TWI300097B - Source gas delivery - Google Patents

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TWI300097B TW094122688A TW94122688A TWI300097B TW I300097 B TWI300097 B TW I300097B TW 094122688 A TW094122688 A TW 094122688A TW 94122688 A TW94122688 A TW 94122688A TW I300097 B TWI300097 B TW I300097B
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Description

1300097 九、發明說明: 【發明所屬之技彳軒領域】 發明領域 大體而言此發明是關於半導體製造設備,更明確地,是關 5 於氣源之控制輸送。 L先前技術】 發明背景 在微電子設備的製造中,高階薄膜材料逐漸地重要。與傳 統的薄膜相反,將來薄膜需要有低的蒸汽壓,且當被加熱達到 10 一適當的蒸氣壓時,通常會接近他們的熱分解溫度之新枓科 源。對於氧化鈕、氮化鈕、氮化鈦、銅和鋁的薄膜之沈積而言, 一些本性具有低蒸氣壓和低熱分解溫度之前驅物被認為是最 佳的選擇。對於如此的應用,基本上該薄膜的型態與成分可以 被嚴密地控制。對於反應劑源輸送至薄膜形成區域而言,依次 15 需要非常可靠及有效率的工具與方法。 在某些f月況中’因為過早分解或化學計量控制的問題,汽 相試劑輸送進入該反應器已被證明是有困難的。實施例包括由 五乙氧化组(TAETO)液體前驅物而來之氧化組的沈積和由雙 (二烷基醯胺)鈦試劑而來之氮化鈦的沈積。 2〇 前驅物是被用於形成薄膜之蒸汽的來源。另外,前驅物通 常含有雜質,而且那些雜質的出現會在該汽化區域引起不受歡 迎的熱活化化學反應,也會在那個位置產生非汽化固體與液體 的形成。舉例來說,諸如ΤΑΕΊΌ之多種前驅物對水是敏感的, 且在該被加熱的条氣區域可能發生水解,而形成可能被併入具 5 1300097 有不良致果之該成長的氧化钽薄膜的氧化钽微粒中。 各種不同的源試劑輸送系統已經普遍被使用,將源試劑的 蒸汽引入化學蒸汽沈積(CVD)反應器。這些包括起泡機式系統 (bubbleiM)ased delivery system)、液體質量流控制系統和藉由泵 ' 5系統進行之液體計量。CVD反應器的使用對於薄膜沈積與其他 一 積體電路所需要的熱處體步驟而言是眾所周知的。 第1A圖說明一典型的起泡機式輸送系統,其包括一至少部 φ 分沈浸於加熱浴槽2〇之液體中的封閉前驅物室10。該浴槽的溫 度可以被調整而加熱或冷卻前驅物室1〇。在操作中,前驅物室 0 10 3有如驅物液體。一惰性沖提氣體(咖rier㈣)沿著第一管 . 過前驅物㈣。該第-管竭開口端是位在該前驅物液體 • ^沖提氣體離開該管與氣泡而到達該前驅物液體的表面。在 . 該前驅物液體的表面上方包含於前驅物室裡面的是一空間 • 4〇°第二管50的輸入端是位於該前驅物液體的表面上方的空間 15 40中。當該惰性氣體流通過該液體前驅物和氣泡而到達液體表 • 面時’前驅物蒸汽會更快到達它的平衡蒸汽壓。“多孔管分布 器,,(具有多數小針孔的罩子)有時候被加在第一管%的末^以 確斜氣泡形成以及迅速平衡。該沖提氣體和前驅物蒸汽進入 帛& 〇JL且机至處理至’在其中該前驅物蒸汽於被加熱的 ‘ 20 &材上反應。管5〇的溫度受諸如加熱線_之加熱裝置控制, 其環繞第二管观簡該前驅物蒸汽於輸送至該處理室 * 免於凝結。 /於液體蒸汽壓力與溫度之間的指數依存關係,該氣泡機 式糸統的效能是複雜的。在溫度上的小變化可能造成試劑輪送 6 1300097 速率有大的變化’而導致較差的程序控制。該沖提氣體之較低 的溫度及/或較高的流速容易降低蒸汽壓力。因此,沖提氣體溫 度和流速的波動可能引起該前驅物液體之蒸汽壓力波動。所 以’該前驅物蒸汽不會總是飽和的,這會導致改變該源試劑之 5濃度。再者,當該沖提氣體汨汨地流至表面時,在該氣泡機式 系統中的蒸汽濃度是在流體中之接觸時間的函數。因此當在該 鈾驅物室中的液體流體水準隨使用而改變時,蒸汽濃度在整段 期間會變動。 第1B圖說明另一種常見的輸送系統,其使用一液體質量流 10量控制器(LMFC)測量並控制流至汽化器之液體前驅物的流 速。一密封的前驅物室10包含一前驅物液體。一惰性氣體沿著 第一管30通過箣驅物至10。该管的開口端是位在該前驅物液體 的表面上方。惰性氣體離開第一管30並且加壓在該前驅物室… 内的前驅物液體。第二管50輸入端是位於該前驅物液體内。當 15 5亥惰性氣體如驅物進入驅物室10時,該前驅物液體上方的空 間被加壓,使得在前驅物室10内的前驅物液體水平被降低。前 驅物液體進入第二管50並且被輸送至一LMFC 60。前驅物液艚 離開LMFC 60並且被輸送至汽化器70。該前驅物液體被汽化, 然後一般在將其輸送至該被加熱的基材之沖提氣體中被輸 20 送。氣體透過一被加熱的管90而離開該汽化器。該管的溫度是 由諸如環繞該管之加熱線圈95的加熱裝置所控制。 液體質量流量控制器會出現許多不利地缺點。LMFCs對於 在該液體前驅物中之粒子與溶解的氣體非常敏感。LMFCs對於 該前驅物液體的溫度也敏感。再者,大部分LMFCs不能在超過 1300097 40°C的溫度下操作,在此溫度以下,一些諸如TAETO之前驅物 液體有高黏度。LMFC式系統有另一個缺點,可以被歸因於在 該LFMC和該汽化器之間“無用的體積”(例如管路)。任一量液體 殘留在該無用的體積中,可能會造成源試劑對該汽化器之錯誤 5 的輸送。這些缺點可能使得該液體前驅物之體積控制是非常困 難的。 前面提到過在該液體前驅物之體積控制中的不確定性會 引起該前驅物蒸汽到該處理室之最終輸送中大的不確定性,因 為液體體積(流速)的小變動會使氣體體積(流速)產生大變動。再 10 者,LFMC式系統一般是使用一氣體輔助該液體前驅物的汽 化,藉此增加產生固體粒子和氣溶膠的可能性。此外,空間和 暫時的溫度變化通常發生在該汽化區域,因而導致源試劑的不 /致輸送。 最後,因為在汽化器和管之間的溫度差異,導致在前驅物 15 蒸汽的輸送期間,諸如此實施例中之管90的處理器可能會發生 凝結,其也可能導因於該源試劑之不一致輸送。 第1C圖說明另一種眾所周知,使用泵作為該前驅物液體至 汽化器之液體計量的系統。泵80由前驅物室10將前驅物液體抽 至汽化器70。蒸汽在一被加熱的管90中離開該汽化器。該管 20 的溫度是由加熱裝置控制,諸如加熱線圈95,其環繞該管以避 免凝結。 泵式系統具有如LMFC式系統之類似的缺點。空間和暫時 的溫度變化通常發生在該汽化區域,而導致源試劑的不一致輸 送。這系統對於粒子與溶解在該液體中的氣體非常敏感。再 8 1300097 者,被輸送至該汽化器之前驅物液體的任一無用體積都會增加 氣體源的不準確輸送。因此,前驅物蒸汽至該處理室的輸送在 此系統中缺乏高精確性,因為在液體體積測量或控制的小誤差 會產生氣體體積的大誤差。最後,大部分的泵不能忍受高溫(最 5 高50°C),一些前驅物液體低於此一溫度會有高黏度。 因此,其需要一具有藉限制被輸送至該處理室之氣體源的 濃度波動之準確計量控制的前驅物蒸汽輸送方法與系統。 【發明内容】 發明概要 10 依據本發明,一種用於氣源控制輸送至一處理室的方法與 系統被提供。氣源輸送方法包含提供一被建構來容納前驅物蒸 汽之前驅物室,在一選定的壓力下於該前驅物室内提供飽和前 驅物蒸汽,以及使該飽和前驅物蒸汽由該前驅物室流至處理 室,直至該處理室内具有一選定的壓力。有利地,本發明藉由 15 將準確的量之前驅物蒸汽輸送至該處理室,而提供並控制在該 處理反應中所牽涉之精確計量。 在本發明的另一方向中,氣源輸送方法包括提供一被建構 來容納前驅物蒸汽之前驅物室,在一選擇的壓力下於該前驅物 室内提供飽和前驅物蒸汽,以及使該飽和前驅物蒸汽由該前驅 20 物室擴散處理室,直至該處理室内具有一選定的壓力。 在本發明的再一方向中,氣源輸送系統包括一被建構來容 納前驅物蒸汽之前驅物室,用於加熱前驅物液體以在該前驅物 室内於選擇的壓力下提供飽和蒸汽之熱源,以及允許飽和前驅 物蒸汽進入一處理室直到在該處理室提供選定的壓力為止之 1300097 洛通道。 在第4圖中,本發明的優點將使用圖4〇〇做說明,其顯示被 輸送至一處理室的蒸汽濃度在整段時間是如何改變。在一典型 的蒸汽輸送系統中,由於濃度不斷地發生波動,前驅物蒸汽在 5 一相當穩定的水準術下被輸送。這前驅物蒸汽輪送的方法可 確保在處理操作期間有足夠的氣源可以利 产 个平地,大部份 乳源破浪費,因為只有-小百分比被消耗在該處理操作中。含亥 些廢氣必須被排出,其可能也需要特殊的程序以及額外的卢 理。 ^ 1〇 在此發明中,-旦預定的蒸汽濃度4G4被輸送至該處理 室,即停止該輪送。當該蒸汽試劑在該處理中被消耗掉時,該 濃度水準404下降,但是該廢氣的量實質上會被降低,因為濃 度水平402和濃度水平404之間的差異不須被清除。 本發明之這些與其它的特徵和優點,由下面提出之該些實 15施例的詳細說明連同該些伴隨的圖式,將變得更顯而易見的。、 圖式簡單說明 弟1A圖是氣泡機式輸送系統的簡要說明。 第1B圖是液體質量流量控彻輸送㈣的簡要說明。 第1C圖是由泵計量液體之輸送系統的簡要說明。 2〇 第2·說明依據本發明之-實施例的氣源輸送系統之簡 要示意圖式。 胃 第2B圖說明另-依據本發明之—實施例的氣源輸送系統 之間要不意圖式。 第3圖是五乙氧化组之蒸汽壓對溫度的圖。 10 l3〇0〇97 第4圖是在處理室中氣源濃度對時間的圖。 第5圖疋依據本發明之一實施例的氣源輸送方法之流程 圖。 t實施方式】 5車父佳實施例之詳細說明 第2 A圖說明依據本發明之一實施例的氣源輸送系統3 00。 鈾驅物液體302被密封在一前驅物室304。前驅物液體302可 以包括在室溫具有低蒸汽壓力之液體試劑,諸如五乙氧化鈕 (TAETO)、三乙基鋁(TE、三甲基鋁(TMA”三乙基磷(TEp) 10和二乙基鎵(TEGa),或其他任一種液體源,諸如四氣化矽、四 氯化鍺、氯化氫和類似物。前驅物液體3〇2不是高揮發的,但 可以被加熱而形成不可忽略的前驅物蒸汽。 前驅物室304是與一熱源306熱接觸,以加熱該前驅物液體 302。熱源306可能是任一種均勻地加熱並控制該前驅物液體 15 302的溫度之加熱裝置,諸如一加熱浴槽、加熱板和對流爐。 在第2A圖中說明的實施例中,溫度控制液體浴槽308被使用加 熱前驅物室304。熱前驅物室304至少部分沈浸在液體浴槽3〇8 中,至前驅物液體至少完全沈浸在該浴槽流體中的水準。在另 一實施例中,前驅物室304被完全沈浸在液體浴槽中’以允許 20 前驅物蒸汽及前驅物液體被加熱。在此說明的實施例中,該液 體浴槽被加熱至大約50°C與大約220°C之間的溫度。 具有低揮發性、高沸點及/或高熱容可以被用在該液體浴槽 308中之浴槽流體有商品化產品。浴槽流體的實施例是,在此 不意欲限制本發明,該些矽基系列的浴槽流體,可以由伊利課 11 1300097 州維諾嶺(Vernon Hills)高爾帕門(Cole-Parmer)儀器公司獲得。 前驅物室304包含一控制直徑D1。當D1變得更大時,該暴 露的前驅物液體302之表面積會增加。因此,飽和的前驅物蒸 汽會更快被形成,而且可以被用於輸送至該處理室加熱。 . 5 控制直徑D1也控制在爭器輸送至處理室340期間之回流 r 或負壓降,其包括一直徑D2。舉例來說,當控制直徑D1比直徑 D2更大時,在前驅物室304和處理室340之間的壓降可以忽略, 精此控制在条汽輸送期間的回流。在一實施例中,控制直徑D1 是在大約25毫米與大約300毫米之間的範圍中,而且D2是在大 10 約50毫米與大約1〇〇〇毫米之間的範圍中。 可選擇地,前驅物室304可以被連接到一前驅物源3〇9。前 驅物源309能夠持續地將前驅物液體饋入前驅物室3〇4,或者它 • 能夠依據需要饋入不連續量之前驅物液體。在另一方法中,前 • 驅物室304是一如需要可以手動再充填前驅物液體之獨立的浴 15 槽室。 讀| 本發明之泫氣源輸送系統進一步包括一允許飽和前驅物 瘵汽由該前驅物室進入該處理室之蒸汽通道。在一實施例中, 該蒸汽通道包括一位在前驅物室聰該液體前驅物3〇2的表面上 方的空間330中之瘵汽入口 320。管332的第一端是可操作地連 2〇接在条汽入口 32〇。管332的第二端是可操作地連接在開啟/關閉 閥324。官326的第一端也可操作地連接在開啟/關閉閥。, 同時官326的第二端是可操作地連接到處理室34〇。可以被使用 在此系統中之閥和密封可以由麻薩諸塞州北安多佛_ (ν〇λ 八^〇”〇羅爾&海斯公司(R〇hm and Haas c〇mpany)獲得。 12 1300097 如第5圖中流程圖連同第2A圖中的系統300所示,本發明之 該氣源輸送方法包括需要被用於處理室340中處理之前驅物蒸 汽之所需的壓力的選擇。藉由對於被輸送至該處理室之前驅物 蒸汽的濃度之精確的控制,改善計量控制以及薄膜組成可以被 、 5 達成。對於牽涉在處理室340中前驅物蒸汽與反應物氣體之反 - 應的計量是藉由控制處理室340的總壓力,以及控制熱源306的 溫度而決定,其決定前驅物液體302的蒸汽壓力。 道耳吞的分壓定律說明對於在一容器中的氣體混合物而 言,作用的總壓力是每一個氣體單獨作用之壓力的總和。如果 10 每一氣體之單獨存在於該容器時,每一氣體施加的壓力被認為 . 是該每一氣體之分壓。假設是理想氣體9在混合物中特殊成分 之莫耳分率,χ,與它的分壓是直接相關的,其被定義為分壓, # Ρη,除以總壓力,Pt()tal。在混合物中一特殊的成分之莫耳百分 • 比被定義為莫耳分比乘以100。因此,在本發明中,反應化學 15 計量與薄膜成分會根據被輸送至處理室340的前驅物蒸汽之精 _ 確的莫耳百分比或分壓而被準確地控制。 根據本發明,該選擇的壓力是在處理室340中處理需要的 前驅物蒸汽分壓。為產生該選擇的壓力,前驅物液體302承受 一與該選擇的前驅物蒸汽壓力相關的溫度。因此,在本發明之 20 氣源輸送方法中的另一步驟是使溫度關連至該選擇的前驅物 蒸汽壓力。在該技藝中,純物質之溫度與蒸汽壓之間的關連是 " 已知的。舉例來說,第3圖是顯示該TAETO在相關溫度的蒸汽 壓力之圖。對於其他物質也有類似的圖式存在。 再一次談到第5圖,在本發明之氣源輸送方法中的另一步 13 1300097 驟疋,在該預定的溫度持續地加熱該前驅物液體,直到前驅物 液體/療a混合物達到平衡為止。因此,在蒸汽壓力與該選擇的 壓力相同時,該前驅物蒸汽將會飽和。一壓力感應器318可選 擇地用於監測在前驅物室3〇4(第2圖)中之前驅物蒸汽壓力。 5 在該相關的溫度下將該前驅物液體加熱形成前驅物蒸汽 之後,在本發明之該氣源輸送方法中可以進行另一種方法,如 第5圖連同第2A圖所示。在接收前驅物蒸汽之前,處理室则能 夠由真空泵350抽真空或以反應物氣體充填至預定的壓力。在 一實施例中,如路徑500所示,處理室34〇是首先處於真空下, ίο同時在該氣源輸送方法中的步驟是將開啟/關閉閥324設置在開 啟位置’以允5午飽和如驅物条汽精由擴散進入管3 22。然後前 驅物蒸汽擴散通過管326而到達處理室340。該處理室被充滿前 驅物物質,同時在整段時間前驅物室304與處理室34〇之間最終 大約會達到平衡。一旦在處理室340内達到選擇的壓力時,開 15 啟/關閉閥324被關閉,以停止前驅物蒸汽進入處理室34〇。一壓 力感應器340被使用來決定在該處理室中的總壓力。然後在該 處理室被活化以開始薄膜形成之後’反應物氣體被輸送至該處 理室直至到達總壓力目標。 在另一實施例中,如第5圖中路徑5忉連同第2A圖所示,反 20 應劑氣體首先被載入處理室340内直到選擇的壓力。開啟/關閉 閥324被開啟,同時前驅物蒸汽擴散進入處理室340達到總體壓 力目標。然後開啟/關閉閥324被關閉,同時該處理室340被作動 以開始薄膜形成。 一旦該總壓力目標到達時,在該處理室處理期間通常不再 14 1300097 需要前驅物材料。此方法在避免前驅物材料在處理之後必須被 排出,以及節省前驅物材料是有利的。因為在此實施例中沒有 使用沖提氣體,伴隨沖提氣體使用之前驅物蒸汽濃度的波動會 被消除。再者,因為沒有發生冒泡,該前驅物蒸汽濃度不會隨 5 著前驅物液體的水準改變而波動。本發明的另一個優點是由該 前驅物蒸汽而來的任一雜質或分解的產物被留在該處理室 中,因為只有該前驅物蒸汽被輸送至該處理室。此外,不需要 加熱裝置加熱由該前驅物室至該處理室之蒸汽通道,不像汽化 器系統,該前驅物室與該蒸汽通道之間的溫度差異是最小的。 10 除此之外,該蒸汽通道可以被做成一足夠大的直徑,以增加該 前驅物蒸汽的通過料量,同時將凝結的可能性降至最低。 在另一個實施例中,如第5圖中路徑520連同第2B圖所示, 流動氣體能夠沿著第一管310而經過開啟/關閉閥312。管314的 開口端316是位在前驅物室304中該前驅物液體上方的空間330 15 内。如果開啟/關閉閥312是在開放的位置,流動氣體進入管314 並且離開開口端316而進入空間330。空間330開始是在真空 下,而且當該前驅物液體被加熱時只有前驅物蒸汽佔據空間 330。一旦前驅物蒸汽已經達到飽和,開啟/關閉閥312和324被 打開,而且該流動的氣體被使用以直接將該前驅物蒸汽排至該 20 處理室而沒有起泡,直到總壓力目標達到為止。惰性流動氣 體,諸如氬氣、氦氣、氧氣和氮氣可以在大約l〇〇cc/分鐘至大 約lOOOOcc/分鐘之間的流速下被輸送至前驅物室304,以排出該 飽和前驅物蒸汽。再者,在此實施例中該流動的氣體能夠被計 量,以決定該流動氣體之分壓貢獻,以補償在該處理室中總壓 15 1300097 力的增加。流動氣體對於蒸汽濃度的影響是可以忽略的,因為 沒有起泡發生,同時該流動氣體被使用,而僅將動能加至輪送 至該處理室340之該飽和的前驅物蒸汽。一旦總壓力目標達到 時’該處理室被作動以開始薄膜形成。 5 在另一實施例中,如第5圖中路徑530連同第2B圖所示,反 應劑氣體首先被載入處理室340而至一選擇的壓力。然後開放/ 關閉閥312和324被打開,同時惰性流動氣體被使用,以將該前 φ 驅物蒸汽排至該處理室,直到總壓力目標被達成,其後該處理 室被作動以開始薄膜形成。 1〇 依據本發明的一實施例,前驅物液體TAETO在大約50°C至 大約22〇c之間被加熱,而分別達到在大約〇 001托耳(〜〇 13帕) 大、勺0.001托耳(〜〇· 13帕)至大約76〇托耳(〜i百萬帕)之間的總壓 力目標。該飽和前驅物蒸汽在該處理室中具有在Α_·1%至大 15約50%犯圍之莫耳百分比。氧化组㈣〇5)層可以被生長至在大 響 、、句5〇人至大約之間的範圍之厚度。 在一貫施例中,前驅物液體ΤΑΕΤ〇被加熱至13〇艺,以達 到〇·2托耳(〜26帕)的飽和蒸汽壓(第3圖)。該前驅物蒸汽被輸送 4處理至,到達0·2托耳(〜26帕)的壓力,接著進行反應物氣 ‘ ㈤的輪送’而到達1托耳的總目標壓力(〜133帕)。在另-個實施 彳彳中反應物氣體被輸送至該處理室,而到達〇·8托耳(〜1〇6帕) 接著使该剷驅物蒸汽達到丨托耳(〜133帕)的總目標壓力。 忒20/。莫耳百分比前驅物蒸汽的混合物在該處理室中於 下反應2分鐘以生長大約100A的氧化鈕。 16 1300097 在另一實施例中,前驅物液體TAETO被加熱至200t:,以 達到20托耳(〜2.6仟帕)之飽和蒸汽壓。該前驅物蒸汽被輸送至 該處理室,到達20托耳(〜2.6仟帕)的壓力,接著進行反應物氣 體的輸送,而到達100托耳的總目標壓力(〜13仟帕)。另外,反 5 應物氣體被輸送至該處理室而達到80托耳(10.6仟帕)的壓力,接 著使該前驅物蒸汽的總目標壓力到達100托耳(〜13仟帕)。該 20%莫耳百分比前驅物蒸汽的混合物在該處理室中於450°C下 反應2分鐘以生長大約ιοοΑ的氧化ί旦。 本發明之該上述說明的實施例只是用於說明而非限制。因 10 此對於熟悉該技藝者是顯而易見的是,在其更明確的方向中, 在沒有偏離此發明下可以進行各種不同的改變與修正。因此, 該些附錄的申請專利範圍包含所有落在此發明之真實精神與 範圍中的該些變化與修正。 I:圖式簡單說明:! 15 第1Α圖是氣泡機式輸送系統的簡要說明。 第1Β圖是液體質量流量控制器輸送系統的簡要說明。 第1C圖是由泵計量液體之輸送系統的簡要說明。 第2Α圖說明依據本發明之一實施例的氣源輸送系統之簡 要示意圖式。 20 第2Β圖說明另一依據本發明之一實施例的氣源輸送系統 之簡要示意圖式。 第3圖是五乙氧化鈕之蒸汽壓對溫度的圖。 第4圖是在處理室中氣源濃度對時間的圖。 第5圖是依據本發明之一實施例的氣源輸送方法之流程圖。 17 1300097 【主要元件符號說明 10、304…前驅物室 20…加熱浴槽 30、310…第一管 40…該前驅物液體表面上的空間 50…第二管 55、95…加熱線圈 60…液體質量流量控制器 70…汽化器 90…被加熱的管 300···輸送系統 302···液體前驅物 306···加熱源 308…液體浴槽 1 309…前驅物源 312、324…開啟/關閉闊 314、322、326···管 316…管之開口端 318…壓力感應器 320…蒸汽入口 330…液體前驅物表面上的空間 340…處理室 350…真空泵 402…濃度水準 404…蒸汽預定的濃度 D卜D2·.·直徑
18

Claims (1)

1300097 第94122688號專利申請案申請專利範辑脅it幸-96年4-月 發
十、申請專利範圍: 1. 一種氣源輸送系統,包含: 一被建構來容納前驅物蒸汽之前驅物室,該前驅物室 具有一控制直徑; 一用於加熱一前驅物液體,以在該前驅物室内於選定 的壓力下提供飽和前驅物蒸汽之熱源;和
一蒸氣通道,其允許飽和前驅物蒸汽藉由擴散進入一 處理室,直到在該處理室中供入一選定的壓力為止,該處 理室具有一處理室直徑,其中該控制直徑對該處理室直徑 之比例可控制沿著該蒸氣通道之壓力差降。 2.如申請專利範圍第1項的系統,其中該前驅物室被建構來容 納前驅物液體。 3. 如申請專利範圍第1項的系統,其中該前驅物室是一批次前 驅物室。
4. 如申請專利範圍第1項的系統,其中該熱源包含一溫度控制 的加熱浴槽。 5.如申請專利範圍第1項的系統,其中該熱源將該前驅物液體 加熱至50°C到220°C之間的溫度。 6. 如申請專利範圍第1項的系統,其中該飽和的前驅物蒸汽具 有0.001托耳至100托耳範圍之選定的壓力。 7. 如申請專利範圍第1項的系統,其中在該處理室中該飽和前 19 1300097 驅物蒸汽具有0.1%至50%範圍的莫耳百分比。 8. 如申請專利範圍第2項的系統,其中該前驅物液體是選自於 由五乙氧化钽(TAETO)、三乙基鋁(TEA)、三甲基鋁(TMA)、 三乙基磷(TEP)和三乙基鎵(TEGa)、四氯化矽、四氯化鍺、 氯化氫所組成的群組中。 9. 如申請專利範圍第1項的系統,其中該控制直徑係在約25 mm至300 mm之間。
10.如申請專利範圍第1項的系統,其中該處理室直徑係在約50 mm至1000 mm之間。
20
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