TWI296819B - Formation of a relaxed useful layer from a wafer with no buffer layer and a structure formed thereby - Google Patents

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1296819 A7 _ B7 五、發明說明（2) 此種結構的型式也可更複雜，諸如可變含量之成分 的變化，含量之正負符號相反，或成分的不連續步級改 變。 形成此種可變成分需要花費長時間，且實施的方法 5通常彳艮複雜。 此外，為使結晶瑕疯的密度最小化，緩衝層的厚度 通常彳艮厚，典型上在1到數微米之闇。 因此，製造這類緩衝層經常涉及很長、困難且昂貴 的製程。 10 其所需製程步驟較少但所得結果相似之在所形成層 中之鬆弛彈性應變的其它技術例如見B· Hmiander等人名 稱為 “Strain relaxation of pseudomorphic Sii.xGex/Si(100) heterostructures after hydrogen or helium ion implantation for virtual substrate fabrication” 之著作（Nuclear and 15 Instruments and Method in Physics Research B 175-177 (2001) 357-367)。 該文所描述的製程與鬆弛形成在矽基片上被壓縮的 應變SiGe層有關。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 所使用的技術包含從應變層的表面將氫或氦離子植 20 入砍基片内^一至既定的深度。 在熱處理下，因離子植入造成且位於植入區與SiGe 層間之石夕基片之厚度位置的結晶擾動導致§丨(^層某程度 的鬆弛。 因此，此技術可經由簡單地將原子或分子植入基 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 A7 B7 五、發明說明（3) 片，在中間的緩衝層内產生一鬆弛或假鬆弛的形成層。 因此，此技術似乎較包含形成緩衝層之技術所需的 時間短，實施較容易，也較便宜。 吾人有興趣繼續使用此技術將此鬆弛或假鬆弛的層 5 整合至用於製造組件的結構，特別是用於電子或光電方 面。 【發明内容】 本發明的目的是按照本發明的第一態樣，經由提供 10 —從晶圓形成一有用層的製程，繼續進行此層整合，該 晶圓包含支撐基片及應變層，且材料分別選用自用於微 電子、光學或光電的結晶材料，其特徵在於包含以下步 驟： (a) 在支撐基片内於足以形成結構性擾動的定義深度 15 形成一擾動區； (b) 供應能量致使應變層内的彈性應變至少相對鬆 弛；以及 (c) 去除鬆弛之應變層對側的部分晶圓，蟲nr中保留 下的部分即是有用層。 20 按照本發明之循環處理的較佳態樣說明於申請專利 範圍第2至第34項。 按照本發明第二態樣，本發明的主題是申請專利範 圍第35項之去除之製程的應用。 按照本發明第三態樣，本發明的主題是申請專利範 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）
1296819 a7 B7 五、發明說明（4) 圍第36至第39項之源晶圓經由剝離以提供一薄層及一結 構。 在參考附圖閱讀以下的詳細說明後，將可更明瞭本 發明的其它特徵、目的及優點。 5 【實施方式】 本發明包括： • 一源晶圓，其中有用層包含·· - 一支撐基片；以及 10 —在支撐基片上的一應變層； • 一接收基片，其形成一支撐，用於形成有用層。 在本文中，一般言之，“有用層，，是指源晶圓中形成 在接收基片上的部分。 本發明的主要目的在於在接收基片上形成來自源晶 15圓之鬆弛或假鬆弛的有用層，有用層至少部分包括在源 晶圓的應變層内。 應變層在沒有緩衝層的情況下事先被鬆弛或假鬆 弛。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖la顯示按照本發明的源晶圓10。 20 晶圓10是由支撐基片1與應變層2構成。 在支撐基片1的第一種結構中，支撐基片1是一假基 片’包含一由諸如半導體材料之結晶材料製成的上層（圖 1中未顯示），其具有與應變層2的介面，且其在與應變層 2的介接處具有第一晶格參數。 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 A7 B7 五、發明說明（5) 上層的第一晶格參數較佳是其構成材料的標稱晶格 參數，俾使該材料是在鬆弛狀態。 此外，上層要有足夠的厚度，俾能將它的晶格參數 加諸於覆於其上的應變層2，使後者對支撐基片1之上層 5 的結晶結構沒有實質的影響。 在支撐基片1的第二種結構中，支撐基片1只由具有 第一晶格參數的結晶材料組成。 在另一有利結構中，支撐基片1是一單晶基片。 支撐基片1無論採用何種結構，其具有低的結晶結 10 構的結構瑕疵密度（諸如錯位）較佳。 在應變層2的第一種結構中，應變層2僅是由單一厚 度的結晶材料構成’諸如半導體材料。 此應變層2選擇具有與第一晶格參數實質不同之第 二標稱晶格參數的材料。 15 於是，所形成的應變層2被支撐基片1壓縮或拉伸而 彈性應變，易言之，其被迫具有與構成其之材料走1 票稱 晶格參數貫質上不同的晶格參數’並因此具有與弟'一^晶 格參數接近的晶格參數。 選擇用於形成應變層2之材料具有的第二標稱晶格 20 參數實質上大於第一晶格參數較佳，因此是壓縮應變。 此外，應變層2的原子元素成分以實質不變較佳。 在應變層2的第二種結構中，應變層2由數種厚度之 材料構成’每一厚度由一結晶材料構成’諸如半導體材 料。 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 A7 B7 五、發明說明（6) 此外，應變層2之材料的每一厚度原子元素成分以 實質不變較佳。 按照第一種結構，與支撐基片1直接毗鄰介接的應 變層2之材料厚度，其特性與應變層2所具之特性實質相 5 同。 在應變層2内之鬆弛材料厚度小，至少有以下其中 之一的優點： - 其構成要形成在接收基片上至少部分的活性層， 以便獲得特定之材料特性； 10 - 其在以選擇性材料去除手段，諸如以蝕液進行之 選擇性化學蝕刻進行材料的選擇性去除期間，構 成止擋層，以便防止毗鄰層的材料被去除； - 藉由選擇性材料去除手段（諸如選擇性蝕刻）所實 施之材料去除可能實質上大於毗鄰層，因此，在 15 選擇性去除材料期間，毗鄰層代表一止擋層，以 防止材料被去除。 被鬆弛的材料厚度亦可結合以上數項功用之一些， 且可具有其它功能。 在所有情況中，應變層2具有以應變材料製成的一 20 般結構，但其也可包含其累積厚度遠小於應變層2之累 積厚度之一或多鬆弛材料之厚度，因此，應變層2仍保 有整體的應變狀態。 無論應變層2選用何種結構，應變層2是以結晶生長 方式在支撐基片1上形成較佳，諸如使用習知技術的蠢 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）
1296819 A7 B7 五、發明說明（7 ) - 晶生長，例如化學氣相沈積（CVD)及分子束蟲晶（顧) 技術。 為得到、结晶瑕巍（例如點瑕疲或諸如錯位的延伸瑕 疲)數量少的應變層2，構成支撐基片1與應變層2(位於與 支揮基片1 "接處附近）的材料要經過選擇，俾使第一與 第一標稱晶格參數間的差距夠小。 。例如，此晶格參數的差距典型上在大約05%到大約 1.5%之間，不過，也可具有較高的值。 例如，在IV-IV材料中，鍺的標稱晶格參數大約比 1〇 =大4.2% ’因此，含有3〇%之錯的砂，其具有的標稱 晶格參數大約比矽高出1.15%。 此外’對應變層2而言，具有幾乎不變的厚度較 佳，俾使其具有實質一致的固有特性及/或便於促進未來 與接收基片5之接合（如 圖lc所示）。 15 為防止應變層2鬆弛或出現塑型的内部應力，該應 變層的厚度必須進一步地保持在臨限彈性應變厚度以 下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此臨限彈性應變厚度主要視應變層2所選用的材料 及該材料與支撐基片1的晶格參數差距而定。 20 七悉此項技藝之人士將參考此技藝而獲知此材料之 臨限彈性應變厚度之值，其將被用於在為支撐基片1所 用之材料上形成的應變層2。 因此’應變層2—旦形成便具有與生長基片1之晶格 參數實質上相近似之晶格參數，且因此在壓縮或拉伸中 -9- 本紙張尺度糾巾關家縣(21G χ 297ϋΤ 1296819 Λ7 B7 五、發明說明（ο 具有内部彈性應變。 現請參閱圖lb，一旦包含有應變層2之晶圓10被形 成，擾動區3便於一既定深度在基片1内形成，過渡層4 實質上被固定在擾動區3及應變層2。 5 擾動區3之定義為一具有能夠在環繞部分内形成結 構性擾動之内部應變之二區。 擾動區3以在支撐基片1之整個表面上形成較佳。 擾動區3以與支撐基片1之表面完全平行形成較佳。 形成此一弱化區3之一製程包含以經界定之植入能 10 量及經界定之原子物種之劑量將原子物種植入支撐基片 1至該既定深度。 在此實施之一特定方法中，所植入之原子物種包含 氫及/或氦。 因此，因植入所形成的擾動區3具有内部應變，或 15 甚至結晶瑕疵，這些是由植入到毗鄰擾動區3之晶格上 之原子物種所施加。 因此，這些内部應變有能力在晶圓10的覆蓋部分内 產生結晶擾動。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 特別為此目的進行適合且正確的參數化處理以便有 20 利於： • 促成過渡層4内擾動的出現； • 致使過渡層4内的這些擾動從弱化區3朝向與應變 層2的介面位移；以及 • 在擾動出現及位移後，致使應變層2至少相對鬆 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 A7 ^__B7_ 五、發明說明（9 ) 弛0 因此’此項處理的主要目的是致使應變層2内的應 變至少相對為鬆弛，以便形成鬆弛的應變層2,。 因此’若適當地參數化，進行熱處理供應足夠的能 里致使結構改變為有利的。 熱處理必須在一個或數個實質上低於臨界溫度的溫 度中進行，高於該溫度，即會有大量的植入原子物種被 排出。 因此’局部的結晶擾動從弱化區3内的内部應變產 10 生。 主要為了應變層2内之彈性能量最小化的原因，於 過渡層4内出現這些擾動以沿著特定結晶平面所定義的 路徑朝向過渡層4與應變層2間的介面位移。 在抵達過渡層4與應變層2間的介面後，這些擾動致 15使應變層2内的彈性應變至少相對為鬆弛，這些被鬆弛 的應變主要是應變層2之材料之標稱晶格參數與支撐基 片1之材料之標稱晶格參數之間的晶格失配應變。 應變層2内之彈性應變的這類鬆弛，幾乎都伴隨有 在應變層2的周邊出現結晶擾動，這些可能是由例如於 20介面處之參數差應變的錯位型式，及自由表面處的原子 步、級(atomic steps)型式。 不過，應k層2的鬆弛也會伴隨有非彈性類型的結 晶瑕疵出現在該層的厚度内，諸如橫過的錯位。 於疋，要進行適當的處理以減少這些瑕疵的數量。 -11-
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 A7 B7 五、發明說明（10 ) 例如，所要進行的適當處理容允錯位密度增加到介 於兩極限值之間，此兩極限值界定一錯位密度的範圍， 在此範圍内，至少某些錯位被消滅。 基於此目的，可進行熱處理，該熱處理針對所用的 5 材料加以調整，諸如有利於用來在前述的過渡層4内形 成擾動。 在所有的情況中，最後得到的是一鬆弛或假鬆弛層 2、它的標稱晶格參數與生長基片1的標稱晶格參數實質 上不同，且沒有中間的緩衝層。 10 不過，在鬆弛的應變層2’内可發現一或多個的彈性 應變材料之厚度。 在應變層2的彈性鬆弛之前，這些材料厚度包含在 應變層2内，其晶格參數與應變層2其餘的晶格參數實質 地不同。 15 這些材料厚度為例如原本就鬆弛，如前文對應變層 2之第二種結構的描述。 在應變層2的整體鬆弛期間，這些材料厚度接著被 四周材料的鬆弛施加彈性應變，並因此變成已應變。 不過，這些材料厚度所具有的累積厚度遠小於應變 20 層2之厚度，因此，在彈性鬆弛步驟之後，應變層2仍保 持一整體的鬆弛或假鬆弛狀態。 現請參閱圖lc，將接收基片5置於晶圓10之鬆弛的 應變層2’側的表面。 接收基片5構成一機械支撐，其強度足以支撐要形 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 A7 B7 五、發明說明（11) 成的有用層，並防止受到來自外界可能的機械應力。 此接收基片5是由例如矽或石英或其它類型的材料 製成。 將接收基片5與晶圓10緊密接觸，並進行有利於接 5 收基片5與晶圓10間晶圓接合（分子黏著）的接合操作。 此接合技術，連同一些其它技術，例如描述於Q.Y. Tong、U· G0sele及Wiley等人所著的文獻中，名稱為 “Semiconductor Wafer Bonding”，刊於 Science and Technology，Interscience Technology 〇 10 如有需要，固接可伴隨先分別對要進行接合的表面 進行適當的預處理及/或供應熱能。 因此，例如在接合期間進行熱處理可增加接合的強 度。 也可經由在晶圓10與接收基片5間插入接合層以增 15 強接合。 此接合層施加於要被接合之兩表面至少其中之一。 用於產生此接合層的材料選用矽氧化物（也稱為矽 土或二氧化矽），其可經由沈積氧化物或以熱氧化或以其 它任何技術產生。 20 在接合前及/或後，要進行表面加工操作，例如蝕 刻、化學-機械拋磨（CMP)、熱處理或任何其它使表面光 滑的操作。 一旦與接收基片5接合，將晶圓10中位於鬆弛的應 變層2’對側的部分去除，有用層6是晶圓10中仍保留的部 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 Λ7 B7 五、發明說明（12) 分。 有數種習知技術可用來去除材料。 第一種去除材料的技術稱為Smart-Cut@，此為熟悉 此方面技術之人士所習知，且在與晶圓縮減技術相關的 5 許多文獻中都對其有所描述，其包含： • 在與接收基片5接合之前，植入原子物種（諸如氫 或氦離子），以便在植入深度附近的深度處形成 弱化區， • 接著在接合後供應能量至弱化區，諸如熱及/或 10 機械處理，或供應其它的能量，以便從弱化區將 晶圓10分離成兩部分。 在植入期間或之後對晶圓10施以熱處理有利於進一 步弱化脆弱區。 在實施此材料去除的第一種方法中，弱化區是形成 15 在支撐基片1與鬆弛的應變層21之間，或形成在鬆弛的應 變層2’内。 在實施此材料去除的第二種方法中，弱化區是形成 在支樓基片1内。 弱化區可在形成擾動層3期間或之後形成。 20 在實施材料去除之該第二種方法的一特例中，且如 果是經由形成擾動區3以形成過渡層4的情形下，則弱化 區可使用實質上相同的技術，在與擾動區3實質上相同 的位置形成，諸如以定義的能量及定義的物種劑量植入 原子物種。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 A7 B7 五、發明說明（13) 在此特例中，弱化區實質上是在形成擾動層3的同 時形成。 在植入前或後，晶圓10應進一步接受熱處理，其具 有兩項功能，亦即主要是進一步弱化弱化區，以及進一 5 步鬆弛應變層2。 因此，弱化區被形成，其具有弱化支撐基片1與鬆 弛應變層2的雙重功能。 第二種去除材料的技術包含： • 經由以陽離子化、植入原子物種、或其它任何孔 10 形成技術形成至少一多孔層，以在晶圓10内形成 一弱介面，例如前文所述文件EP 0 849 88 A2中 的描述， •供應能量給弱化層，諸如機械處理或供應其它能 量，以便將晶圓10從弱化層内將其分離成兩部分 15 〇 在實施材料去除的第一種方法中，弱化層是形成在 支撐基片1與鬆弛之應變層2’之間，或形成在鬆弛的應變 層2’内。 在實施材料去除的第二種方法中，弱化層是形成在 20 支撐基片1内。 為將在支撐基片1内形成弱化層，有利的做法是在 單晶材料薄片上形成多孔層，接著再在多孔層上進行其 晶格參數與該薄晶片之晶格參數實質相同之非多孔結晶 材料層的第二次生長，因此，支撐基片1是由薄片、多 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 A7 B7 五、發明說明（14) 孔層及非多孔石夕層構成。 第一及第二種非限制性的材料去除技術可以快速整 體地去除晶圓10的實質部分。 這些技術也允許晶圓10中被去除的部分再用於其它 5 製程，例如按照本發明的製程。 因此，可以再形成應變層2及部分的支撐基片1及/或 其它層，較佳為在將支撐基片1之表面拋光後。 第三種習知技術在於使用化學及/或化學-機械的材 料去除處理。 10 例如，可進行“回蝕”類型的處理以選擇性地蝕刻施 體晶圓ίο中要被去除的材料。此技術在於從後方，亦 即，從支撐基片1的自由面蝕刻晶圓10，以使得結束時 保留欲保留在接收基片5上的晶圓10之部分結束。 濕蝕刻是使用能去除材料的蝕刻液進行。 15 也可使用乾蝕刻進行材料的去除，諸如電漿蝕刻或 錢射。 蝕刻操作可以只是化學或電化學或光電化學操作。 蝕刻操作可在對晶圓10的機械侵蝕，諸如研磨、拋 光、機械蝕刻或原子物種的濺射之前或之後進行。 20 蝕刻操作也可伴隨著機械侵蝕進行，諸如在CMP製 程中，可選擇性地與機械研磨動作結合之拋光。 也可以只使用化學手段或以化學機械手段將晶圓10 中欲被去除的部分完全去除。 在實施材料去除的第一種方法中，進行蝕刻操作以 -16-
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 1296819 A7 B7 五、發明說明（15) 便只保留晶圓10上至少部分鬆弛的應變層2’。 在實施材料去除的第二種方法中，進行蝕刻操作以 便保留晶圓10上部分的支撐基片1以及鬆弛的應變層2’。 第三種技術特別是可保有高品質的表面，且可在結 5 晶生長期間得到厚度均勻的應變層2。 本文提出的這三種技術只是非限制性的例示性方 法，本發明可擴展至任何類型的技術，只要能按照本發 明從晶圓10上去除材料即可。 無論是選用上述三種材料去除技術，或是選用其它 10 習知技術，較佳要對活性層進行表面加工技術，諸如選 用化學蝕刻、CMP拋光、熱處理或任何其它能使平順的 操作。 在一特例中，在進行完上述其中一項技術之後仍留 下部分的支撐基片1，如果不欲保留支撐基片1的此殘留 15 層，則有利為進行表面加工步驟，其包含相對於鬆弛的 應變層2’選擇性蝕刻支撐基片1剩下的部分。 在後者的特例中，所得到的鬆弛應變層2’的厚度均 勻及/或具有良好的表面加工，不會出現實質數量的瑕 /疵，諸如有時在機械加工後會出現的加工硬化區。 20 在鬆弛的應變層2f上進行選擇性蝕刻也會得到厚度 均勻及/或表面加工良好的部分鬆弛的應變層21，鬆弛的 應變層T包含用於蝕刻的止擋層。 如果最後想要得到非常薄的鬆弛的應變層2’，後兩 項以選擇性蝕刻之表面加工操作特別有利。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 A7 B7 五、發明說明（16) 無論是何情況，最後得到的結構20包含接收基片 5、活性層6及選用的插入接合層。 在實施材料去除的第一種方法中，僅保留部分的鬆 弛的應變層2f。 5 因此，活性層6是由至少部分的鬆弛的應變層2·構 成。 在實施材料去除的第二種方法中，僅保留部分的支 撐基片1及鬆弛的應變層2f。 因此，活性層6是由支撐基片1的保留部分與鬆弛的 10 應變層2’所構成。 在此情況，支撐基片1的保留部分會，或至少部分 會被毗鄰的鬆弛應變層2f應變。 在使用結構20的一特定方法中，可在結構20上進行 一或多次的結晶生長操作。 15 —旦得到最終結構，可選擇性地進行加工步驟，諸 如例如退火操作之加工處理，以進一步強化有用層6與 接收基片5間的接合介面。 在使用結構20的一特定方法中，無論所得到的結構 20為何，可在晶圓10上生長一或多層磊晶層。 20 在本文以下的部分中，將提供能經由實施按照本發 明之製程構成所討論之結構之材料的某些實例。 以下將特別解釋由矽及SiGe類型之材料所製成的 層。 如以上的解釋，包含30%之鍺的SiGe之標稱晶格參 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 A7 B7 五、發明說明（17) 數較矽之標稱晶格參數高出大約1%。 具有一定義的鍺濃度且形成在矽支撐基片1上的 SiGe應變層2，適合實施按照本發明的製程。 以下的實例說明按照本發明形成之有用層的較佳製 5 程： 例1 :參閱圖la，其中之晶圓10包含： •矽支撐基片1 ;以及 • 應變層2，由具有特定鍺濃度的SiGe製成，其厚 度小於應變終結的臨限厚度（如前文所述）。 10 鍺在應變的SiGe層2中的典型濃度大於15%。 應變的SiGe層2中，瑕疵（諸如錯位）密度小於大約 107crrf2為有利的。 含有15%及30%之鍺之應變層2的典型厚度分別為大 約250奈米及大約100奈米，因此，維持在它們相對之彈 15 性應變終結的臨界厚度之下。 現請參閱圖lb，經由植入原子物種（諸如氫或氦）以 在碎支撐基片1内形成擾動區3。 典型上，植入氫或氦所使用的植入能量範圍在12到 25keV之間。 20 典型上，氩或氦的植入劑量在1014到1017cirf2之間。 > 因此，以鍺濃度為15%的應變層2為例，以使用 氫為植入物種較佳，劑量大約3xl016cm_2，植入能量大 約25keV 。 > 因此，以鍺濃度為30%的應變層2為例，以使用 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）
1296819 A7 B7 五、發明說明（18) 氦為植入物種較佳，劑量大約2xl〇16cm_2，植入能量大 約18keV 。 原子物種的植入深度典型上在50奈米到100奈米之 間。 5 擾動區3形成之後，接著進行適當的熱處理，特別 是要位移過渡層4内的擾動，並致使鬆弛的應變層2’内的 錯位消失。 熱處理是在惰性大氣中進行。 不過，熱處理也可以在其它大氣中進行，諸如氧化 10 大氣。 因此，對此類型的晶圓1〇進行特別之熱處理，典型 上是在600°C到1000°C的溫度中進行，時間範圍從大約5 分鐘到大約15分鐘。 關於更詳細的實驗技術請參閱Β· 人所進 15 行的研究，特別是名稱為“Strain relaxation 〇f pseudomorphic Si 卜xGex/Si(100) heterostructures after hydrogen or helium ion implantation for virtual substrate fabrication ”（刊於Nuclear and Instruments and Methods in 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Physics Research B 175-177 (2001) 357-367) ° 20 在按照本發明形成擾動區3的另一例中，所植入的 氫或氦的劑量大約是1017cm_2。 此為按照使用Smart-Cut®之製程形成弱化區且允許擾 動區3及弱化區同時形成的特定劑量。 因此，此弱化區具有兩項功能，亦即，致使内部應 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 Λ7 B7 五、發明說明（19) 變能夠在疊置的過渡層4内形成結晶擾動，以及，使其 夠脆弱，以便在供應能量後可將晶圓10分離成兩部分。 在一特定的實施例中，後續的熱處理具有兩項功 用，即，鬆弛應變層2内的應變，以及，進一步弱化弱 5 化區。 無論選用何實施方法去形成過渡層4，至少鬆弛部 分的SiGe應變層2以形成鬆弛的SiGe應變層2*。 現請參閱圖lc，附接於晶圓10的接收基片5可以是 任何材料，諸如矽或石英所構成。 10 在鬆弛的應變層2’與接收基片5間插入一層二氧化矽 的接合層為有利，以便最後可能產生如圖Id所示之SGOI 或Si/SGOI型的結構20，在結構20中，所討論的絕緣體 是二氧化石夕層。 現請參閱圖Id，可進行一或多樣習知的材料去除技 15 術。 特別是，可使用對SiGe具有實質選擇性的蝕刻溶液 對矽進行選擇性蝕刻，這類溶液包含以下至少其中一樣 混合物：K0H、NH40H(氫氧化銨）、TMAH、EDP或 HN〇3，或目前正在研究的溶液，其混合諸如HN〇3、 20 HN02、H2〇2、HF、H2S04、H2S02、CH3C00H、及 H20，如文獻WO 99/53539第9頁之中的解釋。 在第一種情況中，後者的選擇性蝕刻不會去除要保 留在結構20上之鬆弛的應變層2f，而將要被去除之支撐 基片1之剩餘的部分去除，因此，在蝕刻後，鬆弛的應 -21- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 A7 B7 五、發明說明（20 ) 變層2’即構成有用層6。 在第二種情況中，在支撐基片1内置一矽的蝕刻止 擋層，其可保護疊置於止擋層上的矽層，不被回蝕型的 選擇性化學蝕刻，因此，在此情況，活性層6包含鬆弛 5 的應變層Y與覆於止擋層上的矽層。 止擋層例如是由SiGe製成，所討論的選擇性化學蝕 刻則是使用上述其中一種钱液。 現請參閱圖Id，所得到的結構20包含接收基片5與 活性層6。 10 活性層6包含至少部分鬆弛的SiGe應變層2’以及選擇 性的矽層，支撐基片1的剩餘部分，視所使用的去除法 而定。 例2 :現請參閱圖2，本例的晶圓10與例1實質上相 同，但進一步地在應變的SiGe層上還包括實質鬆弛的矽 15 層。 因此，應變層2是由應變的SiGe層2A與鬆弛的矽層 2B構成。 此應變層2的厚度小於所討論之SiGe的臨限厚度， 超過此厚度，SiGe即被鬆弛。 20 應變層2A的特性與例1之應變的SiGe層2實質上相 同。 鬆弛的矽層2B的厚度遠小於整個應變層2的厚度， 因此，應變層2仍保有整體應變的結構特性。 鬆弛的矽層2B的厚度大約數十奈米。 - 22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 A7 B7 五、發明說明（21) 去除製程的實施與例1實質上相同。 過渡層4的產生及附加之有利的熱處理，與例1實質 上相同，具有以下效果： - 彈性鬆弛應變層2A，以便形成鬆弛的應變層2A’( 5 未顯示），以及 - 彈性應變鬆弛層2B，以便形成應變的鬆弛層2B’( 未顯示），於是，後者的晶格參數與毗鄰之鬆弛 的SiGe之晶格參數接近。 當晶圓10在應變的鬆弛層2B’處與接收基片5接合 10 後，無論有或無中間的接合層，要使用上述一或多樣習 知技術將材料去除。 在實施材料去除的第一種方法中，其欲保留至少部 分鬆弛的應變層2A’及應變的矽層2B’，因此，材料的去 除與例1所描述的實質上相同。 15 最後得到的結構20如圖Id所示，包含接收基片5與 活性層6，活性層6是由應變的矽層2B1與至少部分鬆弛的 SiGe層2A’（以及選擇性的矽層或支撐基片1的殘留部分， 視所使用的去除法而定）所構成。 在實施去除製程的第二種方法中，只欲保留部分的 20 應變矽層2B’，因此，材料的去除與例1所描述的實質上 相同，只是增加去除鬆弛之SiGe層2A’的額外步驟。 為此目的，可使用為相關於石夕SiGe之選擇餘刻性的 蝕刻溶液對SiGe進行選擇蝕刻，這類溶液包含HF : H202 : CH3COOH(選擇率大約 1 : 1000)。 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 A7 B7 五、發明說明（22 ) 因此，在此第二種實施製程的方法中，鬆弛的SiGe 層2A’成為犧牲層。 這類鬆弛之SiGe層2A’的犧牲層可使結構性的瑕疵消 失，諸如具參數差距應變的錯位，在過渡層4内的擾動 5 傳播之後，在接合之前，這些瑕疵被限制在表面及出現 在與過渡層4之介面的附近。 因此，鬆弛的SiGe層2A’使應變的矽層2B’不會有來 自按照本發明之製程中所使用之特定鬆弛方法可能造成 的結構瑕/疵。 10 因此，此犧牲技術特別適合在最終得到結構瑕疵極 少之應變的矽層2B’。 最後得到的結構20如圖Id所示，包含接收基片5與 活性層6，活性層6即是由應變的矽層2B’構成。 例3 :現請參閱圖3，本例的晶圓10與例2實質上相 15 同，但進一步地在鬆弛的石夕層上還包括實質應變的SiGe 層。 因此，應變層2是由應變的SiGe層2A、鬆弛的矽層 2B及應變的SiGe層2C構成。 此應變層2的厚度比所討論之SiGe的臨限厚度薄， 20 超過此厚度’ SiGe即被鬆弛。 應變層2A的特性與例1之應變的SiGe層2實質上相 同。 層2A之厚度的有利選擇要大於或等於典型厚度，在 此厚度，在過渡層4内的擾動傳播之後，出現於與過渡 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 a7 B7 五、發明說明（23) 層4之介面處附近的結構性瑕疵都可能被限制在其内。 因此，在應變層2的整體鬆弛期間，這類應變的 SiGe層2A將可使鬆弛的矽層2B與應變的SiGe層2C不會 有任何結構性的瑕疵。 5 因此，此犧牲技術特別適合在最終得到結構瑕疵極 少的矽層2B。 鬆弛的矽層2B的厚度遠薄於整個應變層2的厚度， 因此，應變層2仍保有整體的應變結構特性。 鬆弛的矽層2B的厚度大約數十奈米。 10 應變的SiGe層2C所具有的特性與應變的SiGe層2A實 質上相同。 不過，應變的SiGe層2C的有利厚度較應變的SiGe層 2A厚。 在一特定的情況中，應變的SiGe層2C是應變層2之 15 厚度的主要部分。 接著實施的去除製程與例2實質上相同。 過渡層4的產生及額外的熱處理與例1相同，其效果 為： - 彈性鬆弛應變層2A，以便形成鬆弛的應變層2A’( 20 未顯示）； - 彈性應變鬆弛層2B，以便形成應變的鬆弛層2B’( 未顯示），於是，後者的晶格參數與毗鄰之鬆弛 的SiGe之晶格參數接近，以及； - 彈性鬆弛應變層2C，以便形成鬆弛的應變層2C’( -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐）
1296819 A7 B7 五、發明說明（24) 未顯示）。 當晶圓10在鬆弛的應變層2C’與接收基片5接合後， 無論有無中間接合層，可使用一或多樣前述的習知技術 將材料去除。 5 在實施材料去除的第一種方法中，其欲保留至少部 分的鬆弛的應變層2A1、應變的矽層2B’及鬆弛的SiGe層 2C’，且材料的去除與例1描述的實質上相同。 最後得到的結構20如圖Id所示，包含接收基片5與 活性層6，而活性層6由鬆弛的SiGe層2C"、應變的矽層 10 2B’及至少一部分鬆弛的SiGe層2A’（以及選用的矽層，或 支撐基片1殘留的部分，視使用的材料去除法而定）所構 成。 在實施材料去除的第二種方法中，只欲保留至少部 分的應變矽層2B’及鬆弛的SiGe層2C’，因此，材料的去 15 除與例2實施去除材料的第二種方法實質上相同。 最後得到的結構20如圖Id所示，包含接收基片5與 活性層6，而活性層6由至少一部分應變的石夕層2B’及鬆弛 的SiGe層2C1所構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在實施製程的第三種方法中，只欲保留至少部分鬆 20 弛的SiGe層2C’，因此，材料的去除實質，上與上述第二種 實施方法中描述的相同，另再增加去除應變的矽層2B’的 額外步驟。 為達此目的，要對應變的矽層2B’進行選擇蝕刻，使 用的溶液包含以下至少一種混合物：KOH、NH4〇H(氫 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296819 μ B7 五、發明說明（25) 氧化銨）、TM AH、EDP或HN〇3，或目前正在研究的溶 液，其混合的藥劑諸如HN〇3、HN02、H202、HF、 H2S04、H2S02、CH3COOH、及 h2o 〇 由於鬆弛的SiGe層2C’是蝕刻止擋層，此方法最後可 5 得到厚度極均勻且表面粗糙度低的層。 因此，可能得到極薄同時又保有良好之層品質的 層。 最後得到的結構20如圖Id所示，包含接收基片5與 活性層6,而活性層6構成鬆弛的SiGe層2C1。 10 在使用結構20的一特定方法中，無論得到的結構20 為何，都要在晶圓10上生長一或多層磊晶層，諸如SiGe 層的磊晶生長或應變的矽層的磊晶生長，或其它由SiGe 層或應變之矽層按順序連續交替構成的磊晶層，以形成 多層結構。 15 在本文所提出的半導體層中，也可加入其它的構成 成分，諸如碳，碳在所討論之層中的濃度實質地低於或 等於50%或更明確地說，其濃度小於或等於5%。 本發明並不限於應變的SiGe層2與矽支撐基片1，也 可延伸到其它材料，諸如III-V或II-VI族（二元素、三元 20 素或四元素類型或更高階），都可在本發明的製程中使 用。 在脫離後得到的結構也不限於SGOI、SOI或Si/SiGe 類型之結構。 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐）
1296819 A7 B7 五、發明說明（26 圖式簡單說明】 圖1顯示按照本發明之製程的各步驟。 圖2顯示按照本發明之晶圓，於其上將取下有用層。 圖3顯示按照本發明之另一晶圓，於其上將取下有用 層 【圖式之代號說明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 元件代號 說 明 元件代號 說 明 1 支撐基片 10 晶圓 2 應變層 2， 鬆弛的應變層 3 擾動區/弱化區/擾動層 20 結構 4 過渡層 2A 應變的SiGe層 5 接收基片 2B 鬆弛的石夕層 6 有用層/活性層 2C 應變的SiGe層 代表圖lc之代號說明 元件代號 說 明 元件代號 說 明 1 支撐基片 3 擾動區/弱化區/擾動層 Γ 基片 4 過渡層 2' 鬆弛的應變層 5 接收基片 -28-
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1日修(¾)正本 B8 C8 D8 六、申清專利範圍 10 15 ROC Patent Appln. No. 92125544 · 修正後無劃線之中文申請專利範圍替換本-附件(二） _ Amended Claims in Chinese - Enel.(II) (民國96年12月12日送呈） (Submitted on December 12, 2007) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 1· 一種自晶圓（10)形成一有用層（6)的製程，晶圓（10)包 含支擇基片（1)及應變層（2)，其材料分別選用自用於 微電子、光學或光電的結晶材料，其特徵在於包含 以下步驟： (a) 在支撐基片（1)内於定義深度形成能夠形成結 構擾動之一擾動區（3); (b) 供應能量致使應變層（2)内的彈性應變至少 相對鬆弛；以及 (c) 去除鬆弛的應變層（2，)對側的部分晶圓（1〇)， 保留下的部分晶圓（1〇)即是有用層（6)。 2·如申請專利範圍第1項形成有用層（6)的製程，其中， 在步驟(b)期間，應變層（2)之至少相對鬆弛係越過過 渡層（4)發生，過渡層（4)將擾動區（3)與應變層（2)隔 開。 3·如申請專利範圍第1項之形成有用層（6)的製程，其中 ，擾動區（3)是經由植入原子物種所形成。 4·如申請專利範圍第3項之形成有用層（6)的製程，其中 ，植入的原子物種至少部分包含氫及/或氦。 5·如申請專利範圍第1項之形成有用層（6)的製程，其中 v驟(b)期間供應的能量包含熱能，以便進一步 有利於應變層（2)内的應變之鬆弛。 6·如申凊專利範圍第1項之形成有用層（6)的製程，進一 步包含·在步驟(c)之前，將接收基片（5)接合於晶圓 (10)之應變層（2)側的步驟。 -29 - 訂 線 I 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4 規格（210x297公爱） K:\Dan\92478 申復\92478-OA卜申復-附件 2.doc !296819 六、申請專利範 圍 5 10 15 20 7.如申請專利範圍第6項之形成有用層⑹的製程，其中 ，在接合步驟之前，先在要被接合之兩面至少其中 一面上施加接合層。 如申請專利範圍第7項之形成有用層⑹的製程 ’接合層是由矽土製成。 、 如申請專利範圍第6項之形成有用層⑹的製程，進一 f包含：在要被接合之兩面至少其中一面之表面進 行表面加工步驟。 10.如申請專利範圍第6項之形成有用層（6)的製程，進一 步包含··熱處理以加強接合。 U.如申請專利範圍第1項之形成有用層（6)的製程，其中 ~在步驟（c)之前，其包含在支撐基片（1)内形成弱 化區（3);以及 一步驟（c)包含將能量供應至弱化區内，以便將有用 層（6)與施體晶圓（1〇)分離。 如申請專利範圍第11項之形成有用層（6)的製程，其 中’經由植入原子物種以形成弱化區。 U•如申請專利範圍第12項之形成有用層（6)的製程，其 中’植入的原子物種至少部分包含氫及/或氦。 14·如申請專利範圍第12項之形成有用層（6)的製程，其 中，弱化區與擾動區（3)實質上在晶圓（10)内的相同 位置。 15·如申請專利範圍第14項之形成有用層（6)的製程，其 中，弱化區與擾動區（3)實質上是在相同時間以相同 8· 9 12 -30 - 本、我張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇χ297公釐） 1296819 | ------ D8 六、申請專利範圍 手段形成的區域。 16.如申請專利範圍第丨丨項之形成有用層（6)的製程，其 中，弱化區是藉由在晶圓（10)内形成多孔層而形成。 17·如申凊專利範圍第丨至16項之任一項之形成有用層（6) 5 的製程，其中，步驟（c)包含化學蝕刻晶圓（10)中至 少要被去除的部分。 18. 如申請專利範圍第丨至16項之任一項之形成有用層（6) 的製程，其中，步驟(c)包含實施毗鄰鬆弛的應變層 (2’)之部分支撐基片（1)的選擇性化學蝕刻，在此蝕刻 10 中，鬆弛的應變層（2f)形成蝕刻止擋層。 19. 如申請專利項之任—項之形成有用層⑹ 的製程，其中，鬆弛的應變層（2，）包含化學蝕刻止擋 層，以及，步驟(c)包含貫施鬆弛的應變層（2，）的選擇 性化學蝕刻以去除覆於止擋層的部分。 15 20·如申請專利範圍第1至16項之任一項之形成有用層（6) 的製程，其中，有用層（6)是由至少部分的鬆弛的應 變層（2’)構成。 & 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 21·如申請專利範圍第1至第4項之任一項之形成有用層 (6)的製程，其中，有用層（6)是由鬆弛的應變層（2，) 20 及步驟(c)之後仍殘留的部分支撐基片（1)所構成。 22·如申請專利範圍第21項之形成有用層（6)的製程，其 中’支樓基片（1)的殘留層被鬆弛的應變層（2)應變。 23·如申睛專利範圍第1至16項之任一項之形成有用層（6) 的製程，其中包括，在步驟（c)之後，在有用層（6)的 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規袼（210x297公釐） 八δ Β8 C8 D8 1296819 六、申請專利範圍 表面上進行表面加工步驟。 2 4 ·如申請專利範圍第1至16項之任一項之形成有用層（6) 的製程，其中包括，在步驟（c)之後，在有用層（6)上 至少形成一層。 5 25.如申請專利範圍第23項之形成有用層（6)的製程，其 中，形成在有用層（6)上之至少一薄層的晶格參數被 鬆弛的應變層（21)應變。 26. 如申請專利範圍第1項之形成有用層（6)的製程，其中 10 - 支撐基片（1)是由矽製成； - 應變層（2)是由矽-鍺製成。 27. 如申請專利範圍第1項之形成有用層（6)的製程，其中 - 支撐基片（1)是由矽製成； 15 - 應變層（2)是由以下接續地(in succession)組成： /應變的矽·鍺-厚度(2A); /鬆弛的矽-厚度(2B)。 28. 如申請專利範圍第1項之形成有用層（6)的製程，其中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 - 支撐基片（1)是由矽製成； - 應變層（2)是由以下接續地組成： 〆應變的矽-鍺-厚度(2A); /鬆弛的矽-厚度(2B); /應變的矽·鍺-厚度（2C)。 -32 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）
、申請專利範圍 1296819 29· 士 專利範圍第27至28項之任〆項之形成有用層 (6)的製，，其中，步驟⑷包含去除此鄰於支撐基片 (1)且在貫施步驟（a)期間被鬆弛的應變SiGe厚度（2A 〇 3〇·如申請專利範圍第27謂項之任〆項之形成有用層 (6)的製，其中，步驟⑷包含去除在實施步驟⑻势 間被應變的鬆弛矽厚度(2B)。 ’ 31•如申請專利範圍第26至28項之任—項之形成有用層 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 (6)的製程，其中，形成在有用層⑹上的至少一薄層 包含以下材料至少其中之一： 曰 -鬆他或假鬆弛的⑦务其m與應變 鍺濃度近乎相等； -至少部分應變的石夕，其所具有的晶格參數 他的應變層（2，）的晶格參數。 ▲ 32.如申請專利範圍第β16項之任—項之 的製程，其中，接收基片⑺是由石夕或石英製有用層（6 33·如申請專利範圍第1至16項之任一項之形 的製程，在製程期間所使用的各層中；：：用層(6 層還包括碳，且碳濃度實質上小於或等於Μ。〆^ 一 34·如申請專利範圍第1至16項之任一項之步 。。 的製程，在製程期間所使用的各層中，#有用層〇 ^ ’其中至小一 層退包括碳，且碳濃度實質上小於或等於~ 35·〆種如申請專利範圍第1至16項之任_項、彡°、° (6)之製程的應用，用以製造絕緣體上半二=有用層 -33 - 中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^\〇 1296819 ?s _D8_ 六、申請專利範圍 ，該結構的半導體厚度包含所形成的有用層。 36. —種意欲用於如申請專利範圍第1至16項之任一項形 成有用層（6)之製程的晶圓（10)，包含： 一支撐基片（1)，其係具有一第一晶格參數，以及 5 一整體鬆弛或假鬆弛層（2’），其係具有一第二晶格 參數且不包括緩衝層； 其特徵為： 該支撐基片（1)進一步包括在支撐基片（1)内的一擾 動區（3);以及 10 該晶圓（10)進一步包括一弱化區。 37. —種包含如申請專利範圍第36項的晶圓（10)及一接收 基片（5)並使其互相接合之結構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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