TWI285861B - Display device - Google Patents

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TWI285861B
TWI285861B TW094116232A TW94116232A TWI285861B TW I285861 B TWI285861 B TW I285861B TW 094116232 A TW094116232 A TW 094116232A TW 94116232 A TW94116232 A TW 94116232A TW I285861 B TWI285861 B TW I285861B
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Michiru Sennda
Koji Hirosawa
Ryoichi Yokoyama
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Sanyo Electric Co
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Description

1285861 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種將像素電路配置成矩陣狀的顯示I 置。 ,、,、衣 【先前技術】 以往,以可薄型化、小型化且耗電量低的顯示裝置而 言,液晶顯示裝置已為眾所週知,且被採用為各式各樣機 器之顯示器。該液晶顯示裝置(以下稱為LCD(u^id
Crystal Display))係具備:在2塊分別在對向面侧形成有電 極的基板之間封入液晶而相貼合的構成。而且,於電極= 施加電壓信號,而控制依據配向狀態而改變光學特性之液 晶的配向’進而控制來自光源的光的穿透率,藉此進行^ 示。 、 在此,當持續對形成於基板之對向面側的電極間施加 直流電壓時’已知會有液晶分子配向狀態呈固定之所謂殘 影的問題產生。iUb ’以往係採用對基準電M呈極性周期 性反轉的交流電壓信號來作為用以驅動液晶的電壓信號: 該液晶驅動電壓信號進行極性反轉的方式已知有:於 以矩陣狀排列複數個像素的液晶顯示裝置中,每一圖框 (frame)的反轉、每一垂直掃描(lv)單位(或i圖場㈣咐 位)的反轉、每一水平掃描〇H)單位的反轉、每一像素(^) 單位的反轉。其中,1圖框單位係為例如以⑽⑽川嶋】
TeIeV1S1〇n System Committee ’(美國)國家電視系統委員会) 信號而言所稱之!圖框單位,1圖場單㈣相當於構成曰! 317041 5 1285861 圖框之複數個圖場的各單位(例如奇數圖場與偶數圖場)。 在日本專利早期公開20〇3-15〇127號公報中,以i像 丹(點yot))單位進行極性反轉的點反轉方式係上述方式中 該對顯示品質造成影響,而為較佳的方式。然而, 人式㈢有驅動方式易趨於複雜的問題。
不寻利早期公開2003-15〇m號公報中, 點反轉方式巾,將作為保持電容之基 線的電麗予以變更的技術内容。 %的sc 【發明内容】 在本發明中,當變更 的 至少1個位準的電位與用於資料二:::位Π中 共用。因此,可達成供作產生電源電二之 的电路或拉繞配線的效率化的目的。 之用 此外,將對於保持電容線的寄 容值設^在特定範圍内。夢 ^呆持〶谷的電 於本身像素之電路~ ^ σ空制糟由並未連接 ①承心电路的保持電容線所產生 ^ 帶來不良影響的情形,&1 w生电谷對動作 【實施方式】…可確貫進行電路動作。 ;下根據圖式’說明本發明之實施形態。 弟1圖係表示本實施形態之概 t整個顯示區域呈矩陣配置。矩陣配丄:::路1係 非為完全的格子狀。此外,顯示可為里::錄齒狀’而 (ful] C0I0r),當為全 '·’、 亦可為全彩色 可視需要追加包含白色之=係咖三色,但亦 邑之谷疋顏色的像素。 3J704] 6 1285861 如圖所示,1個像素電路1係具有:汲極連接於資料 轉Mo的11通道像素TFT(thin film transist〇r,薄膜電晶 Γ姓〇連接於該像素TFT1G之源極的液晶元件12;以及 綠、电谷14。像素TFT1〇的閘極係連接 線配置的開極綠rr > , ^ ^ ^ 定合產生。* ’像素TFT10的閘極-源極間-&㈢屋生閘極電容18。 德去^晶^件12係於像素tftig的源極連接有按其每- 晶之:::置的像素電極’並將相對於該像素電極夹著液 =王/、共用的共通電極對向配置而構成。复中 電極係連接於共通電極電源veGme冓成纟中,共通 半導::予:=容14中,將構成像素TFTi〇之源極的 千—紅層予以延伸的部分係直接 ㈣ 化膜相對向形成的電宏蟪^ 万的电極,隔著氧 其t,亦可將成上 :部分切離而成為個別的半導體層,心C10 予以連接。 4屬配線將兩者
sc 料SC料於1 _平料、旬有sc A 父互連接於sc-…。在該圖左側所示持電容係 保持電容Η係連接於電容線心,之,素電路中, 14係連接於電容線SC_B。 ^像素的保持電容 此外,於該像素巾,料連接 ,會通過像素區域中。因此,液晶元但電容線 與電容線SC-B之間將產生寄生電容Μ。午12的像素電極 3】7〇41 7 1285861 閘極線GL係連接有垂直驅動器20,該垂直驅動器2〇 •係在每一水平期間依序一條一條選擇閘極線而設為H .位準。垂直驅動器2〇係具有移位暫存器(shift register), .接收表示一垂直掃描期間的開始的信號STV,而將移位暫 ·、存的第1段设為Η位準,之後,藉由例如時脈信號,將 Η位準一個一個移位,藉此可依序一條一條選擇各水平掃 描線的閘極線GL,而設為η位準。在此,例如閘極線沉 •的Η位準係VDD電位,L位準係VSS電位,這些電源電 壓VDD、VSS係供給至垂直驅動器2〇,藉此方式來設定 垂直驅動器之輸出,亦即閘極線GL的Η位準、L位準。 SC驅動态22係將2個電壓位準輸出至2個保持電容 線 SC-A、SC-B。 亦即’於本實施形態中,SC驅動器22係從電壓產生 電路24接收所供給的2個電壓位準Vsc(H)、Vsc(l),藉 此來控制2個保持電容線SC_A、SC_B的電壓。此外,電 釀壓產生電路24係根據儲存於資料記憶體26的設定資料, 而產生 Vsc(H)、Vsc(L)。 資料記憶體26内的設定資料係可依據從外部供給的 設定信號而改寫,而將與設定信號相對應的設定資料儲存 於貧料記憶體26。電壓產生電路24係根據儲存於資料記 憶體26的設定資料,而產生Vsc(H)、Vsc(L)。因此,可 藉由設定信號,來設定Vsc(H)、Vsc(L)。此外,電壓產生 電路係由VDD及VSS來利用Vsc(H)、Vsc(L),且使用定 電壓產生電路來產生Vsc(H)、Vsc(L)。可利用電阻分割等 31704] 8 1285861 來形成簡單的構成。 ,外,設定信號可藉由從外部的微電 (Senaltran_sfer)等,而儲存於資料記憶體%。串歹】傳1 在顯示裝置中一般係設置有 調整按叙等,按照其設定值來決定設定=叫或亮度的 信號儲存於資料記憶體26。 又,亚將該設定 此外,雖未圖示,但在顯示裝置中 : = = (控:_資料線DL按線順序供給 像素之視本例,係按^ 素的取樣時脈(sampling clock),且 i *母一像 關㈣响設為導通㈣或不導通_將2二= 言號(資料信號)予以問鎖(】— 描期=輸=:=像素的資料信號在橫跨,掃 各像素二i 直方向的 斟机次n d r仕色之同一色的像素。因此, 子於-貝㈣DL係設定有卿任一色之資料信號。 施加在本實施形態的裝置中係、採用點反轉方式的AC 加至口液1 亦即,在水平婦描方向的各像素(dot)中,將施 =日日兀件12之像素電極的電壓設為極性與共通電極 %0111相反的資料信號而予以施加。
Vvide^ 3 ^左側所示為根據第1極性的#料信號,標註為 I e〇的三角形斜邊係表示與亮度相對應的資料信號(寫 317041 9 1285861 • 入電壓)。資料信號係為由黑位準至白位準的電位差Vb(動 • 態範圍(dynamic range)),移位後施加至像素電極的電壓係 以Vcom為中心,電壓接近Vcom者為白,遠離Vcom者 • 為黑。因此,在本例中,白位準為Vcom-Vb/2,黑位準為 ψ ' Vcom+Vb/2。此外,在相鄰像素中,如第3圖右側所示, 係成為與第1極性相反的第 2極性,白位準為 Vcom+Vb/2,黑位準為 Vcom-Vb/2。 • 然後,如第2圖所示,將像素TFT10導通,而使資料 寫入處理完成之後,電容線SC-A、SC-B係移位預定電壓 △ Vsc之多。在本例中,液晶係使用正常顯白(normally white)的TN型(Twisted Nematic,扭轉向列型)。關於第3 圖左側的像素,係連接有電容線SC-A,Vsc係朝向電壓較 高的方向移位電壓△ Vsc之多。此外,關於第3圖右側的 像素,係連接有電容線SC-B,Vsc係朝向電壓較低的方向 移位電壓△ Vsc之多。 • 藉此方式,如第3圖所示,施加至像素電極之資料信 號係移位與△ Vsc相對應的電壓之多,且將其施加於與 Vcom之間。在此,△ Vsc係設定成對應於與液晶之施加電 壓相對應的穿透率開始變化的閾值電壓Vath的電壓,且藉 由移位後的電壓,可進行藉由液晶元件12進行的顯示。此 外,資料信號的動態範圍係設定成使移位後的動態範圍成 為於顯示中從黑位準至白位準之電位差。 其中,於第3圖中,Va(W)係為白位準之資料信號的 移位量,Va(B)係黑位準之資料信號的移位量。因此,這些 10 317041 1285861 " 移位量係由△ Vsc所決定。此外,Vb係為資料信號之黑位 , 準與白位準的電位差(動態範圍),Vb’係移位後的動態範 圍。 在此,當使用正常顯黑(normally black)的垂直配向型 ' (Vertical Align,VA)時,係如第4圖所示。如上所述,資 " 料信號係為從黑位準至白位準的電位差Vb(動態範圍),移 位後施加至像素電極的電壓係以Vcom為中心,電壓接近 • Vcom者為黑,遠離Vcom者為白。因此,在本例中,黑位 準為Vcom-Vb/2,白位準為Vcom+Vb/2。此外,在相鄰像 素中,如第4圖右側所示,成為與第1極性相反的第2極 性,黑位準為Vcom+Vb/2,白位準為Vcom-Vb/2。 在此,移位後的液晶元件12的像素電極的電壓值 Vpixel係如下式所示。
Vpixel=Vvideo± {(Csc-Cpa)/(Cgs+Clc+Csc+Cpa)} · △ Vsc (1) • 在本實施形態中,係利用TN型的正常顯白的液晶。 因此,藉由施加電壓來進行黑顯示。當移位後之相對於 Vcom的黑位準電壓為VB,寫入時的動態範圍為Vb時, 為了進行黑顯示,必須滿足下式。 {(Csc-Cpa)/(Cgs+Clc+Csc+Cpa)} · △ Vsc=VB-Vb/2 (2) 亦即,Vb/2相當於當寫入時之對於Vcom的黑位準 電壓,VB係移位後的黑位準電壓,因此VB-Vb/2即成為 移位電壓。 此外,像素電路係根據電源電壓VDD而動作。因此, ]】 317041 1285861 移位電壓Δ VSC低於VDjd係為動作條件。 △ Vsc<VDD ⑺ 因此,必須以滿足這些(2)、(3)式之方式形成像素電路 :-方面,若決定面板尺寸、像素數、所利用的液晶 則液日日兀件12的電容值CIc即 TFT10 p ^ , 决疋此外,右決定像素 TFTH)的尺寸,則像素TFm的間極電容如即可決定。 因此,在顯示面板的設計階段並不能進行較大的變更。 因此’在本實施形態中’係變更保持電容㈣電容值 Csc及寄生電容】6的電 的電容值Csc比寄生電容即’若保持電容]4 μ日γ 电谷〗6的電容值Cpa大於某比率以 滿足(3p)rtvse設定成較小,亦可滿足(2)式,因此亦可 目的/然後’错由減小可達成低耗電量化的 此外,以△ Vsc不大於 即可#於< u士, 日7刀式不决疋Cpa,藉此 T免於叹置特別的電源來作為 外,可得到達成低耗電量化、接弁後去門^生屯路。此 电里化、提升像素開口率等優點。 :外,將寄生電容16設為與閘極 素電極之間係在右思„y 门反在興像 坦化膜,可:!絕緣膜與平坦化膜。藉由加厚該平 _’可減少寄生電容16。另一方 : 容W,可# Pd代与„ π】加大保持電 面積,亦可易於口二广變薄。此外’變更保持電容14的 、又更保持電容14的電容值。以上述手、, 二整保持電容14、寄生電…電容值。 L具體例] 冓成為· Csc=32〇fF、Cpa=10fF、Clc=43〇fF、 317041 12 1285861
^ Cgs=3fF、△ Vsc=5.58、Vb = 3.5V、Vb = 2.5V、VDD=8.5V 对 左右時,則成為{(320-Cpa)/(3+430+320+Cpa)} · △
Vsc=3.5-2.5/2。而且,Δν5(:<8·5。 _ 因此,此時關於寄生電容16的電容值可導出為Cpa
I e <95fF。 ^ 例如,當不滿足該條件,而Cpa為95fF以上時,移位 電壓將會變得不足,而使黑位準顯示無法充分進行。 _ 此外,移位後的液晶元件12的像素電極的電壓值
Vpixel係如下式(與上述(1)式相同)表示。
Vpixel=Vvideo± {(Csc-Cpa)/(Cgs+Clc+Csc+Cpa)} · AVsc 在此,Cgs、Cpa << Csc、Clc 時,Vpixel 如下所示。
Vpixel 与 Vvideo士 Csc/(Clc+Csc) · AVsc 此外,TN液晶在未施加電壓的狀態下,分子會朝向 平行於電極的方向,此時的介電常數ε II會小於在施加有 電壓的狀態下,分子朝向垂直於電極的方向時的介電常數 • ε丄。亦即,ε丄〉ε丨|。此外,液晶元件之電容值Clc係 依液晶材料之介電常數而定,因此,Clc丄> Clc ||。 本實施形態係利用TN型的正常顯白的液晶。因此, 藉由施加電壓來進行黑顯示。當移位後之對於Vcom的黑 位準電壓為VB、寫入時的動態範圍為Vb、黑位準的電壓 移位量為Va(B)、白位準的電壓移位量為Va(W)時,Va(B)、 Va(W)如下所示。
Va(B)=Csc/(Clci+Csc) · Δ Vsc Va(W)= Csc/(Clcn+Csc) · Δ Vsc )3 317041 1285861 因此,Va(W)> Va(B)。 此外,移位後的動態範圍Vb5係如下所示。 Vb,=Vb_{Va(W)- Va(B)} 因此,Vb,< Vb 由上述關係可知,藉由改變△ Vsc的大小,可改變 Va(B)、Va(W)及 Vb、 在本實施形態中,如上所述,依據設定信號來改變 Vsc(H)、Vsc(L) ’進而改變兩者的差,亦即△ vsc。接著, 藉由改變該△ Vsc,來調整亮度及對比。亦即,由於Va(B)、 Va(W%生4化’所以党度發生變化;由於,發生變化, 所以對比發生變化,藉由調整Δνπ,即可進行亮度及對 比的調整。 此外,像素電路係根據電源電壓VDD而動作。因此, 移位電壓AVsc最好低於VDD,且最好滿足avscsvdd。 _第5圖中顯示顯示面板的概略俯視構成。如該圖所 不,在行(column)(垂直掃描)方向,將資料線配置在各 行,在列(row)(水平掃描)方向,將2條保持電容線sc_a、 SC-B配置在各列。 一一於圖巾,資料線DL雖呈同一寬度的直線狀,但並非 疋要如此。為了像素間的遮光而使用資料線時,關 於該部位最好料寬加大。此外,s(delta) 線DL· —定會彎曲。 才貝料 =卜’電容線SC_A、SC_Bt,形隸持電容14的部 刀較足廣,而確保電容。再纟,在本例中,相鄰像素的部 31704] 14 1285861 :亦作為保持電容14而加以利用 素中形成保持電容14的半導體層^,圖中左側的像 反側的電極)延伸至相 曰”、电办線SC-Α之相 的一部分亦作為本此使像相Μ相鄰像素 外,如後所述,資料線的、,持電容14而加以利用。此 部分而加以利用。、下侧部分亦作為保持電容14的-
此外,為了使資料線DL與保 之交又部分的面藉蜱,π 书备線SC-A、SC-B 接著梯Λ 好僅使該部分縮小線寬。 m六、使條保持電容線SC'A及SC-B與資料结 DL父又的面積相同。藉此方^ ' ;
盥資料魄m m 方式保持電容線sc-A、SC_B 持電丄 弟=絲示配置以㈣持電料^之部分的剖視 圖。如该圖所示,於玻璃基板1〇〇上係設有緩衝層⑽, 且於錢衝層1G2上設有半導體層SCL。該 !::形成像素™等,但圖示的部分則係心 二14的部分。於半導體層SCL上係形成有氧化膜 該氧化膜10 4係以與像素T F 丁 ! 〇的閘極氧化膜相同的紫程 形成。然後’於該閘極氧化膜1〇4之上形成保持電容線 SC。該保持電容線sc係以與像素TFTIG的閘極相 制 程形成。 衣 在保持電容線SC之上係形成有層間絕緣膜1〇6,且於 該層間絕緣膜106之上形成有資料線DL。 31704] 15 1285861 平二t::::二而形成平…,且於該 在該像素電㈣上:著=極3卜其中’雖未圖示’但 層之上配置有 + 心设有液晶層’且在該液晶 夾。 y 毛極的對向基板,而將液晶予以包 =J:匕^呆持電容線sc與資料線 =缘:::而相對向。因此,在該部分會 電二:^ 7 TN液晶與VA液晶對於施加 持;上:二!為TN液晶時’當使施加至液晶帽 初始牙透率係為固定的高位準(白位準),但當 二電·A於闕值電壓時’穿透率即會開始減 晶的希汽姓择 、右為va液晶時,當使施加至液 準上升’初始穿透率為固定的低位準(白位 Pt虽施加至液晶的電屢大於閾值電塵時,穿透率即会 二後,穿透率即以时的比率增加,而成為; 疋的南位準(白位準)。 〜,外’如第7圖所示,TN液晶與VA液晶中,顯示所 而私壓靶圍(動態範圍)雖不同,但在本實施形態中,可, 由變更△ Vsc來調整電壓範圍。 曰 於本實施形態中,係於SC驅動器22中,將用於垂直 驅動器20的電源電塵VDD、vss或輸入至面板的電麼, 31704] 16 1285861 • 利用在電容線SC(SC-A或SC-Β)中之Η位準電壓(Vsc(H)) 一 及/或L位準電壓(Vsc(L))。其中,對於垂直驅動器20,除 了 VDD、VSS之外,還供給GND電位。亦即,垂直驅動 • 器20係具有用以驅動閘極線GL之移位暫存器,而於該移 : 位暫存器中利用GND電位。因此,亦可將該GND電位利 ^ 用為Η位準電壓(Vsc(H))或L位準電壓(Vsc(L))的任一 方。再者,只要是輸入至面板的電位,即使是其他電位, 亦可加以利用。因此,於SC驅動器22中,對於Η位準電 壓(Vsc(H))及L位準電壓(Vsc(L))雙方,亦可利用用在垂直 驅動器20中的電位。其中,在以下說明中,基本上,係以 對於SC驅動器22之Η位準電壓(Vsc(H))或L位準電壓 (Vsc(L))的一方利用VDD或VSS為例加以說明。 亦即,如第8圖所示,於供給Η位準至電容線SC的 期間,將為Η位準之顯示控制信號供給至開關SW1、SW2 的控制端。開關SW1、SW2係分別形成η通道TFT與ρ • 通道TFT並聯的構成,開關SW1的ρ通道TFT的閘極與 開關SW2的η通道TFT的閘極相連接,在此供給將顯示 控制信號以反相器(inverter)予以反轉的信號,而將顯示控 制信號供給至開關SW1的η通道TFT的閘極與開關SW2 的ρ通道TFT的閘極。此外,對於開關SW1的輸入點係 輸入例如VDD或Vsc(H),對於開關SW2的輸入點係輸入 Vsc(L)或VSS。接著,開關SW1、SW2的輸出點係連接於 電容線SC-A或SC-B。 亦即,對於SC驅動器22,為了驅動電容線SC-A、 17 317041 1285861 ^ SC-B.,而需有2個電壓,而本實施形態中,係將其中的1 :或2個设為用於垂直驅動器的或。例如, •田於L位準利用Vsc(L)時,將H位準設為 VDD,於Η位 ·:::用VSC(H)時,則將L位準設為vss或輸入至面板的 • ^。因此,顯示裝置中,只要產生Vsc(H)或Vsc(L)的任 方即可,或者兩者均不需要,因此可簡化電源電路。此 外,SC驅動器22係近接垂直驅動器2〇而設,因此,將被 參輸入至垂直驅動器2〇的VDD或VSS輸入至SC驅動器22 的配線可較短。 八中第8圖所示之電路係對於1條電容線sc(SC-A 或SC-B)設置1個,且對於VDD決定Vsc(L),抑或對於 VSS決定Vsc(H),以使例如H位準與L位準的差為△ Vsc。 、接著,根據該第8圖的電路,當顯示控制信號為H位 準τ開關SW1王導通,且輸出例如Vsc(H);而當顯示 控制信號為L位準時,則開關SW2呈導通,且輸出例如 # Vss。 在此,根據第9圖(a)至(c)來說明使用VA液晶的VA 模式顯示裝置之像素的構造以及動作。 第9圖(a)、(b)圖係表示使用VA液晶之VA模式液晶 顯示裝置(LCD)的概略剖視圖,而係表示沿著具有如第9 圖(c)所示之概略俯視構造的LCD的A_A線的剖視構造的 -例。在該LCD巾’配向膜—般係採用未施予磨擦處理 ㈣bbing treatment)的非磨擦式。因此,液晶的初期配向並 沒有預先傾斜(pre-tilt),在電壓非施加狀態下,液晶分子 317041 18 1285861 的長軸方向係朝向基板法線方向而配向。初期配向成垂直 方向的液晶分子60如第9圖⑷及第9圖⑻所示,當對於 LCf之共通電極4〇與像素電極3〇之間開始施加電壓時, 在最初电壓較低的狀態下所產生的弱電場(參照圖中以虛 線表示的電力線(electric line 〇f f〇rce))係在像素電極3〇的 端部等斜向傾斜,且藉由該斜電場來規定隨著電壓上升, 液晶分子隨之倒下的方位。
八中例如在1像素區域内,如圖所示,先分別設置 -向刀口丨50 ’藉此可在j像素區域内的複數區域中,分 f成分別t同的方位。在9圖⑷至⑷的例中,該配向分割 』Γ係可藉由在電極不在區域(窗)或電極上設置突起部而 構成,且以分別在晝面的垂直方向呈折線狀延伸的圖案 pattern)而形成在共通電極4()與像素電極3G雙方。此外, 於t述圖案,例如亦可藉由在1像素區域内,長 二)上端及下端分為2叉的圖案而設置電極不在區域 第 =起部而構成。藉由上述配向分割部料9圖⑷、 弟9圖(b)所示,係可蔣】符 定方1八 、象素内之液晶配向方位的邊界固 邊界二止液晶分子倒下方位在像素内的 參差不齊等對於顯二,均不相同而造成顯示 口口貝k成的不良影響。 此外’在本實施形能中 抓僅以配置於面板用於以下之任一類型 像素電極及共通電極雙方源的彳光進行顯示,對於 心用乳化銦錫(―tm ⑨極的透過型LCD;使用反射金屬 317041 】9 !285861 電極作為像素電極,且將來自外光的光予以反射而進行顯 ^ 示的反射型LCD;再者於使用光源時為穿透模式,當關閉 β 光源時則為反射模式而發揮作用的半透過型LCD。在反射 ; 型LCD或半透過型LCD等中,雖可達成更佳的對比的提 \ 升等,但如本實施形態所示,藉由進行極性反轉,即使為 例如ECB模式的反射型或半透過型[CD,亦可以非常高 的對比來進行顯示。 φ 【圖式簡單說明】 苐1圖係表示實施形態之構成圖,· f 2圖係表示電容線SC_A、SC_B的信號波形圖; 第3圖係表示正常顯黑(n〇rmaib 情形下電壓移 位的狀態圖; 第4圖係表示正常顯白(normally white)情形下電壓移 位的狀態圖; 2 5圖係表示像素電路之俯視構成圖; 弟6圖係表示像素電路之剖視構成圖; 第7圖係表示™液晶與VA液晶之穿透率變化圖; 第8圖係表示sc驅動器之構成圖;以及 s。第9圖⑷至(C)係表示VA模式之像素的構造及動作 【主要元件符號說明】 像素丁FT 保持電容 閘極電容 像素電路 2 液晶元件 6 寄生電容 3)104) 20 1285861 20 垂直驅動器 22 S C驅動器 24 電壓產生電路 26 資料記憶體 30 像素電極 40 共通電極 50 配向分割部 60 液晶分子 100 玻璃基板 102 緩衝層 104 氧化膜 106 層間絕緣膜 108 平坦化層 DL 資料線 GL 閘極線 SC、 SC-A、SC-B 保持電容線 SCL 半導體層 Vath 閾值電壓
Vcom 共通電極電源 VDD、VSS、Vsc(H)、Vsc(L)位準

Claims (1)

1285861 十申晴專利範圍: 1 · 一種顯示裴置,伤 係將像素電路配置成矩 置,各像素電路係具備·· 平狀的_不裝 像素丁FT,立一 P、击# 線,閙in# 〃而連接於接受資料信號供給的資料 、表開極連接於選擇線 的貝料 定為Η位準精由料擇線㈣擇信號設 佯持2L:#’而形成導通或不導通,· 端連接於像素TFT的另—端,另 立而連接於保持雷玄娩 鳊’另一 號的電麼;以及以保持由資料線供給之資料信 端,其一方電極連接於像素抓的前述另-的液晶施加電遷, 、通电極電位,而對兩電極間 前述保持電容線係當將 料線上之資料” 像素TFT導通,而將資 為第2位準保持電容之後’由第1位準變化 而马述第】位準及第2位 驅動珂述選擇線之垂直 乂万係,、用以 位準中的Η固電壓位準Γ用中所使用的複數個電屋 2·如申請專利範圍第1 料線係供給相對於前述^^置’其中’對於前述資 資料信號, 、、通氣極電位極性係相反的2種 條,配置::方'::二對應各像素電路的列而設置2 電容線之任二=像素電路係連接於2條保持 Τ引Μ 2條保持電容線係控制成2 31704] 22 !285861 種電位, 前述2條保持電容線㈣位係於各 々、所供給之前述資料信號而設定。 ”中,按 3.如申請專利範圍第2項之顯示裝 :中,當-方的電位由正往負的方置向其:由== 4如另一方的電位係往其相反方向移位。 申印專利乾圍第2項之顯示裝置,盆义 5持電容線係交互連接於财向的各像素電路"''保 •如申凊專利範圍第2項之顯示裝置,其中… 持電容之電容值為Cse’在連接於相“二= 保持電容線與前述像素電極之節點所產生辛:::: 的電容值為咖,在前述像素TFT的閘極與前述像= =即點所產生的閘極電容的電容值為Cgs,前述液晶 讀之電容值為Cle,於前述保持電容線中移位的電麼 值:AVsc’前述資料信號之黑位準電壓與白位準電壓 的電位差為vcont,電塵移位後之黑位準電壓為, 供給使像素電路動作之電力的電源的電源電壓為丽 時,滿足下述⑴、(ii)式: {(CscCpa)/(Cgs+Clc+Csc+Cpa)} · Δ Vsc=VB.Vc〇nt/2 (i) Δ Vsc< VDD (ii) 〇 6. —種顯示裝置,係將像素電路配置成矩陣狀的顯示裝 置’各像素電路係具備: 像素TFT,其一端連接於接受資料信號供給的資料 線,閘極連接於選擇線,且藉由將選擇線的選擇信號設 31704J 23 疋為Η位準或L位準, 保持電容,其一端連接於:通:不導通; 、連接於保持電容線,用以保持…的另—端,另- 號的電壓;以及 、、貝料線供給之資料信 端,Γ晶二Γ其一方電極連接於像素τ打的前江另 的液1:二:極保持在共通電極電位 •料線2=:==前述像素π導通,_ 為第2位準 a加於液晶兀件之電壓移位, :述保持電容線係對應於各像素電 位, 1木’同日守2條保持電容線係控制為2種電 相鄰:·前芑保持電容之電容值為CSC,在連接於 吝、包路之前述保持電容線與前述像素電極之節 ’戶生之寄生電容的電容值為Cpa,在前述像素TFT :閘極與則述像素電極的節點所產生的閘極電容的電 谷2為Cgs,珂述液晶元件之電容值為cic,於前述保 持私夺線中移位的電壓值為△ Vsc,前述資料信號之黑 位準包壓與白位準電壓的電位差為Vc〇nt,電壓移位後 之黑位準電壓為VB,供給使像素電路動作之電力的電 源的電源電壓為VDD時,滿足下述⑴、式: {(Csc-Cpa)/(Cgs+Clc+Csc+Cpa)} · Δ Vsc-VB-Vcont/2 (i) 24 31704] 1285861 AVsc<VDD (ii)。 v 7.如申請專利範圍第6項之顯示裝置,其中,前述2種電 位中,當一方的電位由正往負的方向,或由負往正的方 向移位時,另一方的電位係往其反方向移位。
25 317041
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