TWI432715B - 測定液晶參數的方法及裝置 - Google Patents
測定液晶參數的方法及裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI432715B TWI432715B TW099144264A TW99144264A TWI432715B TW I432715 B TWI432715 B TW I432715B TW 099144264 A TW099144264 A TW 099144264A TW 99144264 A TW99144264 A TW 99144264A TW I432715 B TWI432715 B TW I432715B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- determining
- polarization
- angle
- tested
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/30—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Description
本發明係有關一種測定液晶(liquid Crystal Cell，LC Cell)參數的方法及裝置。
液晶顯示器技術應用領域廣泛，例如觸控螢幕或市場上被看好的3D立體電視，皆是各產業研究機構看好的發展。其中液晶在液晶面板扮演著光學開關的角色，其液晶光學參數對於影像品質優劣影響非常大。例如，灌入液晶的面板(filled LC panel)，其厚度與空液晶面板(empty panel)不同，而液晶厚度的均勻度將影響影像品質甚鉅。尤其是高畫質的多象限垂直配向(multi-domain vertical alignment，MVA)面板，對於液晶間隙均勻度的要求更高，其對於微小液晶間隙不均勻，會產生如小於5mm的亮差(mura)現象。目前面板製造商尺寸愈做愈大，而且顯示品質也要求更高，整塊面板的均勻度和光學參數的設計值的監控，對於面板產品顯示品質以及成本控管上更顯重要，直接影響製造商的產品競爭力。
多數液晶光學參數測定技術只針對常見的液晶定向(Alignment)型態做解析，在功能上和測定範圍上受限；或是基於特定次序步驟的測定機制，而無法提升測定速度和準確性。在美國一篇專利文獻所揭露的史托克參數(Stokes parameter)測定液晶厚度(Cell Gap)以及扭轉角(Twist Angle)的技術中，是利用旋轉檢偏器(Analyzer)得到史托克參數。此測定液晶厚度和扭轉角的技術可能會受限於史托克參數可分析資訊不足而引入測定誤差。後續改進方案如提出多波長方式測定來改進單波長測定之誤差，此方法和光譜式旋轉起偏器(Polarizer)和檢偏器之液晶參數測定方法相較，沒有顯著的優勢。
在另一篇美國專利文獻所揭露之關於光譜式旋轉起偏器和檢偏器用於液晶厚度測定的技術中，係基於所測得的相位差(Retardation)和已知的折射率進行換算而得到液晶厚度。此技術對於液晶光學參數的測定需基於特定次序求解，在測定準確性和測定速度會受限。
在另一篇美國專利文獻所揭露的液晶預傾角測定架構中，提出相位差數值理論模型測定扭轉向列型(Twisted Nematic)液晶面板方法。此方法利用多個入射角度，以數值擬合相位差方法求解液晶預傾角(Pre-tilt Angle)和液晶厚度。此技術較適用於小範圍角度的求解，也有可能因資訊不足而引入較大的誤差。
又如美國專利文獻所揭露之關於液晶預傾角測定架構中，是基於架構內含的四分之一波片(Waveplate)，使樣品旋轉時產生穿透光之不對稱性來擬合液晶預傾角。此技術僅需正向入射，故簡化機構上的設計，對於扭轉角較小之液晶面板(例如：π-cell
)不適用。
第一圖所示為習知理論模型所用之Homogeneous三維液晶模型結構的一個範例示意圖。在習知理論模型中，非等向性(Anisotropic)物質(例如：液晶)皆視為一種晶體式(Bulk)結構，以便於使用簡易的物理方程式進行數值分析。如第一圖所示，當液晶面板內的液晶分子1液晶分子2以及液晶分子3的預傾角θ皆為相等，且扭轉角為0度即可視為晶體式結構。其中，標號106為入射線偏光，而標號107為穿透液晶樣品103之透射光。
針對習知技術的侷限與未來市場的需求，開發新測定方法及裝置來達成高效率及高準確性之測定，並提供解決對策乃是當務之急。
本揭露之實施範例可提供一種測定液晶參數的方法及裝置。
本揭露之一實施範例係關於一種測定液晶參數的裝置，此裝置包含一線偏光產生器、一第一電控控制器以調制該線偏光產生器產生不同方位角之線偏光、一待測樣品，其中心方向軸線與該線偏光形成一傾斜夾角、一偏光分析器、一第二電控控制器以調制該偏光分析器、以及一資料處理裝置，其中，此線偏光產生器取出光源的入射線偏光並投射至該待測樣品，此偏光產生器產生不同方位角之線偏光由此第一電控控制器來調制，使線偏光投射至此待測樣品，此待測樣品之中心方向軸線與該線偏光形成一傾斜夾角，而穿透此待測樣品之透射光係被此偏光分析器接收，此偏光分析器經由使用此電控控制器調制後，將線偏光、不同橢圓率(Ellipticity)和不同旋向性(Handedness)之偏光予以取出，經由後端的資料處理裝置，並透過一切層理論模型，擬合求解出至少一液晶光學參數。
本揭露之另一實施範例係關於一種測定液晶光學參數的方法，此方法包含：輸入初始之至少一液晶光學參數；輸入液晶面板相對於入射光方向作傾斜角度範圍以及各相鄰傾斜角度之間隔，係從光源取出複數個方位角之線偏光成分；開始測定各傾斜角度之光強度訊號，係使用一偏光分析器具出透過液晶面板之複數個偏光強度；以及，透過一理論模型和至少一測定訊號，將此偏光強度以一資料處理裝置所建立之一切層理論模型，求解至少一液晶光學參數。
茲配合下列圖示、實施範例之詳細說明及申請專利範圍，將上述及本揭露之其他目的與優點詳述於後。
本揭露之實施範例是基於一線偏光產生器(Linear Polarization Generator)和一偏光分析器(Polarization Analyzer)，並搭配一切層理論模型，同時考慮扭轉角和預傾角於厚度方向之變化，以線偏光產生器投射不同方位角之線偏光於一待測物上，並配合偏光分析器所組成的多組偏光特性所取出的光強度，來擬合或比對計算至少一個液晶光學參數。此液晶光學參數可適用於各種定向型態之液晶面板測定。
第二圖所示為本揭露之一種測定液晶參數之裝置的一個範例示意圖。此裝置可包含一線偏光產生器102、一第一電控控制器201以調制線偏光產生器102來產生不同方位角之線偏光、一待測樣品103，且此待測樣品之中心方向軸線與該線偏光形成一傾斜夾角、一偏光分析器104、一第二電控控制器202以調制該偏光分析器104、以及一資料處理裝置105。線偏光產生器102取出光源101的入射線偏光106並將入射線偏光投射至該待測樣品103。線偏光產生器102產生不同方位角之線偏光由第一電控控制器201所調制。值得注意的是，待測樣品103之中心方向軸線與該線偏光形成一傾斜夾角，使線偏光投射至待測樣品103。而穿透待測樣品103之透射光107再由偏光分析器104接收，偏光分析器104係由第二電控控制器202所調制，將線偏光、不同橢圓率和不同旋向性之偏光予以取出，最後經由後端的資料處理裝置105，透過一切層理論模型115，擬合求解出至少一液晶光學參數125。
值得注意的是，讓待測樣品103之中心方向軸線與該線偏光形成一傾斜夾角的方式可藉由不同的機制來實施，本發明並未限定任何特定手段。例如，可利用一傾斜機構，將該待測樣品103置放於該傾斜機構上，再利用旋轉該傾斜機構的方式，使得該待測樣品103之中心方向軸線與該線偏光形成一傾斜夾角。第二圖中所示之X即為該傾斜機構之旋轉軸心。另一實施手段，可藉由旋轉線偏光產生器102，使得該待測樣品103之中心方向軸線與該線偏光形成一傾斜夾角，而偏光分析器104也相對應的旋轉以順利接收穿透待測樣品103之透射光107。第二圖中所示之虛線旋轉箭頭即為此實施手段之示意標示。以下之敘述，僅以傾斜機構為實施手段說明，其他等同之實施手段也適用於本發明。
第三圖所示為本揭露之測定液晶參數之裝置的一個工作範例的示意圖。線偏光產生器102可由一起偏器301固定於一旋轉平台302上所實現，並由第一電控控制器201控制旋轉平台302而產生不同方位角之線偏光，並投射至附加於傾斜機構上之待測樣品103。另一方面，偏光分析器104可由一波片303固定於一旋轉平台304上，以及一檢偏器305以及一光接收器306所實現，藉由第二電控控制器202來控制旋轉平台304，將線偏光、不同橢圓率和不同旋向性之偏光予以取出，並由光接收器306接收光強度變化與轉換成電流或電壓資訊後，經由後端的資料處理裝置105，利用一切層理論模型，擬合求解出至少一液晶光學參數125。
第四圖所示為本揭露之一種測定液晶參數之裝置之另一工作範例的示意圖。線偏光產生器102可由一起偏器301、一前置電壓調制電控相移器308和一波片309所實現，並於起偏器301前設置一光學濾鏡(Optical Filter)307，且波片309係對應光學濾鏡307之波長的四分之一。其操作可由光學濾鏡307取出光源之一特定波長，由線偏光產生器102取出線偏光，由第一電控控制器201控制前置電壓調制電控相移器308，使偏光產生器102產生不同方位角之線偏光，並投射至附加於傾斜機構108上之待測樣品103。另一方面，偏光分析器104可由一電壓調制電控相移器310、一檢偏器305以及一光接收器306所實現。由偏光分析器104分析穿透待測樣品103之透射光107；由第二電控控制器202施加電壓調制電控相移器310之相位，將線偏光、不同橢圓率和不同旋向性之偏光予以取出，並由光接收器306接收光強度變化與轉換成電流或電壓資訊，再經由後端的資料處理裝置105，藉由一切層理論模型，擬合求解出至少一液晶光學參數125。
液晶面板的因為產品應用上的需求，以習知技術之晶體式結構理論模型已經不足使用，其中原因之一是在於晶體式結構的假設僅能代表整體的平均特性，當遇到液晶預傾角會沿著厚度方向呈現對稱漸變結構(例如：π-cell
液晶面板)，以習知之晶體式結構理論模型可能會喪失光學上對稱相消的分析能力；再者，扭轉向列型液晶面板需考慮扭轉角對e-wave和o-wave的效應，上述多種情況都需要修正習知之晶體式理論模型，以提升計算液晶參數的準確度。
第五圖所示為本揭露中，扭轉向列型液晶之三維結構的一個範例示意圖。假設預傾角為定值θ，並假設扭轉角沿著厚度(d
)方向為變數，若沿著厚度(d
)方向總共切割了j
層，則第k
層(k
=0,1,2,...,j
-1)扭轉角可表示為，其中α為第0層液晶分子1的配向角度，第0層液晶分子1和第k層液晶分子3之慢軸(Slow Axis)於x-y平面上投影的差值即為扭轉角Φ
，故相鄰的液晶分子扭轉角差為
第六圖所示為本揭露中，π-cell
液晶面板之三維結構的一個範例示意圖。假設預傾角沿著厚度(d
)方向為變數，若沿著厚度(d
)方向總共切割了j
層，則第k
層(k
=0,1,2,...,j
-1)預傾角可表示為，θ為第0層液晶分子1的預傾角，則相鄰的液晶分子預傾角差可表示為
以上例子也可假設液晶扭轉角和液晶預傾角沿著厚度方向皆為變數；亦可引入第0層液晶分子1和第j
-1層之液晶分子3之預傾角差異，用來代表上下玻璃的預傾角誤差，可得到更好的擬合結果。
承上述之新理論模型所述，本揭露之切層理論模型表示為M
=R
(-α)R
(Φ
)R
(-ΔΦ
)M j - 1
…R
(-ΔΦ
)‧M 1 R
(-ΔΦ
)M 0 R
(α)，其中R
(α)和R
(-α)為座標系轉換表示式，α為第0層液晶分子的配向角度；M k
代表每一層液晶的電場表示式，當切層數量夠多，每一層液晶將可視為同質(Homogeneous)特性；在切層的計算過程中，扭轉角差必須利用座標系轉換表示式R
(-ΔΦ
)來修正；而預傾角差則是在計算每一層時，修正θ k
的數值。此切層理論模型之矩陣可以更進一步使用Jones矩陣(matrix)或擴充的(Extended)Jones矩陣來展開。
依第二圖、第三圖和第四圖的架構下，光強度理論方程式可表示為S
[p
(t
),β(t
),r
(t
)]=|A
‧C
[β(t
),r
(t
)]‧M
‧E
[p
(t
)]2
，而S
[p
(t
),β(t
),r
(t
)]分別為入射線偏光106之方位角p
(t
)、波片303(或電壓調制電控相移器310)之方位角β(t
)，和波片303(或電壓調制電控相移器310)之相位r
(t
)隨時間變化之函數，A
為檢偏器305的電場表示式，而本揭露的一個實施範例之A
為固定穿透軸(Transmission Axis)角度在0度，波片303(或電壓調制電控相移器310)之電場表示式為C
[β(t
),r
(t
)]，E
[p
(t
)]為入射線偏光106之電場表示式。而實際上光檢測器306所測定到的光強度可以表示為I
[p
(t
),β(t
),r
(t
)]，此時液晶光學參數125可藉由以下範例擬合求解出：
範例1：
電壓調制電控相移器310之方位角a
不變；線偏光產生器301之入射線偏光方位角p
和電壓調制電控相移器310之相位r
為時變函數之方式擬合求解：
方程式(1)左式之分子對應右式之分子，而右式之分子所對應的是時間t 1
時的理論方程式；左式之分母對應右式之分母，而右式之分母所對應的是時間t 2
時的理論方程式。範例1引入多組時態之測定結果，以求解至少一個液晶光學參數。
範例2：
波片303之相位r
不變；入射線偏光106方位角p
和波片303之方位角a
為時變函數之方式擬合求解：
方程式(2)的左式之分子對應右式之分子，而右式之分子所對應的是時間t 3
時的理論方程式；左式之分母對應右式之分母，而右式之分母所對應的是時間t 4
時的理論方程式。此範例2引入多組不同時態之測定結果，以求解至少一個液晶光學參數。
範例3：
考慮偏光總強度I 450
,450
,00 +I
[450
,450
,900 做正規化運算。
方程式(3)左式對應右式同樣在時間t 5
時的理論方程式。此範例3引入多組不同時態之測定結果，以求解至少一個液晶光學參數。
範例4：
考慮偏光總強度I 450
,450
,900 +I 450
,1350
,900 做正規化運算。
方程式(4)左式對應右式同樣在時間t 6
時的理論方程式。此範例4引入多組不同時態之測定結果，以求解至少一個液晶光學參數。
第七圖所示為本揭露之一種測定液晶光學參數之方法的一個範例流程的示意圖。輸入初始之至少一液晶光學參數，如步驟711所示；設定入射角度範圍，如步驟712所示，輸入液晶面板相對於入射光方向作傾斜角度範圍以及各相鄰傾斜角度之間隔，係從光源取出複數個方位之線偏光成分，以所設定之入射角度之入射光投射至液晶面板；取得多組光強度訊號，如步驟713所示，開始測定各傾斜角度之光強度訊號，係使用一偏光分析器取出透過液晶面板之複數個偏光強度；理論模型比對或擬合多組光強度訊號步驟，如步驟714所示，透過理論模型和測定訊號之擬合或是比對，將此偏光強度以一資料處理裝置所建立的一切層理論模型，求解出至少一液晶光學參數。
值得注意的是，本揭露可依使用狀況而做各種變化，例如使用不同種類的起偏器301、電壓調制電控相移器310、檢偏器305和光檢測器306；或使用波片303、切換不同方位角之檢偏器305以及光檢測器306所形成的偏光分析器104等。內文中所揭露者僅為實施裝置與方法的範例，嫻熟於此技術者可加以修改及重新設計，亦可達到相同的效果，類似的各項更改，皆由本揭露之申請專利範圍加以界定。
綜上所述，本揭露之實施範例有下列之技術特性：(1)偏光量測技術搭配創新的液晶理論模型，同時考慮扭轉角和預傾角於厚度方向之變化，也可同步計算多個液晶參數。故可提高準確性和增加量測效率；(2)配合此切層理論模型，可解析不同類型液晶模態的光學特性。故可符合產業多元化的需求；(3)可應用於3D顯示器之微相位差膜(micro retarder)之光學雙折射特性之檢測。
因此，本揭露之實施範例所提出的測定液晶參數之方法與裝置，確實能藉由所揭露之技藝而符合發明專利之新穎性，進步性與產業利用性之要件。惟，以上所述者，僅為本揭露之實施範例而已，當不能依此限定本揭露實施之範圍。本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾，皆應仍屬本揭露之專利涵蓋的範圍內。
101．．．光源
102．．．線偏光產生器
103．．．待測樣品
104．．．偏光分析器
105．．．資料處理裝置
106．．．入射線偏光
107．．．透射光
X．．．待測樣品之旋轉軸線
115．．．切層理論模型
125．．．液晶光學參數
201．．．第一電控控制器
202．．．第二電控控制器
301．．．起偏器
302．．．旋轉平台
303．．．波片
304．．．旋轉平台
305．．．檢偏器
306．．．光接收器
307．．．光學濾鏡
308．．．電壓調制電控相移器
309．．．波片
310．．．電壓調制電控相移器
第一圖所示為習知理論模型所用之Homogeneous三維液晶模型結構的一個範例示意圖。
第二圖所示為本揭露之一種測定液晶參數之裝置的一個範例示意圖。
第三圖所示為本揭露之測定液晶參數之裝置的一個工作範例的示意圖。
第四圖所示為本揭露之一種測定液晶參數之裝置之另一工作範例的示意圖。
第五圖所示為本揭露中，扭轉向列型液晶之三維結構的一個範例示意圖。
第六圖所示為本揭露中，π-cell
液晶面板之三維結構的一個範例示意圖。
第七圖所示為本揭露之一種測定液晶光學參數之方法的一個範例流程的示意圖。
101．．．光源
102．．．線偏光產生器
103．．．待測樣品
104．．．偏光分析器
105．．．資料處理裝置
106．．．入射線偏光
107．．．透射光
115．．．切層理論模型
125．．．液晶光學參數
201．．．第一電控控制器
202．．．第二電控控制器
X．．．待測樣品之旋轉軸線
Claims (16)
- 一種測定液晶參數的裝置，包含：一線偏光產生器，接收一光源的入射光並自該光源取出複數個入射線偏光；一第一電控控制器，連接至該線偏光產生器以調制該線偏光產生器產生不同方位角之該線偏光；一待測樣品，其中心方向軸線與該線偏光形成一傾斜夾角；一偏光分析器，接收來自穿透該待測樣品之透射光；一第二電控控制器，連接至該偏光分析器以調制該偏光分析器，以取出一特定之偏光強度；以及一資料處理裝置，置於一後端，接收來自該偏光分析器的取出的偏光資料，藉由一切層理論模型，求解出至少一液晶光學參數；其中，該切層理論模型表示為M =R (-α )R ()R (-△)M j -1 …R (-△)．M 1 R (-△)M 0 R (α )，其中R (α )和R (-α )為座標系轉換表示式，α 為第0層液晶分子的配向角度；M k 代表每一層液晶的電場表示式。
- 如專利申請範圍第1項之測定液晶參數的裝置，其中該線偏光產生器更包括一起偏器與一第一旋轉平台，該起偏器係固定於該第一旋轉平台上，由該第一電控控制器控制該旋轉平台以產生不同方位角之線偏光，並以所設定之傾斜角度投射至該待測樣品。
- 如專利申請範圍第1項之測定液晶參數的裝置，其中 該偏光分析器更包含一波片、一第二旋轉平台、一檢偏器以及一光接收器，該波片係固定於該第二旋轉平台上，由該第二電控控制器控制該第二旋轉平台，以取出特定之偏光強度，並由該光接收器接收光強度變化轉換成電流或電壓資訊。
- 如專利申請範圍第1項之測定液晶參數的裝置，其中該線偏光產生器更包含一起偏器、一前置電壓調制電控相移器和一波片，並於該起偏器前設置一光學濾鏡，且該波片係對應該光學濾鏡之波長的四分之一，由該光學濾鏡取出該光源之特定波長，由該線偏光產生器取出線偏光，由該第一電控控制器控制該前置電壓調制電控相移器，使該偏光產生器產生不同方位角之線偏光，並以所設定之傾斜角度投射至該待測樣品。
- 如專利申請範圍第1項之測定液晶參數的裝置，其中該偏光分析器更包括一第二電壓調制電控相移器、一檢偏器以及一光接收器，由該偏光分析器分析穿透該待測樣品之該透射光，由該第二電控控制器施加該第二電壓調制電控相移器之相位，以取出特定之偏光強度，並由該光接收器接收光強度變化轉換成電流或電壓資訊。
- 如專利申請範圍第1項之測定液晶參數的裝置，其中該待測樣品係置放於一傾斜機構上，再利用旋轉該傾斜機構的方式，使得該待測樣品之中心方向軸線與該線偏光形成一傾斜夾角。
- 如專利申請範圍第1項之測定液晶參數的裝置，其中，可藉由旋轉該線偏光產生器，使得該待測樣品之中心方向軸線與該線偏光形成一傾斜夾角，而該偏光分析器也相對應的旋轉以順利接收穿透該待測樣品之該透射光。
- 如申請專利範圍第1項之測定液晶參數的裝置，其中該切層理論模型使用一Jones矩陣或一擴充的Jones矩陣來展開。
- 如申請專利範圍第1項之測定液晶參數的裝置，其中該取出特定之偏光強度係包含線偏光、不同橢圓率和不同旋向性之偏光特性。
- 如申請專利範圍第1項之測定液晶參數的裝置，其中該求解液晶光學參數為計算配向角度、扭轉角、液晶厚度以及預傾角之前述液晶光學參數中至少一個者。
- 如申請專利範圍第1項之測定液晶參數的裝置，其中該計算配向角度、扭轉角、液晶厚度以及預傾角等液晶光學參數中是藉由透過該理論模型和測定訊號擬合或比對原理來求解。
- 一種測定液晶參數的方法，包含：輸入初始之至少一液晶光學參數；設定傾斜角度，使自光源取出之特定偏光成分，以所設定之傾斜角度投射至一待測樣品；取得特定光強度訊號，開始測定各傾斜角度之光強度訊號，係使用一偏光分析器取出透過該待測樣品之特定偏光強度；以及 理論模型比對/擬合該特定光強度訊號，係透過一理論模型和至少一測定訊號，將該偏光強度以一資料處理裝置所建立的一切層理論模型，求解至少一液晶光學參數；其中，該切層理論模型表示為M =R (-α )R ()R (-△)M j -1 …R (-△)．M 1 R (-△)M 0 R (α )，其中R (α )和R (-α )為座標系轉換表示式，α 為第0層液晶分子的配向角度；M k 代表每一層液晶的電場表示式。
- 如專利申請範圍第12項之測定液晶參數的方法，其中該特定偏光強度是線偏光、不同橢圓率和不同旋向性之偏光特性。
- 如申請專利範圍第12項之測定液晶參數的方法，其中該液晶切層理論模型使用一Jones矩陣或一擴充的Jones矩陣展開。
- 如申請專利範圍第12項之測定液晶參數的方法，其中該求解至少一液晶光學參數包括計算配向角度、扭轉角、液晶厚度以及預傾角之前述液晶光學參數中至少一個者。
- 如申請專利範圍第12項之測定液晶參數的方法，其中該至少一液晶光學參數中是藉由透過該理論模型和該至少一測定訊號擬合或比對原理來求解。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW099144264A TWI432715B (zh) | 2010-12-16 | 2010-12-16 | 測定液晶參數的方法及裝置 |
| CN201010610643.XA CN102566092B (zh) | 2010-12-16 | 2010-12-28 | 测定液晶参数的方法及装置 |
| KR1020110000340A KR101374328B1 (ko) | 2010-12-16 | 2011-01-04 | 액정 셀 파라미터 측정 방법 및 장치 |
| JP2011002024A JP2012127933A (ja) | 2010-12-16 | 2011-01-07 | 液晶パラメータ測定の方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW099144264A TWI432715B (zh) | 2010-12-16 | 2010-12-16 | 測定液晶參數的方法及裝置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201226881A TW201226881A (en) | 2012-07-01 |
| TWI432715B true TWI432715B (zh) | 2014-04-01 |
Family
ID=46411891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW099144264A TWI432715B (zh) | 2010-12-16 | 2010-12-16 | 測定液晶參數的方法及裝置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2012127933A (zh) |
| KR (1) | KR101374328B1 (zh) |
| CN (1) | CN102566092B (zh) |
| TW (1) | TWI432715B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104905778B (zh) * | 2014-03-12 | 2018-08-10 | 科际器材工业股份有限公司 | 双向排气装置及其双向出气结构 |
| CN104236857B (zh) * | 2014-09-11 | 2017-02-15 | 电子科技大学 | 基于四分之一波片法的液晶光学移相分布检测系统及方法 |
| CN107064595B (zh) * | 2017-05-25 | 2019-08-06 | 上海大学 | 基于复合光涡旋的晶体电流传感器 |
| CN111812869B (zh) * | 2020-07-02 | 2022-07-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 液晶显示面板的光学量测方法及量测系统 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0498147A (ja) * | 1990-08-17 | 1992-03-30 | Nikon Corp | 複屈折測定装置 |
| JP2002162360A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-06-07 | Seiko Epson Corp | 液晶パネルの評価方法及び評価装置 |
| JP3813834B2 (ja) * | 2001-04-17 | 2006-08-23 | 佐藤 進 | 液晶パネルパラメータ検出装置 |
| JP4303075B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2009-07-29 | 富士フイルム株式会社 | 液晶性材料の物性測定方法及び液晶性材料の物性測定装置 |
| US7218398B2 (en) * | 2003-11-26 | 2007-05-15 | Smith Matthew H | Method and apparatus for determining liquid crystal cell parameters from full Mueller matrix measurements |
| JP3936712B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2007-06-27 | 名菱テクニカ株式会社 | 検出対象のパラメータ検出方法及び検出装置 |
| JP2006337288A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Fujifilm Holdings Corp | 液晶材料の物性測定方法及び物性測定システム |
| CN101464576B (zh) * | 2009-01-14 | 2010-12-08 | 北京航空航天大学 | 液晶相位可变延迟器特性参数定标系统 |
| JP5185160B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2013-04-17 | 大塚電子株式会社 | 反射型液晶セルのチルト角測定方法及び装置 |
-
2010
- 2010-12-16 TW TW099144264A patent/TWI432715B/zh active
- 2010-12-28 CN CN201010610643.XA patent/CN102566092B/zh active Active
-
2011
- 2011-01-04 KR KR1020110000340A patent/KR101374328B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-07 JP JP2011002024A patent/JP2012127933A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101374328B1 (ko) | 2014-03-12 |
| CN102566092B (zh) | 2014-09-24 |
| TW201226881A (en) | 2012-07-01 |
| KR20120067903A (ko) | 2012-06-26 |
| JP2012127933A (ja) | 2012-07-05 |
| CN102566092A (zh) | 2012-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI432715B (zh) | 測定液晶參數的方法及裝置 | |
| JP2001356072A (ja) | プレチルト角検出方法及び検出装置 | |
| JP2010060352A (ja) | 光学異方性パラメータ測定方法及び測定装置 | |
| Duran et al. | Cell parameter determination of a twisted-nematic liquid crystal display by single-wavelength polarimetry | |
| TWI485382B (zh) | And a measuring device for measuring the inclination angle of the reflective liquid crystal cell | |
| US4272195A (en) | Method and apparatus for determining the wavelength of light | |
| US6633358B1 (en) | Methods and apparatus for measurement of LC cell parameters | |
| KR20100048907A (ko) | 액정 셀의 틸트각 측정 방법 및 장치 | |
| Khos-Ochir et al. | Polarimetric measurement of Jones matrix of a twisted nematic liquid crystal spatial light modulator | |
| TWI467156B (zh) | 液晶胞特性測定裝置以及液晶胞特性測定方法 | |
| KR100640522B1 (ko) | 위상지연을 측정하는 장치 및 방법 | |
| TWI405959B (zh) | 利用穿透式外差干涉術量測異方性物質之物理參數的裝置及方法 | |
| TWI437220B (zh) | 液晶預傾角量測系統與方法 | |
| JP5991230B2 (ja) | 位相差測定方法及び装置 | |
| JP3142805B2 (ja) | 液晶セルパラメータ検出方法及び装置 | |
| CN111256828A (zh) | 偏振光3d影像量测之机构及其制造方法 | |
| JP3755303B2 (ja) | 液晶素子における液晶層厚とツイスト角度の測定方法 | |
| KR101309819B1 (ko) | 필름의 광학특성 측정 방법 | |
| JP2002311406A (ja) | 液晶パネルパラメータ検出装置 | |
| JP2002243418A (ja) | 液晶パネルのギャップ検出方法及び検出装置 | |
| JP2009085887A (ja) | 測定装置及び方法 | |
| Chiang et al. | Entanglement-free determination of pretilt angles of twisted nematic liquid-crystal cells by phase measurement | |
| JP2009198354A (ja) | 電気光学装置の検査装置及び検査方法 | |
| JPH0989760A (ja) | ネマチック液晶素子の方位角方向のアンカリングエネルギ−測定方法 | |
| JP2005283534A (ja) | 垂直配向液晶パネルのセル厚測定方法、及び測定装置 |