TWI286665B - Chemically amplified resist composition and method for forming resist pattern - Google Patents

Description

1286665 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明爲有關增強化學性之光阻組成物及光阻圖型形 成方法。 本發明係以2004年07月01日向日本特許廳申請之 曰本發明專利申請第2004- 1 95673號爲優先權基礎案，本 發明之內容係援用前述發明內容。 【先前技術】 近年來，於半導體或液晶顯示元件之製造中，微影蝕 刻技術已急遽邁向微細化。微細化之方法多將一般之曝光 光源短波長化之方式進行。具體而言，以往爲使用以g線 、i線爲代表之紫外線，但目前則導入KrF準分子雷射（ 248nm)、或甚至開始導入 ArF準分子雷射（193nm)。 因此急需開發出一種對應於微細化之材料。 ^ 構成磁頭之磁性膜圖型之形成方法亦使用光阻圖型， 因而爲提高磁記錄媒體之記錄密度，故磁頭亦被要求需達 到微細化之需求。 作爲可滿足重現微細尺寸之圖型的高解析度之條件的 光阻材料之一’已知例如有使基於酸之作用使鹼可溶性產 生變化之基礎樹脂，與經由曝光而產生酸之酸產生劑（以 下簡稱PAG )溶解於有機溶劑所得之增強化學型光阻組成 物。 基礎樹脂，例如於KrF準分子雷射微影蝕刻中’其基 -4- (2) 1286665 礎樹脂多使用對KrF準分子雷射具有高度透明性之聚羥基 苯乙烯之羥基的一部份被酸解離性溶解抑制基所保護之聚 羥基苯乙烯系樹脂（以下簡稱PHS保護基系樹脂；例如參 考專利文獻1 )。又，該酸解離性溶解抑制基，主要爲使 用例如以1-乙氧乙基爲代表之鏈狀醚基或以四氫吡喃基爲 代表之環狀醚基等所謂的縮醛基，以tert-丁基爲代表之三 級烷基，以tert-丁氧羰基爲代表之三級烷氧羰基等。 但，上述PHS保護基系樹脂，對酸解離性溶解抑制基 於解離前後之顯影液的變化較小，而未能滿足近年來光阻 圖型所要求之微細化。 相對於此，最近，基礎樹脂已有提出使用羥基苯乙烯 ，與使（甲基）丙烯酸之羧基乙酸解離性溶解抑制基保護 之（甲基）丙烯酸酯之共聚物（以下簡稱鹼保護基系樹脂 )等提案（例如參考專利文獻2 )。此共聚物因酸之作用 使解離性溶解抑制基解離而產生羧酸，而提高對鹼顯影液 之溶解性，而使酸解離性溶解抑制基增大對解離前後之顯 影液之溶解性變化，而可達到更深一層之微細化。 [專利文獻1]特開平5 -249682號公報 [專利文獻1]特開平5 - 1 1 3 667號公報 【發明內容】 近年來，隨光阻圖型微細化速度之加速發展，光阻材 料已有尋求更高解析度之傾向，故對於尋求改善光阻圖型 側壁形狀（線寬）不均勻之線路與空間（LER )或’光阻 (3) 1286665 圖型之側壁表面形成波形（SW ; standing wave )等光阻 圖型形狀等已屬一極重要之標的。但，目前爲止之技術仍 屬不充分，而尙有改善之空間。 本發明，即是鑒於上述情事所提出者，即以提供一種 具有優良微細解析度，且可改善光阻圖型形狀之增強化學 性之光阻組成物及光阻圖型之形成方法等爲本發明之目的 〇 爲達成前述目的，本發明之增強化學性光阻組成物， 爲含有（A)基於酸之作用使鹼可溶性產生變化之樹脂成 份，及（B )經由曝光可產生酸之酸產生劑成份之光阻組 成物，且含有（X)沸點220 °C以上之高沸點溶劑者。 又，本發明中，並提供一種使用本發明之增強化學性 光阻組成物形成光阻膜，並對該光阻膜進行選擇性曝光處 理後，施以顯影處理而形成光阻圖型爲特徵之光阻圖型之 形成方法。 本發明中，「（甲基）丙烯酸」係指甲基丙烯酸、丙 烯酸中任一者或二者。又，「結構單位」係指構成聚合物 之單體單位之意。又，「甲基丙烯酸酯所衍生之結構單位 」係指（甲基）丙烯酸酯之乙烯性雙鍵經開裂所構成之結 構單位，以下簡稱「（甲基）丙烯酸酯結構單位」。 本發明之內容，可得到具有優良微細解析度，改善光 阻圖型形狀之增強化學性光阻組成物及光阻圖型之形成方 法。 本發明之增強化學型光阻組成物（以下亦稱爲光阻組 -6 - (4) 1286665 成物）爲含有（A )基於酸之作用使鹼可溶性產生變化之 樹脂成份（以下亦簡稱（A )成份），及（B )經由曝光產 生酸之酸產生劑成份（以下亦簡稱（B )成份），且含有 必要成份（X )沸點爲220 °C以上高沸點溶劑（以下亦簡 稱（X)成份）之增強化學性光阻組成物。 本發明中，（A )成份一般爲作爲增強化學型光阻材 料用基礎樹脂使用，其可使用1種或2種以上之鹼可溶性 樹脂或可形成鹼可溶性之樹脂。前者即爲負型，後者則爲 正型之光阻組成物。本發明之光阻組成物較佳爲正型者。 負型時，於光阻組成物中，係與（B )成份同時添加 交聯劑。因此光阻組成物形成時，經由曝光使（B )成份 產生酸時，因前述酸之作用，使（A )成份與交聯劑間產 生交聯，而形成鹼不溶性或難溶性。前述交聯劑，一般多 使用例如具有羥甲基或烷氧甲基之三聚氰胺、尿素或甘脲 等胺系交聯劑。 爲正型光阻組成物時，一般（A )成份爲具有酸解離 性溶解抑制基之鹼不溶性成份，其經由曝光使（B )成份 產生酸時’前述之酸可使前述酸解離性溶解抑制基解離， 而增大（A )成份之鹼可溶性。 •高沸點溶劑成份（X ) (X )成份例如可溶解（A )成份與（B )成份之溶劑 ’且爲沸點爲220°C以上之液體。（X)成份之沸點，較 佳爲2 3 0 °C以上，更佳爲2 5 0 °C以上。（X )成份之沸點爲 (5) 1286665 22 0 °C以上時，添加（X)成份後即可充分達到本發明之效 果，又，（X)成份只要爲常溫常壓下爲液體即可，其沸 點之上限並未有特別限制，較佳爲3 5 0°C以下。 高沸點溶劑之具體例示如，二乙二醇、三乙二醇、辛 烷二醇、1，4·丁二醇、二丙二醇、3-甲基-I，5·戊二醇、水 楊酸異戊酯、水楊酸甲酯、水楊酸苄酯、丙酸苄酯、二苯 基醚、乙二醇單苯基醚、丁基酞醯丁基二醇酯、苄基醚等 〇 (X)成份，以使用對構成光阻組成物之組成內容影 響較小之成份爲佳。例如以使用不具有酸性官能基之成份 、不具有鹼性官能基之成份，不具有不飽合鍵之成份者爲 佳。特別是以使用水楊酸苄酯爲更佳。 本發明之光阻組成物中之（X )成份之含量，對樹脂 成份（A) 100質量份以0.1至30質量份爲佳，更佳爲1 至20質量份，最佳爲3至1 5質量份。於上述範圍之下限 値以上時，添加（X )成份時即可顯現出極佳之效果。又 ，於上限値以下時，可使溝槽圖型之底部得到極佳之效果 •樹脂成份（A ) (A )成份，無論爲正型、負型任何情形皆未有所限 定，其可適當使用公知之樹脂成份。 正型之光阻組成物時，以具有以下單位組合之樹脂， 容易形成適合用於光阻圖型之解析度、磁頭用途之錐型形 -8 - (6) 1286665 狀，且具有優良之焦點景深寬度，故爲較佳。 (a 1 )羥基苯乙烯所衍生之結構單位（以下亦稱爲（ al )單位）。 (a2 )苯乙烯所衍生之結構單位（以下亦稱爲（a2 ) 單位）。 (a3 )具有酸解離性溶解抑制基之（甲基）丙烯酸酯 所衍生之結構單位（以下亦稱爲（a3 )單位）。 (A)成份於具有上述（al)單位與（a2)單位與（ a3 )單位，或具有上述（al )單位與（a3 )單位時，可顯 示出優良之離子硏磨（Ion Milling)耐性，及耐熱性等， 而爲較佳。 (al )單位，例如p-羥基苯乙烯等羥基苯乙烯，α-甲基羥基苯乙烯、α-乙基羥基苯乙烯等烷基羥基苯乙 烯等羥基苯乙烯之乙烯性雙鍵經開裂所得之結構單位。其 中又以Ρ-羥基苯乙烯、α-甲基羥基苯乙烯所衍生之單位 爲最佳。 (a2 )單位可含有任意之成份，（a2 )單位例如苯乙 烯或，氯基苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、α -甲 基苯乙烯等具有鹵素原子或烷基等取代基之苯乙烯之乙烯 性雙鍵經開裂所衍生之結構單位。其中，又以苯乙烯酸衍 生之結構單位爲最佳。 (a3 )單位爲由具有酸解離性溶解抑制基之（甲基） 丙烯酸酯所衍生之結構單位。 (a3 )單位中之酸解離性溶解抑制基，只要具有可使 -9 - (7) 1286665 曝光前之（A )成份全體爲鹼不溶性或鹼難溶性之鹼溶解 抑制性之同時，於曝光後經由前述（B )成份所產生酸的 作用而解離，使（A )成份全體變化爲鹼可溶性時，則未 有特別限制。一般而言，已知例如（甲基）丙烯酸之羧基 ，與形成環狀或鏈狀之三級烷酯之基、三級烷氧羰烷基、 或鏈狀或環狀烷氧烷基等。於前述內容中，酸解離性溶解 抑制基以使用tert-丁基、tert-戊基、1-甲基環戊基、1-乙 ® 基環戊基、1-甲基環己基、1-乙基環己基、2·甲基-2-金剛 烷基、2-乙基-2-金剛烷基等支鏈狀、單環、多環式狀等三 級烷基，1-乙氧乙基、1-甲氧丙基等鏈狀烷氧烷基，四氫 呋喃、四氫吡喃等環狀烷氧烷基，tert-丁氧羰甲基、tert-丁氧羰乙基等三級烷氧羰烷基等。其中又以三級烷基爲佳 ，特別是以tert-丁基爲更佳。 (A )成份爲由（a 1 )單位與（a3 )單位所構成時， 相對於構成（A )成份之結構單位之合計’ （al )單位之 W 量爲50至95莫耳％ ，較佳爲50至80莫耳％ ，更佳爲60 至7 0莫耳％時，以其具有較佳之解析度而爲較佳。 又，相對於構成（A )成份之結構單位之合計，（a 3 )單位之量爲5至50莫耳％ ，較佳爲20至50莫耳％ ， 更佳爲30至40莫耳％時，以其具有較佳之解析度而爲較 佳。 又，（A )成份爲由（al )單位、（a2 )單位與（a3 ')單位所構成時，相對於構成（A )成份之結構單位之合 計，（al)單位之量爲50至80莫耳％ ’較佳爲60至70 -10- (8) 1286665 莫耳％時，以其具有較佳之鹼顯影性而爲較佳。 又，相對於構成（A )成份之結構單位之合計，（a2 )單位之量爲35莫耳％以下，較佳爲5至35莫耳％ ，更 佳爲8至3 0莫耳％時，以其可抑制膜之衰減而形成優良 之圖型形狀而爲較佳。 具有前述（al)單位、（a2)單位、（a3)單位之（ A >成份，例如可將相當於結構單位（al )之單體、相當 於結構單位（a2 )之單體、相當於導入結構單位（a3 )之 酸解離性溶解抑制基前狀態之結構單位之單體，以自由基 聚合法等一般方法進行共聚合而製得前趨物之共聚物後， 再以公知方法將結構單位（a3 )之羥基以酸解離性溶解抑 制基予以保護之方法而製得。 又，可將由（a 1 )單位與（a2 )單位所形成之共聚物 ，與（a 1 )單位與（a3 )單位所形成之共聚物混合，以製 得具有（al )單位、（a2 )單位與（a3 )單位之樹脂成份 (A )亦可。 又，由（al )單位與（a3 )單位所形成之（A )成份 ，例如可將相當於結構單位（a 1 )之單體與相當於結構單 位（a3 )之單體，以一般方法進行共聚而製得。將酸解離 性溶解抑制基導入結構單位（a3 )之時間，可爲共聚合之 前或後皆可。 (A)成份之質量平均分子量（經凝膠滲透色層分析 法（GPC )測定後以聚苯乙烯換算，以下相同）並未有所 特定，一般爲3000至50000，更佳爲4000至30〇〇〇。大 -11 - (9) 1286665 於此範圍時，其對於光阻溶劑之溶解性會惡化，過小時會 有使光阻圖型產生膜衰減等疑慮。 •酸產生劑（B ) (B )成份可使用以往增強化學性之光阻組成物所使 用之公知酸產生劑，而無特別限制。 前述酸產生劑，目前爲止例如碘鑰鹽或銃鹽等鑰鹽系 ® 酸產生劑，肟磺酸酯系酸產生劑、雙烷基或雙芳基磺醯基 二偶氮甲烷類、聚（雙磺醯基）二偶氮甲烷類類等二偶氮 甲烷系酸產生劑、硝基苄基磺酸酯系酸產生劑、亞胺基磺 酸酯系酸產生劑、二碾類系酸產生劑等多種已知化合物。 鎗鹽系酸產生劑之具體例，如二苯基碘鑰之三氟甲烷 磺酸酯或九氟丁烷磺酸酯、雙（4-tert-丁基苯基）碘鑰之 三氟甲烷磺酸酯或九氟丁烷磺酸酯、三苯基銃之三氟甲烷 磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯、三（4-W 甲基苯基）銃之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其 九氟丁烷磺酸酯、二甲基（4-羥基萘基）銃之三氟甲烷磺 酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯、單苯基二 甲基銃之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁 烷磺酸酯、二苯基單甲基銃之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙 烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯、（4-甲基苯基）二苯基銃 之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸 酯、（4-甲氧基苯基）二苯基銃之三氟甲烷磺酸酯、其七 氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯、三（4-tert-丁基）銃 -12- (10) 1286665 之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸 酯等。 肟磺酸酯系酸產生劑之具體例如a - ( p-甲苯磺醯氧亞 胺基）-节基氰化物（cyanide) 、α-(ρ -氯基苯磺醯氧亞 胺基）-苄基氰化物、α - ( 4-硝基苯磺醯氧亞胺基）-苄基 氰化物、α-(4-硝基-2-三氟甲基苯磺醯氧亞胺基）-苄基 氰化物、α -(苯磺醯氧亞胺基）-4-氯基苄基氰化物、α -•(苯磺醯氧亞胺基）-2,4-二氯基苄基氰化物、α -(苯磺 醯氧亞胺基）-2,6-二氯基苄基氰化物、α-(苯磺醯氧亞 胺基）-4-甲氧基苄基氰化物、α-(2-氯基苯磺醯氧亞胺 基）-4-甲氧基苄基氰化物、α-(苯磺醯氧亞胺基）-噻 嗯-2-基乙腈、^ - ( 4-十二烷基苯磺醯氧亞胺基）-苄基氰 化物、α -[( Ρ-甲苯磺醯氧亞胺基）-4-甲氧基苯基]乙腈 、α_[(十二烷基苯磺醯氧亞胺基）-4-甲氧基苯基]乙腈 、對甲苯磺醯氧亞胺基）-4-噻嗯基氰化物、α -(甲 # 基磺醯氧亞胺基）-1-環戊烯基乙腈、α·(甲基磺醯氧亞 月安基）-1-環己烯基乙腈、α-(甲基磺醯氧亞胺基）-1-環 庚烯基乙腈、α •(甲基擴醯氧亞胺基）環辛烯基乙腈 、α_(三氟甲基磺醯氧亞胺基）-1-環戊烯基乙腈、α-( 三氟甲基磺醯氧亞胺基）-1-環己烯基乙腈、α-(乙基磺 酿氧亞胺基）-乙基乙腈、α-(丙基擴醯氧亞胺基）·丙基 &臆、α-(環己基磺醯氧亞胺基）-環戊基乙腈、α-(環 己基磺醯氧亞胺基環己基乙腈、環己基磺醯氧亞 g卜環戊烯基乙腈、α-(乙基磺醯氧亞胺基）-卜環 -13- (11) 1286665 戊烯基乙腈、α-(異丙基磺醯氧亞胺基）-1-環戊烯基乙 腈、α·(η-丁基磺醯氧亞胺基）-卜環戊烯基乙腈、α-( 乙基磺醯氧亞胺基）-1-環己烯基乙腈、(異丙基磺醯 氧亞胺基）-1-環己烯基乙腈、α-( η-丁基磺醯氧亞胺基 )-1-環己烯基乙腈、α-(甲基磺醯氧亞胺基苯基乙腈 、α-(甲基磺醯氧亞胺基）-Ρ-甲氧基苯基乙腈、α·(三 氟甲基磺醯氧亞胺基）-苯基乙腈、(三氟甲基磺醯氧 ® 亞胺基）-ρ-甲氧基苯基乙腈、α-(乙基磺醯氧亞胺基）-Ρ-甲氧基苯基乙腈、α-(丙基磺醯氧亞胺基）-Ρ-甲基苯 基乙腈、α-(甲基磺醯氧亞胺基）-Ρ-溴基苯基乙腈等。 其中又以α-(甲基磺醯氧亞胺基）-Ρ-甲氧基苯基乙腈爲 較佳。 二偶氮甲烷系酸產生劑中，雙烷基或雙芳基磺醯基二 偶氮甲烷類之具體例，如雙（異丙基磺醯基）二偶氮甲烷 、雙（Ρ-甲苯磺醯基）二偶氮甲烷、雙（1，1-二甲基乙基 ^ 磺醯基）二偶氮甲烷、雙（環己基磺醯基）二偶氮甲烷、 雙（2，4-二甲基苯基磺醯基）二偶氮甲烷等。 又，聚（雙磺醯基）二偶氮甲烷類例如具有下示結構 之1，3-雙（苯基磺醯基二偶氮甲基磺醯基）丙烷（化合物 A，分解點135°C ) 、1，4-雙（苯基磺醯基二偶氮甲基磺醯 基）丁烷（化合物B，分解點147t ) 、1，6-雙（苯基磺 醯基二偶氮甲基磺醯基）己烷（化合物C，熔點1 3 2 °C、 分解點145°C) 、l，l〇-雙（苯基磺醯基二偶氮甲基磺醯基 )癸烷（化合物D，分解點147°C ) 、：1,2-雙（環己基磺 -14- (12) 1286665 醯基二偶氮甲基磺醯基）乙烷（化合物E，分解點149°C )、：l，3-雙（環己基磺醯基二偶氮甲基磺醯基）丙烷（化 合物F，分解點153°C ) 、1，6-雙（環己基磺醯基二偶氮甲 基磺醯基）己烷（化合物G，熔點109°C、分解點122°C )、1，1〇·雙（環己基磺醯基二偶氮甲基磺醯基）癸烷（化 合物Η，分解點1 1 6 °C )等。

-15- 1286665 (13) [化1] -o 化合物A 〇 N 〇 Ο N2 〇 /r^\ ιι ιγ ιι , ιι ιι ιι

(/ y-S —C一S —(CH2)3 —S —C —S \_/ 11 II II II

O O O O

化合物B 〇~H2+(ch2)4 +ΗΌ 化合物c (y o o o o o

N〇 〇 O N2 〇 ιγ ιι ii ir ιι S—C一έ 一（CH2)6 —吞 一〇一s II II II II ο Ο Ο Q

化合物D

Ο ν2 ο ο ο ν2 Η ΙΓ II 11 ΙΓ II S—C-S —（CH2)10-S—C—S II II II II ο ο ο ο -ο 化合物Ε ο ιι ιΐ" ιι η *!ί2 ? /—\ S — C—S-(CH2)2—S — C—S-( )

化合物F

化合物G

Q 〇 Ο Ο ο 〇 ii ο Η ο Γι V2 ο IS s- II -C-S-iCHzh 一 S- II 一 ο Ο II ο ο ο II ο I! ο II ο II c—S-(CH2)6 -S-C-S-/ ； ll II ιι I! \_/ o o o o 化合物H 〇 /~\ I! w S —C—S —（CH2)10一 s — c—s

II II II II 〇 o o o (B)成份可單獨使用 上組合使用亦可。 種前述酸產生劑或將2種以 •16- (14) 1286665 本發明中，又以使用以（B )成份之氟化烷基磺酸離 子作爲陰離子使用之鑰鹽爲較佳。 (B )成份之含量，對（A )成份1 〇〇質量份以使用 〇·5至30質量份，較佳爲使用！至10質量份爲宜。低於 上述範圍時，將會有未能充分形成圖型之疑慮，超過上述 範圍時’將會有未能得到均勻之溶液，而會有形成保存安 定性降低之原因的疑慮。 •有機溶劑 本發明之光阻組成物中，可將（A )成份、（B )成份 ' (x)成份與後述之任意各成份，以溶解於有機溶劑之 方式製得。 有機溶劑只要可溶解所使用之各成份而形成均勻之溶 '液即可’例如可使用由以往作爲增強化學性光阻溶劑之公 知溶劑中，適當的選擇1種或2種以上使用。 例如7-丁內酯、丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基 異戊酮、2-庚酮等酮類或，乙二醇、乙二醇單乙酸酯、二 乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、 二丙二醇、或二丙二醇單乙酸酯之單甲基醚、單乙基醚、 單丙基醚、單丁基醚或單苯基醚等多元醇類及其衍生物， 或二噁烷等環狀醚類或乳酸甲酯、乳酸乙酯（EL)、乙酸 甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、 甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯類。 前述有機溶劑可單獨使用，或以2種以上之混合溶劑 -17- (15) 1286665 形式使用亦可。 其中又以由丙二醇單甲基醚乙酸酯（PGMEA)、丙二 醇單甲基醚（PGME )、乳酸乙酯（EL )中所選出之至少 1種爲佳。 又，以使用丙二醇單甲基醚乙酸酯（PGMEA )與極性 溶劑之混合溶劑爲佳。其添加比，可配合PGMEA與極性 溶劑之相溶性等作適當之決定，較佳爲9 : 1至1 : 9，更 佳爲8: 2至2: 8之範圍內。 更具體而言，極性溶劑於使用EL時，PGMEA : EL之 質量比較佳爲8:2至2: 8，更佳爲7: 3至3: 7之範圍 〇 有機溶劑，其他例如由PGMEA與EL中所選出之至 少1種與r - 丁內酯所得混合溶劑爲佳。此時，混合比例 以前者對後者之質量比較佳爲70 : 3 0至95 ·· 5之範圍。 有機溶劑之使用量並未有特別限定，一般可於可塗佈 於基板等之濃度，塗膜厚度等作適當的選擇設定，有機溶 劑之使用量一般以光阻組成物中之固體成份濃度之2至20 質量％ ，較佳爲5至1 5質量％之範圍。 •含氮有機化合物（C )(以下亦稱爲（C )成份） 本發明之光阻組成物中，爲提昇光阻圖型形狀、經時 放置之經時安定性時，可再添加任意成份之含氮有機化合 物（C )(以下亦稱爲（C )成份）。 此（C )成份，目前已有多種化合物之提案，其可任 -18- (16) 1286665 意使用公知之成份，但以使用胺，特別是二級低級脂肪族 胺或三級低級脂肪族胺爲佳。 其中，低級脂肪族胺係指碳數5以下之烷基或烷基醇 之胺之意，其二級或三級胺之例如三甲基胺、二乙基胺、 三乙基胺、二-η-丙基胺、三-η-丙基胺、三戊基胺、二乙 醇胺、三乙醇胺、三異丙醇胺等，其中又以三乙醇胺、三 異丙醇胺等三級烷醇胺或三戊基胺等三級胺爲佳。 ® 其可單獨使用或將2種以上組合使用亦可。 (C )成份對（A )成份1 00質量份而言，一般爲使用 0.01至5.0質量份之範圍。 酸成份（D)(以下亦稱爲（D)成份） 爲防止添加前述（C )成份所造成之感度劣化，或提 升光阻圖型形狀、經時放置之經時安定性等目的上，可再 添加任意成份之有機羧酸或磷之含氧酸或其衍生物所形成 之酸成份（D)(以下亦簡稱（D )成份），又，（C )成 β份可與（D )成份合倂使用，或單獨使用其中任一種皆可 〇 有機羧酸，例如丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、琥珀酸、 苯甲酸、水楊酸等爲佳。 磷之含氧酸或其衍生物，例如磷酸、磷酸二-η-丁酯、 磷酸二苯酯等磷酸或其酯等磷酸衍生物，膦酸（ Phosphonic acid)、膦酸二甲酯、膦酸-二-η-丁酯、苯基 膦酸、膦酸二苯酯、膦酸二苄酯等膦酸及其酯等膦酸衍生 物，次膦酸（P h 〇 s p h i n i c a c i d )、苯基次膦酸等次膦酸及 -19- (17) 1286665 其酯等次膦酸衍生物，其中又以膦酸爲佳。 (D)成份對（A)成份1〇〇質量份而言’一般爲使 用〇·〇1至5.0質量份之範圍。 •其他任意成份 本發明之正型光阻組成物，可再適度添加需要增加混 合性之添加劑，例如改良光阻膜性能所添加之加成性樹脂 ，提昇塗覆性之界面活性劑、溶解抑制劑、可塑劑、安定 劑、著色劑、光暈防止劑等。 又，必要時，可再含具有光吸收能之染料等化合物。 特別是爲使光阻圖型之側壁相對於底面並非爲垂直，而爲 斜面狀之錐體形狀時，以含有於曝光所使用之光的波長區 域中具有光吸收能之化合物（E )(以下亦簡稱爲（E )成 份）爲佳。 於KrF準分子雷射波長24 8nm上具有吸收能之化合物 (E )，例如染料等低分子量化合物，或樹脂等高分子量 化合物等。更具體而言例如下述物質等。 (e 1 )具有蒽環作爲部份結構之物質（以下簡稱（e ；! ))° (e2)具有苯環作爲部份結構之物質（以下簡稱（e2 ))^ (e3 )具有萘環作爲部份結構之物質（以下簡稱（e3 ))〇 (e4 )具有聯苯作爲部份結構之物質（以下簡稱（e4 -20- (18) 1286665 (el) ’只要具有蒽環作爲部份結構之物質即可，前 述物質例如蒽環甲醇、蒽環乙醇、蒽環羧酸、蒽環、甲基 蔥環、二甲基蒽環、羥基蒽環等染料。 其中又以惠環甲醇爲最佳。添加後可容易控制光阻圖 型側壁之傾斜角度（錐角）。 (e2 ) ’只要具有苯環作爲部份結構之物質即可，前 述物質例如苯、甲基苯或乙基苯等烷基苯、苄醇、環己基 苯、苯甲酸、水楊酸、苯甲醚等染料，線性酚醛樹脂等樹 前述線性酚酸樹脂，例如具有酚性羥基之芳香族物質 (以下簡稱（酹類））與醛類於酸觸媒下進行加成縮合反 應而製得。 此時’所使用之酚類例如酚、〇 -甲酚、m_甲酹、p—甲 酚、0 -乙基酚、m·乙基酚、p -乙基酚、〇-丁基酚、m· 丁基 酚、P-丁基酚、2,3-二甲酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、 2,6二甲酚、3,4-二甲酚、3,5-二甲酚、2,3,5_三甲基酚、 3,4,5-三甲基酚、p-苯基酚、間苯二酚、氫醌、氫醌單甲 基醚、焦培酹、間苯三酹、經基二苯基、雙酌A、沒食子 酸、沒食子酸酯、α-萘酹、萘酣等。 又’醒類例如甲酸、糠酵、苯甲醒、硝基苯甲醛、乙 醛等。 加成縮合反應時之觸媒’並未有特別限定，例如酸觸 媒可使用鹽酸、硝酸、硫酸、甲酸、草酸、乙酸等。 •21 - (19) 1286665 使用線性酚醛樹脂時，其質量平均分子量以1 000至 3 0000爲佳。 (e 3 )，只要具有萘環作爲部份結構之物質即可。前 述物質例如萘、甲基萘、二甲基萘、乙基萘、1-萘酚、2-萘酚、萘二醇、萘三醇等染料。 (e4 )，只要具有聯苯作爲部份結構之物質即可。前 述物質例如聯苯、二甲基聯苯、聯苯醇、聯苯二醇、聯苯 Φ四醇等染料。 (E )成份可單獨使用丨種或將2種以上組合使用亦 可〇 其中’ （e 1 )爲具有蒽環作爲部份結構之物質時，就 可適度控制光線透過率之觀點上爲較佳，其中又以蒽甲醇 具有優良感度寬容度、焦點景深寬度而爲最佳。 (E )成份之使用量並未有特別限制，其可經添加（e )成份而控制光型之錐體角度。因此，配合（E)成份之 m 光吸收能’以可得到適合所需要形成之錐體形狀之光透過 率之方式適當的設定（E)成份之使用量。 例如（E )成份之使用量以相對於（a )成份1 00質量 份爲〇·〇1至20質量份爲佳，更佳爲ο」至8.0質量份之 範圍。（E )成份之使用量相對於（a )成份1 〇〇質量份超 過2 0質量份時，會有未能得到良好光型之疑慮。 •光阻圖型之形成方法 本發明之光阻組成物，適用於以往之使用正型光阻組 -22- (20) 1286665 成物或負型光阻組成物之光阻圖型之形成方法。 具體而言，例如首先於基板上，將調製爲溶液狀之本 發明光阻組成物使用旋轉塗佈機等進行塗覆，並進行預燒 培而製得光阻膜。基板並未有特別限制，例如可爲矽晶圓 、設有有機系或無機系抗反射膜之矽晶圓，形成有磁性膜 之矽晶圓，玻璃基板等皆可使用。 其次，對光阻膜進行選擇性曝光處理，曝光處理例如 ^ 可使用KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光、F2準分子 雷射光、EUV ( Extreme ultraviolet ;臨界紫外光）、電子 線（EB )、軟X射線、X射線等，並藉由所需要之光罩圖 型進行照射，或直接描繪等。較佳爲使用KrF準分子雷射 ，但使用電子線或EUV (臨界紫外光）亦佳。 隨後，進行曝光後加熱處理（Post Exposure Bake; 以下簡稱「PEB」）。 經PEB處理後，使用鹼性水溶液等顯影液進行顯影處 理，經水洗、乾燥等必要之處理後，即製得光阻圖型。 顯影液並未有特別限定，可使用一般所使用之鹼性水 溶液等。例如以使用濃度爲2.38質量％之TMAH (四甲基 氫氧化銨）水溶液爲較佳。 預燒培處理中之加熱溫度與曝光後加熱（PEB )之加 熱溫度，例如以分別設定爲7 0至1 6 0 °C、較佳爲1 0 0至 1 5 0 C之溫度條件，與4 0至1 8 0秒間，較佳爲6 0至9 0秒 間之範圍爲佳。 又’依各種情況之不同，於上述顯顯影後亦可包含顯 -23- (21) 1286665 影後之後燒培步驟。 •磁頭之製造 本發明之光阻組成物，因適合形成微細之光阻圖型， 故極適合用於磁頭之製造上。具體而言，例如可用於被餓 刻膜爲磁性膜之離子性蝕刻用光阻圖型之形成，例如適合 用於製造磁頭之讀取部所需要之光阻圖型等。離子性蝕刻 # ，例如離子硏磨等異向性蝕刻等。 或，適合用於形成以鍍敷方式形成磁性膜時作爲外圍 (frame )使用之光阻圖型，例如適合形成製造磁頭之寫 入部所需要之光阻圖型。鑛敷法例如可使用公知鏟敷法之 電解鍍敷法進行。 以下，將對使用本發明之光阻組成物以製造磁頭讀取 部的實施形態作一說明。 首先，如圖1A所示般，於矽晶圓等基板〗上，以濺 ^鍍裝置形成磁性膜2 ’。其中，使用該磁性膜2 ’之磁性體爲 使用含有Ni、Co、Cr、Pt等元素者。形成磁性膜2’上之 底層膜3 ’之材料並未有任何限定。其中鹼可溶性材料，例 如西普來公司製之聚甲基戊二醯亞胺（ polymethylglutarimide;以下簡稱PMGI)所形成之塗佈液 等。鹼不溶性材料，例如可使用以往作爲底層防反射層（ BARC )使用之材料所得之塗佈液，或對曝光後顯影之際 所使用之鹼顯影液爲不溶性，且得以以往乾蝕刻方法進行 蝕刻之有機膜的材料（線性酚醛樹脂等）。可將由該材料 -24- (22) 1286665 所得之塗佈液使用旋轉塗佈機進行塗佈、乾燥而形成底層 膜3,。 其次，將本發明之正型光阻組成物的溶液，使用旋轉 塗佈機塗佈於底層膜3’上方後，進行預燒培（PAB處理） 而形成光阻膜4 ’。預燒培之條件，依組成物中各成份之種 類、添加比例、塗佈膜厚度等而有所不同，一般爲約70 至150°C，較佳爲於80至140°C之溫度條件下，進行0.5 ® 至60分鐘左右。所形成之光阻膜4 ’之膜厚度，就控制錐 體形狀之觀點而言，以0.05至5.0 // m爲佳，又以0.1至 3.0 // m爲更佳。 其次，對光阻膜4’介由所需要之光罩圖型進行選擇性 曝光。 曝光步驟結束後，進行PEB (曝光後加熱）處理，其 次，使用由鹼性水溶液所得之鹼顯影液進行顯影處理，使 光阻膜4’於特定範圍（曝光部）中顯影，得如圖1B所示 ® 之錐體狀光阻圖型（獨立圖型）4。此時，光阻膜4’中經 顯影部份之下方位置的底層膜3 ’，可經由鹼顯影液而同時 去除，該底層膜3 ’，相對於光阻膜4 ’而言，具有更高之鹼 可溶性，故鹼顯影後，於形成光阻圖型4之部份的下方位 置之底層膜3 ’，僅殘留於該圖型4之中心部位附近。其結 果，可製得圖1B所示寬度較爲狹窄之底層膜3’之圖型3 與，較其爲寬之錐體形狀之光阻膜4’之光阻圖型4所形成 之截面近似日本羽子板形狀之剝離（lift-off)法用圖型5 -25- (23) 1286665 又，使用鹼不溶性之底層膜時，係將光阻圖型4作爲 光罩，對底層膜3 ’進行過量蝕刻，即製得圖1 B所示由寬 度較爲狹窄之底層膜3’之圖型（底層膜圖型）3，與較其 爲寬之光阻膜4’之光阻圖型4所形成之截面近似日本羽子 板形狀之剝離（lift-off)法用圖型5。 其次，使用上述方法所製得之錐體形狀之光阻圖型， 製造磁頭之讀取部。 即，將如圖1 B所示之錐體形狀之光阻圖型4與底層 膜圖型3所形成之圖型5作爲光罩，進行離子蝕刻時，即 可形成如圖1 C所示之圖型5週邊的磁性膜2 ’被蝕刻，僅 於圖型5之底部殘留磁性膜2，使磁性膜圖型2印刷爲近 似矩形之形狀。此時所使用之離子硏磨法可使用以往公知 之方法進行。例如可使用日立製作所至離子束硏磨裝置 IML系列等進行。 再經由濺鎪處理結果，即可如圖1 D所示般，於圖型 5之上方，與磁性膜圖型2之周圍基板1上形成電極膜。 此時之濺鍍處理可依以往公知之方法進行。例如可使用曰 立製作所製濺鍍裝置ISM-2200或ISP-1801等進行。其後 ’使用鹼可溶性之底層膜時，可再度使用鹼顯影液溶解底 層膜圖型3以去除圖型5。使用鹼不溶性之底層膜時，只 要對磁性膜不會產生不良影響之方法皆可使用，而未有任 何限定’剝離液或氧之電漿蝕刻裝置等公知之方法。經此 方法，即可製得如圖1 E所示般之由基板1與，於其上所 形成之近乎矩形形狀之磁性膜圖型2，與於其周圍所形成 -26- (24) 1286665 之電極膜6所得之磁頭之讀取部20。 以下，將本發明光阻組成物用於製造磁頭寫入部之實 施型態的例示作說明。 首先，如圖2A所示般，於最上層設置有鍍敷薄片層 11之基材的該鍍敷薄片層11上形成光阻膜12’。 基材，例如於矽晶圓等基板1上，依其必要性層合作 爲讀取部之磁性膜圖型、平坦化膜、阻隔層等，並以形成 ® 有鑛敷薄片層Π者作爲最上層。鍍敷薄片層11，於電解 鍍敷法中爲具有電極作用之層，其係由具有導電性材料所 構成。作爲鑛敷層1 1之材料者，例如可使用1種或2種 以上由Fe、Co、Ni等所選出之金屬。鍍敷薄片層11，一 般可使用含有與鍍敷所形成之膜成份爲相同成份之材料。 光阻膜12’，爲將本發明之前述正型光阻組成物之溶 液，使用旋轉塗佈器塗佈於鍍敷薄片層1 1之上方，並經 預燒培（PAB )處理而形成光阻膜12’。預燒培條件，依 W 組成物中各成份之種類、添加比例、塗佈膜厚度等而有所 不同，一般爲約70至150 °C，較佳爲80至140 °C下，進 行〇·5至60分鐘左右。所形成之光阻膜12’之厚度，係配 合所預製得之磁性膜圖型13之厚度（高度）而決定，較 佳爲0.1至3·0//ιη，又以0·2至2.0/zm爲最佳。 其次，對光阻膜12’，介由所期待之光罩圖型進行選 擇性曝光。 曝光步驟結束後，再進行PEB (曝光後加熱）處理， 隨後，使用由鹼性水溶液所得之鹼顯影液進行顯影處理， -27- (25) 1286665 使光阻膜1 2 ’於特定範圍（曝光部）中顯影，而製得如圖 2B所示般之具有錐體形狀側壁之溝槽狀圖型的光阻圖型 12 〇 該截面中，光阻圖型1 2間之距離並未有特別限定， 例如光阻圖型12的底面位置之距離D1爲例如25 Onm以 下，較佳爲30至200nm左右。 其次，使用依上述方法所製得之具有錐體形狀側壁之 ® 光阻圖型1 2，製作磁頭之寫入部。 即，如圖2C所示般，對於被具有錐體形狀側壁之光 阻圖型1 2所包圍之凹部內，施以電解鍍敷，而形成磁性 膜 13,。 使用該磁性膜13’之磁性體，例如爲使用含有Ni、Co 、Cr、Pt等元素者。 電解鍍敷，可依一般方法進行，例如使鑛敷薄片層1 1 於通電狀態下，浸漬於含有磁性體離子之電解液之方法等 馨。 於形成磁性膜1 3 ’之後，經由去除光阻圖型1 2，則可 製得如圖2D所示之形成逆向錐體形狀之磁性膜圖型1 3之 磁頭的讀取部2 1。去除光阻圖型1 2之方法，例如只要不 對磁性膜產生不良影響之方法時，則並未有特別限定，一 般可使用剝離液或氧電漿蝕刻等公知之方法進行。 經前述方法即可形成使用本發明之正型光阻組成物所 得光阻圖型作爲外圍（frame )之磁性膜，與形成具有良 好逆向錐體形狀之磁性膜圖型。 •28- (26) 1286665 又，於前述磁頭之讀取部/寫入部之說明中，係使用 錐體形狀/逆向錐體形狀之光阻圖型作爲說明例示，但使 用前述以外之一般光阻圖型亦可同樣的製造。

又，本發明之光阻組成物，除製造磁頭以外，亦適合 製造 MRAM ( Magnetic Random Access Memory ) 、MEMS (Micro Electro Mechanica Systems )等。 本發明之光阻組成物，除具有優良微細解析度以外， # 亦可改善光阻圖型等線路邊緣粗糙（LER)或波狀變形（ standing wave )。其推測應爲添加於光阻組成物中之高沸 點溶劑成份（X )，經由PAB步驟與PEB步驟之加熱步驟 後而容易殘留於光阻膜中，而殘留於光阻膜中之（X)成 份可影響酸產生劑成份（B )所產生之酸的擴散狀態，進 而可適度抑制曝光部與未曝光部界面上之反差所得者。 因此，使用本發明之光阻組成物時，即使於微細之光 阻圖型中，亦可形成具有優良之解析度，與具有優良LER ® 特性或SW特性等形狀特性之光阻圖型。 因此，本發明之光阻組成物，特別適合用於形成要求 高度微細加工之磁頭之製造步驟中之光阻圖型。 【實施方式】 [實施例] 以下將說明本發明之實施例，但本發明並不受下述實 施例所限定。 製作下述表1所示組成內容之增強化學型光阻組成物 -29- (27) 1286665 。其中，（）內數値之單位，於未有特別限定時，係指 「質量份」之意。 表1 ㈧ (B) (c) (D) 有機溶劑 高沸點溶劑 活性劑 染料 實施例1 化2 TPS-TF 三乙醇胺 水楊酸 PGEMA 水楊酸苄酯 R-08 染料1 (100) (3.0) (0.35) (0.32) (700) (10) (0.1) (4.5) 實施例2 化2 TPS-TF 三乙醇胺 水楊酸 EL 水楊酸苄酯 R-08 一 (100) (2.5) (0.2) (0.09) (600) (5) (0.1) 比較例1 化2 TPS-TF 三乙醇胺 水楊酸 PGEMA — R-08 染料1 (100) (3.0) (0.35) (0.32) (700) (0.1) (4.5) 比較例2 化2 TPS-TF 三乙醇胺 水楊酸 EL — R-08 (100) (2.5) (0.2) (0.09) (600) (0.1) (A )成份爲使用下述化學式（2 )所示3種結構單位 所得之樹脂1 〇〇質量份。下述化學式（2 )中，各結構單 位p、q'r之比例爲，p=63莫耳％ 、q=26莫耳％ 、r = 11莫耳％ 。（ A)成份之質量平均分子量爲1 0000。 -30 (28) 1286665 【化2】

Η Η I I C——O k I

ch3—c—ch3 ch3

(2) (B)成份、活性劑、與染料爲使用下述材料。 TPS-TF·•三苯基銃三氟甲烷磺酸酯 TPS-NF:三苯基銃九氟丁烷磺酸酯 R-08 :界面活性劑R-08 (製品名：大日本油墨化學工 業公司製） 染料1 : 9_羥基甲基蒽 -31 - (29)1286665 使用上述所得之正型光阻組成物，依下述表2所示實 際條件形成光阻圖型。實施例1與比較例1，爲形成具有 如圖2B所示錐體形狀側壁之溝槽圖型。實施例2與比較 例2爲依形成一般之溝槽圖型。其結果如表3所示。 [表2] 基板 光阻膜厚度 PAB PEB 光源 顯影條件 實施例1 8英吋矽晶圓 300nm 100〇C/90 秒 110〇C/90 秒 KrF NMD-3 23〇C/60 秒 實施例2 8英吋矽晶圓 600nm 150°C/90 秒 150〇C/90 秒 EB NMD-3 23〇C/60 秒 比較例1 8英吋砂晶圓 300nm 100〇C/90 秒 110〇C/90 秒 KrF NMD-3 23〇C/60 秒 比較例2 8英吋矽晶圓 600nm 140〇C/90 秒 140°C/90 秒 EB NMD-3 23°C/60 秒 表2中，光源（曝光裝置）與顯影液內容係如下所示 〇 KrF: KrF 曝光裝置 FPA-3000EX3 (Canon 公司製， NA (開口數）=0·55，σ = 0.71 ) ΕΒ :電子線描繪裝置（製品名：HL-800D、70kV加 速電壓，日立公司製） NMD-3 : 2.3 8% THAM (東京應化工業公司製） -32- (30) 1286665 [表3] 解像性 LER S W 實施例1 1 2 Onm 一 〇 實施例2 5 Onm 7.2nm 一 比較例1 1 2 Onm — X 比較例2 5 Onm 1 0.3 nm 一

表3中之評估項目析如下所示。 (解析度） 係指臨界解析度之意。 (LER ) 求得100nm之表示溝槽圖型之LER尺度3σ。其中， 3 (7爲使用測長 SEM (日立製作所公司製，商品名「S-9220」），測定樣品之光阻圖型的寬度32處，求得其結 果所得之標準誤差（σ)的3倍値（3σ)之意。此3σ之 値越小時，邊緣粗糙度越小，而得到具有更均勻寬度之光 阻圖型。 (SW) 使用截面SEM (日立製作所公司製，商品名「S-45 00 )，觀察截面形狀。 〇：波狀變形（s t a n d i n g w a ν e )經抑制 -33- (31) 1286665 X :發生波狀變形，截面發生劇烈之凹凸形狀。 相對於實施例1之波狀變形經抑制，比較例1則發生 波狀變形，截面發生劇烈之凹凸狀，此結果則於無須測定 LER下，即可得知截面劇烈凹凸之比較例1，其LER値極 實施例2之3 σ値較比較例2爲低，得知LER得到改 善。又，於50nm之超微細光阻圖型中，實施例2之溝槽 ® 圖型的底部剝離性較比較例2爲更佳。又，實施例2與比 較例2並未評估其SW性。其係因曝光光源使用電子線（ 非光微影蝕刻），故未發生SW。但如上述結果般，確認 添加高沸點溶劑下可降低LER。 如上所述般，本發明可解決光微影蝕刻與電子線微影 蝕刻中所發生之光阻圖型形狀之問題。 【圖式簡單說明】 圖1 A :說明使用本發明之光阻組成物，以離子性蝕 刻法形成磁性膜圖型之步驟的模式圖。 圖1 B :說明使用本發明之光阻組成物，以離子性蝕 刻法形成磁性膜圖型之步驟的模式圖。 圖1 C :說明使用本發明之光阻組成物，以離子性鈾 刻法形成磁性膜圖型之步驟的模式圖。 圖1 D :說明使用本發明之光阻組成物，以離子性蝕 刻法形成磁性膜圖型之步驟的模式圖。 圖1 E :說明使用本發明之光阻組成物，以離子性蝕 -34 - (32) 1286665 刻法形成磁性膜圖型之步驟的模式圖。 圖2A :說明使用本發明之光阻組成物，以鍍敷法形 成磁性膜圖型之步驟的模式圖。 圖2B :說明使用本發明之光阻組成物，以鍍敷法形 成磁性膜圖型之步驟的模式圖。 圖2C :說明使用本發明之光阻組成物，以鍍敷法形 成磁性膜圖型之步驟的模式圖。 圖2D :說明使用本發明之光阻組成物，以鍍敷法形 成磁性膜圖型之步驟的模式圖。 【主要元件符號之說明】 1 :基板 2’、13’ ：磁性膜 2、1 3 :磁性膜圖型 3 :下層膜 4’、12’ ：光阻膜 4、1 2 :光阻圖型 6 :電極膜 2〇 :磁頭（讀取部） 2 1 ·•磁頭（寫入部） •35-

Claims (1)

1. (1) (1),1286665 十、申請專利範圍 阶 ^ 1〇 2 R 第94121677號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國95年12月26日修正 1 · 一種增強化學性之光阻組成物，其爲含有基於酸 之作用使鹼可溶性產生變化之樹脂成份（A )，及經由曝 光產生酸之酸產生劑成份（B)之光阻組成物，其特徵爲 含有沸點爲22(TC以上高沸點溶劑（X)， 又，其中前述樹脂成份（A)爲含有羥基苯乙烯所衍 生之結構單位（al)， 苯乙烯所衍生之結構單位（a2 ) 與具有酸解離性溶解抑制基之（甲基）丙烯酸酯所衍生之 結構單位（a3)， 相對於構成（A )成份之全部結構單位，前述結構單 位（al)之含量爲50至80莫耳％ ，前述結構單位（a2) 之含量爲5至35莫耳％ ，前述結構單位（a3)之含量爲5 至40莫耳％ ， 前述（B)成份之含量爲，相對於（A)成份100質量 份爲0.5至30質量份’ （X)成份之含量爲，相對於（A )成份1〇〇質量份爲0.1至30質量份。 2. 如申請專利範圍第1項之增強化學性之光阻組成 物，其中前述高沸點溶劑成份（X )爲含有水楊酸苄酯。 3. 如申請專利範圍第1項之增強化學性之光阻組成 物，其尙含有含氮有機化合物。 4. 如申請專利範圍第1項之增強化學性之光阻組成 (2) 1286665 物，其爲使用於磁頭之製造。 5. —種光阻圖型形成方法，其爲使申請專利範圍第1 至4項中任一項之增強化學性之光阻組成物形成光阻膜， 並對該光阻膜進行選擇性曝光處理後，施以顯影處理而形 成光阻圖型之方法。 -2-