаунды окисей иттрий-алюминий- лантанид-галлий, окись иттрия (Y203), галофосфаты кальция или стронция или бария (Ca,Sr,Ba)5(P04)3(Cl,F), состав CeMgAlnOi9, фосфат лантана (LaP04), лантанид- пентаборатные материалы ((lanthanide)(Mr,Zn)B5Oio), состав BaMgAlioOn, состав SrGa2S4, соединения (Sr,Mg,Ca,Ba)(Ga,Al,In)2S4, состав SrS, состав ZnS и нитридосиликаты.
Есть несколько типичных фотолюминофоров, которые могут быть возбуждены УФ излучением с длиной волны 250 нм или вблизи нее. Типичный фотолюминофор красного свечения - Y203:Eu . Типичный фотолюминофор желтого свечения - YAG:Ce .
Типичные фотолюминофоры зеленого свечения включают: CeMgAluOi9:Tb<3+>,
(lanthanide) Р04:Се+3,ТЬ+3 и GdMgB5O!0:Ce+3,Tb+3. Типичный фосфор синего свечения -
BaMgAlioOi7:Eu+2 и (Sr,Ba,Ca)5(P04)3Cl:Eu+2. Для более длинноволнового СИД
8
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) возбуждения в диапазоне длин волн 400-450 нм или вблизи него, типичные оптические неорганические материалы включают алюмоиттриевый гранат (YAG или Υ3Α150ι2), тербий содержащие гранат, окись иттрия (Y2O3), YV04, SrGa2S4, (Sr,Mg,Ca,Ba)(Ga,Al,In)2S4, SrS, и нитридосиликаты. Типичные фотолюминофоры для СИД возбуждения в диапазоне длин волн 400-450 нм включают YAG:Ce+3, YAG:Ho+3, YAG:Pr+3, SrGa2S4:Eu+2, SrGa2S4:Ce+3, SrS:Eu+2 и нитридосиликаты, дотированные Eu+2.
Квантово-точечные материалы - мелкие частицы неорганических полупроводников, имеющие размеры менее, чем приблизительно 30 нм. Типичные квантово-точечные материалы включают (но не ограничиваются ими) частицы CdS, CdSe, ZnSe, InAs, GaAs и GaN. Квантово-точечные материалы могут поглощать свет одной длины волны и затем переизлучать свет с различными длинами волн, которые зависят от размера частицы, свойств поверхности частицы, и неорганического материала полупроводника.
Конверсионный слой может включать как единственный тип материала фотолюминофора или квантово-точечного материала, так и смесь материалов фотолюминофора и квантово-точечных материалов. Использование смеси более чем одного такого материала, целесообразно, если желателен широкий спектральный диапазон эмитируемого белого излучения (высокий цветовой рендеринг). Один из типовых подходов к получению теплого белого света с высоким коэффициентом цветового рендеринга состоит в том, чтобы смешать излучение InGaN СИД с излучением смеси желтого и красного конверсионных фотолюминофоров. Конверсионный слой может включать несколько фотолюминофоров, поглощающих свет, испускаемый СИД, и испускающих свет с большей длиной волны. Например, для синих СИД, конверсионный слой может включать единственный фотолюминофор, испускающий желтый свет, или несколько фотолюминофоров, которые испускают красный и зеленый свет. Для ультрафиолетовых СИД, конверсионный слой может включать фотолюминофоры, которые испускают сине-желтый свет, или фотолюминофоры, которые испускают синий, зеленый, и красный свет. Могут быть добавлены фотолюминофоры, испускающие дополнительные цвета, для того, чтобы управлять цветовыми координатами и рендерингом смешанного света, выходящего из осветителя.
Прозрачные материалы хозяина могут включать полимерные и неорганические материалы. Полимерные материалы включают (но не ограничиваются): акрилаты, поликарбонат, флуороакрилаты, перфлуороакрилаты, флуорофосфинатные полимеры, флуоросиликоны, флуорополиимиды, политетрафлуорэтилен, флуоросиликоны, золь- гели, эпоксидные смолы, термопласты, термоусадочные пластмассы и силиконы.
9
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) Фторсодержащие полимеры особенно полезны в диапазонах ультрафиолетовых длин волн менее, чем 400 нм, и инфракрасных длин волн более, чем 700 нм, вследствие их низкого светопоглощения в этих диапазонах длин волн. Типичные неорганические материалы включают (но не ограничиваются): диоксид кремния, оптические стекла и халькогенидные стекла.
Для обеспечения необходимой механической прочности удаленного конвертера фотолюминофор конверсионного слоя может быть конформно нанесен как покрытие на внутреннюю поверхность дополнительного прозрачного несущего элемента, например методами пульверизации, намазывания пасты, осаждения или электрофореза из суспензии фотолюминофора в жидкости. Одна из проблем, связанных с покрытием несущего элемента фотолюминофором - нанесение однородного воспроизводимого покрытия на несущий элемент, особенно, если несущий элемент имеет неплоскую поверхность, например, цилиндрическую или полусферическую. При покрытии методами пульверизации, нанесения пасты и осаждения используют жидкие суспензии для нанесения частиц фотолюминофора на подложку. Однородность покрытия сильно зависит от вязкости суспензии, концентрации частиц в суспензии, и факторов окружающей среды, таких, например, как окружающая температура и влажность. Дефекты покрытия, возникающие из-за потоков в суспензии перед высыханием, и ежедневные изменения толщины покрытия, относятся к числу рядовых проблем.
Несущие элементы могут быть изготовлены, например, из стекла, прозрачной теплопроводной керамики, или прозрачных пластмасс типа поликарбоната, ПЭТ, полипропилена, полиэтилена, акрила, отформованных экструзией.
Для улучшения равномерности освещения несущий элемент может быть изготовлен из матового материала или прозрачного материала с матированной поверхностью.
В некоторых случаях предпочтительно равномерное распределение фотолюминофора в материале несущего элемента, сформированного экструзией, например, в прозрачной пластмассе типа поликарбоната, ПЭТ, полипропилена, полиэтилена, полиакрила. Конверсионный слой при этом может быть предварительно изготовлен в листах, которые затем термически отформованы до требуемой формы.
Конверсионный слой, предварительно отформованный конформно внутренней поверхности несущего элемента, может быть приклеен к ней, например, силиконовым адгезивом, расположенным между конверсионным слоем и внутренней поверхностью несущего элемента. Клеевой слой в этом случае может быть тонким, тоньше, например,
10
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) чем конверсионный слой, и не оказывать большого термического сопротивления отводу тепла от конверсионного слоя.
В одном из конкретных исполнений осветителя, используется предварительно отформованный лист, который приклеивают к стеклянному или поликарбонатному цилиндрическому несущему элементу. Суспензия фотолюминофора, поверхностно- активных веществ (ПАВ) и полимера готовится в органическом растворителе. Суспензия затем может быть сформована в лист экструзией или литьем в форму, или выливаться на плоскую подложку, например, стеклянную, с последующим высыханием. Полученный лист может быть отделен от временной подложки и прикреплен к несущему элементу, используя растворитель или цианакрилатный клей.
В конкретном примере, из суспензии частиц экспериментального фотолюминофора на основе алюмограната иттрия-гадолиния-церия (Y,Gd,Ce)3Al5012 в растворе поликарбоната в хлористом метилене были сформованы экструзией листы разной толщины, показанные на Фиг. 9. Конверсионный слой должен иметь достаточно большую толщину, чтобы обеспечить достижение необходимых значений цветовых координат смешанного белого света, покидающего апертуру осветителя. Эффективная толщина определяется процессами оптического рассеяния в используемых фотолюминофорах и лежит, например, между 5 и 500 мкм, чаще всего между 100 и 250 мкм.
Лист прикреплялся к цилиндрическому несущему элементу увлажнением внутренней поверхности несущего элемента изопропанолом и приложением давления к листу через пуансон нужной формы. Растворитель размягчает лист и позволяет воздушным пузырям быть выжатым из-под него для обеспечения полного прилипания листа к несущему элементу. Стеклянный несущий элемент может быть покрыт смесью фотолюминофора с прозрачным силиконовым биндером, которая затем отжигается. При этом силиконовый биндер не удаляется при отжиге. Надо иметь ввиду, что фотолюминофор, который преобразует синий свет в оранжево-красный может деградировать вплоть до полной непригодности после нагрева до 480 °С на воздухе. В этом случае должны использоваться другие полимеры с более низкой температурой выжигания. В некоторых вариантах исполнения температура выжигания находится в диапазоне тот 260 °С до 540 °С.
Поверхность конверсионного слоя может быть дополнительно покрыта прозрачным защитным слоем, который предохраняет от проникновения влажности и/или кислорода в конверсионный слой, поскольку некоторые типы фотолюминофоров, например, сульфидных, подвержены повреждениям от воздействия влаги. Защитный слой может
11
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) быть изготовлен из любого прозрачного материала, который блокирует влагу и/или кислород от проникновения в конверсионный слой, например, из неорганических материалов типа двуокиси кремния, нитрида кремния или окиси алюминия, а также органических полимерных материалов или комбинации полимерных и неорганических слоев. Предпочтительные материалы для защитного слоя - двуокись кремния и нитрид кремния.
Защитный слой может также выполнять функцию оптического просветления границы зерна фотолюминофора с атмосферой и уменьшать отражение первичного излучения СИД и вторичного излучения фотолюминофора на данной границе, уменьшая поглотительные потери собственного излучения фотолюминофора в его зернах, и тем самым увеличивая эффективность осветителя.
Защитный слой может наноситься также путем финишной поверхностной обработки зерен фотолюминофора, при которой, например, на поверхности зерен формируется наноразмерная пленка силиката цинка толщиной 50-100 нм, просветляющая границу зерна фотолюминофора.
При необходимости апертурное отверстие может быть дополнительно герметично закрыто оптически прозрачным окном, которое защищает конверсионный слой от воздействия влажности и/или кислорода, при этом внутренний объем осветителя может быть заполнен инертной атмосферой или откачан. Инертная атмосфера и вакуум оптически прозрачны для излучения используемых СИД и фотолюминофоров.
Для улучшения равномерности освещения указанное защитное окно может быть изготовлено из матового материала или прозрачного материала с матированной поверхностью.
Поверхность 8 конвертера 5 и поверхность 11 несущего элемента 10 могут иметь осесимметричную форму сферы или эллипсоида или параболоида или цилиндра, усеченных поверхностью теплоотводящего основания 2, причем СИД 1 , расположены вблизи и вдоль линии пересечения указанной поверхности теплоотводящего основания 2 с указанной поверхностью 8 конвертера 5.
Поверхность 8 конвертера 5 может также быть сформирована из множества плоских фасеток или сегментов.
Оптимизация толщины и формы поверхности 8 конвертера и расположения СИД с учетом их диаграммы направленности излучения позволяет добиться улучшения цветовой однородности и углового распределения выходящего из осветителя излучения за счет падения излучения СИД на поверхность 8 конвертера под различными углами и
12
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) перераспределения отраженного излучения внутри полости конвертера 5 до выхода из апертурного отверстия и через толщу конвертера 5.
Диаграмма направленности излучения чипов СИД, как известно из спецификаций, например, чипов мощных синих СИД SL-V-B45AC2 фирмы SemiLEDs или чипов семейства EZBrightlOOO фирмы CREE, может иметь Ламбертово распределение (конус света с углом 90° от нормали к поверхности чипа СИД), или ограничиваться меньшим конусом с углом а < 90°, например, при использовании для вывода излучения квантоворазмерной решетчатой структуры, сформированной на поверхности чипа СИД.
При этом приемлемым является такое расположение СИД на теплоотводящем основании, чтобы ось диаграммы направленности излучения СИД пересекалась с осью симметрии конвертера под углом β > 90° - α/2.
Однако, определенная относительно небольшая часть первичного излучения СИД распространяется напрямую вовне апертурного отверстия светильника, и для исключения возможности попадания излучения СИД непосредственно в глаз пользователя теплопроводящее основание 2 может содержать выступ 12, экранирующий прямой выход первичного излучения наружу из осветителя, минуя поверхность 8 конвертера 5, как показано на Фиг.10. Для более полного использования первичного излучения СИД упомянутый выступ 12 теплопроводящего основания 2 содержит дополнительный отражатель - плоскую зеркально отражающую часть 13, направляющую попадающее на нее первичное излучение на поверхность 8 конвертера 5.
Осветитель в этом исполнении дополнительно к изображенным на Фиг.8 элементам, имеющим ту же нумерацию, что и на Фиг.8, включает оптически прозрачный несущий элемент 10, внутренняя поверхность 1 1 которого контактирует с поверхностью 9 конвертера 5, и выступающую часть 12 с отражающим покрытием 13.
Еще один конкретизированный вариант исполнения осветителя с дополнительным отражателем и оптически прозрачным несущим элементом детально поясняется на фиг.1 1 , на которой показан укрупненный разрез осветителя в области основания 2 с закрепленными СИД 1 с сохранением нумерации соответствующих элементов Фиг.8 (без сохранения масштаба).
Дополнительный отражатель представляет собой наклонную светоотражающую поверхность 15 (например, перевернутую основанием вверх усеченную коническую поверхность в случае осесимметричной формы конвертера), расположенную между чипами СИД 1 и конвертером 5, отражение от которой позволяет практически полностью
13
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) перенаправить попадающую на нее часть излучения чипов СИД 1 к противоположной стороне конвертера 5, гомогенизируя выходящее излучение осветителя.
В данном исполнении осветителя чипы СИД 1 расположены на основании 2 таким образом, что нормаль к поверхности чипа СИД 1 параллельна (или составляет небольшой угол) с осью симметрии конвертера 5, выполненного в виде пленки, нанесенной одним из ранее описанных методов на внутреннюю поверхность полусферического оптически прозрачного стеклянного колпачка 17, приклеенного эластичным теплостойким теплопроводящим компаундом 18 к алюминиевому полусферическому электрическому контактирующему элементу 19, который в свою очередь приклеен эластичным теплостойким теплопроводящим электроизолирующим компаундом 20 к внутренней поверхности теплоотводящих ребер 21 , расположенных между окнами для вывода света от внешней поверхности 9 конвертера 5, выполненными в тепловом радиаторе, предназначенном для рассеивания тепла, выделяемого в осветителе. В контактирующем элементе 19 также выполнены окна для вывода излучения от внешней поверхности 9 конвертера 5, расположенные между теплоотводящими ребрами 21 теплового радиатора, осуществляющими совместно функцию второго общего электрода для чипов СИД 1, присоединенных к ним электрически (параллельно) проводниками 14 и полйимидным шлейфом 16, покрытым металлизацией 15.
Окна для вывода света в контактирующем элементе 19 и в теплорадиаторе, расположенные между теплоотводящими ребрами 21 теплорадиатора, показаны на фиг. 12.
Для повышения светоотражательной способности металлизация 15 на полиимидном шлейфе покрыта тонким слоем алюминия и выполняет функцию дополнительного отражателя наряду с функцией электрического контакта. При таком расположении светодиодов их первичное излучение напрямую не попадает в глаз наблюдателя.
Роль первого электрода играет основание 2, к которому припаяны чипы СИД 1 , и находящиеся с ним в электрическом и тепловом контакте теплоотводящие ребра теплового радиатора. Подвод электрического тока к контактирующему элементу 19 осуществляется посредством центрального цилиндрического вывода (не показан на фиг.1 1), приваренного (или припаянного) к вершине контактирующего элемента 19 соосно с осью симметрии конвертера 5, и присоединенного через электрически изолированное отверстие во внутренней поверхности теплового радиатора к драйверу питания, расположенному в соответствующей полости, выполненной в верхней части тела
14
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) теплового радиатора (не показана). Далее электрический ток от контактирующего элемента 19 через металлизацию 15 на полиимидном шлейфе 16 подводится к чипам СИД 1 проволочными контактами 14.
Чипы СИД 1 и проволочные контакты 14 могут быть загерметизированы оптическим компаундом 22 по известной технологии, применяемой при изготовлении светодиодных сборок.
Полусферический колпачок 17 может быть также изготовлен из теплопроводящей керамики или оптически прозрачной пластмассы типа поликарбоната, ПЭТ, полипропилена, полиэтилена, акрила или иного подобного материала.
Контактирующий элемент 19 может быть также изготовлен из нержавеющей стали, меди, латуни, ковара или иного подобного материала.
Тепловой радиатор может быть изготовлен из любого подходящего материала, например, меди или алюминия. Тепловой радиатор может быть оребрен, чтобы увеличить поверхность теплоотдачи, например, как показано на Фиг.12.
Из листов, показанных на Фиг.9, с использованием чипов СИД типа SL-V-B35AK фирмы SemiLEDs были изготовлены образцы белых линейных полуцилиндрических светильников, обеспечивающие эффективность на уровне 160-200 лм/Вт в зависимости от толщины листа.
Литература
1. Yamada, К., Imai, Y. and Ishii К., "Optical Simulation of Light Source Devices Composed of Blue LEDs and YAG Phosphor," J. Light & Vis. Env. 27(2), 70-74 (2003).
2. Narendran, N., Gu. Y., Freyssinier, J., Zhu, Y., "Extracting Phosphor-scattered Photons to Improve White LED Efficiency," Phys. Stat. Sol. (a) 202(6), R60-R62 (2005).
3. Zhu Y., N. Narendran, and Y. Gu. "Investigation of the optical properties of YAG:Ce phosphor". Sixth International Conference on Solid State Lighting. Proceedings of SPIE. в ЪТ, 63370S (2006).
15
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26)

Claims

Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером Формула изобретения
1. Осветитель, включающий источник первичного излучения, состоящий из одного или нескольких светоизлучающих диодов, теплоотводящее основание с поверхностью, на которой закреплены указанные светоизлучающие диоды, конвертер излучения, выполненный в виде слоя конверсионного материала, преобразующего первичное излучение, попадающее на его поверхность от светоизлучающих диодов, во вторичное излучение, причем конвертер излучения расположен в отдалении от источника первичного излучения, ОТЛИЧАЮЩИЙСЯ тем, что теплоотводящее основание имеет отверстие для выхода излучения, а указанная поверхность конвертера, облучаемая светоизлучающими диодами, имеет вогнутую форму, обращенную вогнутостью к указанному отверстию и светоизлучающим диодам, причем светоизлучающие диоды расположены вблизи от периметра отверстия.
2. Осветитель по п.1 , отличающийся тем, что указанная поверхность конвертера имеет форму эллипсоида вращения, в частности сферы, или параболоида, с главной осью перпендикулярной плоскости отверстия в теплоотводящем основании, усеченных плоскостью, параллельной плоскости отверстия в теплоотводящем основании.
3. Осветитель по п.1, отличающийся тем, что указанная поверхность конвертера имеет форму цилиндра, усеченного плоскостью параллельной плоскости отверстия в теплоотводящем основании и параллельной оси цилиндра.
4. Осветитель по п.1 , отличающийся тем, что теплопроводящее основание включает выступ, экранирующий прямой выход первичного излучения в указанное отверстие.
5. Осветитель по п.2, отличающийся тем, что указанная поверхность конвертера сформирована из множества плоских фасеток или сегментов.
6. Осветитель по п.1 , отличающийся тем, что конвертер размещен на вогнутой внутренней поверхности несущего элемента, выполненного из оптически прозрачного материала, причем выпуклая поверхность конвертера противоположная его вогнутой поверхности, облучаемой первичным излучением, и вогнутая поверхность несущего элемента находятся в непосредственном контакте.
7. Осветитель по п.6, отличающийся тем, что выпуклая поверхность конвертера и вогнутая поверхность несущего элемента разделены оптически прозрачной средой.
16
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26)
8. Осветитель по п.6, отличающийся тем, что указанный несущий элемент, выполнен из матового материала или оптически прозрачного материала с матированной поверхностью.
9. Осветитель по п.4, отличающийся тем, что упомянутый выступ теплопроводящего основания содержит плоскую зеркально отражающую часть, направляющую попадающее на нее первичное излучение на противолежащую поверхность конвертера.
10. Осветитель по п.7, отличающийся тем, светоизлучающие диоды закреплены на теплоотводящем основании таким образом, чтобы ось диаграммы направленности излучения каждого светоизлучающего диода, пересекалась с осью симметрии конвертера под углом равным или меньшим разности между 90° и полушириной диаграммы направленности указанного каждого светоизлучающего диода.
1 1. Осветитель по п.З, отличающийся тем, светоизлучающие диоды закреплены на теплоотводящем основании таким образом, что ось диаграммы направленности излучения каждого светоизлучающего диода параллельна или составляет небольшой угол с осью симметрии конвертера, теплопроводящее основание в области между поверхностью конвертера и светоизлучающими диодами содержит наклонную зеркально отражающую область, направляющую попадающее на нее первичное излучение на противолежащую поверхность конвертера.
12. Осветитель по п.1 , отличающийся тем, что указанное отверстие в указанном теплоотводящем основании закрыто защитным окном, оптически прозрачным или изготовленным из матового материала или прозрачного материала с матированной поверхностью.
13. Осветитель по п.1 , отличающийся тем, что толщина слоя конверсионного материала составляет от 5 до 500 мкм.
17
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26)
PCT/RU2012/000025 2011-02-17 2012-01-23 Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером WO2012112073A1 (ru)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020137024808A KR20140073462A (ko) 2011-02-17 2012-01-23 원격 형광체 변환기를 가진 led 백색 광원
US13/985,951 US9347622B2 (en) 2011-02-17 2012-01-23 LED white light source with remote photoluminescent converter
CA2827469A CA2827469A1 (en) 2011-02-17 2012-01-23 Light-emitting diode source of white light with a remote phosphor converter
JP2013554416A JP5946228B2 (ja) 2011-02-17 2012-01-23 離れたフォトルミネセンス変換器を備える白色ｌｅｄ光源
CN201280009161.6A CN103380327B (zh) 2011-02-17 2012-01-23 具有远置光致发光转换层的led白光源
EP12747039.1A EP2677233B1 (en) 2011-02-17 2012-01-23 Light-emitting diode source of white light with a remote phosphor converter
US15/093,779 US20160290574A1 (en) 2011-02-17 2016-04-08 Led white light source with remote photoluminescent converter

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011105809/07A RU2457393C1 (ru) 2011-02-17 2011-02-17 Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером
RU2011105809 2011-02-17

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/985,951 A-371-Of-International US9347622B2 (en) 2011-02-17 2012-01-23 LED white light source with remote photoluminescent converter
US15/093,779 Continuation US20160290574A1 (en) 2011-02-17 2016-04-08 Led white light source with remote photoluminescent converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012112073A1 true WO2012112073A1 (ru) 2012-08-23

Family

ID=46672815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2012/000025 WO2012112073A1 (ru) 2011-02-17 2012-01-23 Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером

Country Status (8)

Country Link
US (2) US9347622B2 (ru)
EP (1) EP2677233B1 (ru)
JP (1) JP5946228B2 (ru)
KR (1) KR20140073462A (ru)
CN (1) CN103380327B (ru)
CA (1) CA2827469A1 (ru)
RU (1) RU2457393C1 (ru)
WO (1) WO2012112073A1 (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2569312C2 (ru) * 2013-04-05 2015-11-20 Сергей Александрович Панин Светодиодный источник света (варианты)
RU2549093C2 (ru) * 2013-08-07 2015-04-20 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная фирма "Плазмаинформ" Герметизирующая оболочка драйвера светодиодного светильника
US9764686B2 (en) 2013-11-21 2017-09-19 Ford Global Technologies, Llc Light-producing assembly for a vehicle
EP2984399B1 (en) * 2014-03-18 2016-07-27 Philips Lighting Holding B.V. Lighting device comprising a ring-shaped light transmitting element
US9664341B2 (en) * 2014-07-08 2017-05-30 Philips Lighting Holding B.V. Light emitting arrangement for improved cooling
JP6422947B2 (ja) 2014-12-26 2018-11-14 Ｎｓマテリアルズ株式会社 波長変換部材の製造方法
US10797209B2 (en) * 2016-02-05 2020-10-06 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with beam shaping structure and manufacturing method of the same
WO2018081182A1 (en) * 2016-10-24 2018-05-03 Ameritech Llc Luminaire including light emitting diodes and having improved energy-efficiency
US10244599B1 (en) 2016-11-10 2019-03-26 Kichler Lighting Llc Warm dim circuit for use with LED lighting fixtures
EP3336417B1 (en) 2016-12-15 2020-04-08 Signify Holding B.V. Visible and uv lighting system

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
JP2007243055A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
US7293908B2 (en) 2005-10-18 2007-11-13 Goldeneye, Inc. Side emitting illumination systems incorporating light emitting diodes
US7618157B1 (en) 2008-06-25 2009-11-17 Osram Sylvania Inc. Tubular blue LED lamp with remote phosphor
EP2219233A1 (en) * 2007-12-07 2010-08-18 Panasonic Electric Works Co., Ltd Light emitting device
US7810956B2 (en) 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
RU2407110C2 (ru) * 2006-01-24 2010-12-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Светоизлучающее устройство

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6149283A (en) * 1998-12-09 2000-11-21 Rensselaer Polytechnic Institute (Rpi) LED lamp with reflector and multicolor adjuster
JP2001156338A (ja) * 1999-11-24 2001-06-08 Koha Co Ltd 可視光線発光装置
JP2003224304A (ja) * 2002-01-28 2003-08-08 Kasei Optonix Co Ltd 発光装置
JP4289027B2 (ja) * 2002-07-25 2009-07-01 豊田合成株式会社 発光装置
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
EP1540746B1 (en) * 2002-08-30 2009-11-11 Lumination LLC Coated led with improved efficiency
DE10307282A1 (de) * 2003-02-20 2004-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beschichteter Leuchtstoff, lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
CN100472823C (zh) * 2003-10-15 2009-03-25 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP4804429B2 (ja) * 2003-12-05 2011-11-02 三菱電機株式会社 発光装置及びこれを用いた照明器具
WO2006068359A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
DE102005030128B4 (de) * 2004-06-28 2011-02-03 Kyocera Corp. Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
JP2006059625A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ照明装置、ペンダント照明器具および街路灯
RU2301475C1 (ru) * 2005-12-09 2007-06-20 Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Экосвет" Светоизлучающий узел, способ создания свечения светоизлучающего узла и устройство для осуществления способа создания свечения светоизлучающего узла
JP2007240858A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Mitsubishi Electric Corp 照明装置、映像表示装置、および映像信号制御方法
DE102006015606A1 (de) * 2006-04-04 2007-10-18 Noctron Holding S.A. Halbleiter-Leuchtmittel und Leuchtpaneel mit solchen
JP4944948B2 (ja) * 2006-05-05 2012-06-06 クリー インコーポレイテッド 照明装置
US8172415B2 (en) * 2007-05-24 2012-05-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color-tunable illumination system
EP2156223B1 (en) * 2007-06-04 2011-12-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color-tunable illumination system, lamp and luminaire
US8042971B2 (en) * 2007-06-27 2011-10-25 Cree, Inc. Light emitting device (LED) lighting systems for emitting light in multiple directions and related methods
RU2360180C2 (ru) * 2007-08-09 2009-06-27 Открытое акционерное общество "Особое конструкторское бюро "МЭЛЗ" Устройство для создания светоизлучающей поверхности (варианты)
WO2009082737A1 (en) * 2007-12-24 2009-07-02 Columbia Insurance Company System for representing colors including an integrating light capsule
DE102008027339A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Effizienter Wellenlängenkonverter und Leuchtvorrichtung mit einem effizienten Wellenlängenkonverter
US8172424B2 (en) * 2009-05-01 2012-05-08 Abl Ip Holding Llc Heat sinking and flexible circuit board, for solid state light fixture utilizing an optical cavity
US8021008B2 (en) * 2008-05-27 2011-09-20 Abl Ip Holding Llc Solid state lighting using quantum dots in a liquid
US8028537B2 (en) * 2009-05-01 2011-10-04 Abl Ip Holding Llc Heat sinking and flexible circuit board, for solid state light fixture utilizing an optical cavity
CA2728158A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-30 Osram Sylvania Inc. Led lamp with remote phosphor coating and method of making the lamp
KR101266226B1 (ko) * 2008-07-09 2013-05-21 우시오덴키 가부시키가이샤 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
TW201041191A (en) * 2008-12-19 2010-11-16 Samsung Led Co Ltd Light emitting device package, backlight unit, display device and illumination device
EP2213233A1 (en) 2009-01-29 2010-08-04 Vivi S.r.L. X-ray apparatus comprising an improved control unit
US7956546B2 (en) * 2009-05-15 2011-06-07 Bridgelux, Inc. Modular LED light bulb
WO2010141235A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Nitto Denko Corporation Light-emitting divice comprising a dome-shaped ceramic phosphor
US8217406B2 (en) * 2009-12-02 2012-07-10 Abl Ip Holding Llc Solid state light emitter with pumped nanophosphors for producing high CRI white light
CN201680320U (zh) * 2010-03-18 2010-12-22 深圳市航嘉驰源电气股份有限公司 Led球泡灯
CN101839411A (zh) * 2010-05-13 2010-09-22 刘昌贵 一种led组合光源
KR20100071957A (ko) * 2010-06-09 2010-06-29 김윤호 선별물품을 터치방식으로 배출시키는 중량선별기

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
US7293908B2 (en) 2005-10-18 2007-11-13 Goldeneye, Inc. Side emitting illumination systems incorporating light emitting diodes
RU2407110C2 (ru) * 2006-01-24 2010-12-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Светоизлучающее устройство
JP2007243055A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
US7810956B2 (en) 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
EP2219233A1 (en) * 2007-12-07 2010-08-18 Panasonic Electric Works Co., Ltd Light emitting device
US7618157B1 (en) 2008-06-25 2009-11-17 Osram Sylvania Inc. Tubular blue LED lamp with remote phosphor

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NARENDRAN, N.; GU. Y.; FREYSSINIER, J.; ZHU, Y.: "Extracting Phosphor-scattered Photons to Improve White LED Efficiency", PHYS. STAT. SOL. (A, vol. 202, no. 6, 2005, pages R60 - R62
See also references of EP2677233A4
YAMADA, K.; IMAI, Y.; ISHII K.: "Optical Simulation of Light Source Devices Composed of Blue LEDs and YAG Phosphor", J. LIGHT & VIS. ENV., vol. 27, no. 2, 2003, pages 70 - 74
ZHU Y.; N. NARENDRAN; Y. GU.: "Investigation of the optical properties of YAG:Ce phosphor''. Sixth International Conference on Solid State Lighting", PROCEEDINGS OF SPIE., vol. 6337, 2006, pages 63370S

Also Published As

Publication number Publication date
CA2827469A1 (en) 2012-08-23
JP2014507807A (ja) 2014-03-27
US9347622B2 (en) 2016-05-24
JP5946228B2 (ja) 2016-07-05
CN103380327A (zh) 2013-10-30
KR20140073462A (ko) 2014-06-16
CN103380327B (zh) 2016-03-02
EP2677233B1 (en) 2017-01-18
US20160290574A1 (en) 2016-10-06
RU2457393C1 (ru) 2012-07-27
US20130320834A1 (en) 2013-12-05
EP2677233A1 (en) 2013-12-25
EP2677233A4 (en) 2015-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2452059C1 (ru) Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным отражающим конвертером
RU2457393C1 (ru) Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером
RU2502917C2 (ru) Светодиодный источник белого света с комбинированным удаленным фотолюминесцентным конвертером
TWI614452B (zh) 用於固態發光裝置和燈的光致發光波長轉換構件
JP5903039B2 (ja) 色調節装置
US8562161B2 (en) LED based pedestal-type lighting structure
RU2475887C1 (ru) Светодиодный источник белого света с удаленным отражательным многослойным фотолюминесцентным конвертером
KR102114607B1 (ko) 레이저 광원장치
JP2014505982A5 (ru)
JP2006237264A (ja) 発光装置および照明装置
JP2007266356A (ja) 発光装置およびそれを用いた照明装置
JP4707433B2 (ja) 発光装置および照明装置
US20150241758A1 (en) Compact solid-state camera flash
JP5085851B2 (ja) 発光装置および照明装置
JP2005294796A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2022024282A (ja) 発光装置及び照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12747039

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013554416

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2827469

Country of ref document: CA

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13985951

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137024808

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2012747039

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012747039

Country of ref document: EP