CN110965050A - 半导体设备及其供气系统 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种半导体设备及其供气系统。该供气系统的载气管路与前驱物主容器连通，前驱物主容器用于容纳前驱物并生成前驱物气体，前驱物气体与载气在前驱物主容器中混合形成混合气体；前驱物管路与半导体设备的工艺腔室连通，混合气体通过前驱物管路通向工艺腔室；前驱物补充容器用于容纳前驱物并生成前驱物气体，前驱物补充容器通过补充管路与前驱物管路连通；第一质量流量器设于前驱物管路上，用于检测混合气体的流量值；控制器控制补充管路中前驱物气体的流量值，以向前驱物管路中补充前驱物气体。本申请实施例不仅保证了沉积薄膜的质量，改善了工艺重复性，而且提高了晶圆的良品率及经济效益。

Description

半导体设备及其供气系统

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体设备及其供气系统。

背景技术

目前，随着半导体加工业的不断发展，晶圆的特征尺寸逐渐减小，结构也越来越复杂，因此出现了很多高深宽比的图形，这对均匀沉积金属薄膜提出了很大的挑战。在半导体工业中，常见的成膜方法主要有物理气相沉积、化学气相沉积及原子层沉积等等，而化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)由于具有良好的台阶覆盖特性，能够在高深宽比的结构中均匀成膜，而被广泛应用于更高技术节点的处理工艺中。化学气相沉积所使用的反应前驱物种类繁多，其中气态前驱物无需升华，气流量最容易控制；而对于液态甚至固态的前驱物，多采用载气携带的方式(Bubbler)将其升华而成的气体带入工艺腔室，进入工艺腔室的前驱物流量不仅和前驱物本身的物化性质有关，还与容置前驱的反应容器的形状及加热温度等因素有关。反应初期前驱物气体分子能否在晶圆上充分吸附，是后续金属原子形核和结晶的关键，也是均匀成膜的基础。但是仅依靠前驱物升华和载气作用带出反应物，对于长时间不间断进行处理工艺的工业化生产来说，如果前驱物本身蒸发速率很慢，就会造成沉积反应前期前驱物的供应不足，而反应容器内液面上方的载气残留进一步稀释了反应气体浓度，进而导致薄膜的覆盖率降低及工艺重复性变差，从而影响芯片产品的良率。

发明内容

本申请提出一种半导体设备及其供气系统，以解决由于前驱物气体供应不足造成的覆盖率降低及工艺重复性变差的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体设备的供气系统，包括：前驱物管路、载气管路、补充管路、第一质量流量器、前驱物主容器、前驱物补充容器及控制器；所述载气管路与所述前驱物主容器连通，用于向所述前驱物主容器中通入载气；所述前驱物主容器用于容纳前驱物并生成前驱物气体，所述前驱物气体与所述载气在所述前驱物主容器中混合形成混合气体；所述前驱物管路与所述半导体设备的工艺腔室连通，所述混合气体通过所述前驱物管路通向所述工艺腔室；所述前驱物补充容器用于容纳所述前驱物并生成所述前驱物气体，所述前驱物补充容器通过所述补充管路与所述前驱物管路连通；所述第一质量流量器设于所述前驱物管路上，用于检测所述混合气体的流量值；所述控制器与所述第一质量流量器连接，用于根据所述混合气体的流量值与预设值之间的差异，控制所述补充管路中所述前驱物气体的流量值，以向所述前驱物管路中补充所述前驱物气体。

于本申请的一实施例中，供气系统还包括：第二质量流量器，设于所述载气管路上，用于检测所述载气的流量值；所述控制器与所述第二质量流量器连接，还用于计算所述混合气体的流量值和所述载气的流量值的实际差值，并根据所述实际差值与标定差值之间的差异，控制所述补充管路中所述前驱物气体的流量值，以向所述前驱物管路中补充所述前驱物气体。

于本申请的一实施例中，供气系统还包括：第三质量流量器，设于所述补充管路上，与所述控制器连接，用于检测并控制所述补充管路中所述前驱物气体的流量值。

于本申请的一实施例中，所述控制器还用于在所述混合气体的流量值等于所述预设值时，控制所述第三质量流量器关闭所述补充管路；在所述混合气体的流量值小于所述预设值时，计算二者的差值以作为第一补偿值，控制所述第三质量流量器将所述补充管路中所述前驱物气体的流量值调整为等于所述第一补偿值。

于本申请的一实施例中，所述控制器还用于在所述实际差值等于所述标定差值时，控制所述第三质量流量器关闭所述补充管路；在所述实际差值小于所述标定差值时，计算二者的差值以作第二补偿值，控制所述第三质量流量器将所述补充管路中所述前驱物气体的流量值调整为等于所述第二补偿值。

于本申请的一实施例中，供气系统还包括：稳定管路、抽气装置，所述稳定管路一端与所述前驱物管路连通，另一端与所述抽气装置连通。

第二个方面，本申请实施例提供一种半导体设备，包括供气系统，其中，所述供气系统包括：驱物主容器、前驱物补充容器、前驱物管路、载气管路、补充管路、第一质量流量器及控制器；所述控制器用于控制所述载气管路向前驱物主容器中通入载气，所述载气在所述前驱物主容器中与前驱物气体混合形成混合气体，所述混合气体通过前驱物管路将通向工艺腔室；还用于控制所述第一质量流量器检测所述前驱物管路中所述混合气体的流量值，并根据所述混合气体的流量值与预设值之间的差异，控制补充管路中所述前驱物气体的流量值，以向所述前驱物管路中补充所述前驱物气体。

于本申请的一实施例中，所述供气系统还包括：设于所述载气管路上的第二质量流量器；所述控制器还用于控制所述第二质量流量器检测所述载气管路中所述载气的流量值，计算所述混合气体的流量值和所述载气的流量值的实际差值，并根据所述实际差值与标定差值之间的差异，控制所述补充管路中所述前驱物气体的流量值，以向所述前驱物管路中补充所述前驱物气体。

于本申请的一实施例中，所述供气系统还包括：设于所述补充管路上的第三质量流量器；所述控制器还用于在所述混合气体的流量值等于所述预设值时，控制所述第三质量流量器关闭所述补充管路；在所述混合气体的流量值小于所述预设值时，计算二者的差值以作为第一补偿值，控制所述第三质量流量器将所述补充管路中所述前驱物气体的流量值调整为等于所述第一补偿值。

于本申请的一实施例中，所述供气系统还包括：设于所述补充管路上的第三质量流量器；所述控制器还用于在所述实际差值等于所述标定差值时，控制所述第三质量流量器关闭所述补充管路；在所述实际差值小于所述标定差值时，计算二者的差值以作为第二补偿值，控制所述第三质量流量器将所述补充管路中所述前驱物气体的流量值调整为等于所述第二补偿值。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例通过设置有补充管路、第一质量流量器及控制器，并且通过控制器获取混合气体流量值之后，再通过补充管路对前驱物气体进行补充。因此实现了对流入工艺腔室的前驱物气体流量进行精确控制，使在同样加热温度和载气流量条件下，进入工艺腔室参与反应的前驱物气体流量维持稳定，而且可以确保前驱物气体能充足供应。采用上述设计，不仅保证了沉积薄膜的质量，改善了工艺重复性，而且提高了晶圆的良品率及提高了经济效益。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种半导体设备的供气系统的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种半导体设备的供气系统。该半导体设备的供气系统的结构示意图如图1所示，包括：前驱物管路1、载气管路2、补充管路3、第一质量流量器41、前驱物主容器5、前驱物补充容器6及控制器(图中未示出)；载气管路2与前驱物主容器5连通，用于向前驱物主容器5中通入载气；前驱物主容器5用于容纳前驱物并生成前驱物气体，前驱物气体与载气在前驱物主容器5中混合形成混合气体；前驱物管路1与半导体设备9的工艺腔室91连通，混合气体通过前驱物管路1通向工艺腔室91；前驱物补充容器6用于容纳前驱物并生成前驱物气体，前驱物补充容器6通过补充管路3与前驱物管路1连通；第一质量流量器41设于前驱物管路1上，用于检测混合气体的流量值；控制器与第一质量流量器41连接，用于根据混合气体的流量值与预设值之间的差异，控制补充管路3中前驱物气体的流量值，以向前驱物管路1中补充前驱物气体。

如图1所示，载气管路2可以设置于载气源(图中未示出)与前驱物主容器5之间，载气管路2与前驱物主容器5连通，用于向前驱物主容器5中通入载气，前驱物主容器5用于容纳前驱物并且通过加热前驱物使其升华后形成生成前驱物气体，前驱物气体与载气在前驱物主容器5中混合形成混合气体。前驱物管路1可以设置于前驱物主容器5与半导体设备9的工艺腔室91之间，且前驱物管路1将前驱物主容器5与工艺腔室91连接，混合气体通过前驱物主容器5通向工艺腔室91。前驱物补充容器6用于容纳前驱物并且通过加热前驱物升华后形成生成前驱物气体，前驱物补充容器6通过补充管路3与前驱物管路1连通；第一质量流量器41可以设置于前驱物管路1上，用于检测混合气体的流量值。控制器与第一质量流量器41连接。控制器可以根据混合气体流量值与预设值之间的差异，控制补充管路3中前驱物气体的流量值，以向前驱物管路1内补充前驱物气体。

本申请实施例提供的供气系统设置有补充管路、第一质量流量器及控制器，并且通过控制器获取混合气体流量值之后，再通过补充管路对前驱物气体进行补充。因此实现了对流入工艺腔室的前驱物气体流量进行精确控制，使在同样加热温度和载气流量条件下，进入工艺腔室参与反应的前驱物气体流量维持稳定，而且可以确保前驱物气体能充足供应。由于采用上述设计，从而不仅保证了沉积薄膜的质量，改善了工艺重复性，而且提高了晶圆的良品率及提高了经济效益。

需要说明的是，本申请实施例并不限定前驱物管路1的具体实施方式，例如前驱物管路1也可以不包括前驱物主容器5，载气管路2可以直接与前驱物管路1连接。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，控制器还用于在混合气体的流量值等于预设值时，控制第三质量流量器43关闭补充管路3；在混合气体的流量值小于预设值时，计算二者的差值以作为第一补偿值，控制第三质量流量器43将补充管路3中前驱物气体的流量值调整为等于第一补偿值。

结合参照图1所示，当前驱物管路1开始向工艺腔室91输送混合气体后，前驱物管路1上的第一质量流量器41可以检测到前驱物管路1内混合气体的流量值并且发送给控制器，控制器可以将混合气体的流量值与预设值进行对比，当混合气体的流量值等于预设值时，表明混合气体的流量满足当前工艺的需求，因此可以控制第三质量流量器43关闭补充管路3，而前驱物管路1继续向工艺腔室91输送混合气体。预设值可以是本领域技术人员根据晶圆不同的处理工艺需求进行预设的任意数值，本申请实施例对此并不进行限定。

当混合气体的流量值小于预设值时，此时说明混合气体的流量不能满足当前工艺的需求，因此需要控制补充管路3向前驱物管路1内补充前驱物气体。此时控制器用于计算预设值与混合气体的流量值的差值以作为第一补偿值，控制器可以将第一补偿值赋予给补充管路3上的第三质量流量器43，并且控制两个真空阀开启以向前驱物管路1内补充前驱物气体，从而实现对前驱物气体的精确控制及充足供应。

本申请实施例通过第一质量流量器获取混合气体的流量值，并且根据预设值与混合气体的流量值的差值得出第一补偿值，并控制第三质量流量器及补充管路根据第一补偿值对前驱物气体进行补充。因此实现了对流入工艺腔室的前驱物气体流量的精确控制，使在同样加热温度和载气流量条件下，进入工艺腔室参与反应的前驱物气体流量维持稳定，而且可以确保前驱物气体能充足供应。采用上述设计，不仅保证了沉积薄膜的质量，改善了工艺重复性，而且提高了晶圆的良品率及提高了经济效益。

于本申请的一实施例中，供气系统还包括：第二质量流量器42，设于载气管路2上，用于检测载气的流量值；控制器与第二质量流量器42连接，还用于计算混合气体的流量值和载气的流量值的实际差值，并根据实际差值与标定差值之间的差异，控制补充管路3中前驱物气体的流量值，以向前驱物管路1中补充前驱物气体。采用上述设计，通过第二质量流量器42获取载气的流量值，并且计算混合气体的流量值和载气的流量值的实际差值，然后再根据该实际差值与标定差值之间差异来控制补充管路3中前驱物气体的流量值，实际上将载气流量的波动对混合气体流量的影响也考虑了进去，从而可以使控制器更加精确地控制补充管路中前驱物气体的流量值，进一步的实现了对流入工艺腔室的前驱物气体流量进行精确控制，且可以确保前驱物气体能充足供应。

于本申请的一实施例中，控制器还用于在实际差值等于标定差值时，控制第三质量流量器43关闭补充管路3；在实际差值小于标定差值时，计算二者的差值以作为第二补偿值，控制第三质量流量器43将补充管路3中前驱物气体的流量值调整为等于第二补偿值。

结合参照图1所示，载气管路2上的第二质量流量器4可以检测到载气流量值并且发送给控制器。控制器可以计算混合气体流量值与载气流量值之间的实际差值，并且控制器可以将实际差值与标定差值进行对比，当实际差值等于标定差值时，表明混合气体的流量满足当前工艺的需求，因此可以控制第三质量流量器43关闭补充管路3，而前驱物管路1继续向工艺腔室91输送混合气体。

当实际差值小于标定差值时，此时说明混合气体的流量不能满足当前工艺的需求，因此需要控制补充管路3向前驱物管路1内补充前驱物气体。此时控制器用于计算标定差值与实际差值的差值以作为第二补偿值，控制器将该第二补偿值赋予给补充管路3上的第三质量流量器43，并且控制两个真空阀开启以向前驱物管路1内补充前驱物气体，从而实现对前驱物气体的精确控制及充足供应。

结合参照如图1所示，当前驱物管路1向半导体设备9输送混合气体之前，可以先对前驱物管路1中的混合气体进行稳压，并且可以在混合气体稳压的过程获取标定差值，标定差值可以是在稳压过程中获得的混合气体的流量值与载气流量值的差值，而实际差值则可以是在工艺开始执行后获得的混合气体的流量值与载气流量的差值。

需要说明的是，本申请实施例对于标定差值的设定方式并不进行限定，例如标定差值也可以是根据晶圆不同的处理工艺进行预先设定。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，供气系统还包括：第三质量流量器43，设于补充管路3上，与控制器连接，用于检测并控制补充管路3中前驱物气体的流量值。

如图1所示，补充管路3上还设置有第三质量流量器43及两个真空阀。第三质量流量器43可以于控制器连接，两个真空阀可以位于第三质量流量器43的前后两侧，用于在控制器的控制下选择导通或关闭补充管路3。当需要对前驱物管路1内补充前驱物气体时，控制器可以根据对应关系调节补充管路3内的前驱物气体流量，从而确保前驱物气体的充足供应。采用上述设计，由于设置有第三质量流量器43可以进一步提高前驱物气体供应的精确性，从而进一步沉积薄膜的质量；而且由于设置有两个真空阀可以使得控制更加灵活便捷。

需要说明的是，本申请实施例并非必须包括两个真空阀，例如真空阀也可以由其它类型的阀门代替，而且本申请实施例并不限真空阀的数量及设置。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，供气系统还包括有稳定管路7、抽气装置8，稳定管路7一端与前驱物管路1连通，另一端与抽气装置8连通。

如图1所示，稳定管路7的一端可以与前驱物管路1连接，另一端与抽气装置8连接，抽气装置8具体可以是半导体设备9的真空泵，真空泵可以用于对工艺腔室91抽真空。前驱物管路1可以分为两个支路，其中一个支路与工艺腔室91连接，而另一条支路与抽气装置8连接以形成稳定管路7，并且两个支路均可以设置有真空阀，控制器可以控制两个真空阀的导通或者关闭。采用上述设计，由于设置有稳定管路7可以有效提高混合气体的稳定性，从而可以有效提高工艺的重复性，减少影响工艺性能因素。另外将稳定管路7与半导体工艺设备9的真空泵连接，还可以使得本申请实施例结构简单，从而还可以有效降低使用及维护成本。

需要说明的是，本申请实施例对于稳定管路的具体实施方式并不进行限定，例如稳定管路可以单独设置有一个真空泵，或者采用其它方式对混合气体进行稳定。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，上述对前驱物管路1中的混合气体进行稳压的方式可以是将混合气体导入至稳定管路7中进行稳压，并且由于稳定管路7中与抽气装置8连接还可以避免前驱物气体对环境造成污染。但是本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种半导体设备，结合参照图1所示，其包括如上述各实施例提供的半导体设备的供气系统，其中供气系统包括：前驱物主容器5、前驱物补充容器6、前驱物管路1、载气管路2、补充管路3、第一质量流量器41及控制器(未示出)；控制器用于控制载气管路2向前驱物主容器5中通入载气，载气在前驱物主容器5中与前驱物气体混合形成混合气体，混合气体通过前驱物管路1将通向工艺腔室91；还用于控制第一质量流量器41检测前驱物管路1中混合气体的流量值，并根据混合气体的流量值与预设值之间的差异，控制补充管路3中前驱物气体的流量值，以向前驱物管路1中补充前驱物气体。

于本申请的一实施例中，供气系统还包括：设于补充管路3上的第三质量流量器43；控制器还用于在混合气体的流量值等于预设值时，控制第三质量流量器43关闭补充管路3；在混合气体的流量值小于预设值时，计算二者的差值以作为第一补偿值，控制第三质量流量器43将补充管路3中前驱物气体的流量值调整为等于第一补偿值。

于本申请的一实施例中，供气系统还包括：设于载气管路2上的第二质量流量器42；控制器还用于控制第二质量流量器42检测载气管路2中载气的流量值，计算混合气体的流量值和载气的流量值的实际差值，并根据实际差值与标定差值之间的差异，控制补充管路3中前驱物气体的流量值，以向前驱物管路1中补充前驱物气体。

于本申请的一实施例中，控制器还用于在实际差值等于标定差值时，控制第三质量流量器43关闭补充管路3；在实际差值小于标定差值时，计算二者的差值以作为第二补偿值，控制第三质量流量器43将补充管路3中前驱物气体的流量值调整为等于第二补偿值。

本申请实施例提供的半导体设备采用了设置有补充管路、第一质量流量器及控制器的供气系统，通过控制器获取混合气体流量值之后，再通过补充管路对前驱物气体进行补充。因此实现了对流入工艺腔室的前驱物气体流量进行精确控制，使在同样加热温度和载气流量条件下，进入工艺腔室参与反应的前驱物气体流量维持稳定，而且可以确保前驱物气体能充足供应。由于采用上述设计，从而不仅保证了沉积薄膜的质量，改善了工艺重复性，而且提高了晶圆的良品率及提高了经济效益。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体设备的供气系统，其特征在于，包括：前驱物管路、载气管路、补充管路、第一质量流量器、前驱物主容器、前驱物补充容器及控制器；

所述载气管路与所述前驱物主容器连通，用于向所述前驱物主容器中通入载气；

所述前驱物主容器用于容纳前驱物并生成前驱物气体，所述前驱物气体与所述载气在所述前驱物主容器中混合形成混合气体；

所述前驱物管路与所述半导体设备的工艺腔室连通，所述混合气体通过所述前驱物管路通向所述工艺腔室；

所述前驱物补充容器用于容纳所述前驱物并生成所述前驱物气体，所述前驱物补充容器通过所述补充管路与所述前驱物管路连通；

所述第一质量流量器设于所述前驱物管路上，用于检测所述混合气体的流量值；

所述控制器与所述第一质量流量器连接，用于根据所述混合气体的流量值与预设值之间的差异，控制所述补充管路中所述前驱物气体的流量值，以向所述前驱物管路中补充所述前驱物气体。

2.如权利要求1所述的供气系统，其特征在于，还包括：

第二质量流量器，设于所述载气管路上，用于检测所述载气的流量值；

所述控制器与所述第二质量流量器连接，还用于计算所述混合气体的流量值和所述载气的流量值的实际差值，并根据所述实际差值与标定差值之间的差异，控制所述补充管路中所述前驱物气体的流量值，以向所述前驱物管路中补充所述前驱物气体。

3.如权利要求1或2所述的供气系统，其特征在于，还包括：

第三质量流量器，设于所述补充管路上，与所述控制器连接，用于检测并控制所述补充管路中所述前驱物气体的流量值。

4.如权利要求3所述的供气系统，其特征在于，

所述控制器还用于在所述混合气体的流量值等于所述预设值时，控制所述第三质量流量器关闭所述补充管路；在所述混合气体的流量值小于所述预设值时，计算二者的差值以作为第一补偿值，控制所述第三质量流量器将所述补充管路中所述前驱物气体的流量值调整为等于所述第一补偿值。

5.如权利要求3所述的供气系统，其特征在于，

所述控制器还用于在所述实际差值等于所述标定差值时，控制所述第三质量流量器关闭所述补充管路；在所述实际差值小于所述标定差值时，计算二者的差值以作第二补偿值，控制所述第三质量流量器将所述补充管路中所述前驱物气体的流量值调整为等于所述第二补偿值。

6.如权利要求1或2所述的供气系统，其特征在于，还包括：稳定管路、抽气装置，所述稳定管路一端与所述前驱物管路连通，另一端与所述抽气装置连通。

7.一种半导体设备，其特征在于，包括：供气系统，其中，

所述供气系统包括：驱物主容器、前驱物补充容器、前驱物管路、载气管路、补充管路、第一质量流量器及控制器；

所述控制器用于控制所述载气管路向前驱物主容器中通入载气，所述载气在所述前驱物主容器中与前驱物气体混合形成混合气体，所述混合气体通过前驱物管路将通向工艺腔室；还用于控制所述第一质量流量器检测所述前驱物管路中所述混合气体的流量值，并根据所述混合气体的流量值与预设值之间的差异，控制补充管路中所述前驱物气体的流量值，以向所述前驱物管路中补充所述前驱物气体。

8.如权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，

所述供气系统还包括：设于所述载气管路上的第二质量流量器；

所述控制器还用于控制所述第二质量流量器检测所述载气管路中所述载气的流量值，计算所述混合气体的流量值和所述载气的流量值的实际差值，并根据所述实际差值与标定差值之间的差异，控制所述补充管路中所述前驱物气体的流量值，以向所述前驱物管路中补充所述前驱物气体。

9.如权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，

所述供气系统还包括：设于所述补充管路上的第三质量流量器；

所述控制器还用于在所述混合气体的流量值等于所述预设值时，控制所述第三质量流量器关闭所述补充管路；在所述混合气体的流量值小于所述预设值时，计算二者的差值以作为第一补偿值，控制所述第三质量流量器将所述补充管路中所述前驱物气体的流量值调整为等于所述第一补偿值。

10.如权利要求8所述的半导体设备，其特征在于，

所述供气系统还包括：设于所述补充管路上的第三质量流量器；

所述控制器还用于在所述实际差值等于所述标定差值时，控制所述第三质量流量器关闭所述补充管路；在所述实际差值小于所述标定差值时，计算二者的差值以作为第二补偿值，控制所述第三质量流量器将所述补充管路中所述前驱物气体的流量值调整为等于所述第二补偿值。

Images