TWI299891B - Mehtod of protecting semiconductor wafer and adhesive film for protection of semiconductor wafer - Google Patents

Mehtod of protecting semiconductor wafer and adhesive film for protection of semiconductor wafer Download PDF

Info

Publication number
TWI299891B
TWI299891B TW094102438A TW94102438A TWI299891B TW I299891 B TWI299891 B TW I299891B TW 094102438 A TW094102438 A TW 094102438A TW 94102438 A TW94102438 A TW 94102438A TW I299891 B TWI299891 B TW I299891B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor wafer
film
adhesive film
adhesive
protecting
Prior art date
Application number
TW094102438A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200532006A (en
Inventor
Takanobu Koshimizu
Makoto Kataoka
Masafumi Miyakawa
Hideki Fukumoto
Yoshihisa Saimoto
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Chemicals Inc filed Critical Mitsui Chemicals Inc
Publication of TW200532006A publication Critical patent/TW200532006A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI299891B publication Critical patent/TWI299891B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

1299891 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於使用半導體晶圓保護用黏著膜的半導體晶 ‘ 圓之保護方法及用於該保護方法之半導體晶圓保護用黏著 _ 膜。具體而言，本發明關於把黏著膜黏貼到矽、鎵-砷等半 _ 導體晶圓之形成有積體電路側的面（電路形成面或表面）， 並加工該晶圓的另一面（電路非形成面或背面），接著從該 晶圓剝離黏著膜的半導體晶圓之保護方法及用於該保護方 H 法之黏著膜。更詳述之，本發明關於在已進行薄層化的半 導體晶片之製造步驟（尤其為背面加工步驟、黏著膜剝離步 驟等）中，防止半導體晶圓於輸送過程中之破損，並提高生 產性的半導體晶圓之保護方法及用於該保護方法之黏著 膜。 【先前技術】
近年來，隨著1C卡、攜帶型通訊機器等之普及、或電 子儀器之小型化、薄層化之要求的日益增加，而期望半導 體晶片的進一步薄層化。過去，半導體晶圓的厚度為3 0 0 U m 左右，但根據其用途而有要求1 5 Ο μ m以下之薄層化。 半導體晶片之製造方法一般要經過：在形成有積體電路 的半導體晶圓的表面’黏貼半導體晶圓保護用黏著膜的步 驟；加工半導體晶圓的背面來進行薄層化的步驟；剝離半 導體晶圓保護用黏著膜的步驟；以及對半導體晶圓進行切 割加工的步驟。尤其在進行薄層化使厚為1 5 Ο μ m以下之情 況下，首先，根據以往施行的磨削加工進行薄層化至 6 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 2 Ο 0〜1 5 Ο μ m左右，接著根據研磨加工、化學钱刻加工等而 進行進一步的薄層化。 但是，經薄層化的半導體晶圓，因剛性降低，而使半導 ^ 體晶圓的彎曲變形更加顯著，成為製造上之問題。通常， — 在對半導體晶片進行薄層化的步驟中，半導體晶圓係由機 崦 _ 器人從專用箱中逐片取出，並固定到加工機械内之被稱為 卡盤台（chucktable)的夾具上，實施背面加工。背面加工 後之晶圓再次由機器人收納到專用箱或輸送到下一步驟。 此時，如果晶圓的彎曲大，則將導致晶圓破損，並且無法 由機器人輸送等原因而使步驟停止。又，在半導體晶圓保 護用黏著膜的剝離步驟中，把晶圓固定到剝離機械内的卡 盤台上時，有時因不適當之平整化而發生晶圓破損等重大 問題。
此類彎曲被認為是由於黏貼在晶圓表面的半導體晶圓 保護用黏著膜的殘留應力和附加設置在晶圓表面的積體電 路保護膜的殘留應力而產生。半導體晶圓保護用黏著膜的 殘留應力係在半導體晶圓表面黏貼黏著膜時，由施加到該 黏著膜上的張力而產生。一般來講，使用容易伸展的軟質 基材膜之半導體晶圓保護用黏著膜，殘留應力大，容易產 生半導體晶圓的彎曲。 另一方面，電路保護膜的殘留應力以聚醯亞胺系保護膜 最為顯著。尤其於聚醯亞胺系保護膜較厚時，對半導體晶 圓進行薄層化時，會因該聚醯亞胺系保護膜的殘留應力而 使晶圓的彎曲加大。其結果導致晶圓破損及無法由機器人 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 進行對擠壓成形時的溫度之最佳化。亦即，把握樹脂的熔 體流動指數的溫度依存性，並選擇適合裝置的擠壓溫度即 ny 〇 基材膜以具有在2 3〜2 0 0 °C下之貯藏彈性率為1 X 1 0 7〜1 X 1 Ο η P a (更佳為1 X 1 0 8〜1 X 1 0 1 ° P a )的支撐樹脂層為佳。
該支撐樹脂層的厚度以1 0〜2 Ο Ο μ m為佳，更以1 0〜1 Ο Ο μ m 為佳。如果支撐樹脂層的厚度過薄，則對半導體晶圓在磨 削後的黏著膜的支撐將不夠充分，而使半導體晶圓的彎 曲、彎度增加。因此，輸送半導體晶圓時，產生吸附不良 等現象，而成為晶圓破裂的原因。如果厚度過厚，則黏著 膜黏貼對半導體晶圓黏貼時的切割及從半導體晶圓剝離黏 著膜時將變得困難，影響生產性而導致製造成本增加。 作為支撐樹脂層，可例舉有：由聚對苯二曱酸乙二酯、 聚萘二酸乙二酯等聚酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚砜、 聚乙烯、聚丙烯或該等之混合樹脂所成形之樹脂層。作為 代表性之市售商品，可例舉有聚萘二酸乙二酯（帝人（股） 製，商品名：天歐奈克斯）、聚醯亞胺（鐘淵化學（股）製， 商品名：亞匹卡爾）等膜。 形成半導體晶圓保護用黏著膜之黏著劑層的黏著劑係 因在半導體晶圓之電路形成面上黏貼半導體晶圓保護用黏 著膜之第一步驟之後，加熱半導體晶圓，故以在如1 2 0 °C 左右的加熱溫度，亦具有作為黏著劑的充分性能者為佳。 具體而言，可例舉出丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑等。 黏著劑層的厚度以3〜1 Ο Ο μ m為佳。黏著劑層以把半導體晶 12 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 圓保護用黏著膜從晶圓之電路形成面（以下稱為表面）剝離 後，不發生由半導體晶圓表面之殘糊等所造成之污染。 黏著劑層特別在經過在半導體晶圓之電路形成面上黏 * 貼半導體晶圓保護用黏著膜後之加熱步驟，也不會使黏著 力過大，並且不增加半導體晶圓表面的污染，以藉由具有 ， 反應性官能基的交聯劑、過氧化物、放射線等所可進行高 ' 密度交聯者為佳。進而在半導體晶圓之電路形成面上黏貼 半導體晶圓保護用黏著膜後，即使在溫度1 5 0 °C以上之條 H 件下進行加熱處理之情況下，也不會產生黏著力上升而引 起剝離不良，且不發生殘糊，故佳。因此，黏著劑層係以 在1 5 0 °C的貯藏彈性率至少為1 X 1 0 5 P a為佳。貯藏彈性率 越高越好，但通常其上限為lxl08Pa左右。
作為形成具有上述特性的黏著劑層之方法，可例示出使 用丙烯酸系黏著劑之方法。黏著劑層係屬於分別含有特定 量之（曱基）丙烯酸烷基酯單體單位、具有可與交聯劑反應 之官能基的單體單位、及二官能性單體單位的乳化聚合共 聚合物之丙烯酸系黏著劑，以及為了提高凝集力或調節黏 著力，而藉由使用含有在一個分子中具有兩個以上官能基 之交聯劑的溶液或乳液所形成。以溶液形態使用時，透過 鹽析等把丙烯酸系黏著劑從由乳化聚合所獲得的乳液分離 後，用溶劑等進行再溶解而使用之。丙烯酸系黏著劑由於 分子量夠大、對溶劑的溶解性低、或不溶解的情況多，故 即使從成本角度考慮，亦以直接使用乳液為佳。 用於本發明之丙烯酸系黏著劑可列舉出：作為以丙烯酸 13 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 烷基酯、曱基丙烯酸烷基酯、或該等之混合物為主要單體 (以下稱為單體（A ))，將含有具有能與交聯劑進行反應的官 能基之共聚合單體的單體混合物進行共聚合而獲得者。
單體（A)可列舉出具有碳數1〜12左右之烷基之丙烯酸烷 基酯、或曱基丙烯酸烷基酯[以下，將其統稱為（曱基）丙烯 酸烷基酯]。而以具有碳數1〜8左右之烷基的（甲基）丙烯酸 烷基酯為佳。具體而言，可列舉出丙烯酸曱酯、曱基丙烯 酸曱S旨、丙烯酸乙酯、曱基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、曱 基丙烯酸丁酯、2 -乙基己基丙烯酸酯等。該等可單獨使用， 亦可混合兩種以上使用。單體（A )之使用量係在作為黏著劑 原料的全部單體總量中，通常以含量在1 0〜9 8. 9重量％之範 圍内為佳，更以8 5〜9 5重量％為佳。藉由使單體（A )之使用 量在此範圍内，則可獲得含有（曱基）丙烯酸烷基酯單體單 位（A ) 1 0〜9 8 · 9重量％ (更佳為8 5〜9 5重量％ )的聚合物。 作為形成具有能夠與交聯劑反應之官能基的單體單位 (B)之單體（B)，可列舉出：丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、 中康酸、檸康酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸、衣康酸單烷 基酯、中康酸單烷基酯、檸康酸單烷基酯、反丁烯二酸單 烷基酯、順丁烯二酸單烷基酯、丙烯酸縮水甘油酯、甲基 丙烯駿縮水甘油酯、2 -羥基乙基丙烯酸酯、2 -羥基乙基曱 基丙烯酸酯、丙烯酸醯胺、甲基丙烯酸醯胺、第三丁基胺 基乙基丙烯酸酯、第三丁基胺基乙基曱基丙烯酸酯等。以 丙烯酸、曱基丙烯酸、2 -羥基乙基丙烯酸酯、2 -羥基乙基 曱基丙烯酸酯、丙烯酸醯胺、甲基丙烯酸醯胺等。可將該 14 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 等之一種與上述主要單體進行共聚合，也可以共聚合兩種 以上。具有能夠與交聯劑反應之官能基的單體（B )使用量在 作為黏著劑原料之全部單體總量中，通常以含量為1〜4 0 ' 重量％之範圍為佳，更以1〜1 0重量％為佳。從而獲得具有與 單體組成幾乎相等之組成的構成單位（B)之聚合物。 黏著劑層係以更進一步將黏著力或剝離性調節至即使 * 在半導體晶圓的背面加工、以及在半導體晶圓之電路形成 面上黏貼半導體晶圓保護用黏著膜後之加熱步驟時等的溫 度條件下，亦可充分發揮作為黏著劑的性能為佳。其對策 係為了維持乳液粒子的凝集力，以考慮多數粒子的交聯方 式為佳。 乳液粒子係以為了即使在1 5 0〜2 0 0 °C之溫度條件下，亦 有貯藏彈性率為1 X 1 0 5 P a以上，透過共聚合二官能性單體
(C )而維持凝集力之方式，改良交聯方式。作為良好地共聚 合之單體，可列舉出曱基丙烯酸烯丙酯、丙烯酸烯丙酯、 二乙烯苯、曱基丙烯酸乙烯酯、丙烯酸乙烯酯，或例如兩 末端為二丙烯酸酯或二曱基丙烯酸酯之主鏈構造為丙二醇 型（日本油脂（股）製，商品名：P D P - 2 0 0、同P D P - 4 0 0、同 ADP-200、同ADP-400)、四曱基乙二醇型（日本油脂（股） 製，商品名：A D T _ 2 5 0、同A D T - 8 5 0 )以及該等之混合型（日 本油脂（股）製，商品名：ADET- 1 8 0 0、同ADPT- 4 0 0 0 )者等。 對二官能性單體（C)進行乳化共聚合時，其使用量在全 部單體中以含有0 . 1〜3 0重量％為佳。更佳為0 . 1〜5重量°/〇。 從而獲得具有與單體組成幾乎相等之組成的構成單位（C) 15 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438
1299891 之聚合物。 除了構成上述黏著劑的主要單體及具有能夠與交聯劑 反應之官能基的共聚合單體外，還可以共聚合具有界面 性劑性質之特定共聚合單體（以下稱為聚合性界面活性 劑）。聚合性界面活性劑係具有與主要單體及共聚合單體 行共聚合之性質，同時在進行乳化聚合時還具有乳化劑 作用。在使用了採用聚合性界面活性劑進行乳化聚合而 的丙烯酸系黏著劑時，通常不會產生由界面活性劑所引 之對於半導體晶圓表面之污染。又，即使在產生起因於 著劑層之些許污染之情況下，亦可透過對半導體晶圓表 進行水洗而輕易去除。 作為此類聚合性界面活性劑的例子，可例舉出：在聚 乙烯壬基苯基醚的苯環中，導入聚合性之1-丙烯基者（ 一工業製藥（股）製，商品名：亞庫龍RN-10、同RN-20、 RN-30、同RN-50等）；在聚氧乙烯壬基苯基醚之硫酸酯 銨鹽的苯環中，導入聚合性之1 _丙烯基者（第一工業製 (股）製，商品名：亞庫龍H S - 1 0、同H S - 2 0等）；以及在 子内具有聚合性雙鍵之磺基琥珀酸二酯系（花王（股）製， 品名：拉天母爾S-120A、同S-180A等）等。亦可進一步 據需要，共聚合醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等具有聚 性雙鍵之單體。 作為丙烯酸系黏著劑之聚合反應機構，可以舉出自由 聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等。若考慮黏著劑的製 成本、單體之官能基的影響及對半導體晶圓表面之離子 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 16 活 進 之 成 起 黏 面 氧 第 同 之 藥 分 商 根 合 基 造 的 1299891 影響等的話，以藉由自由基聚合進行聚合為佳。藉由自由 基聚合反應進行聚合時，作為自由基聚合起始劑，可以舉 出過氧化苯曱醯、過氧化乙醯、過氧化異丁醯、過氧化辛 醯、過氧化二第三丁基、過氧化二第三戊基等有機過氧化 物；過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸鈉等無機過氧化物；2，2 ’ - 偶氮雙異丁腈、2, 2’ _偶氮雙-2 -曱基丁腈、4, 4’ -偶氮雙 -4 -氰基戊酸等偶氮化合物。
在由乳化聚合法進行聚合時，在該等自由基聚合起始劑 中，以水溶性的過硫酸敍、過硫酸舒、過硫酸納等無機過 氧化物；同樣為水溶性的4，4 ’ -偶氮雙-4 -氰基戊酸等在 分子内具有羧基的偶氮化合物為佳。若考慮對半導體晶圓 表面之離子的影響的話，則進一步以過硫酸銨、4，4 ’ -偶 氮雙-4-氰基戊酸等在分子内具有羧基之偶氮化合物為 佳。尤其以4, 4’ -偶氮雙-4 -氰基戊酸等在分子内具有羧 基的偶氮化合物為特佳。 用於本發明之在一個分子中具有兩個以上交聯性之官 能基的交聯劑，與具有丙烯酸系黏著劑之官能基進行反 應，使用作為調節黏著力和凝集力之用。交聯劑可例舉出： 山梨糖醇聚縮水甘油喊、聚甘油聚縮水甘油、季戊四醇 聚縮水甘油驗、二甘油聚縮水甘油謎、甘油聚縮水甘油驗、 新戊二醇二縮水甘油醚、間苯二酚二縮水甘油醚等環氧系 化合物；四亞曱基二異氰酸酯、六亞曱基二異氰酸酯、三 羥曱基丙烷之曱苯二異氰酸酯三次加成物、聚異氰酸酯等 異氰酸酯系化合物；三羥曱基丙烷-三-/3 -氮丙啶基 17 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 (aziridinyl)丙酸酯、四經曱基曱烧-三-泠-氮丙0定基丙酸 酯、Ν，Ν’ -二苯基甲烷-4, 4’ -雙（1-氮丙啶羧基醯胺）、 Ν,Ν’ -六亞曱基-1，6 -雙（1-氮丙啶羧基醯胺）、Ν，Ν’ -甲苯 -2，4 -雙（1_氮丙0定叛基酿胺）、三經曱基丙烧-三_(2-曱基氮丙啶）丙酸酯等氮丙啶系化合物；Ν，Ν，Ν ’ ，Ν ’ -四縮 水甘油基間二甲苯二胺、1，3 -雙（Ν，Ν ’ -二縮水甘油基胺基 曱基）環己烷之四官能性環氧系化合物及六曱氧基羥曱基 三聚氰胺等三聚氰胺系化合物。該等可以單獨使用，也可
以混合使用兩種以上。 交聯劑的含量通常以交聯劑中的官能基數在不多於丙 烯酸系黏著劑中的官能基數的程度範圍内為佳。但是，在 交聯反應中生成新的官能基或交聯反應慢等情況下，也可 以根據需要過量含有。較佳之含量係相對於丙烯酸系黏著 劑1 0 0重量份，交聯劑為0 . 1〜1 5重量份。如果含量過少， 則黏著劑層的凝集力不充分，在1 5 0〜2 0 0 °C下，彈性率將 變得未滿1 X 1 05 P a，而耐熱特性降低。因此，容易產生起 因於黏著劑層之殘糊現象，或黏著力增大，從半導體晶圓 表面剝離保護用黏著膜時，自動剝離機將產生剝離障礙， 亦或使半導體晶圓破損。如果含量過多，則黏著劑層與半 導體晶圓表面的密接力減弱，在半導體晶圓背面磨削步驟 中，研磨屑將侵入到半導體晶圓表面與黏著劑層之間，而 使半導體晶圓破損，或污染半導體晶圓表面。 用於本發明之黏著劑塗佈液中，除了共聚合上述特定的 二官能性單體之丙烯酸系黏著劑及交聯劑之外，亦可在不 18 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 影響本發明之目的之條件下，適當添加用於調節黏著特性 的松香系、萜婦樹脂系等增黏劑、各種界面活性劑等。又， 當塗佈液為乳液時，可以在不影響本發明之目的之條件 下，適當添加二乙二醇單烷基醚等成膜輔助劑。使用作為 成膜輔助劑之二乙二醇單烷基醚及其衍生物係大量存在於 黏著劑層中時，會污染半導體晶圓表面至無法洗淨的程 度。因此，以使用在黏著劑塗佈液之乾燥溫度下，具有揮 發性質之物質，以大幅降低黏著劑層中的殘留量。
本發明之半導體晶圓保護用黏著膜的黏著力係可根據 半導體晶圓的加工條件、半導體晶圓的直徑、背面磨削後 之半導體晶圓的厚度等而適當調節。如果黏著力過低，則 對半導體晶圓表面的保護用黏著膜的黏貼將變得困難，或 由保護用黏著膜的保護性能不充分，使半導體晶圓破損， 或在半導體晶圓表面產生由磨削屑等所引起之污染。又， 如果黏著力過高，則在實施半導體晶圓的背面加工後，從 半導體晶圓表面剝離保護用黏著膜時，自動剝離機將產生 剝離障礙等，導致剝離操作性降低，或使半導體晶圓破損。 通常換算成相對於SUS304-BA板的黏著力，以5〜500g/25mm 為佳，更以10〜300g/25mm為佳。 作為在基材膜或剝離膜的一表面塗佈黏著劑塗佈液的 方法，可以採用以往公知的塗佈方法，例如輥塗法、逆塗 法、照相凹版塗佈法、棒塗法、點塗法、模塗法等。對塗 佈後的黏著劑的乾燥條件，並無特別限制，一般以在 8 0〜2 0 0 °C的溫度範圍内乾燥1 0秒〜1 0分鐘為佳。更以在 19 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 8 0〜1 7 0 °C下乾燥1 5秒〜5分鐘為佳。為了充分促進交聯劑 與黏著劑的交聯反應，也可以在黏著劑塗佈液的乾燥結束 後，將保護黏著膜在4 0〜8 0 °C下乾燥5〜3 0 0小時左右。 本發明之半導體晶圓保護用黏著膜之製造方法係如上 所述，但從防止半導體晶圓表面污染的角度考慮，則在基 材膜、剝離膜、黏著劑主劑等所有原料材料的製造環境， 黏著劑塗佈液的調製、保存、塗佈及乾燥環境，係以維持 美國聯邦標準2 0 9 b中所規定的1，0 0 0級以下的潔淨度為
佳。
能夠適用於本發明之半導體晶圓保護方法之半導體晶 圓之加工方法，係具備依序實施在半導體晶圓表面黏貼半 導體晶圓保護用黏著膜的步驟、以及加工半導體晶圓之電 路非形成面的步驟，接著具備剝離該保護用黏著膜的步 驟。對其以後的步驟並沒有特別限制，例如可以依序實施 剝離半導體晶圓保護用黏著膜的步驟、分割切斷半導體晶 圓的切割步驟、為了從外部保護半導體晶圓而用樹脂封裝 的模塑步驟等。 本發明之半導體晶圓保護方法係在半導體晶圓表面黏 貼半導體晶圓保護用黏著膜的第一步驟後，實施加熱黏貼 有半導體晶圓保護用黏著膜的半導體晶圓的第二步驟。加 熱溫度係以7 0 °C〜2 0 0 °C為佳，更以1 0 0〜1 8 0 t為佳。加熱 時間係以5秒以上為佳，更以1 0秒以上為佳。接著，實施 加工半導體晶圓背面的第三步驟，實施從半導體晶圓剝離 半導體晶圓保護用黏著膜的第四步驟。作為第一步驟中黏 20 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 貼到半導體晶圓之電路形成面的半導體晶圓保護用黏著 膜，以使用上述半導體晶圓保護用黏著膜為佳。 本發明之半導體晶圓保護方法的較佳態樣係首先從半 w 導體晶圓保護用黏著膜（以下簡稱為保護用黏著膜）之黏著 ^ 劑層側剝離掉剝離膜，使黏著劑層表面露出，透過該黏著 . 劑層，在半導體晶圓表面黏貼保護用黏著膜（第一步驟）。 ' 將黏貼有該半導體晶圓保護用黏著膜的半導體晶圓在7 0 °C〜2 0 0 °C溫度下，加熱至少5秒以上（第二步驟）。接著， 用背面加工機的卡盤台等透過保護用黏著膜的基材膜層， 固定半導體晶圓，加工半導體晶圓背面（第三步驟）。第三 步驟係可實施半導體晶圓的背面磨削步驟、濕式蝕刻步 驟、及拋光步驟中的全部步驟，亦可實施該等步驟中之任 一步驟。接著，剝離保護用黏著膜（第四步驟）。又，根據 需要在剝離掉保護用黏著膜後，可對半導體晶圓表面實施 水洗、電漿清洗等處理。 加熱步驟中作為加熱黏貼有半導體晶圓保護用黏著膜
的半導體晶圓之方法，可列舉出在具備加熱手段的平板上 力口 ’熱晶圓之方法、藉由具備加熱手段的壓輥邊擠壓邊加熱 的方法、對其吹送藉由吹出暖風裝置所產生暖風以進行加 熱之方法、用紅外燈照射紅外線而進行加熱之方法等。 在先前之背面加工步驟中，半導體晶圓的磨削前厚度為 5 0 0〜1 Ο Ο Ο μ m，配合半導體晶圓的種類等，可磨削、薄層化 至200〜600μιτι左右。另一方面，透過適用本發明的保護方 法，則可薄層化至厚度1 5 0 μ m以下。此時，半導體晶圓的 21 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438
1299891 最低厚度為20μπι左右。薄至150μπι以下時，可接著背 削，實施濕式蝕刻步驟或拋光步驟。磨削背面前之半 晶圓厚度係根據半導體晶圓的直徑、種類等而適當選 " 背面磨削後之半導體晶圓的厚度係根據所得晶圓的尺 ^ 電路的種類等而適當選擇。 黏貼保護用黏著膜到半導體晶圓表面之操作係可由 " 工進行，但一般由安裝有輥狀保護用黏著膜之稱為自 貼機的裝置進行。此類自動黏貼機，可例舉有他卡托利 痛| 製造的 ΑΤΜ-1000Β、同 ATM- 1100、同 TEAM- 100 以及帝 機（股）製造的STL系列等。 作為背面磨削方式，採用有直通法（through feed) 入磨法（i n f e e d )等公知的磨削方式。通常，在任一種 中，都對半導體晶圓和磨石供給水，一邊進行冷卻一 行背面磨肖U 。對晶圓背面進行磨削加工的磨削機，可 有蒂思科（股）製造的型號：D F G - 8 4 1、同D F G - 8 5 0、同 D F G - 8 6 0及岡本工作機械製作所（股）製造的型號： SVG-502MKII 等 ° 背面磨削結束後，配合需要進行濕式蝕刻步驟、拋 驟。進行濕式蝕刻步驟及拋光步驟之目的係去除產生 導體晶圓背面的應變、使半導體晶圓進一步薄層化、 氧化膜等、在背面形成電極時之前處理等。蝕刻液可 上述目的而適當選擇。 晶圓背面的磨削加工、藥液處理等結束後，從晶圓 剝離黏著膜。從晶圓表面剝離黏著膜的操作係可由人 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 22 面磨 導體 擇， 寸、 人 動黏 (股） 國精 、切 方法 邊進 例舉 光步 在半 去除 配合 表面 工進 1299891 行，但一般由稱為自動剝離機的裝置進 經薄化加工的晶圓被固定在真空卡盤台 剝離黏著膜時，可以透過卡盤台加熱黏 ’ 度係可在5 0〜9 0 °C的溫度範圍内，配合 - 適宜的溫度。又，黏著膜的剝離亦可在 _ 等狀態下進行。 * 自動剝離機有他卡托利（股）製造的型 同ATRM-2100、日東精機（股）製造的型号 ^ 帝國精機（股）製造的型號：STP系列等 剝離保護用黏著膜後之半導體晶圓表 行清洗。清洗方法可以舉出水洗、溶劑 電漿清洗等乾式清洗等。濕式清洗時也 洗。該等清洗方法可配合半導體晶圓表 當選擇。 能夠適用本發明半導體晶圓保護方法 不侷限於矽晶圓，還可以舉出如鍺、鎵
[實施例] 以下，舉實施例以進一步詳細說明本 的全部實施例及比較例中，均在維持美 中規定的1，0 0 0級以下的潔淨度之環境 佈液的調製及塗佈、黏著膜的黏貼、半 磨削以及黏著膜的剝離等。本發明並不 例。另外，實施例所示的各種特性值係 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 23 亍。自動剝離機中， 上，剝離黏著膜。 著膜為佳。加熱溫 ί吏用的樹脂而選擇 固定於被切割膠帶 號：A T R Μ - 2 Ο Ο Ο Β、 t : H R - 8 5 Ο Ο I I 以及 〇 面係配合需要進 清洗等濕式清洗、 可併用超音波清 面的污染狀況而適 的半導體晶圓，並 -坤、錄-碌、蘇- 發明。在如下所示 國聯邦標準2 0 9 b 下，實施黏著劑塗 導體矽晶圓的背面 限定於該等實施 由如下方法測量。 1299891 1 ·各種特性的測量方法 1 - 1 ·黏著力測量（g / 2 5 m m )
除下述規定條件外，全依J I S Z Ο 2 3 7 - 1 9 9 1中規定的方 法測量。在2 3 °C環境下，把在實施例或比較例中得到的黏 著膜，透過該黏著劑層黏貼到2 0 c m X 5 c m長方形的 SUS304-BA板（JIS G4305-1991標準）的表面，把黏著膜切 割成相同尺寸，放置6 0分鐘。但是，黏著膜被黏貼成機械 方向（以下稱為MD方向）在SUS304-BA板的20cm的邊，與 機械方向正交的方向（以下稱為TD方向）在SUS304-BA板的 5 c m的邊。夾住試料的M D方向的一端，以剝離角度1 8 0度、 剝離速度3 0 0 m m /分測量從S U S 3 0 4 _ Β Α板的表面剝離試料時 的應力，換算成25mm寬度。 1 - 2 ·貯藏彈性率（P a ) (支撐樹脂層） 切斷半導體晶圓保護用黏著膜的基材膜層部分，製作長 方形（M D方向：3 0 m m，T D方向：1 0 m m )的試料。使用動態黏 彈性測量裝置（雷奥美土立克斯公司製造的型號： R S A - I I )，測量0〜3 0 0 °C的儲藏彈性率（機械方向）。測量頻 率為1 Η z，應變為0 . 0 1〜0 . 1 °/〇。 卜3 .殘留應力 製作正方形（MD方向：20mm，TD方向：20mm)的試料， 使用動態黏彈性測量裝置（雷奥美土立克斯公司製造的型 號：R M S - 8 0 0、完整），測量在1 2 0 °C下負重後的應力緩和。 求出3 0秒後的殘留應力率（％)。 24 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 1 - 4 ·熔體流動指數（g / 1 0分鐘） 參照J I S Κ 6 7 3 0中規定的方法。測量溫度為1 9 0 °C 。 1 - 5 .半導體晶圓彎曲量的評估
在半導體晶圓表面没有附加設置任何膜等之8英吋矽鏡 面晶圓（以下簡稱為晶圓，直徑約2 0 0 m m、厚度7 4 Ο μ m )的表 面上，將保護用黏著膜透過其黏著劑層使用手輥黏貼後， 使用熱板（雅德凡科技公司製，型號：T P - 3 2 0 )加熱晶圓。 冷卻後，使用背面磨削機（蒂思科（股）製，型號：DFG 8 6 0 )， 把晶圓背面磨削薄層化至5 Ο μ m的厚度。薄層化後，在晶圓 表面貼附有保護用黏著膜的狀態下，把保護用黏著膜黏貼 面朝上，並將晶圓放到定板上，測量定板與晶圓背面的最 大距離，以作為晶圓彎曲量。對1 0片晶圓進行評估，以其 平均值表示。 1 - 6.半導體晶圓的破損（片數） 表示半導體晶圓背面磨削步驟及保護用黏著膜剝離步 驟中之半導體晶圓的破損片數。對1 0片晶圓進行評估，表 示破損片數。 2.保護用黏著膜的製造例 2 - 1 .基材膜的製造例1 選擇5 Ο μ m的聚萘二酸乙二酯膜（帝人杜邦股份有限公司 製造的天歐奈克斯）作為耐熱膜層，把其與在190 °C下熔體 流動指數為1 5 0 g / 1 0分的乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物（三井 杜邦股份有限公司製造的E V 1 5 0 )膜（厚度1 9 5 μ m )，透過實 施電暈放電處理而層合。對形成黏著劑層的乙烯-醋酸乙烯 25 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 酯共聚合物側，也實施電暈放電處理。製成基材膜整體厚 度為2 4 5 μπι的膜1。熔體流動指數為1 50g/l 0分之EVA的 殘留應力率為0 . 0 2 %。 ’ 2 - 2 .基材膜的製造例2 * 選擇5 Ο μ m的聚萘二酸乙二酯膜（帝人杜邦股份有限公司 • 製造的天歐奈克斯）作為耐熱膜層，把其與在1 9 0 °C下熔體 ' 流動指數為1 5 0 g / 1 0分的乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物（三井 杜邦股份有限公司製造的E V 1 5 0 )膜（厚度5 Ο μ m )，透過實施 H 電暈放電處理而層合。對形成黏著劑層的乙烯-醋酸乙烯酯 共聚合物側，也實施電暈放電處理。製成基材膜整體厚度 為1 ΟΟμπι的膜2。熔體流動指數為1 50g/l 0分之EVA的殘 留應力率為0 . 0 2 %。 2 - 3 .基材膜的製造例3
選擇5 0 μ m的聚萘二酸乙二酯膜（帝人杜邦股份有限公司 製造的天歐奈克斯）作為耐熱膜層，把其與在1 9 0 °C下熔體 流動指數為1 5 g / 1 0分的乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物（三井 杜邦股份有限公司製造的E V 2 5 0 )膜（厚度1 9 5 μ m )，透過實 施電暈放電處理而層合。對形成黏著劑層的乙烯-醋酸乙烯 酯共聚合物側，也實施電暈放電處理。製成基材膜整體厚 度為2 4 5 μ m的膜3。熔體流動指數為1 5 g / 1 0分之E V A的殘 留應力率為0 . 2 2 %。 2 - 4 .基材膜的製造例4 選擇5 0 μ m的聚萘二酸乙二酯膜（帝人杜邦股份有限公司 製造的天歐奈克斯）作為耐熱膜層，把其與在1 9 0 °C下的熔 26 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 體流動指數為3 g / 1 0分的乙烯_ α -烯烴共聚合物（三井化 學股份有限公司製造的它弗瑪（註冊商標）A - 4 0 7 0 )膜（厚度 1 9 5 μ m )，透過實施電暈放電處理而層合。對形成黏著劑層 ~ 的乙烯-α -烯烴共聚合物側，也實施電暈放電處理。製成 - 基材膜整體厚度為2 4 5 μιη的膜4、熔體流動指數為3g/10 一 分的乙烯-α -烯烴共聚合物的殘留應力率為0 . 0 2 %。 * 2 - 5 .基材膜的比較製造例1 選擇5 Ο μ Hi的聚萘二酸乙二酯膜（帝人杜邦股份有限公司 製造的天歐奈克斯）作為耐熱膜層，把其與在190°C下熔體 流動指數為2 . 5 g / 1 0分的乙烯-醋酸乙稀酯共聚合物（三井 杜邦股份有限公司製造的EV460)膜（厚度195μιη)，透過實 施電暈放電處理而層合。對形成黏著劑層的乙烯-醋酸乙烯 酯共聚合物側，也實施電暈放電處理。製成基材膜整體厚 度為245μπι的膜5。溶體流動指數為2.5g/10分之EVA的 殘留應力率為8°/〇。 2-6.黏著劑主劑的製造例
在聚合反應器中，裝入去離子水1 5 0重量份、作為聚合 起始劑的4，4 ’ -偶氮雙-4 -氰基戊酸（大塚化學（股）製，商 品名：ACVA)0.625重量份、作為單體（A)的2-乙基己基丙 烯酸酯62.25重量份、丙烯酸正丁酯18重量份、及曱基丙 烯酸曱酯12重量份、作為單體（B)的2 -羥基乙基甲基丙烯 酸酯3重量份、曱基丙烯酸2重量份、及丙烯酸醯胺1重 量份、作為單體（C)的聚四亞甲基甘油二丙烯酸酯（日本油 脂（股）製，商品名：ADT- 2 5 0 ) 1重量份、作為水溶性共聚 27 326\專利說明書(補件)\94·05\94102438 1299891 合單體之在聚氧乙烯壬基苯基醚（環氧乙烷的加成莫耳數 的平均值：約2 0 )的硫酸酯的銨鹽之苯環中導入聚合性1 _ 丙烯基者（第一工業製藥（股）製，商品名：亞庫龍 HS-1 0)0. 75重量份，在攪拌下，在70〜72 °C下進行8小時 乳化聚合，獲得丙烯酸系樹脂乳液。將其用9重量％的氨水 進行中和（pH = 7.0)，製成固形分42. 5重量％的丙烯酸系黏 著劑（黏著劑主劑1 )。 (黏著劑塗佈液1的製造方法）
取1 0 0重量份所得黏著劑主劑乳液，進一步加入9重量 %氨水，調節成p Η 9. 5。接著，添加氮丙啶系交聯劑（日本 觸媒化學工業（股）製，商品名：科密胎特Ρ Ζ - 3 3 ) 1 · 6重量 份，獲得構成黏著劑層的黏著劑塗佈液1。 2 - 7 .黏著膜的製造實施例1 使用輥塗機把黏著劑塗佈液1塗佈到聚丙烯膜（剝離 膜，厚度50μπι)上，在120T：下乾燥2分鐘，設置厚度ΙΟμιη 的黏著劑層。對其黏貼上述基材膜1的電暈放電處理面並 擠壓，轉貼黏著劑層。轉貼後，在6 0 °C下加熱4 8小時後， 冷卻至室溫，藉此製造半導體晶圓保護用黏著膜1。黏著 力為 100g/25mm。 2 - 8 .黏著膜的製造實施例2 使用輥塗機把黏著劑塗佈液1塗佈到聚丙烯膜（剝離 膜，厚度50μπι)上，在120°C下乾燥2分鐘，設置厚度ΙΟμπι 的黏著劑層。對其黏貼上述基材膜2的電暈放電處理面並 擠壓，轉貼黏著劑層。轉貼後，在6 0 °C下加熱4 8小時後， 28 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 冷卻至室溫，藉此製造半導體晶圓保護用黏著膜2。黏著 力為 90g/25mmo 2 - 9 .黏著膜的製造實施例3 ' 使用輥塗機把黏著劑塗佈液1塗佈到聚丙烯膜（剝離 • 膜，厚度50μπι)上，在120°C下乾燥2分鐘，設置厚度ΙΟμπι . 的黏著劑層。對其黏貼上述基材膜3的電暈放電處理面並 ' 擠壓，轉貼黏著劑層。轉貼後，在6 0 °C下加熱4 8小時後， 冷卻至室溫，藉此製造半導體晶圓保護用黏著膜3。黏著 力為 1 05g/25mm。 2 - 1 0 .黏著膜的製造實施例4 使用輥塗機把黏著劑塗佈液1塗佈到聚丙烯膜（剝離 膜，厚度5〇um)上，在120°C下乾燥2分鐘，設置厚度ΙΟμπι 的黏著劑層。對其黏貼上述基材膜4的電暈放電處理面並 擠壓，轉貼黏著劑層。轉貼後，在6 0 °C下加熱4 8小時後， 冷卻至室溫，藉此製造半導體晶圓保護用黏著膜4。黏著 力為 100g/25mm。
2 - 1 1 .黏著膜的比較製造實施例 使用輥塗機把黏著劑塗佈液1塗佈到聚丙烯膜（剝離 膜，厚度50μπι)上，在120°C下乾燥2分鐘，設置厚度ΙΟμπι 的黏著劑層。對其黏貼上述基材膜5的電暈放電處理面並 擠壓，轉貼黏著劑層。轉貼後，在6 0 °C下加熱4 8小時後， 冷卻至室溫，藉此製造半導體晶圓保護用黏著膜5。黏著 力為 100g/25mm。 3 - 1 .實施例1 29 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438
1299891 在把半導體晶圓保護用黏著膜1黏貼在1 圓（鏡（Mirror)晶圓，直徑：8英吋，厚度： 表面的狀態下，從晶圓背面用設定到70 °C έ ’ 秒。接著，使用背面磨削機（蒂思科（股）製，？ Λ 把晶圓背面磨削至厚度5 0 μ m。磨削後由機器 _ 的半導體晶圓收納到能夠收納2 5片晶圓的 ' 有發生起因於半導體晶圓的彎曲之半導體晶 擾所帶來的晶圓破損，以及輸送時的晶圓與 ^ 附不良。表1中把該狀態記載為0 K。 進而測量磨削後之半導體晶圓的―曲量’ 的彎曲量在半導體晶圓保護用黏著膜黏貼面 1.9mm。所得結果示於表1。 3 - 2 .實施例2 除了從晶圓背面在1 8 0 °C下加熱3 0 0秒以 施例1同樣的操作。沒有發生收納到盒子與 輸送不良。背面磨削後的晶圓彎曲量係在4 用黏著膜黏貼面方向為1 · 1 mm。所得結果示 3 - 3 .實施例3 除了使用半導體晶圓保護用黏著膜2，及 1 0 0 °C下加熱3 0秒以外，實施與實施例1同 有發生收納到盒子時的晶圓破損及輸送不 的晶圓彎曲量在半導體晶圓保護用黏著膜 4.6mm。所得結果示於表1。 3 - 4 . 實施例4 326\專利說明書(補件)\94-05\9410243 8 30 0片半導體晶 750μπι)之整個 f勺熱板加熱1 0 g 號：DFG 8 6 0 )， 手臂把磨削後 盒子内。此時沒 !圓和盒子的干 -機器手臂的吸 其結果係晶圓 方向為 外，實施與實 •的晶圓破損及 •導體晶圓保護 於表1。 從晶圓背面在 樣的操作。沒 .。背面磨削後 ;貼面方向為 1299891 除了使用半導體晶圓保護用黏著膜3以外，實施與實施 例3同樣的操作。沒有發生收納到盒子時的晶圓破損及輸 送不良。背面磨削後的晶圓彎曲量係在半導體晶圓保護用 黏著膜黏貼面方向為4. 5 m m。所得結果示於表1。 3 - 5 .實施例5
除了使用半導體晶圓保護用黏著膜4以外，實施與實施 例3同樣的操作。沒有發生收納到盒子時的晶圓破損及輸 送不良。背面磨削後的晶圓彎曲量係在半導體晶圓保護用 黏著膜黏貼面方向為1 · 5 m m。所得結果示於表1。 3 - 6 . 比較例1 除了使用半導體晶圓保護用黏著膜5以外，實施與實施 例3同樣的操作。其結果係收納到盒子時，1 0片中有5片 發生晶圓彎曲，因此晶圓與盒子產生干擾，而發生破損。 而且，晶圓磨削後，在向盒子輸送過程中，1 0片中3片發 生對機器手臂之晶圓的吸附不良。背面磨削後的晶圓彎曲 量係在半導體晶圓保護用黏著膜黏貼面方向為1 2. 1 m m。所 得結果示於表1。 3 - 7 . 比較例2 除了使用半導體晶圓保護用黏著膜 5，並省略從晶圓背 面的加熱以外，實施與實施例3同樣的操作。其結果係收 納到盒子時，1 0片中有5片發生晶圓彎曲，因此晶圓與盒 子產生干擾，而發生破損。進而於晶圓磨削後，在向盒子 輸送過程中，1 0片中有4片發生了對機器手臂之晶圓的吸 附不良。背面磨削後的晶圓彎曲量係在半導體晶圓保護用 31 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 1299891 黏著膜黏貼面方向為1 3 . 0 m m。所得結果示於表1。 326\ 專利說明書(補件)\94-05\94102438 32 1299891
比較例2 LO LO 呀 (NI Oh S 5.3 ' 0.19 LO CJ5 L0 oi CO 1 ◦ CO τ—Η | 5片破損| 4片不良 比較例1 LO LO CNI Μ Oh CD LO 5.3、0.19 LO ① r-H LO <ΝΪ oo 100x30 r-H c<i r-H 5片破損 3片不良 實施例5 寸 LO 呀 CN1 之 (¾ CLh ◦ LO CJD τ—Η CD· f CO LO 它弗瑪 LO CD 1 < CO (NI CD CZ5 100x30 LO r-H 1實施例4 | CO LO 寸 CNI W Oh 〇> LO c^> r-H <=>· r CO LQ ω LO cx> LO 0.22 100x30 LO |實施例3 | (NI ◦ CD 之 ω Oh s C^> r-H CD f CO LO o in ◦ LO τ—H Cvl C5 cz> 100x30 CO 寸· |實施例2 | 1 { LO 寸 CNI ω Pu s CD τ—H CD· / CO LO LO CD CD LO r-H s CZ5 180x300 r-H |實施例1 | 1 \ LO 寸 CNI Oh s r-H CD e CO LO· LTD 05 s r-H CNI 〇> 〇· 70x10 ① r-H 基材膜號碼 基材膜厚度[μπι] 支撐樹脂層 支撐樹脂層厚度[μπι] 酰g 飧〜 1 p φ CO Μ ° 樹脂層 樹脂層厚度[μπι] 樹脂層的 MFR[g/10 分] 樹脂層的 30秒後殘留應力率[%] 、卜齋: D S $ β L_. κ 麵圓 \f\J L t ί » £ a I mS 收納到盒子時的破損情況 輸送時的吸附不良情況 荽♦鉍沭ig裝o潜 fS 丨裝o: VA3 ,塯 UO^M^^: ernse 寸 SIIS46\ffsi)*B6MVK-*\9s

Claims (1)

  1. APR - 7 2008 替换本 1299891 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體晶圓加工步驟中之半導體晶圓之保護方 法，其特徵在於具備有：第一步驟，係將在至少含有1層 在1 2 0 °C下去除負重後之3 0秒後的殘留應力率為0 . 5 %以下 之樹脂層的基材膜單面形成有黏著劑層之半導體晶圓保護 用黏著膜，黏貼到半導體晶圓的電路形成面；第二步驟， 係對黏貼有該半導體晶圓保護用黏著膜的半導體晶圓進行 加熱；第三步驟，係將黏貼有該半導體晶圓保護用黏著膜 的半導體晶圓固定在磨削機或研磨機上，並加工半導體晶 圓電路非形成面；以及第四步驟，係從半導體晶圓剝離半 導體晶圓保護用黏著膜。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保護方法，其 中，上述在1 2 0 °C下去除負重後之3 0秒後的殘留應力率為 0 . 5 %以下的樹脂層，在J I S K 6 7 3 0所規定之1 9 0 °C下的熔 體流動指數之值為1 5〜20 Og/1 0分。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保護方法，其 中，上述基材膜含有在23〜200 °C下的貯藏彈性率在lx 10 7〜lxl (^Pa範圍内的支撐樹脂層。 4. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保護方法，其 中，經過上述第三步驟後的半導體晶圓的厚度為1 5 0 μιη以 下。 5. —種半導體晶圓加工步驟中之半導體晶圓之保護方 法，其特徵在於具備有··第一步驟，係將在含有於2 3〜2 0 0 °C下的貯藏彈性率在lxl 07〜lxl (^Pa範圍内之支撐樹脂層 94102438 34 1299891 的基材膜單面形成有黏著劑層之半導體晶圓保護用黏著 膜，黏貼到半導體晶圓的電路形成面，第二步驟’係對黏 貼有該半導體晶圓保護用黏著膜的半導體晶圓進行加熱； 第三步驟，係將黏貼有該半導體晶圓保護用黏著膜的半導 體晶圓固定在磨削機或研磨機上，並加工半導體晶圓電路 非形成面；以及第四步驟，係從半導體晶圓剝離半導體晶 圓保護用黏著膜。 6 . —種半導體晶圓保護用黏著膜，係在基材膜的單面形 成有黏著劑層者，其特徵在於該基材膜至少含有1層在1 2 0 °C下去除負重後之3 0秒後的殘留應力率為0. 5 %以下的樹 脂層。 7. 如申請專利範圍第6項之半導體晶圓保護用黏著膜， 其中，上述基材膜之在1 2 0 °C下去除負重後之3 0秒後的殘 留應力率為0 · 5 %以下的樹脂層，在J I S K 6 7 3 0所規定之1 9 0 °C下的熔體流動指數之值為1 5〜2 0 0 g/ 1 0分。 8. 如申請專利範圍第6項之半導體晶圓保護用黏著膜， 其中，上述基材膜含有在2 3〜2 0 0 °C下的貯藏彈性率在1 X 107〜lxl01()Pa範圍内的支撐樹脂層。 94102438 35
TW094102438A 2004-01-28 2005-01-27 Mehtod of protecting semiconductor wafer and adhesive film for protection of semiconductor wafer TWI299891B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004019431 2004-01-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200532006A TW200532006A (en) 2005-10-01
TWI299891B true TWI299891B (en) 2008-08-11

Family

ID=34792572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094102438A TWI299891B (en) 2004-01-28 2005-01-27 Mehtod of protecting semiconductor wafer and adhesive film for protection of semiconductor wafer

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7501312B2 (zh)
KR (1) KR100696287B1 (zh)
CN (1) CN100477100C (zh)
DE (1) DE102005003872A1 (zh)
MY (1) MY138427A (zh)
SG (1) SG113584A1 (zh)
TW (1) TWI299891B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI451503B (zh) * 2010-12-27 2014-09-01 Omnivision Tech Inc 形成保護膜於晶片封裝上之裝置及其形成方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4603578B2 (ja) * 2005-02-18 2010-12-22 三井化学株式会社 半導体ウェハ表面保護シート及び該保護シートを用いる半導体ウェハの保護方法
JPWO2006118033A1 (ja) * 2005-04-27 2008-12-18 リンテック株式会社 シート状アンダーフィル材および半導体装置の製造方法
JP2007109927A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd 表面保護フィルム剥離方法および表面保護フィルム剥離装置
US8268449B2 (en) 2006-02-06 2012-09-18 Brewer Science Inc. Thermal- and chemical-resistant acid protection coating material and spin-on thermoplastic adhesive
US20080200011A1 (en) * 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
US7713835B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Brewer Science Inc. Thermally decomposable spin-on bonding compositions for temporary wafer bonding
JP5788173B2 (ja) 2007-06-25 2015-09-30 ブルーワー サイエンス アイ エヌシー． 高温スピンオン仮接合用組成物
DE202009018064U1 (de) * 2008-01-24 2010-12-02 Brewer Science, Inc. Gegenstände beim reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat
EP2267090B8 (en) * 2008-04-21 2018-10-17 LG Chem, Ltd. Pressure-sensitive adhesive film and back-grinding method using the same
US8092628B2 (en) 2008-10-31 2012-01-10 Brewer Science Inc. Cyclic olefin compositions for temporary wafer bonding
US8771927B2 (en) * 2009-04-15 2014-07-08 Brewer Science Inc. Acid-etch resistant, protective coatings
JP2011018669A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Nitto Denko Corp 半導体ウェハダイシング用粘着シート及び該粘着シートを用いる半導体ウェハのダイシング方法
US8852391B2 (en) 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
CA2802956C (en) 2010-06-25 2018-07-10 Allegiance Corporation Vulcanization composition having reduced allergenic potential
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
JP6938212B2 (ja) * 2017-05-11 2021-09-22 株式会社ディスコ 加工方法
CN109536067B (zh) * 2018-10-31 2021-04-13 中航锂电技术研究院有限公司 一种防止辊压溢胶的耐高温胶带

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69329313T3 (de) * 1992-06-17 2008-07-31 Mitsui Chemicals, Inc. Ethylencopolymerzusammensetzung
US5874174A (en) * 1995-08-09 1999-02-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductor film and its forming method
CN1261501C (zh) * 1995-09-12 2006-06-28 三井化学株式会社 粘合的乙烯共聚物树脂组合物和含它的层压材料
JPH0978040A (ja) 1995-09-13 1997-03-25 Fujitsu Ltd ウエハ固定用粘着テープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法
KR20000070277A (ko) * 1997-11-18 2000-11-25 사토 아키오 반도체웨이퍼의 제조방법
JP2000063571A (ja) * 1998-08-26 2000-02-29 Nakata Coating:Kk 熱可塑性エラストマー組成物、該組成物よりなるパウダー及びそれをスラッシュ成形して得られる表皮材
CN1137028C (zh) 1998-11-20 2004-02-04 琳得科株式会社 压敏粘合片及其使用方法
US6700185B1 (en) 1999-11-10 2004-03-02 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive film for semiconductor, lead frame and semiconductor device using the same, and method for manufacturing semiconductor device
JP2002075940A (ja) 2000-08-25 2002-03-15 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP3906962B2 (ja) * 2000-08-31 2007-04-18 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP4497737B2 (ja) 2001-03-12 2010-07-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US20030064579A1 (en) * 2001-09-27 2003-04-03 Masafumi Miyakawa Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and protecting method for semiconductor wafer using said adhesive film
JP3761444B2 (ja) * 2001-10-23 2006-03-29 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
TW578222B (en) * 2002-01-11 2004-03-01 Mitsui Chemicals Inc Semiconductor wafer surface protective adhesive tape and backside process method of semiconductor wafer using the same
JP3553551B2 (ja) 2002-01-11 2004-08-11 沖電気工業株式会社 半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法
JP4091772B2 (ja) 2002-02-19 2008-05-28 三井化学株式会社 粘着フィルム剥離用テープ及びそれを用いる粘着フィルム剥離方法
US6681071B2 (en) * 2002-05-15 2004-01-20 Fitel Usa Corp. Dry core indoor/outdoor fiber optic cable
JP4707936B2 (ja) * 2003-02-24 2011-06-22 三井化学株式会社 半導体ウエハの表面保護用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの保護方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI451503B (zh) * 2010-12-27 2014-09-01 Omnivision Tech Inc 形成保護膜於晶片封裝上之裝置及其形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050077476A (ko) 2005-08-02
TW200532006A (en) 2005-10-01
MY138427A (en) 2009-06-30
US7501312B2 (en) 2009-03-10
CN1649099A (zh) 2005-08-03
DE102005003872A1 (de) 2005-08-18
KR100696287B1 (ko) 2007-03-19
CN100477100C (zh) 2009-04-08
SG113584A1 (en) 2005-08-29
US20050164509A1 (en) 2005-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI299891B (en) Mehtod of protecting semiconductor wafer and adhesive film for protection of semiconductor wafer
KR100735720B1 (ko) 반도체 웨이퍼 표면보호필름 및 상기 보호필름을 사용하는반도체 웨이퍼의 보호 방법
TWI806973B (zh) 背面研磨用黏著膠布
EP1215722B1 (en) Method of protecting a semiconductor wafer during a wafer-thinning step
JP2008001817A (ja) 粘着剤、粘着剤を用いた粘着シート、粘着シートを用いた多層粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
US6879026B2 (en) Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and processing method for semiconductor wafer using said adhesive film
WO2003081653A1 (fr) Film adhesif sensible a la pression destine a la protection de surface de plaquettes de semi-conducteurs et procede de protection de plaquettes de semi-conducteurs a l'aide de ce film
TWI582208B (zh) Manufacturing method for adhesive sheet for electronic component processing and semiconductor device
JP2003261842A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法
JP2003332267A (ja) 半導体ウエハの加工方法
JP2002069396A (ja) 半導体ウエハ保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの裏面加工方法
JP4054219B2 (ja) 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法
JP2002053819A (ja) 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法
US7238421B2 (en) Pressure sensitive adhesive film for protection of semiconductor wafer surface and method of protecting semiconductor wafer with the pressure sensitive adhesive film
JP3594581B2 (ja) 半導体ウェハ保護方法及び該保護方法に用いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
JP4005218B2 (ja) 半導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法
JP3729584B2 (ja) 半導体ウエハの裏面研削方法及びその方法に用いる粘着フィルム
TW201940625A (zh) 半導體加工用黏著帶
JP2005019759A (ja) 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法
JP2005183764A (ja) 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの裏面加工方法
JP4663081B2 (ja) 半導体ウェハ裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウェハ裏面研削方法
JP4707936B2 (ja) 半導体ウエハの表面保護用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの保護方法
JP4257061B2 (ja) 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法
JP2005244206A (ja) 半導体ウエハの保護方法および半導体ウエハ保護用粘着フィルム
JP2004253625A (ja) 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法