TWI301635B - Measuring apparatus and exposure apparatus having the same - Google Patents

Description

1301635 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 一般言之，本發明與測量設備有關，更特定地說，與 測量被照射平面上之入射角分佈或光分佈特性（也稱爲“ 有效光源”及“σ分佈”）的設備有關。在此，照射光學系統 之有效光源的測量意欲涵蓋σ分佈的測量及照射光之質心 (或重心）的測量。 【先前技術】 投影曝光設備習用於光刻技術，用以製造細微的半導 體裝置，經由投影光學系統將光罩（遮罩）上的電路圖案 及類似物投影到晶圓上，因此而轉移電路圖案。 隨著近來對更細微及更低側形之電子裝置的要求，也 愈來愈要求裝設在這些電子裝置上的半導體裝置要更細微 。較高品質的曝光需要最適合這些光罩圖案的有效光源。 > 有效光源分佈視將例如複眼透鏡之出光平面附近光學強度 分佈調整到想要的形狀而定，諸如一般照射形狀，環形照 射形狀、以及四極照射形狀。此外，投影曝光設備被要求 控制它的數値光圈（“ΝΑ”）、同調因數σ (該値是照射光 學系統的ΝΑ/投影光學系統的ΝΑ)、以及有效光源，因 此，要爲每一不同的特徵設定最適合的條件。 控制同調因數σ需要更精準地測量有效光源分佈。測 量透鏡之入射瞳平面上的光強度分佈可提供有效光源分佈 。有效光源分佈的測量也提供入射瞳平面上之照射光之質 -4- (2) 1301635 心的測量，其造成成像性能的不對稱，即所謂的遠心性（ telecentricity ) 〇 測量瞳平面上光強度分佈的習用方法例如見日本專利 2,928,277、日本專利申請案公告 2000-19012、 5-74687、 以及 2002-110540。 這些習用的測量方法，除了光罩等外，還需要諸如鏡 片、聚光鏡光學系統、中繼光學系統、影像感應器及類似 物的測量設備，設置在與光罩及晶圓平面結合的平面或多 個平面。不過，在曝光設備中容納這些組件，由於其有限 的能力將使成本增加。此外，這類測量方法應適用於沈浸 式曝光設備（immersion expo sure apparatus ) 。 【發明內容】 本發明針對測量設備及具有該測量設備的曝光設備， 其不需要額外的空間即可測量光源分佈。 根據本發明用於曝光設備之測量裝置的一態樣，其包 括照射光學系統，其使用來自光源的光照射光罩；光罩台 ，其支撐及驅動該光罩；以及，將光罩上之圖案投影到一 板件上的投影光學系統測量有效光源分佈，做爲光在光罩 之光罩平面上的入射角分佈，其包括一中繼光學系統，被 組構來導引通過該照射光學系統的光；以及一外殼，其容 納該中繼光學系統，並架設在光罩台上取代光罩。 根據本發明用於曝光設備之測量裝置的另一態樣，其 包括照射光學系統，使用來自光源的光照射光罩；以及， -5- (£ (3) 1301635 將光罩上的圖案投影到一板件上的投影光學系統測量有效 光源分佈，做爲光在光罩平面上的入射角分佈，且包括一 針孔構件，被組構來將通過該照射光學系統的光傳送到針 孔內，該針孔的直徑是由幾何光學與波動光學的模糊決定 ，以及一偏向器，被組構來使通過針孔的光偏向。 具有上述測量設備的曝光設備仍是本發明的另一態樣 〇 根據本發明另一態樣的曝光方法，包括根據以上述測 量設備所獲得之投影光學系統之第一有效光源分佈計算投 影光學系統中瞳孔透射率（transmittance)分佈的步驟， 以及，使用通過無光罩之投影光學系統的光測量板平面上 之瞳平面光強度分佈所導出的第二有效光源分佈，使用該 計算步驟的結果及第一或第二有效光源分佈計算成像性能 ’使用該成像性能調整該有效光源分佈及/或投影光學系 統，並根據經過調整的該有效光源分佈及/或投影光學系 統曝光該板件。 包括有使用上述曝光設備曝光一板件，並顯影經曝光 之板之步驟的裝置製造方法構成本發明的另一態樣。 從以下參考附圖對較佳選單的描述中，將可很容易明 瞭本發明的其它目的及進一步的特徵。 【實施方式】 現將參考附圖描述根據本發明各種實施例的曝光設備 。這些曝光設備是步進_及_掃瞄式投影光學系統，但也可

-6 - (4) 1301635 適用於步進-及重複類型及其它類型。 第一實施例 圖1是根據本發明一態樣之曝光設備的槪示斷面視圖 。在圖1中’ 1指示照射光學系統。來自雷射的光被照射 光學系統1中繼，以所要的光強度分佈進入光罩平面。在 光罩2下方設置一薄膜3，以防止顆粒黏附於光罩平面。 光罩2架設在光罩台2a上，並被其驅動。 通過光罩的光經過縮小投影光學系統4，並成像在晶 圓5上。爲調整光罩2的位置及聚焦，以一裝置（校直鏡 )6觀察形成在光罩平面上的標記。光罩平面觀察裝置6 包括光學系統7及影像感應器8。光學系統7具有一物鏡 、中繼透鏡、及可變倍率的升降透鏡，影像感應器8使用 二維電荷耦合裝置（CCD)。 第一實施例使用此架構測量有效光源分佈。以與光罩 2及薄膜3尺寸相結合的工具取代光罩。該工具被置於光 罩2與薄膜3被移走的空間，因此，不需要額外的空間。 圖2是該工具的部分放大橫斷面視圖，且可瞭解，該光學 系統是收納在與光罩2及薄膜3在尺寸上共轭（conjugate )的外殼內。該外殼是架設在光罩台上，並由其驅動。 此實施例包括一準直透鏡1 1 (稍後解釋），被組構來 準直光線，以及一偏向器1 2，被組構來偏折光線，並使外 殻的厚度縮小到光罩2與薄膜3的尺寸。該工具使用光罩 台2a及校直鏡6的驅動機構，因此不需要專用的驅動機 (5) 1301635 構。 從光源被照射光學系統1中繼來的光，經由遮片9被 窄化到所需的面積’其限制在光罩平面上的照射區域，並 進入針孔1 〇。針孔1 〇可從與光罩平面結合的平面稍爲失 焦，以取得空間上的方便。準直透鏡11實質地將通過針 孔1 0的光準直。經由使用偏向器1 2 (諸如鏡片或三菱鏡 )，已變成準直光的照射光線進入傅利葉轉換光學系統1 3 。傅利葉轉換光學系統13在與光罩平面觀察裝置6之觀 察平面共轭的位置處形成虛瞳影像（aerial pupil image) ，且在近似共軛影像感應器8處成像，以此方式經由影像 處理測量光量分佈。根據此光量及影像感應器8中的觀察 直徑，用來轉換成照射光學系統之有效光源分佈的座標被 計算。第一實施例使用影像感應器8觀察影像，且針孔1 0 的位置與影像感應器8的觀察位置可在成像關係中。 經由遮片9降低照射光可降低散漫光（stray light) (不需要的光）的影響。遮片9的光圈不應小到使光無法 入射到針孔1 0，且應需要儘量設小。針孔1 0是經由蝕刻 形成在鉻表面上。鉻表面的尺寸及密度應大到散漫光不會 從被遮片9降低的照射光中洩漏出。爲抑制較大之其餘鉻 表面的透射，在針孔1 0的四周設置一片具有孔之金屬虎 穴物質（tiger-den material)的機械性光遮。 吾人希望針孔1 0的直徑需大到能以足夠的解析力（ resolving power)測量光強度分佈。至於決定解析力的因 素’可以考慮分佈的模糊（blur )及影像感應器的解析力 -8- (6) 1301635 。在此，使用圖3解釋分佈的模糊。圖3大略顯示用於照 射光的光學系統，其中，經由聚焦透鏡1 6從複眼透鏡1 5 聚焦到位在與照射光學系統中之光罩平面共軛之平面中的 針孔17。圖3顯示光是以某一角度從複眼透鏡15離開。 通過複眼透鏡15的照射光，在光罩平面上的一點處，具 有不連續的角分佈特徵。此角分佈特徵視複眼透鏡1 5的 結構而定。以下的方程式被符合，其中L是複眼透鏡15 的外徑1 8，S是構成複眼透鏡1 5之每一個小透鏡的外徑 20，I11NA是與外徑L之半共軛之照射系統的NA，以及P 是在光罩平面處照射光之N A的間隔2 1 : P = 2xIl!NA xS/L ( 1 ) 以不連續角分佈特徵通過針孔1 7的照射光具有由於 繞射（即艾瑞光環（airy disk) 22 )所導致的發散角。以 下的方程式符合波長λ及針孔直徑0、其中A是發散角23 ，其對應於此艾瑞光環22的第一個零點半徑： A = 3.8 3 χλ/0 /π ( 2) 由於通過複眼透鏡1 5之個別的光每一個受繞射影響 ’使用滿足以下公式的針孔直徑，能使來自每一個複眼透 鏡的光被波長-光學地分離及被測量： P> 2 xA ( 3 ) 當使用一透鏡系統測量有效光源分佈時，需要考慮由 於像差所導致的模糊。假設影像感應器8對應於照射系統 之NA 19的觀察範圍半徑是Η，且由於像差導致的RMS 光點直徑是D。當滿足以下公式時，每一光的D可幾何- -9- (7) 1301635 光學地分離： D<2 xHxS/L ( 4 ) 除了這些項，吾人希望考慮入射到影像感應器上的劑 量，以及影像感應器的解析力。 這些公式定義了吾人所需解析力的針孔直徑。設定針 孔直徑的目的是將來自複眼透鏡的光分離以便測量，或在 開始時指定一模糊量以便設定針孔直徑。由於影像感應器 8的動態範圍，來自複眼透鏡的光可能不會被分離。第一 實施例將針孔1 〇的直徑設定爲0 5 0微米。爲控制透鏡系 統之像差所造成的模糊，用於透鏡系統失真的公差被放鬆 ，並使用影像處理軟體修正失真。 上述的針孔直徑決定法可應用於所有使用針孔之曝光 設備的瞳平面光強度分佈測量。 在光罩平面上的照射光雖然視照射條件而定，但對沈 浸式曝光設備(immersion exposure apparatus )而言，計 議的最大ΝΑ値爲0.25至0.35。爲保持工具是在光罩與薄 膜的尺寸內，其需要控制通過針孔1 0之照射光之有效直 徑的展寬。爲此目的，第一實施例準備了一準直透鏡11， 其準直通過針孔1 〇的照射光。除了使用準直透鏡外，還 可以使用具有曲率的偏向器。 圖4是當該工具用於測量有效光源分佈時，從雷射入 射側看入的平面視圖。雖然此實施例使用兩個光罩平面觀 察系統，但也可以只使用一個。面積24是與光罩平面共 軛之平面的大小。光學系統25b顯示圖2中所示工具的側 (8) 1301635 形，其測量該照射系統之軸上的有效光源分佈。光學系統 2 5 a及2 5 c測量該照射系統之離軸的有效光源分佈。光學 系統25包括用於照射光的針孔26及出光位置27，其將照 射光引.入光罩平面觀察裝置6。 在此實施例中，光罩台支撐該光罩，並在圖4中的y 方向或掃瞄方向移動。光罩平面觀察裝置6在X方向移動 。由於針孔1 0與光學系統2 5是裝在工具內，該二維的移 動將該工具導引到測量位置。 將工具移動到測量位置的方法可以是掃瞄尋找光源， 或是使用對正標記。以掃瞄尋找光源在測量前須花費時間 。另一方面，對正標記具有高的再現性，且可經由一指定 的座標測量光強度分佈。 光學系統25可在X方向移動，且可按所需的影像高 度提供照射系統之有效光源分佈的測量。如果每一個光學 系統2 5使用相同的光學系統，即使旋轉1 8 〇度，這些光 學系統也都實際可用。此結構用來校正光罩平面觀察裝置 6的光學系統27以及工具的光學系統25。 第一實施例幾乎保持傅利葉轉換光學系統1 3的遠心 虛瞳影像。在光罩平面觀察裝置6之觀察位置經準直的光 控制因失焦所造成的尺寸測量誤差。已知的光圈及類似物 計算可被影像感應器8觀察到之σ分佈的絕對値以及影像 感應器8的中央位置，並修正光學系統的像差，諸如失真 〇 光罩平面觀察裝置6可將觀察位置失焦。將觀察位置 -11 - (9) 1301635 失焦可測量到兩或多個瞳平面照射分佈，並尋找可測量照 射光之傾斜的照射光質心的位移。此結果代表照射光在光 罩平面上的傾斜，且所謂的遠心性，可經由從其減去投影 光學系統的遠心性得到。當然，當已事先爲影像感應器測 量每一個影像高度的參考位置時，可僅在提供照射光之傾 斜的最佳聚焦位置測量。 當工具或光罩平面觀察裝置6裝有並可切換的分光器 與分析儀時，在以偏極化光照射時，可以爲每一偏極化光 測量有效光源分佈。 本實施例的結構可測量對應於一掃瞄σ之照射系統的 有效光源分佈。在步進-及-掃瞄式的曝光設備中，在晶圓 上每一成像位置的光強度分佈將成爲所有照射狹縫的掃瞄 累積。掃瞄的有效光源分佈與靜態的有效光源分佈不同。 測量對應於掃瞄σ的實際有效光源分佈很重要。 可用狹縫來測量掃瞄的有效光源分佈，狹縫是以在掃 瞄方向延伸的長度取代針孔。在掃瞄方向所得到之光強度 分佈的累積，提供實際的掃瞄有效光源分佈。使用在掃瞄 方向長於照射區域的狹縫，可僅經由一次的測量即提供掃 瞄的有效光源分佈。 在此實施例中所測量之照射光學系統的有效光源分佈 ，可用來調整及修正照射光學系統。由於測量結果是從光 罩平面觀察裝置6輸出，其可以很容易地校正曝光設備本 體。當晶圓平面上的有效光源分佈與本實施例之光罩平面 上的有效光源分佈相當時，即可得到投影光學系統的透射 -12- (10) 1301635 率。 第二實施例 接下來是使用有效光源分佈測量工具的第 其也包括根據本發明的影像感應器，用以測量 有效光源分佈。第二實施例與第一實施例不同 工具也包括影像感應器，且測量有效光源分佈 罩平面觀察裝置6。 本實施例運送一工具，其大小與光罩2加 问’用以取代一般的光罩，且具有一^針孔、一 及一影像感應器。圖5顯示該工具的橫斷面。 的光被照射光學系統1經由遮片9窄化至所1 照射區域限制在光罩平面上，並進入針孔1 ( 1 0的光經由準直透鏡1 1變爲近乎準直的光。 照射光’經由諸如鏡片及三菱鏡的偏向器i 2 葉轉換光學系統1 3。傅利葉轉換光學系統所形 像相當於在光學系統之出光瞳平面上的光強度 影像感應器28測量有效光源分佈。 此實施例使用無線通信做爲資料傳遞機構 器28所取得的資料，使用無線通信單元29直 的本體。 第三實施例 本發明的第三實施例使用第一及第二實施 二實施例， 照射系統的 之處在於該 時不使用光 上薄膜3相 光學系統、 中繼自光源 的面積，將 。通過針孔 經過準直的 入射到傅利 成的光源影 分佈，並用 。影像感應 接送往設備 例得到的有 -13- (11) 1301635 效光源分佈調整照射系統及評估成像性能。圖6顯示此方 法的流程圖。一開始，決定最佳的照射條件。爲定義σ= 1 的大小，爲σ=1設定照射光學系統的條件（步驟1 002 )。 接下來是上述工具的運送（步驟1 004 )。接著，爲照射系 統設定有效光源分佈（步驟1 006 )。接著，該工具被取出 (步驟 1 0 0 8 )。 接下來，瞳平面上的光強度分佈被測量，同時光罩2 及膜薄3被移走（步驟1 0 1 0 )。關於沈浸式的曝光設備， 步驟1 〇 1 〇提供兩個晶圓台一一個用於曝光，另一個用於 測量。因此，在曝光期間，用於測量的台面可被驅動用以 測量，且產出改善。此外，在此實施例中，用於曝光的晶 圓台是用於沈浸，但用於測量的台不準備沈浸。因此，即 使針孔是使用含鉻的玻璃鈾刻而成，關於濃度及鉻對沈浸 液的耐久性都不會發生問題。 在步驟1012，以步驟1 006及1010的結果計算投影光 學系統4中瞳孔的透射率分佈。此外，曝光設備中投影光 學系統的像差同時被測量（步驟1 〇 1 4 )。 根據所計算之光罩平面或晶圓平面上的有效光源分佈 、投影光學系統之瞳孔的透射分佈、投影光學系統的像差 、投影光學系統的ΝΑ、所使用的光罩圖案、以及所使用 的波長計算成像性能（步驟1 〇 1 6 )。此成像性能與目標成 像性能比較（步驟1 〇 1 8 )，如果超出許可範圍’就要調整 有效光源分佈、投影光學系統的像差、投影光學系統的 ΝΑ至少其中之一（步驟1 020 )。與目標成像性能比較的 -14- (12) 1301635 項目包括關鍵尺寸（“CD”）的一致性及HV差 等。經由計算靈敏度，第二次及後續的調整指 當目前的成像性能是在目標成像性能的許可範 整結束（步驟1 022 )。一連串的自動調整較佳 曝光設備本體內之投影光學系統的瞳孔透射率 過，當曝光設備被組裝時，該些可能被測量， 用於計算。 此實施例可快速地調整照射系統的有效光 影光學系統的像差。此適合晶圓之實際曝光的 爲了每一個單元，諸如照射系統或投影系統， 裝有照射系統及投影系統的整個曝光設備。 第四實施例 接下來參考圖7及8，以下將描述使用上 之裝置製造方法的實施例。圖7的流程圖用於 半導體晶片，諸如1C及LSI、LCD、CCD等） 此的描述以半導體晶片之製造爲例。步驟1 ( 設計裝置的電路。步驟2 (光罩製造）形成具 路圖案的光罩。步驟3 (晶圓準備）使用諸如 造晶圓。步驟4 (晶圓處理），其稱爲前處理 及晶圓經由光刻技術在晶圓上形成實際的電路 組合），也稱爲後處理，將步驟4中形成的晶 體晶片，且包括組合步驟（例如切割、接線） (晶片密封）等。步驟6 (檢查），對在步驟 、ΟΡΕ計算 向目標値。 圍內，該調 。不必測量 及像差。不 且該資料可 源分佈及投 最佳化不是 而是爲了安 述曝光設備 解釋裝置（ 的製造。在 電路設計） 有所設計電 矽等材料製 ’使用光罩 。步驟5 ( 圓形成半導 、封裝步驟 5所製造的 -15- (13) 1301635 半導體裝置執行各種測試，諸如驗證測試及耐久性測試。 經由這些步驟，半導體裝置即告完成並出貨（步驟7)。 圖8描述步驟4之晶圓處理的詳細流程圖。步驟1 1 ( 氧化）氧化晶圓的表面。步驟12 ( CVD )在晶圓表面形成 絕緣膜。步驟1 3 (形成電極）以氣相沈積及類似方法在晶 圓上形成電極。步驟1 4 (離子植佈）將離子植入晶圓內。 步驟1 5 (光阻處理）在晶圓上施加光阻材料。步驟1 6 ( 曝光）使用曝光設備將光罩上的電路圖案曝光在晶圓上。 步驟1 7 (顯影）將經過曝光的晶圓顯影。步驟1 8 (蝕刻 )蝕刻除了被顯影之光阻影像以外的部分。步驟1 9 (去除 光阻）在蝕刻後去除廢棄不用的光阻。這些步驟被不斷重 複，並在晶圓上形成多層的電路圖案。使用此裝置製造方 法能製造出優於習知技術的高品質裝置。按此方式，使用 曝光設備的裝置製造方法，及做爲最終產品質的裝置，是 根據本發明的另一態樣。 以上的實施例不需要額外的空間即可測量有效光源分 佈。這些實施例可應用於沒有精確測量有效光源分佈之機 構的現有曝光設備。這些實施例計算通過針孔之光的模糊 ，並依照幾何光學及波動光學加以修正，因此提供了原光 源分佈的測量。由於照射光在影像感應器的觀察位置保持 幾乎是遠心，在影像感應器上的入射靈敏特徵很小，且測 量比以往更精確。 從這些實施例所得到照射光系統的有效光源分佈，可 用來做爲調整同調因數σ的指數，並從有效光源分佈得到 -16 - (14) 1301635 遠心。使用所得到的光強度分佈用於成像模擬，能夠評估 成像性能。在設計繞射光學元件中，實際的測量資料可直 _ 接用做爲照射系統的光強度分佈。 此外，本發明並不限於這些較佳實施例，且可做到各 種變化及修改，不會偏離本發明的範圍。 本申請案根據2005年4月20日提出申請的日本專利 申請案2005-123006要求外國的優先權，該文的全文倂入 本文參考。 【圖式簡單說明】 圖1是根據本發明一態樣之曝光設備的槪示斷面視圖 〇 圖2是用於測量光強度分佈之工具的橫斷面視圖，適 用於本發明的第一實施例。 圖3顯示設定圖2所示針孔直徑之條件的槪視圖。 I 圖4顯示圖2所示工具的平面視圖。 圖5是用於測量光強度分佈之工具的橫斷面視圖，適 用於本發明的第一實施例。 圖6是本發明第三實施例中調整及像差修正法的流程 圖。 圖7是解釋裝置（諸如ic、LSI、及類似物等半導體 晶片、LCD、CCD等）之製造的流程圖。 圖8是圖7所示晶圓處理的流程圖。 -17- (15) (15)1301635 【主要元件符號說明】 1 :照射光學系統 2 :光罩 3 :薄膜 2a :光罩台 4 :縮小投影光學系統 5 :晶圓 6:光罩平面觀察裝置 7 :光學系統 8 :影像感應器 9 :遮片 1 〇 :針孔 1 1 :準直透鏡 1 2 :偏向器 1 3 :傅利葉轉換光學系統 1 5 :複眼透鏡 1 6 :聚焦透鏡 1 7 :針孔 25 :光學系統 26 :針孔 2 7 :出光位置 2 8 :影像感應器 29 :無線通信單元

Claims (1)

1. (1) 1301635 十、申請專利範圍 1 · 一種用於曝光設備的測量設備，該測量設備包括 一照射光學系統，其使用來自光源的光照射光罩；一光罩 台，其支撐及驅動該光罩，以及一投影光學系統，其將該 光罩的圖案投影到一板件上，該測量設備測量有效光源分 佈做爲在該光罩之光罩平面上之光的入射角分佈，該測量 設備包含： 中繼光學系統，被組構來導引通過該照射光學系統的 光；以及 外殼’其容納該中繼光學系統，並被架設在該光罩台 上取代該光罩。 2 ·如申請專利範圍第1項的測量設備，其中該曝光 設備另包括一校直鏡，被組構來觀察用來對正該光罩與該 板件的對正標記，以及該中繼光學系統將通過該照射光學 系統的該光導引到該校直鏡。 3 .如申請專利範圍第1項的測量設備，其中該中繼 光學系統包括傅利葉轉換光學系統，被組構來從通過一針 孔的該光產生虛瞳影像（aerial pupil image)。 4·如申請專利範圍第3項的測量設備，其中該傅利 葉轉換光學系統的出光端與對正光學系統的影像感應器共 軛。 5.如申請專利範圍第3項的測量設備，其中該針孔 與該對正光學系統的影像感應器共轭。 6·如申請專利範圍第2項的測量設備，其中，當該 -19- X： (2) (2)1301635 光罩台在掃瞄方向移動且該對正光學系統在與掃瞄方向垂 直之方向移動時，該外殻移向一測量位置。 7·如申請專利範圍第3項的測量設備，另包含一透 鏡被組構來準直通過該針孔的該光。 8 ·如申請專利範圍第1項的測量設備，其中該外殻 包括一用於對正該光罩及該板件的對正標記。 9·如申請專利範圍第1項的測量設備，其中該外殼 可被運迭該光罩的運送系統運送。 10·如申請專利範圍第1項的測量設備，其中該光罩 台驅動該中繼光學系統，並使測量影像的高度可變。 11.如申請專利範圍第1項的測量設備，另包含： 分光器，被組構來分裂該光；以及 分析器，被組構來產生平面偏極化光。 12·如申請專利範圍第2項的測量設備，其中，該該 對正光學系統另具有： 分光器，被組構來分裂該光；以及 分析器，被組構來產生平面偏極化光。 1 3 ·如申請專利範圍第3項的測量設備，其中該針孔 具有狹縫形狀，其長度在掃瞄方向延伸。 14·如申請專利範圍第1項的測量設備，其中該測量 設備另包含影像感應器，其感應該有效光源分佈的影像， 以及該中繼光學系統將通過該照射光學系統的該光導引到 該影像感應器。 1 5 · —種曝光設備內的測量設備，該測量設備包括一 -20- (3) 1301635 照射光學系統，其使用來自光源的光照射光罩；以及一投 影光學系統，其將該光罩的圖案投影到一板件上，該測量 設備測量有效光源分佈做爲該光在該光罩之光罩平面上的 入射角分佈，該測量設備包含： 針孔構件，被組構來將通過該照射光學系統的該光傳 送入一針孔’該針孔的直徑是由幾何光學與波動光學的模 糊來決定；以及 偏向器，被組構來使通過該針孔的該光偏向。 1 6 · —種曝光設備，包含如申請專利範圍第1至1 5 其中任一項的測量設備。 1 7 · —種曝光方法，包含以下各步驟： 根據如申請專利範圍第1至1 5其中任一項之測量設 備所獲得之投影光學系統的第一有效光源分佈計算該投影 光學系統的瞳孔透射率分佈，以及從使用通過沒有光罩之 該投影光學系統之光測量板平面上之瞳平面光強度分佈導 出第二有效光源分佈； 使用分佈計算步驟之結果及該第一或第二有效光源分 佈計算成像性能； 使用該成像性能調整該有效光源分佈及/或該投影光 學系統；以及 根據經過調整的該有效光源分佈及/或該投影光學系 統曝光該板件。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項的曝光方法，另包含以 下各步驟： -21 - (4) 1301635 決定該照射光學系統照射該光罩的照射條件是否已被 設定或被改變；以及 當該決定步驟決定該照射條件已被設定或被改變時， 執行該瞳孔透射率分佈計算步驟、該成像性能計算步驟、 及該調整步驟。 19. 一種裝置製造方法，包含以下各步驟： 使用如申請專利範圍第1 6項的曝光設備曝光一板件 ;以及 顯影被曝光的該板件。

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