JP3546913B2 - 化学増幅ポジ型レジスト材料 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細加工技術に適した新規な化学増幅ポジ型レジスト材料に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
LSIの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が求められている中、次世代の微細加工技術として遠紫外線リソグラフィーが有望視されている。遠紫外線リソグラフィーは、0.3μm以下の加工も可能であり、光吸収の低いレジスト材料を用いた場合、基盤に対して垂直に近い側壁を有したパターン形成が可能となる。また、近年、遠紫外線の光源として高輝度なKrFエキシマレーザーを利用する技術が注目されており、これを量産技術として用いるためには、光吸収が低く、高感度なレジスト材料が要望されている。
【0003】
このような観点から、近年開発された酸を触媒とした化学増幅ポジ型レジスト材料(特公平2−27660号、特開昭63−27829号公報等に記載)は、感度、解像度、ドライエッチング耐性が高く、優れた特徴を有するもので、遠紫外線リソグラフィーに特に有望なレジスト材料である。
【0004】
しかしながら、化学増幅型レジスト材料の欠点として、露光からPEB(Post Exposure Bake)までの放置時間が長くなると、パターン形成した際にラインパターンがT−トップ形状になる、即ちパターン上部が太くなるという問題〔PED(Post Exposure Delay)と呼ぶ〕、または塩基性の基板、特に窒化珪素、窒化チタン基板上での基板付近のパターンが太くなるいわゆる裾引き現象という問題がある。T−トップ現象は、レジスト膜表面の溶解性が低下するためと考えられ、基盤面での裾引きは、基盤付近で溶解性が低下するためと考えられる。また、露光からPEBまでの間に酸不安定基の脱離の暗反応が進行して、ラインの残し寸法が小さくなるという問題も生じている。これらのことは、化学増幅型レジスト材料の実用に供する場合の大きな欠点となっている。この欠点のため、従来の化学増幅ポジ型レジスト材料は、リソグラフィー工程での寸法制御を難しくし、ドライエッチングを用いた基盤加工に際しても寸法制御を損ねるという問題がある〔参考:W.Hinsberg,et.al.,J.Photopolym.Sci.Technol.,6(4),535−546(1993),T.Kumada,et.al.,J.Photopolym.Sci.Technol.,6(4),571−574(1993)〕。
【0005】
化学増幅ポジ型レジスト材料において、PEDあるいは基盤面の裾引きの問題の原因は、空気中あるいは基盤表面の塩基性化合物が大きく関与していると考えられている。露光により発生したレジスト膜表面の酸は空気中の塩基性化合物と反応、失活し、PEBまでの放置時間が長くなればそれだけ失活する酸の量が増加するため、酸不安定基の分解が起こり難くなる。そのため、表面に難溶化層が形成され、パターンがT−トップ形状となるものである。
【0006】
従って、本発明は、これらの問題点を解決した化学増幅ポジ型レジスト材料を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、特にフェノール性水酸基の水素原子の一部が下記一般式(1)で示される直鎖状、分岐状もしくは環状のアセタール基で置換されたベース樹脂を用いた化学増幅ポジ型レジスト材料において、常圧760mmHgでの沸点が180℃以上のアルコール化合物を配合することが有効であることを知見した。
【0008】
即ち、上記の問題を解決するために、脱離反応の活性化エネルギーが低く、高反応性の酸不安定基が提案されている。高反応性脱離置換基としては、アセタール基が知られており、またアセタール基の脱離反応過程では水分が必要であることが知られている。実際、脱離反応が促進されるPEB中に水分、特に空気中の湿度が低い場合、パターンが形成されないという問題が生じた。
【0009】
上記問題を解決するには、PEB中の湿度を30%以上にすることが必要であることがわかった。しかし、g線やi線のプロセスにおいては、ホットプレートとプレートカップ中の温度や気流の流れを均一化することによって温度コントロール精度を高めたり、プレートカップの汚れを防止するためにベークカップに乾燥窒素を流すプロセスが行われる場合があり、このときにプレートカップの相対湿度が30%未満になる場合がある。従来のg,i線プロセスとのミックスアンドマッチを考えた場合、プロセスの変更という問題が生じる。ここで本発明者が種々検討した結果、常圧760mmHgでの沸点が180℃以上のアルコール化合物を添加することによってアセタール基の脱離反応を促進し、水分が欠如している雰囲気、例えば乾燥窒素気流雰囲気でもパターンが形成可能であることを見出し、本発明をなすに至った。
【0010】
従って、本発明は、下記化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。
【0011】
〔I〕:(A)有機溶剤、
(B)フェノール性水酸基の水素原子の10モル%以上が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている重量平均分子量5,000〜100,000のベース樹脂、
(C)酸発生剤、
(D)常圧760mmHgでの沸点が180℃以上の炭素数2〜20の2〜4価のアルコール化合物
を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
【0012】
【化5】
(式中R1、R2はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示し、R3は炭素数1〜10のヘテロ原子を有していてもよい1価の炭化水素基を示し、R1とR2、R1とR3、R2とR3は環を形成してもよく、環を形成する場合にはR1、R2、R3はそれぞれ炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。)
【0013】
〔II〕:(A)有機溶剤、
(B)フェノール性水酸基の水素原子の10モル%以上が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換され、かつフェノール性水酸基の水素原子の0モル%を超える割合で下記一般式(2a)又は(2b)で示されるC−O−C基を有する架橋基により分子内及び/又は分子間で架橋されている重量平均分子量5,000〜100,000のベース樹脂、
(C)酸発生剤、
(D)常圧760mmHgでの沸点が180℃以上の炭素数2〜20の2〜4価のアルコール化合物
を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
【0014】
【化6】
(式中R1、R2はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示し、R3は炭素数1〜10のヘテロ原子を有していてもよい1価の炭化水素基を示し、R1とR2、R1とR3、R2とR3は環を形成してもよく、環を形成する場合にはR1、R2、R3はそれぞれ炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。)
【0015】
【化7】
(式中、R4、R5は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R4とR5とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR4、R5は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R6は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、bは0又は1〜10の整数である。Aは、a価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは−CO−O−、−NHCO−O−又は−NHCONH−を示す。aは2〜8、a’は1〜7の整数である。)
【0016】
〔III〕:(A)有機溶剤、
(B)上記〔I〕又は〔II〕記載のベース樹脂、
(C)酸発生剤、
(D)常圧760mmHgでの沸点が180℃以上の炭素数2〜20の2〜4価のアルコール化合物、
(E)下記一般式(3D)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜300,000の高分子化合物
を配合したことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
【0017】
【化8】
(式中、R11は水素原子又はメチル基を示し、R12は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R13は−CR1R2OR3とは異なる酸不安定基であり、dは0又は正数、eは正数で、d+e=1であり、0.5≦e/(d+e)≦1.0である。)
【0018】
〔IV〕:(A)有機溶剤、
(B)上記〔I〕又は〔II〕記載のベース樹脂、
(C)酸発生剤、
(D)常圧760mmHgでの沸点が180℃以上の炭素数2〜20の2〜4価のアルコール化合物、
(F)酸不安定基を有する溶解阻止剤
を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料。
【0020】
以下、本発明につき更に詳しく説明すると、本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、酸不安定基を有し、酸によりこの酸不安定基が脱離することによってアルカリ可溶性を示す高分子樹脂(ベース樹脂)と、光、電子線等の照射により酸を発生する酸発生剤と、必要により配合される酸不安定基を有する溶解阻止剤と、更に通常、これら成分を溶解する有機溶剤とを含む化学増幅ポジ型レジスト材料において、常圧760mmHgでの沸点が180℃以上、特に190℃以上で、25℃において液状であるアルコール化合物(D)を配合したものである。このアルコール化合物は、炭素数2〜20、特に2〜16の2〜4価のアルコールが好ましく、具体例としては、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリエチレングリコール、2−ブチル−2−エチル−1,3−プロパンジオール、ブタンジオールノニルアルコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、チオジグリコール、チオグリセロール、2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、オクタンジオール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリンなどが挙げられる。添加量はレジスト組成物の0.01〜10%(重量%、以下同じ)の範囲で、好ましくは0.05〜5%である。添加量が少ないと効果が小さく、添加量が多いと解像性が低下する場合がある。
【0021】
本発明において、ベース樹脂(B)としては、フェノール性水酸基の水素原子、特にポリヒドロキシスチレン又はその誘導体の水酸基の水素原子の一部が酸不安定基によって保護されたものが好ましい。この場合、このベース樹脂の重量平均分子量は、5,000〜100,000とすることが好ましく、5,000に満たないと成膜性、解像性に劣る場合があり、100,000を超えると解像性に劣る場合がある。
【0022】
上記ベース樹脂の酸不安定基は、下記一般式(1)で示されるアセタール基であることが好ましく、ベース樹脂のフェノール性水酸基の水素原子の10モル%以上、より好ましくは12モル%以上、更に好ましくは15モル%以上が式(1)の酸不安定基によって置換されていることが好ましい。なお、ベース樹脂の水酸基の水素原子の式(1)の酸不安定基による置換割合の上限は80モル%、特に70モル%であることが好ましい。
【0023】
【化9】
(式中R1、R2はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示し、R6は炭素数1〜10のヘテロ原子を有していてもよい1価の炭化水素基を示し、R1とR2、R1とR3、R2とR3は環を形成してもよく、環を形成する場合にはR1、R2、R3はそれぞれ炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。)
【0024】
ここで、炭素数1〜10のアルキル基の例としては、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、n−ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、ノニル、デシル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。
【0025】
R3としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、フェニル基、p−メチルフェニル基、p−エチルフェニル基、p−メトキシフェニル基等のアルコキシ置換フェニル基等の非置換又は置換アリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等や、これらの基に酸素原子を有する、或いは炭素原子に結合する水素原子が水酸基に置換されたり、2個の水素原子が酸素原子で置換されてカルボニル基を形成する下記式で示されるようなアルキル基等の基を挙げることができる。
【0026】
【化10】
【0027】
また、R1とR2、R1とR3、R2とR3が環を形成する場合、R1、R2、R3はそれぞれ炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であるが、環の炭素数は3〜10、特に4〜8であることが好ましく、更に環には炭素数1〜8、特に1〜4のアルキル基が分岐していてもよい。
【0028】
具体的に式(1)の酸不安定基としては、1−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1−n−プロポキシエチル基、1−tert−ブトキシエチル基、シクロヘキシロキシエチル基、2−メトキシ−2−プロピル基、2−エトキシ−2−プロピル基、1−メトキシ−1−メチルエチル基、1−エトキシ−1−メチルエチル基などの直鎖状あるいは分岐鎖状アセタール基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基などの環状アセタール基が挙げられる。
【0029】
なお、酸不安定基としては、上記アセタール基以外の酸不安定基、例えば、tert−ブトキシ基のようなアルコキシ基、トリメチルシリル基のようなアルキルシロキシ基、tert−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニルメチル基等のtert−ブチル誘導体の置換基などがポリマー分子中に同時に存在してもかまわないし、ポリマーブレンドによって添加することもできる。
【0030】
上記ベース樹脂としては、特に下記式(3A)で示されるものが好ましい。
【0031】
【化11】
【0032】
式中、R1、R2、R3は上記と同様の意味を示し、R11は水素原子又はメチル基を示し、R12は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R13は上記式(1)とは異なる酸不安定基であり、例えばtert−ブトキシ基のようなアルコキシ基、トリメチルシリル基のようなアルキルシロキシ基、tert−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニルメチル基等のtert−ブチル誘導体である。
【0033】
cは正数、dは0又は正数、eは正数であり、c+d+e=1である。なお、c、d、e全体に対するcの値(式(1)で示される酸不安定基の割合は上述した通りであり、d、eは、好適には0≦d/(c+d+e)≦0.5、更に好ましくは0≦d/(c+d+e)≦0.4、0.4≦e/(c+d+e)≦0.9、更に好ましくは0.6≦e/(c+d+e)≦0.8である。dの全体に対する割合が0.5を超え、eの全体に対する割合が0.9を超えるか、或いはeの全体に対する割合が0.4に満たないと、アルカリ溶解速度のコントラストが小さくなり、解像度が悪くなる場合がある。c、d、eはその値を上記範囲内で適宜選定することによりパターンの寸法制御、パターンの形状コントロールを任意に行うことができる。
【0034】
更に、ベース樹脂(B)としては、フェノール性水酸基の水素原子、特にポリヒドロキシスチレン又はその誘導体のフェノール性水酸基の水素原子が上述した式(1)の酸不安定基によって上述した割合で部分的に保護され、かつその水酸基の水素原子が0モル%を超える割合、好ましくは1〜30モル%、更に好ましくは3〜20モル%が下記一般式(2)で示される酸不安定架橋基によって分子間又は分子内で架橋されたものを使用することができる。なお、その重量平均分子量は5,000〜100,000であることが好ましい。
【0035】
【化12】
(式中、R4、R5は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R4とR5とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR4、R5は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R6は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、bは0又は1〜10の整数である。Aは、a価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは−CO−O−、−NHCO−O−又は−NHCONH−を示す。aは2〜8、a’は1〜7の整数である。)
【0036】
この場合炭素数1〜10のアルキル基としては、上記と同様のものが挙げられる。また、R4とR5とが環を形成する場合、環の炭素数は3〜20、特に4〜8であり、またその環の一部に炭素数1〜8、特に1〜4のアルキル基が分岐していてもよい。
【0037】
Aのa価の有機基は、具体的には、炭化水素基として好ましくは炭素数1〜50、特に1〜40のO、NH、N(CH3)、S、SO2等のヘテロ原子が介在してもよい非置換又は水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子置換のアルキレン基、好ましくは炭素数6〜50、特に6〜40のアリーレン基、これらアルキレン基とアリーレン基とが結合した基、上記各基の炭素原子に結合した水素原子が脱離したa”価(a”は3〜8の整数)の基が挙げられ、更にa価のヘテロ環基、このヘテロ環基と上記炭化水素基とが結合した基などが挙げられる。
【0038】
具体的に例示すると、Aとして下記のものが挙げられる。
【0039】
【化13】
【0040】
【化14】
【0041】
【化15】
【0042】
【化16】
【0043】
上記ベース樹脂としては、下記式(3B)、(3C)で示されるものが好ましい。
【0044】
【化17】
【0045】
【化18】
【0046】
式中、R1、R2、R3、R11、R12、R13は上記と同様の意味を示し、Rは式(2a)又は(2b)の架橋基である。cは正数、dは0又は正数、e、fは正数であり、c+d+e+f=1である。なお、c、d、e、fの全体に対するc、fの割合(式(1)で示される酸不安定基の割合、式(2a)又は(2b)の架橋基の割合)は上述した通りであり、d、eは、好適には0≦d/(c+d+e+f)≦0.5、更に好ましくは0≦d/(c+d+e+f)≦0.4、0.4≦e/(c+d+e+f)≦0.9、更に好ましくは0.6≦e/(c+d+e+f)≦0.8である。dの全体に対する割合が0.5を超え、eの全体に対する割合が0.9を超えるか、或いはeの全体に対する割合が0.4に満たないと、アルカリ溶解速度のコントラストが小さくなり、解像度が悪くなる場合がある。c、d、e、fはその値を上記範囲内で適宜選定することによりパターンの寸法制御、パターンの形状コントロールを任意に行うことができる。
【0047】
酸発生剤(C)としては、例えば、オニウム塩、オキシムスルホン酸誘導体、ヒドロキシイミドスルホン酸エステル誘導体、2,6−ジニトロベンジルスルホン酸誘導体、ピロガロールスルホン酸エステル誘導体、ジアゾナフトキノンスルホン酸エステル誘導体、2,4−ビストリクロロメチル−6−アリール−1,3,5−トリアジン誘導体、α,α’−ビスアリールスルホニルジアゾメタン誘導体、α,α’−ビスアルキルスルホニルジアゾメタン誘導体等を挙げることができる。好ましくは、酸発生剤として下記一般式(4)
(R7)fMY (4)
(但し、式中R7は同一又は異種の置換又は非置換芳香族基、Mはヨードニウム又はスルホニウム、Yは置換又は非置換のアルキル又はアリールスルホネートを示す。fは2又は3を示す。)
で示されるオニウム塩やα,α’−ビスアリールスルホニルジアゾメタン誘導体、α,α’−ビスアルキルスルホニルジアゾメタン誘導体が用いられる。なお、これら酸発生剤の具体例としては公知のものを挙げることができる。
【0048】
酸発生剤の添加量は、全ベース樹脂100重量部に対し0.2〜20重量部、好ましくは0.5〜10重量部である。
【0049】
なお、上記高分子化合物とは別のベース樹脂(E)として、特に下記一般式(3D)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜300,000の高分子化合物を配合することができる。これにより、パターンの寸法制御、パターンの形状コントロールを任意に行うことができ、有利である。
【0050】
【化19】
【0051】
式中、R11、R12、R13は上記と同様の意味を示し、dは0又は正数、eは正数であり、d+e=1である。これらの組成比は0≦d/(d+e)≦0.6、好ましくは0.1≦d/(d+e)≦0.5、0.5≦e/(d+e)≦1.0、好ましくは0.6≦e/(d+e)≦0.9である。
【0052】
このような高分子化合物は、重量平均分子量が3,000〜300,000、好ましくは5,000〜30,000である必要がある。重量平均分子量が3,000に満たないとレジスト材料が耐熱性に劣るものとなり、300,000を超えるとアルカリ溶解性が低下し、解像性が悪くなる。
【0053】
更に、このベース樹脂おいて、分子量分布(Mw/Mn)が広い場合は低分子量や高分子量のポリマーが存在し、低分子量のポリマーが多く存在すると耐熱性が低下する場合があり、高分子量のポリマーが多く存在するとアルカリに対して溶解し難いものを含み、パターン形成後の裾引きの原因となる場合がある。それ故、パターンルールが微細化するに従ってこのような分子量、分子量分布の影響が大きくなり易いことから、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト材料を得るには、ベース樹脂の分子量分布は1.0〜2.5、特に1.0〜1.5の狭分散であることが好ましい。
【0054】
なお、このベース樹脂(E)の配合量と(B)成分のベース樹脂との配合割合は、0:100〜90:10の重量比が好ましく、特に0:100〜50:50が好適である。上記ベース樹脂(E)の配合量が上記重量比より多いと、(B)成分のベース樹脂による所望の効果が得られない場合がある。
【0055】
更に、溶解阻止剤(F)としては、公知のものを使用することができるが、分子内に一つ以上酸によって分解する基(酸不安定基)を有する低分子量の化合物やポリマーが好ましい。低分子量の化合物としては、具体的にビスフェノールA誘導体が挙げられるが、特にビスフェノールAの水酸基をtert−ブトキシ基やtert−ブトキシカルボニルオキシ基、エトキシエチル基で置換した化合物が好ましい。溶解阻止剤の添加量は、全ベース樹脂100重量部に対し0〜50重量部、好ましくは10〜30重量部である。
【0056】
有機溶剤(A)としては、シクロヘキサノン、メチル−2−n−アミルケトン等のケトン類、3−メトキシブタノール、3−メチル−3−メトキシブタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、メチル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3−エトキシプロピオネート等のエステル類などが挙げられ、これらの1種類を単独で又は2種類以上を混合して使用することができる。
【0057】
上記有機溶剤の使用量は特に制限されるものではないが、全ベース樹脂100重量部に対して100〜5,000重量部、特に300〜2,000重量部とすることが好ましい。
【0058】
また、成膜性を向上させるために、界面活性剤を添加することは任意である。具体的には、パーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイド、パーフルオロアルキルEO付加物等が挙げられ、吸光性材料としては、ジアリールスルホオキシド、ジアリールスルホン、9,10−ジメチルアントラセン、9−フルオレノン等が挙げられる。
【0059】
本発明のポジ型レジスト材料を使用してパターン形成を行うためには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができ、例えばシリコンウェハー上へスピンコーティング法によりレジスト材料を塗布し、80〜150℃で30〜200秒間ベーク(プリベーク)した後、0.5〜2.0μm厚みのレジスト膜を形成する。
【0060】
その後、遠紫外線、電子線、X線等の光エネルギー線を照射して、70〜140℃で30〜200秒間ベーク(ポストエクスポジュアーベーク:PEB)し、次いでアルカリ水溶液で現像することにより行うことができる。なお、本発明材料は、特に高エネルギー線の中でも波長254〜193nmの遠紫外線光、電子線及びX線による微細パターン形成に最適であり、PEBの雰囲気が非乾燥空気気流中であっても乾燥空気あるいは乾燥窒素気流中であっても同様にパターン形成可能である。
【0061】
【実施例】
以下、実施例と比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。なお、各例中の部はいずれも重量部である。
【0062】
〔実施例、比較例〕
高沸点アルコール化合物1〜4とPolym.1〜7で示される部分的に水酸基が酸不安定基で保護されたポリヒドロキシスチレンと、PAG.1〜3で示される酸発生剤と、DRI.1、2で示される溶解阻止剤をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に溶解し、レジスト組成物を調合し、更に各組成物を0.2μmのテフロン製フィルターで濾過することにより、レジスト液を調製した。
【0063】
得られたレジスト液を、シリコンウェハーにスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で90秒間ベークし、レジスト膜の厚みを0.8μmの厚さにした。
【0064】
これをエキシマレーザーステッパー(ニコン社製、NSR−2005EX8A,NA−0.5)を用いて露光し、露光後、直ちに乾燥窒素5nl/minの雰囲気下でホットプレート上で110℃で90秒間ベークを施し、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を行うことにより、ポジ型のパターンを得た。乾燥窒素5nl/minの関係湿度は23℃で5%であった。
【0065】
次に、同じレジスト膜を、エキシマレーザーステッパー(ニコン社製、NSR−2005EX8A,NA−0.5)を用いて露光し、露光後、直ちに関係湿度45%の雰囲気下でホットプレート上で110℃で90秒間ベークを施し、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を行い、ポジ型のパターンを得た。
【0066】
得られたレジストパターンを次のように評価した。結果を表1、2に示す。
評価方法:
関係湿度45%でPEBを行ったウェハーの0.35μmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量を最適露光量(Eop)として、この露光量において分離しているラインアンドスペースの最小線幅を評価レジストの解像度とし、0.30μmパターンの形状を、走査型電子顕微鏡を用いて観察した。
【0067】
乾燥窒素気流中PEBを行ったウェハーを、上記と同じ露光量の箇所の解像度と0.30μmパターン形状を観察した。沸点180℃以上のアルコール化合物を添加していない場合、何れもパターンが形成できなかったのに対して、添加した場合はパターン形成が可能であった。
【0068】
【化20】
【0069】
【化21】
【0070】
【化22】
【0071】
【表1】
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
EL:乳酸エチル
MMP:3−メトキシプロピオン酸メチル
【0072】
【表2】
【0073】
【発明の効果】
本発明のレジスト材料は、PEBの雰囲気が空気気流中であっても、乾燥空気或いは乾燥窒素気流中であっても、良好にパターン形成することができる。
Claims (4)
- (A)有機溶剤、
(B)フェノール性水酸基の水素原子の10モル%以上が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている重量平均分子量5,000〜100,000のベース樹脂、
(C)酸発生剤、
(D)常圧760mmHgでの沸点が180℃以上の炭素数2〜20の2〜4価のアルコール化合物
を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。 - (A)有機溶剤、
(B)フェノール性水酸基の水素原子の10モル%以上が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換され、かつフェノール性水酸基の水素原子の0モル%を超える割合で下記一般式(2a)又は(2b)で示されるC−O−C基を有する架橋基により分子内及び/又は分子間で架橋されている重量平均分子量5,000〜100,000のベース樹脂、
(C)酸発生剤、
(D)常圧760mmHgでの沸点が180℃以上の炭素数2〜20の2〜4価のアルコール化合物
を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。 - (A)有機溶剤、
(B)請求項1又は2記載のベース樹脂、
(C)酸発生剤、
(D)常圧760mmHgでの沸点が180℃以上の炭素数2〜20の2〜4価のアルコール化合物、
(F)酸不安定基を有する溶解阻止剤
を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料。
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