TWI283889B - Vacuum chuck utilizing sintered material and method of providing thereof - Google Patents

Description

1283889 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於局壓力處理之領域。更精確言之，本 發明係有關於在局壓力處理期間利用燒結材料支撑一半導 體晶圓之方法與裝置。 【先前技術】 半導體基板或晶圓之處理，呈現未聯合其他工件之處 理的獨特問題。典型的，半導體處理以一砂晶圓開始。半 導體處理開始摻雜矽晶圓，以生產電晶體。接下來，半導 體處理程序繼續，激積金屬與電介層且散佈I虫刻線路及導 孔以產生電晶體接點與互連結構。最終的，在半導體處理 中’電晶體、電晶體接點、及互連結構形成積體電路。 供半導體處理用之臨界處理需求係淸潔。大多之半導 體處理係在真空中產生，其係一固有之淸潔環境。其他半 導體處理係在大氣壓力下的濕式過程中產生，其因爲濕式 過程的沖洗特性係固有之淸潔程序。例如，在蝕刻線路與 導孔之後，使用等電漿灰化的真空處理，然後在一塗層消 除劑貯池中除去的一濕式過程，移除光致抗蝕劑及光致抗 蝕劑殘餘。 其他供處理半導體晶圓用之臨界處理需求，包含流通 與可靠。半導體晶圓之生產在一半導體製造設備中發生。 半導體製造設備需要大的資金支出，以供處理裝備、供設 備本身，及供員工運轉之用。爲使補償這些開銷且自該設 -4- (2) 1283889 備產生充份之收入，處理裝備需要在一段時間中流通充份 數量之晶圓。處理裝備必須亦增進一可靠處理過程，以使 確保來自設備的持續收益。 直至近年，在半導體處理中已發現電漿灰化與塗層消 除劑貯池是以移除光致抗蝕劑及光致抗蝕劑殘餘。但是， 近來之積體電路之進步，使電漿灰化與塗層消除劑貯池不 足以供高先進的積體電路之用。這些近來的進步包含供蝕 刻特色用之小臨界尺寸、及供絕緣體用之低電介質常數材 料。蝕刻特色用的小臨界尺寸造成管線耐受塗層消除劑貯 池之不充份結構，引致需要更換塗層消除劑貯池的結果。 許多低電介質常數材料不能耐受電漿灰化的氧環境，引致 需要更換電漿灰化。 近來，已發展一起臨界處理來取代電漿灰化與塗層消 除劑貯池移除光致抗蝕劑與光致抗蝕劑殘餘。晶圓所遭受 之物理環境，係使用何種方法來於處理期間拘束晶圓的最 大判定因素。高壓及高溫二氧化碳的使用，對半導體處理 範圍中係相當新的。既存之超臨界處理系統之高壓處理室 ，均不能適合達到半導體處理之獨特需要。特別的，既存 之超臨界處理系統之高壓處理室，未提供在超臨界處理期 間用以固定半導體晶圓之裝置，該裝置係使半導體晶圓不 會破碎或損壞。 在多種不同半導體設備型式中已使用真空固持晶圓至 一金屬夾頭〃，以供處理之用。在某些型式之真空夾頭 中，一真空槽被使用以固持半導體晶圓至半導體固持區域 -5- (3) 1283889 。在這些型式之真空夾頭中’半導體晶圓之底側具有充份 之粗糙度，允許在晶圓底側與非常平滑的夾頭表面之間發 生漏洩。在晶圓與夾頭表面之間的漏洩指出了一個問題， 因爲在超臨界處理開始時，晶圓未充份地固持在夾頭表面 上。 此外，已發現在遭受高壓力環境時，半導體晶圓展延 於其上之真空槽產生過度之高應力於晶圓中。依據晶圓之 強度，若非必須減少真空槽之寬度以消除晶圓損壞之可能 性，則必須減少將晶圓推入真空槽內的外部力（氣體壓力） 。爲使在晶圓上進行必須之處理，壓力不能下降。不幸的 ，真空槽之寬度與供充份真空固持所需的深度，係在目前 機器工場技術的極限邊緣。即使以可生產之最薄真空槽， 在遭受高壓力環境以及真空被施加至半導體晶圓時，顯著 之應力仍在晶圓中發展。 所需要的是極小化在半導體晶圓之底側與真空夾頭的 表面之間的漏洩之方法與裝置，使得晶圓被充份地固著至 夾頭表面上。亦爲所需要的是於超臨界處理期間用以固持 半導體晶圓之方法與裝置，當被放置在真空夾頭上時，不 會破碎半導體晶圓或損壞半導體晶圓。 【發明內容】 本發明的一觀點係針對於高壓力處理期間用以固持一 半導體晶圓之真空夾頭。真空夾頭包含一用以固持半導體 晶圓之半導體固持區域。真空夾頭包含一真空口，用以施 -6 - (4) 1283889 加真空至半導體晶圓表面。真空夾頭包含一材料，被施加 在半導體晶圓表面與半導體固持區域之間。較佳爲_燒糸吉 材料之材料可被構形以在半導體晶圓表面與半導體固持區 域之間提供一均勻表面。真空夾頭進一步包含一被聯結至 真空口的諸如真空槽之真空區域。真空槽可選擇地具有一 錐形組態。真空區域係被放置以施加真空至半導體晶圓表 面。半導體固持區域具有一平滑表面。 在又另一觀點中，本發明係針對於高壓力處理期間用 以固持一半導體晶圓之真空夾頭。真空夾頭包含一半導體 晶圓固持區域及位於固持區域內的一真空區域。真空區域 施加真空至半導體晶圓表面。一燒結材料被施加在該表面 與真空區域之間’其中該燒結材料減少被真空所施加之應 力。真空區域包含一或更多之真空槽，因而一或更多之真 空槽可選擇地具有錐形組態。真空夾頭進一步包含一真空 口，其提供真空且被聯結至真空區域。 在又另一觀點中，本發明係針對於高壓力處理期間用 以固持一半導體晶圓至真空夾頭的方法。該方法包含提供 具有一半導體固持區域的真空夾頭。該方法包含施加一燒 結材料於半導體晶圓表面與半導體固持區域之間。該方法 亦包含放置半導體晶圓與半導體固持區域，使得半導體晶 圓表面配接半導體固持區域。該方法亦包含施加真空至配 接表面，因而該材料利用真空固著半導體晶圓至半導體固 持區域。 在又另一觀點中，一真空夾頭用以於高壓力處理期間 -7- (5) 1283889 固持-半導體晶圓。真空夾頭包含一用以固持半導體晶圓 之半導體固持區域及用以施加真空至半導體晶圓表面的真 空區域。真空夾頭亦包含一被施加在半導體晶圓表面與半 導體固持區域之間的第一材料。第一材料在半導體晶圓表 面與半導體固持區域之間提供氣密密封。第二材料被施加 在該表面與真空區域之間。第二材料在該表面與半導體固 持區域之間提供實質上一致的表面。 【實施方式】 本發明的較佳真空夾頭，係較佳的在高壓力（較佳爲 超臨界）處理期間將一半導體晶圓固持在一壓力室中。圖 1A顯示與依據本發明之方法一起使用之真空夾頭1〇〇的立 體圖。真空夾頭1 00被顯示具有圓形組態。可選擇的，真 空夾頭1 00具有其他形狀組態，包含但不侷限於方形或矩 形形狀。如示於圖1 A中，真空夾頭1 〇 〇較佳爲一單一件。 可選擇的，真空夾頭1〇〇係多數部件之組合或爲一室壁（未 顯示）的一部份。真空夾頭100包含被顯示在夾頭100之頂 部表面處的一晶圚壓板102。晶圓壓板102包含一真空區域 104及一半導體固持區域106。包含晶圓壓板102之區域的 固持區域106頂部上，係用以放置半導體晶圓（未顯示）。 固持區域106較佳爲平滑且具有超平坦表面。 圖1A中之真空區域1〇4被顯示較佳爲一圓形或真空槽 1 〇4，該槽將以示範之目的於此描述。可選擇的，真空區 域104包含一真空孔（未顯示）。較佳的，真空槽1〇4之直徑 (6) 1283889 係小於在超臨界條件下處理的半導體晶圓99之外直徑。但 是’真空槽104之直徑係可選擇地大於半導體晶圓99的直 徑。此外，真空槽104較佳具有0.1 00英吋之最小深度及 〇·1〇0至0.300英吋的寬度範圍。但是，真空槽104的其他 尺寸爲可計劃的。可選擇的，在晶圓壓板1 〇 2上可配置多 於一的真空槽’因而，多數之真空槽均同心地繞著晶圓壓 板102的中心形成。必須注意，較佳的，真空槽1〇4之直徑 係小於晶圓9 9的外直徑至少〇 · 1 〇 〇英吋。可選擇的，真空 槽1 04之直徑係實質上相當於半導體晶圓的外直徑，使得 半導體晶圓被充份地固持在晶圓壓板丨02上，且經由施加 於真空區域1〇4處的真空所導致之力不會減弱。 圖1Β顯示依據本發明之真空夾頭1〇〇的橫剖面圖。示 於圖1Β中之真空空腔1〇被連接至真空槽1〇4。一真空產生 裝置（未顯示）被聯結至真空空腔110的真空口末端112，因 而’由真空產生裝置（未顯示）所產生之真空，導致施加至 晶圓99底部表面98的吸力。可選擇的，多數真空口與管路 均被使用且聯結至真空槽1 04。可選擇的，在晶圓壓板之 表面上形成小蜘蛛網式特色，以供較佳地分佈真空流（未 顯示）。爲了描述本發明，真空空腔110的口 112與真空槽 1 04均被認爲在大氣或真空壓力下，且真空夾頭1 00之晶圓 壓板102係遭受局壓力。 圖2顯示依據本發明的真空夾頭1 〇 〇之橫剖面圖，具有 被固持於其上之半導體晶圓99。半導體晶圓99較佳具有 2 0 0mm之直徑，雖然亦可採用具有其他直徑之晶圓。半 (7) 1283889 導體晶圓99被放置在晶圓壓板i〇2上，因而，半導體晶圓 99的底部表面98係接觸晶圓壓板1〇2之固持區域106。如示 於圖2 ’真空槽1〇4具有小於半導體晶圓99之外直徑的較小 直徑。如此’允許真空經由真空空腔1 1 〇施加，以施加統 一之吸力至半導體晶圓99的底部表面98，因而固持半導體 晶圓99至壓板102。 半導體晶圓99的底部表面具有充份之表面粗糙度，在 晶圓99之底側98與真空區域104之間發生漏洩。此一漏洩 預防半導體晶圓99在超臨界處理的大壓力下被充份地固持 至表面真空夾頭100，被施加至底部表面98的吸力量値及 被施加至晶圓9 9之頂部表面9 7的超臨界處理壓力，會導致 晶圓99在真空區域1 〇4處破碎。 如前所述，於超臨界處理期間，高壓力與來自真空區 域104的吸力，均被施加至半導體晶圓99與真空夾頭100。 來自真空口 1 1 2且經由真空區域1 04之吸力，固著晶圓至晶 圓壓板1 02。晶圓99一般由矽製成，矽係一易碎材料。如 前所述，真空區域104與半導體晶圓99之組態，導致在晶 圓99上產生鉅大數量之應力。特別的，晶圓99下方之來自 真空區域104的吸力以及晶圓99頂部表面上之高壓力，一 起導致在晶圓9 9中之大應力，使得晶圓9 9會在接近或真空 槽104上方的位置處龜裂或破碎。爲使減少在這些位置處 施加至晶圓9 9的應力數量，本發明之真空夾頭1 0 0的晶圓 壓板102係在本發明下構形，以完全地支撐晶圓99之底部 表面9 8 (於下詳述）。 -10- (8) 1283889 圖3係依據本發明之具有一燒結材料】1 6在真空槽1 〇 4 . 內的真空夾頭。可選擇的，加里名私 ^ ^ _ 」k悴tU 如果多於一之真空槽ι〇4被構 形在真二夾頭1 0 〇中，燒結材料n 6被施加至多數之真空槽 1〇4。如前所述，經由來自真空區域施加之真空或吸力，θ · 以及來自晶圓99上方施加之高壓力’半導體晶圓99被固持 、· 至真空夾頭1 0 〇。燒結材料丨】6被施加在真空槽】〇4內，因 · 而燒結材料116塡入真空槽1〇4之槽道。經由塡入真空槽 104的槽道，燒結材料！ 16產生與固持區域1〇6之表面一致 的表面，且因而形成一整體平坦表面在晶圓99下方。此外 ，由於燒結材料1 1 6之有孔性，燒結材料η 6保持被經由真 空槽施加之整體真空力，此將於下詳述。因而，因爲燒結 材料1 1 6完全地支撑晶圓9 9之底側向者存在的高壓力，以 及允許來自真空口 1 1 2之真空被經由真空槽} 〇4施加至晶圓 9 9 ’半導體晶圓9 9不會遭遇大的應力。此外，燒結材料 Π 6存在於真空區域中，如果晶圓9 9破碎時，可有利地預 防晶圓9 9的任何碎片被向下吸至真空口〗i 2。如此，允許 | 此目前之方法更輕易地淸除破碎晶圓9 9。 · 已知的，燒結材料1 1 6係經由在高壓力下壓縮粉末（較 - 佳爲金屬粉末）且將之加熱以熔化在一起而製成。燒結材 料116係可選擇的使用不同於金屬之多數不同材料而產生 。進一步的，習知之不同燒結材料可被產生具有多種密度 及有孔性特質。例如，可取得利用一燒結材料爲過濾器元 件的氣體與液體過濾器。真空之流率以及燒結材料1 1 6的 材料強度，均較佳的由燒結材料】I 6之密度所控制。換言 -11 - (9) 1283889 之’燒結材料1 1 6成爲較低密度時，成爲較軟或更且撓性 〇 在本發明中，較佳使用燒結不銹鋼材料，由於其之強 度及有利的耐腐性質β燒結不銹鋼材料通常具有70%至 8 〇%範圍中的密度。因而，1 8至30°/。的不銹鋼燒結材料1 16 係連通或多孔的，使得氣體或流體可通過燒結材料丨〗6。 因而’燒結材料Π 6允許真空由此通過且最終提供吸力至 晶圓99的底部表面。較佳的，晶圓99本身不會由於高壓力 與真空力而在晶圓壓板102上彎折或歪斜。因而，爲使支 撑晶圓9 9的底部表面9 8且保持晶圓9 9不彎折或歪斜，燒結 材料1 1 6較佳地被置於真空槽1 〇 4內且係在密度的上部範圍 中。在效果上，在真空槽104處之半導體晶圓99的極小歪 斜，預防晶圓99在接近或在真空區域ι〇4上遭受任何應力 〇 如不於圖3 ’燒結材料1 1 6被置於真空夾頭1 〇 〇的真空 槽104內。經由熔接燒結材料116至真空槽1〇4內部壁，燒 結材料1 1 6被較佳地施加至真空夾頭】〇 〇。燒結材料η 6係 較佳的被使用一雷射而熔接在真空槽1〇4內。可選擇的， 使用一電子束將燒結材料116熔接至真空槽]04。可選擇的 ’可經由其他方法將燒結材料1 1 6施加至真空槽丨〇 4，該其 他方法包含但不侷限於以銅鋅合金熔接，自真空槽1 〇4之 側用螺栓栓住、施加強迫配接及使用燒結材料1】6本身之 重量。 在 可运擇過&中，纟兒結材料1 1 6被施加至半導體晶 -12- (10) 1283889 圓99的底部表面98，而非直接地在真空槽104內。在此一 可選擇情況中，具有相對應於真空槽1 04之直徑的直徑之 燒結材料1 1 6環，被施加至晶圓9 9的底部表面9 8。在此一 可選擇實施例中，亦使用一校準機構（未顯示），以確保當 晶圓9 9係被置於固持區域1 〇 6上時，在晶圓9 9之底部表面 98上的燒結材料116環係自動地校準且直接地被置於真空 槽1 0 4內。 圖4A顯示真空槽118的可選擇實施例，真空槽〗18具 有一錐狀組態或一錐狀槽道。如示於圖4A，錐形槽道在 接近固持區域1 〇 6表面處具有較小寬度，逐漸地增加至真 空槽U8底部處之較大寬度。錐形槽道之較大寬度接收燒 結材料1 1 6於真空槽內，且錐形槽道之較小寬度固持燒結 材料1 1 6在真空槽內。經由使用一大的向下力以壓擠燒結 材料116進入真空槽11 8內，而較佳地將燒結材料ι16施加 至錐形真空槽。可選擇的，可使用任何前述之方法將燒結 材料1 1 6施加至錐形真空槽。如示於圖4B，燒結材料n 6被 向下壓力真空槽118內，因而，燒結材料116塡入真空槽 1 1 8的較大寬度部位中，且較小寬度部位保有燒結材料n6 於真空槽1 1 8內。 亦可採用的，本發明之真空夾頭100於晶圓99的超臨 界處理期間利用塗層材料1 1 4與燒結材料】〗6二者。圖5顯 示具有塗層材料1 14以及燒結材料1 16在晶圓99與晶圓壓板 1 之間的真空夾頭100橫剖面。如示於圖5，一薄層塗層 材料Π4被施加至固持區域106。此外，燒結材料n6被施 (11) 1283889 加至真空區域1 Ο 4。 在晶圓99與固持區域106之間的薄層塗層1 14，提供足 夠之順應晶圓99的底部表面98，以 > 模製〃爲存在於晶圓 99之底部表面98中的微小凹凸。在效果上，塗層材料114 預防真空經由晶圓之底部表面98的微小凹凸漏出，且亦預 防來自晶圓99上方之高壓力在晶圓的底部表面98與真空槽 104之間漏洩。因而，塗層114在晶圓99的底部表面98與夾 頭100的固持區域106之間提供實質上爲一致的密封，使得 在晶圓99與真空夾頭100之間的真空不會減弱。塗層材料 1 14較佳由合適聚合體製成，諸如PEEK#但是，塗層材料 1 1 4可選擇的可爲一單體、漆、纖維素、任何有機或無機 物質、或前述之組合。可選擇的，塗層材料114係由具有 適合提供一密封在半導體晶圓底部表面9 8與夾頭1 00的晶 圓固持區域1 06之間的特徵之任何妥適材料製成。塗層材 料之細部均描述在美國專利申請案、、於高壓處理期間利用 一塗層強化固持一半導體基板的方法與裝置〃中，其將於 此結合參考。 此外，燒結材料1 1 6被施加進入真空槽1 04內，直到在 真空槽1 04內的槽道塡滿燒結材料n 6且形成與固持區域 1 06之頂部或配接表面一致的表面爲止。可選擇的，如示 於圖6，妥適之額外數量的燒結材料n 6被施加至真空區域 1 04 ’以提供與塗層材料1 1 4表面一致的表面。必須注意， 由於存在燒結材料1 1 6，薄層塗層材料】1 4未被施加至真空 區域1 04 °可選擇的，如前所述’個別地或組合地，塗層 (12) 1283889 材料1 14與燒結材料1 16均被施加至晶圓99的底部表面98。 在塗層114與燒結材料1 16被施加至真空夾頭時，半導 體晶圓9 9沿著配合表面配接塗層材料丨1 4。如前所述，塗 層材料114模製存在於晶圓99底部表面98中的凹凸，且因 而產生固持晶圓99至真空夾頭1 〇〇的一密封。此外，燒結 材料116與固持區域1〇6，或可選擇地塗層材料ι14 —起提 供平坦表面，因而通過真空槽1〇4之來自真空口 U2的真空 ，不會導致過度之應力至晶圓99。 習於本技藝者可輕易了解，在不離申請專利範圍所界 定之本發明的精神與範疇下，由本發明之實施例可產生多 種之其他修正例。 【圖式簡單說明】 圖1A顯示與依據本發明之方法一起使用的一真空夾 頭之立體圖。 圖1 B顯示被使用在依據本發明之方法中的真空夾頭 之橫剖面圖。 圖2顯示具有一半導體晶圓被固持於其上的真空夾頭 之橫剖面圖。 圖3顯示依據本發明之具有—燒結材料於真空槽內的 真空夾頭之橫剖面圖。 圖4 A顯示具有錐形組態之真空槽的一可選擇實施例 〇 圖4B顯示具有錐形組態之真空槽的一可選擇實施例 -15- (13) 1283889 圖5顯示依據本發明之具有被施加的塗層材料與燒結 材料之真空夾頭的橫剖面圖。 圖6顯示依據本發明之具有被施加的塗層材料與燒結 材料之真空夾頭的橫剖面。 [圖號說明] 98 :底面表面 99 :半導體晶圓 1 0 0 :真空夾頭 1 〇 2 :晶圓壓板 1 0 4 :真空區域 1 0 6 :半導體固持區域 1 1 0 :真空空腔 1 12 :真空口 1 1 4 :塗層材料 1 1 6 :燒結材料 1 1 8 :真空槽 9 7 :頂部表面

Claims (1)

1. (1) 1283889 拾、申請專利範圍 附件2A : 第93 1 028 1 8號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 民國9 6年1月3〇日修正 1 —種真空夾頭，用以於高壓力處理期間固持一半導 體晶圓，包含： a·—晶圓固持區域，用以固持半導體晶圓； b·—真空區域，用以施加真空至半導體晶圓的一表面 ’真空區域在晶圓固持區域內，及 c·一被施加在真空區域內的材料，該材料可構形以在 半導體晶圓表面與晶圓固持區域之間，提供一致之表面， 其中，該材料係被構形以允許真空流動通過其中。 2 ·如申請專利範圍第〗項之真空夾頭，其中晶圓固持 區域包含一平滑表面。 3 ·如申請專利範圍第丨項之真空夾頭，其中該材料進 一步包含一燒結材料。 4.如申請專利範圍第丨項之真空夾頭，其中真空區域 包含至少一真空槽。 5 ·如申請專利範圍第4項之真空夾頭，其中至少二真 空槽被同心地構形在晶圓固持區域上。 6 ·如申請專利範圍第4項之真空夾頭，其中至少一真 空槽包含一錐形組態。 7·—種真空夾頭，用於高壓力處理期間固持一半導體 晶圓，包含： (2) 1283889 a. 供固持半導體晶圓用之機構，其中一半導體晶圓之 表面係緊密接觸供固持用之機構； b. 供施加真空至半導體晶圓表面的機構；及 c. 供支撑半導體晶圓之表面用的機構，其中供支撑用 之機構被置於供施加用的機構內，供支撑用之機構被構形 以允許真空由其通過。 8 · —種真空夾頭，用以於高壓力處理期間固持一半導 體晶圓，包含： a·供固持半導體晶圓用之一固持區域，其中一半導體 晶圓之表面係緊密接觸固持區域； b.供施加真空至半導體晶圓表面的一真空區域；及 c·供支撑半導體晶圓表面用的一燒結材料，其中該燒 結材料被放置於真空區域內，且被構形以允許真空由其通 過 ° 9·如申請專利範圍第8項之真空夾頭，其中固持區域 進一步包含一實質上爲平滑之表面。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之真空夾頭，其中進一步包 含被施加在固持區域與半導體晶圓表面之間的一塗層材料 ’其中塗層材料係符合半導體晶圓表面。 1 1 ·如申請專利範圍第8項之真空夾頭，其中真空區域 進一步包含至少一真空槽。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之真空夾頭，其中真空區 域進一步包含至少二真空槽，其中至少二真空槽均被構形 同心地沿著固持區域。 -2- (3) 1283889 1 3 .如申請專利範圍第i〗項之真空夾頭，其中真空槽 進一步包含一錐形組態。 14·如申請專利範圍第8項之真空夾頭，其中燒結材料 被構形在真空區域內，以提供與固持區域實質上一致之表 面。 15·—種於高壓力處理期間固持一半導體晶圓至一真 空夾頭的方法，包含： a·提供具有一半導體固持區域之真空夾頭； b·施加一燒結材料在半導體晶圓表面與一真空區域之 間； c ·放置半導體晶圓至半導體固持區域，使得半導體晶 圓表面配接半導體固持區域；及 d.經由真空區域施加真空至配接表面，其中利用該真 空，燒結材料固著半導體晶圓與半導體固持區域。 1 6 ·如申請專利範圍第丨5項之於高壓力處理期間固持 一半導體晶圓至一真空夾頭的方法，其中燒結材料被直接 地施加至真空區域。 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項之於高壓力處理期間固持 一半導體晶圓至一真空夾頭的方法，其中燒結材料被直接 施加至半導體晶圓表面。 1 8 · —種真空夾頭，用於高壓力處理期間固持一半導 體晶圓，包含： a·—實質上爲平滑之晶圓固持區域，用以固持半導體 晶圓； -3 - (4) 1283889 b.—真空區域，用以施加真空至半導體晶圓表面，真 空區域係在晶圓固持區域內； c·一塗層材料，被施加在半導體晶圓表面與晶圓固持 區域之間’該塗層材料係用以提供一密封在半導體晶圓表 面與晶圓固持區域之間；及 d. —燒結材料，被施加至真空區域，燒結材料係用以 提供一實質上爲一致之表面在該表面與晶圓固持區域間。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之真空夾頭，其中真空區 域進一步包含至少一具有一預定尺寸之槽道的真空槽。 2 0 ·如申請專利範圍第1 9項之真空夾頭，其中真空區 域進一步包含二或更多之真空槽，每一真空槽被構形以同 心地沿著晶圓固持區域。 2 1 ·如申請專利範圍第1 9項之真空夾頭，其中至少— 真空槽包含一錐形組態。

   1283889 柒、（一） (二） 、本案指定代表圖為：第3圖 、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 100 真 空 夾 頭 102 晶 圓 壓 板 104 真 空 區 域 110 真 空 空 腔 112 真 空 □ 116 燒 結 材 料 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式=無