TWI283319B - Active matrix type display device - Google Patents

Description

1283319 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 示的反射型或者適用於 的顯示裝置。 本發明關於利用外光反射進行顯 半透過型的顯示裝置的主動矩陣型 【先前技術】 在顯示設備的領域，可以得到高顯示品質的主動矩陣型 的液晶顯示裝置被廣泛應用。在這種液晶顯示裝置中，在 -對基板之間夾持著液晶層而構成，在一方的基板上呈矩 陣狀配置的多個像素電極的逐個上，設置有採用薄膜電晶 體或薄膜二極體的開關元件，通過每個像素電極的確實的 開關動作，可以容易地得到高精確度等的特性。 此種液晶顯示裝置採用反射型或半透過型時，在一對基 板之中，距離觀察者遠的一侧的下側的基板上形成擴散反 射性的反射膜，是視差變小，提供一種在更廣的範圍内可 以進行明亮顯示的裝置。 此種顯示裝置的一個習知例，如特開平5-28丨533號公報 所揭示，在圖20所示的以平面視矩陣狀衆多排列形成的光 反射性的像素電極200上形成多個如圖21所示的細微的環 狀的凸部201和細微的圓柱狀的凸部202的構成的液晶顯示 裝置是周知的。這個例子的液晶顯示裝置，在以將薄膜電 晶體2 04蓋住之方式形成的絕緣層的表面部上形成多個^ 1 μηι左右、外徑20 μιη左右、内徑5 μιη左右的環狀凸部2〇1， 和高1 μηι左右、直徑14 μπι左右的圓柱狀凸部202，在這兔匕 上面以被蓋住之方式形成有導電膜組成的像素電極2〇〇，因

O:\86\86nO-960216.DOC 1283319 此形成多個與所述凸部201、202形狀一致的光反射性的凸 部。 其他的構成的例子，如在專利第3 〇 1 9058號公報所揭示， 在圖22所示的上下成對的基板21〇、211中，在下側的基板 2 11側形成薄膜電晶體212，在覆蓋這個部分的絕緣層2丨3上 形成光反射性的像素電極215，先在絕緣層213上形成凹凸 部，在其上的像素電極215上面形成散亂光的指向性不同的 2種以上的區域216、217,各區域216、217的最大尺寸設定 在規定的面積以下（比如對角線5 mm以下）的液晶顯示裝置 是周知的。 而，14個專利的像素電極215，是由喷砂工序將絕緣層213 的膜面變得粗㈣方法、域預先在玻璃的上面钱刻使之 «的方法、對聚酰亞胺膜的表面進行幹㈣使膜面變得 粗糙等方法而形成的。 而且，在圖22所示的區域’通過將表面的凹凸作爲傾斜 平緩的山形’在區域217作爲傾斜大的山形，改變反射光的 狀態，在區域216’如圖22的箭頭所示，可以得到指向性比 _散射光，在區域217’如圖22的箭頭所示構成為可以 得到散亂性比較強的散射光。 所述的噴砂法或㈣法等方法形成的反射膜，其射人光 的反射特性，具有：從對平板面的射人❹）包含反射光路 控的垂直面中’以中心角作爲基本，基本是左右對稱的如 圖23所示的曲線Al、Bl、Cl所示的高斯分佈型的反射特性。 惟，在觀察液晶顯不裝置時，—般對於觀察者係在

O:\86\86110-960216. DOC 1283319 面板傾斜的狀態進行觀察的，因此在單純的高斯 反射特性的液晶顯示褒置上，如圖23所示，在某個狹窄： =圍内^雖然可以由於有—個峰值而得到明亮的顯 悲，而在實際使用狀態，從最重要的液晶板的法線到觀疚 者側附近的受光區域中’具有亮度不足的傾向。而且= ，實際使用狀態’從最重要的液晶板的法線到觀 近的受光區域中’具有在廣範圍亮度不能確保的問題。 而且，冑了構成反射層對於作爲打底料絕緣膜進行喷 砂處理、㈣處理時有可能會對在反射層的下側形成的各 種叫、薄膜三極管或者薄膜二極體㈣關元件造成損害。 -方面’在具有如圖20和21所示構成的凸部加、加的 構成的液晶顯示裝置中，其反射特性也同樣地具有所述情 況的從規定角度左右對稱的高斯分佈型的反射特性，也就 存在所述情況同樣的問題。 【發明内容】 本發明H於上述的問題，其目的係提供—種具備非對稱 勺反射特n ’在實際使用狀態，從最重要的液晶板的法 線到觀察者側附近的受光區域可以最大限度地保證亮度的 主動矩陣型顯示裝置。 而且’本發明的目的在於提供一種在最重要的從液晶板 ，法線至靠近觀察者侧之受光區域，可得到儘可能大的明 7C度且可彩色顯示之主動矩陣型顯示裝置。 1又本發明的目的在於提供一種主動矩陣型顯示裝置， 八係在最重要的從液晶板的法線至靠近觀察者側之受光區

O:\86\86110-960216.D0C Ϊ283319 域,_ ye 一 °」传到儘可能大的明亮度且不會對開關元件或配線有 不良影響而得以製造者。

為了實現所述目的，本發明的主動矩陣型液晶顯示裝置 特彳政在於具備：一對基板；夾持在該等基板之間的光調 芝曰’形成於所述一方的基板上之複數之像素電極；設於 °亥等像素電極附近用以驅動名像素電極之開關元件；及至 夕形成於自觀察者側起較遠側之基板上的反射型或半透過 反射型的反射層；且所述反射層具非對稱的反射特性。 右係具有具備非對稱的反射特性的反射層的主動矩陣型 -頁不裝置’不是單純的高斯分佈型的反射特性，而係提供 -種在目標方向集中更多的光，纟目標方向中可以實現更 明売的顯示狀態的顯示裝置。如果以這個目標方向作爲觀 ’丁、側的活，比具有鬲斯分佈型反射特性的顯示裝置在實際 使用狀態可以得到更明亮的顯示裝置。 ”

爲了貫現所述目的，本發明的主動矩陣型顯示裝置的半 徵在於：關於從光射入方向沿著受光方向的面，所述反身 層的剖面形狀’呈對基板法線具有非對稱的曲率的凹凸面 關於從射入光方向沿英為忠士 a 署又光方向的面對於基本法線，g

於具有非對稱的曲率的凹ΛM ^ 幻凹凸面，關於從射入光方向開始义 著受光方向的面，不是显純Μ古* 疋早、、、屯的回斯分佈型的反射特性， 係提供一種從光射入方向開妗 J闹始〜者X先方向在目標方向售 中更多的光，在目標方向中可 π甲了以棱供更明焭的顯示狀態έ

顯示裝置。如果以這個曰伊士 A 、W目彳示方向作爲觀察側的話，比具巧 高斯分佈型反射特性的_ +姑恶 + 寸庄的顯不裝置在實際使用狀態可以得3

O:\86\86110-960216.DOC 1283319 更明免的顯示裝置。 爲了實現所述的目的，本發明的主動矩陣顯示褒置，所 述反射層的剖面的曲線至少由兩個曲率不同的曲線组成。 由此，不是單純的高斯分佈型的反射特性，而係提供一 種從光射· 人方向開始沿著受光方向在目標方向集中更多的 光《在目一‘ $向中可以提供更明亮的顯示狀態的顯示裝置。 、，爲了貫現所述㈣，本發明的主動矩陣型顯示裝置，所 述反射層的剖面的曲線的曲率的傾斜角分佈最大爲3〇。。 如果曲率的傾斜角超過30。’反射光的擴散角太寬，反射 強度下降，難以得到明亮的顯示。 爲了實現所述的目的，本發明的主動矩陣顯示裝置，所 述開關元件由薄膜電晶體構成，或者所述的開關元件爲反 交錯型。 本發明也適用於開關元件由薄膜電晶體構成，或者開關 元件爲反父錯型構成的主動矩陣型顯示裝置。 爲了貫現所述的目的，本發明的主動矩陣顯示裝置的特 试為·所述開關元件在觀察者附近一側的基板上形成，彩 色濾光器在另一方的基板上形成。 本發明可以適用於設置彩色濾光器的構造，此時，在目 軚方向集中更多的光，在目標方向中，可以進行更明亮的 顯示狀態的彩色顯示α 爲了實現所述的目的，本發明的主動矩陣顯示裝置的特 徵為：所述開關元件在雜觀察者遠的一側的基板上形成， 彩色濾光器在相同的一侧的基板上形成。 〇：\86\8611〇.96〇216d〇c -11 - 1283319 本發明可以適用於設置彩色渡光器的構造 標方向隼Φ^，ΑΑϊ τ 在目 2 先，在目標方向中，可以進行更明亮的 ”、、頁不狀怨的彩色顯示。 =了貫現所述的目的，本發明的主動矩陣顯示裝置的特 ;所述像素電極與料反射層w，在這些像素電極 形成具有非對稱曲率的凹凸面。 爲了貝現所述的目的，本發明的主動矩陣型顯示裝置的 H覆蓋所述開關元件形成絕緣層，在該絕緣層上形 〇具有所述非對稱曲率的凹凸面，沿著該凹凸面形成像素 。極，在像素電極上形成具有非對稱曲率的凹凸面。 ，了實現所述的目的，本發明的主動矩陣型顯示裝置的 特从為·所述像素電極和所述開關元件通過形成在所述絕 緣層上的接觸孔上形成的導通部進行連接。 μ爲了實現所述的目的，本發明的主動矩陣顯示裝置的特 徵為··所述開關元件是非線形型2端子元件。 ⑶爲了實現所述的目的，本發明的主動矩陣顯示裝置的特 徵為：具有所述反射層的非對稱曲率的凹凸面是由對於作 爲所述反射層的底層形成的絕緣層的型的按麼形成的凹凸 面而形成的。 當採用在絕緣層上形成的凹凸，由型的按壓形成的凹凸 面的構造時’不採用可能會對薄膜電晶體、薄膜二極體或 配線造成損傷的喷砂法或_法，可以實現凹凸面的形 ,。所以’可以提供沒有薄膜電晶體、薄膜二極體、配線 損傷的顯示裝置。 O:\86\861] 0-960216.DOC -12- 1283319 進而，在本發明中，由所述一對基板和夾持在這些基板 間的光調變層構成的單元的延遲值And在180 nm〜280 nm 的範圍，光調變層是液晶，該液晶的扭轉角爲6 0。〜9 0。的 範圍是理想的。 進而，在本發明中，在所述一對基板的觀察側外方，從 外側順序地配置偏光板、第一相位差板、第二相位差板， 並且從觀察者側來看所述偏光板的吸收軸的角度在反時針 旋轉75。〜90。的範圍，第一相位差板的在所述單元的 100%〜140%的範圍，滯相軸角度在〇。〜2〇。的範圍，第二 相位差板的And在所述單元的And的40%〜70%的範圍，滯 相軸角度在55。〜75。的範圍是理想的。 【實施方式】 以下根據附圖，對本發明的主動矩陣顯示裝置的一實施 方式的反射型顯示裝置進行說明。而在以下的所有附圖中 爲了看圖的方便，對各構成要素的膜厚、尺寸的比率進行 了適當的調整。 圖1是表示本實施方式的反射型液晶顯示裝置的剖面構 造圖，圖2表示像素部分的俯視構造，如圖1所示本實施方 式的反射型液晶顯示裝置中的液晶板丨0〇由元件側的基板 110、相對基板140、作爲在基板110、14〇之間夾持的光調 變層的液晶層1 5 0、在基板11 〇的外側從外侧順序配置的偏 光板151、第1相位差板152、第2相位差板153構成。而雖然 在圖1中沒有表示，基板110和基板14〇平面視爲矩形，密封 材料介於這些的周邊部分之間，被基板11〇與基板14〇與密

O:\86\S6110-960216.DOC -13- 1283319 封材料包圍的狀態，在這些基板間夾持著液晶層1 50。 元件側的基板110，如圖1所示在由玻璃或塑膠等構成的 基板本身111上（圖1中是基板本身111的下面側，也就是說液 晶層側）分別在圖2的行方向（X方向），列方向（y方向）各自相 互電氣絕緣狀態地形成多根掃描線126、信號線125，在各 掃描線126、信號線125的交叉部的近旁形成TFT(開關元 件）130，與被各掃描線126、信號線125包圍的區域對應地 形成像素電極120。以下，在基板11〇上，將形成像素電極 120的區域、形成TFT13〇的區域、形成掃描線126以及信號 線125的區域分別稱爲像素區域、元件區域、配線區域。 本實施方式的TFT130具有逆交錯型結構，從成爲主體的 基板hi的最下層部開始順序形成柵電極112、栅絕緣層 n 3、半導體層114、11 5、源電極11 6以及汲電極i丨7。即， 知描線126的一部分延伸出來形成栅電極112，在覆蓋這個 的柵絕緣層113上從平視跨越栅電極112地形成島狀的半導 體層114，纟這個半導體層114的兩端側的一方通過半導體 層115形成源電極116，通過另-方的半導體層115形成汲電 極117>。而在半導體層114上，覆蓋形成島狀的絕緣膜118， 通過&個絕緣膜11 8剛才的源電極116的前端部與汲電極 117的前端部相斜巧罟 . ΐ叹置。廷個絕緣膜us在製造半導體層114 之際作爲钱刻限制；^女 硏層起作用，用於保護半導體層Π4。 在基板111上，可以掂 知用除玻璃以外’聚氯乙烯、聚醋、 :^對本一甲酸乙二 曰4的合成樹脂、天然樹脂等的基板。 而且，除34些以外亦 71在不銹鋼鋼板等的導電性基板上設

O:\86\86110-960216.DOC -14- 1283319 置絕緣層，在這個絕緣層上形成各種配線、元件等。 所述柵電極m可以用鋁（A1)、鉬（M〇)、鎢（W)、鈕（Ta)、 鈦（Ti)、銅（Cu)、鉻（Cr)等的金屬或含有這些金屬元素一種 X上的Mo-W等合金構成，如圖2所示，在行方向整體形成 配設的掃描線126。 · 所述柵絕緣層113由氧化矽（Si〇x)、氮化矽（SiNy)等的矽 類的絕緣膜構成，覆蓋掃描線126以及柵電極112地在基板 111上幾乎全面地形成。 所述半導體114是不添加任何不純物質的非晶矽（a_Si)f _ 構成的i型半導體層，通過柵絕緣層113與柵電極112相對的 區域作爲溝道區域而構成。 所述源電極116以及汲電極117由Al、Mo、W、Ta、Ti、

Cu、Cr等金屬以及包含這些金屬元素一種以上的合金構 成’在半導體層114上，夾持著溝道區域地相對地形成。而， 源電極116從配置在列方向的信號線ι25延伸出來而形成。 爲了使所述半導體層Π4與源電極116以及汲電極117之間_ 得到良好的歐姆接觸，在半導體層U4與各電極116、117之 間’設置高濃度摻雜磷（P)等的V類元素的n型半導體層U5。 而且，所述汲電極117,連接Al、Ag等高反射率的金屬材 -料像素電極120。這個像素電極12〇在栅絕緣層Π3上呈矩陣. 狀地形成多個’在本實施方式中，通過掃描線126和信號線 125對應劃分的區域一個一個地設置。然後，這個像素電極 12 0 ’其邊沿者掃描線12 6和信號線12 5而配置，將除去 TFT 13 0以及掃描線126、信號線125的區域定爲像素區域。 O:\86\86110-960216.DOC -15- 1283319 然後，在所述構成的基板U1上，以覆蓋絕緣層ll9的方 式形成貫施了磨擦等規定的定向處理的聚酰胺等構成的定 向膜123。 一方面，相對基板140作爲彩色濾光器陣列構成，在由玻 璃、塑膠等構成的基板本體141上，形成圖丨所示的絕緣層 13 5和彩色過渡層14 2。 所述絕緣層13 5由丙烯基類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、苯環 丁烯聚合物（BCB)等的有機絕緣材料構成。這個有機絕緣層 135在基板141上層疊的比較厚，在這個絕緣層135的表面側 (液aa層側）至少對應像素區域的位置，如圖4所示地設置如 同將複製型壓著在絕緣層13 5表面形成的多個凹凸部13 ό， 在這些凹凸部136上再形成由a卜Ag等高反射率的金屬材料 構成的反射層137，在反射層137上也形成與剛才的凹凸部 13 6形狀一致的以後要詳細描述的凹凸部138。由這個反射 層137的凹凸部138射入液晶板100的光一部分被散射反 射，在更廣的觀察範圍可以得到明亮的顯示效果。 所述彩色過濾層142，如圖3所示，周期性地排列構成分 別透過紅（R)、綠（G)、藍（B)的波長的光的彩色濾光器 142R、142G、142B ’ 各彩色濾光器 i42R、142G、142B設 置在與各像素電極120相對的位置。 在所述彩色過濾層142中，在沒有形成彩色濾光器142R、 142G、142B的區域，形成遮光層i42S、142T。這些遮光層 142S，如圖2的2點鎖線所示，從平面上看如蓋住掃描線地 配置’遮光層142T從平面上看如蓋住信號線125地配置。 O:\86\86110-960216. DOC -16- 1283319 在所述彩色過渡層142上，形成ITO、IZ〇等的透明的相 對電極(公共電極)143,進而，至少在對應基板14〇的顯示區 域的位置，形成由實施了規定的定向處理的聚酰亞胺等構 成的定向膜144。 一方面，圖5是所述的凹凸部138之中的—個凹部i38g的· 立體圖’圖6是將一個凹部138g的形成部分沿著，的面切 開的Y剖面圖，圖7是表示其反射特性的圖。 具體地，凹部138§的¥剖面形狀由曲率小的第一曲面和曲 率大的第二曲面構成’第一曲線以及第二曲線分別如圖6所· 示的Y剖面圖中，具有從凹部138g的一方的周邊部81開始到 最深點D的第一曲線A和與第一曲線A平緩連接從凹部13仏 的最深點開始到另一方的周邊部的S2爲止的第二曲線B表 示的形狀。而且，如圖4所示，鄰接絕緣層135的面方向的 多個凹部138g…的間隔是隨意地配置的，凹部U8g排列的 起因是爲了防止産生波紋。 此處，所謂”凹部138g的深度，，是指從沒有形成凹部籲 部分的反射層137的表面到138g的底部爲止的距離，所謂 郴接的凹部138g的間隔’’是指在平面看時，具有圓形狀的 夕個凹部138g的中心間距離。而，所謂，，凹部13仏的内面的. 傾斜角”是如圖5所示，在凹部I38g的任意部位，比如取〇.5 - # m寬的微小的範圍時，對其微小範園的傾斜面的水平面 (反射層137的表面）S的角度5 a。 這個形態的凹部138g的最深點D位於從凹部138g的中心 〇向Y方向錯開的位置，對於反射層137的表面s(水平面s) O:\86\861 ] 0.9602] 6.D0C -17- 1283319 的第一曲線A的傾斜角和第二曲線B的傾斜角的平均值分 別。又疋在1〜8 9 、0 · 5〜8 8。的範圍，第一曲線a的傾斜角 的平均值比第二曲線B的要大。而且表示最大傾斜角的第一 曲線A的周邊部31的傾斜角5a，在各凹部13以中大概在4。 · 〜35°的範圍内，最好在4。〜30。的範圍内的不規則地任意分-佈。由此，各凹部138g的深度d就在〇·25μιη〜3 μιη的範圍内 不規則地任意分佈，即隨機地構成，從更容易製造的觀點 考慮，將凹部lS8g的直徑設定爲5 μπι〜1〇〇 範圍。 鲁 而，如此，凹部138g的深度不能滿足〇·25 (^㈤時，就不能 充分得到反射光的擴散效果，而且，深度超過3 ^以時，爲 了滿足所述内面的傾斜角度、的條件，必須擴寬凹部138g 的間隔，因爲擔心會産生波紋。 圖7表示在如上述所構成的圖5和圖6所示的非對稱形狀 的反射層137上，從所述Y方向以30。射入角照射光時的反射 角度和反射輝度的關係。而，爲了進行比較，將反射層13 7 的形狀作爲Y斷面中的圓弧狀的對稱形狀的反射層的放射鲁 特性一併記錄。 這個對稱形狀的反射層，是如圖8所示形成具有圓弧狀的 凹部13 8 f的反射層13 8 ’的情況下的例子。這個例子的凹部 -138f的内面的傾斜角0 g設定在-18。〜+ 18。的範圍，凹部 · 13Sf的深度d在0.25 μπι〜3 μιη的範園不規則的分佈，.即隨機 地構成，進而，將凹部138f的直徑設定爲5 μιη〜1〇〇 μιη的範 圍，鄰接的凹部138f的間隔也隨機地配置。 如圖7所示’在這個形態的非對稱形狀的反射層13 7中， O:\86\86110-960216.DOC -18- 1283319 k Y轴方向以3 〇。# 角又射入液晶板的光（射入光）的反射光， 比作爲正-ί- β_ l ^方向的反射角度別。要小的角度（2〇。附近），比 對稱形狀的東西的經择 的輝度要大，相反，比反射角度30。要大的 角度(40 Ρ付近)中’比所述對稱形狀的反射層的輝度要小。 也就疋°兒，由於凹部138§的最深點D向Υ方向偏移凹部I38g 的中心點〇，所大 一 在第一曲面上反射的光的比率比在第一曲 ^反射的（光的比率）要大，Y方向的反射顯示變得更明 亮。 而，如圖7所示的對稱形狀的反射層137的反射光中，具 有比如圖2 3所示的高斯分佈型的反射特性的東西更廣的範 圍（勺1 5 45的範圍）可以得到平均的亮度的反射特性，此 種反射特性的東西’比圖23所示的高斯分佈型的反射特 2 ’對於設計使用狀態的觀察者可以得到更明亮的顯示狀 態’可以說是很不錯的。即，在高斯分佈型的反射特性中， 只有在某種狹窄的角纟可以得到很明亮的_ $，只要稍微 偏離這個角度顯示的明亮度就會變得極端低的特性得到充 刀體現。對此，如果是剛才所述的非對稱形狀的反射層Mg 的反射特性的話’較實際使用狀態的觀察者的觀察方 向，如果面向15。〜25。附近的輝度的峰值地配置的話了對 於實際使用狀態的觀察者，在大角度範圍（約15。〜牦。的範 圍）可以維持某種程度平均的明亮的顯示，而且，對於觀= 者的觀察方向如果在15。〜25。附近，可以得到更加明亮的 顯示狀態。 A ^ 如上述所構成的基板11 〇、14 〇，通過墊片（圖中未八）使 O:\86\86110-960216.DOC •19- 1283319 相互之間離開-定的距離地㈣，並且在基板周邊部分， 通過塗抹在矩形框狀具有熱固性的密封材料（圖中未示）結 合起來。而，有基板110、14〇以及密封材料密封的空間封 入液晶形成作爲光調變層的液晶層15G，以構成液晶板 100 〇 在具備如上述構成的凹部138g的液晶板100上，從基板 no的外側射入的光通過基板110的像素電極12〇部分和液 晶層150,在反射層137上被反射，再次通過液晶層15〇和像 素電極120，返回到觀察者側，在這個過程中，像素電極120 控制液晶層150中的液晶分子的定向狀態，控制透過液晶層 150的光的狀態，可以顯示每一個像素，控制顯示實狀態或 中間調顯示狀態。 此時，如同剛才圖7所示在比正反射方向的反射角度3〇。 小的角度範圍（15。〜25。的範圍）中，比具有對稱形狀的凹部 的反射層輝度要大，在這個方向觀察者的眼的位置，即與 觀察方向致，比具有對稱形狀的凹部的液晶板可以觀察 到更明亮的顯示。 而且’如圖1所示，在反射層137的正上方，配置有彩色 過濾層142，反射光的層與施加顏色的彩色過濾層的距離變 短，可以減少由視差産生的串色、色渾濁，從而得到鮮明 的顯示效果。 另方面’所述的凹部13 8 g可以從一個主板型將凹凸形 狀複製到絕緣層135上而製造，此時，由於複製到相對基板 140側的絕緣層135，因此具有不用考慮向TFT130侧複製時

O:\86\86110-9602I6.DOC -20- 1283319 會造成的損傷，而形成凹部138g的特徵。而且，作爲彩色 過濾層142之間的部分，在相對灯丁13〇的部分形成遮光層的 活，不只可以防止由液晶板1〇〇的底面側比如相對基板14〇 的外面側的外光而造成TFT13〇的動作不穩定性，而且可以 防止在彩色濾光器142R、142G、142B之間的色素的混淆， 可以得到高對比度的顯示。 如鈾所述構成的液晶板100，比如，如圖9所示具備裝備 在液晶板100的上面側的前燈2〇〇作爲液晶顯示裝置而構 成。 在這個例子中適用的前燈2〇〇，如圖9所示，具備：相對 於液晶板100設置的丙烯基類樹脂等的透明材料構成的平 板狀的導光體220 ;由在這個導光板22〇的側端面配置的丙 烯基類樹脂等透明材料構成的四角柱狀的中間光導體 212 ;在這個中間光導體212的長手方向的一端面配置的 LED(發光二極體，Light Emitting Diode)等構成的發光元件 2 11而構成。 這個例子的中間光導體212，通過空氣層與光導體220基 本平行地配置，在這個空氣層與中間光導體212的邊界面上 很淺地射入的光全部被反射，在中間光導體212内傳播。而 且’爲了將在中間光導體212内傳播的光面向光導體220射 出，在中間光導體212的光導體220的相反側的面形成圖中 未示的楔子形狀的溝，在這個溝上形成Al、Ag等具有高的 光反射性的金屬薄膜。 所述光導體220通過空氣層與液晶板100的顯示面基本平 O:\86\86I10-9602I6.DOC -21- 1283319 行地配置，與中間光導體212相對的側端面作爲光的射入面 220a ’相對液晶板1〇〇的面（下面）作爲光的射出面22〇b而構 成。而且，爲了將這個從射入面22〇a射入的光射向射出面 220b，在光導體220的上面（液晶板1〇〇的相反側的面），呈條 紋狀地形成稜形狀的溝2 21。 這些溝221具有由緩斜坡221a和陡斜坡221|3構成的楔子 的形狀。進而，如圖3所示，溝221的延長方向對於液晶板 的像素120A的排列方向（x方向）只傾斜規定的角度^，由於_ 溝221和像素120Α的干涉可以防止發生波紋。這個傾斜角q 構成為在0。以上15。以下的範圍，理想的範圍是65。以上 8·5以下。而且，溝221的間隔Pi比像素ρ。要小地構成，以 溝221的間隔P】爲周期的照明不穩在像素12〇八内被平準 化，觀察者感覺不到。特別是溝221的間隔Pi與像素間隔p〇 最好構成為滿足0·5 Ρ〇< Ργθ.75 P〇的關係。 而，如圖9所不，中間光導體212與光導體22〇，最好由在 内面A卜Ag等的高反射率的金屬薄膜形成的殼體狀的外殼_ 2 13 —體化固定。 其-人，利用附圖1 〇〜1 3，對本發明的反射層的凹部形狀 的其他形態進行說明。圖10是表示本實施方式的液晶板的· 像素電極上一個凹部的立體圖，圖u、圖12是凹部分別與γ 方向、X方向平行的面切開的剖面圖，圖13是表示凹部的反 射特性的圖。 、本實施方式的主動矩陣型顯示裝置是將所述實施方式的 液晶板100的反射層138的凹部138§的内面形狀變形以後的 °^6\86!i〇.96〇2l6D〇c 1283319 狀悲’與所述實施方式卜樣，在反射層的 非對稱形狀，使之具有對反射光的指向性。 中引進 具體地，這個方式的反射層139的凹部i39g與前例相同， 由曲率小的第-曲面和曲率大的第二曲面構成，第一曲面 以及第二曲面分別具有如圖u所示的γ剖面中，從凹部叫 的方的周邊S1到最深點£)的第一曲線Α，，平緩地連接在第 -曲，’上從凹部139g的最深㈣一直到另一方的周邊部 S 2的弟一曲線B ’所示的形狀。 這個形態的凹部139g之最深點位於自平面觀視凹部 l39g之中〜〇起向y方向側偏離的位置上，相對於基板⑴ 的水平面之第1曲線…之傾斜角的平均值，及第2曲線B，之 傾斜角的平均值係各設定於i。〜89。、〇5。〜88。之範圍内， 第1曲線A’之傾斜角的平均值係比第2曲線線B，大。又，表 不最大傾斜角之第i曲線A，周邊部§1的傾斜角以在各凹部 139g中係約在4。〜35。的範圍内，較佳者係在4。〜％。的範圍 内呈不規則的分布。依此，各凹部13%的深度d係在〇·25 〜3 μπι的範圍内呈不規則分布。 另一方面第一曲面及第二曲面之任一者均係在圖12所示 的X剖面中，對於中心〇基本呈左右對稱的形狀。這個又剖 面的形狀在最深點D的周邊成爲曲率大的曲線Ε (即接近於 直線的平緩部），對於其基板η丨的水平面的傾斜角大概在 10。以下地構成。而且，最深點D的深度d在0el μηι〜3 μηι& 範圍内不規則分佈地構成。 圖13表示的是在如上述所構成的反射層139上從所述γ方 O:\86\86110-960216.DOC -23- 1283319 向以30。的入射角照射光時的反射角度與反射輝度之間的 關係。本變形例的反射層139上，從γ方向側以30。的角度射 入液晶板的光的反射光，從正反射方向的反射角度3 〇。附 近，在比這個小的角度（20。附近），比對稱形狀的反射層的 輝度要大。也就是說，由於凹部139g的最深點D從凹部I39g 的中心Ο開始向Y方向偏移，因此在第二曲面上反射的光的 比率比在第一曲面上反射的比率要大，γ方向側的反射顯示 更明亮。而且，由於凹部139g的最深點d近旁呈平緩的曲 面，正反射方向的反射率也提高了。 而，關於其他的構成，與所述實施方式一樣，因此省略 對其的說明。所以，本實施方式除了可以得到與所述的實 施方式同樣的效果以外，提高了反射角度3〇。〜4〇。的特定 觀察方向的顯示亮度可以有效地利用反射光。 而且本發明不限於上述的實施方式，在不脫離本發明主 題思想範圍内，可以實施各種各樣的變化。 比如，所述的TFT130不限於反交錯型結構，亦可是正交 錯性的TFT。 圖14和圖15表示的是本發明的液晶板的實施方式2,這個 方式的液晶板兼时素電極和反射層，像素電極設置在下 側的基板上而構成。 ^ 丨丁間（卜1則 · 觀察者遠的一側）的基板1 60 ;離觀窣去 规务者近的一側的相對 板170 ;在基板16〇、170之間夾持 尸辟尤凋變層的液晶 150 ;在基板170的外側，從外側 只斤配置的偏光

O:\86\86110-960216.DOC -24- 1283319 151、第一相位差板152、第二相位差板153。而，在基板間 夾持的液晶層150的構造，作爲其他的液晶板的基本構成， 與剛才實施方式1的液晶板1〇〇相等，一樣的構成要素施加 了同樣的符號，因此不再做詳細說明。而，在液晶板155中， 由基板160、17〇和液晶層15〇構成液晶單元。 在足個方式中，在基板160上形成117713〇，在基板16〇上 覆盍形成的掃描線126、信號線125、源電極116以及汲電極 117，在基板160上形成有機材料或無機材料的絕緣層165， 在這個絕緣層的上面侧（液晶層側）形成多個凹部166，覆蓋 每些個凹部166地形成像素電極丨67，在像素電極167本身上 形成凹部167g。這個方式的像素電極167，如圖15所示，覆 蓋由多個掃描線126和多個信號線125劃分的區域形成為呈 矩形。 而且，在所述的絕緣層165中，在覆蓋汲電極117的部分 上形成連通孔168，通過這個連通孔168的部分，挪用像素 電極167構成材料的一部分形成導通部⑽，像素電極167與籲 汲電極117通過導通部169進行電連接。 在圖15中，沒有表不出形成在像素電極167上的凹部μ% ^形狀，圓形狀的大小是隨機的凹部167§，隨機排列的狀_ 態由圖1 5的兩點鎖線表示。 而且’在相對側的基板170中，形成彩色過濾層142、共 同電極層⑷換定向膜144 ’料相對與像素電極167之間= 液晶層U0可以進行液晶分子㈣向控制，並且構成為可以 進行彩色顯示。

O:\86\86110-960216.DOC -25· 1283319 其次，在這個方式的液晶板155中，如圖16所示，作爲其 液晶單元的延遲值△“（△ n:折射率各向異性、d:液晶層厚 度或單元間隙）的值應該是180 nm〜280 nm的範圍，最好是 2〇〇〜250 nm，構成液晶層15〇的液晶扭轉角爲6〇。〜9〇。， 最好是65。〜80。的範圍。此處，定向膜的磨擦方向在基板 170側中，從水平方向到45。〜60。的範圍。 而且，偏光板15 1的吸收軸爲反時針旋轉7〇。〜9〇。，最好 疋80〜87。’第一相位差板152的延遲值And爲所述單元的 △ nd的1〇0%〜14〇%，滯相軸爲〇。〜2〇。的範圍，第二相位 差板153的延遲值爲所述單元的的4〇%〜7〇%，滯 相軸最好在55。〜75。的範圍内。 在這個方式的構造中，像素電極167本身具備光反射性的 基礎上，還形成先前的實施方式說明的與凹部同等的 形狀的凹部167g，因此可以得到與先前的實施方式的情況 下同4的效果。 而且，在這個實施方式中，與TFT130的位置無關，在 TFT130的形成位置的絕緣層165的正上方，可以形成像素電 極167,因此像素電極167的形成面積可以儘量地擴大，由 此可以提供提尚了開口率的明亮的液晶顯示裝置。 $而，在這個例子中，由於TFTU0的上方，被絕緣層118 覆蓋，再被絕緣層165覆蓋，因此在絕緣層118上面形成凹 部116之際，在板型的複製工程中，捲入異物對TFTi3〇、配 線部分造成損害的可能性變小。即’絕緣層118作爲餘刻限 制層發揮作用，並且可以起到板型複紅程的保護作用。

O:\86\8611O-960216.DOC -26- 1283319 而且’則面說明的偏光板1 5 1的吸收軸與相位差板1 52、 · 1 53的延遲值與滞相軸在所述範圍，因此可以得到更高的亮 度和對比度的顯示。 其_人’對圖14所示的構造元件側的基板160上的絕緣層部 分的开> 成方法進行說明。 在基板160形成掃描線126、信號線125、TFT130以後，由 等離子體CVD等的成膜法，比如以1〇〇〇 A厚形成SiNx的絕 緣層，在沒個絕緣層上由按壓複製出凹凸形狀，然後，用籲 幹兹刻法^/成接觸孔（對角 '線2〇哗左右），比如以飛滅法形 成厚度1200人的鋁製的像素電極。由此，在絕緣層上可以 形成反射型的像素電極。 而且，爲了在絕緣層上使用有機材料，在基板160上形成 掃描線126、信號線125、TFT13〇以後，通過自轉塗層法塗 抹NN700 (JSR製）等的有機材料，用熱板等的加熱裝置以 °C的溫度烘烤3分鐘，得到厚度2叫的絕緣層，爲了形成接 觸孔’比如以30〇mJ/cm2進行漏光，以〇14%Tma水溶液，籲 顯像1分鐘左右，用烘箱等加熱裝置以22〇0左右烘烤丨個小 時左右，在絕緣膜上形成對角線2〇 μιη左右的接觸孔。然 後，比如以飛濺法形成厚度12〇〇 Α的鋁製的像素電極。由、 此，可以在絕緣層上形成反射型的像素電極。 - 圖17〜圓19是在將板層間夾持絕緣層形成(金絕 金，Metal Insuiator Metal)結構的薄膜二極體（丁fd)作爲2端 子型開關το件具備的液晶裝置中適應本發明構造的例子。 如圖17所示，具備MIM的開關元件的液晶板18〇，在其上

O:\86\86110-960216.D0C •27- 1283319 面形成絕緣層181。在絕緣層181的上面，在χ方向以及丫方 向呈矩陣狀地排列有Al、Ag等的光反射性的金屬材料構成 的像素電極1 82。在同一列的Y方向排列的像素電極1 μ通過 一薄膜二極體185連接一資料線183。薄膜二極體ι85從基板 1 8 1側看去，由纽單體、钽合金構成的從資料線1 8 5分支的 第一導電層1 86和把這個第一導電層1 86陽極氧化得到的絕 緣層187;鉻等的第二導電層188構成，成爲導電體/絕緣體 /導電體的三明治（多層）結構。 :二後，在圖17中沒有表不，在圖1 8中所示，作爲像素電 極1 82的底層的絕緣層1 8丨上，隨機地形成多個先前的實施 方式2中適用的同等的凹部181g，在像素電極182的上面也 形成多個凹部182g，與先前的實施方式2的情況相同，像素 電極1 82構成為可發揮非對稱的反射特性。 其次’覆蓋這些薄膜二極體185和像素電極182，形成絕 緣層189 ’在這個絕緣層189上形成定向膜190。 而且’在相對側的基板1 8 1上對應沿X方向的多個像素電 極182在行方向延續存在地形成多個長方形的掃描線Η]。 從這個構成來看，掃描線192作爲先前的像素電極182的相 對電極發揮作用。 在具備圖17〜圖19所示構造的MIM型的薄膜二極體185 的液晶板中，像素電極I U也發揮非對稱反射特性，因此可 以得到具有先前的實施方式2的情況下同樣的非對稱性的 反射特1±，可以得到與先前的實施方式2的情況下同樣的效 果0

O:\86\86110-960216.DOC -28- 1283319 圖19是將作爲2端子型線形元件的“^[撾構造的薄膜二極 體配備於開關元件的液晶顯示裝置中適用於本發明的構造 的其他的例子。 在這個例子中，在絕緣性基板193上，直接形成多個先前 的構造同等的薄膜二極體185 ’在薄膜二極體185的近旁的 基板193上’形成與像素電極相同的平面形狀的絕緣層 194 ’在該絕緣層194上’形成由八卜“等光反射特性高： 金屬材料構成的反射層195，構成具有凹部的像素電極。 在具備圖19所示的構造的MIM型的薄膜二極體的液 晶板中’可以得到具有先前實施方式2的情況下同樣的非： 無性的反射特性，可以得縣前的實施方式2的情況下同等 的效果。 牡异備如這 —〜日日锻T，在基板 形成資料線183以後’在其表面形成氧化層，形成絕緣層】 以後’均等地塗抹應該作爲擴散反射層的絕緣層，然後 行形成剖面非對稱形狀的按壓加工’可以形成多個：部 =光刻技術將這個絕緣層做成所希望的形狀，整體地形 弟-導電層188’接著兼用應該成爲開關元件的部分和相 於像素電極的部分，形成圖案，得到具備開關元件的基板 採用以上的構成，可以以簡單的工藝製造 土一 與非對稱反射特性的反射層的液晶板。-有開關心 用二:的各貝施方式中’說明的是採用與反射層; 用的像素電極，或者與像素電㈣同地另外設Μ 反射型的液晶§員示罗：晋Μ 、曰 員不破置的例子，當然本發明亦可適用半i

0.\86\86110-960216.DOC -29- 1283319 過型的液晶顯示裝置。 二爲半透過型的液晶顯示襄置，在液晶板的背面側設置 月燈裝置，具有凹凸部的e 凸#的反射難薄地形成，背燈構成為 可以從背後進行照明即可。而且，不庸置言亦可作成在具 有凹凸部的反射層形成多個細微的透光孔，使背燈的光線 可以:部分透過之方式進行透過顯示的構造。在此種情況 下“且滅燈以後’可以利用外部的光作爲反射型進行顯 示0 【發明的效果】 ^據以上所料本發明，由於是具有具備非對稱的反射 ^生的反射層的主動矩陣型的顯示裝置，故可提供一顯示 其不是單純的高斯分佈型的反射特性，而是可以在 杯方:上集中更多的光，在目標方向中呈現更加明亮的 狀‘%'。右將&個目標方向作爲觀察者的觀察方向，就 可㈣比具備高斯分佈型特性的顯示裝置在實用的狀態中 更明亮顯示的顯示裝置。 在本發明^非對稱性的特性的反射層，可以由關於從 ::方向沿著受光方向的面對於基板法線，具有非對稱 的曲率的凹凸面的形狀予以實現。 =本發明中，將所述反射層的剖面的曲線的曲率的傾斜 角分佈最大定爲30。，抑制反射光的多餘的擴散角，比以往 :高：分佈型反射光可以在更廣的角度範園得到 的反射光。 本發明’可以採用將開關元件形成在靠近觀察者側的基

O:\86\86U 0-960216.DOC -30- 1283319 板上，而將彩色濾光器形成在另一方的基板上的構造 可採用將開關元件形成在距離觀察者遠的一側的基板上， 將彩色濾光器形成在同一側的基板上的構造，無論哪—種 構造’都可以在目標方向上集中更多的光，在目標方向中 得到更明亮的顯示狀態的彩色顯示。 本發明，具有如下特徵：對具有反射層的非對稱的曲率 的凹凸面係由將形成爲所述反射層的底層夢 型的按壓形成的凹凸面而形成者，因此與具備由^ 法、蝕刻法形成的凹凸面的構成不同，在製造時不會對 形成在絕緣層的底層的„元件、配線造成傷害，提 實用性。 【圖式簡單說明】 圖1是表示構成本發明的—音尬^ ^ n ^ 貫轭方式的主動矩陣型顯示 裝置的液晶板的全體構成的剖面圖。 圖2是該液晶板的俯視圖。 圖3是該液晶板的彩色濾光器部分的俯視圖。 圖4是表示構成該液晶板的反射層的凹凸部的形狀的立 體圖。 個凹 圖5是表示構成該液晶板的反射層的凹凸部之中 部的形狀的立體圖。 圖6是表示圖5所示的凹部的形狀的放大剖面圖。 圖7是表示該液晶板的反射層的反射特性的圖。 圖8是表示比較例液晶板的反射特性的圖 圖 9疋表示具備本發明的一 實施方式的液晶板的主動矩

O:\86\86110*960216.D0C -31 - 1283319 陣型顯示裝置的全體構成的一例的立體圖。 圖ίο是本發明的其他實施方式的主動矩陣型顯示裝置的 凹部的立體圖。 圖11是爲了說明圖10所示的凹部的構成沿Y方向的放大 剖面圖。 圖12是爲了說明圖1〇所示的凹部的構成沿χ方向的放大 剖面圖。 圖13是表不圖1〇〜圖丨2所示的反射層的反射特性的圖。 圖14是表不構成本發明實施方式2的主動矩陣型顯示裝 置的液晶板的全體構成的剖面圖。 圖1 5是該液晶板的俯視圖。 圖1 6是表不具備偏光板和相位差板的液晶板的延遲值和 偏光軸相位差軸的關係的圖。 圖17將開關元件作爲薄膜二極體的本發明的實施方式3 液晶板的分會立體圖。 圖18是該液晶板的薄膜二極體部分的放大剖面圖。 圖19是將開關元件作爲薄膜二極體的本發明的實施方式 4的液晶板的薄膜二極體部分的放大剖面圖。 圖20是表示在像素電極部分形成的環狀的凸部和圓柱狀 的凸部的以彺的顯示裝置的像素電極部分的一例的俯視 圖。 圖21是在該像素電極形成的凸部的剖視圖。 圖22是表示在像素電極部分形成的不同擴散率的兩個區 域的液晶板的其他例子的剖面圖。

O:\86\86110-960216.DOC -32- 1283319 圖23是表示圖22所示的液晶板上得到的反射特性的圖 【圖式代表符號說明】 100 液晶板 110 主動矩陣基板（元件側基板） 112 柵電極 113 柵絕緣層 116 源電極 117 >及電極 118 絕緣層 120 像素電極 125 信號線 126 掃描線 130 TFT(開關元件） 135 絕緣層 137 反射層 138 凹凸部 138g 凹部 139g 凹部 140 相對基板 142 彩色過濾層 I42R、I42G、I42B 彩色濾光器 142S 遮光層 143 相對電極 150 液晶層（光調變層） O:\86\86110-960216.DOC -33-

1283319 167 像素電極 167g 凹部 168 連通子L 182 像素電極 182g 凹部 185 薄膜二極體 186 第1導電層 187 絕緣層 188 第2導電層 195 反射層 A、A， 第1曲線 B、B， 第2曲線 O:\86\86110-960216.DOC -34-

Claims (1)

1283319 拾、申請專利範圍： 1. -種主動矩陣型顯示裝置，其特徵在於： 包含： 對基板’夹持在這些基板之間的光調變層；在所述 一方的基板上形成的多個像素電極；設置在這些像素電極 附近’用於驅動各像素電極的開關元件；以及至少在離觀 察者I遂的一側的基板上，形成的反射型或半透過反射型 之反射層；且 所述反射層係具備非對稱的反射特性，所述像素電極 被兼用作為所述反射層，在這些像素電極上形成有具有非 對稱曲率的凹凸面。 2 ·如申明專利範圍第1項所述的主動矩陣型顯示裝置，其中前 述反射層係關於從光射入方向沿著受光方向的面上，包含 相對於基板法線具有非對稱曲率的凹凸面。 3 ·如申請專利範圍第1項所述的主動矩陣型顯示裝置，其中 所述反射層的剖面的曲線係包含至少兩個曲率不同的曲 線。 4·如申請專利範圍第3項所述的主動矩陣型顯示裝置，其中 所述反射層的剖面的曲線的曲率的傾斜角分佈最大爲 300 〇 5.如申請專利範圍第1項所述的主動矩陣型顯示裝置，其中 所述開關元件包含薄膜電晶體。 6·如申請專利範圍第5項所述的主動矩陣型顯示裝置，其中 所述開關元件爲反交錯型。 O:\86\86110-960216.D0C 1283319 •如申請專利範圍第1項所述的主動矩陣型顯示裝置，其中 戶斤述開關元件形成在離觀察者較近之一側的基板上，彩 色濾光器形成在另一方的基板上。 8·如申請專利範圍第1項所述的主動矩陣型顯示裝置，其中 所述開關元件形成在離觀察者較遠的一側的基板上，彩 色渡光器形成在相同的一側的基板上。 9 ·如申睛專利範圍第1項所述的主動矩陣型顯示裝置，其中 覆蓋所述開關元件形成絕緣層，在該絕緣層上形成具有 所述非對稱曲率的凹凸面，沿著該凹凸面形成像素電 極’在像素電極上形成具有非對稱曲率的凹凸面。 I 〇·如申凊專利範圍第9項所述的主動矩陣型顯示裝置，其中 所述像素電極和所述開關元件係經由形成在所述絕緣層 上的接觸孔（contact hole)上形成的導通部進行連接。 II ·如申味專利範圍第1項所述的主動矩陣型顯示裝置，其中 所述開關元件是非線形型2端子元件。 12·如申請專利範圍第2項所述的主動矩陣型顯示裝置，其中 具有所述反射層的非對稱曲率的凹凸面係由藉對於絕緣 層的型的&壓而形成的凹凸面所形成者，該絕緣層係被 形成作爲所述反射層的底層者。 O:\86\86I10-960216.DOC 1283319 柒、指定代表圖= (一)本案指定代表圖為：第（1 )圖。 (二)本代表圖之元件代表符號簡單說明： 100 液晶板 110 主動矩陣基板（元件側基板） 111 基板 112 柵電極 113 柵絕緣層 114 半導體層 115 半導體層 116 源電極 117 汲電極 118 絕緣層 119 絕緣層 120 像素電極 123 定向膜 130 TFT(開關元件） 135 絕緣層 136 凹凸部 137 反射層 13S 凹凸部 140 相對基板 141 基板 142 彩色過濾層 O:\86\86110-960216.DOC 1283319 143 相對電極 144 定向膜 150 液晶層（光調變層） 151 偏光板 152 第1相位差板 153 第2相位差板 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無） O:\86\86110-960216.DOC