TWI281586B - Pixel array - Google Patents

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TWI281586B
TWI281586B TW094131437A TW94131437A TWI281586B TW I281586 B TWI281586 B TW I281586B TW 094131437 A TW094131437 A TW 094131437A TW 94131437 A TW94131437 A TW 94131437A TW I281586 B TWI281586 B TW I281586B
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Description

12815祕 twf.doc/g 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於-種晝素陣列，且特別是有關於一種 形成於軟性可撓(flexible)基板上的晝素陣列。 【先前技術】 隨著現代視訊技術的進步，各式顯示器已被大量地使 用於手機、筆記型電腦、數位相機及個人數位助理(pDA) 等消費性電子產品的顯示螢幕上。在這些顯示器中，由於 液曰曰顯示為（LCD)及有機電激發光顯示器（qled)具有重量 輕、體積小及耗電量低等優點，使得其成為市場上的主流。 無論是液晶顯示器或是有機電激發光顯示器，其製作過程 均包括以半導體製程於基板上形成晝素陣列。對應調整晝 素陣列中各個畫素所顯示的顏色，顯示器即可產生影像。 而為使上述之電子產品能便於攜帶（如設計成摺疊形 f )，因此會將晝素陣列形成於軟性可撓基板上，以使顯示 為具可撓性而能配合裝設於電子產品上。 圖1A係為習知之一種晝素陣列的局部示意圖。請參 考圖1A，習知形成於一軟性可撓基板50上之晝素陣列1〇() 係由多數個晝素100a依縱向及橫向排列組合而成。晝素陣 歹^ 1〇2包括多數個薄膜電晶體110、多數條掃描線12〇、多 數條資料線130及多數個晝素電極140。每一薄膜電晶體 110係電性連接於對應的掃描線120、資料線130及書素電 極140，並由掃描線丨2〇傳遞來的掃描訊號而決定薄膜電 晶體11〇是處於開啟或關閉的狀態。當薄膜電晶體11〇'處 5 12815¾ twf.doc/g 於開啟的狀態’則晝素電極140即可經由薄膜電晶體11 〇 而接收由資料線130傳遞來的資料訊號，以使對應的畫素 l〇〇a調整顯示的顏色。
圖1B係為圖1A中沿A-A’連線的剖面示意圖，而圖 1C係為圖1B中撓曲軟性可撓基板之後的示意圖。請同時 參考圖1A、圖1B及圖1C，通常掃描線12〇的形成方式 係於可撓基板50上沉積金屬層後，藉由微影及蝕刻製程定 義出導線的圖案形狀以形成掃描線120。然而，在對軟性 可撓基板50撓曲的過程中，軟性可撓基板5〇所產生的應 力（strain stress)或是張力（tensile stress)會對形成於其上方 的晝素陣列100造成損壞，特別是長度較長的導線，如掃 描線120，將容易發生斷線12〇a的情形，如圖lc所示。 如此會使得掃描線120無法傳遞掃描訊號而造成畫素陣列 100的缺陷。
此外，如圖1B及圖1C所示，通常於掃描線12〇上方 會覆蓋有-介電層150。同樣的，當大面積的介電層15〇 ，到軟性可躲板5〇職㈣應力歧張力時，將容易發 碎裂15如的情形。而介電層⑼的碎裂可能導致異常的 、、泉路紐路問題，造成晝素陣列1〇〇的缺陷。 =義問題也有可能發生在:轉線、 i：^線以及其他介電層。因此，如何防止可撓基」上的 旦素陣列產生斷線或膜層碎裂是非常重要的。 【發明内容】 有鑑於此，本發明的目的就是在提供—種晝素陣列， 6 f.doc/g
I2815S6W 其知描線與純線係由上下兩 免基板撓曲的過程發生斷線的情形。H案連接而成’以避 本U的#目的^：提供—種畫素陣列，其_人 電層中設置溝渠而使介電層分❹_立的介電s、二 避免基板撓曲的過程發生碎裂的情形。 案乂 基於上述或其他目的，本發明提出—種晝素豈 =置ί:基板上的多數個主動元件、多數條掃目苗線:、 夕數條貧料線及多數個晝素，其中主動元件係電 ，於對應的_線、資料線及畫素電極。此晝素陣列 =在於：每—掃猫線是由位於下層的多數個第—婦目苗線圖 案、位於上層的多數個第二掃瞒線圖案以及使第—掃瞒線 圖案與第二掃猫線圖案電性連接的第一接觸窗所構成。每 一貧料線是由位於下層的多數個第—資料線圖案、位於上 層的多數個第二資料線_以及使第―資料線圖案盘第二 資料線圖案電性連接的第二接觸窗所構成。 在本發明之一實施例中，畫素陣列可包括多數條共用 線與掃描線平行配置，其中每一共用線是由位於下層^多 數個第一共用線圖案、位於上層的多數個第二共用&圖案 以及使第一共用線圖案與第二共用線圖案電性連接的第三 接觸窗所構成。 一 在本發明之一實施例中，畫素陣列可包括多數條導線 配置於基板上，其中每一導線是由位於下層的多數個第'一 導線圖案、位於上層的多數個第二導線圖案以及使第一導 線圖案與第二導線圖案電性連接的第四接觸窗所構成。 I281586w, f.doc/g 而—實施财，絲可為—紐可撓基板， 而叙性可撓基板之材f包括瓣、金顧不銹鋼。 ^本《月之^施例中，畫素陣列可 層，其分別位於晝素Φ托命一 ^；，^ 與資料線之間。；電;以及位於掃猫線 成多數個介電圖案。日有 溝&，以使介電層分 介電層之材質 主動元件可為 下層介電層以 在本發明之-包括介電層的實施例中 可為無機材質或是有機材質。 在本發明之—包括介電層的實施例中 一頂部閘極型薄膜電晶 及—上層介電層。“一—卜層介電層以 溝渠以及形成在上層;;=士;層第-渠與第二溝渠是錯開配=中之弟―溝渠，其中第一溝 ，本發明之—包括介電層的實 —底部閘γ動仵τ為 其包===發明另提出-種晝素陣列， 線、多數條資斜H 多數個主動元件、多數條掃目苗 性連接於、夕數個晝素電極，其中主動元件係電 之特徵在ί線及晝素電極。此晝素陣列 包括分別配置有-介電層，其中介電層中具有 在二日曰以使ί電層分成多數個介電圖案。 薄膜電晶^ , 施例中’主動元件可為一頂部間極型 Ν ;丨電層包括一下層介電層以及一上層介電 8 :wf.doc/g 成在下層介電層中之一第-溝渠以及形成 是錯開配置。溝渠與第二溝渠 ^本發明之-實施例中，主動元件 薄膜電晶體。 ^ ^ 而於ΐΐίΓΓ—實施例中’基板可為—軟性可撓基板， 权]可減板之材f包括轉、金屬或不銹鋼。 質或ΐΐ^ίΓ實袖中，介f狀㈣可包括無機材 資科3發明之畫素陣列中’無論是掃目苗線、 制線或是其他導線、其主要技由位於上下兩 运白、夕個$電圖案’並搭配對應連接位於上下兩層的導電 圖案的接觸窗所組成。t基板被撓曲時，掃喊、資料線、 /、用、，泉或是其他導線將不^發生斷線的情形。此外，介電 有溝渠的設計，使介電層分❹數侧立的介電圖 案。當基板職曲時，料電層也較4發生介電層碎裂 的情形。如此，晝素陣列可以維持穩定的品f及可靠度。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 董’下文特舉較佳實施例，並配合賴圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 ^ 一實施例 圖2A〜2C係為依照本發明之第一實施例之畫素陣列 的形成過程示意圖。請參考圖2A，首先於—基板(未繪示） 9 I281586wfd〇c/g 上沉積一導電層後，藉由微影及蝕刻製程定義出多數個第 :掃描線圖案220a及多數個第一資料線圖案23〇a。由於 每一第一掃描線圖案220a及第一資料線圖案23〇a的長度 有限，所以基板被撓曲變形時所受應力與張力較小，因= 較不會於掃描線圖案220a及資料線圖案23〇a上發生斷裂 的情形。接著，於第一掃描線圖案22〇a及第一資料線圖= 230a上形成一下層介電層（未繪示），用以保護第一掃描線 圖案220a及第一資料線圖案23〇a。 凊繼續參考圖2B，接著再次沉積另一導電層，並萨 由被衫及I虫刻製程定義出多數個第二掃描線圖案Uq/及 多數個第二資料線圖案230b。同樣的，由於第二掃插線圖 案220b及第二資料線圖案230b的長度有限，其亦不易= 為基板撓曲變形而發生斷裂的情形。此外，第一掃描線。 案220a及第二掃描線圖案220b可藉由多數個第一接觸〜 220c而電性連接，如此第一掃描線圖案22〇a、第二掃描： 圖案220b及第一接觸窗220c即可構成多數條掃描線 220。在本實施例中，第一接觸窗22〇c的形成方式例:包 括先在下層介電層中形成一第一接觸窗開口（未繪示）以暴 露出第一掃描線圖案220a，接著將形成第二掃^線圖^ 220b之材料填入上述第一接觸窗開口即形成第一接觸窗 220c。類似地，第一資料線圖案230a及第二資料線圖案 230b亦藉由多數個第二接觸窗230c而電性連接，如此即 可構成多數條資料線230。 特別是，在上述形成第一與第二掃描線圖案22〇a、 I281586Wf.d〇c/g 及弟與弟—資料線圖案230a、230b的過程中，亦 同％形成多數個主動元件210，其中主動元件210係電性 連接於對應的掃描線220及資料線230。在此之後，再形 成上層介電層（未繪示），用以保護其下方的主動元件 210、掃描線220及資料線23〇。 之後，請參考圖2C，形成多數個畫素電極24〇，盆中 f素電極係電性連接至對應的主動元件。如物 響 $成製作本實施例之晝素_ 2GG。在本實關之畫素陣 列2〇〇中，由於掃描線220及資料線230係由多個導電圖 案所、、且成因此當基板撓曲變形時，掃描線及資料線 23〇的各導電®案所受應力舰力較小因而較*會發生斷 f的情形。如此，晝素陣列2〇〇得以維持穩定的品質及可 罪度。值得一提的是，前述之第-接觸窗220c亦可由其他 方式形成，其形成方式例如先在下層介電層及上層介電層 中形成:接觸窗開口（未綠示）以暴露出第一掃描線圖案 _ 並且在上層71電層中形成另一接觸窗開口（未繪 • 不）’暴露出第二掃描線_ 2施。接著將晝素電極24〇 之材料填入上述之接觸窗開口中以形成第一接觸窗 220c。類似地，第二接觸窗23〇c亦可如此形成，故不再資 述0 在本貫施例中，基板例如為一軟性可撓基板，而軟性 =基板的材質例如由塑膠、金屬、不銹鋼或是其他類似 貝所、’且成$而’上述之實施例並非用以限定本發明之 旦素陣列只能配置於軟性可撓基板上。以現行採用玻璃基 1281586twf.d〇c/g 板或疋石夕基板4非权性可撓基板的液晶面板為例，儘管非 軟性可撓基板不㈣撓曲變形，但是由於液晶面板尺寸命 做愈大，使得非軟性可撓基板會因自身重量過重而挽^ 形’使得在製作液晶面板的财巾，亦會發生掃描線及 料線斷線的情形。因此，本發明之晝素陣列亦可應用於非 軟性可撓基板，以解決上述問題。 弟二貫施例 團〜儿
…个赏听之弟二貫施例之晝素陣列 的形成過程示意圖。請參考@ 3A〜3C，第二實施例之書 素結構3GG與第-實施例之晝素結構綱㈣％所示)冲: I其不同之處在於晝素結構細更包括多數條共用線 ㈣^下’將對針對形成畫素結構之過程與形成晝素 之過程的差異處作說明。如圖3A所示，除了形 成第，掃才田線圖案220a及第-資料線圖案23〇a之外 包括形成多數個第—共用_案250a。接著，如圖3B所 Γ外除了成第f掃描線圖f 2鳥及第二f料線圖案2遍 ，匕括形成多數個第二共用線圖案25〇b。同樣的， 2立5二:層 =第—共用線圖案25如及第二共用線圖案 丘用，㈣三接觸窗25Ge而電性連接，以構成 接觸窗220=二接觸窗25Ge的形成方式例如為前述第一 接觸=島_成方式，於此便不再贅述。 社槿2 f 25G —般為平行掃描線22G而形成於整個晝素 抓長度較長’因此本發明使各共用線25G以許多 12 1281 SiSSwfdoc/g 導電圖餘成，便可解決祕㈣U變料造成共用線 250谷易fe/f線的問題，進而得维 /' " 質及提昇其可靠度。 隹持素陣列300穩定的品 值得注意献’本發明料同相的 並非限定只能用於前述的掃描線22〇:、資= 或疋共用線250。在本發明的晝素陣列中，任何的導線 一導ίΓ、第二導線圖案及第四接觸窗所構 成方；弟、f案、第二導線圖案及第四接觸窗的形 $ j = f-掃描_ 22()a、第二掃描圖案島 #曲4觸^施的形成方式。任何的導線只要因為基板 ^曲變形岐㈣線，其均可_本發㈣設計。舉例而反 bari . M^#(sh〇rting )、修·補線㈣air line)、電源線(p〇wer㈣等等。 附，-提的是’無論是第一實施例的晝素陣列細或 光^!*_的晝素_ _，胁製作過程中所使用的 4= 習；之畫素陣列1〇0所使用的光罩數量相同。 -額陣列不會因為特殊的導線設計而需要增 薄膜ΐίί:的晝素陣列中’主動元件例如為頂部閘極型 層底部問極型薄膜電晶體。此外，下層介電 分成，*厂丨^更可猎由溝渠的設計，使此些介電層可 些介ίϊ ί域的介電_。當基板被撓曲時，則此 電層石將χ力分散到各個介電圖案’以避免發生介 Τ衣、月形。以下，將特舉兩實施例分別說明頂部閘 12 S15i86twf.d〇c/g 極型薄膜電晶體及底部閘極型龍電晶體搭配介電圖
設計。 八 第三實施I
圖4A及圖4B係為依照本發明之第三實施例之畫素陣 列的形成過程示意圖。請參考目4A〜4B，第三實施例之 晝素結構400與第-實施例之晝素結構2〇〇(如_ %所示) 相似、，其不同之處在於晝素結構·更於介電層中設置多 數個溝渠270以形成多數個分開或獨立的介電圖案26〇。 如圖4A所示，類似前述之畫素結構期的形成過程，於 形成主動元件210、掃描線22〇及資料線23〇後，接著沉 積上層介電層（未繪示）。利用微影及侧製程，可將上居 介電層及下層介電層（树示)㈣出溝渠謂 :立的介，案2,接著如請所示，形成畫= 少後即70成製作本貫施例之晝素陣列4〇〇，其中上声 層係位於晝素電極及資料線23G之間，而下層介^ 係位於資料線230與掃描線220之間。 9兒曰 圖5A, 的—其 且主動70件21G係為底部閘極型薄膜電晶體。 =先，考圖5A ’主動元件21〇係形成於基板8 動元件2H)主要包含一閘極212、一源極214、 主 =通道⑽anne_，其中閘極212係可於形成第錄= ；ί ； "8WM 5 218 電層之後才形成，而源極2Μ及汲極210係於形成 14 1281584 wf.doc/g 弟一資料線圖案230b的步驟中同時形成。接著於下層介電 層280及主動元件210上，沉積上層介電層29〇，其中下 層介電層280及上層介電層290之材質例如為無機材質或 是有機材質。請繼續參考圖5B，於下層介電層280及上芦 介電層290中形成溝渠270 ’以使下層介電層280及上層 介電層290分成多數個獨立的介電圖案26〇，如此可避免 下層介電層280及上層介電層290於承受基板所造成 的應力或張力時容易破碎。此外，於蝕刻出溝渠27〇時， • 可同日$形成一接觸_開口 290a。最後請參考圖，接著 形成電極晝素240後即完成畫素陣列4〇〇的製作，而此步 驟更包括將形成晝素電極240之材料填入接觸窗開口 29如 以使電極畫素240電性連接至主動元件21〇之汲極2i6。 第四實施例 圖6A及圖6B係為依照本發明之第四實施例之晝素陣 列的形成過程示意圖。請參考圖6A〜6B，第施 晝素結構與第三實施例之晝素結構侧(如圖犯所 相似’其不同之處在於晝素結構5〇〇之主動 頂部蘭極型薄膜電晶體’且下層介電層測 電： 携係=透=一第一溝渠27〇a及第二溝渠2爲而“ 多數個獨立的"電圖案26〇,而第—溝渠，& $ 2赐例如為錯開配置。以下將配合圖 狀: 素結構5〇〇❸製作過程。 个具關之旦 圖，圖7E係為第四實施例之畫素 的剖面示㈣’其中圖示係以圖6β中主動元件21〇之剖 12815i86twf.d〇c/g 面作說明。請先參考圖7A，主動元件210係形成於基板 800上，且主動元件210主要包含閘極212、源極214、：：及 極216及通道218。主動元件210的形成方式例如先於基 板800上形成源極214、汲極216及通道218後，沉積一 第一下層介電層280a。接著於形成第一掃描線圖案22〇a 的步驟中同時形成閘極212,以完成主動元件21〇的製作。 之後再沉積一第二下層介電層280b以保護主動元件21〇， 鲁 而第一下層介電層280a與第二下層介電層28〇b即構成下 層介電層280。 請參考圖7B，於下層介電層280中形成第一溝渠 270a，如此即可將下層介電層28〇分成多數個獨立的介^ 圖，260，以避免下層介電層28〇產生破碎。此外，於形 ，第一溝渠270a時，可同時形成一接觸窗開口 28〇c以暴 露，源極214及汲極216。之後，請參考圖7C，於形成^ 一貧料線圖案230b的步驟中，將形成第二資料線圖案23% 魯 '^材料填入接觸窗開口以形成連接源極214及汲極216的 ，電層214a、216a。接著，再沉積上層介電層29〇以保 其下方的元件。 ” 泪凊繼縯參考圖7D，於上層介電層290中形成第二溝 $ 270b，如此即可將上層介電層29〇分成多數個獨立的介 兒圖案260，以避免上層介電層290產生破碎。在本實施 例中，第一溝渠270a與第二溝渠270b係為錯開配置 =，在其他實施例中，第一溝渠與第二溝渠亦可配置於相 δ位置以直接暴露出基板，而本發明對於溝渠設置的位置 16 twf.doc/g 不作任何的限制。此外，於形成第二溝渠270b時，可同時 形=-接觸窗開口 29〇a。最後請參考圖7C，接著形成電 極晝素240後即完成畫素陣列500的製作，而此步驟更包 括將形成晝素電極24〇之材料填入接觸窗開口29〇&以使電 極且素240藉由導電層21如電性連接至主動元件21〇之汲 極 216 〇 士在上述第三及第四實施例中，晝素陣列400、500均 $日〗具有分段及分層連接的導電圖案設計以及獨立或分開 的介電圖案設計。然而，本發明之畫素陣列亦可只單獨具 有，立或分開的介電圖案設計。以下，將再舉兩實施例分 別説明頂部閘極型薄膜電晶體及底部閘極型薄膜電晶體搭 配介電圖案的設計。 、 口 一立圖8係為依照本發明之第五實施例之一種晝素陣列的 圖。請參考圖8 ’第五實施例之晝素結構_與第三 貫施例之晝素結構400(如圖4B所示)相似，其不同之處在 • 於本發明未對晝素結構_之掃描線22〇及資料線no的 =冓作分段及分層的設計。請參考圖S，在本實施例中， 二素結構_之掃描線22〇可由單層之導線所構成，而資 料線230 I由另一單層之導線所構成。此外，如區域A所 不，由於資料線230係位於下層介電層（未緣示）的上方， 因此^刻出溝渠27〇的過程中，會因為受到資料線⑽ 的保護而無法餘刻到位於資料線230下方的下層介電層 然而’由於區域A的範圍有限，儘管介電圖^6〇無^完 17 丨 twf.doc/g ^分成數侧立的圖#，但其相較於—整層未切割的介電 二=’/I具有防止碎裂的效用。值得—提的是，若將位 姻之第-資料圖案簡取代，由於第一資料;= 糸位於下層介電層的下方，則可以解決前述問題。 I六實施例 ▲囷9係為依日、?、本發明之第六實施例之晝素陣列的示意 同日伴考圖9，第六實施例之晝素結構·與第四 貫施例之畫素結構500(如目6B所示)相似，其*同^處在 於本發明未對晝素結構之掃描線22〇及資料線23〇的 構作分段及分層的設計。請參相9，在本實施例中， 晝素結構700之掃描線22〇可由單層之導線所構成，而資 料線230可由另一單層之導線所構成。此外，如區域b所 =，由於掃描線220係位於下層介電層28〇之第一下層介 兒層（未繪不）的上方，因此在蝕刻出第一溝渠27加的過程 中會因為文到掃描線220的保護而無法|虫刻到位於掃描 •、線220下方的第一下層介電層。然而，由於區域B的範圍 有限，儘管介電圖案260無法完全分成數個獨立的圖案， 但其相較於一整層未切割的介電層而言，仍具有防止碎裂 的效用。 < 附f 一 ^的是，無論是第三實施例的晝素陣列400、 第=實施例的畫素陣列500、第五實施例的晝素陣列6〇〇 或是第六實施例的晝素陣列700，其於製作過程中所使用 的光罩數量與習知之晝素陣列100所使用的光罩數量相 1281 水口物電機發光顯示器等等。 、·不所述，本發明之畫素陣列至 圖案圖案以及使位於此上下兩層的導電 產i斷、^自所組摘，討以縣基板撓曲時 靠度。、、月/，進而可以維持畫素陣列穩定的品質及可 的介於二電層中形成溝渠以使介電層分成多個獨立 带、^ =可以避免基板撓曲時造成介電層碎裂的情 晝素陣列穩定的品質及可靠度。 並不需要而S，本發明之晝素陣列的製作過程 素陣列的品質;靠ί :此不會增加成本且又能維持畫 的競爭力。…此可以提昇本發明之畫素陣列 限定Γΐ日ί發明已以較佳實施例揭露如上’然其並非用以 範圍當視後附之更動與潤飾，因此本發明之保護 【圖式簡單％專利關所界定者為準。 =::;1之二種晝素陣列的局部示意圖。 中沿A-A’連線的剖面示意圖。 19 12815,816 twf.doc/g 圖1C係為圖IB中撓曲軟性可撓基板的示意圖。 圖2A〜2C係為依照本發明之第一實施例 的形成過程示意圖。 旦京陣列 圖3A〜3C係為依照本發明之第二實施例 的形成過程示意圖。 素陣列 圖4A及圖4B係為依照本發明之第三實施 列的形成過程示意圖。 旦素陣
圖5A〜圖5C係為第三實施例之畫素陣列 的剖面示意圖。 ^成過耘 之晝素陣 形成過程 圖6A及圖6B係為依照本發明之第四實施例 列的形成過程示意圖。 圖7A〜圖7E係為第四實施例之晝素陣列之 的剖面示意圖。
圖8係為依照本發明之第五實施例之晝素陣列的示立 圖9係為依照本發明之第六實施例之晝素陣列的示咅 【主要元件符號說明】 5〇 :軟性可撓基板 100 :晝素陣列 100a :晝素 110 :薄骐電晶體 120:掃描線 12Ga ·斷線 20 12 S15i8^twf.d〇c/g 130 :資料線 140 :晝素電極 150 :介電層 150a :碎裂 200、300、400、500、600、7⑻、800 :畫素陣列 210 :主動元件 212 :閘極 214 :源極 214a :導線 216 :汲極 216a :導電層 218 :通道 220 :掃描線 220a :第一掃描線圖案 220b :第二掃描線圖案 220c :第一接觸窗 230 :資料線 230a :第一資料線圖案 230b ··第二資料線圖案 230c :第一接觸窗 240 :畫素電極 250 ··共用線 250a :第一共用線圖案 250b :第二共用線圖案 21 250c :第三接觸窗 260 :介電圖案 270 :溝渠 270a :第一溝渠 270b :第二溝渠 280 :下層介電層 280a :第一下層介電層 280b :第二下層介電層 280c :接觸窗開口 290 :上層介電層 290a ··接觸窗開口 800 :基板 A、B ·區域
22

Claims (1)

  1. I281586twf.d〇c/g 十、申請專利範圍： 1·一種畫素陣列，其包括配置在一基板上的多數個主 動元件、與該些主動元件電性連接的多數條掃瞄線與多數 條資料線以及與該些主動元件電性連接的多數個晝'素電 極，其特徵在於： 每一掃瞒線是由位於下層的多數個第一掃瞄線圖案、 位於上層的多數個第二掃瞄線圖案以及使該些第一掃瞄線
    圖案與該些第二掃瞄線圖案電性連接的第一接觸窗所構 成；以及 每一資料線是由位於下層的多數個第一資料線圖案、 位於上層的多數個第二資料線圖案以及使該些第一資料線 ，與該些第二資料線圖案電性連接的第二接觸窗所構 成0 纽2林如申請專利範圍第1項所述之晝素陣列，更包括多 曰y用線’其係與該些掃描線平行配置，鸡—共用線 =位於下層的多數個第一共用線圖案、位於上層的多數 2二，圖案以及使該些第—共用線圖案與該些第二 /、用線圖案電性連接的第三接觸窗所構成。 數層請t利範圍第1項所述之晝素陣列，更包括多 及兮此二1刀別位於該些晝素電極與該些資料線之間以 至二二、:目Γ線與该些資料線之間’其中該些介電層中具有 ’以使該些介電層分成多數個介電圖案。 電异之tt/i專利範目第3項所述之晝糾列，其中該介 曰 貝匕括無機材質或是有機材質。 23 1281 S^^twf.doc/g 主動5元第3項所述之畫素陣列，其中該些 該下層介電層中之層’且祕渠包括形成在 之一第二溝汽。弟溝知以及形成在該上層介電層中 其中該第 其中該些 其中該基 其中該軟 一、、二士:申ί專利範圍第5項所述之晝素陣列 溝㈣該第二溝渠是錯開配置。 主動7元圍第3項所述之畫素陣列 件刀另J疋一底部閘極型薄膜電晶體。 祐^如中請專利範圍第1項所述之畫素陣列 板係為—軟性可撓(flexible)基板。 性可二=請利範圍第8項所述之晝素陣列 f包括瓣、金屬或不_。 數條導線述之畫素陣列，更包括多 的多數個第_導線。二^且每—導線是由位於下層 从使該些第一導線 第四接觸窗所構成。 -弟- V線圖案電性連接的 動元置在-基板上的多數個主 條資料線以及—與該生條掃猫線與多數 極，其騎在於：— 性連接㈣數個晝素電 位於该些畫素電極與該些掃 與該些資料線之間更包括分別配置=:=亥， ^ 電層，其中該些 24 1281 篇 wf.doc/g 介電層中具有至少一盖;巨， 電圖案。 I後_介電層分成多數個介 12·如申請專利範圍第u 歧主動元件分別η 貝所述之畫素陣列，其中該 一土祕仟刀別疋—頂部閘極 τ a 包括-下層介電層以及一電曰曰體’且該介電層 在該下層介電層巾之—第k ’且韻渠包括形成 中之-第二溝渠。《4*以及形成在該上層介電層 其中該 其中該 其中該 其中該 其中該 13. 如申請專利範圍第12項所述之書 第-溝渠與該第二絲是錯開配置。- 14. 如中請專賴㈣u項所述之晝素陣列 二主動兀件分別是—底部閘極型薄膜電晶體。 li如申請專利範圍第u項所述之晝素陣列 土板係為一軟性可撓(f|exible)基板。 16·如申請專利範圍第15項所述之晝素陣列 軟性基板之材質包括轉、金屬或不錄鋼。 17·如申請專利範圍第11項所述之晝素陣列 二電層之材質包括無機材質或是有機材質。 更包括 18.如申請專利範圍帛11帛所述之晝素陣列 多數條導線，其配置於該基板上。 25
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