TWI302727B - Atomic layer deposited tantalum containing adhesion layer - Google Patents
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1302727 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明一實施例有關於一種微電子裝置之製造，更詳 而言之，本發明一實施例有關藉由原子層沉積用於金屬接 觸部之含鉬黏附層，以最小化接觸電阻以及最大化接觸部 內之低電阻導電材料。 【先前技術】 微電子裝置產業持續可見到技術大幅度之躍進，允許 了更大密度與複雜度的積體電路，並且同樣戲劇化的降低 耗電量以及封裝尺寸。目前的半導體技術允許將具有以每 秒幾十（或甚至幾百）百萬指令（millions of instructions per second; MIPS)的速度操作之數百個電晶體的單晶片微處 理器封裝於相對小且氣冷的微電子裝置封裝件中。這些電 晶體通常藉由導電跡線以及接觸互相連接或連接至微電子 裝置外之裝置，藉此得以發送以及/接收電子訊號。 形成接觸的一種習知程序稱爲”金屬鑲嵌法’’。於典型 的金屬鑲嵌法中，將電介質材料上之光阻材料圖案化並通 過光阻材料圖案蝕刻電介質材料，以形成延伸至下層電晶 體之源極或汲極之孔洞。接著將光阻材料移除（通常藉由 氧電漿）以及可將黏附層沉積於孔洞中，以防止電介質材 料與後續沉積之導電材料間的脫層。接著通常以導電材料 (如金屬或其之金屬合金）塡充該孔洞。例如，可藉由化學 蒸氣沉積將60_90埃厚度的氮化鉅黏附層沉積於70-80 nm -5- 1302727 * (2) * 直徑的孔洞中（65 nm技術點），並接著以鎢塡充孔洞剩餘 部份。黏附層亦可防止於導電材料沉積過程中破壞電介質 層。例如，氮化鉅黏附層防止用於沉積鎢之六氟化鎢氣體 ^ 對電介質層（諸如二氧化矽）的破壞，這對熟悉該項技藝者 而言爲可理解者。通常以稱爲化學機械硏磨（CMP)將所得 鲁 之結構平面化，其自電介質層表面移除掉不在孔洞內之導 電材料以及黏附層。 • 當然可理解由於黏附層比導電材料具有較高電子阻 抗，導電材料於接觸中必須具有足夠的剖面積以有效地傳 導訊號。惟，隨著連續的技術點電晶體變得更小，接觸之 幾何圖形降低（亦即按比例縮小）。因此，如上述60-90埃 厚度的黏附層會產生問題。例如，在45 nm技術點，接觸 的幾何圖形（亦即寬度）約爲60 nm。因此，90埃厚度的黏 附層將佔接觸寬度的約30%。作爲另一範例，於30 nm技 術點，接觸的幾何圖形約爲40 nm。因此，90埃厚度的黏 ® 附層將佔接觸寬度的約45%。藉由這兩個範例，熟悉該項 技藝者可清楚知道剩餘的接觸寬度難以產生足夠傳導可靠 訊號之於接觸內導電材料的剖面積。 因此，最好能硏發出設備與技術，得以於隨著每一個 連續的技術點電晶體變的更小的趨勢下形成允許接觸尺寸 有效縮小之黏附層。 【發明內容及實施方式】 於下列詳細說明中，參照附圖例示性說明可實施本發 -6 - (3) 1302727 明之特定實施例。這些實施例係以足夠的細節描述以使熟 悉該項技藝者能據以實施本發明。應了解到本發明的各種 實施例，雖有不同，但非絕對互斥。例如，在此與一實施 例相關描述之特定特徵、結構或特色可以其他實施例實施 而不悖離本發明之精神與範圍。此外，應了解可變更於各 揭露的實施例中個別元件之位置或配置而不悖離本發明之 精神與範圍。下列詳細說明因此不應視爲限制性，並且本 發明之範圍應僅由所附之申請專利範圍所定義，更恰當 地，解讀，並連同申請專利範圍之等效者之全部範圍。於 圖示中，相似符號意指貫穿數圖中相似或類似的功能。 第1圖描述槪略電晶體組件1 〇〇，包含第一主動區域 102以及第二主動區域104，由淺溝隔離結構所示之隔離 結構106所分離。第一主動區域102包含第一電晶體 1 1 2，包含源極區域1 1 4以及汲極區域1 1 6佈植於諸如矽 晶圓的微電子基板108中。閘極122定位於第一電晶體源 極區域1 1 4以及第一電晶體汲極區域1 1 6之間。熟悉該項 技藝者可了解到第一電晶體閘極1 22包含閘極電介質 124、閘極電極126、閘極蓋128以及閘極間隔體132以 及 132,。 第二主動區域104包含第二電晶體142，包含源極區 域144以及汲極區域146佈植於諸如矽晶圓的微電子基板 108中。閘極152定位於第二電晶體源極區域144以及第 二電晶體汲極區域1 46之間。熟悉該項技藝者可了解到第 二電晶體閘極152包含閘極電介質154、閘極電極156、 -7- (4) 1302727 閘極蓋158以及閘極間隔體162以及162’。 諸如二氧化矽以及碳摻雜氧化物之類的第一電介質層 164係沉積於第一電晶體閘極122、第一電晶體源極區域 114、第一電晶體汲極區域116、第二電晶體閘極152、第 二電晶體源極區域144以及第二電晶體汲極區域146之 上。諸如二氧化矽以及碳摻雜氧化物之類的第二電介質層 164可沉積於第一電介質層162上。 如第2圖所示，如所示開口 172以及172’的至少一開 口係通過第一電介質層164以及第二電介質層166形成， 並由至少一側所界定，分別如開口 172以及172’的側170 以及170’。開口 172與172’自第二電介質層166的第一表 面168延伸至且暴露出源極以及汲極區域至少之一的至少 一部分，如所示分別延伸至第一汲極區域1 1 6以及第二電 晶體源極區域144。可使用任何此技藝中習知方法（包含 但不限於微影蝕刻技術與碾磨）形成開口 172與172’。可 將矽化物層1 74形成於源極區域或汲極區域至少一者之 上，如所示於第二電晶體源極區域1 44之上。可由噴濺諸 如鎳、鈷、鉅、鉑之類的適當金屬矽化物層1 74並以諸如 3 00 °C以及500 °C之間的適當溫度退化。 如第3圖所示，含鉅黏附層1 76係藉由原子層沉積形 成於第二電介質層第一表面168上，至開口 172與172’至 少之一內，以及源極區域與汲極區域（如所示之第二源極 區域144以及第一汲極區域1 16)至少之一的一部分上。 含鉅黏附層1 7 6可包含但不限於氮化鉅、碳化鉬、碳氮化 (6) 1302727 積、物理沉積之類者。例如，可使用六氟化鎢於化學蒸氣 沉積程序中沉積鎢。於此種程序中，含鉅層不僅作爲黏附 層但亦爲阻障層，以防止六氟化鎢的氟與任何電介質層或 微電子基板1 〇 8中的矽反應。因此，導電材料1 7 8與源極 區域144以及汲極區域1 16產生電性接觸。 如第5圖所示，以諸如化學機械硏磨、蝕刻或之類者 移除導電材料178以及含鉅黏附層176鄰接第二電介質層 第一表面168的部份，藉此留下於開口 172與172’（如第 2圖中所示）內的導電材料178以及含鉬黏附層176，以分 別形成接觸部18Ό與180’。 上述實施例可藉由塡充導電金屬之接觸結構的比例導 致總接觸的電阻降低。此外，可於常見的化學蒸氣沉積室 中執行原子層沉積的含鉅黏附層176之形成以及導電材料 178之沉積，能夠將兩個程序整合至一個工具中，以降低 程序流程複雜度以及降低接觸部180與180’的總製程成 本。 實驗上已顯示，與約1 30埃物理沉雞的含鉬層相比， 10埃的原子層沉積的含鉬層可降低65 nm技術點銅接觸 的接觸電阻60%以上。含鉅層的化學成分可含有約10% 氧、約25%碳以及剩餘的爲鉬與氮（下統稱爲”TaN”）。第 6圖爲描述接觸電阻（歐姆/平方）（ohm/sq)計算的估計圖， 其中"2x3 0 TiN”爲兩層30埃厚度化學沉積的氮化鉅、 ”1x43”爲一層43埃厚度化學沉積的氮化鉅、”20A ALD TaN”爲20埃原子層沉積含鉅物以及”15A ALD TaN”爲15 (7) (7)1302727 埃原子層沉積含鉅物。從第6圖中可見，於45 nm技術點 15埃原子層沉積含鉅黏附層導致約76 ohm/sq接觸電阻相 對於2x30化學蒸氣沉積的氮化鉅黏附層之243 ohm/sq接 觸電阻，以及於30 nm技術點約103 ohm/sq接觸電阻相 對於2x30化學蒸氣沉積的氮化鉬黏附層之861 ohm/sq接 觸電阻。於第6圖中計算的假設爲：0.1 3 // m技術點 -3 00 nm高度以及160 nm直徑的接觸、90 nm技術點 -200 nm高度以及160 nm直徑的接觸、65 nm技術點-1 10 nm高度以及70 nm直徑的接觸、45 nm技術點 -100 nm高度以及50 nm直徑的接觸以及30 nm技術點 -70 nm高度以及35 nm直徑的接觸，皆具有2〇A〇hm-cm電 阻之鎢導電材料。 當然可了解本發明可由多種的結構與組態實施，諸如 於第7圖中所示通過單一電介質層182。此外，如第8圖 所示，熟悉該項技藝者能夠了解本發明可例如用於形成通 過第一層間電介質186之接觸部184與184’，其於第二層 間電介質186’內或上接觸相鄰之接觸部188與188’以及/ 或跡線1 92。顯示跡線1 92連接第二層間電介質接觸部 188’與接觸部18(Τ。 如第9圖所示，形成有本發明之黏附層的封裝件可應 用於手持裝置210中，諸如手機或個人資料助理（PDA)。 手持裝置210可包含外部基板220具有至少一微電子裝置 230，包含但不限於，中央處理單元（CPU)、晶片組、記憶 體裝置、ASIC以及之類者，且於外殼240中具有如上述 -11 - (8) 1302727 的至少一原子層沉積的含坦黏附層。外部基板220可連接 至各種周邊裝置，包含如按鍵250之輸入裝置，以及如液 晶顯不2 6 0的顯不裝置。 如第1 〇圖所示，形成有本發明之黏附層的封裝件可 應用於電腦系統3 1 0中。該電腦系統3 1 0可包含外部基板 或主機板220具有至少一微電子裝置3 3 0，包含但不限 於，中央處理單元（CPU)、晶片組、記憶體裝置、ASIC以 及之類者，且於外殼或機箱340中具有如上述的至少一原 子層沉積的含坦黏附層。外部基板或主機板320可連接至 各種周邊裝置，包含如鍵盤350以及/或滑鼠360之輸入 裝置，以及如陰極射線管營幕3 7 0的顯示裝置。 已詳細描述了本發明之實施例，應了解到由所附之申 請專利範圍所定義的本發明並非受限於上述說明提出的特 定細節，因爲可對於其作出許多明顯之變化而不悖離本發 明之精神與範圍。 【圖式簡單說明】 雖然本說明書以申請專利範圍作結尾，其特別指出且 明確主張認定爲本發明者，當連同附圖由上述詳細說明可 更確定本發明之優點，該附圖中： 第1圖爲根據本發明由至少一電介質層覆蓋的多電晶 體組件一部分的側剖面圖； 第2圖爲根據本發明第1圖之電晶體側剖面圖，其中 開口延伸通過電介質層以暴露出至少一電晶體組件的一部 -12- (9) 1302727 分，如源極以及/或汲極； 第3圖爲根據本發明第2圖之電晶體側剖面圖，其中 黏附層沉積於開口內； 第4圖爲根據本發明第3圖之電晶體側剖面圖，其中 導電材料係位於開口內相鄰黏附層； 第5圖爲根據本發明第4圖之電晶體側剖面圖，其+ 移除並非位在開口內的導電材料； 第6圖爲根據本發明接觸電阻相對於黏附層厚度_罕重 類之圖； 第7圖爲根據本發明另一實施例的電晶體側剖面圖， 其中接觸係通過單一電介質層形成； 第8圖爲根據本發明另一實施例的電晶體側剖面0， 其中接觸係通過層間電介質層形成； 第9圖爲根據本發明具有本發明之微電子組件整#於^ 其中之手持裝置的傾斜圖；以及 第1〇圖爲根據本發明具有本發明之微電子組件整& 於其中知電腦系統的傾斜圖； 【主要元件符號說明】 100 電 晶 體 組 件 102 第 一 主 動 區 域 104 第 二 主 動 區 域 106 隔 離 結 構 108 微 電 子 基 板 -13- 1302727
(10) 1 12 第 一 電 晶 髀 Π3Ζ. 1 14 源 極 區 域 116 汲 極 域 122 閘 極 124 閘 極 電 介 質 126 閘 極 電 極 128 閘 極 蓋 132, 132* 閘 極 間 隔 體 142 第 二 電 晶 體 144 源 極 域 146 汲 極 區 域 152 閘 極 154 閘 極 電 介 質 156 閘 極 電 極 158 閘 極 蓋 162, 162’ 閘 極 間 隔 髀 1 64 第 一 電 介 質 層 166 第 二 電 介 質 層 168 第 —* 表 面 170, 1 70f 側 172, MV 開 □ 1 74 矽 化 物 層 176 含 鉬 黏 附 層 178 導 電 材 料 -14- 1302727
(11) 180, 180* 接 觸 部 182 電 介 質 層 184, 1841 接 觸 部 188, 1 88f 接 觸 部 1 92 跡 線 210 手 持 裝 置 220 外 部 基 板 230 微 電 子 裝 置 組 件 240 外 殼 250 按 鍵 260 液 晶 顯 示 3 10 電 腦 系 統 320 外 部 基 板 330 微 電 子 裝 置 組 件 340 外 殻 350 鍵 盤 360 滑 鼠 370 陰 極 射 線 管 螢 幕 -15-
Claims (1)
1302727 十、申請專利範圍 附件4A : 第94 1 2 1 932號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 . 民國97年2月29日修正 1.一種製造接觸部之方法，包含： 4 提供至少一電介質層； 形成至少一開口延伸通過該至少一電介質層，其中該 φ 開口藉由至少一側所界定； 原子層沉積含鉬黏附層於該至少一開口側；以及 沉積至少一導電材料以塡充該開口並與該含鉬黏附層 毗鄰， 其中原子層沉積該含鉅黏附層包含沉積TaCxNySizOw 層，其中X、y、z以及w爲大於〇及小於1之實數。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中原子層沉積該 含鉬黏附層包含提供五（二甲胺基）鉬（pentakis φ (dimethylamido)tantalum)之金屬前驅物以及氨還原劑。 3 .如申請專利範圍第1項之方法，其中原子層沉積該 含鉬黏附層包含提供三丁基亞胺基三（二乙胺基）鉅 (tertbutylimidotris(diethylamido)tantalum)之金屬前驅物 以及氨還原劑。 4.如申請專利範圍第1項之方法，其中原子層沉積該 含鉬黏附層於該至少一開口側包含原子層沉積該含鉅黏附 層於該至少一開口側至大約5至2 5埃之間的厚度。 5 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中沉積至少一導 1302727 電材料以塡充該開口並與該含鉅黏附層毗鄰包含沉積鎢以 塡充該開口並與該含鉅黏附層毗鄰。 6·如申請專利範圍第1項之方法，其中提供至少一電 、介質層包含提供至少一電介質層於微電子基板上。 . 7·如申請專利範圍第6項之方法，其中形成至少一開 口延伸通過該至少一電介質層包含形成至少一開口延伸通 過該至少一電介質層至形成於該微電子基板上以及之中之 φ 電晶體之汲極區域。 8 ·如申請專利範圍第6項之方法，其中形成至少一開 口延伸通過該至少一電介質層包含形成至少一開口延伸通 過該至少一電介質層至形成於該微電子基板上以及之中之 電晶體之源極區域。 9· 一種電子設備，包含： 延伸通過至少一電介質層之導電材料；以及 介於該導電材料與該至少一電介質層之間的含鉬黏附 • 層，其中該含鉅黏附層具有大約5至25埃之間的厚度， 其中該含鉬黏附層包含TaCxNySizOw，其中X、y、z以及 w爲大於0及小於1之實數。 10·如申請專利範圍第9項之設備，其中該導電材料 包含鎢。 1 1 ·如申請專利範圍第9項之設備，進一步包含微電 子基板，具有至少一電晶體組件於其上及其中，其中該電 晶體組件包含源極區域以及汲極區域佈植於該微電子基板 中〇 -2- 1302727 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之設備，其中該導電材料 與源極區域以及汲極區域至少之一產生電性接觸。 1 3 · —種電子系統，包含： .於外殼內之外部基板；以及 • 連接至該外部基板的至少一微電子裝置封裝件，具有 至少一接觸部，包括： 延伸通過至少一電介質層之導電材料；以及 φ 介於該導電材料與該至少一電介質層之間的含鉅黏附 層，其中該含鉬黏附層具有大約5至25埃之間的厚度； 以及 與該外部基板接介之輸入裝置；以及 與該外部基板接介之顯示裝置， 其中該含鉬黏附層包含TaCxNySizOw層，其中X、 y、z以及w爲大於0及小於1之實數。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之系統，其中該導電材料 _包含鎢。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之系統，其中該至少一微 電子裝置封裝件進一步包含微電子基板具有至少一電晶體 組件於其上以及其中，其中該電晶體組件包含源極區域以 及汲極區域佈植於該微電子基板中。 16·如申請專利範圍第15項之系統，其中該導電材料 與源極區域以及汲極區域至少之一產生電性接觸。
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| US8853080B2 (en) | 2012-09-09 | 2014-10-07 | Novellus Systems, Inc. | Method for depositing tungsten film with low roughness and low resistivity |
| US9153486B2 (en) | 2013-04-12 | 2015-10-06 | Lam Research Corporation | CVD based metal/semiconductor OHMIC contact for high volume manufacturing applications |
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| US9953984B2 (en) | 2015-02-11 | 2018-04-24 | Lam Research Corporation | Tungsten for wordline applications |
| US9613818B2 (en) | 2015-05-27 | 2017-04-04 | Lam Research Corporation | Deposition of low fluorine tungsten by sequential CVD process |
| US9754824B2 (en) | 2015-05-27 | 2017-09-05 | Lam Research Corporation | Tungsten films having low fluorine content |
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Family Cites Families (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3107165A (en) * | 1961-10-12 | 1963-10-15 | Nat Res Corp | Purification of tantalum metal by reduction of the oxygen content by means of carbon |
| US5835732A (en) | 1993-10-28 | 1998-11-10 | Elonex Ip Holdings, Ltd. | Miniature digital assistant having enhanced host communication |
| US6153519A (en) * | 1997-03-31 | 2000-11-28 | Motorola, Inc. | Method of forming a barrier layer |
| JP2000049116A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6284655B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-09-04 | Micron Technology, Inc. | Method for producing low carbon/oxygen conductive layers |
| US6204204B1 (en) * | 1999-04-01 | 2001-03-20 | Cvc Products, Inc. | Method and apparatus for depositing tantalum-based thin films with organmetallic precursor |
| US6337151B1 (en) * | 1999-08-18 | 2002-01-08 | International Business Machines Corporation | Graded composition diffusion barriers for chip wiring applications |
| US6635939B2 (en) * | 1999-08-24 | 2003-10-21 | Micron Technology, Inc. | Boron incorporated diffusion barrier material |
| US6319766B1 (en) * | 2000-02-22 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification |
| US6627995B2 (en) * | 2000-03-03 | 2003-09-30 | Cvc Products, Inc. | Microelectronic interconnect material with adhesion promotion layer and fabrication method |
| WO2002070142A1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-09-12 | Angstron Systems, Inc. | Method and apparatus for improved temperature control in atomic layer deposition |
| US6951804B2 (en) * | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| KR100466309B1 (ko) | 2002-05-21 | 2005-01-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 금속층 형성 방법 및 장치 |
| KR20030025494A (ko) | 2001-09-21 | 2003-03-29 | 삼성전자주식회사 | 루테늄막과 금속층간의 콘택을 포함하는 반도체 장치 및그의 제조 방법 |
| US20030057526A1 (en) * | 2001-09-26 | 2003-03-27 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US7049226B2 (en) * | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
| US20030059538A1 (en) * | 2001-09-26 | 2003-03-27 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US6936906B2 (en) * | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| CN1319146C (zh) | 2001-10-26 | 2007-05-30 | 应用材料公司 | 作为用于铜金属化的阻挡层的原子层沉积氮化钽和α相钽 |
| US6916398B2 (en) * | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US6645853B1 (en) * | 2001-12-05 | 2003-11-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Interconnects with improved barrier layer adhesion |
| US7081271B2 (en) * | 2001-12-07 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride |
| KR100805843B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2008-02-21 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | 구리 배선 형성방법, 그에 따라 제조된 반도체 소자 및구리 배선 형성 시스템 |
| US6972267B2 (en) * | 2002-03-04 | 2005-12-06 | Applied Materials, Inc. | Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor |
| US7091131B2 (en) * | 2002-03-21 | 2006-08-15 | Micron Technology, Inc. | Method of forming integrated circuit structures in silicone ladder polymer |
| US6846516B2 (en) * | 2002-04-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor cyclical deposition system |
| TW541659B (en) * | 2002-04-16 | 2003-07-11 | Macronix Int Co Ltd | Method of fabricating contact plug |
| US7910165B2 (en) * | 2002-06-04 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium layer formation for copper film deposition |
| US7041335B2 (en) | 2002-06-04 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Titanium tantalum nitride silicide layer |
| US6838125B2 (en) * | 2002-07-10 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Method of film deposition using activated precursor gases |
| US6794284B2 (en) * | 2002-08-28 | 2004-09-21 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using disilazanes |
| US6784096B2 (en) * | 2002-09-11 | 2004-08-31 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming barrier layers in high aspect ratio vias |
| US7262133B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| US6974768B1 (en) * | 2003-01-15 | 2005-12-13 | Novellus Systems, Inc. | Methods of providing an adhesion layer for adhesion of barrier and/or seed layers to dielectric films |
| JP2004303328A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US7276441B1 (en) * | 2003-04-15 | 2007-10-02 | Lsi Logic Corporation | Dielectric barrier layer for increasing electromigration lifetimes in copper interconnect structures |
| US7311946B2 (en) * | 2003-05-02 | 2007-12-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing metal films on diffusion barrier layers by CVD or ALD processes |
| WO2004113585A2 (en) * | 2003-06-18 | 2004-12-29 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of barrier materials |
| US7030430B2 (en) * | 2003-08-15 | 2006-04-18 | Intel Corporation | Transition metal alloys for use as a gate electrode and devices incorporating these alloys |
| US6960675B2 (en) * | 2003-10-14 | 2005-11-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amide complexes for depositing tantalum-containing films, and method of making same |
| US7098150B2 (en) * | 2004-03-05 | 2006-08-29 | Air Liquide America L.P. | Method for novel deposition of high-k MSiON dielectric films |
| JP4503356B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2010-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
| US7605469B2 (en) | 2004-06-30 | 2009-10-20 | Intel Corporation | Atomic layer deposited tantalum containing adhesion layer |
| KR100602087B1 (ko) * | 2004-07-09 | 2006-07-14 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
| JP2006120713A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
| US20060121307A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-06-08 | Tokyo Electron Limited | Film deposition method |
| US20060102895A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-05-18 | Hendrix Bryan C | Precursor compositions for forming tantalum-containing films, and tantalum-containing barrier films and copper-metallized semiconductor device structures |
| JP5053543B2 (ja) * | 2005-02-02 | 2012-10-17 | 東ソー株式会社 | タンタル化合物、その製造方法、タンタル含有薄膜、及びその形成方法 |
| US7341959B2 (en) * | 2005-03-21 | 2008-03-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system and method |
| US7314835B2 (en) * | 2005-03-21 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system and method |
| US7435454B2 (en) * | 2005-03-21 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system and method |
| US20060213437A1 (en) * | 2005-03-28 | 2006-09-28 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system |
| US8163087B2 (en) * | 2005-03-31 | 2012-04-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system and method |
| US7338901B2 (en) * | 2005-08-19 | 2008-03-04 | Tokyo Electron Limited | Method of preparing a film layer-by-layer using plasma enhanced atomic layer deposition |
| US7521356B2 (en) * | 2005-09-01 | 2009-04-21 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition systems and methods including silicon-containing tantalum precursor compounds |
| KR100727258B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-11 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 장치의 박막 및 금속 배선 형성 방법 |
| US8795771B2 (en) * | 2006-10-27 | 2014-08-05 | Sean T. Barry | ALD of metal-containing films using cyclopentadienyl compounds |
| US8026168B2 (en) * | 2007-08-15 | 2011-09-27 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device containing an aluminum tantalum carbonitride barrier film and method of forming |
| US8053365B2 (en) * | 2007-12-21 | 2011-11-08 | Novellus Systems, Inc. | Methods for forming all tungsten contacts and lines |
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