1286650 B7 五、發明說明（/ ) [技術領域] 本發明係關於一種使用TFT基板之液晶顯示裝置之製 造方法及液晶顯示裝置。 [背景技術] 一般之液晶顯示裝置的構造係如圖6所示，於2片之 電極基板1、2之間分散配置直徑約5//m之球狀的分隔件 8來保持間距，兩基板係由密封劑4所接著，於間距空間 中充塡著液晶7。由於此一對之電極基板的間隔、也就是 液晶層的層厚會對於光透過率造成影響，是以，若未在液 晶顯示裝置之顯示區域的全面上保持成一定，將無法進行 良好的顯示。 於TFT液晶顯示裝置中，上述電極基板的一側係一形 成有薄膜電晶體(TFT)的TFT基板2，另一側則是濾色器 (CF)基板1。TFT液晶顯示裝置係於TFT基板2與CF基板 1施以定向處理之後，於2片之基板之間分散配置分隔件8 ，接著以密封劑4來貼合，最後於間隙中塡充液晶7所製 造者。 TFT基板的構造係如圖2所示般，源極匯流線14a(S) 係與閘極匯流線13a(G)以及Cs共極匯流線15a(Cs)呈垂直 配置，對應於像素電極3於G-S線的交點處形成電晶體18 。又’所謂之Cs共極匯流線係用以連接輔助容量電容(Cs) 的配線。 就以往之TFT液晶顯示裝置之製造方法而言，係於形 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------------------訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1286650 A7 __B7 _ 五、發明說明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成了像素電極的TFT基板上任意且均一地散佈分隔件，分 隔件係不規則地配置於TFT基板上，且多數的分隔件係配 置於像素電極上、亦即配置於液晶顯示裝置的顯示部上。 分隔件一般係由合成樹脂或玻璃等所形成，若配置於像素 電極上由於會自分隔件發生消光的情形，造成實質上之開 口率的降低，而會發生亮度或對比降低的問題。 作爲解決此問題之方法，於特開平4-42126號公報中 係揭示利用電氣引力選擇性地配置分隔件來減少像素電極 上之分隔件、抑制圖像水準的降低之方法。就此方法而言 ，係將TFT基板上之像素電極接地，進行行選擇線與列選 擇線之電壓切換，於像素電極以外之配線部施加正電壓， 接著於該處散佈帶負電之分隔件，藉由電氣引力來將分隔 件選擇性地配置於配線部。 惟，若使用上述方法於TFT基板之配線施加電壓，則 吸附於TFT基板表面之水分會導致TFT基板之基板表面電 位發生漏洩，像素電極之表面電位亦會上升。亦即，由於 TFT基板全體大致處於等電位，像素電極與配線部之間未 出現電位差，所以要將分隔件選擇性地配置於配線上是困 難的。 又，一般TFT基板的構成，行選擇線與列選擇線之其 中一者係進行電晶體之切換的閘匯流線，另一者係對像素 電極實際施加電壓的源匯流線。於此TFT基板中，施加於 源匯流線之電壓，例如即使將閘匯流線接地，而電晶體之 開關處於斷開的狀態下，自源匯流線通過電晶體之斷開電 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 1286650 五、發明說明（3 ) 阻（1〜10ΜΩ)，或是自Cs共匯流線經由Cs電容器，像素 電極之表面電位亦會上升。是以，如上述之方法般，以每 秒5〜30次之比例進行行選擇線與列選擇線的電位切換時’ 受到源匯流線之電壓的影響，像素電極之表面電位也會上 升，像素電極與源匯流線上之電位差會消失，於是選擇性 配置分隔件的效果將不足，此爲缺點所在。 [發明之簡單說明] 本發明係鑒於上述問題所得之物，其目的在於提供一 種液晶顯示裝置之製造方法及藉由該製造方法所製造之液 晶顯示裝置，在使用著TFT基板的液晶顯示裝置上，選擇 性地散佈分隔件，不會因爲分隔件造成亮度下降或對比降 低，具有高水準之顯示特性。 第1本發明，係一種TFT液晶顯示裝置之製造方法， 係於TFT基板與濾色器基板之間分散配置分隔件後以密封 劑貼合，接著於其間隙注入液晶所製造者；其中，包含： 用以將待散佈分隔件的TFT基板乾燥之製程，以及，利用 電氣引力以及/或是電氣排斥力將分隔件選擇性配置於閘匯 流線上之製程，前述利用電氣引力以及/或是電氣排斥力將 分隔件選擇性配置於閘匯流線上之製程，係對形成於TFT 基板上之閘匯流線與源匯流線之各配線個別地施加電壓， 然後將帶電之分隔件散佈於該處。 若第1本發明係Cs共匯流線與閘匯流線並未共通之 TFT基板之時，則對閘匯流線、源匯流線、以及Cs共匯流 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚1 ' 一 "" ------------------—訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1286650 五、發明說明（$ ) 線之各配線個別地施加電壓爲佳。 上述用以將待散佈分隔件的TFT基板乾燥之製程，係 藉由在散佈分隔件之前加熱基板所進行的，基板溫度上升 到100°C以上、基板表面電阻換算成薄片電阻在1χ1012Ω/ □以上來進行爲佳。 於第1本發明中，分隔件的散佈以乾燥後之TFT基板 的基板表面電阻換算成薄片電阻在1χ1〇ηΩ/□以上來進行 爲佳。 上述利用電氣引力將分隔件選擇性配置於閘匯流線上 之製程，若所散佈之分隔件帶正電時，對閘匯流線施加負 電壓，且將源匯流線以及Cs共匯流線接地乃爲所希望的； 若所散佈之分隔件帶負電時，對閘匯流線施加正電壓，且 將源匯流線以及Cs共匯流線接地乃爲所希望的。 上述利用電氣排斥力將分隔件選擇性配置於閘匯流線 上之製程，若所散佈之分隔件帶正電時，對源匯流線以及 Cs共匯流線施加正電壓，且將閘匯流線接地乃爲所希望的 ;若所散佈之分隔件帶負電時，對源匯流線以及Cs共匯流 線施加負電壓，且將閘匯流線接地乃爲所希望的。 上述利用電氣引力以及電氣排斥力將分隔件選擇性配 置於閘匯流線上之製程，若所散佈之分隔件帶正電時，對 源匯流線以及Cs共匯流線施加正電壓，且對閘匯流線施加 負電壓乃爲所希望的；若所散佈之分隔件帶負電時，對源 匯流線以及Cs共匯流線施加負電壓，且對閘匯流線施加正 電壓乃爲所希望的。 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂 i----.----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1286650 a7 _________B7___ 五、發明說明（r) 於第1本發明中，對於Cs共匯流線與閘匯流線爲共 通之構造的tft基板，僅於閘匯流線與源匯流線施加電壓 乃爲所希望的。
於第1本發明中，施加於閘匯流線與源匯流線、以及 閘匯流線與CS共匯流線的電壓，以讓閘匯流線與源匯流線 、以及閘匯流線與Cs共匯流線之間的電位差成爲30〜60V 爲佳。 • 於第1本發明中，所散佈之分隔件的帶電量在 + 15〜+250/Z C/g 或是-15〜-250// C/g 爲佳。 上述分隔件係熱可塑性之接著性分隔件或光硬化性之 接著性分隔件，選擇配置於閘匯流線上之後，藉加熱或光 照射來接著固定乃爲所希望的。 上述閘匯流線的線寬以分隔件之平均粒子徑的至少3 倍爲佳。 於第1本發明中，在散佈分隔件之後，以15〇°C以上 的溫度來退火TFT基板，進行TFT特性之補償乃爲所希望 的。 藉第1本發明所製造之液晶顯示裝置亦爲本發明之一 〇 第2本發明係將TFT基板與濾色器基板隔著分隔件以 及密封劑來貼合，於其間隙注入液晶所得之液晶顯示裝置 ;其中’前述分隔件係利用電氣引力以及/或是排斥力選擇 性地配置到於TFT基板上所形成之閘匯流線上，前述閘匯 流線的線寬係前述分隔件之平均粒徑的至少3倍。 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐〉 --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1286650 五、發明說明（& ) 於第2本發明中，未被覆像素電極的閘匯流線的寬度 以分隔件之平均粒徑的4〜5倍爲佳。 [圖式之簡單說明] 第1圖係本發明所使用之分隔件散佈裝置的槪念圖。 第2圖所示係本發明所使用之TFT基板之配線的俯視 槪念圖。 第3圖係用以說明本發明之有效的閘線之線寬的槪念 圖。 第4圖所示係藉第1本發明於TFT基板上散佈分隔件 後之狀態的俯視放大圖。 第5圖所示係藉以往之液晶顯示裝置之製造方法於 TFT基板上散佈分隔件後之狀態的俯視放大圖。 第6圖所示係一般之液晶顯示裝置之構造的槪念圖° [主要元件符號說明] --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 電極基板(CF基板） 2 電極基板(TFT基板) 3 像素電極 4 密封劑 7 液晶 8 分隔件 10 容器 1 la 散佈噴嘴 lib 分隔件供給裝置 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1286650 B7 五、發明說明（]) 12 電壓施加裝置 13a 閘匯流線 13b 閘觸焊墊 14a 源匯流線 14b 源觸焊墊 15a Cs共匯流線 15b Cs觸焊墊 16a，16b，16c 探測針 17 散佈配管 18 電晶體 19 像素電極 20 絕緣膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) B7 1286650 五、發明說明（S ) [發明之詳細揭示] 以下詳述本發明。 第1本發明之液晶顯示裝置之製造方法，係於施行過 定向處理的TFT基板與濾色器基板之間分散配置分隔件後 以密封劑貼合，接著於其間隙注入液晶所製造；其中，包 含：將待散佈分隔件的TFT基板乾燥之製程，以及，利用 電氣引力以及/或是電氣排斥力將分隔件選擇性配置於閘匯 流線上之製程。 上述將待散佈分隔件的TFT基板乾燥之製程，較佳係 在散佈分隔件之前加熱基板來進行，又基板溫度上升到 l〇〇t以上、基板表面電阻換算成薄片電阻在1χ1〇12Ω/口 以上爲佳。由於藉上升TFT基板的溫度會造成附著水分的 減少，基板表面之電阻乃變高，不會有電流漏洩之情形， 乃得以安定、高精度地進行分隔件之配置。更佳爲，基板 溫度定爲120〜150°C、基板表面電阻換算成薄片電阻在lx ΙΟ〗2〜1χ1014Ω/[Ι]。· 上述TFT基板的加熱可藉由熱壓機、熱風循環爐、紅 外線爐等來進行。 若於上述乾燥TFT基板之製程中使用到熱壓機之時， 只要於加熱爲120°C之熱壓機中密接TFT基板5分鐘以上 即可。 於第1本發明中，如上述般乾燥TFT基板之後’乃在 此TFT基板上散佈分隔件。 於第1本發明中，分隔件的散佈以乾燥後之TFT基板 11 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1286650 五、發明說明O ) 之基板表面電阻換算成薄片電阻在ΐχΐ〇ηΩ/□以上來進行 爲佳。若TFT基板之基板表面電阻換算成薄片電阻未滿lx 10"Ω/□，於TFT基板上會漏洩電流，有時無法高精度地 來選擇性配置分隔件。較佳係換算成薄片電阻在ΙχΙΟ11〜lx 1014Ω/□來進行。 又，爲避免乾燥後基板表面再附著水分，較佳爲於乾 ~ 燥後5分鐘以內散佈分隔件、或是於散佈裝置內充滿乾燥 . 氮氣。 於第1本發明中，上述利用電氣引力以及/或是電氣排 斥力將分隔件選擇性配置於閘匯流線上之製程，係對形成 於TFT基板上之閘匯流線與源匯流線之各配線個別地施加 電壓，然後將帶電之分隔件散佈於該處。 若爲Cs共匯流線與閘匯流線並未共通之TFT基板之 時，則對閘匯流線、源匯流線、以及Cs共匯流線之各配線 個別地施加電壓爲佳。 上述利用電氣引力將分隔件選擇性配置於閘匯流線上 之方法，若所散佈之分隔件帶正電時，係對閘匯流線施加 負電壓，且將源匯流線以及Cs共匯流線接地。若所散佈之 分隔件帶負電時，則對閘匯流線施加正電壓，且將源匯流 線以及Cs共匯流線接地。 上述利用電氣排斥力將分隔件選擇性配置於閘匯流線 上之方法，若所散佈之分隔件帶正電時，係對源匯流線以 及Cs共匯流線施加正電壓，且將閘匯流線接地。若所散佈 之分隔件帶負電時，則對源匯流線以及Cs共匯流線施加負 12 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1286650_&__ 五、發明說明（r ) 電壓，且將閘匯流線接地。 上述利用電氣引力以及電氣排斥力將分隔件選擇性配 置於閘匯流線上之方法’若所散佈之分隔件帶正電時’係 對源匯流線以及Cs共匯流線施加正電壓，且對閘匯流線施 加負電壓。若所散佈之分隔件帶負電時，則對源匯流線以 及Cs共匯流線施加負電壓，且對閘匯流線施加正電壓。 利用上述3個方法所得之分隔件的選擇性配置效果大 - 致相同，惟考慮到以1個電源設備即可達成的觀點來看’ 上述使用電氣引力之引力方式或上述使用電氣排斥力之排 斥力方式會較爲經濟。 於第1本發明中，亦可使用Cs共匯流線與閘匯流線 爲共通之構造的TFT基板。當使用Cs共匯流線與閘匯流 線爲共通之構造的TFT基板時，藉由僅對閘匯流線與源匯 流線如上述般施加電壓’可有效果地將分隔件選擇性配置 於閘匯流線上。 於第1本發明中，施加於閘匯流線與源匯流線、以及 閘匯流線與CS共匯流線的電壓，以讓閘匯流線與源匯流線 、以及閘匯流線與CS共匯流線之間的電位差成爲30〜60V 爲佳。其中，電位差達40V左右爲更佳。 閘匯流線與源匯流線、以及閘匯流線與Cs共匯流線 之間的上述電壓差愈大，分隔件之選擇配置性雖愈佳，惟 上述電位差過大，會產生電晶體之破壞或斷開、斷開特性 之偏移之問題。依據實驗，若上述電位差到達50〜60V之 附近會見到電晶體之特性偏移，若超過200V會產生電晶 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------------—訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1286650 a7 ____B7__ 五、發明說明（（ί ) 體之絕緣破壞。 於第1本發明中所散佈之分隔件的帶電量在+ 15〜+250 //C/g或是-15〜-250 "C/g爲佳。更佳係以抽真空式法拉第 儀器所測定之帶電量在+ 15〜+200// C/g或是-15〜-200# C/g 〇 更詳細地來說，可依據上述分隔件之比重•粒子徑細 ‘分最適之帶電量。例如，就比重1.0〜1.3之分隔件而言， 當粒子徑爲5·0//ιη之時，最適帶電量係+ 15〜+60"C/g或 是-15〜-60/zC/g，當粒子徑爲4.5/zm之時，最適帶電量係 +20〜+80//C/g或是-20〜-80//C/g，當粒子徑爲3.0//m之 時·，最適帶電量係+50〜+200// C/g或是-50〜-200/z C/g。 上述分隔件之帶電量過多過少皆不適當。若分隔件之 帶電量過少，由於靜電力弱，有時分隔件並不能適切地配 置於閘匯流線上。又，分隔件之對於閘匯流線的電氣引力 弱，當散佈氣流碰到基板朝基板外側流動之際，分隔件會 被氣流帶動飛散到基板外，有時對基板之散佈個數會過少 。若分隔件之帶電量過多，分隔件彼此的互斥力會變強， 由於受到先前搭載於閘匯流線之分隔件的電位影響新散佈 的分隔件會彈開，有時分隔件並無法密集地配置於閘匯流 線上。 於第1本發明所使用之分隔件係熱可塑性之接著性分 隔件或是光硬化性之接著性分隔件，將其選擇性配置於閘 匯流線上之後，以加熱或光照射的方式加以接著固定爲佳 〇 14 --- ._ . _______ _____ —- . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1286650 B7 五、發明說明（p) 藉由使用上述熱可塑性之接著性分隔件或是光硬化性 之接著性分隔件，將分隔件接著固定於閘匯流線上，可防 止之後之液晶顯示裝置製程以及所製造之液晶顯示裝置的 使用時，分隔件自閘匯流線上移動。 於第1本發明中，形成於TFT基板上之閘匯流線的線 寬以分隔件之平均粒子徑的至少3倍爲佳。藉由讓上述閘 匯流線的線寬達分隔件之平均粒子徑的至少3倍，可將分 隔件有效地配置於閘匯流線上。更佳係4〜5倍。例如若散 佈直徑5/zm的分隔件，則上述閘匯流線的線寬至少係15 // m，較佳則是20〜25 // m左右。 若上述閘匯流線之線寬未達分隔件之平均粒子徑的3 倍，則選擇配置率會降低，有時會自閘匯流線上掉落，配 置於像素電極上之分隔件的比例變得過多。此是由於分隔 件彼此帶同極性之電位，先前搭載於閘匯流線上之分隔件 與之後所散佈之分隔件之間的互斥力的作用，會造成難以 在狹窄的空間內搭載分隔件。 若閘匯流線之線寬未達分隔件之平均粒子徑的3倍時 ，作爲改善分隔件之選擇配置率的方法，有將閘匯流線與 源匯流線、以及閘匯流線與Cs共匯流線之間的電位差設定 爲50〜60V此種較高電壓的方法。就此電壓而言，雖會開 始發生上述之電晶體之特性偏移之情事，惟此等級之特性 偏移，可藉由在分隔件散佈後對TFT基板進行150°C以上 、1小時左右的退火來回到原來之TFT特性。 於第1本發明中，可在散佈分隔件之後，以150°C的 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1286650 五、發明說明（丨）） 溫度將TFT基板退火來進行TFT特性之補償。較佳則是在 200°C左右來退火。 於第1本發明中，關於上述之退火製程，並不需要加 入特別的程序。就第1本發明而言，可與一般之液晶顯示 裝置之製造方法同樣地，在散佈分隔件後貼合2片基板， 爲讓密封劑硬化，乃以150〜200°C燒成1〜2小時，自行退 火。 於第1本發明中，如上述般將選擇性配置有分隔件的 TFT基板與CF基板以密封劑貼合接著，然後於基板間隙 塡充液晶，製造出液晶顯示裝置。 由於第1本發明具上述之構成，乃不會因爲分隔件造 成亮度降低或對比降低，可提供具有高水準之顯示特性的 液晶顯示裝置。 由第1本發明所製造之上述液晶顯示裝置亦爲本發明 之一。 第2本發明係一種液晶顯示裝置，其將TFT基板與濾 色器基板隔著分隔件以及密封劑來貼合，於其間隙注入液 晶所得之液晶顯示裝置；分隔件係利用電氣引力以及/或是 排斥力選擇性地配置到形成於TFT基板上之閘匯流線上， 閘匯流線的線寬係分隔件之平均粒徑的至少3倍。 爲提高液晶顯示裝置之明亮度，有時所採取的手段係 在閘匯流線上所形成之絕緣膜上，將像素電極配置成被覆 於閘匯流線上，來增大顯示面積。此時，未被像素電極所 被覆之閘匯流線的寬度係相當於有效的閘匯流線之線寬。 16 本紙張尺度適用中ΐ國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' ^ --------訂---------線 (請先閱讀背面之ii意事項再填寫本頁) 1286650 五、發明說明（w) 在第2本發明中，爲了將分隔件有效地選擇配置於閘 匯流線上，未被像素電極所被覆之閘匯流線的寬度爲分隔 件之平均粒子徑的4〜5倍爲佳。 第2本發明可例如藉由第1本發明來製造。 以下就本發明之實施形態，使用圖1〜3來具體說明。 圖1所示係使用本發明之分隔件之散佈裝置的示意圖 。於容器10的上端部係設有用以散佈帶電之分隔件8的噴 嘴11a。於散佈噴嘴11a中係經由散佈配管17連接著用以 供給分隔件8的裝置lib。 於容器10之下方係設置一形成有閘匯流線、源匯流線 、以及Cs共匯流線的TFT基板2。對於TFT基板2的閘 匯流線、源匯流線、以及Cs共匯流線之各配線，分別接觸 於探測針16a，16b，16c，以電壓施加裝置12來施加電壓， 將帶電之分隔件8散佈於上述TFT基板2上，使用電氣引 力以及/或是電氣排斥力，將分隔件8選擇性地配置於閘匯 流線上。 於本發明中，讓分隔件8帶電的方法，可藉由在圖1 所示之散佈配管17與散佈噴嘴11a方面使用不鏽鋼製、鐵 氟龍製、耐龍製、或是氨酯樹脂製等之物，令分隔件8通 過散佈配管17與散佈噴嘴11a之際之摩擦來產生帶電。 作爲本發明之分隔件的散佈方法，使用電弧放電之帶 電槍方式並不佳。此乃由於分隔件之電位會變得過高，分 隔件彼此的互斥力變強，對於閘匯流線上之配置性會變差 〇 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1286650 ___B7 ___
五、發明說明（iO 圖2所示係本發明所使用之TFT基板之配線構造之示 意圖。如圖2所示’係設有用以對閘匯流線13a施加電壓 之閘觸焊墊13b、用以對源匯流線14a施加電壓之源觸焊 墊14b、以及用以對Cs共匯流線施加電壓之Cs共焊墊 15b，在此分別接觸著圖1所記載之探測針16a，16b，16c。 爲易於進行配線工作、或降低配線電阻値，可對於1片之 TFT基板個別設置複數點’或是各總結於1點。 圖3係用以說明本發明中有效之閘匯流線的線寬之示 意圖。如圖3所示，依據TFT基板之構成，爲提高所完成 之液晶顯示裝置之明亮度’所採取的手段係在閘匯流線 13a上所形成之絕緣膜20上，將像素電極3配置成被覆於 閘匯流線13a上，來增大顯示面積；此時，像素電極之間 隙19係相當於上述有效的閘匯流線之線寬。於本發明中’ 爲有效地將分隔件選擇性配置於閘匯流線上，上述有效的 閘匯流線之線寬以分隔件之平均粒子徑的至少3倍爲佳。 [用以實施發明之最佳形態] 以下舉出實施例更詳細地說明本發明，惟本發明並不 侷限於該等實施例之中。 實施例1 於透明玻璃基板上形成閘匯流線、圖案化之後’形成 閘絕緣膜。進一步，針對像素電極、源匯流線、以及Cs共 匯流線，分別進行成膜與圖案化之操作，製作出TFT基板 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1286650 ____B7_ 五、發明說明（4) 。TFT基板之電極圖案係形成如圖2般，閘匯流線之線寬 約20//m。作爲CF基板，係準備TFT型液晶顯示裝置用 之共電極基板。於此2片基板中施以定向處理。作爲分隔 件，係準備平均粒子徑約5//m之熱可塑性之分隔件。 作爲分隔件散佈前之基板乾燥製程，係讓所製作之 TFT基板在加熱到120°C之熱壓機中密接10分鐘。於乾燥 製程後，TFT基板之基板表面電阻換算爲薄片電阻係lx 1〇14Ω/□。於乾燥製程後立即在圖1所示之散佈裝置中設 置TFT基板，藉由電壓施加裝置對TFT基板上之閘匯流線 施加正電壓，並將源匯流線以及Cs共匯流線接地，讓分隔 件帶負電散佈。此時，基板上之閘匯流線與，源匯流線以 及Cs共匯流線之間的電位差係43V。 以光學顯微鏡觀察已散佈分隔件的TFT基板，其結果 係放大顯示於圖4。絕大多數的分隔件8係選擇性地配置 於閘匯流線13a上。將此TFT基板加熱處理，接著固定分 隔件。其次，使用此TFT基板與CF基板，經由密封形成 、貼合、基板切斷、液晶注入之製程，製作出液晶顯示裝 置。所得到之液晶顯示裝置不會因爲分隔件出現消光，其 對比高、具有良好之顯示特性。 實施例2 除了對源匯流線以及Cs共匯流線施加負電壓，將閘 匯流線接地以外，其於與實施例1同樣地進行操作。此時 ，基板上之閘匯流線與，源匯流線以及Cs共匯流線之間的 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 ------------------—訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1286650 __ B7____ 五、發明說明（〇 ) 電位差係39V。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以光學顯微鏡觀察散佈了分隔件的TFT基板，其結果 與實施例1同樣地，絕大多數的分隔件係選擇性地配置於 閘匯流線上。又，使用此TFT基板與實施例1同樣地製作 液晶顯示裝置可發現，所得之液晶顯示裝置不會因爲分隔 件出現消光，其對比高、具有良好之顯示特性。 比較例1 除了省略掉分隔件散佈前之TFT基板的乾燥製程以外 ，其餘與實施例1同樣地進行操作。又，TFT基板之基板 表面電阻係1χ1〇9Ω/[Ι1，TFT基板上之閘匯流線與，源匯 流線以及Cs共匯流線之間的電位差係8V。 以光學顯微鏡觀察散佈了分隔件的TFT基板，其結果 係放大顯示於圖5。許多的分隔件8係散佈於像素電極3 之上。又，使用此TFT基板，與實施例1同樣地製作液晶 顯示裝置可發現，所製作之液晶顯示裝置由於分隔件所造 成之消光的影響，其對比較實施例1以及實施例2皆差。 試驗例1 除了省略掉分隔件散佈前之TFT基板的乾燥製程，或 是將乾燥製程之加熱時間定爲5分鐘、加熱溫度設定爲80 °C、100°C或是120°C以外，其餘與實施例1同樣，進行分 隔件之散佈，製作液晶顯示裝置。 此時基板加熱溫度與分隔件之散佈率的關係係示於表 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1286650 A7 ____B7 五、發明說明（（δ ) 1。由表1可知，將TFT基板加熱到100°C以上之情形’約 9成以上的分隔件係選擇性地配置於閘匯流線上，所得之 液晶顯示裝置的顯示特性極爲優異。 表 1 基板加熱溫度 未加熱 80°C 100°C 120°C 閘匯流線(％) 7 67 92 95 像素電極上(％) 75 28 6 3 其他(％) 18 5 2 2 [產業上之可利用性] 本發明由於具有上述之構成，所以在使用有TFT基板 之液晶顯示裝置方面，可不需使用或減少在像素電極上的 分隔件，不會因爲分隔件造成亮度下降，而可提供一種具 有高水準之顯示特性的液晶顯示裝置。 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)