TWI301785B - Grinder and method for adjusting the surface of surface plate - Google Patents

Grinder and method for adjusting the surface of surface plate Download PDF

Info

Publication number
TWI301785B
TWI301785B TW095132791A TW95132791A TWI301785B TW I301785 B TWI301785 B TW I301785B TW 095132791 A TW095132791 A TW 095132791A TW 95132791 A TW95132791 A TW 95132791A TW I301785 B TWI301785 B TW I301785B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
grinding
platform
grindstone
bracket
scope
Prior art date
Application number
TW095132791A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200709898A (en
Inventor
Kai Yasuoka
Kenichi Kazama
Ayumi Tsuneya
Shunji Sato
Original Assignee
Shinano Electric Refining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinano Electric Refining Co Ltd filed Critical Shinano Electric Refining Co Ltd
Publication of TW200709898A publication Critical patent/TW200709898A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI301785B publication Critical patent/TWI301785B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/013—Application of loose grinding agent as auxiliary tool during truing operation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/12—Dressing tools; Holders therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
    • B24D3/32—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds for porous or cellular structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Description

1301785 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種應用於研磨駐 表面處理之平台表面調整用磨;研磨平台實施 述研磨裝置係研磨平台上配設著具 1口之表面調整方法，前 磨加工件用托架，將研磨加工件G 二加工件保持用孔部之研 平台及托架分別進行旋轉，同時述托架之孔部，使研磨 粒來研磨上述研磨加工件之研磨裝置，述研磨平台供應遊離研磨 【先前技術】 傳統上，用以研磨矽晶圓 、合 & 以及陶竞等研磨加工件之研磨第所水晶、液晶玻璃、 利用圖上未標示之驅練置來進行旋轉 ^口 1係以可以 中心部配設著齒輪(太陽齒輪)2，外邊 。该平台1之 輪)3，尚配設著咬合於該齒輪2、3之複數°二^狀?齒輪(内齒 別形成研磨加工件保持用孔5，該二。該托架4分 插入。此外，圖上並未標示 了供研磨加工件6 方式配設上平台。上述平在fl卞4之上以同樣可旋轉之 方向進行_，_研;=6=^=轉J相反之 利用供應給平台之遊離研磨粒進H〜轉及自轉之情形下， A八f用上述研磨裝置重複實職光步驟及研光牛⑭目!丨府1 ，員而使平台呈現凸形狀或凹凸形: 平 平台後之平台表面之修正及平坦化。以此方式修正 用以修正以之拋光步驟及研光步驟，然*，傳統上， 面精工及研光加工為目的之研磨裝置之平台之 號L纽，如糊讀1 :日本制2_·135666 “報及專利文獻2_·日本特開2_挪2Η虎公 1301785 係大家所熟知。 該平台修正用夾具雖然對平台之修正及 以研磨加工之效率化觀點而言，並未具有 ^有效，然而， 能有可有效率地實施該研磨加工之方法。""，因此，希望 【專利文獻1】日本特開2000-135666號公報 【專利文獻2】日本特開2000-218521號公報 【發明内容】 發里所欲 本發明之目的，係為了回應上述要求 整用=、利用該磨石之平台之表面調整 粗面後，可使其成為具有安定且—定之研磨卜力 解決問題之手與_ 本發明者為了達成上述目的，經過審 下之結論，亦即，利用芦庆廊碎請結果，發現以 f磨石，尤豆3 士丨田更度HRS為~30〜一100之合成樹脂 j石尤其疋，利用内部具有多數微小氣孔 製磨石，同時供應遊離研磨粒，尤i 3 士似! t 成树月日 晶圓、合成石英玻璃:，供應與用以研磨石夕 佶用之游艢I 日日液日日玻璃或陶瓷等研磨加工件時所 ^用之k離研磨粒相同之獅研絲來調整哺 ，、利用^金屬等卿成之修 ^ 並二靡 之表面修正時之=;=; 姻麟研絲實除研磨 二卜研it件時，可有效實現研磨時間之縮短化 安定麵°周正攸初期狀態即具有一定之切削力’故可獲得 痛，此點亦有 1301785 ^因此，本發明係提供以下之平台表面調整用磨石及平台表面 調整方法。 申請專利範圍第1項·· △—種平台表面調整用磨石，係使用於研磨裝置之以對研磨平 台貫施表面調整為目的之平台表面調整用磨石，上述研磨裝置係 ^磨平台上配設著具有研磨加工件保持用孔部之研磨加工件用托 杀，將研磨加工件保持於前述托架之孔部，使研磨平台及托架分 別進行方疋轉，同時，對前述研磨平台供應遊離研磨粒來研磨上述 研磨加工件，其特徵為，由洛氏硬度(HRS)為一30〜一 100之合成 樹脂製彈性磨石所構成。 <口成 申請專利範圍第2項： ηί中請專利範圍第1項之平台表面調整用磨石，合成樹脂製 彈性磨石係多孔性。 申請專利範圍第3項： 如申凊專利範圍第2項之平台表面調整用磨石，彈性磨石係 具有多數微小氣孔之聚胺甲酸酯或聚乙烯醇縮醛製磨石。 申請專利範圍第4項： 如申請專利範圍第1至3項中任一項之平台表面調整用磨 石，彈性磨石之容積密度為0.4〜〇.9g/cm3。 申請專利範圍第5項： u如申睛專利範圍第1至3項中任—項之平台調整用磨石，彈 '磨石分散固定著與研磨前述研磨加1件時所使用之遊離研 相同之研磨粒。 申請專利範圍第6項： -種研磨平台之表面調整方法，其特徵為，研磨平台上配設 具有用以保持洛氏硬度(HRS)為-30〜—觸之合成樹脂製彈性 =之保持職部之輕祕架，該托架孔部保持前述磨石 ^台及托架分別進行旋轉，同時’對前述研磨平台供應遊 磨粒，利用上述彈性磨石研磨上述研磨平台表面，對平台表面實 1301785 施對應上述研磨粒之粗度之粗面化。 申請專利範圍第7項： 如申清專利範圍第6項之研磨平a之丰而▲田龄 磨粒係使用與研磨研磨加工件方法，遊離研 粒。 加工件日请使狀鱗研練相同之研磨 申睛專利範圍第8項·· 如申請專利範圍第6或7項之研磨平a 成樹脂製彈性磨石係多孔性。 口表面凋正方法，5 申請專利範圍第9項·· 如申請專利範圍第8項之研 :ΐ專具=。，聚_輯或聚 性磨石22im97g；^研磨平台之表面調整方法，彈 申請專利範圍第11項： 性磨項之研磨平台之表面調整方法，彈 之研磨粒。 〃磨1研磨加工件時所使用之遊離研磨粒相同 申請專利範圍第12項： 如申請專利範圍第6或7項 磨加工件係石夕晶圓、合成石英玻璃^曰表面碰方法研 Is月之效果 、玻离水曰曰、液晶玻璃、或陶瓷。 依據本發明，可以良好效率研磨 .^ ^ ? 晶、液晶玻璃、或陶兗等之研磨=^/而:囫目、合成石英玻璃、水 藉此，可降低研磨成本。此外=磨化， 可得到安定品質之研磨品。 牛表面之粗度秩差較小， 【實施方式】 本毛月之平口表面调整用磨石係由合成樹脂製之彈性磨石所 1301785 構成。 性之小氣孔之多孔 稀醇_或聚“ί為j，多數微小氣孔之聚乙 醛樹脂、酚醛樹脂、“氰例如聚乙烯醇縮 二ΖίΞ烯糸樹脂、環氧系樹脂、聚1旨系樹脂、以及聚胺甲 可以單獨使用其中1種或併用2種以上，然而： 及，肖耗度等觀點而言，以含有聚乙烯醇_ 烯醇為ί取聚，醇縮醛製之彈性磨石則以併用聚乙 成者=俨对曰及、该斌乙烯醇縮醛樹脂以外之熱硬化性樹脂所形 此時，其比例以聚乙烯醇縮醛樹脂為1〇〜35質量比、其他埶 ，化性樹脂為5〜2G質量比為佳。聚乙烯醇祕樹脂若太少，貝;、 =孔質部分減少而失去彈性，可能使磨石硬度變高，此外，盆他 熱硬化性樹脂若太少，則聚乙稀醇縮_脂之多孔質部分與微細 研磨粒之結合力變差，可能使磨石之硬度降低。 如上面所述，聚乙烯醇縮醛製彈性磨石應為具有具多數微小 ^孔之多孔性之物，使其具有多孔性之手段，例如，在產生聚乙 烯醇縮醛樹脂之過程中，事先添加玉米澱粉等氣孔產生劑當做氣 孔產生劑，使其產生縮醛化反應後，利用水洗使玉米澱粉等氣孔 產生劑流出，而利用反應中存在著玉米澱粉等氣孔產生劑之部分 在磨石内產生氣孔之方法等。 此外，亦可以使用聚胺曱酸酯製磨石。該聚胺甲酸酯製磨石 應使用由使聚醚系及/或聚酯系聚醇與有機異氰酸鹽進行反應所得 到之聚胺甲酸酯所構成之物。聚醇成分可以使用例如聚醚醇、二 伸乙甘醇、二伸乙甘醇、二伸丙甘醇、或三伸丙甘醇等，有機異 氰酸鹽可以使用例如4,4，-二苯甲烷二異氰酸鹽或2,4-二異氰^ 甲苯酯等。 〆、月 该聚胺甲酸酯製磨石亦以多孔性者為佳，而使其具有多孔性 1301785 之手段例如添加例如水等大眾所知之發泡劑之方法或反庫硬 化時進行攪拌來混人空氣之方法^之之万衫反應硬 而H卜生磨石可以為連通氣泡構造或獨立氣泡構造，然 而，軋孔徑以30〜15〇#m為佳。 丹 1人合成樹脂製彈性磨石應含有微細研磨粒，此時， ΪΪ有二應為Γ全體之3°〜7G質量％，尤其是，4。〜6。質量％ ^土。从細研練之平均粒徑應為4()〜 材 ί以用碳切、氧她、氧化鉻、氧二^ 用°盘念以2種以上之物，尤其是，依據本發明，應使 離研磨粒相同之材質及粒度之物。干4職调使用之遊 整，=，’ ίίΐί/散—固+ 定於磨石可以有效率地實施表面調 ，$右勿散固定著與研磨力口工件之研磨力αι所使用之 ΐ”磨粒相同之研磨粒，利用該磨石實施平面ΞίΓ 整後研磨粒從該磨石脫落而殘留於平台表面，因為其 =ίί之研磨所使用之遊離研磨粒相同之研磨粒，不會 出現殘留之研磨粒使加工件受損之情形。 =發上述合成樹脂製彈性磨石係使祕氏硬度 m物，尤其是’使用—80〜-50之物，洛氏硬度 太低’ ^研磨所導致之磨石雜量會增A，不符經濟效益 ，度太南，败去彈性磨石特有之彈*效果，⑽法均—調二平 硬麟顧_錄1/2射鋼球當做; 貝鉍试驗何重為100kg之試驗所得之HRS數值。 之夕2麻如上面所士述：上，性磨石係具有多數微*氣孔(氣囊） 為二石’此日守’微小氣孔(氣囊)之大小[氣囊徑(氣孔徑)]應 ΐ目ϊϋΓ ’40〜100/m更佳。此時，氣孔徑若為3〇_以 下’ _性磨石之彈性會較小，而失去彈簧效果。此外 ，，過150_，容易獲得彈簣效果，細，磨石組織會變粗而i 加磨石消耗量’不符經濟效益。上述彈性磨石之容積密度 4 1301785 〜〇.9g/cm3，0.5 〜〇.7g/cm3 會變粗而歸石整_得更脆，石組織 =^密度若太高，磨石組織會處的情 而無法發揮彈簧效果。 ⑴狀〜、叻夭去弹性，進 此外’本發嗎磨石之形狀並無特別限制，可 形等之正多角形等之各種平面形狀:其(厚】 之表 台表面後，再·本發明之磨石來實絲&膽。、來^正平 利用本發明之平台表面調整用磨石 a ί先以二具有用以保持前述彈性磨石之保持;孔^之=托 二以，之保持用孔部來保持磨石 ς = 將磨石嵌插於研磨力:工件 方形時，如第2圖所示，準備具有正 Γ嵌職架4a，將平技_整用磨石 組合於研磨用第1圖時，將上述調整用托架如 整^ΊΐΓΓ 時實施平台表面之研磨處理。此外，調 it f ’可以防止難财之狀。—般而言，托架 ，、，士鑄鐵、裱氧樹脂、或氯乙烯樹脂等所形成。 此日寸，可以適度選擇其研磨條件，然而，以該表面調整後實 1301785 知研磨加χ件之研磨時之研磨條件_之條件為佳。 田Hi?用彈性磨石實施平台之研磨處理時，遊離研磨粒應 ίί施研磨加工件之研磨時所使用之遊離研磨:?目同ΐ 歹欠U離研餘，亦不會後之似狀研聽成^礙。 得對應於之研磨處理時，可獲 〜3倍之ΐ面可以獲得其平台面粗度之h5 彈性磨石實解台研’4第3 ®係本發明之 係使用盘平千台之表面狀態’第4圖係其對比’ 平台研磨時。之表==之平台修正用夾具(修正環)實施 =生磨石)10並供應遊離研餘7來研’磨平口/=/面用sf 在供應遊離研磨粒7之情 ^口1之表面時’ P，則彈性磨石會因為存在於彈σ石，壓力 夾具’與傳統之_平台修正用 圖所示，遊離研餘如第3圖及第4 易從平台表_散或凸部8，不 :=揮3研可在短‘間內完ί::工 且了以減彡研磨所使用之遊離研磨粒之使用量。
12 1301785 實施例 以下，利用實施例及比較例針對本發明進行具體說明，然而， • 本發明並未受限於下述實施例。 [實施例I、比較例I ] ，研磨裝置係15B、4Way之兩面研磨裝置(不二越機械工業 ‘）’首先，利用下述修正環以下述方法及條件對下述平台每、 下平台之表面修正。 σ錢也 平台 _ 修正環 材質：含有粒狀石墨之鑄鐵 尺寸：15Β 材質：與平台相同之材質、4個 尺寸：380mm 0 修正方法及條件 研磨荷重：100g/cm2 下平台旋轉數：65rpm 上平台旋轉數：21.5rpm 遊離研磨粒種類：F0#1200 研磨粒濃度：20%分散液 遊離研磨粒供應量：180cc/min 研磨時間：30min 此外，對利用上述修正環實施表面修正之上下 =下述平台表面調整用磨石以下述方法及條件實施“之 平台表面調整用磨石Νο·1(參照第12圖） 形狀·尺寸·· 150mm0磨石、12個 材質：聚胺甲酸酯 氣囊徑(氣孔徑）：100//m 洛氏硬度：一 80 容積密度：〇.5g/cm3 13 1301785 平台表面調整用磨石Νο·2(參照第13圖） 形狀·尺寸：150mm(/)磨石12個 . 材質：聚胺曱酸酯 氣囊徑(氣孔徑）：50//m • 洛氏硬度：一 70 容積密度：〇.6g/cm3 調整用托架 材質：與平台相同材質之鑄鐵 尺寸：380mm 0 個數：4 P 表面調整方法及條件 與使用修正環之平台之表面修正方法相同。 研磨荷重 100g/cm2 下平台旋轉數 65rpm 上平台旋轉數 21.5rpm 遊離研磨粒種類 F0#1200 研磨粒濃度 20%分散液 遊離研磨粒供應量 180cc/min 研磨時間 30min 表1係如上面所述之平台表面之修正·調整時之平台表面粗 度。 【表1】 修正環 磨石No.l 磨石Νο·2 Ra Rz Ra Rz Ra Rz 修正後或調整後 0.21 2.68 0.52 4.81 0.37 5.27
Ra:中心線平均粗度 Rz :十點平均粗度 表面粗度·· JIS B0601 14 1301785 此外，利用修正環之修正雖然 而，利用上述表面調整用磨石進行得平坦化，然 態在處理前後並無實質上之差異，因此表面之平坦化狀 具有;凸形狀獲得平坦化：正：ϊ用磨石不 ，、-人利用具有以上述修 桃 上述平台表面調整用磨石Να卜台及 磨平台’以與第丨圖相同之方法，在 整士表面之研 之研磨。表2〜4及第7圖係其結^下21條件下重前施石夕晶圓
加工件：矽晶圓 加工件尺寸：31.4cm2 1批次加工件使用片數：35 1批次研磨時間：lOmin 回收：有 上平台旋轉數·· 21.5rpm 下平台旋轉數：65rpm 荷重：100g/cm2 襞體濃度：20wt% 防鏽劑·· 1%
滴下量：180ml/min 磨石尺寸：151x40x50 使用研磨粒：F0#1200 托架材質：氯乙烯樹脂 托架尺寸：380mm 0 托架之加工件：4英吋矽晶圓、7片 托架個數：5個 15 1301785 【表2】 修正環 批次No. 研光前加工件厚度 研光後加工件厚度 切削量 (//m) 1 542.5 505.2 37.3 2 542.5 502.6 39.9 3 542.1 502.9 39.2 4 542.0 500.7 41.3 5 541.9 502.6 39.3 6 542.1 500.1 42.0 7 542.1 499.4 42.7 8 542.3 499.3 43.0 9 543.1 500.8 42.3 10 542.3 499.5 42.8 標準偏差 1.9 切削量合計 409.8 【表3】 磨石No.l 批次No. 研光前加工件厚度 研光後加工件厚度 切削量 (//m) 1 538.1 494.3 43.8 2 538.0 493.9 44.1 3 538.1 495.3 42.8 4 538.3 494.7 43.6 5 538.1 494.0 44.1 6 539.0 494.8 44.2 7 538.5 493.9 44.6 8 537.0 493.9 43.1 9 537.1 493.4 43.7 16 Cs 1301785
492.7 【表4】 磨石Να2 標準偏t 切削量合計—I 438.5 批次No·研光前加工件厚度研光後加工件厚度
492.8 ~----- __ 493.3 __ 493.4 __標準偏差 44.9 44.0 44· 1 0.6 _切削量合計 439.8 [貫施例II、比較例II] ϋ裝巧6B、4Way之兩面研磨裝置(不二越機械工業(株） •^平祕正軌下財法及躲對下料台實施上 平台 修正環
材質：含有粒狀石墨之鑄鐵 尺寸：6B 材質：與平台相同材質之鑄鐵 尺寸：15〇_α0、4個 1301785 修正方法及條件 研磨荷重·· 100g/cm2 下平台旋轉數·· 60rpm 上平台旋轉數：20rpm 遊離研磨粒種類·· GC#1500 研磨粒濃度·· 25%分散液 遊離研磨粒供應量：500cc/min 研磨時間：30min
此外，利用下述平台表面調整用磨石以 璧十利用上述修正環表面實施修正之上下平么〜法及條件， 面調整。 〇 表面實施平台之表 平台表面調整用磨石No.3 形狀·尺寸：120mmφ、4個 三聚氰胺樹脂 材質：聚乙稀醇縮酸、 氣囊徑(氣孔徑）：60//m 洛氏硬度··一 60 容積密度：0.7g/cm3 平台表面調整用磨石No.4 形狀·尺寸·· 12〇mm0、4個 材質：聚胺曱酸酯 氣囊徑(氣孔徑）：lOOvm 洛氏硬度：一80 容積密度：0.5g/cm3 調整用托架 材質··與平台相同材質之鑄鐵 尺寸：150mm 0 個數：4 表面調整方法及條件
18 1301785 與使用修正環之平台之表面修正方法相同。 研磨何重：l〇〇g/cm2 下+台方疋轉數：60rpm ^上平台旋轉數：20rpm 遊離研磨粒種類：GC#1500 _ 研磨粒濃度·· 25%分散液 遊離研磨粒供應量·· 500cc/min 研磨時間：30min
s女其次、’、利用具有以上述修正環進行修正之夺“ 二2上述平台表面調整用磨石Νο·3、Ν〇·4進备卞敕研f平台及 英玻璃之·。在下述條件下重複實施合成石 观表5〜7及第8圖及第9圖係其結果。 加工件：合成石英玻璃 加工件尺寸：76mmx76mm 批次加工件使用片數：6 1批次研磨時間：lOmin 回收··有 平台尺寸：6B 上平台旋轉數：20rpm 下平台旋轉數·· 60rpm 荷重：100g/cm2 漿體濃度：25wt% 防鏽劑·· 1% 滴下量：500ml/min 使用研磨粒：GC#1500 技*架材質：氯乙稀樹脂 尺寸·· 150mm 0 個數：6 19 1301785 【表5】 修正環 表面粗度 批次 研光前加工 研光後加工 切削量 前重量 後重量 重量差 Ra Rz No. 件厚度 件厚度 (//m) (g) (g) (g) 1 2189.0 2051.5 137.5 165.6 155.3 10.3 0.30 2.41 2 2190.6 2050.6 140.0 165.3 155.1 10.2 0.31 2.43 3 1751.8 1623.8 128.0 132.7 122.5 10.2 0.33 2.37 4 1751.6 1629.7 121.9 132.7 123.0 9.7 0.32 2.24 5 1749.8 1632.1 117.7 132.8 123.3 9.5 0.34 2.34 6 2051.5 1938.0 113.5 155.3 146.4 8.9 0.30 2.20 7 2050.6 1934.6 116.0 155.1 146.1 9.0 0.29 2.17 8 1623.8 1496.1 127.7 122.5 112.9 9.6 0.32 2.34 9 1629.7 1506.3 123.4 123.0 113.7 9.3 0.31 2.08 10 1632.1 1508.0 124.1 123.3 114.1 9.2 0.29 2.03 11 1938.0 1819.8 118.2 146.4 138.0 8.4 0.27 1.90 12 1934.6 1814.8 119.8 146.1 137.3 8.8 0.25 2.01 13 1496.1 1380.5 115.6 112.9 104.3 8.6 0.26 1.80 14 1506.3 1391.8 114.5 113.7 105.1 8.6 0.27 2.27 15 1508.0 1389.8 118.2 114.1 105.2 8.9 0.30 2.04 16 1819.8 1714.6 105.2 138.0 130.2 7.8 0.24 1.96 17 1814.8 1705.8 109.0 137.3 129.4 7.9 0.26 1.84 18 1380.5 1271.8 108.7 104.3 96.2 8.1 0.25 1.99 19 1391.8 1275.8 116.0 105.1 96.7 8.4 0.26 1.87 20 1389.8 1280.5 109.3 105.2 96.7 8.5 0.24 1.83 標準偏差 8.9 標準偏差 0.7 切削量合計 2384 重量差合計 179.9
20 1301785 【表6】 磨石Νο·3 表面粗度 批次 研光前加工 研光後加工 切削量 前重量 後重量 重量差 Ra Rz No. 件厚度 件厚度 (//m) (g) (g) (g) 1 1715.5 1581.5 134.0 130.1 119.7 10.4 0.31 2.47 2 1706.1 1576.5 129.6 129.4 119.4 10.0 0.29 2.23 3 1751.6 1621.8 129.8 132.8 122.7 10.1 0.29 2.34 4 1745.6 1610.0 127.6 132.1 122.4 9.7 0.30 2.31 5 1734.8 1614.3 120.5 131.6 122.1 9.5 0.28 2.28 6 1581.5 1453.0 128.5 119.7 110.2 9.5 0.29 2.23 7 1576.5 1449.8 126.7 119.4 110.0 9.4 0.30 2.03 8 1621.8 1497.3 124.5 122.7 113.4 9.3 0.30 2.04 9 1618.0 1493.8 124.2 122.4 112.8 9.6 0.31 2.29 10 1614.3 1487.8 126.5 122.1 112.5 9.6 0.29 2.36 11 1453.0 1327.8 125.2 110.2 100.6 9.6 0.30 2.07 12 1449.8 1327.3 122.5 110.0 100.5 9.5 0.28 2.07 13 1497.3 1371.1 126.2 113.4 103.6 9.8 0.28 2.10 14 1493.8 1370.3 123.5 112.8 103.5 9.3 0.28 2.18 15 1487.8 1366.8 121.0 112.5 103.1 9.4 0.30 2.12 16 1327.8 1207.1 120.7 100.6 91.1 9.5 0.27 1.98 17 1327.3 1211.0 116.3 100.5 91.6 8.9 0.26 2.09 18 1371.1 1256.1 115.0 103.6 94.9 8.7 0.28 2.02 19 1370.3 1257.8 112.5 103.5 95.0 8.5 0.26 1.81 20 1366.8 1253.8 113.5 103.1 94.6 8.5 0.26 1.87 標準偏差 5.6 標準偏差 0.5 切削量合計 2468.3 重量差合計 188.8 21 1301785
【表7】 磨石Νο·4 表面粗度 批次 研光前加工 研光後加工 切削量 前重量 後重量 重量差 Ra Rz No. 件厚度 件厚度 (//m) (g) (g) (g) 1 1738.5 1600.5 138.0 131.7 121.1 10.6 0.30 2.34 2 1743.3 1610.3 133.0 131.8 121. 10.2 0.30 2.30 3 1740.1 1611.1 129.0 131.7 121.7 10.0 0.29 2.23 4 1727.5 1609.3 118.2 130.9 121.4 9.5 0.30 2.05 5 1730.0 1610.8 119.2 130.8 121.5 9.3 0.30 2.13 6 1600.5 1468.5 132.0 121.1 110.9 10.2 0.31 2.29 7 1610.3 1480.1 130.2 121.6 111.8 9.8 0.30 2.14 8 1611.1 1482.5 128.6 121.7 112.1 9.6 0.29 2.20 9 1609.3 1484.1 125.2 121.4 112.0 9.4 0.30 2.10 10 1610.8 1487.5 123.3 121.5 112.2 9.3 0.27 2.24 11 1468.5 1345.6 122.9 110.9 101.8 9.1 0.30 2.09 12 1480.1 1353.1 127.0 111.8 102.2 9.6 0.27 2.13 13 1482.5 1363.0 119.5 112.1 102.8 9.3 0.28 2.01 14 1484.1 1361.8 122.3 112.0 102.8 9.2 0.29 1.98 15 1487.5 1367.6 119.9 112.2 103.1 9.1 0.28 1.93 16 1345.6 1225.0 120.6 101.8 92.5 9.3 0.27 2.04 17 1353.1 1237.5 115.6 102.2 93.4 8.8 0.29 1.86 18 1363.0 1246.0 117.0 102.8 94.1 8.7 0.27 1.94 19 1361.8 1250.1 111.7 102.8 94.2 8.6 0.30 2.10 20 1367.6 1253.5 114.1 103· 94.6 8.5 0,27 2.05 標準偏差 6.7 標準偏差 0.5 切削量合計 2467.3 重量差合計 188.1
22 1301785 [參考例] 越機械工業(株) 正環或磨石處理 研磨裝置係6B、4Way之兩面研磨裝置(不二 製），利用下述平台以下述方法及條件利用下述修 平台之表面。 ' 平台
材質：含有粒狀石墨之鑄鐵 尺寸：6B 修正環
磨石PVA 材質：與平台相同材質之鑄鐵 形狀·尺寸：15〇mm0、4個 a·含有聚乙烯醇縮搭、三聚氰胺樹脂之研磨粒徑8厚(叫 形狀·尺寸：12〇mm0、4個 氣囊徑(氣孔徑）：30/zm 洛氏硬度：一70 容積密度·· 0.60g/cm3
b:含有聚乙烯醇縮酸、三聚氰胺樹脂之研磨她i4#m(Gc) 形狀·尺寸：12〇mm0、4個 氣囊徑(氣孔徑）：60//m 洛氏硬度··一 60 容積密度：〇.65g/cm3 c:含有聚乙烯醇縮搭、三聚氰賴脂之研磨 形狀·尺寸：12〇mm0、4個 氣囊徑(氣孔徑）：40//m 洛氏硬度：一 50 容積密度：〇.7〇g/cm3
石PU δ有聚胺甲酸酯之研磨粒徑8//m(C) 形狀·尺寸·· 12〇mm0、4個 23 1301785 氣囊徑(氣孔徑）：100/zm 洛氏硬度：一 80 . 容積密度：0.50g/cm3 e :含有聚胺曱酸酯之研磨粒徑8//m(C) * 形狀·尺寸：12〇mm0、4個 氣囊徑(氣孔徑）：l〇〇//m 洛氏硬度：一90 容積密度：〇.45g/cm3 f :含有聚胺甲酸酯之研磨粒徑6.5//m(C) ' 形狀·尺寸：12〇mm0、4個 * 缝徑(氣孔徑）：80//m 洛氏硬度：一 80 容積密度：〇.50g/cm3 處理方法及條件 研磨荷重：l〇〇g/cm2 下平台旋轉數：60rpm 上平台旋轉數：20rpm 遊離研磨粒種類：GC#1500 研磨粒濃度：25%分散液 φ 遊離研磨粒供應量：500cc/min 研磨時間：30min 表8、第10圖及第11圖係此時之平台之切削量及表面粗度之 結果。 【表8】 磨石種類 平台切削量 磨石消耗量 平台表面粗度 (//m) (//m) Ra Rz PVA a 7.9 3667.5 0.77 3.84 b 8.9 4735 0.69 3.36 24 ㊣ !3〇1785
【圖式簡單說明】 態之ί丄:::磨加工件之研磨裝置之-實例之省略上平台之狀 ΐ2圖係調整用托架之-實例之平面圖。 苐3圖係利用本發明之磨石研磨 第4圖係利用平台修正用夾且 ^ °表面之概心圖。 台表面之概念圖。 又，、只鉍千口之修正及研磨時之平 第5圖係利用彈性磨石研磨平a 第6 十口打之狀恶之剖面概念圖。 第7 性磨石研磨平台時之狀態之剖面概念圖。 量之比_1之研_晶圓時之批次數及切削 f 9圖係上述批次數及粗度之關係圖。 ，10圖係參考例之以各種磨石研磨平台時之切削量圖。 ^ 11圖係上述參考例之表面粗度圖。 ^ 12圖係平台表面調整用磨石灿」之顯微鏡相片。 第13圖係平台表面調整用磨石^^〇.2之顯微鏡相片。 【主要元件符號說明】 1 研磨平台 2 太陽齒輪 3 内齒輪 1301785 4 托架 4a 調整用托架 5 保持用孔 5a 保持用孔 6 研磨加工件 7 遊離研磨粒 8 凹凸部 10 平台表面調整用磨石 11 微小氣孔(氣囊） 12 樹脂黏接磨石 13 黏接劑
26

Claims (1)

1301785 十、申請專利範圍： 1、一種平台表面調整用磨石，係使用於研磨裝置中用以對研 磨平台施以表_整，該研磨裝置係於研磨平台上配設著具有研 5加5件保!寺用孔部之研磨加工件用托架，將研磨加工件保持於 該托架之孔部，使研磨平纟及托架分別進行旋轉，_對該研磨 平台，應遊離研磨粒來研磨該研磨加讀，其特徵為： 該平台表面調整用磨石係由洛氏硬度(HRS)為一30〜一1〇〇之 合成樹脂製彈性磨石所構成。 士、申凊專利範圍第丨項之平台表面調整用磨石，其中： 該合成樹脂製彈性磨石係多孔性者。 = '如申請專利範圍第2項之平台表面調制磨石，其中： 搭制3性磨石係具有多數微小氣孔之聚胺甲義或聚乙稀醇縮 石，H申請專利範㈣1至3項中任—項之平台表面調整用磨 該彈性磨^之容絲度40.4〜G.9g/em3。 其中5:、如巾請專利範圍第丨至3項中任—項之平台調制磨石， 磨粒固定著與研磨該研磨加卫件時所使用之遊離研 6、 一種研磨平台之表_整方法，其特徵為. 於研磨平台上配設調整職架，該托 洛氏硬度(HRS)為—30〜—100之人用托木具有用以保持 部，；^·|彡— 5对曰I彈性磨石之保持用孔 轉，同時，’使研磨平台及托架分別進行旋 S研2二應遊離研磨粒，利用該彈性磨石研磨 7、 如^ :====二. 粒相==粒係使用與研磨研磨加工件 Cs 27 1301785 其中8:'如㈣專概_6或7項之研騎台之表_整方法， 該合成樹脂製彈性磨石係多孔性者。 9、如申^利範圍第8項之研磨平台 該彈性磨石係具有多數料丨夯 面凋正方法，其中·· _磨石。〃有讀則、祕之聚胺甲_或聚乙歸醇縮 其中H)、M請專利範圍第6或7項之研磨平台之表面調整方法， 该彈性磨石之容積密度為0.4〜0.9g/cm3。 其中： 1:1、如申請專利範圍第6或7項之研磨平台之表面調整方法， 離研 磨粒;散固定著與研磨研磨加工件時所使用之遊 其中1:2、如申請專利範圍第6或7項之研磨平台之表面調整方法， 或陶ΐ研磨加工件切晶圓、合成石英玻璃、水晶、液晶玻璃、 十一、圖式： 28
TW095132791A 2005-09-08 2006-09-05 Grinder and method for adjusting the surface of surface plate TWI301785B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005260526A JP2007069323A (ja) 2005-09-08 2005-09-08 定盤表面調整用砥石及び表面調整方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200709898A TW200709898A (en) 2007-03-16
TWI301785B true TWI301785B (en) 2008-10-11

Family

ID=37450938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095132791A TWI301785B (en) 2005-09-08 2006-09-05 Grinder and method for adjusting the surface of surface plate

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7637802B2 (zh)
EP (1) EP1762338B1 (zh)
JP (1) JP2007069323A (zh)
KR (1) KR20070029043A (zh)
CN (1) CN1927543A (zh)
DE (1) DE602006007524D1 (zh)
MY (1) MY142062A (zh)
TW (1) TWI301785B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5402391B2 (ja) * 2009-01-27 2014-01-29 信越化学工業株式会社 半導体用合成石英ガラス基板の加工方法
JP2010194704A (ja) * 2009-01-27 2010-09-09 Shinano Denki Seiren Kk 定盤修正用砥石、定盤修正用研磨装置及び研磨定盤の修正方法
EP2439768B1 (en) * 2009-06-04 2022-02-09 SUMCO Corporation Fixed-abrasive-grain machining apparatus, fixed-abrasive-grain machining method, and semiconductor-wafer manufacturing method
DE102010032501B4 (de) 2010-07-28 2019-03-28 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abrichten der Arbeitsschichten einer Doppelseiten-Schleifvorrichtung
JP6091773B2 (ja) * 2012-06-11 2017-03-08 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
CN203390712U (zh) * 2013-04-08 2014-01-15 宋健民 化学机械研磨修整器
DE102013206613B4 (de) * 2013-04-12 2018-03-08 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben mittels gleichzeitiger beidseitiger Politur
JP6434266B2 (ja) * 2013-12-17 2018-12-05 富士紡ホールディングス株式会社 ラッピング用樹脂定盤及びそれを用いたラッピング方法
US20180085891A1 (en) * 2016-09-29 2018-03-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Apparatus for shaping the surface of chemical mechanical polishing pads
CN107053027B (zh) * 2017-01-06 2019-02-22 浙江工业大学 一种具有梯度分布研磨盘去除函数的计算方法
CN106891278B (zh) * 2017-01-06 2019-08-20 浙江工业大学 一种基于函数拟合的具有梯度功能研抛盘的制备方法
JP6935635B2 (ja) * 2017-09-06 2021-09-15 スピードファム株式会社 両面研磨装置用の被研磨物保持用キャリア
JP2022152042A (ja) * 2021-03-29 2022-10-12 株式会社ディスコ 研磨装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1226780A (zh) 1967-08-02 1971-03-31
CA941173A (en) 1969-01-16 1974-02-05 Joseph V. Petrone Abrasive tool and manufacture thereof
JP3370112B2 (ja) * 1992-10-12 2003-01-27 不二越機械工業株式会社 ウエハーの研磨装置
US5536202A (en) * 1994-07-27 1996-07-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor substrate conditioning head having a plurality of geometries formed in a surface thereof for pad conditioning during chemical-mechanical polish
JPH08168953A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Ebara Corp ドレッシング装置
US5672095A (en) * 1995-09-29 1997-09-30 Intel Corporation Elimination of pad conditioning in a chemical mechanical polishing process
US6102784A (en) * 1997-11-05 2000-08-15 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for improved gear cleaning assembly in polishing machines
JPH11300607A (ja) * 1998-04-16 1999-11-02 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨装置
JP3006591B2 (ja) * 1998-07-02 2000-02-07 信濃電気製錬株式会社 ロール研磨用多孔質砥石及びロール表面の研磨方法
JP2000135666A (ja) 1998-10-29 2000-05-16 Kyocera Corp 定盤修正用治具
JP2000218521A (ja) 1999-01-28 2000-08-08 Toshiba Ceramics Co Ltd 両面研磨用定盤修正キャリア
US6517416B1 (en) 2000-01-05 2003-02-11 Agere Systems Inc. Chemical mechanical polisher including a pad conditioner and a method of manufacturing an integrated circuit using the chemical mechanical polisher
US6709981B2 (en) 2000-08-16 2004-03-23 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method
AU2003225999A1 (en) 2002-03-25 2003-10-13 Thomas West, Inc Smooth pads for cmp and polishing substrates
JP4416485B2 (ja) 2003-11-27 2010-02-17 信濃電気製錬株式会社 ポリウレタン砥石の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7637802B2 (en) 2009-12-29
JP2007069323A (ja) 2007-03-22
MY142062A (en) 2010-08-30
EP1762338B1 (en) 2009-07-01
US20070054607A1 (en) 2007-03-08
KR20070029043A (ko) 2007-03-13
CN1927543A (zh) 2007-03-14
EP1762338A1 (en) 2007-03-14
DE602006007524D1 (de) 2009-08-13
TW200709898A (en) 2007-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI301785B (en) Grinder and method for adjusting the surface of surface plate
TW201028246A (en) Grinding stone for surface plate correction, polishing device for surface plate correction, and correction method for polishing surface plate
CN101500755B (zh) 旋转磨石
WO2010038646A1 (ja) 球状体の研磨装置、球状体の研磨方法および球状部材の製造方法
TWI456034B (zh) 矽晶圓的研磨方法及其研磨液
JP4897238B2 (ja) 研磨パッド
AU4497600A (en) Abrasive tools for grinding electronic components
TWI706829B (zh) 雙面研磨裝置用的載體的製造方法及晶圓的雙面研磨方法
TW201300199A (zh) 磨料物品及製造方法
TW200902577A (en) Polishing pad and method for producing the same
FR2967367A1 (fr) Tampon a polir composite contenant du silicate
JP2007196345A (ja) 研磨パッド表面調整用砥石及び研磨パッド表面調整方法
WO2001081496A1 (fr) Compose de polissage et procede de preparation correspondant, et procede de polissage
CN113770816A (zh) 一种磁流变弹性体及其制备方法和应用
FR2967418A1 (fr) Composite polymere-silicate creux
JP2009214221A (ja) 研磨パッド
JP2008169357A (ja) 研磨パッド
JP2016198878A (ja) 砥石、加工装置、被加工物の加工方法
JP5132369B2 (ja) 研磨パッド
JP4979200B2 (ja) 研磨パッド
Lavrinenko et al. On grinding applications of variously dispersed powders of compacts based on synthetic and natural diamond with carbon binder
CN109894930B (zh) 一种缓释型柔性磨具及抛光方法
JP2008142883A (ja) レジノイド砥石
JP2004338028A (ja) 研削用砥石及びこの研削用砥石を備える研削装置
US10589402B2 (en) Abrasive articles and methods of forming the same

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees