TWI288823B - Method and apparatus for detecting a parameter of a detected object - Google Patents

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1288823 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於檢測具有雙折射特性之檢測對象之參數 (尤其是檢測對象之液晶層之滯留及厚度）之檢測對象之泉 數檢測方法及檢測裝置。 【先前技術】 作為構成液晶顯示裝置之液晶顯示元件（以下稱「液晶 胞」）’通常使用液晶分子之長轴方向定向於大致平行於 基板面之方向之液晶胞。作為此種液晶胞，已知有扭轉向 列型（Twmed Nematic ; TN)之液晶胞、超扭轉向列型 (Super Twisted Nematic ; STN)之液晶胞、IPS 型（In_Plane

Switching ;面内轉換）之液晶胞。又，也使用液晶分子之 長軸方向定向於大致平行於基板面之法線之方向，即定向 於大致垂直於基板面之方向之（Vertical Alignment ; va ; 垂直定向）液晶胞（以下稱「VA胞」）。VA胞因具有高對比 與寬視角，故廣泛使用於液晶電視及液晶監視器等。 液晶胞之顯示性能大幅依存於液晶胞之液晶層之厚度。 因此，液晶胞之液晶層之厚度之管理相當重要。 在此，液晶胞之液晶層之滯留係以液晶層之厚度與雙折 射率之積表示’因&，液晶胞之液晶層之厚度可利用：測 液晶層之滞留’將所檢測之液晶層之滯留除以雙折射率加 以檢測。 液曰曰刀子之長軸方向定向於大致平行於基板面之方向之 液晶胞之液晶層之滞留可利用使光入射於垂直於液晶胞之 104195.doc 1288823 基板面’藉分析穿透液晶胞之光之偏光狀態而加以檢測。 但，VA胞之液晶分子之長軸方向定向於大致垂直於基 板面之方向，因此，使光垂直地入射於VA胞之基板面之 情形，液晶分子在光學上會執行各向同性動作，故穿透 V A胞之光之偏光狀態不會變化。也就是說，不能使用使 光垂直地入射於VA胞之基板面之方法。 因此’有人提出使光傾斜地入射於VA胞之基板面，並 分析穿透VA胞之光之偏光狀態，以檢測VA胞之液晶層之 厚度之方法。此方法揭示於「Hiap Liew Ong，實用物理 學雜誌第71卷1號，1992年，U0頁〜i44頁」（參考文獻 1)、「Hiap Liew Ong，實用物理學雜誌第7〇卷4號，1991 年，2〇23頁〜2〇30頁」（參考文獻2)、「國際公開第w〇 01/〇22〇29號公報」（參考文獻3)。 例如，在芩考文獻1所揭示之方法中，使用依照發光裝 置、偏光器、檢偏光器、檢測裝置之順序配置各元件之測 定裝置。檢測檢測對象之滞留時，首先，將檢測對象配置 於偏光器與檢偏光器間，其次，將檢測對象之滯後相軸設 疋於對偏光之穿透軸方向成45。之角度。在此狀態下， 將偏光器之穿透軸方向與檢偏光器之穿透軸方向設定為平 行，而測定穿透光強度（檢測裝置之檢測信號）Ιρη。又， 將偏光器之穿透軸方向與檢偏光器之穿透軸方向設定為正 父而測疋牙透光強度Icross。而，利用所測定之穿透光強 度1 para、Icr〇sA [式1]，算出檢測對象之滯留R。 [數 13] 104195.doc 1288823 an

iR

[式1] [發明所欲解決之問題] 使光線入射於平行於液晶胞之基板面之法線，即垂直於 液晶胞之基板面之情形，在界面（例如空氣-玻璃界面）之光 之穿透率不會因入射光之偏光方向而變化。即，不會發生 穿透率之偏光方向依存性。

但在使光線傾斜入射於液晶胞之基板面之情形，在界面 之光之牙透率則會因入射光之偏光方向而變化。即，會發 生牙透率之偏光方向依存性。 使用使光線傾斜入射於VA胞之基板面之方法檢測VA胞 之液曰曰層之滯留之情形，為提高胞之液晶層之滯留之 檢測：度：有必要考慮穿透率之偏光方向依存性。

在刖述芩考文獻1所揭示之方法中，因未考慮穿透率之 偏光方向依存性，故不能正確檢H日日層之滯留，因此， 也不能正確檢測液晶層之厚度。 在則述參考文獻1所揭示之方法中，使用正常光折

射率與異常光折射率之平均值作為雙折射率。但，平均值 為近似值，依昭炎I “、、$文獻1所揭示之方法，不能正確檢測 出液晶層之厚度。 又，在前述參考 率之偏光方向依存 率。在此，在實際 器、透明電極等。 文獻2所揭示之方法中，雖有考慮穿透 性’但只考慮在空氣-玻璃界面之穿透 之液晶胞中，設有玻璃基板、彩色濾光 因此’為瞭解液晶胞之穿透率，有必要 104l95.doc 1288823 逼液晶胞之所有構件之穿透， ^ 以㈣會_成之際之條件而變化 件之穿透率。且測定所製™^ 矛之古 相备困難。因此，使用前述參考文獻2所揭 ^法之情形，也不能正確檢測液晶層之滯留。 存文獻3中’揭示不考慮穿透率之偏光方向依

収晶層之滞留之方法。但前述參考文獻 揭:之方法係以測定穿透光強度之位置之光之穿透率 二為則* ’因此，滯留分布於測定區域内之情形，即不 能正確檢測液晶層之滯留。 本I月之目的在於提供可簡單而正確地檢測檢測 對象之滞留及厚度等之參數之檢測對象之參數檢測方法及 檢測裝置。 【發明内容】 第1發明係對應於請求項1所載之檢測對象之參數檢測方 法0 在本發明之檢測對象之參數檢測方法中，將入射於檢測 對象之直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈0。之方向， 將榀偏光裔之穿透軸方向設定於對入射面呈任意角度⑺0之 方向。而，在此狀態，測定穿透光強度I((〇G，〇。）。又，將 入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈 90之方向’將檢偏光器之穿透軸方向設定於對入射面呈 任意角度ω〇之方向。而，在此狀態，測定穿透光強度1(_， 90。）。 104195.doc 1288823 其次，利用所測定之穿透光強度Ι(ω〇5 Ο。）、Ι(ω〇, 90。）與 以下之式算出其比r ·· [數Μ] r = I (ω〇, 9 0。） ~ϊ (ω〇, 0°) 其次’將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於 對入射面呈任意角度α之方向，將檢偏光器之穿透軸方向 設定於對入射面呈任意角度ω之方向。而，在此狀態，測 定穷透光強度Ι(ω，α)。牙透光強度ι(ω，α)係對相異之至少2 種以上之（ω，α)之組合加以測定。 而，利用所測定之至少2種以上之穿透光強度1((〇，α)與 以下之式檢測檢測對象之滯留R : [數！5] 1 (ω, a) = Ι〇·Τρ cos2w.c〇s2a + r·c o 12ω0· s i η2ω·s i η2α -co ίω〇.δ in2w.s in2a.c os

f2 n T

R 在此，I〇為被檢偏光器之穿透率所規格化之入射光之強 度。λ為入射光之波長。 本發明適合於使用於使光绫倆私 文尤踝彳員斜入射於檢測對象之基板 面，利用穿透檢測對象之光之強择 J豕心尤之強度，檢測檢測對象之參數 (檢測對象之液晶層之滯留及厚度）之情形。 檢測對象係包含VA胞等具有雙折射特性之元件。 104195.doc •10- 1288823 入射面J係包含入射光之入射方向與檢測對象之法線 之面。 第2¾明係對應於請求項2所載之檢測對象之參數檢測方 法。 在本發明之檢測對象之參數檢測方法中，將人射於檢測 十象之直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈任意角度(X。 P將仏偏光裔之穿透軸方向設定於對入射面呈0。之 方向。而’在此狀態，測定穿透光強度1(〇。，心卜又，將 入：於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈 任心角度(X。之方向，將檢偏光器之穿透軸方向設定於對入 射面呈9G之方向。而’在此狀態，測定穿透光強度1(90。， α〇)。 ， 而，利用所測定之穿透光強度Ι(0。，α〇)、Ι(90。，α〇)與以 下之式算出其比r: [數 16] r = 1 ^ α〇) Ι(0ο，α0) 其次，將檢偏光器之穿透軸方向設定於對入射面呈任意 角度ω之方向，將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向 σ又疋於對入射面呈任意角度α之方向，而，在此狀態，測 疋牙透光強度Ι(ω，α)。此穿透光強度ι(ω，α)係對相異之至 少2種以上之（〇)，α)之組合加以測定。 而，利用所測定之至少2種以上之穿透光強度1((〇, α)與 以下之式檢測檢測對象之滞留R ·· 104195.doc -11- 1288823 [數 17] (①，α) Ιο · Τ】 c ο s2co· c 〇 s2a + r.cot2a〇.s in ω· s i n: a 2

法 V? •C〇t〇J〇.siri9,、 . /0

1η2ω·8 in2a.c〇sr2^R 第3發明係對應於請求項3所載之檢測對 象之參數檢測方 本I月之才双測董子象之參數檢測方法中，另夺入射於檢測 對象之直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈任意角度… 之方向，將檢偏光器之穿透軸方向設定於對入射面呈任意 角度co之方向。而’在此狀態，測定穿透光強度ι(ω，％)。 此牙透光強度Ι(ω，％)之測定係對相異之至少3種以上之％ 執行。

而’利用所測定之至少3種以上之穿透光強度%)與 以下之式算出變數A，B，C : [數 18] I (ω, a ι) =a c〇s tti+B· s n2〇M + C- s i n2 a i 其次’利用算出之變數A，B，C與以下之式檢測撿消j對 象之滯留R : [數 19] 104l95.doc •12- 1288823

COS

C im 作為利用穿透光強度ϊ(ω，ai)與前述之式算出變數A， B ’ C之方法，例如可使用最小二乘法。 第4發明係對應於請求項4所載之檢測對象之參數檢測方 法。 在本發明之檢測對象之參數檢測方法中，將入射於檢測 對象之直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈任意角度q 之方向，將彳欢偏光裔之穿透軸方向設定於對入射面呈任意 角度ω之方向。而，在此狀態，測定穿透光強度1(仍 又，將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對入 射面呈角度α2(=α1 + 90。）之方向，將檢偏光器之穿透軸方向 設定於對入射面呈任意角度ω之方向。而，在此狀態，測 定穿透光強度Ι(ω5心）。又，將入射於檢測對象之直線偏光 之偏光方向設定於對入射面呈角度α3(=αι+45。）之方向，將 檢偏光為'之穿透軸方向設定於對入射面呈任意角度①之方 向。而，在此狀態，測定穿透光強度Ι(ω，α3)。 而，利用所測定之穿透光強度Ι(ω，α〇、Ι(ω，α2)、1(队 α3)與以下之式算出檢測對象之滯留r : [數 20] 104195.doc -13 - 1288823 cos Μ Μ： Μ3 \2 V \^2 c ο s 2 α ] Μι [2Πω, α 3) - (ι - t an 2 α ι) · ι (ω, α ι) *~(1 +t a η2αι) · I (ω, α 2) ] c ο s 2 α ι μ2 = [ Ι (ω，αι) + Ι (ω…)]2 Ms (2 + Sln4a1^2sin22ai) .ι (ω, α ι)

一（2 s in4ai一 2s in22ai) · I (ω, a 2) 21(①，〇5 3).sin4ai 第5發明係對應於請求項5所載之檢測對象之參數檢測方 法

在本t明之檢测對象之參數檢測方法中，將入射於檢測 對象之直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈角度…之方 向，將檢偏光器之穿透軸方向設定於對入射面呈任意角度 ω之方向。而，在此狀態，測定穿透光強度1((〇,…）。又， 將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對入射面 呈角度0^( = 0^ + 90°)之方向，將檢偏光器之穿透軸方向設定 於對入射面呈任意角度ω之方向。而，在此狀態，測定穿 透光強度Ι(ω，α2)。又，將入射於檢測對象之直線偏光之偏 光方向設定於對入射面呈角度…卜〜+丨^^之方向’將檢 偏光器之穿透軸方向設定於對入射面呈任意角度①之方 向。而，在此狀態，測定穿透光強度1((〇, α4)。 而，利用所測定之穿透光強度Ι(ω，α〇、Ι(ω，α2)、“ο， 104195.doc -14- U88823 α〇與以下之式瞀屮 式#出檢測對象之滯留R: L 數 21 ]

c O S Μ. 2 λ

R

2 · c 〇 s 2 α —[2 I (ω，α4) (1 + ΐ&η2«〇·Ι(ω, αι) M2===tl (ω, αι) (1'tan2al}. Ι(ω> α2)]〇〇52αι + 1 (ω, α 2) ]2 Μ 5 = (2

Us in22a。·Ι (ω, αι) S in4 ιη22αι). 2 1 (ω> «4).s ΐη4(ϊ1 (2 + d · ϊ (ω, α 2) 法 第6發明係對應於請求項6所載 之檢測對象之參數檢測方 • ㈣兔明之檢測對象之參數檢測方法中，將入射於檢測 象之直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈任意角度α 之方向，將檢偏光器之穿透轴方向設定於對入射面呈任音 角度COi之方向在此狀態，測定穿透光強度Ι(ω")。 此穿透光強度·，α)之測定係對相異之至少3種以上之叫 執行。 1 而，利用所測定之至少3種以上之穿透光強度恥“声 以下之式算出變數A，Β，c : [數 22] I04195.doc -15- 1288823 (ω 4 α) =α - cos2Wi+B-s ίη2ωι + 0·δ ίπ2ω} 其次，利用算出之變數A，Β，C與以下之式檢測檢測對 象之滯留R : [數 23] COS U c

U J 作為利用穿透光強度Ι(ωί，α)與前述之式算出變數A，

Β ’ c之方法，例如可使用最小二乘法。 第7發明係對應於請求項7所載之檢測對象之參數檢測方 法0 在本發明之檢測對象之參數檢測方法中，將入射於檢測 對象之直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈任意角度a 之方向，將檢偏光器之穿透軸方向設定於對入射面呈任意 角度ω]之方向。而，在此狀態，測定穿透光強度〗（①1， 。又，將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於 對入射面呈角度a之方向，將檢偏光器之穿透軸方向設定 於對入射面呈任意角度⑴卜…+列。）之方向。而，在此狀 態’測定穿透光強度Ι(ω2，a)。又，將入射於檢測對象之 直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈角度a之方向，將 檢偏光器之穿透軸方向設定於對入射面呈任意角度 ω3(=ω1+45。）之方向。而，在此狀態’心穿透光強度 ，〇〇 〇 而，利用所測^之穿透光強度Ι(ωι，α)、Ι(ω2, α)、⑽， a )與以下之式异出檢測對象之滯留R : 104195.doc 1288823 [數 24]

c 〇 S 2 π λ

R Ν2 — Ν Ν, k2 c ο s 2 ωΝ1 〜[2ΐ(ω3，α) 一 (ι — tan 2ωι) . ι (ω a) 2, a) ]2 -(l + tan2Wl).I(w2, α)]ε〇δ2ω Na===[l (ωι, α) + Ι (ω Ν; (2 + “η4ωι〜2“η22ωι) ] 一，α) (2 — s i η4 〇)卜2 s i η22 ω " · ϊ (ω 2，a) 2 I (ω 3, cu) . s i η 4 ω ι 象之參數檢測方 第8發明係對應於請求項8所載之檢測對 法0 :托項8之檢測對象之參數檢測方法中，將入射於檢測 、之直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈角度a之方 向’將檢偏光器之穿透軸方向設定於對入射面呈任意角度 ⑷之方向。而，在此狀態，測定穿透光強度Mu)。 又，將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對入 ，呈任心角度a之方向，將檢偏光器之穿透轴方向設定 於：入射面呈角度ω2(=ωι+9(Γ)之方向。而，在此狀態， 測疋牙透光強度Ι(ω2, α)。又’將入射於檢測對象之直線偏 光之偏光方向設定於對入射面呈任意角度a之方向，將檢 偏光器之穿透軸方向設定㈣人射面呈角度 104195.doc -17- 1288823 之方向。而’在此狀態，測定穿透光強度Ι(ω4, α)。 而’利用所測定之穿透光強度Ι(ωΐ5 〇〇、Ι(ω2, α)、I(c〇4, )人下之式异出檢測對象之滯留R : [數 25] COS [笋] ν4 、Ν2- ί_ Ns \ V · c ο s 2 ω ι J N 4=- ]2 I (ω4，a) — (1 +t an 2〇>ι) ^(1-tan2wi) . ι(ω2, a)]c〇s2a> ν2=[ι (ωι，α) + Ι (ω2，⑷]2 2ωι> · I (ωι, a) 2ωι) * I (ω2, a)

Ns= (2〜Μη4ωι —2sin (2 + s in4〇>i-2s in + 2 1 (ω4, a) . s i η4ωι 法 第9發明係對應於請求項9所載之檢测尉象之參數檢測方 之明之檢測對象之參數檢測方法中，依據檢測對象 w邊R异出檢測對象之厚度d。 、作為依據檢測對象之滯留轉出檢测對象之厚度」之方 法，例如，可使用檢測對象滯认 又 射率之方法。 以崎以檢測對象之雙折 象之參數檢測 方法 第10發明係對應於請求項1〇所载之檢測對 W4195.doc -18- 1288823 本發明之檢測對象之參數檢測裝置係包含發光裝置、偏 光裔、檢測對象、檢偏光器、處理裝置。 作為發光裝置，使用照射單色光之發光裝置。 偏光器及檢偏光器之穿透軸方向可以平行於光之行進方 向之軸為旋轉軸而旋轉。使偏光器或檢偏光器旋轉之驅動 裝置可利用以手動使偏光器或檢偏光器旋轉之手動式之驅 動機構或利用馬達等驅動源所構成。又，在檢測穿透光強 度之際，可利用處理裝置控制馬達等驅動源。 檢測對象係被配置成可使穿透檢偏光器之光（入射光）以 對基板面之法線傾斜之角度入射。例如，可使用將支持檢 偏光為之支持部配置成對光之入射方向傾斜之方法。戍可 使用利用驅動機構使支持檢偏光器之支持部旋轉之方法。 檢測裝置係檢測（測定）穿透檢偏光器之光強度作為穿透 光強度。 處理裝置係輸入檢測裝置所檢測（測定）之穿透光強度， 使用第1發明〜第1〇發明之方法檢測檢測對象之滞留R及厚 度d 〇 [發明之效果】 在第1發明〜第9發明之檢測對象之參數檢測方法中，有 可考慮到使光線對檢測對象傾斜入射之情形所發生之穿透 率之偏光方向依存性。因此，在使光線對檢測對象傾斜入 射之情形’也可正確地檢測檢測對象之參數。 且因不必事前掌握液晶胞之各構件之折射率及穿透率， 故處理相當簡單。 104195.doc 1288823 第==ΓΛ6發明之檢測對象之咖 得穿透光強产ΓΓ檢測對象之參數檢測方法相比，為獲 之穿、、 可將檢偏光器 向或入射光之偏光方向設定於任意方向。從 而’將檢偏光器之穿透亂古 I透軸方向或入射光之偏光方向之調整 相田谷易，可縮短作業時間。 ★在第4土月及第5發明之檢測對象之參數檢測方法中，與 第3發明之檢測對象之參數檢測方法相比，不需要算出變 數A、B、C之處理，因此，處理裝置之處理相當簡單，可 縮短檢測對象之參數之檢測時間。 在第7發明及第8發明之檢測對象之參數檢測方法中，鱼 第6發明之檢測對象之參數檢測方法相比，不需要算出變 婁 C之處理’因此，處理裝置之處理相當簡單，可 縮短檢測對象之參數之檢測時間。 可簡單而正 在第9發明之檢測對象之參數檢測方法中 確地檢測檢測對象之液晶層之厚度。 可以簡單之 在第1 〇發明之檢測對象之參數檢測方法中 構成谷易而正確地檢測檢測對象之來數。 又在第1么明〜第9發明之檢測對象之參數檢測方法及 第10發明之檢測對象之參數檢测裝置中，即使在檢測對象 之參數分布於測定區域内之情形，也可容易地檢測其分 布。 f實施方式】 \04\95.doc -20- 1288823 之實施例。 向於平行於基板面之 向定向於垂直於基板 ’說明有關檢測v A胞 鉍一面參照圖式，一面說明本發明 '下’使用液晶分子之長轴方向定 套線之方向，即，液晶分子之長軸方 面之方向之VA胞作為檢測對象。而 之參數之液晶層之滯留及厚度之情形 hVA胞之液晶層以外之部分呈現各向同性，不

开:有滞留。且即使以液晶層以外之部分作為檢測對象之情 二具有㈣之層也假定僅為—層。但在滯後相軸存在於 士面内，全體之滯留為各層之滯留之和之情形，將該 之層全部合起來視為1層。 用之檢測對象之參 又’圖2係表示圖1 首先’圖1係表示以下之實施例所使 數檢测裝置（以下稱”參數檢測裝置，，）。 所不之參數檢測裝置之座標系。 土圖1中，以紙面之左右方向為x軸（右方向為正），紙面 =上下方向為2軸（上方向為正），垂直於紙面之方向為υ軸 、氏面之背側方向為正）。而，使用以光之行進方向為平行 於z軸之方向，χ軸存在於入射面内之右手系之座標系。 又，在本專利說明書中，「入射面」係指包含入射光之 入射方向與VA胞12之基板面之法線之面。 、偏光器、檢偏光器之穿透軸方向及入射光之偏光方向係 以在xy面内之旋轉角度加以指定。此時，X軸之正 ”、、，由x軸之正方向朝向y軸之正方向之旋轉方向為正方 向0 圖1所示之參數檢測裝置係具有發光裝置10、偏光器 i04195.doc 1288823 11、VA胞12、檢偏光器1 3、檢測裝置14、處理裝置1 5。各 裝置係沿著發光裝置10所照射之光之行進方向（在圖丨中， 為z軸方向）配置。 發光裝置10係用於照射參數檢測用之單色光。發光裝置 10可利用照射單色光之光源（例如雷射）所構成。又，發光 裝置10也可利用照射一定之波長範圍之多色光之多色光源 (例如函素燈）、與將多色光單色化之單色化裝置（例如分光 器或干涉濾光器）所構成。 偏光器11係在發光裝置10所照射之光中，僅可使具有與 牙透轴方向一致之方向之偏光成分之直線偏光穿透。檢偏 光器13係在穿透¥八胞12之光中，僅可使具有與穿透軸方 向一致之方向之偏光成分之直線偏光穿透。作為偏光器u 及檢偏光器13可使用格蘭-湯姆遜稜鏡等偏光稜鏡或人造 偏光膜等偏光膜。 偏光器li及檢偏光器13係被配置成可使穿透軸方向以平 • 4于於光之行進方向(z軸方向)之軸為旋轉軸而在xy面内旋 轉。例如’以支持部支持偏光器u及檢偏光器13，利用驅 動裝置Ua及13a使支持部旋轉。驅動裝置Ua及i3a可利用 以手動使支持部旋轉之手動式之驅動機構所構成。或利用 步進馬達等驅動源使支持部旋轉之驅動機構所構成。另 :卜驢動源既可手動開關之操作予以起動，也可利用處理 裝置15自動地起動。利用處理裝置卜控制驅動源之情形， 檢測作業可自動化，故可縮短作業時間。 仏測對象12係被配置成可使人射光斜斜地人射於基板 104195.doc -22- 1288823 面 0 例士ϋ ’可將支持檢測對象12之支持部配置成對入射光 、方向傾斜之狀態。或，設置以平行於y軸（在圖i 為、、氏面之表背方向）之軸為旋轉軸而可旋轉之支持 支持部可藉驅動裝置12a，利用手動或驅動源加以驅 動。 ▽八胞12之液晶層之液晶分子定向於平行於VA胞12之基 板面之法線之情形，將VA胞12配置成如圖1所示時，液晶 • 曰之印後相軸（液晶分子之長轴方向）必定含於入射面。^八 胞12之液晶層之液晶分子對VA胞之基板面之法線傾斜之 情形’或檢測對象並非液晶胞，其分子之滯後相軸不平行 於其表面之法線之情形，以滞後相軸方向含於入射面之方 式配置檢測對象。 又’最好在驅動裝置Πa、12a、13a，設置檢測偏光器 11、檢測對象12、檢偏光器13之旋轉位置（或可判別旋轉 位置）之旋轉位置檢測器。 φ 作為檢測裝置14，可使用光電二極體或光電倍增管等可 輸出具有與入射光之強度成正比之值（例如振幅之值）之檢 測信號（測定信號）之裝置。又，檢測信號之值不與入射光 之強度成正比之情形，事先求出檢測信號之值與入射光之 強度之關係，並對檢測信號之值施行修正，使其與入射光 之強度成正比。 由發光裝置1 〇所照射之光穿透穿透軸方向對入射面向角 度α方向傾斜（設定於角度(X方向）之偏光器u時，成為具有 角度α方向之偏光成分之直線偏光。 104195.doc -23 - !288823 當穿透偏光器11之直線偏光入射於▽八胞12之基板面 日才’會分歧成s偏光與p偏光而傳播。s偏光係具有垂直於 入射面之方向之偏光成分之直線偏光。又，p偏光係具有 平仃於入射面之方向（正交於？偏光之偏光成分之方向）之偏 光成分之直線偏光。 入射於VA胞12前之直線偏光之電場向量<Eq>係以[式2]

表不。又，在本專利說明書中，使用”<：>，，作為表示向量之 符號。 [數 26]

E 〇 · c 〇 s α、 〇 · s i η 〜 = E〇.cosa(e〇P)+E〇.s .na{e〇s) [式2] 在此，E/、E〇s係s偏光及p偏光之電場之大小。匕係 射S之電場向量之大小（振幅）。<6/>及<^>係p偏光及s 光之偏光方向之單位向*。由於係在入射於则12 前，故<e〇P>及<e〇S>分別平行於χ軸及y轴。 剛通過電場後之電場向量<Ε 1：>可利用表3表厂、 [數 27] / ，t 1〇ρ·Ε t 1 〇s. Ε = t1〇'E〇p〈eip〉+t1〇s.E〇S〈eiS〉 =t i〇p.E〇p(e ip)+ t i〇s.E〇s(e〇^ [式3] 104195.doc -24- 1288823 在此，ti〇P、tl()S係對p偏光及S偏光之振幅穿透率。 由於在界面會發生折射，故<e〗p>关<e〇p>。因此，<eiP> 不再平行於X軸，但含於xz面内。另一方面， <e】s> = <e〇s>，因此，<e】s>仍一直平行於y軸。 右僅者眼於各偏光成分之大小，此通過界面後之光之電 場之振幅可利用[式4]表示： [數 28]

rti〇P 0 Λ 〔E〇p) Eis 、 ) ,〇 tl〇SJ

[式4] 在其他界面，例如在玻璃_彩色濾色片界面及透明電極_ 定向膜界面等之光之電場之變化亦可利用同樣之方法描 述。 茲假設入射側之空氣-胞最表面之界面為第1界面，考慮 第1界面之情形。在此，第丨界面係第媒質（第〇媒質為 入射側之空氣）與第i媒質之界面。 、 假設，<^>及<以> 係第i媒質中之P偏光及S偏光之偏光

方向之單位向量時，在第i媒質之電場向量<E 一 1 J利用[式 叫表不： [數 29] v ίΕ \ ρ λ 1 ^ Eis ==EiP(e iP)+EiS(e is)

\ J 、s、 [式 5] 通過第i界面後之電場向量<Ei + 1>變成[式6]: 104195.doc -25- 1288823

(E i + 1

ft i + i, iP.EiP^ v ； i + i, iS.EiSy \ J t i + i, iP.EiP(e i + ip)+ t i + i,

iS.Eis(e i + is) is · E is (e 〇s) [式6] 在此，t i ，jP、t】+ i，is係對第i界面之p偏光及s偏光之振幅 穿透率。 由於在界面會發生折射，故<ei + 1p>关<eip>。因此， <ei+1p>不再平行於X軸，但含於xz面内。另一方面， <ei + is> = <eiS>=<e〇s> 5 因此，<ei + 1s>仍一直平行於 y軸。 若僅著眼於各偏光成分之大小，此通過界面後之光之電 場之振幅可利用[式7 ]表不· [數 31] t i + i, iP-EiP(e i + ip)+ t i + i.

’E i + 1P、 rt i+i, ip.Eip^ Ei + is V J t i + 1. iS.EiS it i + i, iP 0 i + 1, YEiP^ ；Eis 八 y Π ’t j + 1, 、 0 t j +1, j

Eo (1Πt j+i j =〇

P 0

Eo 0 + 1,

V / [式7] 104195.doc -26- 1288823 [式7]僅著眼於大小，但為描述偏光狀態，也必須S偏光 與P偏光間之相對的相位差。 在此，因假想液晶層以外之部分呈現各向同性，故S偏 光與P偏光間不會發生相位差。也就是說，即使考慮到相 位差’也可利用[式7]描述光之穿透。

在液晶内，光分成正常光與異常光而傳播。但，如圖i 所示’滞後相軸存在於入射面之情形，正常光為s偏光， 即’具有垂直於入射面之方向之偏光成分之直線偏光。另 一方面，異常光為P偏光，即，具有在入射面内與S偏光之 偏光成分正交之方向之偏光成分之直線偏光。 因此，在構成VA胞12之玻璃等各種媒質中傳播來之s偏 光會照常以正常光形態在液晶内傳播。又p偏光則以異常 光形態在液晶内傳播。因此，在液晶層之界面之穿透率也 可利用與[式7]同樣之型式表示。 但，液晶層顯示各向異性，具有滯留性。即，折射率因 偏光方向而異，在正t光與異常邮偏光與p偏光）間會發 假設以液晶層為第鳴質，正常光之折射率為〜eff，異常 :之折射率為n，ff時’通過液晶層’剛入射於第。[1+1]媒1 前之光之電場向量<EI>之成分Elp、γ可利用[ 貝 [數32] 、不· 104195.doc -27- 1288823 (ΕιρΛ (e^neeii'd ο

Ο

ι-ιΡ.Ει-ιρΑ , s 口 S 1 一 1 · JC/ 1 一 1 ’ g f f , 1 1 e1 丁·ne 'nt m. / 0 j = 0 n i¥.n〇e" 0 e λ "Ε〇ρλ

s /

J

[式8] 在此，d為液晶層之厚度，λ為入射光之波長。 η/"、neeff可利用[式9]表示： [數 33] n e f f ε Χζχ-]- η e2 · η ο2 ε ζ ζ 一 ε

-X n〇eff =Vn 〇2 — X2 X = s i η Θ η〇2+ (ru2-η〇2) c ο s 2 <9 η〇2+ (ne2-n〇2) s i η20 s Θ (He — n〇)sin0.co , [式 9] ®係入射光與V A胞12之基板面之法線間之角产 :=圖1、圖〜θ_12之基板面之法線與液晶二 目軸間之角度。ne、n。係液晶材料之折射率，係電場 對平行於液晶分子之長轴方向及正交之方向之直線偏光之 折射率。 104195.doc -28- 1288823 VA胞之情形，液晶分子之長軸方向係平行地定向於^ 胞之基板面之法線（垂直於基板面），故0：=〇。。 因此，[式9]變成[式1〇] ·· [數 34] n〇ef f=VrT〇2-X2 、 [式 10] 通過液晶層之光在其後通過各向同性媒質間好幾次，最 後向VA胞12之外部，也就是說，向空氣出射。 人取 以上過程之入射光之偏光狀態之變化在假設出射光之電 場向量為<Em>(假設包含液晶層及VA胞兩 * $ " 二氣在内， 具有[m+1]層之媒質層）時，<Em>可利用[式表示· [數 35] ·

〈M

Ο ΥΕιρ> t k+ 1, kS I Ε 1 s

0 〆7C e 丁11 彳

\

E 〇 · s 〇 s a、 i n a y L八 在此，tp、ts係對P偏光及s偏光之VA胞全體之振幅穿透 率，即以[式12]表示之在各界面之振幅穿透率之積： 104195.doc -29- 1288823 I：數 36J m — ItP=n j=0 】，

+】， [式 I2J 經由穿透軸朝向角度①之方向（穿透軸對入射面傾斜角度 ⑷之檢偏光器13，以檢測裝置14檢測此出射光之強度Ι(ω， α)之情形，Ι(ω，α)可利用[式Η]表示。 又，在本專利說明書中，Ι(ω，α)係表示將入射光之偏光 方向（偏光器11之穿透軸方向）設定於距離入射面角度^之 方向，將檢偏光器13之穿透車由方向設定於距離入射面角度 ω之方向時之穿透光強度（檢剛裝置14之檢測信號）。 [數 37] U (ω, a) = f cos ω s ! n ①· c 〇 s i ηω· c o s ω sin、 叫 Emp .c〇SC0 + EmS.S inco|2 ==Ι〇[ΐρ2.〇〇82ω·ο〇82α+ΐ〇2 sin2 〈Em〉 ω · s i n2 a 2^· ts-s 1η2ω.8 in2a.c〇sl7r(neeff^^ ff)d]

I〇[Tp.cos2〇).cos 2a + T sin2 ωνδ i η2α 2 *n/T p. T s .s in2〇).s in2a.c〇 I〇[Tp.cos2co.cos2a + Ts, 2

Vtp . Ts .s in2co.s in2a.c〇s’ △ η d [式 13] 104195.doc .30- 1288823 在此，ι〇為被檢偏光器之穿透率所規格化之出射光之強 度。w, w係對Ρ偏光及s偏光之以胞12之穿透率。 △ η’係以胞12之液晶層之雙折射率。又， [R“neff · d]係VA胞12之液晶層之滞留。 液晶層之滞留R係使用檢測裳置14所檢測之穿透光強 度’可利用U13]’以液晶層之滞留R為變數而 以 算出。

[式13]係包含對p偏光及s偏光之¥八胞12之穿透率τ 丁。 因此，為使用穿透光強度，由[式13]算出？夜晶層之滞 需要此VA胞12之穿透率TP5TS之具體值。 二但，為獲得VA胞I2之穿透率Tp，Ts<具體值，有必要事 前掌握VAm2之所有構件之穿透率1際之^胞12具有 I™製之透明電極及彩色濾光器等構件。因此，為獲得μ 胞12之穿透率，有必要知道全部構件之穿透率。但，薄膜 構件之折射率等光學特性會因膜形成之際之條件而變也，、 因此，在現實上無法事前掌握各構件之穿透率。且在Μ 胞12製造後，測定VA胞12之各構件之穿透率相當困難。 在本發明中，提出不需要VA胞12之穿透率Tp, 丁$之值， 即可正確地檢測液晶層之滯留R以及液晶層之厚产d之八析 方法。

2所示之參數檢測裝置，說明檢測對 態中，為VA胞12之液晶層之滯留R 以下，利用圖1及圖 象之參數（在本實施型 及厚度d)。 [第1實施型態] 104195.doc -31 - !288823 在第1實施型態中，將對入射面之檢偏光器13之穿透軸 方向之傾斜角度ω(以下稱”檢偏光器13之穿透軸方向〇〇，，）設 定於任意角度。又，將對入射面之偏光器11之穿透軸方向 之傾斜角度α(以下稱，，偏光器11之穿透軸方向α")設定於平 行於入射面之角度（α=0。）及正交於入射面之角度（α==：9())。 在各狀態測定穿透光強度。而，利用所測定之穿透光強度 之比r，檢測VA胞12(檢測對象）之參數。

將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於任意角度叫之方向 (朝向角度ω0之方向）。又，將偏光器u之穿透軸方向α設定 於〇之方向（朝向角度〇。之方向）。此時之穿透光強度（檢測 裝置丨4之檢測信號）為I(coG，〇。）。 將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於前述任意角度叫之 方向。又，將偏光器11之穿透軸方向α設定於9〇。之方向。 此時之穿透光強度為Ι(ω〇, 9〇。）。

而，利用穿透光強度Ι(ω0, 〇。）、Ι(ω。，％ 其比r : )與[式14]算出 [數 38] (ω〇,9 0°) Μω〇,〇°) 將偏光fill之穿透軸方向之方向設^ ’ 光器13之穿透軸方向設定於角度①之 -α ’將檢偏 Κω,α)可利用[式M]之比r而以[式〗5]表示·、之穿透光強度 [數 39] 104195.doc •32- 1288823 (ω，α) = I〇 · Tp c〇s2w.c〇s2a ω· s i η2α + r . c ο 12ωο·s i η -|VF .cotwo.s in2w.s in2a.c〇 π 一 I _Λ

R

[式 15]

對偏光器11之穿透轴方向α與檢偏光器丨3之穿透軸方向① 之至少其一相異之至少2種以上之①與α之組合（對相異之1至 少2種以上之0〇與〇1之組合）（ω，α)之穿透光強度之比，例 如’牙透光強度Ι(ω!，〇h)與穿透光強度〗（ω2，a!)之比可以 [式16]表示。穿透光強度ι(ω〗，係對任意角度〜與任意角 度001之組合（ω】，α】）之穿透光強度。穿透光強度1(〇〇2，α2)係 對任意角度α2與任意角度c〇2之組合（〇〇2, α2)之穿透光強度。 [數 40] I (ωι，αι) ^ρ} Πω2, 〇2) Ρΐ=〇〇δ2ωι.〇〇δ2αι+Γ.〇〇ί2ω〇 8 ίη2ωι δ in2ai +2^ -cotcoo.s in2c〇i.s in2ai.cos (*^Rj P2=COs2c〇2.c〇s2o;2+r.cot2co〇.s in2〇)2.s in2〇J2 +乏^ .cotcoo.s in2c〇2.s in2a2.cos〔^^R) [式 16] 104195.doc -33 - 1288823 又，作為選擇（ω，α)相異之組合之方法，可使用選擇僅〇 相異之組合之方法。例如，可選擇（ω】，α〗）之組合與（仍】. Μ)之組合。或，可使用選擇僅ω相異之組合之方法。例 如’可選擇（ωΐ5 αι)之組合與（c〇2，αι)之組合。當然，可使 用遥擇α及ω雙方相異之組合之方法。例如，可選擇（①1 α】）之組合與（〇2, α2)之組合。 [式1 6]並未包含VA胞12之液晶層之穿透率τρ、ts，且 …、Μ，ω〇、ωι、％為已知，入射光之波長亦為已知。 即，在[式16]中，變數僅為\^八胞12之液晶層之滯留尺。 因此，可利用檢測裝置14測定1(叫，α】）與Ι((〇2, α2)，可利 用所測定之Ι(ωι，與I(c〇2, ，由[式16]算出卩八胞12之液 晶層之滯留R。 又晶層之滞留R=Anw· d]e在此，液晶層之雙折射 率Δη如[式9]、[式10]所示，係以對液晶層之正常光之正 常光折射率η。與對異常光之異常光折射率〜表示。 因此將由[式16]异出之VA胞12之液晶層之滯留R除以 VA胞12之液晶層之雙折射率，即可算出乂八胞丨2之液 晶層之厚度d。 以上，利用[式I4]算出比r之值。但，將[式14]之r代入 [式15]或[式16]中之以夺，即無必要算出『之值。 又，[式15]中之未知之變數為滯留R與係數l · %。因 此’對①或。1之至少其-相異之至少2種以上之ω與α之組合 (〇°’ α)/則疋穿透光強度Ι(ω，α)，將所測定之穿透光強度Ι(ω， 〇0與[式15]所算出之值作比較，即可算出液晶層之滞留 104195.doc -34- 1288823 R。作為比較法’例如可使用最小二乘法。 以下，說明本實施例之參數檢測方法。 (步驟1) 將VA胞12配設於圖1所示之參數檢測裝置。此時，以使 VA胞12之基板面之法線方向對入射光之入射方向傾斜角 度Θ方式，配設VA胞12。 例如，將VA胞12配設於圖丨所示之參數檢測裝置之支持 部（省略圖示）。而，利用驅動裝置丨2a，以平行於y軸之軸 作為旋轉軸而使支持軸旋轉，將入射光之入射方向（z轴方 向）與VA胞12之基板面之法線方向間之角度設定為@。 或’將將V A胞12配設於對入射光之入射方向傾斜角度0 之支持部。此情形，可省略驅動裝置丨2a。 (步驟2) 將檢偏光器13之穿透軸方向①設定於任意角度ω〇之方 向。在此狀態下，將偏光器11之穿透軸方向設定於〇。之方 向。而測定穿透光強度Ρ(ωϋ，〇。）。又，偏光器^之穿透軸 方向α設定於9〇。之方向。而測定穿透光強度ιΠ1(ω()，9(Γ)。 例如，利用驅動裝置13a，以平行於冗軸（光之行進方向） 之轴作為旋轉軸而在xy面内使檢偏光器13旋轉，將檢偏光 斋丨3之穿透軸方向①設定於任意角度ω〇之方向。在此狀態 下利用驅動裝置11 a，以平行於ζ軸（光之行進方向）之軸 作為旋轉軸而在xy面内使偏光器11旋轉，將偏光器i丨之穿 透轴方向α設定於〇。之方向。此時之檢測裝置14之檢測信 為牙透光強度ιηΧω〇，0。）。又，藉驅動裝置1 la使偏光器 1〇4l95.doc -35- 1288823 η旋轉，將偏光器丨丨之穿透軸方向α設定於9〇。之方向。此 時之檢測裝置14之檢測信號為穿透光強度im(%，9〇。）。 (步驟3) 利用步驟2所測定之穿透光強度im(，0。）與1〇1(，㈧ °)，由[式17]算出比r : [數 41] r =lm(co〇,9 0, ^Γ(ω〇7〇°) [式 17]

(步驟4) 將偏光器11之穿透軸方向α設定於任意角度α】之方向， 並將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於任意角度①]之方 向。而測定穿透光強度Ρ(ω]，αι)。又，將偏光器u之穿透 軸方向ou又疋於任意角度心之方向，並將檢偏光器丨3之穿 透軸方向ω設定於任意角度叱之方向。而測定穿透光強度 1 (ω2, α2)。又’只要滿足[α】★ α〗]或[⑺】；2]之至少其一即 可。 例如’利用驅動裝置11 a，使偏光器11旋轉，將偏光器 Π之穿透軸方向α設定於任意角度⑴之方向。在此狀態 下，利用驅動裝置13a，使檢偏光器13旋轉，將檢偏光器 13之穿透轴方向°°設定於任意角度ω】之方向。而，此時之 檢測裝置14之檢測信號為穿透光強度im(〇)i，α】）。又，利用 驅動裝置1 la，使偏光器11旋轉，將偏光器11之穿透軸方 向α設定於任意角度“之方向。在此狀態下，利用驅動裝 置13a ’使檢偏光器13旋轉，將檢偏光器13之穿透軸方向⑺ ]〇4195.^ • 36 - 1288823 設定於任意角度c〇2之方向。而，此時之檢測袭置14之檢測 信號為穿透光強度Im(co2, α2)。 (步驟5) 利用步驟4所測定之穿透光強度α2)， 由[式18]算出VA胞12之液晶層之滯留R : [數 42]

Im (ω 1，α 1) _ Ρ1 Γ1 (0)2，（Ϊ2) Ρ2 ί Pi=cos2〇)i.cos2ai+r.cot2a>〇.sin2mi 2 ⑴ι · s ι αι +2 石· c 0 t ω〇 · s i η 2 ωι · s i η 2 αι · c 〇 V λ > P2=cos2a)2-cos2a2+r.cot2co〇.s in2c〇2.s in2a2 +去 VF .cotcoo.s in2c〇2.s in2a2.c〇 sf2jrR> [式 18] (步驟6) 欲鼻出V A胞12之液晶層之厚度d之情形，將步驟$所曾 出之VA胞12之液晶層之滯留R除以液晶層乏雙折射率 Aneff( = neeff-n()eff)(參照[式 9]、[式 10])。 以上，利用對ω、a之至少其一相異之至少2種以上之ω 與a之組合（ω，a)之穿透光強度’可由[式15]及[式16]算出 VA胞之液晶層之滯留R。在此，也可利用比[式丨5 ]及[式 1 6]簡單之式算出液晶層之滯留R。 104195.doc -37- 1288823 以下’汍明可利用簡單之式檢測液晶層之滯留R之檢測 方法。 首先’利用[式14]算出之比哨[式19]算出角度 [數 43] 了= t a 1^Γ^^2ω〇 ., [式 19]

，將偏光器11之穿透軸方向α設定於[式19]所算出之 角度Ύ之方向，並將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於任意 角度之方向時之穿透光強度Ι(ω，γ)可利用[式2〇]表示：“ [數 44] (ω, r) TVf Ts 1 + s in2co.c〇s

R

[式 20]

因此’穿透光強度Ι(ωι，γ)與穿透光強度Ι(ω2, γ)之比可 利用[式2 1 ]表不。又，穿透光強灰如卜丫）係將偏光器^ ^之 穿透軸方向α設定於角度γ之方向，並將檢偏光器13之穿透 軸方向ω設定於角度ωι之方向時之穿透光強度。又，穿透 光強度I(c〇2, γ)係將偏光器η之穿透軸方向α設定於角度丫之 方向，並將檢偏光器丨3之穿透軸方向①設定於角度ω2(_ °°1)之方向時之穿透光強度。 [數 45] 1 + s in2c〇i.c〇s La_j l + s in2i〇2.cosf2 Π^ΐΤ) [式 21] 104195.doc -38- 1288823 又將檢偏光益1 3之穿透軸方向ω設定於[式19]所算出 之角度丫之方向，並將偏光器U之穿透軸方向α設定於=意 角度之方向時之穿透光強度Ι(γ，α)可利用[式22]表示： [數 46] (r, a) -l p · I s

Tp + Ts 1 + S i n 2 a cos ΐ>：

[式 22] 因此，穿透光強度Ι(γ，ai)與穿透光強度Ι(γ, a2)之比可利 :[式23]表示。又，穿透光強度Ι(γ，a〇係將檢偏光器此 牙透軸方向ω設定於角度γ之方向’並將偏光器此穿透軸 方向a設定於角度αι之方向時之穿透光強度。X，穿透光 強度1(7,《2)係將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於角度γ之 方向’並將偏之穿透車由方向〇設定於角度“矣^之 方向時之穿透光強度。 [數 47] (r,a ι) (r，a2) 1 + s in2ai.cos 1 Λ J l + sin2a2.cos ‘ λ Λ [式 23] 因此’可利用在將偏光器n之穿透軸方向a設定於[式工 所算出之角度γ之方向之狀態下，將檢偏光器此穿透軸 方向ω設定於相異之至少2個以上之任意角度之方向時之穿 透光強度，或在將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於[式 19]所具出之角度γ之方向之狀態下’將偏光器11之穿透軸 方向a設定於相異之至少2個以上之任意角度之方向時之穿 104195.doc -39- 1288823 透光強度’使用比[式15]及[式刚略之[式2q]〜U23]算 出液晶層之滯留R。 實施型態中’有考慮到使光斜斜入射於从胞12之 情形之VA胞12之穿透率Tp、Ts。因此，即使以胞12之穿 透率有偏光依存性之情形（m)，亦可正確地算出^胞 之液晶層之滞留R及厚度d。 又，由[式16]及[式21]或[式23]也可明悉；在第i實施型 .悲中，不需要此等穿透率Tp、Ts之值，即可檢測_包12之 液晶層之滞留R及厚度d。因此，可簡單而正確地檢測乂八 胞12之液晶層之滯留r及厚度d。 [第2實施型態] 表示將偏光器之穿透軸方向設定於角度α之方向，將檢 偏光為之牙透軸方向設定於角度①之方向時之穿透光強度 之[式13]即使更換(^與①，亦完全不會發生變化。即，可將 第1實施型態所說明之偏光器置換成檢偏光器，將檢偏光 I '置換成偏光器。 在第2貫施型態中，在將偏光器丨i之穿透軸方向α設定於 任意角度之方向，將檢偏光器13之穿透軸方向①設定於平 行於入射面之方向（〇)==0。）及正交於入射面之方向（ω = 9〇。）， 分別測定穿透光強度。而利用測定之穿透光強度之比r， 檢測VA胞12(檢測對象）之參數。 將偏光器11之穿透軸方向aS定於任意角度α〇之方向， 並將檢偏光器13之穿透軸方向①設定於〇。之方向。而，測 定穿透光強度1(0 °，aG)。又，將偏光器丨丨之穿透軸方向a 104195.doc -40^ 1288823 設定於任意角度α〇之方向，並將檢偏光器13之穿透軸方向 °°设定於90之方向。而，測定穿透光強度1(90。，α0)。 而，利用穿透光強度1(0。，，α〇)，由[式24]算 出其比r : [數 48]

r=U^9l^A I (〇°, a〇) [式 24]

將偏光器11之穿透軸方向α設定於任意角度α，並將檢偏 光器13之穿透軸方向ω設定於角度之方向時之穿透光強度 Ι(ω，α)可利用[式24]之比r而以[式25]表示： [數 49] + r.c〇 t2a〇.s in2c〇.s in2a +2^ -cotao.s in2w-s in2a.c〇 sf—r)

L Λ I

[式 25] 在此，對偏光益11之穿透轴方向a與檢偏光器13之穿透 軸方向ω之至少其一相異之至少2種以上之a與ω之組合（對 相，、之至夕、2種以上之01與（0之組合）（ω，α)之穿透光強度之 比，例如穿透光強度Ι(ω,，αι)與穿透光強度Ι(ω2, α2)之比可 以[式26]表示。又，穿透光強度Ι(ω]，αι)係對偏光器丨丨之 穿透軸方向αι與檢偏光器13之穿透軸方向叫之組合（⑷，…） 104195.doc 41 1288823 之穿透光強度。又，穿透光強度Ι(ω2，α2)係對偏光器11之 穿透軸方向h與檢偏光器13之穿透軸方向ω2之組合（(〇2，α2) 之穿透光強度。 [數 50] I (ωι，αι) =Qa I (ω2, a 2) a〇.s in2c〇i.s in2a Q^cos^i.cos^i+r.cot

2 ^ ·c o t a〇·S i n 2c〇i.s in2o；i.c〇s

(2 7t T

R ω2 · s i η2 a 2 Q2=cos2w2.cos2a2+r .co t2a〇.s i n +去 VF · c o t a〇. s in 2c〇2.s in2a2.cos [式 26] 又，作為選擇（ω，a)相異之組合之方法，可使用選擇僅〇^ 相異之組合之方法。例如，可選擇（ω〗，a〗）之組合與Μ〗， 之組合。或，可使用選擇僅ω相異之組合之方法。例 如，可選擇（ω】，αι)之組合與（〇〇2, α])之組合。當然，可使 用：^擇a及ω雙方相異之組合之方法。例如，可選擇（①】， a 1 )之組合與（ω 2，ω 2 )之組合。 、:式26]與[式16]同樣地，並未包含从胞12之液晶層之穿 透率Tp、Ts，因此，在[式26]中，變數僅為VA胞U之液晶 層之滯留R。 因此’可利用檢測裝置14檢測^㈨與⑽’⑹’並利 用所測定之Ι(ωι，州與Ι(ω2, a2) ’由[式26]算出_ 12之液 104195.doc -42· 1288823 晶層之滞留R。

又將由[式26]算出之VA胞12之液晶層之滯留R除以VA 胞12之液晶層之雙折射率，即可算出胞以之液晶層 之厚度d。 、上利用[式24]异出比r之值。但，將[式24]之r代入 [式25]或[式26]中之r時，即無必要算出^之值。 又，[式25]中之未知之變數為滞留R與係數1〇 · %。因 此’對ω或α之至少其一相異之至少2種以上之①與&之組合 (ω，α)測定穿透光強度1((〇，α)，將所測定之穿透光強度1(〇)， α)與[式25]所算出之值作比較，即可算出液晶層之滯留 R。作為比較法，例如可使用最小二乘法。 以下，說明本實施例之步驟。 (步驟1) 將V Α胞12配設於圖1所示之參數檢測裝置。此時，以使 VA胞12之基板面之法線方向對入射光之入射方向傾斜角 度Θ方式，配設VA胞12。 (步驟2) 將偏光器11之牙透軸方向α設定於任意角度α〇之方向。 在此狀態下’將檢偏光器1 3之穿透軸方向ω設定於0。之方 向，測定穿透光強度Im(〇。，α〇)。又，將檢偏光器13之穿 透軸方向ω設定於90°之方向，測定穿透光強度ιηι(9〇。， α〇)。 (步驟3) 利用步驟2所測定之穿透光強度Im(〇。，α〇)、im(9〇。， 104195.doc -43 - 1288823 α〇) ’由[式27]算出比r ·· [數 51] r===I^[9〇°, g〇) a〇) [式 27] (步驟4) 將偏光器11之穿透軸方向以史 心、任忍角度α1之方向， 並將檢偏光器1 3之穿透軸方向 ^ 心平田万向ω设定於任意角度ωι之方

向。而測定穿透光強度im(C〇h αι)。又，將偏光器u之穿透 軸方向α設定於任意角度〜之方向，並將檢偏光器！3之穿 透軸方向ω設定於任意角度〇〇2之方向·。而測定穿透光強度 Ι〇1(ω2，α2)。又，只要滿足[α]美α2]或[ω〗关ω2]之至少其一即 可。 (步驟5) 利用步驟4所測定之穿透光強度Ι'ωι，αι)與1 (ω2’ α2) 由[式28]算出VA胞12之液晶層之滯留R : [數 52] I (ωι，a ι) _ Qi Im (0)2，QJ2) Q2 2

Qi=c〇s2c〇i.cos2〇Ji+r.cot2a〇.s in s in +iVr .cota〇-s ίη2ωι·3 in2ffi-c〇 S|"T'R> • 2 Q2=c〇s2〇)2-cos2〇J2+r-cot2Q{〇-sirl ^2 f2 %、 +臺 VF .cota〇_s in2c〇2.s in2〇^.c〇s、入' 104195.doc -44- 1288823 [式 28] (步驟6) 欲算出VA胞12之液晶層之厚度4之情形，將步驟5所算 出之乂八胞12之液晶層之滯留以除以液晶胞之液晶層之雙折 _ 射率 。 以上，利用對〇〇、α之至少其一相異之至少2種以上之① 與α之組合（ω，α)之穿透光強度，可由[式25]及[式26]算出 • VA胞之液晶層之滞留R。在此，也可利用比[式25]及[式 2 6 ]簡單之式算出液晶層之滞留r。 以下’說明可利用簡單之式檢測液晶層之滞留R之檢測 方法。 首先，利用[式24]算出之比1«與[式29]算出角度7。 [數 53] r~ t a π2 α〇 [式 29] • 在此，將偏光器11之穿透軸方向α設定於[式29]所算岀之 角度γ之方向，並將檢偏光器13之穿透軸方向①設定於任意 角度之方向時之穿透光強度Ι(ω，γ)可利用[式22]表示。 因此，將偏光器1 1之穿透軸方向以設定於角度丫之方向， 並將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於角度叫之方向時之 穿透光強度1(00】，γ)、與將偏光器u之穿透輛方向以設定於 角度γ之方向，並將檢偏光器13之穿透軸方向①設定於任音 角度c〇2(表ωι)之方向時之穿透光強度Ι(〇〇2, γ)之比可利用2 1 9 ]加以表示。 104195.doc -45- 1288823 又，將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於角度方向， 並將偏光器Π之穿透軸方向α設定於任意角度之方向時 穿透光強度Ι(γ5 α)可利用[式20]加以表示。 因此，將檢偏光裔1 3之穿透軸方向ω設定於角度γ之方 向，並將偏光益11之穿透軸方向α設定於角度…之方向時 之穿透光強度Ι(γ，…）、與將檢偏光器13之穿透軸方向①設 定於角度γ之方向，並將偏光器U之穿透軸方向α設定於= • 度α2(#α〗）之方向時之穿透光強度ι(γ，之比可利用'[式 2 3 ]加以表示。 如此，可利用在將偏光器丨丨之穿透軸方向α設定於[式α] 所算出之角度γ之方向之狀態下，將檢偏光器13之穿透軸 方向ω設定於相異之至少2個以上之任意角度之方向時之穿 透光強度，或在將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於[式 29]所算出之角度γ之方向之狀態下’將偏光器“之穿透轴 方向α設定於相異之至少2個以上之任意角度之方向時之穿 _ 透光強度’使用比[式25]及[式26]簡略之[式2〇】〜[式23]算 出液晶層之滯留R。 在第2實施型態中，肖第】實施型態同樣地，有考慮到使 光斜斜入射於VA胞12之情形之VA胞〗2之穿透率Tp^Ts。 因此，即使VA胞12之穿透率有偏光依存性之情形（Τρ垆 丁5)，亦可正確地算出以胞12之液晶層之滯留尺及厚度/ 又，不需要此等穿透率TP、TS之值，即可檢測VA胞12之 液晶層之滞留R及厚度d。因此，可簡單而正確地檢測VA 胞12之液晶層之滯留R及厚度d。 I04I95.doc -46· 1288823 [第3實施型態] 在第U %型％或第2實施型態中，為獲得穿透光強度之 比r’將檢偏光器13之穿透轴方向喊偏光器u之穿透軸方 向cu又定於特定方向。在此，也可使偏光器u之穿透軸方 向α及檢偏光器13之穿透車由方向①之設定操作更為容易。 在第3實^型悲中’將偏光器丄i之穿透轴方向以設定於任 意角度之方向。在此狀態下，將檢偏光器13之穿透軸方向 ω設定於任意之相異之3個以上之角度之方向，並測定各穿 透光強度。而’利用所測定之3種以上穿透光強度，檢測 VA胞1 2之液晶層之滯留r。 表示將偏光器11之穿透軸方向之方向設定於角度α之方 向，將檢偏光器13之穿透軸方向設定於角度ω之方向時之 穿透光強度之[式13]可改寫成如[式3〇]所示： [數 54] Ι(ω, a) - A.cos2co + B.sin2a) + C.sin2co A I〇-Tp.c〇s2a B = Ϊο-Ts.s in2a C =^ViVT7 .sin2a.cosf2jER\ 、) [式 30] 在[式30]中，偏光器11之穿透軸方向a、檢偏光器π之穿 透軸方向ω為已知，但Ι〇 · Tp、1〇 · Ts、r、a、B、C為未 知0 在此’ 3種變數a、b、c可利用在將偏光器11之穿透軸 104195.doc -47- 1288823 方向《設定於任意角度之方向 狀您下’將檢偏光哭1 3之 穿透軸方向ω設定於至少3 乂上之相異之角度之方卑 穿透光強度與[式川作比較而加以以。例如，可二 檢偏=3之穿透轴方向ω設定於3種相異之角度―、 ω3[ω,(ι ，2，3)]之方向時之3種穿 、τ/ 、 牙运光強度Ι(ω〗，ο〇、Ι(ω2, ' 1(^3, cx)[I(〇)i? a)(i = i 2 Γa 1 5 )]人[式31]作比較而算出變數 A、B、C。作為比較方法 法例如可使用最小二乘法。 [數 55] S i η 2ω 而，可利用算出之變數A 之液晶層之滞留R ·· [式 31] B ’ C，由[式32]算出^胞12 [數 56] cosf» 丄 U J Tab

[式 32] 利用將才双偏光裔13之穿透車由方向①設定於3種穿透轴 方向①1〜003之方向時之3種穿透光強度而算ώ變數A、B、C 之清形’ 3種牙透軸方向°°〗〜叱之中，同時含有45。與135。 時’僅利用3種穿透光強度不能算出變數A、B、C。此情 形’需使用將檢偏光器13之穿透軸方向①設^於樣以上之 相異之角度之方向時之4種以上之穿透光強度。 又將偏光器U之穿透軸方向α設定於〇。或9〇。之方向 時’《數C常$ r 〇」。因此，有必要將偏光器u之穿透軸 104195.doc -48 -

方向，測定穿透光強度Ρ(ωι，a)、]-(c〇2，a)、im(% α)。 1288823 方向α設定於〇。及90。以外夕 、用度之方向。 以下，說明本實施例之步驟。 (步驟1) 將則12配設於圖丨所示之參數檢測裝 VA胞12之基板面之法線方向對人射光之人 Ρ以使 度Θ方式，配設VA胞12。 向傾斜角 (步驟2) ▼.…叹&υ次yu -以外之任意角 度之方向。在此狀態下，將檢偏光器13之穿透軸方向:設 定於相異之3種角度ω】、％、叫（不同時含有45。與135。）之 (步驟3) 利用比較步驟2所測定之穿透光強度I'coi，o〇(i=i，2，3) 與在[式33]所示之穿透光強度Im(coi5 a)(i=l，2，3)而算出變 數 Am、Bm、Cm : [數 57]

Im(〇Ua) = Am· c o s 2c〇i+Bm· s i n2an + Cm· s i η2ω i [式 33] (步驟4) 利用步驟3算出之變數Am、Bm、Cm，由[式34]算出VA胞 12之液晶層之滯留R ·· [數 58] 104195.doc -49- 1288823 [式 34] (步驟5) 欲算出VA胞12之液晶層之厚度d之情形，利用步驟4所 算出之VA胞12之液晶層之滯留R除以卩八胞12之液晶層之雙 折射率△nWp neeff· η，，。 在第3貫施型悲中，與第1及第2實施型態同樣地，即使 VA胞12之穿透率有偏光依存性之情形（Tp关Ts)，亦可正確 地算出VA胞I2之液晶層之滯留R及厚度d。 又，不需要此等穿透率τρ、ts之值，即可算出VA胞12之 液晶層之滯留R及厚度d。因此，可簡單而正確地檢測va 胞1 2之液晶層之滯留R及厚度^。 又，在第3實施型態中，與第丨實施型態相比，可將偏光 器11之穿透軸方向α及檢偏光器13之穿透軸方向①設定於任 意之角度之方向。因此，偏光器U之穿透軸方向α及檢偏 光器13之穿透軸方向0之設定較為容易，可縮短穿透光強 度之測定時間。 [第4實施型態] 在第3實施型態中，利用將檢偏光器13之穿透轴方向①設 透光強度Ι(ωΐ5 α)(卜l，2,3)而算出變數A、B、c。在此，可 藉使用適切之角度作為角度，而省略算出變數A、b、〔 之處理。 在第4實施型態中，將偏光器u之穿透轴方向α設定於任 104195.doc -50- 1288823 意之角度之方向。在此狀態下，將檢偏光器13之穿透轴方 向ω設定於任意之角度ω】、角度ω2(=ωι + 9〇。）、角度① (二ωι+45 °)之方向，分別測定穿透光強度1((〇〗，α)、 α)、I(〇〇3, ex)。而利用測定之穿透光強度Ι(ωι，α)、κ%5 α)、I(c〇3, α)檢測VA胞12之液晶層之滯留R。 ’

假設在將偏光器之穿透軸方向定於任意之角度之方 向之狀態下，將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於任意之 角度 ω丨，ω2(=ωι + 90。）、ω3(=ω 丨+45。）、ω4(=ω〗 + 135。）之方向 時之穿透光強度⑽，α)、.，a)、Κω3, α)、Ι(ω4,印寺: [式30]可利用[式35]加以表示。

[數 59] Ι(ωι，α) = A.cos2c〇i + B.sin2 I (ω 2, a)=

Wl + C · s i η 2 ω A.Sin2〇)1 + B.c〇s2a)卜 c.sin2w (a>3, a) 歹[(a+b)— (A—B)sin2wi + 2 C · c o s 2 ω Κω,α) =I[(A + B)-f (A-B)sin2Wl_ 2C- c 〇 s 2ωι ] a A = Io-Tp-cos2 B = I〇-Ts.sin2a C =^VT7^fT -s i n2a.c〇sfliR^ [式 35] 因此’可利用3種穿透光強度Ι(ωι，a)、㈣，a)、⑽ 幻，由[式36]直接算出¥八胞12之液晶層之滯留r。 3’ 104195.doc -51 - 1288823 [數 60]

COS 了

Νι = [ 2 I (ω 3，α) 一（丄 一 t a 2 Q 1) · I (co 1，c〇 *^(1 +t a η2ωι) · ι {ω χ Ί 'ω2> «) ] cos 2ώι Ν2 = [Ι (ωι, α) + ΐ (ω2, α) ρ

Ν3= (2 + s i η4ω ι-2 s i η 2 ω ι) · I (〇) ι, α) 一（2 — s in4c〇i — 2s n 2 ω ί) · ί (ω 2, α) 2 1 (ω 3，α) . s i η 4 co ί [式 36] 將[式36]异出之VA胞12之液晶層之滯留尺除以va胞以之 液晶層之雙折射率△，，即可算出观12之液晶層之厚度 以下，說明本實施例之步驟。

(步驟1) 將VA胞12配設於圖1所示之參數檢測裝置。此時，以使 VA胞12之基板面之法線方向對入射光之入射方向傾斜角 度Θ方式，配設VA胞12。 (步驟2) 將偏光器11之穿透軸方向α設定於0。及90。以外之任音角 度之方向。在此狀態下，將檢偏光器13之穿透軸方向①設 定於任意角度ω】之方向而測定穿透光強度I'co】，。又， 104195.doc -52- 1288823 將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於任意角度叱卜①彳㈧。） 之方向而測定穿透光強度Im(c〇2，α)。又，將檢偏光器13之 穿透軸方向〇〇設定於任意角度ω3(=ωι+45。）之方向而測定穿 透光強度Im(c〇3, α)。 (步驟3) 利用步驟2所測定之穿透光強度Ρ(ωι，α)、α)、 Im(c〇3, α)與[式37]算出VA胞12之液晶層之滞留r :

[數 61] n cos n 2 n 3 2 c o s 2 co l πι = [2Ι^(ω3, a)- (1-t a η2ω〇 . ΐιπ(ωι> -（1 + t an2〇M) · Ι-(ω2, 〇〇 ] cos2a)1 η2 = [|ιη(ωι^ a) + Im(〇>2, 〇ί) ]2 Π3= (2 + s in4c〇i — 2s in 2ωι) .Ι^(ωι> a)

一 （2 - sin4c〇i — 2sin22co〇

Im (ω 2, a) 一 2 I m (ω 3, a) · s i n 4 ω i [式 37] (步驟4) 欲算出VA胞12之液晶層之厚度d之情形，利用步驟3所 异出之VA胞1 2之液晶層之w留R除以va胞12之液晶層之雙 折射率 n〇eff)。 [第5實施型態] 104195.doc -53 - 1288823 在第4實施型態中，將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於 住思角度ω】，（〇2(=(〇丨+ 90 )、¢03(=0)丨+45。）之方向，藉以省略 算出變數A、B、C之處理。在此，即使將檢偏光器13之穿 透軸方向ω設定於其他角度之方向，也可省略算出變數 A、Β、C之處理。

在第5實施型態中，將偏光器11之穿透軸方向α設定於 任思之角度之方向。在此狀態下，將檢偏光器1 3之穿透軸 方向ω設定於任意之角度ω]，ω2(=ωι + 9〇。）、叫（=〇〇1 + 135。） 之方向，分別測定穿透光強度。而利用測定之穿透光強度 檢測VA胞12之液晶層之滯留R。 假設在將偏光器之穿透軸方向α設定於任意之角度之方 向之狀態下，將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於任意之 角度 ω,，ω2(=ω|+90。）、ω3(=ωι+45。）、〜（⑽ + ⑶。）之方 向時之穿透光強度為 Ι(ωι，α)、Ι(ω2, α)、Ι(ω3, α)、Ι(ω4, α) 時，[式30]可利用[式35]加以表示。 因此，可利用3種穿透光強度Ι(ω丨，α)、Ι(ω2, α)、1((〇4, α)，由[式38]直接算出νΑ胞12之液晶層之滯留r。 [數 62] c 〇 s=_ N4

U J

V (2 · c o s 2 ω 1J

N4==-[2 I (ω4, a)^ (1 + t an 2ωι) . i (ω ：

a η 2ωι) · I (ω2, a)] 104195.doc -54- 1288823 • I (ω l, I (ω 2, a) a) Ν2 = [ΐ(ωι, a) + I(c〇2, α) ]2 Ns= (2-s ιη4ω^28 ιη22ωα) -(2 + s in4Wl-2s ΐη22ω〇 + 2 I (ω 4, α) · s i η 4 c〇 x 將[式3 8]算出之乂八胞12之汸曰@_>，服〆 夜日日層之滯留R除以VA胞12之 液晶層之雙折射率Aneff，即可管屮va队！。

丨J异出VA胞12之液晶層之厚度 d ° 以下’說明本實施例之步驟。 (步驟1) 將VA胞12配設於圖1所示之參數檢測裝置。此時，以使 VA胞12之基板面之法線方向對入射光之入射方向傾斜角 度Θ方式，配設VA胞12。 (步驟2) 將偏光器11之穿透軸方向α設定於〇。及90。以外之任咅角 度之方向。在此狀態下，將檢偏光器13之穿透軸方向①設 定於任意角度ω!之方向而測定穿透光強度^((〇1，α)。又， 將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於任意角度〜卜①^ +⑽。） 之方向而測定穿透光強度Im(c〇2，α)。又，將檢偏光器13之 穿透軸方向ω設定於任意角度0^(=0), + 135。）之方向而測定 穿透光強度Im(c〇4，〇〇。 (步驟3) 利用步驟2所測定之穿透光強度Ι^ω〗，a)、lm(c〇2，α)、 104195.doc -55- 1288823

Im(c〇4, α)與[式39]算出VA胞12之液晶層之滯留R : [數 63]

COS

η 4 = -[ 2 Im(〇> 4,

_η 4 Γ η δ V · c ο s 2 ω。

[式 39] 〇0 -（1 + t a η 2 ω !) · ΐχπ(ω i， -(l~tan2Wl).lnl(a)2, a)] c〇s2a)i Π2 = [ Ι^(ωι, α) + ΐ {ω 2> α) ]2 (2-s ir^cods in22a)1) •卜(ωι,… -(2 + sin4Wl-2sin^2Wl).im(w2> α) + 2 Im(〇)4, a) . s i η4ωι (步驟4) 欲算出VA胞12之液晶層之厚度d之情形，利用步驟3所 算出之VA胞！2之液晶層之滯留R除以乂八胞12之液晶層之雙 折射率 ΔηείΤ(= neeff- η。6、。 在第4及第5實施型態中，與第丨〜第3實施型態同樣地， 即使VA胞12之穿透率有偏光依存性之情形（Tp关乃），亦可 正確地算出VA胞12之液晶層之滯留R及厚度d。 又，不需要此等穿透率Tp、Ts之值，即可算出VA胞12之 液晶層之滞留R及厚度d。因此，可簡單而正確地檢測乂八 胞12之液晶層之滯留R及厚度d。 又，在第4及第5實施型態 不需要算出變數A、B、C， 中，與第3實施型態相比，因 故處理裝置1 5之處理較為簡 104195.doc -56 -

1288823 單。 [弟6實施型態] 表不將偏光器11之穿透軸方向設定於角度α之方向，將 檢偏光器之穿透軸方向設定於角度ω之方向時之穿透光強 又之[式13]即使更換01與(0，亦完全不會發生變化。即，可 將第3實施型態所說明之偏光器置換成檢偏光器，將檢偏 光器置換成偏光器。 2第6實施型態中’將檢偏光器13之穿透軸方向①設定於 任意角度之方向。在此狀態了’將偏光器11之穿透軸方向 績定於任意相異之3種以上之角度，分別測定穿透光強 度。而利用測定之穿透光強度，檢測则12之液晶層之 滯留R。 夂松偏光為1 3之穿透軸方向ω而改變偏光器丨丨之穿 透軸方向α時，表示穿透光強度之[式19]可改寫成 所示： [數 64] c〇s2a + B-s in2a + c s in2a A —

•T • c 〇 s 2ω 〇 · T s · S i η2ω ^VTV^TT -s 1η2ω·ο〇8ί \ j [式 40] 檢偏光器13之穿 在[式4〇]中，偏光器ii之穿透輛方向a、 104195.doc -57- 1288823 透軸方向ω為已知， 知 但 Ι〇 · Τρ、1〇 · Ts、r、A、B、c 為未 在此’ 3 ί會戀盤Δ 、、C可利用在將檢偏光器13之穿透 竿由方向ω設定於 >(早立么— …4缸 、思角度之方向之狀態下，將偏光器11之 办、悉土 、 乂3種以上之相異之角度之方向時之 :=度與:[式41]作比較而加以算出。例如，可利用將 之穿透轴方向α設定於3種相異之角度、 ^川之方向時之3種穿透光強度Ι(ω，α〇、Ι(ω， 數)[(CO,哺Ι(ω，α〇㈣，2,3)]與[式41]作比較而算出變 [數65]、C。作為比較方法，例如可使用最小二乘法。 、卜 A·。。。—.""— “η 〜 .,^ [式 41] ，可利用算出之變數A，B，c， 之液晶層之滯留R。 [式^請胞12 又’利用將偏光HU之穿透轴方向α設定於3種穿透轴方 ,Γ:，之方向時之3種穿透光強度而算出變數A、B、C之 b形，3種穿透轴方向α广α3之中，㈤時含有〇35。

時，僅利们種穿透光強度不能算出3種變數a、b、C 情形，需使用將偏光器Η之穿透轴方向α設定於4種以上之 角度之方向時之4種以上之穿透光強度。 又，將檢偏細3之穿透軸方向ω設定於〇。或9〇 ^ ’變數C常為「〇」。因此，有必要將檢偏光器Μ之穿透 軸方向ω設定於〇。及90。以外之角度之方向。 104195.doc -58- 1288823 以下，說明本實施例之步驟。 (步驟1)

將VA胞12配設於圖1 m M 口1所不之參數檢測裝置。此時，以使 VA胞12之基板面之法狳士 方向對入射光之入射方向傾斜角 度®方式，配設VA胞12。 (步驟2) 將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於〇。及9〇。以外之任意 角度之方向。在此狀態下，將偏光器丨2之穿透軸方向以設 疋於相異之3種角度…、a2、…（不同時含有45。與135。）之 方向，測定穿透光強度Ρ(ω，α】）、；[、〇, α2)、1〇1((〇, α3)。 (步驟3) 利用比較步驟2所測定之穿透光強度im((0，ai)(i=1，2，3) 與在[式42]所示之穿透光強度pm，ai)(i=i，2，3)而算出變 數 Am、Bm、Cm : [數 66]

Im (ω，a !)二 Am· c o s 2 a i+Bm· s i ri 2a i + cm· s i η 2 a* i [式 42] (步驟4) 利用步驟3算出之變數Am、Bm、Cm，由[式34]算出VA胞 ^之液晶層之滯留R ·· (步驟5) 欲算出VA胞12之液晶層之厚度d之情形，利用步驟4所 算出之VA胞12之液晶層之滞留R除以VA胞12之液晶層之雙 折射率 Aneff(= neeff- n0eff)。 在第6實施型態中，與第3實施型態同樣地，即使VA胞 104195.doc -59- 1288823 1 2之穿透率有偏光依存性之愔 < It形（Tp _ Ts)，亦可正確地算 出VA胞之液晶層之滯留R及厚度d。

p、1之值’即可求出以胞12之 因此，可簡單而正確地檢測V A 又’不需要此等穿透率T 液晶層之滯留R及厚度d。 胞12之液晶層之滯留r及厚度d。 又，在第6實施型態中，與第2實施型態相比，可將偏光 =11之穿透軸方向α及檢偏光器13之穿透轴方向①設定於任

意之角度之方向。目此，偏光Μ之穿透軸方向α及檢偏 光器13之穿透軸方向㈣設定較為容易，可縮短穿透光強 度之測定時間。 [第7實施型態] 在第6實施型態中，利用將偏光器丨丨之穿透軸方向“設定 於3種以上之相異之角度ai(i=1, 2, 3· · ·)之方向時之穿 透光強度Ι(ω，a丨）(ί=1，2, 3)而算出變數A、B、c。在此， 可藉使用適切之角度作為角度叫，而省略算出變數A、B、 C之處理。 在第7實施型態中，將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於 任意之角度之方向。在此狀態下，將偏光器丨丨之穿透軸方 向cx設定於任意之角度αι、角度〜卜αι + 9〇。）、角度 a3(=a1+45°)之方向，分別測定穿透光強度。而利用測定之 穿透光強度檢測VA胞12之液晶層之滞留R。 假設在將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於任意之角产 之方向之狀態下，將偏光器η之穿透軸方向定於任= 之角度…、α2(==αι+9〇。）、α3(=αι+45。）、〜卜…+出。）之方 104195.doc -60-

1288823 向時之穿透光強度Ι(ω、α〗）、Ι(ω、α2)、Ι(ω、α3)、Ι(ω、 α4)時，[式30]可利用[式43]加以表示。 [數 67] I (ω, a ι) = A-cos2ai + B- s in2ai + C- s in2ai I (ω，α；2) = A.s in2ou + B.cos2ai — C.s in2ai I (ω，ο：3) =|[(A + B) —（A — B)s in2ai + 2Ccos2ai] I (co,ou) =|[(A + B) + (A — B)sin2ai — 2Ccos2ai] A = I〇*Tp*cos2co B = I〇*Ts*s in^co C =L^VtvtT · s i η 2ω · c o s [式 43] 因此，可利用3種穿透光強度Ι(ω、α!)、Ι(ω、α2)、Ι(ω CX3) ’由[式44·]直接算出VA胞I2之液晶層之滯留R。 [數 68]

(2cos —R Μι Μ： Μ： λ2 2 c ο s 2 ο; ι

Mi = [2I(a)，Q；3) — (l — tan2Q：i).I(co，ai) (l + tan2ax)·! (ω, a 2) ] c ο s 2 α 1 104195.doc -61 - 1288823 M2 = [ I (ω，α l) + I (ω，α 2)

Ms= (2 + s in4a1-2s in^ai) .Ι(ω, a l} -(2-sin4a1-2sin22a1).I(w, a 2) 一 2 I (ω, a 3) · s i n 4 a i [式 44] 又，將[式44]异出之VA胞12之液晶層之滯留尺除以VA胞

12之液晶層之雙折射率Δη价，即可算出¥八胞12之液晶層之 厚度d。 以下’說明本實施例之步驟。 (步驟1) 將VA胞12配設於圖1所示之參數檢測裝置。此時，以使 VA胞12之基板面之法線方向對入射光之入射方向傾斜角 度Θ方式，配設VA胞12。 (步驟2)

將檢偏光器1 3之穿透軸方向ω設定於〇。及9〇。以外之任咅 角度之方向。在此狀態下，將偏光器η之穿透軸方向a設 定於任意角度a】之方向而測定穿透光強度im(G)，％)。又， 將偏光器11之穿透軸方向a設定於任意角度以卜…+川”之 方向而測定穿透光強度Ρ(ω，心）。又，將偏光器I〗之穿透 軸方向a設定於任意角度化（=^1+45。）之方向而測定穿透光 強度 Im(co，α〇。 (步驟3) 利用步驟2所測定之穿透光強度r(〇)，、ρ(ω，α2)、 I (ω，α3)與[式45]算出VA胞12之液晶層之滯留r: 104195.doc -62 - !288823 [數 69] 2 π 丁 R = mi cos ( ώ\3 γ

，[2 c ο s~~2 α 1J mi = [2Im(w, α3) —（1 一 tan2ai)· Im{co，α i) 一（l + tan2ai)*Im(c〇， a 2) ] c 0 s 2 a 1 m2 = [ I m(a>, a 1)十 I (ω， a 2) ]2

ni3= (2 + s in4ai—2s in22o；i) · Im(w, a 1) 一（2 — s in4 ai — 2s in22ai) · I m(c〇, a 2) 一 2 I ma>， a 3) · s i n 4 a 1 [式 45] (步驟4) 欲檢測VA胞12之液晶層之厚度d之情形，利用步驟3所 鼻出之VA胞12之液晶層之冰留R除以VA胞12之液晶層之雙 折射率 Aneff(= neeff- rC。 [第8實施型態] 在第7實施型態中，將偏光器11之穿透軸方向設定於任 意角度a丨、012( = 0^ + 90°)、013( = 0^+45。）之方向，藉以省略算 出變數A、B、C之處理。在此，將偏光器丨丨之穿透軸方向 a設定於其他角度之方向，也省略算出變數a、b、c之處 理。 在第8實施型態中，將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於 任意之角度之方向。在此狀態下，將偏光器11之穿透軸 向又定於任意之角度a】、α2(=α丨+ 90。）、α3(=α] + 135。）之方 104195.doc -63- 1288823 向，分別測定穿透光強度。而利用測定之穿透光強度檢測 VA胞12之液晶層之滯留R。 假設在將檢偏光器13之穿透軸方向〇設定於任意之角度 之方向之狀態下，將偏光器11之穿透軸方向α設定於任意 之角度α】、α2( = αι + 90。）、013(=0^+45°)、α4(=α1 + 135。）之方 向時之穿透光強度為Ι(ω、αι)、Ι(ω、α2)、Ι(ω、α3)、、 CU)時，[式30]可利用[式43]加以表示。

因此，可利用3種穿透光強度Ι(ω、α〇、Ι(ω、α2)、1((〇、 cu)，由[式46]直接算出VA胞12之液晶層之滯留尺。 [數 70] M4 cos i— Μι Λ M： 2 · c o s 2 a Μ4 = — [2Ι(ω，α4) 一（1 + tan2ai) I(a>，…） — —t a 112 0^) · I (ω、 α2) ] c o s 2 α ι M2==[I (ω, αι) + ι (ω> α 2) γ

Ms- (2 - s i n4 a i-2 s i η 22 αι) . ι (ω> a χ) (2 + s i n4 αι-2 s i n22 . ι (ω> α 2) + 2 I (co, a 4) . s i n 4 a i [式 46] 又，將[式46]算出之¥八胞丨2之液晶層之滯留尺除以VA胞 I2之’夜θθ層之雙折射率Aneff，即可算出VA胞12之液晶層之 厚度d。 104195.doc -64- 1288823 驟 以使 斜角 以下’說明本實施例之井 (步驟1) 之參數檢測裝置。此時， 向對入射光之入射方向傾 將VA胞12配設於圖玉所示 V A胞1 2之基板面之法線方 度Θ方式，配設VA胞12。 (步驟2) 將檢偏光器13之穿透鮎古a _ 。 透軸方向ω設定於〇。及90。以外之任意

向。在此狀態了’將偏光器11之穿透軸方向緣 疋於任意角度α,之方向而測定穿透光強度I、，αι)。又， 將偏光器11之穿透軸方向_設^任意角卜αι+9〇。）之 方向而測定牙透光強度Ιΐη(ω，α2)。又，將偏光器η之穿透 轴方向α64於任意角度α4(=αι + 135。）之方向而測定穿透光 強度 Im((〇，a4)。 (步驟3) 利用步驟2所測定之穿透光強度Im(co, ai)、Im(c〇, a2)、 1 (ω a4)與[式47]算出VA胞12之液晶層之滞留r : [數71] C ° S =- Π14 _ V v2 . c o s 2 a 1X14 = — f ? T m ， L 1 (ω, ad 一 (1 +t an2a d . im(a), ai) -(l-tan2ai) ·門⑴、a2) ] c〇s2fli m2===[lm(co, αι) + ι-(ω> a2) ]2 104195.doc -65- 1288823 nu= (2 一 s in4ai 一 2s in29m 、 n 2ai) .1、、I) _(2 + s in4 0U-2S in22 ) 1 1 (ω, α2) + 2 Im (ω、a 4) · s i n 4 a i [式 47] (步驟4) 欲檢測VA胞12之液晶層之厚此 一 度d之情形，利用步驟3所 异出之VA胞12之液晶層之滞留r除^ v 除以¥八胞12之液晶層之雙 折射率△nWpneeff- n0eff)。 在第7及第8實施型態中，盥箆〗势 ”弟1〜弟6實施型態同樣地， 即使VA胞12之穿透率有偏光依存性 廿『玍之情形（Tp关Ts)，亦可 正確地异出VA胞12之液晶層之滞留汉及厚产d。 又，不需要此等穿透率Tp、丁之佶 曰 ^ ρ 之值，即可算出VA胞12之 液晶層之滯留R及厚度d。因此，可銪留I ^

ί間早而正確地檢測VA 胞12之液晶層之滯留R及厚度d。 又，在第7及第8實施型態中，盥筮 — τ 兴弟6貫施型態相比，因 不需要算出變數A、B、C，故處王5牡如… ^ 〇〇 处埋教直15之處理較為簡 單0 以下，說明利用本發明敎檢測對象之各穿透光強度， 利用所測定之各穿透光強度算出檢測對象之液晶層之：留 R及厚度d之實驗例。 [實驗例1] 作為檢測對象，使用如以下方式所製作之va胞。 作為基板’使用單面具有直徑約1 cm之圓形透明電極之 約3cm見方之玻璃基板。在玻璃基板之透明電極側，設有 104I95.doc -66- 1288823 使液晶分子平行地定向於玻璃基板之法線用之聚酿亞胺 膜而，將2片破璃基板接著成朝向透明電極側。在此， 作為接著劑，使用混人直徑4·5㈣之樹脂製細珠之紫外線 硬化性接著劑。將此紫外線硬化性接著劑塗敷於玻璃基板 周圍之程度之部分。而，制射㈣線使紫外線 更化丨生接著劑硬化，將2片玻璃基板接著。藉此，可在玻 璃基板間形成對應於細珠直徑之間隙。利用毛細管現象將 液晶材料注入此玻璃基板間隙而製成VA胞。 發光裝置ίο係由鹵素燈與穿透波長546 nm之單色光之干 涉滤光器所構成。 偏光器11及檢偏光器13使用偏光膜。 檢測裝置14使用CCD攝影機。 將别述方法所製成之VA胞配置於偏光器丨丨與檢偏光器 1 3間而使入射光之入射角（VA胞丨2之基板面之法線與入射 光之入射方向間之角度）Θ成為30。。 在此狀態下，將偏光器u之穿透軸方向α設定於45。之方 向（使偏光器11之穿透軸方向朝向45。之方向），將檢偏光器 13之穿透軸方向ω設定於〇。之方向（使檢偏光器13之穿透軸 方向朝向0之方向）。而，測定穿透光強度（檢測裝置14之 檢測信號）im(0。，45。）。又，將偏光器11之穿透軸方向α設 定於45之方向，將檢偏光器13之穿透軸方向①設定於9〇。 之方向。而，測定穿透光強度Im(90°，45。）。 其次’利用測定之穿透光強度广㈧。，45。）與1〇1(9〇。，45。）， 由[式27]算出比r。其結果，得r=〇 665。 104195.doc -67- 1288823 一人，將偏光|§ 11之穿透軸方向α設定於利用r而由[式 ]开出之角度[γ=5〇·8 ]之方向，將檢偏光器13之穿透軸 方向ω没定於45。之方向。而，測定穿透光強度im(45。， α)又，將偏光器11之穿透軸方向（X設定於前述角度 [γ 50.8 ]之方向，將檢偏光器13之穿透軸方向①設定於 之方向。而，測定穿透光強度r(135。，α)。 其次，利用測定之穿透光強度ρ(45。，α)與ρ(135。，α)，

由[式48]算出VA胞之液晶層之滯留R。其結果，得R=4〇.4 nm 〇 [數 72]

im(l 3 5°α) 1 + c o s [2 π ) 1 一 c 〇 s Γ2π ^ 〈了 R cot π λ

R

[式 48]

又’利用VA胞之液晶材料之異常光折射率ne=1 563;3， 正常光折射率n0=l·4776及入射角Θ = 3〇。，由[式1〇]算出VA 胞之液晶層之雙折射率如价。將由[式48]算出之va胞之液 晶層之滯留R=40.4 nm除以从胞之液晶層之雙折射率 △n 。其結果，付胞之液晶層之厚度d=4.23 μιη。 [實驗例2] 施行實驗例1之測定後，不移動VA胞而繼續施行實驗例 2之測定。 施行與實驗例1相同之程序，直到算出角度7為止。其結 果，得 r=0.670。 將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於利用r而由[式29]算 104195.doc -68- 1288823 出之角度[γ=5〇·7 ]之方向，將偏光器u之穿透軸方向以嗖 定於45。之方向。而，測定穿透光強度im((〇, 45 α = 入，將 檢偏光器13之牙透軸方向①設定於前述角度[γ==5〇·?。]之方 向，將偏光裔11之穿透軸方向α設定於135。之方向。而， 測定穿透光強度Im(co, 135。丨。 其次，利用測定之穿透光強度ρ(ω，45。）與俨(奶，1乃。），

由[式49]算出VA胞之液晶層之滞留R。其結果，得3 nm ° 又，利用與實驗例1同樣之程序算出VA胞之液晶層之厚 度d。其結果，得d=4.22 μιη。 [數 73]

Im (ω,4 5°) lm (ω,Ι 3 5°) [實驗例3] 1 + c 〇 s 1 — c ο s

[式 49]

使用與實驗例1相同之VA胞，不移動¥八胞而施行實驗例 1、2之測定後，繼續施行實驗例3之測定。 將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於45。之方向，將偏光 器11之穿透軸方向α設定於0。之方向。而，測定穿透光強 度Im(45。，0。）。又，將檢偏光器13之穿透轴方向①設定於 角度45°之方向，將偏光器η之穿透軸方向α設定於9〇〇之 方向。而，測定穿透光強度丨^化。，^。）。 其次，利用測定之穿透光強度广(45。，〇。）與1„1(45。，9〇。）， 由[式17]算出比r。其結果，得r=〇.665。 104195.doc •69- 1288823 其次’將偏光器11之穿透車由方向α設定於利用Γ而由[式 29]异出之角度卜5〇.8。]之方向’將檢偏光器以穿透轴 方向ω設定於45。之方向。而’算出穿透光強度r(45。 十又，將偏光器η之穿透轴方向q定於前述角度 [γ=5〇·8 ]之方向’將檢偏光器13之穿透軸方向①設定於⑶。 之方向。而，測定穿透光強度im(l35。，α)。 nm 其次’利用測定之穿透光強M(45’'a)mm(i3r,a), 由[式49]异出VA胞之液晶層之滞留r。其結果，得㈣ο] 又，利用與實驗例1同樣之程序算出VA胞之液晶層之戶 度d。其結果，得d=4 22 μηι。 予 [實驗例4] 丁貝驗例3之測定後，不移動VA胞而繼續施行 4之測定。 只对例 施行與實驗m相同之程序，直到算出角度丫為止 果，得r=0.660。 ，、結 其次’將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於利用Γ [式29]算出之角度[5〇9。1之方& 由 L』之方向，將偏光器11之穿透細士 向α設定於45。夕古6 工 千田万 、之方向。而，測定穿透光強度Im(c〇，45。 又’將檢偏光器1 3之穿锈故士人 ）〇 牙還軸方向ω設定於前述角度[5〇 9 之方向’將偏光器11之穿透軸方向α設定於135。之方向] 而，測定穿透光強度im(co, 135。）。 。 其，人’利用測定之穿透光強度1171(叫化”與广…，η ， [式49]开出VA胞之液晶層之滞留R。其結果，得 Πΐ ο 104195.doc -70. 1288823 度:。==， 同之VA胞之相同處。 之VA胞之液晶層之滯留尺及 實驗例1〜4係連續地測定相 而’在貫驗例1〜4中，所得 厚度d大致等值。 [比較例1] 為確認利用考慮到液晶層之穿透率之各向異性之本.

檢測檢測對象之滯留及厚度之情形之檢測精度，利料轉 檢偏光器法檢測檢測對象之滞留及厚产。 施行貫驗例4之測定後，不聽叙w +和動VA胞而繼績施行比較例 之測定。

將偏光益1 1之穿透轴方向d 4 V 才处平田乃问0U又疋於45之方向，將檢偏光 器13之穿透軸方向ω設定於之方向。而，測定穿透光強 度I (45 , 45 )。又’將偏光器n之穿透軸方向^設定於45。 之方向將彳戏偏光态13之穿透軸方向ω設定於us。之方 向。而，測定穿透光強度ρ(135\45。）。 其次，利用測定之穿透光強度Ρ(45。，45。）與1〇1(135。，45。）， 由[式50]异出VA胞之液晶層之滯留r。其結果，得R=43g [數 74] tan (^r) ^ /^(13 5-,4~5T Ιλ J V Im (4 5°,4 5°) [式 50] 又，利用與實驗例1同樣之程序算出VA胞之液晶層之厚 度d。其結果，得d=4.5 8 μηι。 I04I95.doc 71 !288823 將比較例之檢測結果與考慮到液晶層之穿透率之各向異 性之實驗例1〜4之檢測結果加以比較時，獲悉儘管測定相 同之VA胞之相同處，但比較例之檢測結果與實驗例卜4之 檢測結果卻有所差異。 [實驗例5] 不移動VA胞而繼續施行實驗例5 施行比較例之測定後 之測定。 將偏光器11之穿透軸方向α設定於45。之方向。在此狀態 下，將檢偏光器13之穿透軸方向①以1〇。間隔設定於〇。至卯。 之範圍内。而，測定各穿透光強度im((〇i，45。）(〇)㈣。、丨〇。、 20。、· · · 80。、90。）。 其次，利用最小二乘法比較所測定之1〇1(叫，45與[式 5 1]之1(00,·，45 )，以算出算出變數Am、、c〇1，其結果， 得八、24605、Β\17227、cm=q8412(任意單位）。 [數 75] I (ω i, 4 5°) A * C ° s 2c〇i+Bm· s i ^i + Cm. s i η2ωι [式 51] 其次，利用算出之變數Am、Bm、cm，由[式34]算出Va 胞之液晶層之滯留R，其結果，得R=40.3 nm。 又’利用與實驗例丨同樣之程序算出VA胞之液晶層之厚 度d。其結果，得d=4.22 μηι。 [實驗例6] 知行貝驗例5之測定後，不移動VA胞而繼續施行實驗例 6之測定。 104195.doc -72- 1288823 將偏光器u之穿透軸方向α設定於45。之方向。在此狀態 下，將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於^、45。、9〇。之 方向’敎各穿透光強度n〇。，45。)、im(45。，Μ。、im(9〇' 45。）。 其次，利用測定之穿透光強度im(〇' 45。）、45。）、 Π90。，45°)’由[式52]算出VA胞之液晶層之滞留r。其結 果，得 R=40.4 nm。

[數 76]

又，利用與實驗例1同樣之程序算出¥入胞之液晶層之厚 度d。其結果’得(1=4.23 μηι [實驗例7] 施行實驗例6之測定後，不移動VA胞而繼續施行實驗例 7之測定。

[式 52] 將偏光器11之穿透軸方向α設定於45。之方向。在此狀態 下，將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於〇。、9〇。、ι35。之 方向，測定各穿透光強度Ρ(〇。，45。）、im(9〇。，。）、 Im(135。，45。）。 其次，利用測定之穿透光強度jn^o。，45。）、im(9〇。，45。）、 Γ(135，45°)，由[式53]算出VA胞之液晶層之滯留R。其 結果，得 R=40.4 nm。 [數 77] 104195.doc -73 - 1288823 c 〇s =-」^^i!2ii[im(0。，4 5, "9 〇。，4 5。)] 〇。,4 5r- [式 53] 又，利用與實驗例1同描+ i — μ I j樣之程序算出VA胞之液晶層之厚 度d。其結果，得d=4.23 。 [實驗例8] 旅行實驗例7之測定徭， 交 不移動VA胞而繼續施行實驗例 8之測定。 將檢偏光器1 3之穿透轴大 处聊万向ω設定於45。之方向。在此狀 心下*偏光态11之牙透軸方向以以1〇。間隔設定於〇。至9〇。 之範圍内而’測疋各穿透光強度1〇1(45。，％仙尸〇。、1〇。、 20〇 、 · · · 80。 、 90。） 。 其次。，利用最小二乘法比較所測定之Im(45。，ai)與[式54] 之1(45°，α〇，以算出算出變數Am、Bm、Cm，其結果，得

Am=24857 、 Bm=17650 、 C丨 [數 78] I (4 5°, a i) =Am.c 〇 s 2α i + Bm. s α i + Cm. s i n 2 a i [式 54] 其次，利用算出之變數A' Bm、cm，由[式34]算出va 胞之液晶層之滯留R’其結果，得r =後5疆。 又，利用與貫驗例1同樣之程序算出VA胞之液晶層之厚 度d。其結果，得d=4.24 。 [實驗例9] I04195.doc -74- 1288823 施行實驗例8之測定後，不移動VA胞而繼續施行實驗例 9之測定。 將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於45 °之方向。在此狀 態下，將偏光器11之穿透軸方向α設定於0 °、45 °、90 °之 方向，測定各穿透光強度Im(45 °，0 °)、Im(45 °，45。）、Γ(45 °， 90〇)〇 其次，利用測定之穿透光強度Im(45°，0°)、Im(45。，45。）、 Im(45 °，90°)，由[式55]算出VA胞之液晶層之滯留R。其結 果，得 R=40.6 nm。 [數 79] c 〇 s- im (4 5。，4 5。) 一 备[im (4 5。,〇。) + Im (4 5。,9 0〇)] • V λ J (45°,0°) . Im (4 5°,9 0可 [式 55] 又，利用與實驗例1同樣之程序算出VA胞之液晶層之厚 度d。其結果，得d=4.25 μπι。 [實驗例10] 施行實驗例9之測定後，不移動VA胞而繼續施行實驗例 1 〇之測定。 將檢偏光器13之穿透軸方向ω設定於45。之方向。在此狀 悲下’將偏光器11之穿透軸方向α設定於〇。、90。、135。之 方向，測定各穿透光強度Im(45。，〇。）、lm(45。，90。）、Im(45。， 135。）。 而，利用測定之穿透光強度Im(45。，0。）、Im(45。，90。）、 104195.doc -75- 1288823

Im(45。，135。），由[式56]算出VA胞之液晶層之滯留R。其 結果，得 R=40.6 nm。 [數 80] (2% \ Im (4 5°,1 3 5°) -|[lm (4 5°,0°) + Im (4 5°,9 0°)] COS I —— p l 又 J (4 5。，0。) · Im (4 5。，9 5? [式 56] 又，利用與實驗例1同樣之程序算出VA胞之液晶層之厚 度d。其結果，得d=4.25 μηι。 [實驗例5]〜[實驗例10]係連續地測定與[實驗例1]〜[實驗 例4]相同之VA胞之相同處。 而’[實驗例5]〜[實驗例10]所檢測之VA胞之液晶層之滞 留R及厚度d與[實驗例1]〜[實驗例4]所檢測之值大致等值， 且與比較例相異之值。 本發明並不限定於實施型態所說b月之構成，可施行種種 之變更、追加及刪除。 例如，雖說明有關檢測VA胞之液晶層之滯留及厚度之 情形’但本發明並不限定於VA胞，也可使用於檢測顯示 與光學的單軸媒質相同之光學特性之檢測對象之滯留及厚 度。 又，參數檢測裝置並不限定於圖丨所示之構成，只要能 檢測前述各穿透光強度，或依據各穿透光強度而檢測檢測 對象之滯留及厚度即可。 又刖述各穿透光強度之檢測順序、及檢測檢測對象之 滯留及厚度之各步驟之順序可適宜地予以變更。 104195.doc -76- 1288823 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之檢測對象之參數檢測裝置之一實施 例之圖。 圖2係說明圖1所示之檢測對象之參數檢測裝置之座標系 之圖。 【主要元件符號說明】

10 11 1 la、12a、13a 12 13 14 15 發光裝置 偏光器 驅動裝置 VA胞（檢測對象） 檢偏光器 檢測裝置 處理裝置 104195.doc -77-

Claims (1)

1. !288823 十、申請專利範圍： 1. 一種檢測對象之參數檢測方法，其特徵在於其係將直線 偏光入射於具有雙折射特性之檢測對象，依據穿透檢測 對象及檢偏光器之光之穿透光強度檢測檢測對象之參數 者； 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對 入射面呈0。之方向，將檢偏光器之穿透軸方向設定於對 入射面呈任意角度ω()之方向之狀態下，測定穿透光強度 Ι(ω〇? 〇°); 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對 入射面呈90之方向，將檢偏光器之穿透軸方向設定於 對入射面呈任意角度叭之方向之狀態下，測定穿透光強 度 Ι(ω〇5 90。）； 利用所測定之穿透光強度Ι(ω。，〇。）、Ι(ω與以下 之式算出其比r : [數1] r ^ I (ω〇,9 0°) 了 (ω〇,〇0)一 對相異之至少2種以上之（ω，α)之組合，測定將入射於 私測對象之直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈任意 角度α之方向，將檢偏光器之穿透軸方向設定於對入射 面呈任意角度ω之方向 J ^大怨之牙透光強度Ι(ω，α); 利用所測定之至少9插I、/ l . 種以上之牙透光強度Ι(ω，α)與以 下之式檢測檢測對象之滯留R : [數2] 104195.doc 1288823 (〇), ot) — Ι〇·Τρ C〇S2〇).C〇s2〇; • c ο 12ω〇. s i η2ω. s i η2 α -Tr -co ίω〇.δ ίη2ω.δ inSa.cosi^R' (I〇 ·入射光之強度、Tp :對p偏光之檢測對象之穿透 率、λ :入射光之波長）。 2. 一種檢測對象之參數檢測方法，其特徵在於其係將直線 偏光入射於具有雙折射特性之檢測對象，依據穿透檢測 對象及檢偏光器之光之穿透光強度檢測檢測對象之參數 者； 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對 入射面呈任意角度aG之方向，將檢偏光器之穿透軸方向 设定於對入射面呈0。之方向之狀態下，測定穿透光強度 1(0。，α〇); 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對 入射面呈任意角度α〇之方向，將檢偏光器之穿透軸方向 設定於對入射面呈9〇。之方向之狀態下，測定穿透光強 度 1(90 °，α〇); 利用所測定之穿透光強度1(0。，α〇)、1(90。，α〇)與以 下之式算出其比r : [數3] 104195.doc 1288823 ^ l( 9 0 °> α〇) r $ 丁(0〇，a ο) 對相異之至少2種以上之（ω，α)之組合，測定在將檢偏 光器之穿透軸方向设定於對入射面呈任意角度ω之方 向，將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對 入射面呈任意角度α之方向之狀態之穿透光強度Ι(ω，α); 利用所測定之至少2種以上之穿透光強度Ι(ω，α)與以 下之式檢測檢測對象之滯留R : [數4] Ι(ω, α) = I〇 · ΤΡ cos2a>.c〇s2a + r- cot2o；〇.s in2w.s in2a

   • c o t a〇 · s n2c〇.s in2a.cos[色兀R (I〇 :入射光之強度、Tp :對p偏光之檢測對象之穿透 率、λ:入射光之波長）。 3· —種檢測對象之參數檢測方法，其特徵在於其係將直線 偏光入射於具有雙折射特性之檢測對象，依據穿透檢測 對象及檢偏光器之光之穿透光強度檢測檢測對象之參數 者； 對相異之至少3種以上之％測定在將入射於檢測對象之 直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈任意角度⑴之方 向’將檢偏光器之穿透軸方向設定於對入射面呈任意角 度°°之方向之狀態之穿透光強度Ι(ω，oti); 104195.doc 1288823 利用所測定之至少3種以上之穿透光強度Ι(ω，ai)與以 下之式算出變數A，B，C : [數5] + C·s i η 2 a 1 (ω·α0=Α·〇Οδ2^ + Β.δ in2ai 利用异出之變數A，B，c與以下之式檢測檢測對象之 滞留R : [數6] 2 cos 4· 一種檢測對象之參數檢測方法，其特徵在於其係將直線 偏光入射於具有雙折射特性之檢測對象，依據穿透檢測 對象及檢偏光器之光之穿透光強度檢測檢測對象之參數 者； 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對 入射面呈任意角度αι之方向’將檢偏光器之穿透轴方向 設定於對入射面呈任意角度①之方向之狀態下，測定穿 透光強度Ι(ω，αι); 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定㈣ 入射面呈角度α2(=αι + 90。)之方向，將檢偏光器之穿透車由 方向設定於對入射面呈任意角度a之方向之狀態 定穿透光強度Ι(ω，a2); 將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於 射面呈角度α3(=αι+45。)之方向，將檢偏光器之穿透轴方 I04195.doc 1288823 向設定於對人射面呈任意角度欧方向之狀態下，測定 穿透光強度Ι(ω，α3); 利用所測定之穿透光強度Ι(ω，αι)、κ ;Α(ω，α2)、ΐ(ω，α3) 與以下之式算出檢測對象之滯留R : [數7] cos 2jt 了 R Μ Μ： Μ：

   c ο s 2 α 1 Μι = [2ΐ(ω，α3) 一（i — tan2ai) I(w，〜-（1 + t an2ai) · I (ω，α2)]Me) I (①，α。+ ι (ω，α 2) ρ Ma= (2 + s i Π4α 1-2 s i η22α〇 . j {〇)> α 〇 —(2 - s in 4q；1—2S in22ai) ·工（⑴，以 一 2 I (co, α 3) · s i η 4 α 1

   5· 一種檢測對象之參數檢測方法，其特徵在於其係將直線 偏光入射於具有雙折射特性之檢測對象，依據穿透檢測 對象及檢偏光裔之光之穿透光強度檢測檢測對象之參數 者； 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對 入射面呈角度α】之方向，將檢偏光器之穿透軸方向設定 於對入射面呈任意角度ω之方向之狀態下，測定穿透光 強度 I (ω，α!); 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對 104195.doc Ϊ288823 入射面呈角度α2(=αι+9()。）之方向，將檢偏Μ之穿透轴 :向設定於對入射面呈任意角“之方向之狀態下，測 定穿透光強度Ι(ω，α2); 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏％方向設定於對 入射面呈角度α4(=αι+135。）之方向，將檢偏光器之穿透 轴方向設定於對人射面呈任意角度ω之方向之狀態下， 測定穿透光強度Ι(ω，α4); 利用所測定之穿透光強度Ι(ω, αι)、Ι(ω，α2)、ι(ω，㈨ 與以下之式算出檢測對象之滞留R : [數8]

   C 〇 s Λ Μ 一 [川ω，“一(1 + tan2ai) * … -（1-“η2αι)·Ι(ω，叫 c〇s2ai M2 = [ I (〇)，〇;工)+ I (ω，^ 2)】2 M5=(2-Sin4ai —2sin22ai) (2 + 3ίπ4α1-28χη22α1).Ι(ω> α 2) + 2 I (ω，α 4) · s i η 4 α ι ο & -種檢測對象之參數檢測方法，其特徵在於其係將直線 偏光人射於具有雙折射特性之檢測對象，依據穿透檢測 對象及檢偏光g之光之穿透光強度檢測檢測對象之參數 104195.doc 1288823 者； 對相異之至Φ q ， y J ®以上之叫測定在將入射於檢測對象 之直線偏光之偏光方向設定於對入射面呈任意角度α之 方向將仏偏光器之穿透軸方向設定於對入射面呈任意 角度叫之方向之狀態之穿透光強度Kcoi，。〇 ; 利用所測定之至少3種以上之穿透光強度1(叫，幻與以 下之式算出變數A，B，C :

   [數9] (ω i,a) =a · c ο ς 2,、丄。 · 2 ⑴ i+B.sin c〇i + C.sin2〇)i 利用异出之變數A，β，c與以下之式檢測檢測對象之 滯留R ·· [數 10] cos

   C im 一種檢測對象之參數檢測方法，其特徵在於其係將直線 偏光入射於具有雙折射特性之檢測對象，依據穿透檢測 對象及檢偏光器之光之穿透光強度檢測檢測對象之參數 者； 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對 入射面呈任意角度α之方向，將檢偏光器之穿透軸方向 設定於對入射面呈任意角度ω〗之方向之狀態下，測定穿 透光強度1(0)!，α); 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對 入射面呈角度α之方向，將檢偏光器之穿透軸方向設定 104195.doc 1288823 於對入射面呈任思角度c〇2(=c〇i + 90 )之方向之狀態下，測 定穿透光強度I(c〇2，α); 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對 入射面呈角度α之方向，將檢偏光器之穿透軸方向設定 於對入射面呈任意角度叱卜叫十々,）之方向之狀態下，測 定穿透光強度Ι(ω3, 〇〇 ;

   利用所測以穿透光強度Ι(ωι，α)、Ι(ω2, α)、.，α) 與以下之式算出檢測對象之滯留R : [數 11] i〇 ^rr \ __Nl cosi¥R、 N N； \2 V 1^2 c o s 2 ω l y Ni = [ 2 I (ω 3, 〇〇 一（！ 一 t t an 2ωι) . i (ωι> a) -(1 + t an2wi). Ι(ω2,…c〇m N2 = [I (ωι, a) + i (c〇2> 〇) j2

   8. s man) ·ι (ωι. N3= (2 + s in4c〇i — 2 a) (2 — s in 4c〇i—9ς i n 2 o r \ ln 2ωι) . I (ω2ί a) _ 2I(W3, a).s ίη4ωι 一種檢測對象之參數檢、丨 双知測方法，其特徵在於其係 偏光入射於具有雙折射 Λ 對象及檢偏光器之光之*、悉上“ 豕牙心涮 尤之牙透先強度檢測檢測對象之參數 者， 在將入射於檢测對象 象之直線偏光之偏光方向設定於I 104195.doc 1288823 入射面呈角度α之方向，將檢偏光器之穿透軸方向設定 於對入射面呈任意角度〇〇〗之方向之狀態下，測定穿透光 強度 Ι(ωι，α); 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對 入射面呈任意角度α之方向，將檢偏光器之穿透軸方向 設定於對入射面呈角“(、，。之方向之狀態下’測 定穿透光強度Ι(ω2，α); 在將入射於檢測對象之直線偏光之偏光方向設定於對 入射面呈任意角度α之方向，將檢偏光器 a 抓定於#I λ W工X3 A 〇之牙透軸方向 。又疋於對入射面呈角度ω4( = (〇ι + 135 測定穿透光強度Ι(ω4，α); 彳向之狀態下’ 利用所測定之穿透光強度Ι(ω】，〇〇、1((〇 與以下之式算出檢测對象之)帶留R: ) ( 4，α) [數 12]

   Ν — [2ΐ(ω4, α) 〇 ；(1 + t a n2Wl) . r , CO例 1 (ωι, a) (1 t an 2ω !) · i (ω2, α)】 J c 〇 s ? m Ν-[πωι, α) + Ι(ω2> α) ]2 a) (c〇2, a) Ν5=(2ιίη4ω卜 2“η22ωι)](① (2 + s i η 4ω卜2 s i η22ω!) · + 2I(…，a).sin4a)i 104195.doc 1288823 9.如請求項！至8中任一項之檢測對象之參數檢測方法，其 中依據所檢測之檢測對象之滞留R算出檢測對象之厚度d 者。 10·種檢測對象之參數檢測裝置，其特徵在於包含·· 光源； 偏光器，其係可使具有穿透軸方向之偏光成分之直線 偏光穿透而其穿透軸方向可以平行於光之行進方向之軸 g 為旋轉軸而旋轉者； 檢測對象，其係被配置成可使穿透偏光器之光以對基 板面之法線傾斜之角度入射者； 檢偏光器，其係可使具有穿透轴方向之偏光成分之直 線偏光穿透而其穿透軸方向可以平行於光之行進方向之 軸為旋轉軸而旋轉者； ⑮測裝置’其係檢測穿透檢偏光器之光強度而輸出檢 測信號者；及 •處理裝置，其係輸入檢測裝置所輸出之檢測信號者； 處理裝置，其係施行如請求項1至9中任一項之處理， 以檢測檢測對象之滯留R與厚度d之至少其一者。 104195.doc 10·