JP3696156B2
(ja )
2005-09-14
塗布膜の加熱装置、レジスト膜の処理方法
TWI413160B
(zh )
2013-10-21
半導體微影製程
CN100573320C
(zh )
2009-12-23
图形形成方法
JP2004134674A
(ja )
2004-04-30
基板処理方法、加熱処理装置、パターン形成方法
JP2000508118A
(ja )
2000-06-27
駆動電流を制御するための半導体ウェハの処理方法
US7238454B2
(en )
2007-07-03
Method and apparatus for producing a photomask blank, and apparatus for removing an unnecessary portion of a film
TW200938963A
(en )
2009-09-16
Lithography apparatus, method of forming pattern and method of manufacturing semiconductor device
JP5275275B2
(ja )
2013-08-28
基板処理方法、euvマスクの製造方法、euvマスクおよび半導体装置の製造方法
JP2005123651A
(ja )
2005-05-12
レジスト膜の処理装置、およびレジストパターン形成方法
TW201926416A
(zh )
2019-07-01
控制倍縮光罩遮蔽葉片的定位方法
TW200837837A
(en )
2008-09-16
Heat treatment apparatus with thermal uniformity
TWI300514B
(ja )
2008-09-01
JP2006245255A
(ja )
2006-09-14
露光装置、露光方法、および微細パターンを有するデバイスの製造方法
JP2007096347A
(ja )
2007-04-12
被処理基板のローテーション補正装置、レジスト膜の処理装置、被処理基板のローテーション補正方法、レジスト膜の処理方法
CN100541330C
(zh )
2009-09-16
涂布膜的加热装置
JP3676947B2
(ja )
2005-07-27
半導体素子の製造装備、これを利用した半導体素子のパターン形成方法及びこれを適用した半導体素子製造用フォトレジスト
US20080311529A1
(en )
2008-12-18
Immersion multiple-exposure method and immersion exposure system for separately performing multiple exposure of micropatterns and non-micropatterns
TWI810829B
(zh )
2023-08-01
使用光罩製造半導體裝置之方法
TWI822893B
(zh )
2023-11-21
生成佈局圖案的方法
JP4202962B2
(ja )
2008-12-24
基板処理方法及び半導体装置の製造方法
KR100406583B1
(ko )
2003-11-20
감광막 물질의 증발에 의한 렌즈 오염을 방지할 수 있는노광 장치
JPH03254112A
(ja )
1991-11-13
薄膜除去方法及び薄膜除去装置
TW202115503A
(zh )
2021-04-16
表面處理裝置及用於圖案化器件和其他基板之表面處理的方法
JPH07142342A
(ja )
1995-06-02
パターン形成方法及びパターン形成装置
JPH07183199A
(ja )
1995-07-21
パターン形成方法及び露光装置並びにパターン形成装置