TWI288297B - Chemical amplification type positive resist compositions and sulfonium salts - Google Patents

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butyrolactone
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Hiroki Inoue
Yasunori Uetani
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Sumitomo Chemical Co
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Description

1288297 玖、發明說明： 本發明是有關於一種化學增強型（Amplifying Type)正 光阻組合物和锍鹽，且特別是有關於一種用於半導體製程 的化學增強型正光阻組合物和用於光阻組合物之酸發生劑 (Acid Generator)化合物。 使用光阻組合物的微影製程已廣泛應用於半導體製程 中。在微影製程中，原則上以Rayleigh數學式的衍射限制 可表達出解析度是隨曝光波長的降低而提高。波長436nm 的g-線、波長365nm的i-線和波長248nm的KrF准分子 雷射已被用在半導體製程中微影的曝光光源。然而，使用 曝光光源的波長趨勢是一年比一年短。波長193nm的ArF 准分子雷射目前是被認爲最有潛力的曝光光源，並且一些 用於ArF准分子雷射的光阻目前亦實際的被使用中。 與傳統用於曝光光源的透鏡相比，在ArF准分子雷射 曝光機中使用的透鏡壽命會較短。因此，在微影製程中ArF 准分子雷射的曝光時間必須較短。爲了降低曝光時間，因 此需要較高靈敏度的光阻。一種已使用的所謂化學增強型 光阻係爲利用因曝光而發生酸催化作用之光阻，另外則是 一種具有經過酸的作用而裂解的基團之樹脂。 爲了確保光阻的透射率（Transmittance)，在ArF准分 子雷射曝光光阻中使用的樹脂必須沒有芳香環，但爲了使 其具有足夠的乾触刻阻抗性（Dry Etching Resistance)，必 須要利用脂環來取代芳香環。而多種樹脂如D. C. Hofer在 7572pifl.doc/008 5 1288297
Journal of Photopolymer Science and Technology，ν〇1·9, Νο·3, p.387-398(1996)中所述，其已公開用於ArF准分子雷射曝 光的樹脂。 S.Takechi 等人在 Journal of Photopolymer Science and Technology，Vol.9，Νο·3，ρ·475-487(1996)和 JP-A-73173 中 已公開，利用含聚合物或丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯共聚 物化學增強型光阻作爲樹脂，2-甲基-2-金剛烷將因酸的作 用而裂解以作爲正光阻之用，並且可獲得高的解析度且對 基底具有良好的粘著力。另外，在JP-A-10-274852中提出， 當部分的聚合單元中有丁內酯殘基的樹脂作爲構成化學增 強型正光阻組合物的樹脂時，可改善對基底的粘著性。另 外，在JP-A-10-319595中描述了包括具有γ-丁內酯-3-基殘 基作爲羧基保護基的樹脂的樹脂組合物。 由於化學增強型光阻主要是利用酸的作用，如此將産 生的一個問題是：當基底爲鹼性時由於酸的去活性作用， 會使得輪廓易形成底部拖尾之情形。此一問題已知可藉由 加入大量的鹼性淬滅劑物質而獲得解決。然而，加入大量 淬滅劑物質易導致樹脂的靈敏度降低。另外，在ArF曝光 中，經常會將光阻塗佈在具有低反射性的基底上，如有機 或無機抗反射層上。當使用這種具有低反射性的基底時， 雖然尺寸均勻性可得到有效的提高，但由於光吸收常使得 光阻的輪廓呈錐形損壞。 降低光吸收的一個可能方法是將酸發生劑的量降低。 然而，在這種情況下，通常會降低光阻的靈敏度。降低光 7572pin.doc/008 6 1288297 吸收的另一個可能方法是使用具有高透明度的脂族锍鹽， 如 JP-A-7-25846、JP-A-7-28237、JP-A-7-92675 和 JP-A-8-27102中描述的那些。然而，在這些已知的脂族毓鹽中， 無法得到足夠的解析度，並且不能解決鹼性基底上的輪廓 易形成底部拖尾的問題。因此，含有習知酸發生劑的化學 增強型光阻，具有依基底的種類而改變性能的問題，且特 別是輪廓改變的問題。 因此，本發明的目的就是提供一種化學增強型正光阻 組合物，包括一種樹脂組成物和酸發生劑，其適用於ArF、 KrF等的准分子雷射之微影製程，特別是用於220nm或更 低波長的光，例如ArF准分子雷射的微影製程，其具有良 好的靈敏度和解析度，並可形成良好的輪廓。 本發明的另一目的是提供在這種化學增強型正光阻樹 脂組合物中作爲酸發生劑的化合物。 本發明人發現利用組合一些種類的酸發生劑可改善光 阻的透光性及其解析度。 本發明提出一種化學增強型正光阻樹脂組合物，包 括：由化學式(I)表75的脂族硫鹽 Q1 0 /Q3 ^S+CH2-C-CH2-+S/ 2CmF2m+1S03_ ⑴ Q2 、Q4 其中每一 Q1、Q2、Q3和Q4分別表示1至6個碳原子的烷 基或3至10個碳原子的環烷基，或Qi、Q2和/或q3、Q4 7572pifl.doc/008 7 1288297 與相鄰的硫原子一起形成具有2至8個碳原子並更包括具 有一個氧原子或硫原子的雜環基，m表示1至8的整數； 至少一鎩鹽，其選自：由化學式（Ila)表示的三苯基锍鹽和 由化學式（lib)表示的二苯基碘鎩鹽 Q5
(Ha) Q8
(Hb) 其中Q5、Q6、Q7和Q8分別表示氫原子、羥基、1至6個 碳原子的烷基或1至6個碳原子的烷氧基，p和q表示1 至8的整數；以及 一樹脂，此樹脂包括具有對酸不穩定的基團的聚合單元， 並且其本身不溶於鹼，但經過酸的作用後會變成可溶於 鹼。 由化學式（I)表示的脂族锍鹽是從未在文獻中公開的新 化合物。因此，本發明還提供了由化學式(I)表示的锍化合 物。 爲讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易懂， 下文特舉較佳實施例，作詳細說明如下： 實施例 7572pifl.doc/008 8 1288297 用於化學增強型正光阻樹脂組合物中的酸發生劑是藉 由放射線，例如光或電子束照射該物質本身或含有該物質 的光阻組合物而分解產生酸的物質。在本發明的樹脂組合 物中，由化學式⑴表示的脂族鏑鹽和選自化學式（Ha)表示 的三苯基毓鹽，和化學式(lib)表示的二苯基碘鑰鹽的至少 一鎗鹽，此酸發生劑係一起使用。 在化學式(I)中，每一 Q1、Q2、Q3和Q4分別表示1至 6個碳原子的烷基或3至10個碳原子的環烷基。Q1、Q2 和與它們鍵結的硫原子，和/或Q3、Q4和與它們鍵結的硫 原子一起形成具有2至8個碳原子且更包括有一個氧原子 或硫原子的雜環基。當烷基具有3個或更多的碳原子時’ 該烷基可以是直鏈或支鏈的。烷基的典型例子包括甲基、 乙基、丙基、異丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基等。環 烷基的典型例子包括環戊基、環己基、環庚基等。由Q1、 Q2和與它們鍵結的硫原子一起形成的雜環基、和由Q3、Q4 和與它們鍵結的硫原子一起形成的雜環基的典型例子包括 環硫乙烷、環硫丙烷、四氫噻吩、四氫噻喃、噻噁烷、二 噻烷、四氫噻吩-3-酮、四氫噻喃-4-酮等。在化學式（I)中’ 表示構成全氟鏈烷烴磺酸鹽陰離子烷烴部分的碳原子數m 爲1至8的整數。對應於全氟鏈烷烴磺酸鹽陰離子部分的 典型例子包括三氟甲烷磺酸鹽離子、全氟丁烷磺酸鹽離 子、全氟辛烷磺酸鹽離子等。 由化學式（I)表示的脂族鏑鹽對於波長220nm以下的 光，例如波長193nm的ArF准分子雷射具有局的透光性’ 7572pin.doc/008 9 1288297 這是因爲構成鹽毓陽離子的基團是非芳香基團。因此，當 這些脂族毓鹽用作酸發生劑時，含有該酸發生劑的光阻組 合物對於上述的短波長曝光具有較低的吸收速率，並且可 避免形成底部拖尾之輪廓。 形成化學式⑴的脂族锍化合物可根據已知之方法形 成。例如，利用 J.V· Crivello 等人在 Journal of Polymer Science，P〇lymer Chemistry Edition，ν〇1·17,2877-2892(1979) 中所述方法，其係以下列流程形成： xch2c.ch2x (A1) SQ1Q2, SQ3Q4 --- (A2) Q1、 〇 ,Q3 S^CH^CHiS Q2 2X- 、Q4 (B) (I) 其中Q1、Q2、Q3、Q4和m定義如上，X表示鹵原子例如 溴和碘，Μ表示鹼金屬例如鈉和鉀或銀。 由化學式（I)表示的脂族毓鹽可利用如下述之方法形 成：將化學式(Α2)的硫化物與化學式（Α1)的二鹵代丙酮反 應，得到化學式(Β)的鹵化鏡，接著與化學式CmF2m+1S03M 的全氟鏈烷烴磺酸的金屬鹽進一步反應。這些反應在適當 的溶劑例如丙酮、乙腈、硝基甲烷等中進行。以1莫耳對 應於化學式(A1)的二鹵代丙酮來計算，化學式(A2)的硫化 物的使用量例如爲1.8莫耳至3莫耳，較佳的是2.0莫耳 至2.2莫耳。以1莫耳的化學式(A2)之硫化物以生成化學 式(B)的鹵化锍來計算，化學式cmF2m+1S03M的全氟鏈烷 烴磺酸的金屬鹽的使用量較佳的是0.8莫耳至1.2莫耳， 7572pifl.doc/008 10 1288297 更佳的是0.9莫耳至1.1莫耳。完成反應後，可利用過濾 等方法以除去形成的金屬鹵化物鹽，並對該溶液進行後處 理如濃縮、再結晶等，而得到脂族锍鹽。 由化學式（I)表示的脂族锍鹽的具體例子包括下列化合 物： (2-氧代-1,3-丙烷二基）雙（二甲基鏑）雙（三氟甲烷磺酸 鹽）， (2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（二甲基毓）雙（全氟丁烷磺酸 鹽）， (2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（二甲基鏑）雙（全氟辛烷磺酸 鹽）， (2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（二乙基鏑）雙（全氟丁烷磺酸 鹽）， (2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（二丁基鏑）雙（三氟甲烷磺酸 鹽）， (2-氧代-1,3-丙烷二基）雙（二丁基毓）雙（全氟丁烷磺酸 鹽）， (2-氧代-1,3-丙烷二基）雙（二丁基锍）雙（全氟辛烷磺酸 鹽）， (2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（二異丙基锍）雙（全氟丁烷磺 酸鹽）， (2-氧代-1,3-丙烷二基）雙（叔丁基甲基锍）雙（全氟丁烷 磺酸鹽）， (2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（環己基甲基鏡）雙（全氟丁烷 7572pifl.doc/008 11 1288297 磺酸鹽）， l,r-(2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（四氫噻吩）雙（三氟甲烷 磺酸鹽）， 1，Γ-(2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（四氫噻吩）雙（全氟丁烷 擴酸鹽）， 1,Γ-(2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（四氫噻吩）雙（全氟辛烷 磺酸鹽）， 1，1'-(2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（四氫噻喃）雙（全氟丁烷 磺酸鹽）， 1，Γ-(2-氧代-1,3-丙烷二基）雙（1，4-锍噁烷）雙（全氟丁 烷磺酸鹽）， 1,Γ-(2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（4-氧代-四氫噻喃）雙（全 氟丁烷磺酸鹽）等。 在本發明中，將至少一選自化學式（Ila)化合物和化學 式(lib)化合物的鐺鹽與化學式(I)的脂族锍鹽一起用作酸發 生劑。在這些鎗鹽中，Q5、Q6、Q7、Q8和Q9分別表示氫 原子、羥基、1至6個碳原子的烷基或1至6個碳原子的 烷氧基。當這些烷基或烷氧基具有3個或更多的碳原子時， 這些基團可以是直鏈或支鏈的。烷基的典型例子包括甲 基、乙基、丙基、異丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基等。 烷氧基的典型例子包括烷氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基 等。在化學式（Ila)和（lib)中，表示構成全氟鏈烷烴磺酸鹽 陰離子烷烴部分的碳原子數P和q爲1至8的整數。 由化學式（Ila)表示的三苯基鏑鹽和由化學式（lib)表示 7572pifl.doc/008 12 1288297 的二苯基碘鎩鹽是市面可購得的。另外，其亦可依據習知 的方法生成。關於生成三苯基毓鹽（IIa)的方法’例舉下列 之方法：一種將對應的溴化三苯基锍與全氟磺酸銀反應的 方法；一種將對應的二苯基亞楓與苯化合物和全氟鏈院磺 酸在三氟乙酸酐存在下反應的方法（根據Chemical and
Pharmaceutical Bulletin，Vol.29，3753(1981)中的描述），一^ 種將對應的芳基Grignard試劑與亞硫醯氯反應’然後與鹵 化三有機甲矽烷基反應形成鹵化三芳基鏑’接著與全氟鏈 烷磺酸磺酸銀反應的方法(根據JP-A-8-3 11018中之方法）， 等等。根據JP-A-8-311018中之方法，其中Q5、Q6和Q7中 至少一爲羥基的化學式（Ha)化合物可利用下述之方法生 成：利用與三苯基锍鹽有相同陰離子的磺酸處理在苯環上 具有叔丁氧基的三苯基毓鹽，以去除叔丁基。 關於生成二苯基碘鐵鹽(lib)的方法，例舉下列方法： 如 Journal of American Society，Vol· 61，342(1959)中所述 的硫酸碘鹽與對應的芳基化合物反應，接著加入全氟鏈烷 烴磺酸的方法；將濃硫酸滴加到對應的芳基化合物、乙酸 酐和碘酸鉀的混合物中以引起反應，接著加入全氟鏈烷烴 磺酸的方法；將碘和三氟乙酸加入乙酸酐和發煙硝酸的混 合溶液中，再與對應的芳基化合物反應而得到反應産物， 接著加入全氟鏈烷烴磺酸的方法；等等。 對應於化學式（Ila)的三苯基锍鹽和對應於式（lib)的二 苯基碘鎗鹽的具體例子包括下列化合物： 三氟甲院磺酸三苯基锍鹽， 7572pifl.doc/008 13 1288297 全氟丁烷磺酸三苯基锍鹽， 全氟辛烷磺酸三苯基锍鹽， 二氣甲院擴酸4-甲基苯基二苯基疏鹽， 全氣丁院擴酸4 -甲基苯基二苯基疏鹽， 全氟丁烷磺酸4-羥苯基二苯基锍鹽， 全氟丁烷磺酸4-甲氧基苯基二苯基鏑鹽， 全氟丁烷磺酸三(4_甲苯基)毓鹽， 全氟丁烷磺酸三(4-甲氧苯基)銃鹽， 全氟辛烷磺酸三苯基毓鹽， 全氟辛烷磺酸4-甲基苯基二苯基锍鹽， 全氟辛烷磺酸4-羥苯基二苯基锍鹽， 全氟辛院磺酸4-甲氧基苯基二苯基鏑鹽， 全氟辛烷磺酸三(4-甲苯基)毓鹽， 全氣辛院磺酸三(4-甲氧苯基)毓鹽， 全氟辛烷磺酸二苯基碘鏺， 全氟辛烷磺酸二(4-甲氧苯基)碘鎗， 全氟辛烷磺酸二(4-叔-丁基苯基)碘鎗，等等。 構成本發明的光阻組合物的樹脂組成包括具有對酸不 穩定的基團的聚合單元。用於化學增強型正光阻組合物的 樹脂通常本身是不溶於鹼的或難溶於鹼的。然而，其中一 部分基團會由於酸的作用而裂解，而裂解後之樹脂會變成 可溶於鹼的。對酸不穩定的基團的例子包括各種羧酸酯。 羧酸酯的例子包括烷基酯例如甲基酯和叔丁基酯、縮醛型 酯如甲氧甲基酯、乙氧基甲基酯、1-乙氧基乙基酯、1-異 7572pifl.doc/008 14 1288297 丁氧基乙基酯、1·異丙氧基乙基酯、乙氧基丙基酯、1兴2-甲氧基乙氧基）乙基酯、1-(2-酮氧基乙氧基）乙基酯、1-[2-(1-金剛烷氧基）乙氧基]乙基酯、1-[2_(1-金剛烷羰基氧基）乙 氧基]乙基酯、四氫-2-呋喃基酯和四氫-2-吡喃酯，脂環族 酯如異冰片基酯和2-烷基-2-金剛烷基酯等。導致這些具 有羧酸酯的聚合單元的單體的例子包括（甲基）丙烯酸類單 體例如甲基丙烯酸酯和丙烯酸酯、以及那些其中羧酸酯基 圑鍵結到脂環族單體上的單體（例如降冰片烯羧酸酯、三 瓌癸烯和四環癸烯羧酸酯）。 在具有對酸不穩定基團的聚合單元中，從光阻組合物 的解析度來考量，其較佳的爲（甲基)丙烯酸2-烷基-2-金剛 烷基酯。這種聚合單元可藉由打開丙烯酸2_烷基_2_金剛 烷基酯或甲基丙烯酸酯2-烷基金剛烷基中的雙鍵來生 成，其具體化學式(ΙΠ)如下：
其中R1表示氫或甲基，R2表示院基。 由化學式（III)表示的（甲基）丙烯酸2-烷基-2-金剛烷基 酯聚合單元，能確保光阻的透射率並有助於改善由於金剛 7572pifl.doc/008 15 1288297 烷環的存在而產生的乾蝕刻阻抗性。此外，在此單元中的 2-烷基-2-金剛烷基會被酸的作用而裂解，因此此單元有助 於增強光阻膜曝光後之鹼溶解性。化學式（I)的R2是烷基， 此烷基可含有例如1至8個碳原子。通常，此烷基爲直鏈 是有利的，但當碳原子數目爲3個或更多時，也可是支鏈 的。R2的實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基等。 其中，爲了改善光阻膜與基底之間的粘著力，以及改善其 解析度，R2較佳的是甲基或乙基，特別是乙基。 生成由化學式（III)表不的2-院基-2-金剛院基（甲基）丙 烯酸酯的聚合單元的單體的具體例子包括丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、丙烯酸2-乙基-2-金剛烷基酯、甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷基酯等。 甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯可藉由2-烷基-2-金剛烷 醇或其金屬鹽與丙烯酸鹵化物或甲基丙烯酸鹵化物反應而 生成。 本發明所定義的樹脂除了具有如上所述的對酸不穩定 的基團的聚合單元外，還包括經過酸的作用而不會分解或 較難分解的其他聚合單元。另外可能的聚合單元的例子包 括：衍生於具有游離羧酸基的單體如丙烯酸或甲基丙烯 酸、衍生於脂族不飽和二羧酸酐例如爲馬來酸酐或衣康酸 酐、衍生於2-降冰片烯之聚合單元、衍生於（甲基）丙烯腈 之聚合單元、以及衍生於各種（甲基)丙烯酸酯例如爲（甲基) 丙烯酸2-羥乙基酯、（甲基)丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基酯、 和（甲基)丙烯醯氧基-γ-丁內酯的聚合單元。 7572pifl.doc/008 16 1288297 倘右特別的考慮到光阻膜與基底的粘著性，較佳的是 (甲基)丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基酯的聚合單元和其中丁內 酯環未取代或用烷基取代的（甲基）丙烯醯氧基个丁內酯的 聚合單元。本文所用的（甲基)丙烯酸3_羥基-；μ金剛烷基酯 係透過打開對應的（甲基)丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基酯中的 (甲基）丙烯酸部分中的雙鍵而形成的單元。這裏的其中丁 內酯環未取代或用烷基取代的（甲基)丙烯醯氧基-γ-丁內酯 的聚合單元是指透過打開丁內酯中環未取代或用烷基取代 的α-(甲基）丙烯醯氧基个丁內酯中的（甲基）丙烯酸部分中 的雙鍵而形成的單元，或打開丁內酯環中未取代或用烷基 取代的β-(甲基）丙烯醯氧基-γ-丁內酯中的（甲基）丙烯酸部 分中的雙鍵而形成的單元。 衍生於（甲基)丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基酯、丁內酯環 未取代或用烷基取代的α-(甲基）丙烯醯氧基个丁內酯和丁 內酯環未取代或用院基取代的β-(甲基）丙烯醯氧基-γ-丁內 酯的聚合單元分別用下列化學式(IV)、（V)和(VI)表示：
17
V
VI 7572pifl.doc/008 17 1288297 其中R3和R4分別表示氫或甲基，R5、R6和R7分別表示氫 或烷基，R8表示氫或羥基。 形成化學式（IV)單元的（甲基)丙烯酸3-羥基-1-金剛烷 基酯爲市面上可購得的，其亦可利用合成之方式生成，例 如將對應的羥基金剛烷與（甲基）丙烯酸或其鹵化物反應而 生成。形成化學式（V)或(VI)單元的α-、或β-(甲基）丙烯醯 氧基-γ-丁內酯可藉由讓丙烯酸或甲基丙烯酸與丁內酯環未 取代或用烷基取代的α-或β-溴-γ-丁內酯反應、或將丙烯鹵 或甲基丙烯鹵與丁內酯環未取代或用烷基取代的α-或β-溴-丫-丁內酯反應而生成。 所有由化學式（IV)表示的（甲基）丙烯酸3-羥基-1-金剛 烷基酯聚合單元、由化學是式(V)表示的α-(甲基）丙烯醯氧 基个丁內酯的聚合單元和由化學式（VI)表示的β-(甲基）丙 烯醯氧基-γ-丁內酯的聚合單元具有高的極性，並有助於改 善含有它們中任一種的光阻膜與基底的粘著性。另外，這 些聚合物單元也有助於改善光阻的解析度。此外，（甲基) 丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基酯聚合單元有助於改善光阻的 乾蝕刻阻抗性。另外，β-(甲基）丙烯醯氧基-γ-丁內酯的聚 合單元有助於改善光阻的透射性。 形成由化學式(IV)表示的（甲基)丙烯酸3-羥基-1-金剛 烷基酯聚合單元的單體例如爲丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基 酯、甲基丙烯酸3-羥基-金剛烷基酯、丙烯酸3,5_二羥基 -1-金剛烷基酯、甲基丙烯酸3,5-二羥基-1-金剛烷基酯等。 在化學式(V)和式(VI)中，r5、;^和R7分別表示氫或烷基。 7572pifl.doc/008 18 1288297 此烷基可具有1至6個碳原子，當碳原子數目爲3個或更 多時，也可以是支鏈的。R5、R6和R7的實例包括甲基、 乙基、丙基、異丙基、丁基等。形成由化學式（V)表示的α-(甲 基）丙烯醯氧基-γ-丁內酯聚合單元的單體例如爲α-丙烯醯 氧基个丁內酯，α-甲基丙烯醯氧基_γ-丁內酯，α-丙烯醯氧 基-β，β-二甲基-γ-丁內酯，α-甲基丙烯醯氧基-β，β-二甲基-γ-丁內酯，α-丙烯醯氧基-α-甲基-γ-丁內酯，α-甲基丙烯醯 氧基-α-甲基-γ-丁內酯，等等。 形成由化學式（VI)表示的β-(甲基）丙烯醯氧基个丁內 酯聚合單元的單體例如爲β-丙烯醯氧基-γ-丁內酯、β-甲基 丙烯醯氧基个丁內酯、β-甲基丙烯醯氧基-α-甲基个丁內 酯，等等。 含有2-降冰片烯的樹脂由於在主鏈上直接具有脂環結 構因此爲一堅固之結構，所以其具有較佳的乾蝕刻阻抗 性。2-降冰片烯之聚合單元之製法例如利用脂族環飽和二 羧酸酐例如馬來酸酐或衣康酸酐，和對應的2-降冰片烯進 行自由基聚合。因此，2-降冰片烯聚合單元是藉由打開其 中的雙鍵而形成的單元，如化學式（VII)所表示。作爲脂族 不飽和二羧酸酐聚合單元的馬來酸酐的聚合單元和衣康酸 的聚合單元是藉由打開其中的雙鍵而形成的單元，如化學 式(VIII)和(IX)所表示。 7572pifl.doc/008 19 1288297
在化學式(VII)中，每一 R9和R1Q分別表示氫、1至3 個碳原子的烷基、1至3個碳原子的羥烷基、羧基、氰基、 或基團-COOZ (其中Z是醇殘基），或R9和R1()結合起來 而形成由-C(=0)0C(=0)-表示的羧酸酐殘基。由R9或R1() 表示的烷基例如爲甲基、乙基、丙基等。由R9或R1()表示 的羥烷基例如爲羥甲基、2-羥乙基等。由Z表示的醇殘基 例如爲約1至8個碳原子的未取代或取代的醇殘基，2-氧 基噁烷-3-或-4-基等。在烷基上可能的取代基包括羥基、 脂環烴殘基等。由-COOZ表示的羧酸酯基例如爲甲氧基羰 基、乙氧基鑛基、2 -經乙氧基幾基、叔丁氧基簾基、2 -氧 基嚼院-3-基氧簾基、2-氧基D惡院-4-基氧簾基、1，1，2-二甲 基丙氧羰基、1-環己基-1-甲基乙氧基羰基、1-(4-甲基環己 基）-1-甲基乙氧基羰基、1-(1-金剛烷基）-1-甲基乙氧基羰基 等。 形成化學式(VII)的聚合單元的單體例如爲：2-降冰片 烯、2-羥基-5-降冰片烯、5-降冰片烯-2-羧酸、5-降冰片烯 -2-羧酸甲酯、5-降冰片烯-2-羧酸叔丁基酯、5-降冰片烯-2-駿1-環己基_1_甲乙基酯、5-降冰片烯-2-羧1-(4-甲基環己 基）-1-甲乙基醋、5-降冰片稀-2-竣酸1-(4-經基垣己基）-1_ 7572pifl.doc/008 20 1288297 甲乙基酯、5-降冰片烯-2-羧酸1-甲基-1-(4-氧代環己基）乙 基酯、5-降冰片烯-2-羧酸1-(1-金剛烷基）-1-甲乙基酯、5-降冰片烯-2-羧酸1-曱基環己基酯、5-降冰片烯-2-羧酸2-甲基_2_金剛烷基酯、5-降冰片烯-2-羧酸2-乙基_2_金剛烷 基酯、5-降冰片烯-2-羧酸2-羥基-1-乙基酯、5-降冰片烯_2_ 甲醇、5-降冰片烯_2,3_二竣酸酐，等等。 根據用於圖案化之曝光輻射的種類和對酸不穩定基團 的種類，通常用於本發明之具有對酸不穩定基團的聚合單 元之樹脂較佳的爲具有總樹脂莫耳含量的10%至80%。特 別的是，當以化學式(ΙΠ)表示的（甲基)丙烯酸2_烷基_2-金 剛烷基酯作爲對酸不穩定的基團時’較佳的此單元的莫耳 含量爲15%。除了具有對酸不穩定基團的聚合單元外，當 存在其他的對酸作用較難裂解的聚合單元時’例如由化學 式(IV)表示的（甲基）丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基酯的聚合單 元、由化學式(V)表示的α-(甲基)丙烯醯氧基个丁內酯的聚 合單元、由式（VI)表不的β-(甲基）丙稀醯氧基个丁內酯的 聚合單元、由化學式(VII)表示的2-降冰片烯的聚合單元、 由化學式（VIII)表示的馬來酸酐的聚合單元、以及由化學 式（IX)表示的衣康酸酐的聚合單元作爲脂族不飽和二羧酸 酐，這些單元的較佳的莫耳含量爲20-90%。 當利用含有由化學式(IV)表示的（甲基)丙烯酸3-羥基- 1- 金剛烷基酯的聚合單元和/或由化學式(V)表示的α-(甲基） 丙烯醯氧基-γ-丁內酯的聚合單元以及由化學式(VII)表示的 2- 降冰片烯的聚合單元和由化學式(VIII)或（IX)表示的脂族 7572pifl.doc/008 21 1288297 不飽和二竣酸酐的聚合單元及含有由化學式（111)表示的（甲 基)丙烯酸2-烷基-2-金剛烷基酯的單元的對酸不穩定的基 團的聚合單元的共聚物時，通常共聚單體混合物含有10% 至80%莫耳含量的具有對酸不穩定的基團的單體，特別是 含有莫耳含量爲15%或更多的由化學式（ΠΙ)表示的（甲基) 丙烯酸2-烷基-2-金剛烷基酯的單元’和總莫耳含量爲20 %至90%的由化學式GV)表示的（甲基)丙稀酸3-經基-1-金 剛院基酯的單元和/或由化學式（V)表示的〜（甲基）丙稀醯 氧基个丁內酯的單元以及由化學式（VII)表示的2-降冰片 烯的單元和由化學式(VIII)或(IX)表示的脂族不飽和二羧酸 酐的聚合單元的單體。當2-降冰片烯化合物和脂族不飽和 二羧酐酐作爲共聚單體時，較佳的是過量的使用它們，因 爲其具有較難聚合的趨勢。另外，當含有由化學是式(VI) 表示的β-(甲基）丙烯醯氧基个丁內酯的聚合單元和具有對 酸不穩定的基團的聚合單元的共聚物時，聚合含有莫耳含 量爲10%至80%的具有對酸不穩定基團的單體，和莫耳含 量爲20%至90%的由化學式(VI)表示的β-(甲基）丙燦醯氧 基-γ-丁內酯的單體混合物是有利的。 通常在化學增強型正光阻組合物中，由於在曝光後與 裂解相關的酸因去活性作用而引起的性能退化，可藉由加| 入鹼性化合物而降低，特別是加入鹼性含氮的有機化合物 例如胺作爲淬滅劑。本發明中作爲淬滅劑的鹼性化合物的 實例包括下式表示的化合物： 7572pifl.doc/008 22 1288297 二迟<:: R\ /R12 Rwr12 13"^a~0"r1 R14 R15 R15 R14 R13 〇 14心 ^
R
R11-hT^N，R12 R11-N R16-N：
•R 11
‘R 12 p11 r13 p13R14^a^R14 r15^=N N=^r15
R11 1+ - Λ6—Tir_i>l2 OH
R 17 其中R"、R12和R17彼此間分別表示可任意被羥基取代的 氫、環烷基、芳香基或烷基，可任意被1至6個碳原子取 代的氨基，或具有1至6個碳原子的烷氧基；R13、R14和 R15彼此間可爲相同亦可爲不相同，其爲可任意被羥基取 代的氫、環烷基、芳基、烷氧基或烷基，任意被1至6個 碳原子取代的氨基，或具有1至6個碳原子的烷氧基；R16 表示可任意被羥基取代的環烷基或烷基，可任意被1至6 7572pifl.doc/008 23 1288297 個碳原子取代的氨基，或具有1至6個碳原子的烷氧基； A表示伸烷基、羰基、亞胺基、硫化物或二硫化物。由Rn 至R17表示的烷基和由R13至Ri5表示的烷氧基可含有約1 至6個碳原子。由R11至R17表示的環烷基可含有約5至1〇 個碳原子，由R11至R15和R17表示的芳基可含有約6至10 個碳原子，由A表示的伸烷基可含有約丨至6個碳原子並 且可以是直鏈或支鏈的。 在上述的鹼性化合物中，較佳的是由化學式（X)表示 的2,6-二烷基吡啶化合物，以提高光阻之儲存穩定性，
其中R21和R22分別表示1至4個碳原子的烷基。2,6-二烷 基吡啶化合物例如爲2,6-二甲基吡啶、2-乙基-6-甲基吡 啶、2,6-二-叔丁基吡啶等。2,6-二烷基吡啶化合物可單獨 或與其他鹼性化合物組合以作爲淬滅劑。 本發明的光阻組合物較佳的爲含有80%至99.9%重量 百分比的樹脂和0.1%至20%重量百分比的酸發生劑’其 係以樹脂和酸發生劑的總量來計算。 在本發明的光阻組合物，化學式(I)的脂族毓鹽與選自 化學式（Ila)的三苯基毓鹽和化學式（lib)的二苯基碘鐵鹽的 鐵鹽的比例較佳的約爲9:1至1:9，更佳的是8:2至2:8。 當利用鹼性化合物作爲淬滅劑時，以光阻組合物的總 7572pifl.doc/008 24 1288297 量來計算，其較佳的的含量爲01%之重量百 分比。該組合物可依照需求含有各種添加劑，例如爲敏化 劑、溶解抑制劑、其他樹脂、表面活性劑、穩定劑和染料， 只要不損害本發明的目的。 本發明的光阻組合物，通常在上述之組成溶解於一溶 劑時形成一光阻溶液，以用於塗佈在基底例如矽晶圓上。 這裏所用的溶劑是可溶解每種組成的溶劑，且具有適當的 乾燥速率，而於蒸發溶劑後可提供均勻和光滑的塗佈層， 並且是在本領域中常用的溶劑。其例子包括乙二醇醚酯類 例如乙基溶纖劑乙酸酯、甲基溶纖劑乙酯酯和丙二醇單甲 基醚乙酸酯；醚類例如乳酸乙酯、乙酸丁酯和乙酸戊酯、 和丙酮酸乙酯；酮類例如丙酮、甲基異丁基酮、2-庚酮、 和環己酮；和環酯例如γ-丁內酯。這些溶劑可單獨的或以 兩種或多種混合組合使用。 塗佈到基底上並且乾燥後的光阻須經曝光處理以形成 圖案。然後，經過熱處理以促進保護解封閉反應(Protecting deblocking reaction) 5其係利用驗性顯影劑以進行。此處 使用的鹼性顯影劑可以是本領域使用的各種鹼性水溶液。 通常是使用四甲基氫氧化銨或(2-羥乙基）三甲基氫氧化銨 (所謂的colline)的水溶液。 本發明之實施例爲詳細之說明’但此並非對本發明之 範圍加以限制。在本發明之實施例中的所有含量都是重量 百分比，除非另有說明。而重量平均分子量係經由膠體滲 透色譜（Gel Permeation Chromatography)所測定出’並以聚 7572pifl.doc/008 25 1288297 苯乙烯作爲參考標準品。 單體合成實例1(合成甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯） 將50g的乙醚加到31.lg的2-金剛烷酮中形成溶液。 然後再逐漸滴加200ml含有濃度1.14莫耳/升的乙基鋰的 乙醚溶液，其滴加入之速率要使得溶液的溫度不超過1〇 °C。然後將此溶液在〇°C下攪拌2小時之後，以保持溫度 不超過l〇°C的速率加入26.2g的甲基丙烯酸氯化物（其爲 對應於2-金剛烷醇莫耳數的1.2倍）。之後，在室溫下攪拌 該溶液12小時。之後利用過濾以除去沈積出來的無機鹽。 然後用5%重量百分比的碳酸氫鈉水溶液洗滌有機層，接 著再用水洗滌兩次。之後，濃縮有機層，然後在減壓條件 下蒸餾得到下列化學式表示的甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛 烷酯。
CHq CqH.R
ch2=c- 單體合成實例2(合成α-(甲基)丙烯醯氧基-γ-丁內酯） 將100g的α-溴个丁內酯和104.4g的甲基丙烯酸（其 係爲對應於心溴_丫_丁內酯莫耳數的2.0倍)混合，再加入三 倍於α-溴-γ_丁內酯的重量的甲基異丁基酮以形成溶液。之 後，滴加183.6g的三乙胺（其係爲對應於α-溴-γ-丁內酯莫 pifl .doc/008 26 1288297 耳數的3.0倍），接著在室溫下攪拌約10小時。過濾後， 用5%重量百分比的碳酸氫鈉水溶液洗滌有機層，然後用 水洗滌兩次。之後濃縮有機層，而得到由下列化學式表示 的α-(甲基)丙烯醯氧基-γ-丁內酯。
樹脂合成實例(合成樹脂Α) 以莫耳數比5:2.5:2.5(20.0g:9.5g:7.3g)的比例，將甲基 丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯、甲基丙烯酸3-羥基-1-金剛烷 酯和α-甲基丙烯醯氧基-γ-丁內酯混合。然後，加入相較於 單體總重量2倍的重量的甲基異丁基酮以形成溶液。之後 加入相較於單體總莫耳數2%的偶氮二異丁腈作爲引發 劑，接著在85°C加熱約8小時。此後，將反應溶液倒入大 量庚烷中以引起沈澱作用的純化操作重復三次。結果得到 具有下列化學式表示的重復單元的共聚物，其重量平均分 子量爲約9200。此共聚物稱爲樹脂A。 7572pifl.doc/008 27 1288297
=成酉夂發生顧例1:合成•氧代]，3_丙院二基衝四 氫噻吩鎗)雙(全氟丁烷磺酸鹽） ⑴方〈四個錐形瓶中加入4·7份的四氫噻吩、5.2份的 了溴丙嗣和47.1份的丙酮，在室溫下攪拌24小時。接著 將沈積的晶體過濾並用丙酮洗滌。之後將得到的濾餅以乙 醚加以混合並攪拌該混合物。過濾後，用乙醚洗滌濾餅並 乾燥得到6.4份的ι，ι’-(2_氧代_ι，3-丙烷二基)雙（四氫噻吩 鍚)二溴化物，其産率爲66.9%。 (2)在四個錐形瓶中加入I·5份在（1)中所製得的ι，Γ_(2_ 氧代-1，3-丙烷二基）雙（四氫噻吩鎗）二溴化物和30份乙 腈，同時在室溫下在攪拌，另外再加入2.6份全氟丁烷磺 酸鉀。在室溫下攪拌24小時後，過濾混合物以除去無機 鹽並濃縮過濾物。之後，加入乙酸丁酯並攪拌該混合物。 過濾後，用乙醚洗滌濾餅並乾燥得到1.8份所要的產物， 其產率爲57.2%。 7572pifl.doc/008 28 1288297 〇+_ch2-c-ch2s〇 2 C4F9SO3 W-NMR ·· (DMSO-d6，內標··四甲基矽烷），5(口？111):2.17-2.23(m，8H)，3.46-3.59(m，8H)，4.67(s，4H) 酸發生劑的合成實例2 :合成4-甲基二苯基鏑全氟辛烷磺 酸鹽 在四個錐形瓶中加入8.0份二苯基亞楓和80.0份甲 苯，之後將該混合物冷卻至2°C。然後加入16.6份三氟乙 酸酐並將該混合物在相同溫度下攪拌30分鐘。靜置後， 濃縮下層並用340份氯仿稀釋。之後用85份離子交換水 洗滌所得到的氯仿溶液6次，之後進行濃縮而得到27.7份 4-甲基二苯基毓全氟辛烷磺酸鹽。 酸發生劑的合成實例3 :合成(2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（二 丁基鏡)雙（三氟甲烷磺酸鹽） 在四個錐形瓶中加入5.4份二丁基硫化物、5.2份二溴 丙酮和54.5份乙腈。在室溫下攪拌2小時後加入8.8份三 氟甲烷磺酸銀。在室溫下攪拌24小時後，過濾混合物以 除去無機鹽並濃縮過濾物。之後，加入乙酸丁酯並攪拌該 混合物。過濾後，用乙醚洗滌濾餅並乾燥得到5.5份所要 的產物，其產率爲49.9%。 7572pifl.doc/008 29 1288297 〇 /C4H9 s+ch2-c-ch2_+s C4H9 2CF3SO3 Ν〇4Η9 W-NMR : (CDC13，內標：四甲基矽烷），5(卩？111):0.97-1.〇2(t512H)? 1.46-1.60(m,8H)51.75-1.86(m58H)?3.28-3.51(m，8H)，5.06(s，4H) 酸發生劑的合成實例4 :合成(2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（二 丁基鏑)雙(全氟丁烷磺酸鹽） 在四個錐形瓶中加入4·4份二丁基硫化物、4.3份二溴 丙酮和44.4份乙腈。在室溫下攪拌2小時後加入1L3份 全氟丁烷磺酸銀。在室溫下攪拌24小時後，過濾混合物 以除去無機鹽並濃縮過濾物。之後，加入乙酸丁酯並攪拌 該混合物。過濾後，用乙醚洗滌濾餅並乾燥得到2.6份所 要的產物，其產率爲17.7%。 c<9+ 9 Αη9 s+ch2-c-ch2-+s C4H9 2 C4F9SO3 C4H9 iH-NMR : (CDC13，內標：四甲基矽烷），5(1>1)111):〇.97-1.02(t，12H)，1.46-1.60(m，8H)，1.75-1.86(m，8H)，3.24 -3.48(m，8H)，5.09(s，4H) 酸發生劑的合成實例5 :合成（2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（二 丁基鏑)雙(全氟辛烷磺酸鹽） 7572pifl.doc/008 30 1288297 在四個錐形瓶中加入3.7份二丁基硫化物、3.6份二溴 丙酮和37.3份乙腈。之後在室溫下攪拌2小時後加入14.2 份全氟辛烷磺酸銀。在室溫下攪拌24小時後，過濾混合 物以除去無機鹽並濃縮過濾物。接著加入乙酸丁酯並攪拌 該混合物。過濾後，用乙醚洗滌濾餅並乾燥得到3力份所 要的產物，其產率爲17.2%。 ^4\9 9 /C4H9 s+ch2-c-ch2-+s C4H9 2 C8F17S03 Ν〇4Η9 iH-NMR : (CDC13，內標：四甲基矽烷）5(ppm):0.96- 1.01(t，12H)，1.45-1.58(m，8H)，1.73-1.85(m，8H)，3.25- 3.48(m，8H)，5.08(s，4H) 下列描述的實施例說明具有下列的酸發生劑B至F的 光阻組合物的製備並加以評估。 酸發生劑B : 1，Γ-(2-氧代-1,3-丙烷二基）雙（四氫噻吩鎗）雙（全氟丁烷磺 酸鹽)(酸發生劑合成例1的產物） 酸發生劑C : 4-甲基二苯基锍全氟辛烷磺酸鹽（酸發生劑合成例2的産 物） 酸發生劑D : (2-氧代-1，3-丙烷二基）雙（二丁基鏑）雙（三氟甲烷磺酸 鹽） 7572pifl.doc/008 31 1288297 (酸發生劑合成例3的產物） 酸發生劑E : (2-氧代-1，3-丙烷二基)雙（二丁基鏑）雙（全氟丁烷磺酸鹽) (酸發生劑合成例4的產物） 酸發生劑F : (2-氧代-1,3-丙烷二基)雙(二丁基鏑)雙(全氟辛烷磺酸鹽) (酸發生劑合成例5的產物） 實施例1 將下列組成混合並溶解。再用孔徑爲〇.2Mm的氟樹脂 濾片過濾而生成的溶液即爲光阻溶液 〇 樹脂A 10份 酸發生劑B 0.25 份 酸發生劑C 0.2份 淬滅劑：2,6-二異丙基苯胺 0.02 份 2,6-二甲基吡啶 0.01 溶劑：丙二醇單甲基醚乙酸酯 60.8 份 γ-丁內酯 3.2份 將由Brewer Co. Ltd.生產的組合物“DUV-30J-14”塗 佈到矽晶圓上並在215°C的條件下烘烤60秒，使得在矽晶 圓上形成的抗反射層的厚度爲1600埃。之後，將上述製 得的光阻溶液利用旋轉塗佈法塗佈到所述的矽晶圓上，可 使得光阻膜的厚度在乾燥後爲〇·335μηι。在塗佈光阻溶液 之後，將此矽晶圓直接放置在加熱板上，並在12〇°C條件 7572pifl.doc/008 32 1288297 下預烘60秒。 利用Ar*F准分子步進機（Nikon公司製造的“NSR-ArF”， ΝΑ=0·55, σ=0·6)對晶圓上之光阻層進行曝光步 驟，其係逐步改變其曝光量，使得曝光機之光線通過線/ 間距圖案，而對矽晶圓上之光阻層進行曝光。之後將曝 光後的矽晶圓在加熱板上以150°C進行後曝光烘乾(ΡΕΒ)60 秒。然後用2.38%的四甲基氫氧化銨水溶液對矽晶圓進行 劃槽顯影（Paddle DeVel〇Pment)60秒。之後用掃描電子顯 微鏡觀察顯影後的圖案，並用下列方法評估其有效靈敏度 和解析度。其有效靈敏度爲88mJ/cm2，解析度爲0.13μηι。 有效靈敏度：以〇·18μιη的1:1線和空隙圖案的最小 曝光量來表示。 解析度：在有效靈敏度的曝光量下以分離的線和空隙 圖案的最小尺寸來表示。 觀察到在有效靈敏度的曝光量下，〇.18μιη的線和空隙 圖案的掃描電子顯微鏡下之橫切面圖，發現圖案之側邊是 垂直的且圖案的頂部表面幾乎是平面的。 將上述光阻溶液塗在石英玻璃矽晶圓上，以形成預烘 烤後膜厚度爲〇.335μηι的光阻膜。再用分光光度計在193nm 處量測光阻膜的透射率。結果得到67%的透射率。如上所 述，這些光阻具有高的透射率和良好的解析度。 實施例2-4以及比較例1 將下列組成混合並溶解。再用孔徑爲〇·2μηι的氟樹脂 7572pifl.doc/008 33 1288297 濾片過濾生成的溶液以得到光阻溶液 〇 樹脂A 10份 表1所示的酸發生劑 0.5份 酸發生劑C 0.2份 淬滅劑：2,6-二異丙基苯胺 0.015 份 溶劑：丙二醇單甲基醚乙酸酯 60.8 份 γ-丁內酯 3.2份 將Brewer Co· Ltd.生產的組合物“DUV-30J-14”塗佈 到矽晶圓上並在215t的條件下烘烤60秒，使得在矽晶圓 上形成之抗反射層的厚度爲1600埃。之後，用旋轉塗佈 的方式將上述製得的光阻溶液塗佈到所述的矽晶圓上，使 得光阻膜的厚度乾燥後爲〇·335μηι。在塗佈光阻溶液後， 將該矽晶圓在直接放置在加熱板上，並在12〇°C條件下預 烘60秒。 利用ArF准分子步進機（Nikon公司製造的“NSR-ArF”，NA= 0.55, σ=0.6)對晶圓上之光阻層進行曝光步 驟，其係逐步改變其曝光量，使得曝光機之光線通過線/ 間距圖案，而對矽晶圓上之光阻層進行曝光。將曝光後 的矽晶圓放置在加熱板上並在15〇°C下進行後曝光烘乾 (PEB)60秒。然後用2.38%的四甲基氫氧化銨水溶液對矽 晶圓進行劃槽顯影60秒。之後用掃描電子顯微鏡觀察顯 影後的圖案並用下列方法評估其有效靈敏度和解析度。結 果如表1所示。 將上述光阻溶液塗在石英玻璃矽晶圓上以形成預烘烤 7572pifl.doc/008 34 1288297 爲第90110255號中文說明書無劃線修正本 修正日期:2003.6.6 後膜厚度爲0·335μιη的光阻膜。再用分光光度計在i93nm 處量測光阻膜的透射率。結果如表1所示。 表1 實施例號 酸發生劑 (1) 有效靈敏 度（mj/cm3) 解析度 (μιη) 透射率（％) 實施例2 D 51 0. 16 71 實施例3 E 57 0. 15 67 實施例4 F 69 0. 15 67 比較例1 姐 j\\\ 59 0. 17 71 本發明含有特定酸發生劑的化學增強型正光阻組合物 具有高的透射率，並且用在220nm或更低波長的光下，如 ArF准分子雷射之微影製程，具有良好的靈敏度和解析度， 並且可得到好的輪廓。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上’然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 7572pifl.doc/008 35

Claims (1)

1288297 爲第90110255號中文說明書無劃線修正本 修正日期:2003.6.6 拾、申請專利範圍： 1.一種化學增強型正光阻樹脂組合物，包括： 由式化學式(I)表示的脂族锍鹽 Q1 Ο ^Q3 二S+_CH2 各 CH2_+S 2CmF2m+1S03_ (I) Q2 、Q4 其中每一 Q1、Q2、Q3和Q4分別表示1至6個碳原子的烷 基或3至10個碳原子的環烷基，或Q1、Q2和/或Q3、Q4 與相鄰的硫原子一起形成具有2至8個碳原子且更包括具 有一個氧原子或硫原子的雜環基，m表示1至8的整數； 至少一鎗鹽，其係選自··由化學式（Ila)表示的三苯基 毓鹽和由化學式(lib)表示的二苯基碘鍚鹽 Q5 Q8
CqF2q+1S〇3
〇ρ「2ρ+1 S〇3 (Ea) (lb) 其中Q5、Q6、Q7和Q8分別表示氫原子、羥基、1至6個碳 原子的烷基或1至6個碳原子的烷氧基，p和q表示1至8 7572pifl.doc/008 36 1288297 爲第90110255號中文說明書無劃線修正本 修正日期:2003.6.6 的整數；以及 一樹脂，該樹脂包括具有對酸不穩定的基團的聚合單 元，並且其本身不溶於鹼，但經過酸的作用後會變成可溶 於鹼。 2. 如申請專利範圍第1項所述的化學增強型正光阻樹 脂組合物，其中化學式(I)的脂族毓鹽與選自化學式(Ila)的 三苯基锍鹽和化學式(lib)的二苯基碘鎗鹽的鎗鹽的比例約 爲 9:1 至 1:9 。 3. 如申請專利範圍第1項所述的化學增強型正光阻樹 脂組合物，其中以總樹脂量來計算，該樹脂含有10%至80% 莫耳百分比的具有對酸不穩定基團的聚合單元。 4·如申請專利範圍第1項所述的化學增強型正光阻樹 脂組合物，其中該具有對酸不穩定基團的聚合單元係爲（甲 基)丙烯酸2-烷基-2-金剛烷基酯聚合單元。 5·如申請專利範圍第1項所述的化學增強型正光阻樹 脂組合物，其中該樹脂更包括選自（甲基)丙烯酸3-羥基_1_ 金剛烷基酯聚合單元和其中丁內酯環未取代或用烷基取代 的（甲基)丙烯醯氧基-γ-丁內酯的聚合單元的聚合單元。 6·如申請專利範圍第5項所述的化學增強型正光阻樹 脂組合物，其中該樹脂包括具有對酸不穩定基團的聚合單 元、（甲基)丙烯酸3_羥基-1-金剛烷基酯聚合單元和其中丁 內酯環未取代或用烷基取代的（甲基）丙烯醯氧基-γ-丁內酯 的聚合單元的三元共聚物。 7·如申請專利範圍第5項所述的化學增強型正光阻樹 7572pifl.doc/008 37 1288297 爲第90110255號中文說明書無劃線修正本 修正曰期:2〇〇3·6·6 脂組合物，其中丁內酯環未取代或用烷基取代的（甲基)丙烯 醯氧基-γ-丁內酯的聚合單元係爲丁內酯環未取代或用烷基 取代的α-(甲基)丙烯醯氧基个丁內酯的聚合單元，或丁內 酯環未取代或用烷基取代的β_(甲基）丙烯醯氧基个丁內酯 的聚合單元。 8. 如申請專利範圍第1項所述的化學增強型正光阻樹 脂組合物，其中該樹脂更包括脂族不飽和二羧酸酐的聚合 單兀和2 -降冰片嫌的聚合單兀。 9. 如申請專利範圍第8項所述的化學增強型正光阻樹 脂組合物，其中該樹脂包括脂族不飽和二羧酸酐的聚合單 元和2-降冰片烯的聚合單元、以及選自（甲基)丙烯酸3-羥 基-1-金剛烷基酯聚合單元和其中丁內酯環未取代或用烷基 取代的（甲基）丙烯醯氧基-γ-丁內酯的聚合單元的聚合單元 的聚合物。 ίο.如申請專利範圍第1項所述的化學增強型正光阻樹 脂組合物，其中更包括一鹼性化合物以作爲一淬滅劑。 11.如申請專利範圍第10項所述的化學增強型正光阻 樹脂組合物，其中該鹼性化合物係爲由化學式（X)表示的 2,6-二烷基吡啶化合物： R21 0J (X) R22 其中R21和R22分別表示.1至4個碳原子的烷基。 7572pifl.doc/008 38 1288297 爲第90110255號中文說明書無劃線修正本 修正日期:2003.6.6 12.—種脂族锍鹽，其由化學式(I)表示： q1、 9 /Q3 /S'CH2_C-CH2_+S 2CmF2m+lS〇3 ( I ) Q2 、Q4 其中每一 Q1、Q2、Q3和Q4分別表示l至6個碳原子的烷 基或3至10個碳原子的環烷基，或Q1、Q2和/或Q3、Q4 與相鄰的硫原子一起形成具有2至8個碳原子且更包括具 有一個氧原子或硫原子的雜環基，m表示1至8的整數。 7572pifl.doc/008 39
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3945741B2 (ja) * 2000-12-04 2007-07-18 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
WO2002048101A1 (fr) * 2000-12-15 2002-06-20 San-Apro Limited Methode de production de sel de sulfonium
US6521781B2 (en) * 2000-12-15 2003-02-18 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Production of 2-hydrocarbyl-2-adamantyl acrylate compounds
US6815143B2 (en) * 2001-01-22 2004-11-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist material and pattern forming method
DE10120661A1 (de) 2001-04-27 2002-11-21 Infineon Technologies Ag Photolackzusammensetzung und Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
US6696216B2 (en) * 2001-06-29 2004-02-24 International Business Machines Corporation Thiophene-containing photo acid generators for photolithography
EP1308781A3 (en) * 2001-10-05 2003-09-03 Shipley Co. L.L.C. Cyclic sulfonium and sulfoxonium photoacid generators and photoresists containing them
US6818379B2 (en) * 2001-12-03 2004-11-16 Sumitomo Chemical Company, Limited Sulfonium salt and use thereof
US7083892B2 (en) * 2002-06-28 2006-08-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Resist composition
US20040053160A1 (en) * 2002-07-04 2004-03-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Resist composition
JP2004177486A (ja) 2002-11-25 2004-06-24 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物及び酸発生剤
WO2004053594A2 (en) * 2002-12-05 2004-06-24 International Business Machines Corporation High sensitivity resist compositions for electron-based lithography
US7314700B2 (en) * 2002-12-05 2008-01-01 International Business Machines Corporation High sensitivity resist compositions for electron-based lithography
US6765112B1 (en) * 2003-03-25 2004-07-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Fluorinated onium salts
JP4083053B2 (ja) * 2003-03-31 2008-04-30 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
US20050148679A1 (en) * 2003-12-29 2005-07-07 Chingfan Chiu Aryl sulfonium salt, polymerizable composition and polymerization method of the same
JP4567362B2 (ja) * 2004-04-09 2010-10-20 大阪有機化学工業株式会社 （メタ）アクリル酸エステルの製造法
EP1662319A3 (en) * 2004-11-24 2009-05-27 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition
KR100737553B1 (ko) 2005-05-30 2007-07-10 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 전자계 리소그래피용 고감도 레지스트 조성물
US7901867B2 (en) * 2005-07-01 2011-03-08 Basf Se Sulphonium salt initiators
JP2007186713A (ja) * 2007-03-29 2007-07-26 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物の製造方法
JP5104343B2 (ja) * 2008-01-28 2012-12-19 富士通株式会社 モノマー、樹脂及び該樹脂を用いたレジスト組成物、並びに、該レジスト組成物を用いた半導体装置の製造方法
JP5249287B2 (ja) * 2010-06-25 2013-07-31 大阪有機化学工業株式会社 （メタ）アクリル酸エステルの製造法
KR101229312B1 (ko) * 2011-01-03 2013-02-04 금호석유화학 주식회사 술포늄 화합물, 광산발생제 및 이의 제조방법
JP5921980B2 (ja) * 2012-07-23 2016-05-24 住友化学株式会社 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US10467275B2 (en) * 2016-12-09 2019-11-05 International Business Machines Corporation Storage efficiency
US11746085B2 (en) 2018-10-09 2023-09-05 Changzhou Tronly Advanced Electronic Materials Co., Ltd. Triphenylsulfonium salt compound, and uses thereof

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3616314A (en) * 1969-11-24 1971-10-26 Dow Chemical Co Electrolytic process for preparing(2.2)-paracyclophane
GB1491902A (en) * 1974-02-28 1977-11-16 Agfa Gevaert Development of exposed lith-emulsions
IT1045036B (it) * 1975-02-19 1980-04-21 Zambon Spa Derivato del dimercaptoetil etere
US5053166A (en) * 1986-02-18 1991-10-01 Agency Of Industrial Science & Technology Hetero-arylene vinylene polymer and highly conductive composition thereof
JPS6433035A (en) * 1987-07-28 1989-02-02 Kobe Steel Ltd Production of expanded slag
KR100355254B1 (en) * 1993-02-15 2003-03-31 Clariant Finance Bvi Ltd Positive type radiation-sensitive mixture
JP2776204B2 (ja) 1993-07-14 1998-07-16 日本電気株式会社 アルキルスルホニウム塩、遠紫外線露光用感光性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
JPH0725846A (ja) 1993-07-14 1995-01-27 Nec Corp アルキルスルホニウム塩
US5635332A (en) * 1993-07-14 1997-06-03 Nec Corporation Alkylsulfonium salts and photoresist compositions containing the same
JP2606655B2 (ja) * 1993-09-20 1997-05-07 日本電気株式会社 感光性化合物および感光性組成物
US5604292A (en) * 1994-05-31 1997-02-18 The Untied States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Polymers with electrical and non-linear optical properties
JP2770740B2 (ja) * 1994-07-14 1998-07-02 日本電気株式会社 橋かけ環式アルキル基を有するスルホニウム塩化合物および光酸発生剤
US6013416A (en) * 1995-06-28 2000-01-11 Fujitsu Limited Chemically amplified resist compositions and process for the formation of resist patterns
TW436663B (en) * 1995-11-02 2001-05-28 Shinetsu Chemical Co Sulfonium salts and chemically amplified positive resist compositions
TW477913B (en) * 1995-11-02 2002-03-01 Shinetsu Chemical Co Sulfonium salts and chemically amplified positive resist compositions
JP3804138B2 (ja) * 1996-02-09 2006-08-02 Ｊｓｒ株式会社 ＡｒＦエキシマレーザー照射用感放射線性樹脂組成物
US6042991A (en) * 1997-02-18 2000-03-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive working photosensitive composition
KR100574574B1 (ko) * 1998-08-26 2006-04-28 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물
US6031014A (en) * 1998-12-08 2000-02-29 Crivello; James V. Initiator compositions and methods for their synthesis and use

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