1296327 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 • 本發明係有關於一種化學溶液之線上監控方法，特別 係有關於一種生產製作過程中線上監控方法，其係監控針 對在如半導體基板、玻璃基板與印刷電路板等各式電子產 品的製作過程中所需使用的#刻液或電鍍液等化學溶液。 【先前技術】 • 在電子產品之製作過程中需要執行蝕刻與電鍍等製 程，採用各式化學溶液並經適當化學反應操作下，以達到 導線形成、基板清潔等等目的。隨著化學反應時間之進 行，反應物的濃度會下降，使反應效率產生變化，並且生 成物與廢棄物的濃度與含量會增加，導致被反應物（如半導 體晶圓、液晶面板與精密電路板等等）的表面品質劣化。目 前並無法在製程中掌握反應物、生成物與廢棄物的濃度， 僅能依據經驗法則、目測、簡易導電度推測在一作業槽内 _ 化學溶液的反應物應補充量、補充時間以及簡略估算化學 溶液之可反應壽命，導致被反應物的品質無法一致化，故 無法線上監控以大幅降低產品不良率。 '/ 【發明内容】 本發明之主要目的係在於提供一種化學溶液之線上 色查—方法及系統’該方法係先進行自動取樣並加以稀釋，v/ 再進行線上定量分析（online quantitative analysis)，其係利 用離子層析（ion chromatography，IC)方法檢測複數個檢樣 之離子濃度。故能於製程中快速掌握化學溶液所需補充之 1296327 藥劑量以及生成物與廢棄離子之濃度，以作用後續之化學 落液濃度自動调整與/或警報顯示之依據，達到線上監控化 . 學溶液品質之功效。 本發明之次一目的係在於提供一種化學溶液之線上 監控方法及系統’利用一離子層析儀内設有一陰離子管 柱’在複數個檢樣中，其中至少一檢樣係供檢測生成物或 廢棄離子之濃度’當含有翻（Mo)時，該檢樣在稀釋後係注 • 入至該陰離子管柱，以測得鉬酸根離子（m〇〇42·)之含量， 故能線上監控鉬的濃度是否超過一上限值。 本發明之另一目的係在於提供一種化學溶液之線上 監控方法及系統，利用一離子層析儀内設有一重金屬離子 管柱，在複數個檢樣中，其中至少一檢樣係供檢測生成物 或廢棄離子之濃度，當含有鋁（A1)時，該檢樣在稀釋後係 注入至該重金屬離子管柱，以測得鋁離子（ai3 + )之含量， 故能線上監控鋁的濃度是否超過一上限值。 鲁 本發月之另目的係在於提供一種化學溶液之線上 監控方法及系統，利用一離子層析儀内設有一陰金屬離子 &柱’在複數個檢樣中，其中至少一檢樣係供檢測磷酸、 石肖酸與醋酸之濃度，其中磷酸根、确酸根與醋酸根離子於 線上定量分析中可同時顯示於—離子層㈣譜，以供一 測传磷酉夂、琐酸與醋酸之含量，以利補充適量藥劑至〆化 學溶液内。 、 本發月之另一目的係在於提供一種化學溶液之線上 監控方法及系統，其中複數個檢樣在稀釋後係注入至〆離 1296327 子層析儀之重金屬離子管柱或陰離子管柱等各式分析管 柱，該注入方式係採用自動樣品注射閥(_PU injecti〇n 樣 )配〇樣ηπ迴路（sample 1〇〇p”以能準確注入定量之檢 依據本發明之一種化學溶液之線上監控方法，主要包 包含有—自動取樣並稀釋步驟以分析步 驟先取得在一作業槽内化學溶液之複數個檢樣並加以稀 • 釋再利用離子層析方法檢測該些檢樣之離子濃度，達到 線上I控化學溶液品質之功效。較佳&，當分析得到的生 錢或廢棄離子濃度到達―上限值，可另包含有—警報顯 不步驟’以發出警示。或可另包含有一濃度自動調整步 驟，其係依據分析得到的反應物離子濃度數據，自動補充 化學溶液所需使用之藥劑至該作業槽。 【實施方式】 本發明之化學溶液之線上監控方法係以採用一紹餘 _ 刻液（A1 etching solution)作為化學溶液，而為一具體實施 例說明如下，但並不用以限定為鋁蝕刻液，仍可等效性變 化於其它蝕刻液或電鍍液之線上監控。 目前鋁蝕刻液係包含有磷酸（約64〜8 1 %)、硝酸（約 <6%)、醋酸（約3〜14%)以及水（約10%)，可運用於製造半 導體、液晶面板等電子產品之導線蝕刻成形之製程。在紹 蝕刻製程中，鋁蝕刻液係儲放至一作業槽200内（如第2 圖所示）。、蝕刻反應的機制是藉由硝酸將鋁氧化成為氧化 鋁，接著再利用磷酸將氧化鋁予以溶解去除，如此反覆進 1296327 行以達蝕刻的效果。其反應機構為： 2A1 + 6HN〇3 Al2〇3 + 3H20 + 6N02 个 Al2〇3 + 2H3PO4 2AlP〇4 + 3H2〇
因此’隨著蝕刻時間的進行，鋁蝕刻液内會生成水及 消耗硝酸與磷酸，該等酸液之反應物濃度會因消耗與被稀 釋而降低’進而影響餘刻速率。此外，銘钱刻液内會逐漸 增加含紹（A1) '錮（Mo)等離子生成物與廢棄離子的含量， 導致鋁餘刻液之可作業品質趨於劣化。 請參閱第1圖，首先，進行一自動取樣並稀釋之步驟 10。配合參閱第2圖，在開始步驟u中，啟動一自動取 樣並稀釋裝置110，同時在步驟12、13與14中，由在該 作業槽200内的化學溶液（鋁蝕刻液）中分別取得第一檢 樣、第二檢樣以及第三檢樣。之後，在步驟15、16與Η 中第檢樣、第二檢樣與第三檢樣分別加入超純水稀釋 適畜U在本實施例中，在步驟15巾，第-檢樣係 供檢測磷酸H與醋酸之濃度，其係以超純水稀釋⑽〇〇 倍，再經過渡處理（可用0.45um之遽網）。而在步驟16中， 第二檢樣係供檢測含峰1)之生成物離子之濃度，其係以 超純水稀釋500倍，再經過濾處理。而在步驟17中，第 三檢樣係供檢測含1目（M。）之廢棄離子之濃度，其係以超純 欠稀釋1GG ^ ’再濾處理。通常該自動取樣並稀釋裝 置110進行上述步驟10係具有周期性，可設定在10分至 自動取樣並稀釋裝！ 11G。而在本實施例中，上述自動取 1296327 樣並稀釋之步驟10之進行周期係設定於15分鐘（15 min/per test)。 之後，進行一線上定量分析之步驟20，其係利用離子 層析（ion chromatography，IC)方法檢測每一檢樣之離子濃 度。如第2圖所示，一線上定量分析裝置ι2〇係包含有一 離子層析儀121，其内可組設有一吸光度偵測器124、一 自動抑制器及一電導度偵測器（圖未繪出），且其内部可拆 卸地裝a又有一重金屬離子管柱122以及至少一陰離子管枉 123 〇 本發明採用的離子層析方法乃是使待測檢樣通過具 有充填樹脂之分離管柱，檢樣内離子與樹脂產生交換作用 而吸附於樹脂交換基之上，此時加入流洗液沖提，使其脫 離交換基，再度變成自由離子，再不斷重複此一吸附—沖 提循環作用。由於溶液中離子電荷數，離子半徑及質量等 因素，對樹脂之親和力會產生差異，親和力越大越容易吸
附，且越難沖提，因此造成通過分離管所需之時間不同 並且各自形成離子群，此時再測量其總導f值或吸光度 同時校正時是用已知不同漢度的待測物標準溶液建立泰 量線，以便求取檢樣的濃度’便可達到線上定量分析。^ 該線上定量分析之步驟2〇係詳述如下。 在步驟21中，稀釋後第一檢樣取2〇ul注入至該則 層析儀121之其中—陰離子管柱⑵，再於㈣24中1 離子層析法量測磷酸、石肖 中一具體實施之條件可為 酸與醋酸等酸根離子之濃度，。其 •陰離子管柱123之管柱填充物 1296327 係為聚乙浠醇（polyvinyl alcohol);離子交換官能基為第4 級胺（ammonium);偵測器為電導度偵測器；溶離液為4 〇 mM碳酸鈉/2.5mM碳酸氫鈉；流速為i〇ml/min;以及， 溫度：管柱37°C ，偵測器40°C。可得到如第4圖所示之 離子層析圖譜，再以各成分峰之峰高或面積計算得知磷 酸、硝酸與醋酸之濃度。此外，可以在鋁蝕刻製程之前進 行一儀器校正之步驟，先配製一酸標準液，取1〇g之1〇〇〇 ppmAC標準溶液、〇.5g之lOOOppmNO/標準溶液、7.0g 之1000 ppm ΡΟ/-標準溶液，並加入超純水配成，得 到含有 10 ppm AC·、5 ppm Ν03· ' 70 ppm P043·之溶液， 在相同離子層析之條件下注入至該離子層析儀m之該陰 離子管柱123，可得到如第3圖所示之一離子層析圖譜， 作為在定量分析酸根離子之前對該離子層析儀121之校 正。例如在第3圖中磷酸根、硝酸與醋酸之成分峰面積 5175·95、532·80、85 7.57 可對照換算成濃度 70 ppm、5 φ PPm、 l〇ppm。當第4圖中由第一檢樣測得磷酸根、硝酸 與醋酸之成分峰面積為5114.99、385.44、650.81，其百分 比分別為83.02°/。、6.42%、1〇.56。/〇，可計算得到其濃度分 別為69.18 ppm、3·7ΐ ppm、7 59 ppm，且上述檢測時間甚 短 了控制在達到上述自動取樣並稀釋之步驟1 〇之周期 時間内’在本實施例中，離子層析之檢測時間（即步驟21 與24所耗費之時間）係控制在 15分鐘以内。因此’能達到 線上定量分析酸根離子等反應物離子之功效。之後，所得 反應物之濃度數據係可上傳至一電腦13 1，以供該控制器 11 1296327 13 0判別。 在檢測分析第一檢樣之同時，於步驟22中，稀釋後 第一檢樣取20ul注入至該離子層析儀12ι之重金屬離子管 柱122,再於步驟25中，以離子層析法量測鋁離子等生成 物之濃度。其中一具體實施之條件可為：該重金屬離子管 柱122之管柱填充物為矽；離子交換官能基為羧基
(Carb〇Xylgr〇UP);偵測器為吸光度偵測器（3 2〇nm);溶離 液選用 20mM 酒石酸，30mM 乙二胺（ethylenediamine) (PH2.0 by adjusting Hcl〇4)，其流速為 〇 8 Μ/—;發色 液：〇·2Μ KH2P04, 〇. 1M k2HP〇4, 2g/L Tir〇n，其流速為 〇 * ml/min;溫度：管枉Μ Μ貞測器4(rc。可得到如第6 圖所不之離子層析圖譜，再以成分峰之峰高或面積計算得 知銘離子或其它金屬離子等生成物之濃度。此外，可先進 行一儀器校正之步驟，先配製一 25ppm之鋁離子（αι+3)標 準液，在相同離子層析之條件下注入至該離子層析儀⑵ 之該重金屬離子管;122，可得到如第5圖所示之一離子 層析圖4 ’作為在^量分析is離子之前對該離子層析儀 121之校正。例如在第5圖中，鋁離子之成分峰面積為 1261406-132對照於濃度2 5沖以（=。|6圖中由 稀釋後第二檢樣測得銘離子之成分峰面積為 1888476.348’ 可言+ 置傅2丨 * ^ J 口卞鼻得到其濃度為3.7428 ppm(= mg/L) 〇 再換算成在未稀釋刚之第二檢樣之紹離子濃度冑 ppm。上述離子層析之檢測時間可控制在達到上述自動取 樣並稀釋之步冑10之周期時間内，即在本實施例中，步 12 1296327 驟22與25所耗費之時間係控制在25分鐘以内，以達到 線上定量分析銘離子等生成物之功效。 此外’在檢測分析第一檢樣之同時或之後，於步驟 中，稀釋後第三檢樣取20ul注入至該離子層析儀121之其 中一陰離子管柱123,可與上述步驟21所使用的陰離子管 柱123為同一分析管柱或是不相同之分析管柱，再於步驟 26中，以離子層析法量測含鉬等廢棄、物之濃度，步驟23
會採用陰離子管柱123是由於鉬係以鉬酸根離子的型態存 在於一化學溶液。其中一具體實施之條件可為：該陰離子 皆柱123之管柱填充物為聚乙烯醇（p〇lyvinyl a〖e〇h〇i广離 子交換官能基為第4級胺（ammonium);偵測器係為電導度 偵測器；溶離液選用4‘〇 mM碳酸鈉/ 2·5 mM碳酸氫鈉， 其流速：0.8ml/min;溫度：管柱3rc，偵測器4〇艽。可 得到如第8圖所示之離子層析圖譜，再以成分峰之峰高或 面積計算得知錮酸根離子或其它廢棄物之濃度。此外，可 進行貞器;k正之步驟，先g己製—2ppm之銦酸根離子 (Mo04 )‘準液’在相同離子層析之條件下注入至該離子 層析儀121之該陰金屬離子管柱123，可得到如第7圖所 厂 離子層析圖谱，作為在定量分析鉬酸根離子之前對 該離子層析儀121之校正。例如在第7圖卜鉬酸根離子 之成分峰面積為49998.35G對照於濃度2 q ppm卜拳）。 田第8圖中由稀釋後第三檢樣測得翻酸根離子之成分峰面 、為37872.500，可計算得到其濃度為沖㈤卜 难）°再換算成在未稀釋前之第三檢樣之㈣根離子濃 13 1296327 51.5 ppm ’並可換算得知銦（M。）的含量。上述離子 :析之檢測時間可控制在達到上述自動取樣並稀釋之步 ” 1〇之周期時間内，即在本實施例中，步驟23盥26所 耗：之時間係控財25分鐘以内，以達到線上定量分析 -夂根離子等廢棄物之功效。較佳地，在上述步驟：卜以、 23中對於第一檢樣、第二檢樣與第三檢樣的注入方式係採 用自動樣品注射閥（sample injeeti()n配合樣品迴路 (Sampleloop)，故能準確注入固定微量之檢樣。 因此，利用上述之自動取樣並稀釋之步驟ι〇與上述 之線上定量分析之步驟20可以線上監控在該作業槽2〇〇 内化學溶液之品質。在本實施例中，於步驟24、Μ與％ 所得知之酸根離子濃度、鋁離子濃度與鉬酸根離子濃度等 數據均可儲存於該電腦13卜再於步驟3〇中，由該控制器 130判別鋁離子生成物與鉬酸根離子之廢棄物是否有超出 一可容許製程參數之設定上限值，當分析得到的生成物或 廢棄離子濃度到達-上限值，則進行—警報顯示步驟Μ， 由該控制器130提供一警示訊號予一警報顯示裝置14〇， 以發出警示，以供生產線上管理人員決定是否繼續使用。 較佳地，可另進行一濃度自動調整步驟41。於步驟 40中’由該控制器13〇判別磷酸、硝酸與醋酸等任一反應 物是否介於可作業範圍内（判別作業槽内化學溶液濃度是 否於可作業範圍内），若「是」則於步驟5〇中結束該周期 之線上檢測’若「否」表示反應物已被消耗或是稀釋至低 於一下限界定值，故在步驟41中，依據分析得到的離子 1296327 濃度’由該控制器130提供一補料訊號予濃度自動調整裝 置1 50 ’以自動補充化學溶液所需使用之藥劑（如磷酸、硝 . 酸與醋酸）至該作業槽200，其中磷酸係經由第一送液泵 1 5 1補充至該作業槽2〇〇，硝酸係經由第二送液泵丨52補 充至該作業槽200，醋酸係經由第三送液泵153補充至該 作業槽200。另，在下一次的周期時間開始，可重覆執行 上述之自動取樣並稀釋之步驟1〇與線上定量分析之步驟 20 〇 因此’本發明之化學溶液之線上監控方法係能線上監 控在一作業槽200内化學溶液之品質，以達到良好蝕刻或 電鍍效果。此外，本發明係選用铭飿刻液作為一化學溶 液並配合上述具體實施例加以說明，並非用以限制本發 月之化學/谷液之種類’本發明亦可運用於其它化學溶液， 例如晶圓蝕刻製程採用之矽蝕刻液，其係為hn〇3_hf系 、先並添加有例如酷駿（Acetic扣⑷之緩衝劑（以 _ Modifier)，其目的在於除去晶圓於先前各步驟製程機械加 工所造成之損傷，同時獲得一乾淨且光亮之表面，其反應 機構為：
Si + 4HN〇3 Si02 + 4N02 f + 2H2〇 Si〇2 + 6HF H2SiF6 + 2H2〇 故可知其反應物為HN〇3與HF，生成物為H2SiF6與 2利用本發明之自動取樣並稀釋之步驟1 〇與線上定量 析之γ驟20即可於製程中量測HN〇3、HF、H2SiF6的濃 度，可判別並計算得應添加適量HN〇3、HF之補充量至作 15 1296327 業槽以及生成物濃度是否到達一上限值，故對於其它姓刻 液與電鍍液均可達到線上監控其品質之功效。 本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定 者為準，任何熟知此項技藝者，在不脫離本發明之精神和 範圍内所作之任何變化與修改，均屬於本發明之保護範 圍。 、 【圖式簡單說明】 第1圖：依據本發明之一具體實施例，一種化學溶液之線 上監控方法之方塊流程圖。 第2圖：依據本發明之一具體實施例，—種化學溶液之線 上監控系統之裝置概略示意圖。 第3圖：依據本發明之一具體實施例，—標準化學溶液顯 不其内含多種酸根離子之波峰之離子層析圖譜。 第4圖：依據本發明之一具體實施例，針對一製程中化學 溶液之已稀釋第一檢樣顯示其酸根離子之波峰 之離子層析圖譜。 固 ·々、干1 第6圖 第7圖 顯示其鋁離子之波峰之離子層析圖譜。 依據本發明之一具體實施例，針對一製程中外 溶液之已稀釋第二檢樣顯示其鉋離子之波嗜 離子層析圖譜。 依據本發明之一具體實施例，一 、 铩準鉬酸根萄 溶液顯示其銦酸根離子之波峰之 子層析圖章 依據本發明之一具體實施例，斜 τ對一製程中☆ 16 1296327 溶液之已稀釋第三檢樣顯示其鉬酸根離子之波 峰之離子層析圖譜。 【主要元件符號說明】 ίο 自動取樣並稀釋之步驟 11 開始 12 取得第一檢樣 13 取得第二檢樣 14 取得第三檢樣 15 稀釋處理 16 稀釋處理 17 稀釋處理 20 線上定量分析之步驟 21 注入至一離子層析儀之陰離子管柱 22 注入至一離子層析儀之重金屬離子管柱 23 注入至一離子層析儀之陰離子管柱 24 量測酸根離子濃度 25 量測金屬離子濃度 26 量測鉬酸根離子濃度 30 判別生成物或廢棄離子是否到達一上限值 31 發出警示 40 判別作業槽内化學溶液濃度是否於可作業範圍内 41 自動調整作業槽内濃度 50 結束 121離子層析儀 123陰離子管柱 110自動取樣並稀釋裝置 120線上定量分析裝置 122重金屬離子管柱 130控制器 131電腦 17 1296327 140警報顯示裝置 150濃度自動調整裝置 151第一送液泵 152第二送液泵 153第三送液泵 200作業槽
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