TWI413160B - 半導體微影製程 - Google Patents

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Description

半導體微影製程
本發明係關於一種用於半導體製程的微影製程，尤其是關於一種二次曝光的方法，其可延長微影製程中光源的壽命，但不影響電路的臨界尺度(critical dimension,CD)。
微影技術在積體電路晶片的製造中扮演重要的角色，而不斷改良的光學投影微影製程可使積體電路不斷細化。因此，可使積體電路產業製造出更符合成本效益效且功能更強大的半導體裝置。
在光學微影製程的領域中，以一光敏材料塗佈於一矽晶圓上且使之乾燥。而後，使用一曝光機，其以一光源經由圖案化的光罩在晶圓上曝光。於曝光後，再顯影此晶圓以將光罩的圖案轉移至光敏材料。如此，圖案化的光敏材料用於後續製程(例如蝕刻)，以生成積體電路裝置。
雖然縮短用於曝光的光線波長可細化圖案，但裝置中的圖案縮小太快，以致於單單減少曝照光線的波長已難以跟上圖案微縮的速度。因此，發展出各種改善技術，像是光學鄰近效應修正以及相位 移技術，來解決此問題。而極端紫外光(EUV,Extreme Ultraviolet)微影技術更為下一世代的微影技術，其中此技術係使用13.5奈米的極端紫外光波長。然而，由於極端紫外光技術需要高功率的能源，而限制了其晶圓產出，故極端紫外光曝光機目前仍無法用於量產，而尚處於研發階段。
由此可知，目前為了降低成本，在極端微影製程可有效率使用於量產階段前，業界急需一能夠延長深紫外光(DUV,Deep Ultraviolet)微影裝置(例如KrF或ArF)的使用壽命的方法，其中，特別是延長昂貴的準分子雷射曝光機光源的使用壽命的方法。
本發明之目的係提供一改良的曝光方法，用以解決上述的問題。
本發明提出一種半導體微影製程包含：提供一基材；於基材上形成一光阻層；將光阻層曝露於一第一光源下，進行一相對較低劑量的全面預曝光；將光阻層以步進及掃瞄的方式曝露於一第二光源下，進行一相對較高劑量的主曝光；以及對光阻層進行一顯影製程。
本發明亦提出一種半導體微影製程，包含：提供一基材；塗佈一光阻層於基材上；以步進及掃瞄的方式，對光阻層進行一微曝光，以使光阻層曝光於相對較低劑量的一第一光源；以步進及掃瞄的方 式，對光阻層進行一主曝光，以使光阻層曝光於相對較高劑量的一第二光源，其中主曝光係利用一光罩曝光；以及對光阻層進行一顯影製程。
下述實施例將描述詳細細節以使本發明可據以實施，但亦存在其他實施例，其不偏離本發明精神及申請專利範圍。晶圓與基材在此包含任何結構，例如積體電路結構，其具有暴露出的表面，且具有材料層沉積於其上。基材則包含半導體晶圓，但基材另可意指在製造過程中的半導體結構，且可包含製造於其上的其他層。晶圓與基材二者皆包含摻雜及未摻雜的半導體、以半導體或絕緣層為基底的磊晶層以及其他本領域所熟知的半導體結構。以下的實施例並非用以限制本發明，而本發明之範圍係由申請專利範圍所界定。本發明係為一種二次曝光或多次曝光的方法，其可延長微影製程中曝光機光源的壽命，但不影響電路的臨界尺度。雖然本文中部分的實施例以KrF(248奈米)曝光機為例，但亦可為KrF掃瞄曝光機、ArF掃瞄曝光機、F2掃瞄曝光機、極端紫外光曝光機或電子束曝光機等，本發明不以此為限。
第1圖為根據本發明之較佳實施例所繪示的使用於半導體製程的二次曝光方法的流程圖。如第1圖所示，首先，如步驟10，將一光敏材料，例如為一光阻層，塗佈於半導體基材(未繪示)的一主 要表面上，其中光阻層可為一正型光阻或一負型光阻，且光阻層可由傳統的旋轉塗佈方法塗佈於基材上。在形成光阻層後，可選擇性地進行一斜邊清除(EBR,Edge Bevel Rinse)製程，以清洗外圍邊緣部分的光阻層。本實施例中，光阻層具有一使其成像的臨限能量值。
如步驟11，實施一光阻的後烤製程，此步驟在決定顯影速率及光敏材料顯影的均勻性方面扮演重要的角色，其中，此製程中將基材置於烤盤上加熱，且基材可被加熱至例如105℃至130℃之間。如步驟12，於光阻的後烤製程之後，進行一晶邊曝光製程(WEE,Wafer Edge Exposure)，其使用例如紫外光、深紫外光或極端紫外光，曝光基材的一外圍環狀區域。
如步驟13，在不使用光罩下，進行一全面預曝光。在進行全面預曝光期間，以一第一光源將基材表面的整片光阻層曝光，其中第一光源例如為紫外光、深紫外光、極端紫外光或電子束，且第一光源的的劑量低於能使光阻層成像的臨界能量值。全面預曝光較佳為一低劑量全面曝光，例如一劑量約為1.0-2.5 mj、波長為248奈米的全面預曝光。值得注意的是，只要無使用光罩且無光阻層成像出圖案，全面預曝光可實施於步進及掃瞄機內或實施於步進及掃瞄機外。在較佳的情形下，全面預曝光可進行於步進及掃瞄機外，且結合晶邊曝光步驟以增加晶圓的產量。
如步驟14，一使用光罩的主曝光係以一步進及掃瞄的方式進 行。在主曝光製程中，於基材上的光阻層係經由光罩曝光，且使用具有一預定劑量的第二光源曝光，以在光阻層中產生潛電路圖案，其中第二光源例如為紫外光、深紫外光、極端紫外光或電子束。第一光源的劑量以及第二光源的劑量的總和大於能使光阻層成像的臨限能量值，而形成潛電路圖案。依據本發明之一較佳實施例，主曝光的劑量高於全面預曝光的劑量，但遠小於先前技術中的劑量。舉例來說，主曝光可以一波長為245奈米以及劑量約10-35 mj的相對較高的劑量實施。然而，使用於全面預曝光之第一光源可不同於使用於主曝光的第二光源。舉例來說，全面預曝光可使用KrF雷射，而主曝光可使用ArF雷射，或全面預曝光可使用ArF雷射，而主曝光可使用EUV雷射。同樣地，可進行不止一次的全面預曝光，例如可視需要於主曝光前或後，或是前與後，進行兩次或是兩次以上的全面預曝光。
相較於先前技術，本發明之主曝光的劑量較低，且在微影製程中，本發明可在不影響臨界尺度以及圖案輪廓下延長光源壽命。此外，本發明亦可試用於下一世代的極端微影製程中，以解決缺乏適當功率光源而造成晶圓產出無法提升的瓶頸。
如步驟15，於使用光罩進行主曝光之後，將基材上所曝光的光阻層進行一曝光後的烘烤(PEB,Post Exposure Bake)製程。最後，如步驟16，於曝光後的烘烤(PEB)製程之後，使用傳統顯影方法顯影光阻層。在一實施例中，可將具有光阻層的基材浸入顯影液中。 或者，可將顯影液噴灑於光阻層上，以顯影光阻層。
第2圖為根據本發明之又一較佳實施例所繪示的使用於半導體製程的二次曝光方法的流程圖。如第2圖所示，同樣地，如步驟20，將一光敏材料，例如光阻層，塗佈於半導體基材(未繪示)的主表面上，其中光阻層可為一正型光阻或一負型光阻，且光阻層可由傳統的旋轉塗佈方法塗佈於基材上。在形成光阻層後，可選擇性地進行一斜邊清除(EBR)製程，以清洗外圍邊緣部分的光阻層。本實施例中，光阻層具有一使其成像的臨限能量。
如步驟21，實施一光阻的後烤製程，此步驟在決定顯影速率及光敏材料顯影的均勻性上扮演重要的角色，其中此製程中將基材置於烤盤中加熱，並將其加熱至例如105℃至130℃之間。如步驟22，於光阻的後烤製程之後，進行一晶邊曝光(WEE)製程，其使用例如紫外光、深紫外光或極端紫外光，曝光基材的一外圍環狀區域。
如步驟23，在不使用光罩下，進行一微曝光。在本實施例中，微曝光實施於步進及掃瞄曝光機內且以循序個別曝照的步進及掃瞄方式進行。換言之，每一於基材上的晶片區域可以一預設的方向循序曝光。在個別曝照的微曝光期間，在各晶片區域內，於基材上的光阻層的表面將整片曝光於第一光源下，其中第一光源例如為紫外光、深紫外光、極端紫外光或電子束，且第一光源的劑量低於能使光阻層成像的臨限能量值。微曝光較佳為一低劑量全面曝光，例如 一劑量約1.0-2.5 mj，波長為248奈米的全面曝光。值得注意的是，於微曝光期間並無使用光罩以及光阻層並無成像出電路圖案。
如步驟24，接著以類似步驟23微曝光的步進及掃瞄方式進行使用光罩的主曝光。製程中，於基材上的光阻層係經由光罩曝光，且使用具有一預定劑量的第二光源進行曝光，以在光阻層中產生潛電路圖案，其中第二光源例如為紫外光、深紫外光、極端紫外光或電子束。第一光源的劑量以及第二光源的劑量的總和大於能使光阻層成像的臨限能量值，而形成潛電路圖案。依據本發明之一較佳實施例，主曝光的劑量高於微曝光的劑量，但遠小於先前技術中的劑量。舉例來說，主曝光可以於波長為248奈米以及約10-35 mj左右相對較高的劑量下實施。在一實施例中，使用於微曝光的第一光源與使用於主曝光的第二光源相同。
相較於先前技術，本發明之主曝光的劑量較低，且在微影製程中，可在不影響臨界尺度以及圖案輪廓下延長曝光機光源壽命。此外，本發明亦可適用於下一世代的極端微影製程，以解決缺乏適當功率光源而造成晶圓產出無法提升的瓶頸。
如步驟25，於使用光罩進行主曝光之後，將基材上曝光的光阻層進行一曝光後的烘烤(PEB)製程。最後，如步驟26，於曝光後的烘烤(PEB)製程之後，可使用傳統顯影方法顯影光阻層。在一實施例中，可將具有光阻層的基材浸入顯影液中。或者，可將顯影 液噴灑於光阻層上，以顯影光阻層。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
第1圖為根據本發明之較佳實施例所繪示的使用於半導體製程的二次曝光方法的流程圖。
第2圖為根據本發明之又一較佳實施例所繪示的使用於半導體製程的二次曝光方法的流程圖。

Claims (10)

  1. 一種半導體微影製程，包含：提供一基材；於該基材上形成一光阻層；將該光阻層曝露於一第一光源下，進行一相對較低劑量的全面預曝光，其中該全面預曝光係結合一晶邊曝光步驟一起進行；將該光阻層以步進及掃瞄的方式曝露於一第二光源下，進行一相對較高劑量的主曝光；以及對該光阻層進行一顯影製程。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體微影製程，其中該全面預曝光不使用光罩。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體微影製程，其中該第一及第二光源的劑量均低於使該光阻層成像的一臨界能量。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之半導體微影製程，其中該第一光源的劑量與第二光源的劑量的總和大於使該光阻層成像的該臨界能量，以形成一潛電路圖案。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之半導體微影製程，其中使用於該全面預曝光的該第一光源不同於使用於該主曝光的該第二光源。
  6. 一種半導體微影製程，包含：提供一基材；塗佈一光阻層於該基材上；以步進及掃瞄的方式，對該光阻層進行一微曝光並結合一晶邊曝光步驟，以使該光阻層曝光於相對較低劑量的一第一光源；以步進及掃瞄的方式，對該光阻層進行一主曝光，以使該光阻層曝光於相對較高劑量的一第二光源，其中該主曝光係利用一光罩曝光；以及對該光阻層進行一顯影製程。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體微影製程，其中該微曝光不使用光罩。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之半導體微影製程，其中該第一及第二光源的劑量均低於使該光阻層成像的一臨界能量。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之半導體微影製程，其中該第一光源的劑量與該第二光源的劑量的總和大於使該光阻層成像的該臨界能量，以形成一潛電路圖案。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之半導體微影製程，其中使用於該微曝光製程的該第一光源與使用於該主曝光的該第二光源相同。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103207527B (zh) * 2012-01-16 2016-08-10 昆山允升吉光电科技有限公司 一种掩模板的曝光处理方法
US8835082B2 (en) 2012-07-31 2014-09-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for E-beam lithography with multi-exposure
CN105339457B (zh) * 2013-06-24 2018-07-20 东洋合成工业株式会社 用于增强化学物质产生的试剂
WO2015019616A1 (en) 2013-08-07 2015-02-12 Toyo Gosei Co., Ltd. Reagent for enhancing generation of chemical species
US20160195808A1 (en) * 2013-08-14 2016-07-07 Toyo Gosei Co., Ltd. Reagent for enhancing generation of chemical species
JP6293645B2 (ja) * 2013-12-27 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
CN103812001B (zh) * 2014-01-09 2017-01-11 北京大学 利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
JP6337757B2 (ja) * 2014-01-20 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 露光装置、レジストパターン形成方法及び記憶媒体
JP2015200874A (ja) * 2014-02-21 2015-11-12 東洋合成工業株式会社 化学種発生向上剤
US9618848B2 (en) 2014-02-24 2017-04-11 Tokyo Electron Limited Methods and techniques to use with photosensitized chemically amplified resist chemicals and processes
DE112015000546T5 (de) * 2014-02-25 2016-11-10 Tokyo Electron Limited Chemische Verstärkungsverfahren und -methoden für entwickelbare untere Antireflexbeläge und gefärbte Implantationsresists
US10048594B2 (en) 2016-02-19 2018-08-14 Tokyo Electron Limited Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) model calibration
US10429745B2 (en) 2016-02-19 2019-10-01 Osaka University Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) simulation
WO2017197279A1 (en) 2016-05-13 2017-11-16 Tokyo Electron Limited Critical dimension control by use of photo-sensitized chemicals or photo-sensitized chemically amplified resist
JP6750155B2 (ja) 2016-05-13 2020-09-02 東京エレクトロン株式会社 光剤を用いた限界寸法制御
KR102669150B1 (ko) 2016-07-27 2024-05-27 삼성전자주식회사 자외선(uv) 노광 장치를 구비한 극자외선(euv) 노광 시스템
CN110095942A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 东莞新科技术研究开发有限公司 半导体的光刻方法
US20220004103A1 (en) * 2018-11-16 2022-01-06 Lam Research Corporation Bubble defect reduction
US10534276B1 (en) 2019-03-27 2020-01-14 International Business Machines Corporation Lithographic photomask alignment using non-planar alignment structures formed on wafer
CN112305860A (zh) * 2019-08-02 2021-02-02 东莞新科技术研究开发有限公司 一种用于半导体的曝光显影方法
KR20220046598A (ko) 2019-08-16 2022-04-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 확률 중심 결함 교정을 위한 방법 및 공정

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6255035B1 (en) * 1999-03-17 2001-07-03 Electron Vision Corporation Method of creating optimal photoresist structures used in the manufacture of metal T-gates for high-speed semiconductor devices

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1234530A (zh) * 1999-05-17 1999-11-10 中国人民解放军总参谋部测绘研究所 预染色重氮胶片的曝光方法
CN100347813C (zh) * 2004-03-08 2007-11-07 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及薄膜叠层结构的制造方法
US7632625B2 (en) * 2004-05-25 2009-12-15 Roberts David H Method of pre-exposing relief image printing plate
US7125650B2 (en) * 2004-07-20 2006-10-24 Roberts David H Method for bump exposing relief image printing plates

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6255035B1 (en) * 1999-03-17 2001-07-03 Electron Vision Corporation Method of creating optimal photoresist structures used in the manufacture of metal T-gates for high-speed semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
US8124319B2 (en) 2012-02-28
US20110250540A1 (en) 2011-10-13
TW201135805A (en) 2011-10-16
CN102213914A (zh) 2011-10-12
CN102213914B (zh) 2012-12-12

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