JP2002014321A - 表示装置およびそれを備えた電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好な表示品位を保ったまま低消費電力化を
達成することのできるアクティブ素子を有する表示装置
を提供する。 【解決手段】 液晶パネル２に、ＴＦＴ１４…のゲート
電極２０…に走査信号を供給する走査信号線３１…と、
ＴＦＴ１４のデータ電極２４…にデータ信号を供給する
データ信号線３２…とを設ける。そして、補助容量を形
成するための補助容量用電極パッド２７ａ…および補助
容量配線３３…を走査信号線３１…と容量結合が略生じ
ないように設ける。この状態で画面の書き換え周波数を
３０Ｈｚ以下、例えば６０Ｈｚの１０分の１である６Ｈ
ｚとし、走査信号線３１…の１本当たりの選択期間を
０．７ｍｓｅｃ、非選択期間を１６６．３ｍｓｅｃとす
る。データ信号線３２…に供給するデータ信号を１走査
信号ごとに極性を反転させ、かつ、１つの画素には書き
換えごとに極性反転したデータ信号が入力されるように
駆動を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブ素子を
用いた表示装置の低消費電力化に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
型パーソナルコンピュータ、ポケットテレビなどへの液
晶表示装置の応用が急速に進展している。特に、液晶表
示装置の中でも外部から入射した光を反射させて表示を
行う反射型液晶表示装置は、バックライトが不要である
ため消費電力が少なく薄型であって、軽量化が可能であ
ることから注目されている。

【０００３】従来の反射型液晶表示装置は、単純マルチ
プレックス駆動方式と、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)
などのアクティブ素子を使用したアクティブ駆動方式と
に大別される。単純マルチプレックス駆動方式では、２
型程度の大きさで消費電力が１０ｍＷ〜１５ｍＷ程度と
十分に小さいものの、明るさおよびコントラストが低
く、応答速度が小さいなど表示品位に問題がある。一
方、ＴＦＴなどを使用したアクティブ駆動方式では、明
るさおよびコントラストが高く、応答速度も大きく表示
品位は十分である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アクテ
ィブ駆動方式の液晶表示装置は、消費電力は２型程度の
大きさでも１００ｍＷ〜１５０ｍＷ程度であり、十分に
満足できるほど小さいものではなかった。

【０００５】具体的には、アクティブ素子を用いたアク
ティブマトリクス型の液晶表示素子を有する液晶表示装
置では、良好な動画表示を得るために、画素のそれぞれ
に電荷を書き込む周期を決定する書き換え周波数、すな
わち１画面を書き換える周波数を一般に６０Ｈｚとして
いる。アクティブ駆動方式の液晶表示装置において６０
Ｈｚのような高周波数で画面の書き換えを行っているの
は、一般に、ＣＲＴが一瞬だけ発光する蛍光体を用いな
がら人間の目の残像効果を利用して１画面を表示するイ
ンパルス型表示を行うのに、静止画を表示する場合でも
高速に画面を書き換える必要があることから、この高速
の書き換えに従ったものである。

【０００６】また、アクティブ駆動方式の液晶表示装置
においては、上記高速の書き換えに加えて、表示のチラ
ツキを低減するために１走査信号線ごとにデータ信号の
電圧極性を反転している。従って、走査信号ドライバの
消費電力およびデータ信号ドライバの消費電力が増大し
ていた。

【０００７】また、このような液晶表示装置の消費電力
を削減するために、本件出願人が、いわゆるＣｓオンゲ
ート構造の液晶表示装置に対して書き換え周波数を３０
Ｈｚ以下の低周波数として駆動した結果、表示にチラツ
キが発生した。このように、低消費電力化を達成するた
めに、Ｃｓオンゲート構造で単に書き換え周波数を低下
させただけでは表示品位が低下してしまうことが分かっ
た。

【０００８】これに対して、これまでも十分な低消費電
力化と良好な表示品位とのための研究開発が精力的に行
われており、例えばＴＦＴ液晶ドライバの消費電力を低
減する手法としてマルチフィールド駆動法が提案されて
いる。これは、一画面の走査を走査信号線の１本おきも
しくは複数本おきとして複数回に分割して行い、１回の
走査中はデータ信号線の電圧の極性反転を行わないこと
により、データ信号線ドライバの消費電力の低減を行う
ものである。また、各ラインで発生する明るさの変化、
すなわちチラツキを、隣接する反対極性のラインのチラ
ツキで相殺することにより全体としてチラツキのない表
示を実現することも目的としている。

【０００９】しかしながら、上述したマルチフィールド
駆動を行ってもラインごとにチラツキは発生しており、
隣接するラインで相殺しても実際にはチラツキが知覚さ
れ、視認性が著しく低下する。また、低消費電力化も十
分とは言えない。さらに、マルチフィールド駆動方式で
は一画面を複数枚のサブフィールドに分割し、走査を走
査信号線の１本おきもしくは複数本おきに行うために、
一旦画像をフレームメモリに蓄積した後、駆動する走査
信号線に対応する信号を読み出す必要があり、回路構成
が複雑化することは避けられない。従って、周辺回路が
大型化してコストアップにつながるという欠点を有して
いる。

【００１０】低消費電力化に限って言えば、例えば特開
平６−３４２１４８号公報に開示されている方式のよう
に、液晶パネルに強誘電性液晶を用いてメモリ性を持た
せ、駆動周波数（リフレッシュレート）を小さくして消
費電力を削減することができる。しかし、この方法で
は、強誘電性液晶が基本的に２値（白黒）表示であるた
めに階調表示ができず、自然画の表示ができない。さら
に、強誘電性液晶をパネル化するには高度なパネル作成
技術が要求されるため、今日に至るまで実用化に至って
いない。

【００１１】このように、従来の液晶表示装置では低消
費電力化と高表示品位とを両立させることができなかっ
た。それゆえ、低消費電力化と高表示品位とを両立させ
ることのできるアクティブマトリクス型の表示装置が望
まれている。

【００１２】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであり、その目的は、良好な表示品位を保ったま
ま低消費電力化を達成することのできるアクティブ素子
を有する表示装置、およびそれを備えた電子機器を提供
することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、上
記の課題を解決するために、走査信号ドライバから走査
信号が供給される走査信号線と、データ信号ドライバか
らデータ信号が交流駆動で供給されるデータ信号線と、
上記走査信号線および上記データ信号線に接続されると
ともに、上記走査信号および上記データ信号に基づい
て、アクティブ素子が周期的に選択状態となって表示状
態を決定する電荷が上記アクティブ素子を介して所定の
電気容量に書き込まれる画素とを備えたアクティブマト
リクス型の表示素子を有する表示装置において、上記画
素のそれぞれには上記電気容量に対する補助容量が、上
記補助容量の電極が上記走査信号線との間に容量結合を
略生じない位置となるように設けられ、上記電荷を書き
込む周期を決定する書き換え周波数を３０Ｈｚ以下に設
定することが可能な周波数設定手段をさらに有している
ことを特徴としている。

【００１４】上記の発明によれば、所定の電気容量に対
する補助容量の電極が走査信号線との間に容量結合を略
生じない位置となるように補助容量を設けるので、この
状態で周波数設定手段により上記電気容量の電荷、すな
わち表示素子の画面を３０Ｈｚ以下の書き換え周波数で
書き換える設定を行えば、従来のようにＣｓオンゲート
構造で補助容量を形成していた場合と異なり、１ライン
上の走査信号線など走査信号線の電位変動による上記電
気容量の電極の電位変動は生じなくなる。

【００１５】３０Ｈｚ以下の低周波数駆動とすることに
よって、走査信号の周波数が減少して走査信号ドライバ
の消費電力が十分に削減されるとともに、データ信号の
極性反転周波数が減少し、データ信号ドライバの消費電
力が十分に削減される。また、表示状態を決定する電荷
が書き込まれる電気容量の電極の電位変動が生じなくな
ることによって、チラツキのない安定した表示品位が得
られる。

【００１６】この結果、良好な表示品位を保ったまま低
消費電力化を達成することのできるアクティブ素子を有
する表示装置を提供することができる。

【００１７】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、走査信号ドライバから走査信号が供給
される走査信号線と、データ信号ドライバからデータ信
号が交流駆動で供給されるデータ信号線と、上記走査信
号線および上記データ信号線に接続されるとともに、上
記走査信号および上記データ信号に基づいて、アクティ
ブ素子が周期的に選択状態となって表示状態を決定する
電荷が上記アクティブ素子を介して所定の電気容量に書
き込まれる画素とを備えたアクティブマトリクス型の表
示素子を有する表示装置において、上記表示素子が、上
記走査信号の供給に伴って上記走査信号線から上記電気
容量の電圧に加わるノイズによる上記電圧の変動を、上
記表示状態にチラツキが知覚されない値以下に抑制する
ように構成され、上記電荷を書き込む周期を決定する書
き換え周波数を３０Ｈｚ以下に設定することが可能な周
波数設定手段をさらに有していることを特徴としてい
る。

【００１８】上記の発明によれば、表示状態を決定する
電荷が書き込まれる所定の電気容量の電圧に走査信号線
からノイズが加わっても、このノイズによる上記電気容
量の電圧の変動を、表示状態にチラツキが知覚されない
値以下に抑制するように構成されているので、この状態
で周波数設定手段により上記電気容量の電荷、すなわち
表示素子の画面を３０Ｈｚ以下の書き換え周波数で書き
換える設定を行えば、画素の表示状態は安定し、チラツ
キのない安定した表示品位が得られる。また、３０Ｈｚ
以下の低周波数駆動とすることによって、走査信号の周
波数が減少して走査信号ドライバの消費電力が十分に削
減されるとともに、データ信号の極性反転周波数が減少
し、データ信号ドライバの消費電力が十分に削減され
る。

【００１９】この結果、良好な表示品位を保ったまま低
消費電力化を達成することのできるアクティブ素子を有
する表示装置を提供することができる。

【００２０】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記書き換え周波数が０．５Ｈｚ以上
３０Ｈｚ以下の範囲内にあることを特徴としている。

【００２１】上記の発明によれば、書き換え周波数を３
０Ｈｚ以下としながら、下限を０．５Ｈｚとして前記電
気容量からのアクティブ素子などを通した漏れ電流に起
因する前記電気容量の電極の電位変動を十分に抑制す
る。これにより、十分な低消費電力化と確実な画素のチ
ラツキ防止とを達成することができる。

【００２２】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記書き換え周波数が１Ｈｚ以上１５
Ｈｚ以下の範囲内にあることを特徴としている。

【００２３】上記の発明によれば、書き換え周波数を１
５Ｈｚ以下として消費電力を極めて大きく低減しなが
ら、下限を１Ｈｚとして前記電気容量の電極の電位変動
を極めて小さくなるように抑制する。これにより、極め
て大きな低消費電力化とより確実な画素のチラツキ防止
とを達成することができる。

【００２４】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記周波数設定手段は、上記書き換え
周波数を複数通りに設定することが可能であることを特
徴としている。

【００２５】上記の発明によれば、周波数設定手段によ
り表示素子の画面の書き換え周波数を複数通りに設定可
能であるので、少なくとも３０Ｈｚ以下の書き換え周波
数への設定による低消費電力化と高表示品位との両立を
確保した上で、画像の動きの速さに合わせて表示品位を
優先させる高めの書き換え周波数への設定や、低消費電
力化を優先させる低めの書き換え周波数への設定を行う
ことができる。

【００２６】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記周波数設定手段は、上記書き換え
周波数を３０Ｈｚ以上に設定することが可能であること
を特徴としている。

【００２７】上記の発明によれば、周波数設定手段によ
り表示素子の画面の書き換え周波数を３０Ｈｚ以上に設
定可能であり、例えば静止画や通常の動きの速さの動画
を表示する場合には書き換え周波数を３０Ｈｚ以下に設
定して低消費電力化と高品位表示との両立を図り、動き
の非常に速い動画を表示する場合には周波数を３０Ｈｚ
以上に設定してスムーズな表示を確保するなどする。こ
れにより、表示する画像の状態に適した書き換え周波数
の設定を行うことができる。

【００２８】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記書き換え周波数のそれぞれが、最
も低い書き換え周波数の整数倍であることを特徴として
いる。

【００２９】上記の発明によれば、書き換え周波数のそ
れぞれを最も低い書き換え周波数の整数倍の関係に設定
するので、全ての書き換え周波数に共通の基準同期信号
を使用することができるのに加えて、書き換え周波数を
切り換えた場合に供給するデータ信号の間引きあるいは
追加を簡単に行うことができる。

【００３０】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記書き換え周波数のそれぞれが、最
も低い書き換え周波数の２の整数乗倍であることを特徴
としている。

【００３１】上記の発明によれば、書き換え周波数のそ
れぞれを最も低い書き換え周波数の２の整数乗倍の関係
に設定するので、２の整数乗分の１で分周を行う通常の
簡単な分周回路を用いて書き換え周波数のそれぞれを生
成することができる。

【００３２】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記書き換え周波数のうち少なくとも
最も低いものが、上記表示素子の表示内容を更新する周
期を決めるリフレッシュ周波数の２以上の整数倍である
ことを特徴としている。

【００３３】上記の発明によれば、書き換え周波数のう
ち少なくとも最も低いものをリフレッシュ周波数の２以
上の整数倍の関係に設定するので、そのように設定した
書き換え周波数では表示素子での同一の表示内容に対し
て、各画素の選択回数が２以上の整数回となる。従っ
て、同一の表示内容に対して、交流駆動によって前記電
気容量の電極の電位の極性を反転させて表示することが
できる。特に表示素子が液晶表示素子である場合には、
液晶表示素子に用いられる液晶の信頼性がより向上す
る。

【００３４】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記周波数設定手段は、上記リフレッ
シュ周波数が変更されると上記書き換え周波数のうち少
なくとも最も低いものの設定を、変更後の上記リフレッ
シュ周波数に合わせて変更することが可能であることを
特徴としている。

【００３５】上記の発明によれば、周波数設定手段はリ
フレッシュ周波数の変更に合わせて、少なくとも最も低
い書き換え周波数の設定を、変更後のリフレッシュ周波
数の２以上の整数倍に変更することができる。従って、
リフレッシュ周波数を変更しても、上記のように設定を
変更した書き換え周波数では表示素子での同一の表示内
容に対して、交流駆動によって前記電気容量の電極の電
位の極性を反転させて表示することができる。特に表示
素子が液晶表示素子である場合には、液晶表示素子に用
いられる液晶の信頼性を容易に維持することができる。

【００３６】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記書き換え周波数のうち最も低いも
のは２Ｈｚ以上の整数値であることを特徴としている。

【００３７】上記の発明によれば、最も低い書き換え周
波数を２Ｈｚ以上の整数値に設定し、さらにこれがリフ
レッシュ周波数の２以上の整数倍となっていることか
ら、リフレッシュ周波数が１Ｈｚ以上となる。従って、
表示素子の画面に時計を表示する場合に、秒表示を正確
に１秒間隔で行うことができる。

【００３８】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記表示素子は上記電気容量が画素電
極と対向電極との間に液晶が介在して形成されるととも
に上記電気容量に対する補助容量が設けられる液晶表示
素子であり、上記液晶表示素子の画素電圧保持率を、上
記電気容量をＣ_LC、上記補助容量をＣ_CS、上記アクティ
ブ素子の非選択期間をＴ、上記書き換え周波数における
非選択期間Ｔ後の液晶電圧保持率をＨｒ（Ｔ）、書き込
み直後の上記画素電極と上記対向電極との電位差をＶ、
上記アクティブ素子の非選択時の抵抗値をＲ、Ｖ₁ ＝Ｖ
−｛Ｖ・（１−Ｈｒ（Ｔ））×Ｃ_LC／（Ｃ_LC＋Ｃ_CS）｝
として、 Ｐ＝Ｖ₁ ・ｅｘｐ［−Ｔ／｛（Ｃ_LC＋Ｃ_CS）・Ｒ｝］／
Ｖ と表したときに、Ｐ≧０．９であることを特徴としてい
る。

【００３９】上記の発明によれば、前記表示素子が液晶
表示素子であって、選択期間中に印加された画素の電
圧、すなわち画素電極と対向電極との間に液晶が介在し
て形成される電気容量の電圧が、非選択期間を通して９
０％以上の電圧保持率で保持されるので、画素電極の電
位変動がほとんど生じない。これにより、特にチラツキ
のない安定した表示品位が得られる。

【００４０】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記表示素子は上記電気容量が画素電
極と対向電極との間に液晶が介在して形成される液晶表
示素子であり、上記画素電極は、少なくとも、自身が属
する画素のラインと走査方向に沿った一定の向きに隣接
するラインの画素の走査信号線と対向する箇所が存在す
るように配置されていることを特徴としている。

【００４１】上記の発明によれば、前記表示素子が液晶
表示素子であって、画素電極には少なくとも、走査方向
を液晶表示素子の上下方向とした場合の１ライン上や１
ライン下など、自身が属する画素のラインと走査方向に
沿った一定の向きに隣接するラインの画素の走査信号線
と対向する箇所を設けるので、前記電気容量の電荷を書
き換えるたびにデータ信号の極性反転を行うにあたっ
て、該画素電極と、上記一定の向きに隣接するラインの
画素の走査信号線との間に、画素電極面と平行な方向の
成分を有する電界が発生しない。従って、画素電極のエ
ッジにリバースチルトドメインに起因するディスクリネ
ーションが発生するのを抑制することができる。

【００４２】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記表示素子は上記電気容量が画素電
極と対向電極との間に液晶が介在して形成される液晶表
示素子であり、上記画素電極は非光透過型の電極であ
り、少なくとも、自身が属する画素のラインと上記一定
の向きに隣接するラインの画素のアクティブ素子と対向
する箇所が存在するように配置されていることを特徴と
している。

【００４３】上記の発明によれば、前記表示素子が液晶
表示素子であって、非光透過型の画素電極には少なくと
も、走査方向を液晶表示素子の上下方向とした場合の１
ライン上や１ライン下など、自身が属する画素のライン
と上記一定の向きに隣接するラインの画素のアクティブ
素子と対向する箇所を設けるので、画素電極はアクティ
ブ素子を遮光する。これにより、アクティブ素子への光
の回り込みが減少し、非選択期間におけるアクティブ素
子の抵抗値の低下が防止される。従って、画素を３０Ｈ
ｚ以下の書き換え周波数で駆動しても、電荷保持不良に
よる明るさの変動が緩和され、よりチラツキのない表示
を得ることができる。

【００４４】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記液晶表示素子は、表示に有効なラ
インのうち上記一定の向きの起点側端部のラインのアク
ティブ素子を遮光するアクティブ素子遮光層を有してい
ることを特徴としている。

【００４５】上記の発明によれば、アクティブ素子遮光
層によって、走査方向を液晶表示素子の上下方向とした
場合の表示に有効な最上段や最下段のラインなど、上記
一定の向きの起点側端部のラインのアクティブ素子を遮
光することができるので、非選択期間における該アクテ
ィブ素子の抵抗値の低下が防止される。従って、画素を
３０Ｈｚ以下の書き換え周波数で駆動しても、電荷保持
不良による明るさの変動が緩和され、よりチラツキのな
い表示を得ることができる。

【００４６】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記液晶表示素子は、上記アクティブ
素子遮光層からの反射光が上記液晶表示素子の表示面に
戻るのを遮る反射光防止遮光層を有していることを特徴
としている。

【００４７】上記の発明によれば、アクティブ素子遮光
層からの反射光を反射光防止遮光層によって液晶表示素
子の表示面に戻るのを遮るので、アクティブ素子を遮光
する構成が表示に影響を及ぼさないようにすることがで
きる。

【００４８】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記アクティブ素子遮光層は上記対向
電極との間に液晶が介在するように設けられた電極であ
り、上記アクティブ素子遮光層と上記対向電極との間に
交流電圧が印加されることを特徴としている。

【００４９】上記の発明によれば、アクティブ素子遮光
層と対向電極との間の液晶が交流駆動されるので、液晶
材料の信頼性が向上する。

【００５０】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記液晶表示素子は、上記一定の向き
の起点側端部のラインからさらに外側に、上記アクティ
ブ素子遮光層を上記画素電極に用いる上記画素の構成を
備えた画素のラインを有していることを特徴としてい
る。

【００５１】上記の発明によれば、表示に有効な上記一
定の向きの起点側端部のライン、例えば走査方向を液晶
表示素子の上下方向とした場合の最上段あるいは最下段
となる表示に有効なラインの画素も、表示に有効なその
他のラインの画素と同様の構成となるので、液晶表示素
子の走査方向の構造の繰り返し連続性が保たれる。従っ
て、表示に有効な走査方向に沿った一定の向きの起点側
端部のラインの画素と、表示に有効なその他のラインの
画素との電圧印加状態が等しくなり、液晶材料の信頼性
がより向上する。

【００５２】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記表示素子は上記電気容量が画素電
極と対向電極との間に液晶が介在して形成される液晶表
示素子であり、上記液晶表示素子は、上記画素電極の配
向処理起点に近い側のエッジの少なくとも一部と表示面
側から対向する遮光層を有していることを特徴としてい
る。

【００５３】上記の発明によれば、前記表示素子が液晶
表示素子であって、画素電極の上記エッジを遮光膜で覆
うので、液晶表示素子を３０Ｈｚ以下の書き換え周波数
で交流駆動した場合に、画素電極のエッジに発生するリ
バースチルトドメインによるディスクリネーションを隠
すことができ、均一な表示を得ることができる。

【００５４】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記表示素子は上記電気容量が画素電
極と対向電極との間に液晶が介在して形成される液晶表
示素子であり、上記画素電極の配向処理部と接する箇所
のうち、上記アクティブ素子との電気的コンタクト部分
を除いた箇所の表面段差が０．６μｍ以下であることを
特徴としている。

【００５５】上記の発明によれば、前記表示素子が液晶
表示素子であって、画素電極に配向膜を形成した場合
に、画素内で配向膜の膜厚むらが抑えられるため、画素
内での配向乱れがなくなり、よりチラツキのない、均一
な表示を得ることができる。

【００５６】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記表示素子は上記電気容量が画素電
極と対向電極との間に液晶が介在して形成される液晶表
示素子であり、上記画素電極の配向処理起点に近い側の
エッジ付近が透明電極で形成されていることを特徴とし
ている。

【００５７】上記の発明によれば、前記表示素子が液晶
表示素子であって、液晶表示素子を３０Ｈｚ以下の書き
換え周波数で交流駆動した場合に、画素電極のエッジに
発生するリバースチルトドメインによるディスクリネー
ションが透明電極上で発生するため、反射光に対するデ
ィスクリネーションラインの影響がなくなり、均一な表
示を行うことができる。

【００５８】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記表示素子は上記電気容量が画素電
極と対向電極との間に液晶が介在して形成される液晶表
示素子であり、上記アクティブ素子が配置されている基
板側の配向処理方向が、上記走査信号線と略平行である
ことを特徴としている。

【００５９】上記の発明によれば、前記表示素子が液晶
表示素子であって、アクティブ素子が配置されている基
板側の液晶分子の配向方向が、隣接する画素電極間に生
じる走査方向の電界に対して垂直な面内に存在するよう
になり、液晶表示素子を３０Ｈｚ以下の書き換え周波数
で交流駆動した場合に、液晶分子に対する電界の歪みが
対称となる。従って、リバースチルトドメインによるデ
ィスクリネーションラインの発生が緩和され、均一な表
示を得ることができる。

【００６０】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記液晶表示素子は周囲光を用いて反
射型表示を行う反射部材を有していることを特徴として
いる。

【００６１】上記の発明によれば、表示装置をバックラ
イトを必要としない反射型液晶表示装置とするので、３
０Ｈｚ以下の駆動による低消費電力化の割合が大きくな
る。

【００６２】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記反射部材は上記画素電極の少なく
とも一部であることを特徴としている。

【００６３】上記の発明によれば、反射部材が画素電極
の少なくとも一部である、すなわち、画素電極の少なく
とも一部が反射型液晶表示装置の反射電極となるので、
別途反射部材は必要なく、装置を構成する部材の種類を
減らすことが可能である。

【００６４】さらに本発明の表示装置は、上記の課題を
解決するために、上記反射部材に光透過用の穴が設けら
れている、または上記反射部材が半透明であることを特
徴としている。

【００６５】上記の発明によれば、反射透過両用型の液
晶表示装置とするので、周囲光が多いときには反射型と
して、周囲光が少ないときにはバックライトを点灯する
など透過型と併用して利用することができる。

【００６６】また、本発明の電子機器は、上記の課題を
解決するために、前記いずれかに記載の表示装置が搭載
されていることを特徴としている。

【００６７】上記の発明によれば、良好な表示品位を保
ったままの低消費電力化が図れる表示装置を搭載してい
るので、バッテリーによる長時間駆動が容易になる。

【００６８】

【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の表示装
置を具現する一実施の形態について図１ないし図１１に
基づいて説明すれば、以下の通りである。

【００６９】まず、Ｃｓオンゲート構造の液晶表示装置
に対して書き換え周波数を３０Ｈｚ以下の低周波数とし
て駆動すると、表示にチラツキが発生する理由を、本件
出願人が調べたところ、次のことが分かった。

【００７０】アクティブ素子を有した液晶表示素子にお
ける画素の補助容量電極が、その画素の１ライン上の走
査信号線上で形成された、いわゆるＣｓオンゲート構造
である場合、該１ライン上の走査信号線への走査信号印
加時に上記画素の画素電極電位が大きく変動する。一般
に書き換え周波数が３０Ｈｚ以上であると画素電極電位
の変動による液晶分子の応答は平均化されて知覚されな
いが、書き換え周波数を３０Ｈｚ以下にすると液晶分子
の応答が知覚されてチラツキが発生し、表示品位が著し
く損なわれることとなる。また、従来はアクティブ素子
の抵抗値、液晶材料の抵抗値・誘電率、画素ごとの補助
容量が３０Ｈｚ以下の書き換え周波数に対して最適設計
がなされておらず、３０Ｈｚ以下の駆動におけるチラツ
キには、電荷保持不良に起因する画素電極電位の変動分
も含まれていた。従って、低消費電力化を達成するため
に、Ｃｓオンゲート構造で単に書き換え周波数を低下さ
せただけでは表示品位が低下してしまうことが分かっ
た。

【００７１】本発明の表示装置は、上記のチラツキの発
生理由に基づいて提供されるものである。

【００７２】図３に、本実施の形態に係る表示装置とし
ての液晶表示装置１のシステムブロック図を示す。液晶
表示装置１は、液晶パネル２、ゲートドライバ３、ソー
スドライバ４、コントロールＩＣ５、画像メモリ６、お
よび同期クロック発生回路７を備えている。表示素子、
さらには液晶表示素子としての液晶パネル２の構成の詳
細については後で詳述する。走査信号ドライバとしての
ゲートドライバ３は液晶パネル２の各走査信号線に、選
択期間と非選択期間とのそれぞれに応じた電圧の走査信
号を出力する。データ信号ドライバとしてのソースドラ
イバ４は液晶パネル２の各データ信号線に、選択されて
いる走査信号線上にある画素のそれぞれに供給する画像
データをデータ信号として交流駆動で出力する。コント
ロールＩＣ５は、コンピュータなどの内部にある画像メ
モリ６に蓄えられている画像データを受け取り、ゲート
ドライバ３にゲートスタートパルス信号ＧＳＰおよびゲ
ートクロック信号ＧＣＫを配信し、ソースドライバ４に
ＲＧＢの階調データ、ソーススタートパルス信号ＳＰ、
およびソースクロック信号ＳＣＫを配信する。

【００７３】周数設定手段としての同期クロック発生回
路７は、コントロールＩＣ５が画像メモリ６から画像デ
ータを読み出すための同期クロックや、出力するゲート
スタートパルス信号ＧＳＰ、ゲートクロック信号ＧＣ
Ｋ、ソーススタートパルス信号ＳＰ、およびソースクロ
ック信号ＳＣＫを生成するための同期クロックを発生す
る。本実施の形態では、上記各信号を液晶パネル２の画
面の書き換え周波数に合わせるための、同期クロックの
周波数設定をここで行うようにしている。ゲートスター
トパルス信号ＧＳＰの周波数は上記書き換え周波数に相
当し、同期クロック発生回路７では少なくとも１つの書
き換え周波数を３０Ｈｚ以下に設定することができ、ま
た、３０Ｈｚ以上をも含めて任意の複数通りの書き換え
周波数を設定することができるようになっている。

【００７４】同図では、同期クロック発生回路７が外部
から入力される周波数設定信号Ｍ１・Ｍ２に応じて書き
換え周波数の設定を変えるようになっている。周波数設
定信号の数は任意でよいが、例えばこのように２種類の
周波数設定信号Ｍ１・Ｍ２があるとすると、表１に示す
ように書き換え周波数を４通りに設定することができ
る。

【００７５】

【表１】

【００７６】なお、書き換え周波数の設定はこの例のよ
うに同期クロック発生回路７に複数の周波数設定信号が
入力されるようになっていてもよいし、同期クロック発
生回路７に書き換え周波数調整用のボリュームや選択用
のスイッチなどが備えられていてもよい。もちろん使用
者が設定しやすいように液晶表示装置１の筐体外周面に
書き換え周波数調整用のボリュームや選択用のスイッチ
などが備えられていてもよい。同期クロック発生回路７
は少なくとも外部からの指示に応じて書き換え周波数の
設定が変えられる構成であればよい。あるいは、表示す
る画像に合わせて自動で書き換え周波数が切り換わるよ
うに設定することも可能である。

【００７７】ゲートドライバ３は、コントロールＩＣ５
から受け取ったゲートスタートパルス信号ＧＳＰを合図
に液晶パネル２の走査を開始し、ゲートクロック信号Ｇ
ＣＫに従って各走査信号線に順次選択電圧を印加してい
く。ソースドライバ４は、コントロールＩＣ５から受け
取ったソーススタートパルス信号ＳＰを基に、送られて
きた各画素の階調データをソースクロック信号ＳＣＫに
従ってレジスタに蓄え、次のソーススタートパルス信号
ＳＰに従って液晶パネル２の各データ信号線に階調デー
タを書き込む。

【００７８】次に、図２に液晶パネル２の断面構成を示
す。同図は後述する図１のＡ−Ａ断面図に相当する。液
晶パネル２はアクティブマトリクス型で反射型の液晶パ
ネルであり、２枚のガラス基板１１・１２にネマチック
液晶などの液晶層１３が挟持され、ガラス基板１２上に
アクティブ素子としてのＴＦＴ１４…が形成された基本
構成を有している。なお、本実施の形態ではアクティブ
素子としてＴＦＴを用いるが、ＭＩＭ(Metal Insulator
Metal) などの２端子素子や、３端子素子としてＴＦＴ
以外のＦＥＴなどを用いることもできる。ＴＦＴ１４や
その他のＦＥＴは、走査信号によって選択期間にゲート
に選択電圧が印加されることによってソース・ドレイン
間が導通して選択状態となる。２端子素子は後述するよ
うな構成において、一方の端子に走査信号による電圧が
印加され、他方の端子に液晶を介してデータ信号に応じ
た電圧が印加され、選択期間に走査信号による印加電圧
とデータ信号による印加電圧とによって両端子が導通し
て選択状態となる。

【００７９】ガラス基板１１の上面には、入射光の状態
を制御するための位相差板１５、偏光板１６、および反
射防止膜１７がこの順で設けられている。ガラス基板１
１の下面には、ＲＧＢのカラーフィルタ１８、および対
向電極としての透明共通電極１９がこの順で設けられて
いる。カラーフィルタ１８によりカラー表示が可能とな
っている。

【００８０】各ＴＦＴ１４においては、ガラス基板１２
上に設けられた走査信号線の一部をゲート電極２０と
し、その上にゲート絶縁膜２１が形成されている。ゲー
ト絶縁膜２１を挟んでゲート電極２０と対向する位置に
ｉ型アモルファスシリコン層２２が設けられ、ｉ型アモ
ルファスシリコン層２２のチャネル領域を挟むようにｎ
⁺ 型アモルファスシリコン層２３・２３が形成されてい
る。一方のｎ⁺ 型アモルファスシリコン層２３の上面に
はデータ信号線の一部をなすデータ電極２４が形成さ
れ、他方のｎ⁺ 型アモルファスシリコン層２３の上面か
らゲート絶縁膜２１の平坦部上面にわたってドレイン電
極２５が引き出されて形成されている。ドレイン電極２
５の引き出し開始箇所と反対側の一端は、後述する図１
に示すように補助容量配線３３と対向する矩形の補助容
量用電極パッド２７ａと接続されている。ＴＦＴ１４…
の上面には層間絶縁膜２６が形成されており、層間絶縁
膜２６の上面には反射電極２７ｂ…が設けられている。
反射電極２７ｂ…は周囲光を用いて反射型表示を行うた
めの反射部材である。反射電極２７ｂ…による反射光の
方向を制御するために、層間絶縁膜２６の表面には微細
な凹凸が形成されている。

【００８１】さらに、各反射電極２７ｂは、層間絶縁膜
２６に設けたコンタクトホール２８を通じてドレイン電
極２５と導通している。すなわち、データ電極２４から
印加されてＴＦＴ１４により制御される電圧は、ドレイ
ン電極２５からコンタクトホール２８を介して反射電極
２７ｂに印加され、反射電極２７ｂと透明共通電極１９
との間の電圧によって液晶層１３が駆動される。すなわ
ち、補助容量用電極パッド２７ａと反射電極２７ｂとは
互いに導通し、また反射電極２７ｂと透明共通電極１９
との間に液晶が介在している。このように、補助容量用
電極パッド２７ａと反射電極２７ｂとは画素電極２７を
構成しており、表示状態を決定する電荷が選択状態にあ
るＴＦＴ１４を介して書き込まれる電気容量（後述する
液晶容量Ｃ_LC）が、画素電極２７と透明共通電極１９と
の間に液晶が介在して形成されている。透過型の液晶表
示装置の場合は、上記各電極に相当するように配置され
た画素電極が透明電極となる。また、図２の液晶パネル
は透明共通電極１９が画素電極２７とは異なるガラス基
板１２上に設けられたものであるが、本実施の形態では
これに限らず、共通電極が画素電極と同一基板上に設け
られるいわゆるＩＰＳ（In Plane Switching) モードの
構造の液晶パネルであってもよい。

【００８２】さらに液晶パネル２には、図２のうち液晶
層１３より下方の部分を上方から見た図１に示すよう
に、ＴＦＴ１４のゲート電極２０に走査信号を供給する
走査信号線３１…と、ＴＦＴ１４のデータ電極２４にデ
ータ信号を供給するデータ信号線３２…とがガラス基板
１２上に直交するように設けられている。そして、補助
容量用電極パッド２７ａ…のそれぞれと対向する補助容
量配線３３…が設けられている。一対の補助容量用電極
パッド２７ａと補助容量配線３３とは、後述する画素に
おいて前記電気容量（液晶容量Ｃ_LC）に対する補助容量
（後述する補助容量Ｃ_CS）を形成する電極である。補助
容量配線３３…は走査信号線３１…以外の位置で、すな
わち走査信号線３１…の位置を避けて、一部がゲート絶
縁膜２１を挟んで補助容量用電極パッド２７ａ…と対を
なすようにガラス基板１２上に走査信号線３１…と平行
に設けられており、補助容量用電極パッド２７ａ…とと
もに、走査信号線３１…との間に容量結合が略生じない
ようになっている。この場合に限らず、補助容量用電極
パッド２７ａ…および補助容量配線３３…は走査信号線
３１…との間に容量結合を略生じない位置となるように
設けられていればよい。なお、反射電極２７ｂ…と走査
信号線３１…との間の容量結合は、当然、無視すること
ができるほど小さい。

【００８３】液晶パネル２を上方から見て、隣接する走
査信号線３１・３１および隣接するデータ信号線３２・
３２でおよそ囲まれる区画の、ガラス基板１１・１２、
液晶層１３、ＴＦＴ１４、位相差板１５、偏光板１６、
反射防止膜１７、カラーフィルタ１８、透明共通電極１
９、層間絶縁膜２６、画素電極２７、および補助容量配
線３３は１つの画素を構成する要素である。各画素は、
走査信号線３１…の内の１つおよびデータ信号線３２…
のうちの１つに接続されており、走査信号およびデータ
信号に基づいて、ＴＦＴ１４が周期的に選択状態となっ
て表示状態を決定する電荷がＴＦＴ１４を介して所定の
電気容量（後述する液晶容量Ｃ_LC）に書き込まれる。な
お、同図では補助容量用電極パッド２７ａ…と補助容量
配線３３…との位置関係が明確になるように反射電極２
７ｂ…の図示を一部省略してある。また、図２における
層間絶縁膜２６の表面の凹凸は図１では図示していな
い。

【００８４】なお、アクティブ素子にＭＩＭなどの２端
子素子を用いる場合には、図１の各ＴＦＴ１４の位置に
２端子素子を設けてデータ信号線３２に相当するデータ
信号線と画素電極２７に相当する画素電極との間に直列
に接続する。そして、走査信号線３１に相当する各走査
信号線を２端子素子とは接続せずに、液晶層１３に相当
する液晶層を介して補助容量電極パッド２７ａに相当す
る補助容量電極パッドと対向するように画素ごとに設け
られた対向電極（透明電極）に接続する。この場合の１
つの画素は、隣接する走査信号線および隣接するデータ
信号線でおよそ囲まれる区画の、ＴＦＴ１４…を用いる
場合の前記液晶パネル２と対応する要素により構成され
ている。また、３端子素子としてＴＦＴ以外のＦＥＴを
用いる場合の構成については電気的接続はＴＦＴ１４…
を用いる場合と同様であるので、説明を省略する。

【００８５】アクティブ素子に３端子素子を用いる上記
の構成の液晶パネル２における、１画素についての等価
回路を図４（ａ）・（ｂ）に示す。同図（ａ）は、透明
共通電極１９と反射電極２７ｂとで液晶層１３を挟持す
ることにより形成した液晶容量Ｃ_LCと、補助容量用電極
パッド２７ａと補助容量配線３３とでゲート絶縁膜２１
を挟持することにより形成した補助容量Ｃ_CSとをＴＦＴ
１４に接続し、透明共通電極１９および補助容量配線３
３を一定の直流電位とした等価回路である。同図（ｂ）
は、上記液晶容量Ｃ_LCの透明共通電極１９にバッファを
介して交流電圧Ｖａを印加し、上記補助容量Ｃ_CSの補助
容量配線３３にバッファを介して交流電圧Ｖｂを印加す
るようにした等価回路である。交流電圧Ｖａと交流電圧
Ｖｂとは電圧振幅が等しく、位相が揃っている。従っ
て、この場合は透明共通電極１９の電位と補助容量配線
３３の電位とは互いに同位相で振動する。また、同図
（ａ）のように液晶容量Ｃ_LCと補助容量Ｃ_CSとが並列に
接続されている構成で、一定の直流電位に代えてバッフ
ァを介した共通の交流電圧を印加する場合もある。

【００８６】これらの等価回路において、走査信号線３
１に選択電圧を印加してＴＦＴ１４をＯＮ状態とし、デ
ータ信号線３２から液晶容量Ｃ_LCと補助容量Ｃ_CSとにデ
ータ信号を印加する。次に、走査信号線３１に非選択電
圧を印加してＴＦＴ１４をＯＦＦ状態とすることによ
り、画素は液晶容量Ｃ_LCと補助容量Ｃ_CSとに書き込まれ
た電荷を保持する。ここで、前述したように画素の補助
容量Ｃ_CSを形成する補助容量配線３３を走査信号線３１
との間に容量結合を略生じない位置となるように設けて
いるので、上記容量結合を無視して等価回路を図示して
いる。この状態で同期クロック発生回路７により液晶容
量Ｃ_LCの電荷、すなわち液晶パネル２の画面を３０Ｈｚ
以下の書き換え周波数で書き換える設定を行えば、従来
のようにＣｓオンゲート構造で補助容量を形成していた
場合と異なり、図１における１ライン上の走査信号線３
１など走査信号線の電位変動による液晶容量Ｃ_LCの電極
である画素電極２７の電位変動は抑制される。アクティ
ブ素子が２端子素子である場合も同様である。

【００８７】３０Ｈｚ以下の低周波数駆動とすることに
よって、走査信号の周波数が減少して走査信号ドライバ
の消費電力が十分に削減されるとともに、データ信号の
極性反転周波数が減少し、データ信号ドライバ、図１の
構成の場合はソースドライバ４の消費電力が十分に削減
される。また、画素電極２７の電位変動が抑制されるこ
とによって、チラツキのない安定した表示品位が得られ
る。

【００８８】次に、サイズを対角０．１ｍ、走査信号線
３１を２４０本、データ信号線３２を３２０×３本とし
た液晶パネル２の特性を解析した結果について説明す
る。

【００８９】図５（ａ）・（ｂ）は、前記液晶層１３に
用いた液晶（メルク社製ZLI-4792）について、書き込み
時間を一定（例えば１００μｓｅｃ）に固定したときの
液晶電圧保持率Ｈｒの駆動周波数（書き換え周波数）依
存性を測定した結果である。同図（ｂ）は同図（ａ）の
うち駆動周波数が０Ｈｚ〜５Ｈｚの領域を拡大した図で
ある。また、図６は、ＴＦＴ１４のＯＦＦ抵抗値と、Ｔ
ＦＴ１４のゲート電極２０の電位、すなわち走査信号線
３１の電位との関係を測定した結果である。液晶電圧保
持率ＨｒおよびＴＦＴ１４のＯＦＦ抵抗値が十分でない
と、液晶容量Ｃ _LCと補助容量Ｃ_CSとに書き込まれた電荷
がＴＦＴ１４の非選択期間に漏れてしまい、図７に示す
ように画素電極２７の電位が変動して、反射電極２７ｂ
からの反射光強度が変動する。

【００９０】画素電極２７の電位、および反射電極２７
ｂからの反射光強度が関係する画素電圧保持率Ｐは、 Ｐ＝Ｖ₁ ・ｅｘｐ［−Ｔ／｛（Ｃ_LC＋Ｃ_CS）・Ｒ｝］／Ｖ （１） で表される。ただし、 Ｖ₁ ＝Ｖ−｛Ｖ・（１−Ｈｒ（Ｔ））×Ｃ_LC／（Ｃ_LC＋
Ｃ_CS）｝ Ｔ：ＴＦＴ１４の非選択期間 Ｈｒ（Ｔ）：図５において、ある駆動周波数における時
間Ｔ後の液晶電圧保持率 Ｖ：書き込み直後の画素電極２７と透明共通電極１９と
の電位差 Ｒ：図６におけるＴＦＴ１４のＯＦＦ抵抗値 である。Ｖ₁ ・ｅｘｐ［−Ｔ／｛（Ｃ_LC＋Ｃ_CS）・
Ｒ｝］は、書き込んでから時間Ｔ後の画素電極２７と透
明共通電極１９との電位差である。

【００９１】例えばＴ＝１８０ｍｓｅｃとしたときの液
晶電圧保持率Ｈｒ（Ｔ）、ＴＦＴ１４の非選択時の抵抗
値すなわちＯＦＦ抵抗値Ｒ、液晶容量Ｃ_LC、および補助
容量Ｃ_CSを表２のように設定して画素電圧保持率Ｐを式
（１）から計算すると、９９．７％となる。

【００９２】

【表２】

【００９３】そこで、画素電圧保持率Ｐとチラツキの知
覚限界について詳細な検討を行った。図８（ａ）に示す
ように、内側に透明電極４３を形成したガラス基板４２
を２枚向かい合わせ、さらに透明電極４３・４３の間に
液晶層４４を挟持したチラツキ評価用セル４１を作製し
た。そして、このチラツキ評価用セル４１の２つの透明
電極４３・４３間に、信号発生装置４５から電圧を印加
した。信号発生装置４５から出力される電圧波形を同図
（ｂ）に示す。同図においてＶｓを２Ｖ、非選択期間Ｔ
を３２ｍｓｅｃ（約３０Ｈｚ）〜１６７ｍｓｅｃ（約６
Ｈｚ）の間で変化させてＶｅを変化させる。チラツキ評
価用セル４１は初めＶｓの電圧に充電されるが、徐々に
電圧が低下してＶｅとなる。次に、−Ｖｓの電圧を印加
するとチラツキ評価用セル４１の明るさが変化するが、
このときの明るさの変化、すなわちチラツキを目視で確
認する。

【００９４】ここで、Ｖｅ／Ｖｓが実際の液晶表示装置
１における画素電圧保持率Ｐに相当する。画素電圧保持
率Ｐとチラツキの発生状況について詳細に観察したとこ
ろ、表３に示すような結果が得られた。

【００９５】

【表３】

【００９６】なお、○：チラツキが知覚されない、 △：チラツキがやや知覚される、 ×：チラツキが知覚される、 である。

【００９７】これにより、画面の書き換え周波数を３０
Ｈｚ以下としても特にチラツキのない安定した表示品位
の液晶パネル２を得るためには、画素電圧保持率Ｐ≧
０．９として画素電極２７…の電位変動がほとんど生じ
ないようにすればよいことが分った。

【００９８】以上の構成の液晶表示装置１で低周波数駆
動を行った場合の走査信号波形、データ信号波形、画素
電極２７の電位、および反射電極２７ｂからの反射光強
度を図９（ａ）ないし（ｅ）に示す。画面の書き換え周
波数は６０Ｈｚの１０分の１である６Ｈｚとした。詳し
くは、６Ｈｚに相当する書き換え周期１６７ｍｓｅｃの
うち、走査信号線３１…の１本当たりの選択期間を０．
７ｍｓｅｃ、非選択期間を１６６．３ｍｓｅｃとした。
データ信号線３２…に供給するデータ信号を１走査信号
ごとに極性を反転させ、かつ、１つの画素には書き換え
ごとに極性反転したデータ信号が入力されるように駆動
を行った。

【００９９】同図（ａ）は、注目している画素の走査信
号線３１よりも１ライン上の走査信号線３１に出力され
る走査信号波形を、同図（ｂ）は注目している画素（自
段）の走査信号線３１に出力される走査信号波形を、同
図（ｃ）は注目している画素のデータ信号線３２に出力
されるデータ信号波形を、同図（ｄ）は注目している画
素の画素電極２７の電位を示す。同図（ａ）および
（ｄ）から分かるように、１ライン上の走査信号線３１
に選択電圧が印加されているときに、画素電極２７の電
位は安定している。このとき反射電極２７ｂからの反射
光強度を測定したところ、同図（ｅ）に示すように反射
光強度の変化はほとんど確認されなかった。また、目視
による評価の結果でも、チラツキがなく均一で良好な表
示品位が得られることが確認された。

【０１００】これに対し、図１０に示すように１ライン
上の走査信号線３１’…に補助容量用電極パッド２７
ａ’…を対向させて補助容量を形成する従来のＣｓオン
ゲート構造では、図１１（ａ）ないし（ｅ）の結果が得
られた。同図（ａ）および（ｄ）から分かるように、１
ライン上の走査信号線３１’に選択電圧が印加されてい
るときに、画素電極２７’の電位が大きく変動してい
る。この結果、同図（ｅ）に示すように反射電極２７
ｂ’からの反射光強度も変動してしまい、目視による評
価の結果でもチラツキが知覚された。

【０１０１】そこで、走査信号による画素電極の電位変
動とチラツキの知覚限界について詳細な検討を行った。
図８（ａ）に示すチラツキ評価用セル４１に図２６に示
す波形の電圧を印加した。図２６において電圧Ｖ１は所
定の階調を表示するために液晶層４４（透明電極４３・
４３間）に印加される電圧であり、実際の液晶表示装置
におけるドレイン−コモン間電圧（画素電極の電位）、
すなわち表示状態を決定する電荷が書き込まれる所定の
電気容量の電圧に相当する。また、電圧Ｖ１に重畳され
ているパルス電圧Ｖｐが走査信号線の走査により発生し
て電圧Ｖ１に加わるノイズであり、パルス電圧Ｖｐの重
畳分が電圧Ｖ１の変動分である。

【０１０２】ここでパルス電圧Ｖｐのパルス幅を５０μ
ｓｅｃ、電圧Ｖ１の変化周期Ｔｃ（所定の電気容量の電
荷を書き換える周期に相当）を３３．３ｍｓｅｃ〜１６
７ｍｓｅｃの範囲でスイープし、電圧Ｖｐの値を変化さ
せてチラツキの状況を確認したところ表４に示すような
結果となった。

【０１０３】

【表４】

【０１０４】なお、○：チラツキが知覚されない、 △：チラツキがやや知覚される、 ×：チラツキが知覚される、 である。

【０１０５】同表より、画面の書き換え周波数を３０Ｈ
ｚ以下としても（変化周期Ｔを３３．３ｍｓｅｃ以上と
しても）、チラツキのない液晶パネルを得るには、走査
に伴う画素電極の電位変動（所定の電気容量の電圧の変
動）を３Ｖ以下とするのが好ましいことが分かる。な
お、通常の液晶パネルでは、画素電極と自身の画素に接
続される走査信号線との間の容量結合は小さく、自身の
画素の選択期間における走査に伴う画素電極の電位変動
は２Ｖ以下、より詳しくは１Ｖ程度である。従って、自
身の画素に接続される走査信号線からの電圧Ｖ１の変動
分によって、通常、チラツキが知覚されることはなく、
画素電極の電位変動を３Ｖ以下に抑えることは、特に非
選択期間Ｔにおいて重要となる。

【０１０６】前述した液晶パネル２には、補助容量用電
極パッド２７ａ…および補助容量配線３３…が走査信号
線３１…との間に容量結合が略生じない位置となるよう
に設けられているので、選択期間はもちろん、非選択期
間Ｔにおいても、走査信号の供給に伴って走査信号線３
１…から加わるノイズによって液晶容量Ｃ_LCの電圧はほ
とんど変動しない。このように、液晶パネル２は、上記
走査信号の供給に伴って走査信号線３１…から液晶容量
Ｃ_LCの電圧に加わるノイズによる上記電圧の変動を、表
示状態にチラツキが知覚されない値以下（ここでは３Ｖ
以下）に抑制するように構成されている。

【０１０７】また、図１０のように走査信号線３１’に
補助容量用電極パッド２７ａ’を対向させて液晶容量Ｃ
_LCの補助容量Ｃ_CSを形成するＣｓオンゲート構造の液晶
パネルでは、補助容量Ｃ_CSを介して画素電極２７’の電
位が変動し、その変動分ΔＶｐは、 ΔＶｐ＝ΔＶｇ×Ｃ_CS／（Ｃ_CS＋Ｃ_LC＋Ｃ_GD＋Ｃ_SD） （２） ただし、ΔＶｇ：走査信号線電位変動値 Ｃ_GD：トランジスター部の走査信号線３１’と画素電極
２７’とで形成される容量 Ｃ_SD：画素とデータ信号線とで形成される容量 で決定される。一般にＣ_LC≫Ｃ_GD、Ｃ_LC≫Ｃ_SDであり、
例えばΔＶｇ＝２５Ｖの場合、Ｃ_LCがＣ_CSの１０倍以上
であれば、略ΔＶｐ＜３Ｖとなる。従って、Ｃｓオンゲ
ート構造の液晶パネルを有する液晶表示装置でも、走査
信号線３１’…に供給される走査信号に対応して、上記
走査信号の供給に伴って走査信号線３１’…から液晶容
量Ｃ_LCの電圧に加わるノイズによる上記電圧の変動を３
Ｖ以下、すなわち表示状態にチラツキが知覚されない値
以下に抑制するように構成されていれば、表示のチラツ
キをなくすことができる。

【０１０８】本実施の形態の液晶パネル２のような、Ｃ
ｓオンコモン相当の構造の、ＴＦＴ駆動の液晶パネル
で、低周波駆動を行うことは、理想的には上記チラツキ
評価用セル４１（標準セル）に低周波の矩形波を印加す
ることと同等である。過去においては、液晶精製技術が
十分ではなく液晶に含まれる不純物濃度が比較的高かっ
た。これは、液晶材料の抵抗値に対して低周波数の書き
換えのための最適設計がなされていなかったことに相当
する。そして、本件出願人がそのような液晶をチラツキ
評価用セル４１の液晶層４４に用いて低周波の矩形波を
印加すると印加電圧の極性反転時に液晶が応答し、フリ
ッカー（チラツキ）が確認された。これは、極性反転時
に不純物イオンの移動に伴う電荷の授受が発生して電圧
ドロップが起こったためと考えられる。またチラツキ
は、Ｃｓオンゲート構造の方が、走査信号が一定条件の
下に補助容量を介して画素電極電位に大きな変動を与え
るため、Ｃｓオンコモン構造よりも大きく認められる。
このような現象は現在でも「故意に不純物を混入させた
液晶材料」や「管理状態の悪い液晶材料」あるいは「管
理状態の悪いセル」を用いることで再現する。従って、
従来では、チラツキを不可視化するためには極性反転周
波数を３０Ｈｚ以上にすることが必然であったことが分
かった。

【０１０９】これに対して、現在の「高度に精製された
液晶材料」を用い、かつ「高度にクリーン化された工程
で作製されたセル」を用いると、３０Ｈｚ以下で駆動し
てもチラツキは確認できない。これは、液晶中の不純物
の移動が無視できるほど小さく、極性反転に伴う電荷の
授受が発生せず電圧ドロップが起こらないためと考えら
れる。このように、３０Ｈｚ以下でもチラツキを生じる
ことなく駆動することができるということが、本件出願
人によって初めて確認された。また、液晶表示装置はＣ
ＲＴとは異なって常に表示状態を保つ「ホールド型表
示」を行うものであって、静止画を表示する場合は高速
の電荷書き換えを行う必要がないにも関わらず、従来で
は前述したようにＣＲＴの高速書き換えに従って、６０
Ｈｚのような高周波数で書き換えることしか行っていな
かった。このように、従来では低周波駆動を行うという
思想すらなく、本実施の形態の液晶表示装置１における
液晶パネル２ようなＣｓオンコモン相当の構造や、その
他の構造で、画素電極の電位変動を小さくした上で３０
Ｈｚ以下の低周波駆動を行うという発想には至るすべも
なかった。

【０１１０】次に、さらに液晶表示装置１の消費電力を
測定したところ、画面の書き換え周期を１６．７ｍｓｅ
ｃ（書き換え周波数６０Ｈｚ）として駆動したときに１
６０ｍＷであったのに対し、画面の書き換え周期を１６
７ｍｓｅｃ（書き換え周波数６Ｈｚ）として駆動したと
きには４０ｍＷとなり、大きく低減することが確認され
た。

【０１１１】書き換え周波数を３０Ｈｚ以下に設定する
例として、図９では６Ｈｚを挙げたが、書き換え周波数
の好ましい範囲は０．５Ｈｚ以上３０Ｈｚ以下である。
図５（ｂ）から分かるように、液晶電圧保持率Ｈｒは約
９７％となる１Ｈｚあたりから低下し、約９２％となる
０．５Ｈｚより低くなると急激に低下する。液晶電圧保
持率Ｈｒがあまり小さくなると、液晶層１３やＴＦＴ１
４の漏れ電流に起因して画素電極２７の電位が変動して
明るさが変化し、チラツキが生じることになる。また、
ここで議論している書き込みから１ｓｅｃ〜２ｓｅｃ後
といった時間領域ではＴＦＴ１４のＯＦＦ抵抗値は大き
く変動することはない。従って、表示のチラツキは液晶
電圧保持率Ｈｒに大きく依存する。

【０１１２】このことから、書き換え周波数を３０Ｈｚ
以下としながら、下限を０．５Ｈｚとして画素電極２７
の電位変動を十分に抑制する。これにより、十分な低消
費電力化と確実な画素のチラツキ防止とを達成すること
ができる。さらに好ましくは、書き換え周波数を１５Ｈ
ｚ以下として消費電力を極めて大きく低減しながら、下
限を１Ｈｚとして画素電極２７の電位変動を極めて小さ
くなるように抑制する。これにより、極めて大きな低消
費電力化とより確実な画素のチラツキ防止とを達成する
ことができる。

【０１１３】また、前述したように、同期クロック発生
回路７は書き換え周波数を複数通りに設定可能である。
従って、例えば静止画や動きの少ない画像を表示する場
合には書き換え周波数を３０Ｈｚ以下に設定して低消費
電力化を図り、動画を表示する場合には書き換え周波数
を３０Ｈｚ以上に設定してスムーズな表示を確保するな
ど、表示する画像の状態に適した書き換え周波数の設定
を行うことができる。このような複数の書き換え周波数
のそれぞれを、１５Ｈｚ、３０Ｈｚ、６０Ｈｚといった
ように最も低い書き換え周波数の整数倍の関係に設定す
れば、全ての書き換え周波数に共通の基準同期信号を使
用することができるのに加えて、書き換え周波数を切り
換えた場合に供給するデータ信号の間引きあるいは追加
を簡単に行うことができる。さらに、この例のように１
５Ｈｚの２倍の３０Ｈｚ、また１５Ｈｚの４倍の６０Ｈ
ｚといったように書き換え周波数のそれぞれを、最も低
い書き換え周波数の２の整数乗倍の関係に設定すれば、
最も低い周波数の論理信号を２の整数乗分の１で分周す
ることにより周波数変換を行う通常の簡単な分周回路を
用いて、書き換え周波数のそれぞれを生成することがで
きる。

【０１１４】また、液晶表示装置１では、液晶パネル２
の表示内容を異なる画像に更新する周期、すなわち各画
素に異なる画像のデータを供給して表示状態の更新を行
わせるためのデータ信号を供給する周期を決めるリフレ
ッシュ周波数が設定される。書き換え周波数とリフレッ
シュ周波数との関係を以下のように特定することによ
り、液晶パネル２の特性を向上させることができる。

【０１１５】例えば、複数種類の書き換え周波数のうち
少なくとも最も低いものをリフレッシュ周波数の２以上
の整数倍に設定すれば、そのように設定した書き換え周
波数では前の更新から次の更新までの同一の表示内容に
対して、書き換え周波数に基づいた各画素の選択回数が
２以上の整数回となる。リフレッシュ周波数を３Ｈｚと
すれば、図９の例において６Ｈｚの書き換え周波数はリ
フレッシュ周波数の２倍となるので、前の更新から次の
更新までに同じ画素に正極性のデータ信号と負極性のデ
ータ信号とを１回ずつ供給することができる。従って、
同一の表示内容に対して、交流駆動によって画素電極２
７の電位の極性を反転させて表示することができ、液晶
パネル２に用いられる液晶の信頼性が向上する。

【０１１６】また、同期クロック発生回路７を、リフレ
ッシュ周波数の変更に合わせて、少なくとも最も低い書
き換え周波数を、変更後のリフレッシュ周波数の２以上
の整数倍に変更することができるようにすれば、リフレ
ッシュ周波数を変更しても、そのように設定を変更した
書き換え周波数では液晶パネル２での同一の表示内容に
対して、交流駆動によって画素電極２７の電位の極性を
反転させて表示することができる。従って、液晶パネル
２に用いられる液晶の信頼性を容易に維持することがで
きる。例えば、リフレッシュ周波数を３Ｈｚから４Ｈｚ
に変更した場合、６Ｈｚ、１５Ｈｚ、３０Ｈｚといった
書き換え周波数を、８Ｈｚ、２０Ｈｚ、４０Ｈｚといっ
た書き換え周波数に変更することができるようになって
いる。さらに、上記条件を満たした状態で最も低い書き
換え周波数を６Ｈｚのように２以上の整数に設定すれ
ば、リフレッシュ周波数が１Ｈｚ以上となって画面の表
示内容を１秒間に１回以上更新することができるので、
液晶パネル２の画面に時計を表示する場合に、秒表示を
正確に１秒間隔で行うことができる。

【０１１７】以上に述べたように、本実施の形態の液晶
表示装置１によれば、アクティブ素子を有する構成にお
いて、良好な表示品位を保ったまま低消費電力化を達成
することができる。また、液晶表示装置１が反射電極２
７ｂ…を備え、バックライトを必要としない反射型液晶
表示装置であることから、３０Ｈｚ以下の駆動による低
消費電力化の割合が大きい液晶表示装置となる。これは
液晶パネルの裏面に反射部材が設けられている反射型液
晶表示装置についても同様である。

【０１１８】さらに、上記液晶表示装置１は、携帯電
話、ポケットゲーム機、ＰＤＡ(Personal Digital Assi
stants) 、携帯ＴＶ、リモートコントロール、ノート型
パーソナルコンピュータ、その他の携帯端末など、携帯
機器を初めとする各種の電子機器に搭載可能である。バ
ッテリー駆動される電子機器に搭載すれば、良好な表示
品位を保ったままの低消費電力化が図れる液晶表示装置
１を搭載していることにより、長時間駆動が容易にな
る。

【０１１９】なお、以上では走査信号線と容量結合が略
生じないように設けられた補助容量用電極パッドと補助
容量配線とにより所定の電気容量に対する補助容量が形
成された表示素子の例について述べたが、本発明を実施
するにあたって表示素子はこの例の構成に限定されるも
のではなく、補助容量Ｃ_CS＝0 として式（１）を満たせ
ば補助容量配線を配置しない構成の表示素子（液晶表示
素子）であってもよい。例えば、補助容量Ｃ_CS＝0 の場
合の表示素子として、図１の液晶パネル２から、ドレイ
ン電極２５…、補助容量用電極パッド２７ａ…、および
補助容量配線３３…を取り除き、ＴＦＴ１４…の各ドレ
インを反射電極２７ｂに接続した構成が挙げられる。

【０１２０】また、このような構成における１画素分の
等価回路を図２７に示す。同図の等価回路は、図４
（ａ）の等価回路から補助容量用電極パッド２７ａと補
助容量配線３３とで形成される補助容量Ｃ_CSを取り除い
たものに相当する。本実施の形態において補助容量Ｃ_CS
＝0 の場合でも式（１）で表される画素電圧保持率Ｐは
９９．５％となり、書き換え周波数を３０Ｈｚ以下とし
もチラツキのない表示が得られる。従って、このような
構成を備えた表示装置においても、良好な表示品位を保
ったまま低消費電力化を達成することができる。

【０１２１】また、画素電極と走査信号線との間に容量
結合が無視できない程度に生じている場合にも、以下に
示す条件を満たしていれば、液晶パネルが、走査信号の
供給に伴って走査信号線から液晶容量Ｃ_LCの電圧に加わ
るノイズの変動を、表示状態にチラツキが知覚されない
値以下に抑制するように構成されていることになる。前
述の式（２）は補助容量用電極パッド２７ａ’と走査信
号線３１’との間の容量（補助容量Ｃ_CS）を介して画素
電極２７’にもたらされる電位の変動を記述したもので
ある。また、画素電極２７’と走査信号線３１’との間
の容量は、電極間距離、電極間に存在する物質の誘電
率、および電極が相対する面積によって変化する。従っ
て、画素電極２７’と走査信号線３１’との間の結合容
量をＣ_GPとすると、結合容量Ｃ_GPを考慮に入れた場合の
画素電極２７’にもたらされる電位の変動をも式（２）
と同様の考え方で導出することができる。

【０１２２】例えばＣｓオンゲート構造の場合には、結
合容量Ｃ_GPが補助容量Ｃ_CSに含まれないとして式（２）
の容量比の分子をＣ_CS＋Ｃ_GPとし、分母をＣ_CS＋Ｃ_GP＋
Ｃ_LC＋Ｃ_GD＋Ｃ_SDとした場合のΔＶｐが画素電極２７’
の電位変動分となる。また例えばＣｓオンコモン構造の
場合には、式（２）の容量比の分子をＣ_GPとし、分母を
Ｃ_CS＋Ｃ_GP＋Ｃ_LC＋Ｃ_GD＋Ｃ_SDとした場合のΔＶｐが画
素電極の電位変動分となる。また例えば補助容量Ｃ_CSが
設けられない構造の場合には、（２）の容量比の分子を
Ｃ_GPとし、分母をＣ_GP＋Ｃ_LC＋Ｃ_GD＋Ｃ_SDとした場合の
ΔＶｐが画素電極の電位変動分となる。従って、上記の
ΔＶｐが一定値以下（前述の例では３Ｖ以下に相当）で
あれば、表示状態にチラツキが生じない。

【０１２３】前述したように液晶パネル２の補助容量用
電極パッド２７ａ…および補助容量配線３３…が走査信
号線３１…との間に容量結合が生じない位置となるよう
に設けられている、ということは、上述の結合容量Ｃ_GP
の一部となるような容量が補助容量用電極パッド２７ａ
…および補助容量配線３３…と走査信号線３１…との間
に生じず、走査に伴うΔＶｐが一定値以下となることを
意味する。また、前述したように液晶パネル２の反射電
極２７ｂ…と走査信号線３１…との間の容量結合が無視
できるほど小さい、ということは、上述の結合容量Ｃ_GP
の一部となるような容量が反射電極２７ｂ…と走査信号
線３１…との間に生じず、走査に伴うΔＶｐが一定値以
下となることを意味する。これにより、液晶パネル２の
表示にチラツキが生じないことになる。

【０１２４】〔実施の形態２〕本発明の表示装置を具現
する他の実施の形態について図１２ないし図１９を用い
て説明すれば以下の通りである。なお、前記実施の形態
１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素につ
いては同一の番号を付し、その説明を省略する。

【０１２５】本実施の形態に係る表示装置は、実施の形
態１で図３を用いて説明した液晶表示装置１における液
晶パネル２を、図１２および図１３に示す、表示素子、
さらには液晶表示素子としての液晶パネル５１に置き換
えた液晶表示装置である。図１３に液晶パネル５１の断
面構成を示す。同図は後述する図１２のＢ−Ｂ断面図に
相当する。液晶パネル５１はアクティブマトリクス型で
反射型の液晶パネルであり、基本構成は液晶パネル２と
同じである。最上層には液晶パネル２の反射防止膜１７
に代わって前方散乱板５２が設けられている。また、液
晶パネル２の微細な凹凸のある層間絶縁膜２６に代わっ
て、上面が平坦な層間絶縁膜５３が設けられている。さ
らに、液晶パネル２の反射電極２７ｂ…に代わって平坦
な反射電極５４ｂ…が設けられている。補助容量用電極
パッド２７ａ…に代わる補助容量用電極パッド５４ａ…
と反射電極５４ｂ…とは、液晶パネル２のコンタクトホ
ール２８…とは異なる位置に設けられたコンタクトホー
ル５５…を介してつながり、導通している。ここでは、
補助容量用電極パッド５４ａ…と反射電極５４ｂ…とを
合わせて画素電極５４としている。

【０１２６】図１３の液晶パネル５１のうち液晶層１３
より下方の部分を上方から見た状態を図１２に示す。同
図に示すように、各画素の反射電極５４ｂは、走査方向
を液晶パネル５１の上下方向とした場合の１ライン上の
画素を駆動する走査信号線３１、および１ライン上の画
素を駆動するＴＦＴ１４の上方を覆うように配置されて
いる。また、コンタクトホール５５は補助容量用電極パ
ッド５４ａのうち、補助容量配線３３と補助容量Ｃ_CSを
形成している箇所の上方に設けられている。さらに、液
晶パネル５１には、矢印Ｊの方向に配向処理が施されて
いる。

【０１２７】走査信号線３１…のそれぞれにはほとんど
の時間、非選択電圧が印加されている。この非選択電圧
は、アモルファスシリコンを使用したアクティブマトリ
クス液晶表示装置の場合、通常−１０Ｖ程度である。ま
た、液晶材料の信頼性向上のため、一般に画素電極には
通常１フィールドごとに極性が反転したデータ信号を印
加する、すなわち同一の画素に対して交流駆動すること
が好ましい。このような条件で３０Ｈｚ以下の書き換え
周波数で駆動を行うと、各画素の反射電極と１ライン上
の画素を駆動する走査信号線とが対向しないように配置
されている場合には、画素電極面と平行な方向の成分を
有する電界が発生する。しかも、データ信号が正極性の
ときと負極性のときとで電界強度に差が生じる。この結
果、画素電極のエッジにリバースチルトドメインに起因
するディスクリネーションが発生し、チラツキが知覚さ
れて表示品位を損なう場合がある。

【０１２８】そこで本実施の形態では、このような場合
を考慮して、各画素の反射電極５４ｂを、１ライン上の
画素を駆動する走査信号線３１と対向する箇所が存在す
るように配置している。従って、反射電極５４ｂのデー
タ信号を書き換えるたびにデータ信号の極性反転を行う
場合においても、該反射電極５４ｂと１ライン上の画素
の走査信号線３１（該画素に接続される走査信号線３
１）との間に、反射電極面と平行な方向の成分を有する
電界が発生しない。従って、反射電極５４ｂのエッジに
リバースチルトドメインに起因するディスクリネーショ
ンが発生するのを抑制することができる。また、上記例
では反射電極５４ｂが１ライン上の画素を駆動する走査
信号線３１と対向するようにしたが、１ライン下の画素
を駆動する走査信号線３１と対向していてもよい。すな
わち、反射電極５４ｂは、１ライン上の画素や１ライン
下の画素など、自身が属する画素のラインと走査方向に
沿った一定の向きに隣接するラインの画素を駆動する走
査信号線３１と対向していればよい。換言すれば、反射
電極５４ｂは、少なくとも、自身が属する画素と走査方
向に沿った一定の向きに隣接する画素に接続される走査
信号線３１と対向する箇所が存在するように配置されて
いればよい。なお、本実施の形態では、反射電極５４ｂ
を走査信号線３１に対向させたが、この配置の反射電極
５４ｂをそのまま光透過型の画素電極に置き換えても同
様の効果が得られる。

【０１２９】さらに各画素の反射電極５４ｂを、１ライ
ン上の画素を駆動するＴＦＴ１４と対向する箇所が存在
するように配置している。このような配置により、図１
２に示すように走査信号線３１の一部であるゲート電極
２０が走査信号線３１の本体から分岐してＴＦＴ１４ま
で延びているような場合でも、反射電極５４ｂをゲート
電極２０と対向させることができる。従って、反射電極
５４ｂとゲート電極２０との間に反射電極面と平行な方
向の成分を有する電界が発生せず、それだけ反射電極５
４ｂのエッジにリバースチルトドメインに起因するディ
スクリネーションが発生するのを抑制することができ
る。また、上記例では反射電極５４ｂが１ライン上の画
素を駆動するＴＦＴ１４と対向するようにしたが、１ラ
イン下の画素を駆動するＴＦＴ１４と対向していてもよ
い。すなわち、反射電極５４ｂは、自身が属する画素の
ラインと一定の向きに隣接するラインの画素を駆動する
ＴＦＴ１４と対向していればよい。換言すると、反射電
極５４ｂは、少なくとも、自身が属する画素と上記一定
の向きに隣接する画素のＴＦＴ１４と対向する箇所が存
在するように配置されていればよい。

【０１３０】また、このような配置により、ＴＦＴ１４
のチャネル領域を反射電極５４ｂという同一基板内のレ
イヤーで遮光することができるため、チャネル領域への
光の回り込みが減少する。チャネル領域を遮光すること
によって、チャネル領域におけるキャリアの光励起が抑
制され、非選択期間におけるＴＦＴ１４の抵抗値の低下
が防止される。これにより、画素を３０Ｈｚ以下の書き
換え周波数で駆動しても、電荷保持不良による明るさの
変動が緩和され、よりチラツキのない表示を得ることが
できる。なお、本実施の形態では、反射電極５４ｂをＴ
ＦＴ１４に対向させたが、この配置の反射電極５４ｂを
そのまま非光透過型の他の画素電極に置き換えても同様
の効果が得られる。

【０１３１】また、本実施の形態では、図１４に示すよ
うに、液晶パネル５１の表示に有効なラインのうちの、
走査方向に沿った一定の向きの起点側端部のラインとし
ての最下段のラインのさらに下にダミーラインが設けら
れている。ダミーラインには、走査信号線３１…および
補助容量配線３３…と同じ方向に延びるダミー走査信号
線５６、ダミー補助容量配線５７が設けられている。さ
らにダミー走査信号線５６とデータ信号線３２…との交
点にはそれぞれＴＦＴ５８が設けられ、その各ＴＦＴ５
８にドレイン電極２５を介して接続される補助容量用電
極パッド６１ａと、補助容量用電極パッド６１ａにコン
タクトホール６０を介して接続されるアクティブ素子遮
光層としての反射電極６１ｂとがさらに設けられてい
る。最下段のラインの走査信号線３１およびＴＦＴ１４
…は、ダミー走査信号線５６によって選択される反射電
極６１ｂ…と対向している。このように、液晶パネル５
１には、走査方向に沿った上記一定の向きの起点側端部
のラインからさらに外側に、アクティブ素子遮光層であ
る反射電極６１ｂを画素電極に用いる、表示に有効なラ
インの画素の構成を備えた画素のラインが設けられてい
る。換言すれば、液晶パネル５１には、上記一定の向き
の起点側端部の画素と上記一定の向きとは逆向きに隣接
して、アクティブ素子遮光層である反射電極６１ｂを画
素電極に用いる、表示に有効な画素の構成を備えた画素
が設けられている。

【０１３２】反射電極６１ｂ…によって最下段のライン
のＴＦＴ１４…を遮光することができるので、非選択期
間における該ＴＦＴ１４…の抵抗値の低下が防止され
る。従って、画素を３０Ｈｚ以下の書き換え周波数で駆
動しても、電荷保持不良による明るさの変動が緩和さ
れ、よりチラツキのない表示を得ることができる。ま
た、反射電極６１ｂ…は非光透過型の電極であって、反
射電極５４ｂ…と同様にデータ信号線３２…によってデ
ータ信号が供給されるので、交流駆動が可能である。反
射電極５４ｂ…の交流駆動を行うことにより、例えば反
射電極５４ｂ…に電気的に接続されたＴＦＴ５８…がＯ
ＦＦ状態であって反射電極５４ｂ…が電気的に浮いてい
るときなどに、反射電極５４ｂ…にコントロールされな
い電荷が蓄積されて液晶に直流電圧が印加されることが
避けられる。従って、反射電極５４ｂ…周辺の液晶の劣
化が防止されて液晶材料の信頼性が向上し、ひいては表
示画素部の信頼性が向上する。なお、上記例では、反射
電極６１ｂ…が最下段のラインのＴＦＴ１４…を遮光す
るようになっているが、図１４において液晶パネル５１
を上下反転させた場合は、前述した隣接の向きを規定す
る”一定の向き”を上下反転させることになるので、最
上段のラインのＴＦＴ１４…を遮光することになる。こ
のように、反射電極６１ｂ…は上記一定の向きの起点側
端部のラインのＴＦＴ１４…を遮光する、すなわち、表
示に有効な画素のうち上記一定の向きの起点側端部の画
素のＴＦＴ１４…を遮光するものである。

【０１３３】さらに、ＴＦＴ５８…はダミー走査信号線
５６から走査信号が供給されて選択状態となったとき
に、データ信号線３２…から反射電極６１ｂ…にデータ
信号を伝達する構成であるので、最下段のラインの画素
も、それよりも上段のラインの画素と同様の構成とな
り、液晶パネル５１の走査方向の構造の繰り返し連続性
が保たれる。従って、最下段のラインの画素とそれより
も上段のラインの画素との電圧印加状態が等しくなり、
液晶材料の信頼性が向上する。なお、上記例では液晶パ
ネル５１の表示に有効なラインのうちの最下段のライン
のさらに下段にダミー走査信号線５６が設けられている
が、図１４において液晶パネル５１を上下反転させた場
合は、表示に有効なラインのうちの最上段のラインのさ
らに上段にダミー走査信号線５６が設けられることにな
る。このように、ダミー走査信号線５６は、前述した一
定の向きの起点側端部のラインからさらに外側に配置さ
れるものである。

【０１３４】また、ダミーラインのＴＦＴ５８…のそれ
ぞれの上方には、ＴＦＴ５８を遮光する反射膜６２が設
けられている。反射膜６２は反射電極５４ｂ・６１ｂと
同材料かつ同工程で製造される。ここでは１つのＴＦＴ
５８に対して１つのアイランド状の反射膜６２を配した
が、ＴＦＴ５８…の全てを遮光することができるよう、
反射膜６２をダミー走査信号線５６の方向につながった
帯状のパターンとしてもよい。また、電気的に絶縁され
ている必要もない。

【０１３５】次に、図１３のカラーフィルタ１８には、
図１５（ａ）・（ｂ）に示すような遮光層６５…が備え
られていてもよい。同図（ａ）は平面透視図であり、カ
ラーフィルタ１８は複数の赤のカラーフィルタ１８
（Ｒ）のライン、緑のカラーフィルタ１８（Ｇ）のライ
ン、および青のカラーフィルタ１８（Ｂ）のラインから
なる。遮光層６５…のそれぞれは走査信号線３１…と同
一方向に配置されている。同図（ｂ）は同図（ａ）のＣ
−Ｃ断面図であり、遮光層６５…はガラス基板１１上に
設けられている。さらにこの遮光層６５…と反射電極５
４ｂ…との位置関係を図１６に示す。同図に示すように
遮光層６５…のそれぞれは反射電極５４ｂ…の配向処理
起点に近い側のエッジと対向する位置（図１２の矢印Ｊ
を参照）に設けられている。同図の例では各遮光層６５
は同一ライン上に並んだ反射電極５４ｂ…の上記エッジ
付近を５μｍ覆っている。なお、各遮光層６５は上記エ
ッジの少なくとも一部と対向していればよい。

【０１３６】このような遮光層６５…を設けることによ
り、データ信号線３２…に供給するデータ信号を１走査
期間ごとに極性反転させた場合に、反射電極５４ｂ…の
エッジに発生するリバースチルトドメインによるディス
クリネーションラインを隠すことができ、均一な表示を
行うことができる。この理由を以下に説明する。１走査
期間ごとにデータ信号の極性を反転する駆動を行うと、
図１７に示すように走査方向に隣接する反射電極５４ｂ
・５４ｂ間に走査方向成分を有する横方向電界が発生
し、反射電極５４ｂ…の配向処理起点に近い側のエッジ
にリバースチルトドメインによるディスクリネーション
ラインが発生する場合がある。発生した場合、液晶パネ
ル５１を３０Ｈｚ以上で駆動すると、このディスクリネ
ーションラインは発生したまま移動しないので表示に大
きな影響を与えないが、３０Ｈｚ以下で駆動すると、反
射電極５４ｂ…のエッジと共通透明電極１９との間で液
晶パネル５１面の法線方向から傾斜して発生する斜め電
界と、上記横方向電界とに、反射電極５４ｂ…の電圧極
性によって非対称性が生じ、ディスクリネーションライ
ンが移動する。従って、移動するディスクリネーション
ラインを隠すことができるように、遮光層６５…を設け
た。

【０１３７】また、遮光層６５…の中には、前述した図
１４の反射電極６１ｂ…の全面と対向するものも配置さ
れている。これにより、表示と関係のない反射電極６１
ｂ…からの反射光が液晶パネル５１の表示面に戻ること
によって表示が影響を受けるのを防止することができ
る。このように、図１４の反射電極６１ｂ…に対応する
遮光層６５は反射光防止遮光層として機能する。

【０１３８】次に、図１３において、層間絶縁膜５３の
膜厚は３μｍに設定されており、これにより下地のＴＦ
Ｔ１４…および各配線の段差を吸収して、層間絶縁膜５
３の表面を平坦に、すなわち反射電極５４ｂ…を平坦に
している。このように層間絶縁膜５３の表面および反射
電極５４ｂ…を平坦にすることで、電界の歪みが発生し
なくなる。反射電極５４ｂ…に表面段差が存在する場
合、反射電極５４ｂ…上に配向膜を塗布すると表面段差
に対応して配向膜に膜厚むらが生じることとなる。この
とき、配向膜は厚さ方向に分極するが、低周波数で駆動
する場合には配向膜の分極方向が固定される。従って、
液晶に印加される電圧に上記分極の分のオフセットが生
じ、膜厚むらがあると分極量が変化してオフセット量も
変化する。すなわち、画素内の各箇所で最適対向電圧が
異なり、液晶分子が極性反転に対応して応答するときに
明状態と暗状態とが部分的にスイッチングを行うことに
なる。これが、明るさの変化、すなわちチラツキとして
知覚される場合がある。

【０１３９】そこで、電極の表面段差の大きさとチラツ
キの発生状況との関係について詳細な検討を行った。図
１８（ａ）に、検討に用いたチラツキ評価用セル７１の
断面構成を示す。チラツキ評価用セル７１は、対向配置
された２枚のガラス基板７２・７２の一方の上面にフォ
トレジストパターン７３が形成され、その上に透明電極
７４、さらにその上に配向膜７５が形成されるととも
に、他方のガラス基板７２の下面に平坦な透明電極７４
および配向膜７５が形成され、配向膜７５・７５の間に
液晶層７６が充填された構成である。フォトレジストパ
ターン７３は、一方のガラス基板７２にポジ型フォトレ
ジスト（東京応化製OFPR-800）をスピンコート法にて塗
布した後、フォトリソグラフィーによって段差を有する
ように形成した。ここでスピンコート時の回転数を５０
０ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍで変化させて１．０μｍ〜
０．１μｍの範囲内の各種段差を得た。配向膜７５はＰ
ＶＡをスピンコート法（８００ｒｐｍ）によって塗布し
た。

【０１４０】上記の構成のチラツキ評価用セル７１にお
いて、信号発生装置７７から透明電極７４・７４間に電
圧を印加した。同図（ｂ）にこのときの電圧波形を示
す。段差のない平坦なセルの場合には配向膜に膜厚のば
らつきはないが、段差がある場合には配向膜に膜厚むら
が生じる。これによって分極むらが生じるため電界分布
にむらが生じ、明るさが変化する、すなわちチラツキが
知覚される。信号発生装置７７から電圧が印加されてい
る状態で、段差とチラツキの発生状況とについて観察し
たところ、表５に示す結果が得られた。

【０１４１】

【表５】

【０１４２】なお、○：チラツキが知覚されない、 △：チラツキがやや知覚される、 ×：チラツキが知覚される、 である。

【０１４３】同表に示すように、表面段差が０．７μｍ
でチラツキが目立たなくなり、０．６μｍ以下で完全に
知覚されなくなることが確認された。従って、図１３の
反射電極５４ｂ…のそれぞれについて、ＴＦＴ１４との
電気的コンタクト部分を除いた箇所、すなわちコンタク
トホール５５上に設けられた部分を除いた箇所の表面段
差が０．６μｍ以下であるのが好ましいことが分かっ
た。この範囲であれば画素内で配向乱れがなく、よりチ
ラツキのない均一な表示が得られる。実際に図１３の反
射電極５４ｂ…のそれぞれについて段差を相シフト干渉
顕微鏡で測定したところ、最大段差は０．２μｍであっ
た。

【０１４４】また液晶パネル５１において、図１９に示
すように反射電極５４ｂ…のそれぞれの配向処理起点に
近い側のエッジ付近を、透明電極８１で形成することも
できる。これにより、図１７で説明したリバースチルト
ドメインによるディスクリネーションラインが透明電極
８１…上で発生するため、反射光に対するディスクリネ
ーションラインの影響がなくなり、均一な表示を行うこ
とができる。

【０１４５】さらに液晶パネル５１において、図２０に
示すように、ＴＦＴ１４…が配置されているガラス基板
１２側の配向処理方向を走査信号線３１…と略平行（矢
印Ｋの方向）にしてもよい。これにより、ガラス基板１
２側の液晶分子の配向方向が、図１７で説明した横方向
電界に対して垂直な面内に存在するようになり、液晶パ
ネル５１を３０Ｈｚ以下の書き換え周波数で交流駆動し
た場合に、液晶分子に対する電界の歪みが対称となる。
従って、リバースチルトドメインによるディスクリネー
ションラインの発生が緩和され、均一な表示を得ること
ができる。

【０１４６】以上のように、本実施の形態の液晶表示装
置によれば、実施の形態１と同様に３０Ｈｚ以下の書き
込み周波数で駆動を行って低消費電力化を図ることがで
きると同時に、配向状態の制御、ディスクリネーション
の影響低減などにより、さらにチラツキのない、均一な
表示を得ることができる。

【０１４７】〔実施の形態３〕本発明の表示装置を具現
するさらに他の実施の形態について図２１および図２２
を用いて説明すれば以下の通りである。なお、前記実施
の形態１および２で用いた構成要素と同一の機能を有す
る構成要素については同一の番号を付し、その説明を省
略する。

【０１４８】本実施の形態に係る表示装置は、実施の形
態１で図３を用いて説明した液晶表示装置１における液
晶パネル２を、図２１および図２２に示す液晶パネル９
１で置き換えた透過反射両用型の液晶表示装置である。
図２２のＤ−Ｄ断面図である図２１に示すように、液晶
パネル９１は、液晶パネル２の反射防止膜１７およびカ
ラーフィルタ１８が省略されるとともに、ガラス基板１
２の下面に位相差板１５および偏光板１６がこの順で設
けられた構成である。また、さらにその下方にバックラ
イト９２が設けられている。また、補助容量用電極パッ
ド９４ａ…はＩＴＯなどの透明電極で形成されている。

【０１４９】さらに、補助容量用電極パッド９４ａ…の
上方にある反射電極９４ｂ…の一部には、層間絶縁膜２
６を貫通する光透過穴９３が設けられている。この光透
過穴９３がバックライト９２からの光の透過領域となっ
ている。反射電極９４ｂ…によって光が反射される反射
領域と、上記透過領域とはコンタクトホール２８を介し
て導通していて同電位であり、液晶層１３を駆動するこ
とが可能である。この液晶パネル９１で偏光モードで表
示を行う場合、反射領域と透過領域との位相差の整合性
を図るために、透過領域の液晶層１３の厚みｄ_T 、およ
び反射領域の液晶層１３の厚みｄ_R とはｄ_T ≒２ｄ_R と
するのが望ましい。

【０１５０】また、図２１に図２２の液晶層１３より下
方の部分を上方から見た図を示す。補助容量用電極パッ
ド９４ａと反射電極９４ｂとを合わせて画素電極９４と
している。各補助容量用電極パッド９４ａは補助容量配
線３３と補助容量Ｃ_CSを形成しながらＴＦＴ１４の周囲
に広範囲に形成されている。そして、矩形の光透過穴９
３が、反射電極９４ｂおよび層間絶縁膜２６のうち、補
助容量用電極パッド９４ａの上方で、かつ走査信号線３
１と補助容量配線３３との上方を避けた位置に設けられ
ている。

【０１５１】上記の構成の液晶パネル９１とすれば、実
施の形態１で得られる効果に加えて、周囲光が多いとき
には反射型として、周囲光が少ないときにはバックライ
ト９２を点灯して透過型と併用して利用することができ
るようになる。なお、実施の形態１の液晶パネル２にお
いて、反射板を半透明としても同様の効果が得られる。

【０１５２】〔実施の形態４〕本発明の表示装置を具現
するさらに他の実施の形態について図２３ないし図２５
を用いて説明すれば以下の通りである。なお、前記実施
の形態１ないし３で用いた構成要素と同一の機能を有す
る構成要素については同一の番号を付し、その説明を省
略する。

【０１５３】本実施の形態に係る表示装置は、表示素子
としてアクティブマトリクス型の有機ＥＬパネルを有す
る有機ＥＬ表示装置である。有機ＥＬパネルは図３の液
晶表示装置１と同様に走査信号ドライバおよびデータ信
号ドライバによって駆動される。図２３に有機ＥＬパネ
ルの一部の平面図を示す。有機ＥＬパネルには、走査信
号ドライバから走査信号が供給される走査信号線１０１
…と、データ信号ドライバからデータ信号が供給される
データ信号線１０２…とが、図１と同様にガラス基板上
に直交するように設けられている。図２３は有機ＥＬパ
ネルの１画素分の構成を示しており、１画素は、隣接す
る走査信号線１０１・１０１とデータ信号線１０２・１
０２とでおよそ囲まれた区画に相当する。

【０１５４】各画素には、走査信号線１０１から走査信
号が供給されて周期的に選択状態となるアクティブ素子
としての書き込み用トランジスタ１１１が、走査信号線
１０１とデータ信号線１０２とが交差する辺りに設けら
れている。書き込み用トランジスタ１１１はＴＦＴなど
からなる。同図ではＴＦＴとし、そのゲート電極１１１
ａが走査信号線１０１に接続されている。また、該ＴＦ
Ｔのソース電極１１１ｂはデータ信号線１０２に接続さ
れている。該ＴＦＴのドレイン電極１１１ｃは引き出さ
れて、後述する補助容量Ｃ_CSの電極である補助容量用電
極パッド１１２に接続されている。

【０１５５】また、補助容量用電極パッド１１２に隣接
して後述の有機ＥＬ素子１１４の駆動用トランジスタ１
１３が設けられている。駆動用トランジスタ１１３はＴ
ＦＴなどからなる。同図ではＴＦＴとし、そのゲート電
極１１３ａが補助容量用電極パッド１１２に接続されて
いる。ＴＦＴのチャネル極性は走査方向あるいは四方に
隣接する画素ごとに異なっている。該ＴＦＴのチャネル
の高電位側電極１１３ｂは有機ＥＬ素子１１４に直流電
流を供給する電源配線１０４に接続されており、定電位
側電極１１３ｃは有機ＥＬ素子１１４のアノード電極１
１４ａに接続されている。

【０１５６】同図のＥ−Ｅ断面図である図２４に、有機
ＥＬ素子１１４の構成を示す。有機ＥＬ素子１１４は対
向するガラス基板１１５・１１６の間に挟持されるよう
に形成されている。ガラス基板１１５上にアノード電極
１１４ａが設けられ、アノード電極１１４ａ上に、層間
絶縁膜１１４ｂがコンタクトホール１１４ｃを有するよ
うに設けられている。層間絶縁膜１１４ｂ上には透明電
極１１４ｄが設けられており、透明電極１１４ｄはコン
タクトホール１１４ｃを介してアノード電極１１４ａと
導通するようになっている。透明電極１１４ｄ上にはダ
イオード型の発光層１１４ｅが設けられ、さらに発光層
１１４ｅ上にＡｌなどからなる対向電極１１４ｆが設け
られている。発光層１１４ｅに流れる電流は、駆動用ト
ランジスタ１１３のゲート電極１１３ａに印加される電
圧に応じてチャネル抵抗が変化することにより変化し、
発光層１１４ｅはこの電流に応じた強度で発光する。画
素内には図２３に示すように開口部１１７が設けられて
おり、発光層１１４ｅで発生した光は対向電極１１４ｆ
で反射されて開口部１１７から出射される。

【０１５７】さらに有機ＥＬパネルには、図２３に示す
ように、補助容量用電極パッド１１２とＳｉＮ_X などの
層間絶縁膜を介して対向する補助容量配線１０５が画素
の１ラインごとに設けられている。補助容量配線１０５
は前記有機ＥＬ素子１１４の対向電極１１４ｆと同電位
とされる。補助容量用電極パッド１１２と補助容量配線
１０５とは、駆動用トランジスタ１１３のゲート容量に
対する補助容量Ｃ_CSを形成する電極である。補助容量配
線１０５…は走査信号線１０１…以外の位置で、ガラス
基板１１５上に走査信号線１０１…と平行に設けられて
おり、補助容量用電極パッド１１２とともに、走査信号
線１０１…との間に容量結合が略生じないようになって
いる。この場合に限らず、補助容量用電極パッド１１２
…と補助容量配線１０５…とは走査信号線１０１…との
間に容量結合が略生じない位置となるように設けられて
いればよい。

【０１５８】次に、上記構成の画素の等価回路を図２５
に示す。走査信号線１０１から供給される走査信号によ
って書き込み用トランジスタ１１１がＯＮ状態（選択状
態）となると、データ信号線１０２から供給されるデー
タ信号に応じた電荷が、駆動用トランジスタ１１３のゲ
ート容量と補助容量Ｃ_CSとに書き込まれる。該ゲート容
量は、画素の表示状態を決定する電荷が書き込み用トラ
ンジスタ１１１を介して書き込まれる電気容量である。
また、データ信号は、走査方向にあるいは四方に隣接す
る画素間で極性が反転するように、データ信号ドライバ
から交流駆動で供給される。

【０１５９】駆動用トランジスタ１１３のゲート電極１
１３ａの電位に応じて駆動用トランジスタ１１３のチャ
ネル抵抗が制御され、チャネル抵抗に応じた電流が有機
ＥＬ素子１１４に流れて、発光による画面表示が行われ
る。発光状態は次の選択期間まで駆動用トランジスタ１
１３のゲート容量に電荷が保持されていることにより保
持される。

【０１６０】ここで、補助容量用電極パッド１１２およ
び補助容量配線１０５が走査信号線１０１との間に容量
結合が略生じない位置となるように補助容量Ｃ_CSが設け
られているので、前記各実施の形態の同期クロック発生
回路７のような周波数設定手段によりゲート容量の電
荷、すなわち有機ＥＬ表示パネルの画面を３０Ｈｚ以下
の書き換え周波数で書き換えても、１ライン上の走査信
号線１０１など走査信号線の電位変動によるゲート電極
１１３ａの電位変動は生じない。すなわち、次の選択期
間まで駆動用トランジスタ１１３のチャネル抵抗の変動
が生じず、安定した発光状態が得られる。これはまた、
有機ＥＬ表示パネルが、走査信号の供給に伴って走査信
号線１０１…から駆動用トランジスタ１１３のゲート容
量の電圧に加わるノイズによる上記電圧の変動を、表示
状態にチラツキが知覚されない値以下に抑制するように
構成されていることを意味している。

【０１６１】従って、走査信号ドライバの消費電力およ
びデータ信号ドライバの消費電力が十分に削減される状
態で、チラツキのない安定した表示品位が得られる。こ
の結果、良好な表示品位を保ったまま低消費電力化を達
成することができる。

【０１６２】

【発明の効果】本発明の表示装置は、以上のように、上
記画素のそれぞれには上記電気容量に対する補助容量
が、上記補助容量の電極が上記走査信号線との間に容量
結合を略生じない位置となるように設けられ、上記電荷
を書き込む周期を決定する書き換え周波数を３０Ｈｚ以
下に設定することが可能な周波数設定手段をさらに有し
ている構成である。

【０１６３】それゆえ、補助容量の電極が走査信号線と
の間に容量結合を略生じないので、この状態で周波数設
定手段により表示素子の画面を３０Ｈｚ以下の書き換え
周波数で書き換える設定を行えば、従来のような１ライ
ン上の走査信号線など走査信号線の電位変動による上記
電気容量の電極の電位変動は生じなくなる。この結果、
良好な表示品位を保ったまま低消費電力化を達成するこ
とのできるアクティブ素子を有する表示装置を提供する
ことができるという効果を奏する。

【０１６４】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記表示素子が、上記走査信号の供給に伴って上記
走査信号線から上記電気容量の電圧に加わるノイズによ
る上記電圧の変動を、表示状態にチラツキが知覚されな
い値以下に抑制するように構成され、上記電荷を書き込
む周期を決定する書き換え周波数を３０Ｈｚ以下に設定
することが可能な周波数設定手段をさらに有している構
成である。

【０１６５】それゆえ、表示状態を決定する電荷が書き
込まれる所定の電気容量の電圧に走査信号線からノイズ
が加わっても、この状態で周波数設定手段により上記電
気容量の電荷、すなわち表示素子の画面を３０Ｈｚ以下
の書き換え周波数で書き換える設定を行えば、画素の表
示状態は安定し、チラツキのない安定した表示品位が得
られる。また、３０Ｈｚ以下の低周波数駆動とすること
によって、走査信号の周波数が減少して走査信号ドライ
バの消費電力が十分に削減されるとともに、データ信号
の極性反転周波数が減少し、データ信号ドライバの消費
電力が十分に削減される。この結果、良好な表示品位を
保ったまま低消費電力化を達成することのできるアクテ
ィブ素子を有する表示装置を提供することができるとい
う効果を奏する。

【０１６６】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記書き換え周波数が０．５Ｈｚ以上３０Ｈｚ以下
の範囲内にある構成である。

【０１６７】それゆえ、前記電気容量からのアクティブ
素子などを通した漏れ電流に起因する前記電気容量の電
極の電位変動が十分に抑制され、十分な低消費電力化と
確実な画素のチラツキ防止とを達成することができると
いう効果を奏する。

【０１６８】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記書き換え周波数が１Ｈｚ以上１５Ｈｚ以下の範
囲内にある構成である。

【０１６９】それゆえ、極めて大きな低消費電力化とよ
り確実な画素のチラツキ防止とを達成することができる
という効果を奏する。

【０１７０】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記周波数設定手段は、上記書き換え周波数を複数
通りに設定することが可能である構成である。

【０１７１】それゆえ、少なくとも３０Ｈｚ以下の書き
換え周波数への設定による低消費電力化と高表示品位と
の両立を確保した上で、画像の動きの速さに合わせて表
示品位を優先させる高めの書き換え周波数への設定や、
低消費電力化を優先させる低めの書き換え周波数への設
定を行うことができるという効果を奏する。

【０１７２】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記周波数設定手段は、上記書き換え周波数を３０
Ｈｚ以上に設定することが可能である構成である。

【０１７３】それゆえ、静止画や通常の動きの速さの動
画を表示する場合には書き換え周波数を３０Ｈｚ以下に
設定して低消費電力化と高品位表示との両立を図り、動
きの非常に速い動画を表示する場合には周波数を３０Ｈ
ｚ以上に設定してスムーズな表示を確保するなど、表示
する画像の状態に適した書き換え周波数の設定を行うこ
とができるという効果を奏する。

【０１７４】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記書き換え周波数のそれぞれが、最も低い書き換
え周波数の整数倍である構成である。

【０１７５】それゆえ、全ての書き換え周波数に共通の
基準同期信号を使用することができるという効果を奏す
るのに加えて、書き換え周波数を切り換えた場合に供給
するデータ信号の間引きあるいは追加を簡単に行うこと
ができるという効果を奏する。

【０１７６】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記書き換え周波数のそれぞれが、最も低い書き換
え周波数の２の整数乗倍である構成である。

【０１７７】それゆえ、２の整数乗分の１で分周を行う
通常の簡単な分周回路を用いて書き換え周波数のそれぞ
れを生成することができるという効果を奏する。

【０１７８】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記書き換え周波数のうち少なくとも最も低いもの
が、上記表示素子の表示内容を更新する周期を決めるリ
フレッシュ周波数の２以上の整数倍である構成である。

【０１７９】それゆえ、上記のように設定した書き換え
周波数では表示素子での同一の表示内容に対して、交流
駆動によって前記電気容量の電極の電位の極性を反転さ
せて表示することができるという効果を奏する。特に表
示素子が液晶表示素子である場合には、、液晶表示素子
に用いられる液晶の信頼性がより向上するという効果を
奏する。

【０１８０】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記周波数設定手段は、上記リフレッシュ周波数が
変更されると上記書き換え周波数のうち少なくとも最も
低いものの設定を、変更後の上記リフレッシュ周波数に
合わせて変更することが可能である構成である。

【０１８１】それゆえ、リフレッシュ周波数を変更して
も、上記のように設定を変更した書き換え周波数では表
示素子での同一の表示内容に対して、交流駆動によって
前記電気容量の電極の電位の極性を反転させて表示する
ことができる。特に表示素子が液晶表示素子である場合
には、液晶表示素子に用いられる液晶の信頼性を容易に
維持することができるという効果を奏する。

【０１８２】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記書き換え周波数のうち最も低いものは２Ｈｚ以
上の整数値である構成である。

【０１８３】それゆえ、表示素子の画面に時計を表示す
る場合に、秒表示を正確に１秒間隔で行うことができる
という効果を奏する。

【０１８４】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記表示素子は上記電気容量が画素電極と対向電極
との間に液晶が介在して形成されるとともに上記電気容
量に対する補助容量が設けられる液晶表示素子であり、
上記液晶表示素子の画素電圧保持率を、上記電気容量を
Ｃ_LC、上記補助容量をＣ_CS、上記アクティブ素子の非選
択期間をＴ、上記書き換え周波数における非選択期間Ｔ
後の液晶電圧保持率をＨｒ（Ｔ）、書き込み直後の上記
画素電極と上記対向電極との電位差をＶ、上記アクティ
ブ素子の非選択時の抵抗値をＲ、Ｖ₁ ＝Ｖ−｛Ｖ・（１
−Ｈｒ（Ｔ））×Ｃ_LC／（Ｃ_LC＋Ｃ_CS）｝として、 Ｐ＝Ｖ₁ ・ｅｘｐ［−Ｔ／｛（Ｃ_LC＋Ｃ_CS）・Ｒ｝］／
Ｖ と表したときに、Ｐ≧０．９である構成である。

【０１８５】それゆえ、選択期間中に印加された画素の
電圧が、非選択期間を通して９０％以上の電圧保持率で
保持されるので、画素電極の電位変動がほとんど生じな
い。これにより、特にチラツキのない安定した表示品位
が得られるという効果を奏する。

【０１８６】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記表示素子は上記電気容量が画素電極と対向電極
との間に液晶が介在して形成される液晶表示素子であ
り、上記画素電極は、少なくとも、自身が属する画素の
ラインと走査方向に沿った一定の向きに隣接するライン
の画素の走査信号線と対向する箇所が存在するように配
置されている構成である。

【０１８７】それゆえ、前記電気容量の電荷を書き換え
るたびにデータ信号の極性反転を行う場合においても、
該画素電極と、上記一定の向きに隣接するラインの画素
の走査信号線との間に、画素電極面と平行な方向の成分
を有する電界が発生しない。従って、画素電極のエッジ
にリバースチルトドメインに起因するディスクリネーシ
ョンが発生するのを抑制することができるという効果を
奏する。

【０１８８】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記表示素子は上記電気容量が画素電極と対向電極
との間に液晶が介在して形成される液晶表示素子であ
り、上記画素電極は非光透過型の電極であり、少なくと
も、自身が属する画素のラインと上記一定の向きに隣接
するラインの画素のアクティブ素子と対向する箇所が存
在するように配置されている構成である。

【０１８９】それゆえ、画素電極は上記一定の向きに隣
接するラインの画素のアクティブ素子を遮光し、これに
よりアクティブ素子への光の回り込みが減少して、非選
択期間におけるアクティブ素子の抵抗値の低下が防止さ
れる。従って、画素を３０Ｈｚ以下の書き換え周波数で
駆動しても、電荷保持不良による明るさの変動が緩和さ
れ、よりチラツキのない表示を得ることができるという
効果を奏する。

【０１９０】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記液晶表示素子は、表示に有効なラインのうち上
記一定の向きの起点側端部のラインのアクティブ素子を
遮光するアクティブ素子遮光層を有している構成であ
る。

【０１９１】それゆえ、アクティブ素子遮光層によって
上記一定の向きの起点側端部のラインのアクティブ素子
を遮光され、非選択期間における該アクティブ素子の抵
抗値の低下が防止される。従って、画素を３０Ｈｚ以下
の書き換え周波数で駆動しても、電荷保持不良による明
るさの変動が緩和され、よりチラツキのない表示を得る
ことができるという効果を奏する。

【０１９２】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記液晶表示素子は、上記アクティブ素子遮光層か
らの反射光が上記液晶表示素子の表示面に戻るのを遮る
反射光防止遮光層を有している構成である。

【０１９３】それゆえ、アクティブ素子を遮光する構成
が表示に影響を及ぼさないようにすることができるとい
う効果を奏する。

【０１９４】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記アクティブ素子遮光層は上記対向電極との間に
液晶が介在するように設けられた電極であり、上記アク
ティブ素子遮光層と上記対向電極との間に交流電圧が印
加される構成である。

【０１９５】それゆえ、アクティブ素子遮光層と対向電
極との間の液晶が交流駆動されるので、液晶材料の信頼
性が向上するという効果を奏する。

【０１９６】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記液晶表示素子は、上記一定の向きの起点側端部
のラインからさらに外側に、上記アクティブ素子遮光層
を上記画素電極に用いる上記画素の構成を備えた画素の
ラインを有している構成である。

【０１９７】それゆえ、表示に有効な上記一定の向きの
起点側端部のラインの画素も、表示に有効なその他のラ
インの画素と同様の構成となって、液晶表示素子の走査
方向の構造の繰り返し連続性が保たれる。従って、表示
に有効な走査方向に沿った一定の向きの起点側端部のラ
インの画素と、表示に有効なその他のラインの画素との
電圧印加状態が等しくなり、液晶材料の信頼性がより向
上するという効果を奏する。

【０１９８】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記表示素子は上記電気容量が画素電極と対向電極
との間に液晶が介在して形成される液晶表示素子であ
り、上記液晶表示素子は、上記画素電極の配向処理起点
に近い側のエッジの少なくとも一部と表示面側から対向
する遮光層を有している構成である。

【０１９９】それゆえ、液晶表示素子を３０Ｈｚ以下の
書き換え周波数で交流駆動した場合に、画素電極のエッ
ジに発生するリバースチルトドメインによるディスクリ
ネーションを隠すことができ、均一な表示を得ることが
できるという効果を奏する。

【０２００】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記表示素子は上記電気容量が画素電極と対向電極
との間に液晶が介在して形成される液晶表示素子であ
り、上記画素電極の配向処理部と接する箇所のうち、上
記アクティブ素子との電気的コンタクト部分を除いた箇
所の表面段差が０．６μｍ以下である構成である。

【０２０１】それゆえ、画素電極に配向膜を形成した場
合に、画素内で配向膜の膜厚むらが抑えられるため、画
素内での配向乱れがなくなり、よりチラツキのない、均
一な表示を得ることができるという効果を奏する。

【０２０２】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記表示素子は上記電気容量が画素電極と対向電極
との間に液晶が介在して形成される液晶表示素子であ
り、上記画素電極の配向処理起点に近い側のエッジ付近
が透明電極で形成されている構成である。

【０２０３】それゆえ、液晶表示素子を３０Ｈｚ以下の
書き換え周波数で交流駆動した場合に、画素電極のエッ
ジに発生するリバースチルトドメインによるディスクリ
ネーションが透明電極上で発生するため、反射光に対す
るディスクリネーションラインの影響がなくなり、均一
な表示を行うことができるという効果を奏する。

【０２０４】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記表示素子は上記電気容量が画素電極と対向電極
との間に液晶が介在して形成される液晶表示素子であ
り、上記アクティブ素子が配置されている基板側の配向
処理方向が、上記走査信号線と略平行である構成であ
る。

【０２０５】それゆえ、アクティブ素子が配置されてい
る基板側の液晶分子の配向方向が、隣接する画素電極間
に生じる走査方向の電界に対して垂直な面内に存在する
ようになり、液晶表示素子を３０Ｈｚ以下の書き換え周
波数で交流駆動した場合に、液晶分子に対する電界の歪
みが対称となる。従って、リバースチルトドメインによ
るディスクリネーションラインの発生が緩和され、均一
な表示を得ることができるという効果を奏する。

【０２０６】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記液晶表示素子は周囲光を用いて反射型表示を行
う反射部材を有している構成である。

【０２０７】それゆえ、表示装置をバックライトを必要
としない反射型液晶表示装置とするので、３０Ｈｚ以下
の駆動による低消費電力化の割合が大きくなるという効
果を奏する。

【０２０８】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記反射部材は上記画素電極の少なくとも一部であ
る構成である。

【０２０９】それゆえ、画素電極の少なくとも一部が反
射型液晶表示装置の反射電極となるので、別途反射部材
は必要なく、装置を構成する部材の種類を減らすことが
可能であるという効果を奏する。

【０２１０】さらに本発明の表示装置は、以上のよう
に、上記反射部材に光透過用の穴が設けられている、ま
たは上記反射部材が半透明である構成である。

【０２１１】それゆえ、反射透過両用型の液晶表示装置
とするので、周囲光が多いときには反射型として、周囲
光が少ないときにはバックライトを点灯するなど透過型
と併用して利用することができるという効果を奏する。

【０２１２】また、本発明の電子機器は、以上のよう
に、前記いずれかに記載の表示装置が搭載されている構
成である。

【０２１３】それゆえ、良好な表示品位を保ったままの
低消費電力化が図れる表示装置を搭載しているので、バ
ッテリーによる長時間駆動が容易になるという効果を奏
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における液晶表示装置の
液晶パネルの構成を示す平面透視図である。

【図２】図１の液晶パネルのＡ−Ａ断面に相当する断面
図である。

【図３】本発明の一実施の形態における液晶表示装置の
構成を示すシステムブロック図である。

【図４】（ａ）および（ｂ）は、図１の液晶パネルの１
画素分の等価回路を示す回路図である。

【図５】（ａ）および（ｂ）は、液晶の特性を示すグラ
フである。

【図６】ＴＦＴのＯＦＦ抵抗の特性を示すグラフであ
る。

【図７】電荷を十分に保持することができない場合の画
素電極電位の変化と反射光強度の変化とを説明する説明
図である。

【図８】（ａ）および（ｂ）は、液晶パネルの特性を評
価する方法を説明する説明図である。

【図９】（ａ）ないし（ｅ）は、液晶パネルの信号およ
び特性を示すタイミングチャートである。

【図１０】図１の液晶パネルの比較例としての液晶パネ
ルの構成を示す平面透視図である。

【図１１】（ａ）ないし（ｅ）は、図１０の液晶パネル
の信号および特性を示すタイミングチャートである。

【図１２】本発明の他の実施の形態における液晶表示装
置の液晶パネルの構成を示す平面透視図である。

【図１３】図１２の液晶パネルのＢ−Ｂ断面に相当する
断面図である。

【図１４】図１２の液晶パネルの構成を示す平面透視図
である。

【図１５】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１２の液
晶パネルの一部の構成を示す平面図、側面図である。

【図１６】図１５の液晶パネルの一部の位置関係を説明
する説明図である。

【図１７】液晶パネル内に発生する電界の状態を説明す
る説明図である。

【図１８】（ａ）および（ｂ）は、液晶パネルの特性を
評価する方法を説明する説明図である。

【図１９】図１２の液晶パネルの変形例の構成を示す平
面透視図である。

【図２０】図１２の液晶パネルの他の変形例の構成を示
す平面透視図である。

【図２１】本発明のさらに他の実施の形態における液晶
表示装置の液晶パネルの構成を示す断面図である。

【図２２】図２１の液晶パネルの平面透視図である。

【図２３】本発明のさらに他の実施の形態における有機
ＥＬ表示装置の有機ＥＬパネルの構成を示す平面透視図
である。

【図２４】図２３の有機ＥＬパネルのＥ−Ｅ断面図であ
る。

【図２５】図２３の有機ＥＬパネルの１画素分の等価回
路を示す回路図である。

【図２６】本発明の一実施の形態における液晶表示装置
の液晶パネルの特性を評価する際に用いる信号の波形を
示す波形図である。

【図２７】本発明の一実施の形態における液晶表示装置
の変形例に係る液晶パネルの１画素分の等価回路を示す
回路図である。

【符号の説明】

１ 液晶表示装置（表示装置） ２ 液晶パネル（表示素子、液晶表示素子） ３ ゲートドライバ（走査信号ドライバ） ４ ソースドライバ（データ信号ドライバ） ７ 同期クロック発生回路（周波数設定手段） １３ 液晶層（液晶） １４ ＴＦＴ（アクティブ素子） １９ 透明共通電極（対向電極） ２７ 画素電極 ２７ａ 補助容量用電極パッド（電極） ２７ｂ 反射電極 ２８ コンタクトホール（電気的コンタクト部
分） ３１ 走査信号線 ３２ データ信号線 ３３ 補助容量配線（電極） ５１ 液晶パネル（表示素子、液晶表示素子） ５４ 画素電極 ５４ａ 補助容量用電極パッド（電極） ５４ｂ 反射電極 ５５ コンタクトホール（電気的コンタクト部
分） ５６ ダミー走査信号線（走査信号線） ５７ ダミー補助容量配線（電極） ６１ａ 補助容量用電極パッド（電極） ６１ｂ 反射電極（アクティブ素子遮光層） ６５ 遮光層（反射光防止遮光層） ９１ 液晶パネル（表示素子、液晶表示素子） ９３ 光透過穴（光透過用の穴） ９４ 画素電極 ９４ａ 補助容量用電極パッド（電極） ９４ｂ 反射電極 １０１ 走査信号線 １０２ データ信号線 １０５ 補助容量配線（電極） １１１ 書き込み用トランジスタ（アクティブ素
子） １１２ 補助容量用電極パッド（電極） Ｃ_CL 液晶容量（電気容量） Ｃ_CS 補助容量 Ｊ 配向処理方向 Ｋ 配向処理方向

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６１１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６１１Ｇ ５Ｃ０８０ ６１１Ａ ６２４ ６２４Ａ 3/36 3/36 (72)発明者 清水 雅宏 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 MA07 MB01 2H091 FA16Y FA35Y GA02 GA13 LA16 2H092 GA19 GA29 HA05 JA24 JA46 JB08 JB52 JB63 JB69 KB25 NA26 PA06 PA09 2H093 NA32 NA43 ND39 NH15 5C006 AC24 AF69 BB16 BC06 BF37 EC05 FA23 FA37 FA48 GA03 5C080 AA10 BB05 DD06 DD26 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06 KK02 KK43

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】走査信号ドライバから走査信号が供給され
   る走査信号線と、データ信号ドライバからデータ信号が
   交流駆動で供給されるデータ信号線と、上記走査信号線
   および上記データ信号線に接続されるとともに、上記走
   査信号および上記データ信号に基づいて、アクティブ素
   子が周期的に選択状態となって表示状態を決定する電荷
   が上記アクティブ素子を介して所定の電気容量に書き込
   まれる画素とを備えたアクティブマトリクス型の表示素
   子を有する表示装置において、 上記画素のそれぞれには上記電気容量に対する補助容量
   が、上記補助容量の電極が上記走査信号線との間に容量
   結合を略生じない位置となるように設けられ、 上記電荷を書き込む周期を決定する書き換え周波数を３
   ０Ｈｚ以下に設定することが可能な周波数設定手段をさ
   らに有していることを特徴とする表示装置。
2. 【請求項２】走査信号ドライバから走査信号が供給され
   る走査信号線と、データ信号ドライバからデータ信号が
   交流駆動で供給されるデータ信号線と、上記走査信号線
   および上記データ信号線に接続されるとともに、上記走
   査信号および上記データ信号に基づいて、アクティブ素
   子が周期的に選択状態となって表示状態を決定する電荷
   が上記アクティブ素子を介して所定の電気容量に書き込
   まれる画素とを備えたアクティブマトリクス型の表示素
   子を有する表示装置において、 上記表示素子が、上記走査信号の供給に伴って上記走査
   信号線から上記電気容量の電圧に加わるノイズによる上
   記電圧の変動を、上記表示状態にチラツキが知覚されな
   い値以下に抑制するように構成され、 上記電荷を書き込む周期を決定する書き換え周波数を３
   ０Ｈｚ以下に設定することが可能な周波数設定手段をさ
   らに有していることを特徴とする表示装置。
3. 【請求項３】上記書き換え周波数が０．５Ｈｚ以上３０
   Ｈｚ以下の範囲内にあることを特徴とする請求項１また
   は２に記載の表示装置。
4. 【請求項４】上記書き換え周波数が１Ｈｚ以上１５Ｈｚ
   以下の範囲内にあることを特徴とする請求項３に記載の
   表示装置。
5. 【請求項５】上記周波数設定手段は、上記書き換え周波
   数を複数通りに設定することが可能であることを特徴と
   する請求項１ないし４のいずれかに記載の表示装置。
6. 【請求項６】上記周波数設定手段は、上記書き換え周波
   数を３０Ｈｚ以上に設定することが可能であることを特
   徴とする請求項５に記載の表示装置。
7. 【請求項７】上記書き換え周波数のそれぞれが、最も低
   い書き換え周波数の整数倍であることを特徴とする請求
   項５または６に記載の表示装置。
8. 【請求項８】上記書き換え周波数のそれぞれが、最も低
   い書き換え周波数の２の整数乗倍であることを特徴とす
   る請求項７に記載の表示装置。
9. 【請求項９】上記書き換え周波数のうち少なくとも最も
   低いものが、上記表示素子の表示内容を更新する周期を
   決めるリフレッシュ周波数の２以上の整数倍であること
   を特徴とする請求項５ないし８のいずれかに記載の表示
   装置。
10. 【請求項１０】上記周波数設定手段は、上記リフレッシ
    ュ周波数が変更されると上記書き換え周波数のうち少な
    くとも最も低いものの設定を、変更後の上記リフレッシ
    ュ周波数に合わせて変更することが可能であることを特
    徴とする請求項９に記載の表示装置。
11. 【請求項１１】上記書き換え周波数のうち最も低いもの
    は２Ｈｚ以上の整数値であることを特徴とする請求項９
    または１０に記載の表示装置。
12. 【請求項１２】上記表示素子は上記電気容量が画素電極
    と対向電極との間に液晶が介在して形成されるとともに
    上記電気容量に対する補助容量が設けられる液晶表示素
    子であり、上記液晶表示素子の画素電圧保持率を、上記
    電気容量をＣ_LC、上記補助容量をＣ_CS、上記アクティブ
    素子の非選択期間をＴ、上記書き換え周波数における非
    選択期間Ｔ後の液晶電圧保持率をＨｒ（Ｔ）、書き込み
    直後の上記画素電極と上記対向電極との電位差をＶ、上
    記アクティブ素子の非選択時の抵抗値をＲ、Ｖ₁＝Ｖ−
    ｛Ｖ・（１−Ｈｒ（Ｔ））×Ｃ_LC／（Ｃ_LC＋Ｃ_CS）｝と
    して、 Ｐ＝Ｖ₁ ・ｅｘｐ［−Ｔ／｛（Ｃ_LC＋Ｃ_CS）・Ｒ｝］／
    Ｖ と表したときに、Ｐ≧０．９であることを特徴とする請
    求項１ないし１１のいずれかに記載の表示装置。
13. 【請求項１３】上記表示素子は上記電気容量が画素電極
    と対向電極との間に液晶が介在して形成される液晶表示
    素子であり、上記画素電極は、少なくとも、自身が属す
    る画素のラインと走査方向に沿った一定の向きに隣接す
    るラインの画素の走査信号線と対向する箇所が存在する
    ように配置されていることを特徴とする請求項１ないし
    １２のいずれかに記載の表示装置。
14. 【請求項１４】上記表示素子は上記電気容量が画素電極
    と対向電極との間に液晶が介在して形成される液晶表示
    素子であり、上記画素電極は非光透過型の電極であり、
    少なくとも、自身が属する画素のラインと上記一定の向
    きに隣接するラインの画素のアクティブ素子と対向する
    箇所が存在するように配置されていることを特徴とする
    請求項１ないし１３のいずれかに記載の表示装置。
15. 【請求項１５】上記液晶表示素子は、表示に有効なライ
    ンのうち上記一定の向きの起点側端部のラインのアクテ
    ィブ素子を遮光するアクティブ素子遮光層を有している
    ことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
16. 【請求項１６】上記液晶表示素子は、上記アクティブ素
    子遮光層からの反射光が上記液晶表示素子の表示面に戻
    るのを遮る反射光防止遮光層を有していることを特徴と
    する請求項１５に記載の表示装置。
17. 【請求項１７】上記アクティブ素子遮光層は上記対向電
    極との間に液晶が介在するように設けられた電極であ
    り、上記アクティブ素子遮光層と上記対向電極との間に
    交流電圧が印加されることを特徴とする請求項１５また
    は１６に記載の表示装置。
18. 【請求項１８】上記液晶表示素子は、上記一定の向きの
    起点側端部のラインからさらに外側に、上記アクティブ
    素子遮光層を上記画素電極に用いる上記画素の構成を備
    えた画素のラインを有していることを特徴とする請求項
    １７に記載の表示装置。
19. 【請求項１９】上記表示素子は上記電気容量が画素電極
    と対向電極との間に液晶が介在して形成される液晶表示
    素子であり、上記液晶表示素子は、上記画素電極の配向
    処理起点に近い側のエッジの少なくとも一部と表示面側
    から対向する遮光層を有していることを特徴とする請求
    項１ないし１８のいずれかに記載の表示装置。
20. 【請求項２０】上記表示素子は上記電気容量が画素電極
    と対向電極との間に液晶が介在して形成される液晶表示
    素子であり、上記画素電極の配向処理部と接する箇所の
    うち、上記アクティブ素子との電気的コンタクト部分を
    除いた箇所の表面段差が０．６μｍ以下であることを特
    徴とする請求項１ないし１９のいずれかに記載の表示装
    置。
21. 【請求項２１】上記表示素子は上記電気容量が画素電極
    と対向電極との間に液晶が介在して形成される液晶表示
    素子であり、上記画素電極の配向処理起点に近い側のエ
    ッジ付近が透明電極で形成されていることを特徴とする
    請求項１ないし２０のいずれかに記載の表示装置。
22. 【請求項２２】上記表示素子は上記電気容量が画素電極
    と対向電極との間に液晶が介在して形成される液晶表示
    素子であり、上記アクティブ素子が配置されている基板
    側の配向処理方向が、上記走査信号線と略平行であるこ
    とを特徴とする請求項１ないし２１のいずれかに記載の
    表示装置。
23. 【請求項２３】上記液晶表示素子は周囲光を用いて反射
    型表示を行う反射部材を有していることを特徴とする請
    求項１２ないし２２のいずれかに記載の表示装置。
24. 【請求項２４】上記反射部材は上記画素電極の少なくと
    も一部であることを特徴とする請求項２３に記載の表示
    装置。
25. 【請求項２５】上記反射部材に光透過用の穴が設けられ
    ている、または上記反射部材が半透明であることを特徴
    とする請求項２４に記載の表示装置。
26. 【請求項２６】請求項１ないし２５のいずれかに記載の
    表示装置が搭載されていることを特徴とする電子機器。