TWI278104B - Manufacturing method of semiconductor wafer having lid part and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Manufacturing method of semiconductor wafer having lid part and manufacturing method of semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
TWI278104B
TWI278104B TW094119847A TW94119847A TWI278104B TW I278104 B TWI278104 B TW I278104B TW 094119847 A TW094119847 A TW 094119847A TW 94119847 A TW94119847 A TW 94119847A TW I278104 B TWI278104 B TW I278104B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive layer
semiconductor wafer
semiconductor
adhesive
cover portion
Prior art date
Application number
TW094119847A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200605338A (en
Inventor
Masato Hoshika
Original Assignee
Sharp Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kk filed Critical Sharp Kk
Publication of TW200605338A publication Critical patent/TW200605338A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI278104B publication Critical patent/TWI278104B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/162—Disposition
    • H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

1278104 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種在形成於該半導體晶圓中的複數個半 V體元件中的每一元件上具有一罩蓋部之半導體晶圓之製 &方法，及一種使用此半導體晶圓製造方法之半導體裝置 的製造方法。 【先前技術】 作為半導體裝置中之一種之諸如ccd及cm〇s$像器的
口 L攝像衣置已成乎實際用於各種領域中。一固態攝像裝 置包含一電路，其包括一諸如光電二極體之光接收部分， 及用於基於該光接欠部分之輸出來讀取電訊號之讀取部 分。藉由使用一已知技術在一半導體晶圓上堆疊複數個層 來製造該固態攝像裝置。 順便提及，在近些年，存在有對高錢、高解析度及小 型固態攝像裝置的需求，且每像素之間距尺寸顯示一減小 的趨勢。為了滿足該需求，必須減小光接收部分的區域(下 文中稱為光接收區域）。在減小光接收區域時，所接收之光 量減少且㈣㈣減小，且因此有必要藉由在該光接收部 分上配置微透鏡來補償所接收之光量的減少。 、般纟帛導體晶片之表面上，其中有一功能元件作 為-固態攝像裝置形成於該半導體晶片上，藉由將半透明 树月曰處理為晶上透鏡形式來形成微透鏡。因此，微透鏡引 起該固態攝像裝詈 > 矣& + 之表面中的不勻性。該固態攝像裝置之 光接收表面係一非當番益从$ & . 非带重要的感應器，且若雜質黏接，則亮 102645.doc 1278104 度及色度由於該雜質而改變且所截取影像之再現性退化， 且亦存在一種可^，即可刮到該光接收表®。因此，由於 若有雜質黏接，則該固態攝像裝置之品質及可靠性退化， 故藉由-由玻璃等所製成之半透明罩蓋部來保護該固態攝 像裝置之光接收表面。 如以上所描述，該固態攝像裝置具有一結構，其中由罩 蓋部來保護光接收表面。詳言之，在—具有晶上微透鏡之 固恶攝像裝置中，表面不勻性極其複雜。因此，在將該半 導體晶片安裝在一由陶瓷、塑膠等製造的封裝箱中之後， 利用該罩蓋部來覆蓋該光接收表面以保護在該封裝箱中之 固態攝像裝置且防止外部雜質的進入。然而，由於在減小 封裝結構中之固態攝像裝置的尺寸方面存在一限制，故提 出了圖1中所.示的結構。在此結構中，藉由具有一穿孔部分 103之環氧基樹脂片104藉由黏接劑105將一玻璃板1〇6與一 形成有固態攝像元件的半導體晶片101表面接合在一起，其 中穿孔部分103僅形成於光接收部分102處（例如，見曰本專 利特許公開申請案第2001-257334號）。因此，藉由直接將玻 璃板1〇6(罩蓋部）與半導體晶片ι〇1相接合，與封裝結構相比 有可能減小固態攝像裝置之尺寸。 然而，在以上所描述之固態攝像裝置之製造方法中，環 氧基樹脂片1〇4用於確保在玻璃板1〇6與半導體晶片1〇1之 間的間隔，且使用黏接劑105將玻璃板106及半導體晶片1〇1 黏接於環氧基樹脂片1 〇4的兩個表面。由於該環氧基樹脂片 104具有一已形成之洞使得將其定位在光接受部分1〇2之 102645.doc 1278104 1 > 上’故所施加至該片之張力由於該洞之影響而不均衡。從 而，當附著該環氧基樹脂片1〇4時，該環氧基樹脂片1〇4的 幵〉狀變得非常不穩定，且存在一問題，即附著步驟變得極 其困難。而且，當將該環氧基樹脂片104黏接於該半導體晶 片ιοί之表面時，定位該環氧基樹脂片1〇4及半導體晶片 佔據定時間，且亦存在一問題，即由於未採取充分措施 來防止光接收表面之污染，其中微透鏡配置於該光接收表 面上，故該等製造步驟之管理很複雜。 Φ 另外在環氧基樹脂片104中，由於穿孔部分1 〇3係藉由 產生一洞而形成，故在減小穿孔部分1〇3之尺寸方面存在一 限制。由於該固態攝像農置之密閉空間之尺寸係由穿孔部 分103所判定，故即使使用在日本專利特許公開申請案第 2001-257334號中所揭示之方法，在減小固態攝像裝置之結 構尺寸方面仍存在一限制。 【發明内容】 為解決以上之問題之目的而提供本發明，且本方面之一 馨目標係提供-種具有一罩蓋部之半導體晶圓的製造方法及 半導體裝置之製造方法，其能夠藉由以下步驟藉由產生一 空間來減少外部影響（諸如水分及粉塵）：形成在一半導體晶 圓上藉由適當地混合一光固性黏接劑（感光性黏接劑）及一 熱固性黏接劑所獲得之一材料，該材料用作用於將有複數 個半導體元件形成於其中的半導體晶圓與一罩蓋部接合在 一起的黏接層材料；藉由使用包含於該黏接層中之光固性 黏接劑的特徵將該黏接層圖案化為一預定形式；在置放罩 102645.doc 1278104 蓋部之後加熱該經圖案化之黏接層；及藉由使用包含於該 黏接層中之熱固性黏接劑的特徵藉由黏接層將半導體晶圓 與罩蓋部接合在一起，且亦能夠達成半導體裝置尺寸之一 減小及實現高品質及可靠的晶片尺寸之半導體裝置。 本發明之另一目標係提供一種具有一罩蓋部之半導體晶 圓製造方法及一種半導體裝置製造方法，其能夠藉由在圖 案化該黏接層之後’對於每一半導體元件，判定該經圖案 化之黏接層是否符合要求，以及藉由不將該罩蓋部置放在 經判定為不符合要求之黏接層上，來達成高製造效率。 本發明之又一目標係提供一種具有一罩蓋部之半導體晶 圓製造方法及一種半導體裝置製造方法，其能夠藉由在圖 案化該黏接層之後，對於每一半導體元件，判定該經圖案 化之黏接層是否符合要求，以及藉由修復具有一缺陷部分 且經判定為不符合要求之黏接層，來達成高製造良率。 本發明之又一目標係提供一種具有一罩蓋部之半導體晶 圓製造方法及一種半導體裝置製造方法，其能夠由一非常 簡單的方法及以很低之成本藉由將一包含一光固性黏接劑 及-熱固性黏接劑之黏接片黏接至該半導體晶圓來使該黏 接層形成於該半導體晶圓上’其中有複數個半導體元件形 成於該半導體晶圓中。 > 本發明之又一目標係提供一 圓製造方法及'一種半導體裝置 簡單的方法且有效地藉由將保 側面上及藉由分離在面對該半 種具有一罩蓋部之半導體晶 製造方法，其能夠以一非常 護膜附著至該黏接片之兩個 導體晶圓之側面上之保護膜 102645.doc 1278104 將該黏接劑黏接在該半導體晶圓之上來提供黏接片，且能 夠降低製造機器所需的成本。 本發月之又目“係友:供一種具有一罩蓋部之半導體晶 圓製造方法及-種半導體裝置製造方法，其能夠確保在圖 案化之前的平滑度且能夠藉由在藉由使用包含s該黏接層 中之光固性黏接劑之特徵將該黏接層圖案化為—預定形式 之後分離另—保護膜來防止在製造過程中粉塵黏接至黏接 層表面。 本發明之又-目㈣提供—種具有—罩蓋部之半導體晶 圓製造方法及一種半導體裝置製造方法，其能夠藉由使用 一具有小於各半導體裝詈τ 卞守胺在置之千面尺寸之平面尺寸的罩蓋部 來將該罩蓋部黏接至各半導體元件的純層，且能夠藉由 不將該罩蓋部置放在經判定為不符合要求之半導體元二 黏接層上來達成南製造效率。 ^ 目&係提供—種具有m卩之半導體晶 圓製'方法及：種半導體裝置製造方法，其能夠藉由使用 具有此夠覆盖複數個半導體裝置的平面尺寸的罩苗部， ==部黏接至全體該等複數個半導體元件來二 本發明之又—目標係提供—種半導體裝置之製造方法， 在藉由將半導體晶圓㈣並分料具有— 接至其的個別半導體元件之分割步驟之後防止在半導體元 件的表面上之粉塵黏著及刮痕。 本發明之具有一罩篆都夕主 皁盖戸之+導體晶圓的製造方法包^ 102645.doc 1278104 一黏接層形成步驟，在一其中形成有複數個半導體元件之 半導體晶圓上形成-含有光固性黏接劑及熱固性黏接劑的 黏接層；-第-黏接步驟，藉由選擇性地將該黏接層曝光 且將包含於該黏接層中之光固性黏接劑固化在各半導體元 件之周邊部分上來將該黏接層與該半導體晶圓黏接在一 起；一顯影步驟，藉由顯影該黏接層及移除在一光固性黏 接劑未被固化的區域中之黏接層來圖案化該黏接層；一檢 測步驟，檢測各半導體元件，以判定經圖案化之黏接層是 否符合要求；一罩蓋部置放步驟，將一罩蓋部置放於在檢 測步驟中經判定為符合要求的半導體元件之黏接層上；及 一第二黏接步驟，藉由加熱該黏接層且引起包含於黏接層 中之熱固性黏接劑顯示出黏接特性來將該黏接層與罩蓋部 黏接在一起。 根據本發明，將一含有光固性黏接劑及熱固性黏接劑之 黏接層形成於一其中形成有複數個半導體元件的半導體晶 圓之上，且藉由選擇性地曝光該黏接層且將包含於該黏接 層中之光固性黏接劑固化在各半導體元件之周邊部分上來 將該黏接層與該半導體晶圓黏接在一起。接著，在顯影該 光固性黏接劑且移除在未被曝光之區域中的黏接層之後， 針對每一半導體元件，判定經圖案化之黏接層是否符合要 求。接著，在將一罩蓋部置放在經判定為符合要求之半導 體元件的黏接層上之後，藉由加熱該黏接層且引起包含於 該黏接層之熱固性黏接劑顯示出黏接特性來將黏接層與罩 蓋部黏接在一起。從而，經圖案化之黏接層變為一框架部 102645.doc -10- 1278104 分且形成一由半導體晶圓、黏接層及罩蓋部所封閉的空 間，且因此有可能防止諸如水分及粉塵之外部影響。而且， 由於藉由黏接層將該罩蓋部與該半導體晶圓接合，故有可 能達成半導體裝置尺寸之減小且實現高品質及可靠的晶片 尺寸之半導體裝置。另外，由於形成有半導體元件之半導 體晶圓在表面上具有一不勻的結構，故傾向於吸附雜質。 因此，當如本發明之情況藉由曝光及顯影來圖案化一含有 光固性黏接劑及熱固性黏接劑之黏接層時，黏接層傾向於 _ 保持處於應自其移除黏接層之不平結構的部分中。然而， 藉由在之前檢測步驟中檢測各半導體元件，來判定及瞭解 經圖案化之黏接層是否符合要求，有可能在之後的步驟中 使用該判定結果且改良生產效率。 根據本發明之具有一罩蓋部之半導體晶圓的製造方法， 在以上所描述之發明中，在第二黏接步驟中，不將該罩蓋 部置放於在檢測步驟中經判定為不符合要求之半導體元件 之黏接層上。由於檢測各半導體元件之經圖案化的黏接層 且不將該罩蓋部置放在經判定為不符合要求（缺陷產品)之 半導體元件之黏接層上，故有可能達成高製造效率。舉例 而言，猎由製造批號、半導體晶圓號及半導體晶片號來識 別各半v體元件且為各半導體晶圓產生諸如指示經圖案化 之黏接層是否符合要求之映射資料的識別資訊，有可能準 碟地識別出-半導體元件，其經圖案化的黏接層經判定為 不符合要求且不置放該罩蓋部。 本發明之具有一罩蓋部之半導體晶圓之製造方法包含： 102645.doc 1278104 一黏接層形成步驟，在一其中形成有複數個半導體元件的 半導體晶圓上形成一含有光固性黏接劑及熱固性黏接劑之 黏接層；一第一黏接步驟，藉由選擇性地曝光該黏接層且 將包含於該黏接層中之光固性黏接劑固化在各半導體元件 之周邊部分上來將該黏接層與該半導體晶圓黏接在一起； 一顯影步驟，藉由顯影該黏接層且移除在一光固性黏接劑 未被固化區域中之黏接層來圖案化該黏接層；一檢測步 驟，檢測各半導體元件，以判定經圖案化之黏接層是否符 • 合要求；一修復步驟，利用一含有熱固性黏接劑之黏接劑 修復具有一缺陷部分且在檢測步驟中經判定為不符合要求 之黏接層；一罩蓋部置放步驟，將一罩蓋部置放於在檢測 步驟中經判定為符合要求之半導體元件之黏接層上及在修 復步驟中被修復的黏接層上；及一第二黏接步驟，藉由加 熱該黏接層且引起包含於黏接層中之熱固性黏接劑顴示出 黏接特性來將該黏接層與罩蓋部黏接在一起。 根據本發明，將一含有光固性黏接劑及熱固性黏接劑之 •黏接層形成在其中形成有複數個半導體元件之半導體晶圓 上，且藉由選擇性地曝光該黏接層且將包含在黏接層中之 光固性黏接劑固化在各半導體元件之周邊部分上來將該黏 接層與該半導體晶圓黏接在一起。接著，在顯影該光固性 黏接劑及移除在一已被曝光之區域中之黏接層之後，針對 各半導體元件，判定經圖案化之黏接層是否符合要求。接 著，在藉由一含有熱固性黏接劑之黏接劑修復具有一缺陷 邛刀且經判疋為不符合要求之黏接層之後，將一罩蓋部置 102645.doc -12- 1278104 $在經判定為要求之半導體元件之黏接層丨及在經修 復之黏接層上，且藉由加熱該黏接層及引起包含於黏接層 中之熱固性黏接劑顯示出黏接特性來將該黏接層與罩蓋部 黏接在一起。從而，經圖案化之黏接層變為一框架部分且 形成一由半導體晶圓、黏接層及罩蓋部所封閉的空間，且 因此有可能防止諸如水分及粉塵之外部影響。而且，由於 藉由黏接層將罩蓋部接合至半導體晶圓，故有可能達成半 導體裝置之尺寸的減小且實現高品質及可靠的晶片尺寸之 ❿半導體裝置。另外，由於修復了具有一缺陷部分且經判定 為不符合要求之黏接層，故有可能改良製造良率。藉由根 據經修復之狀態來更新諸如映射資料的識別資訊，不存在 不將罩蓋部置放在經修復之黏接層上的可能性，且有可能 達成南製造效率及高良率。此外，由於形成有半導體元件 之半導體晶圓在表面上具有一不勻的結構，故很容易吸附 雜質。因此，當如本發明之情況藉由曝光及顯影來圖案化 含有光固性黏接劑及熱固性黏接劑之黏接層時，黏接層傾 _向於保持在應將黏接層自其移除之不平結構的部分中。然 而，藉由在之前檢測步驟中檢測各半導體元件，來判定及 瞭解經圖案化之黏接層是否符合要求，有可能在之後的步 驟中使用該等判定結果且改良生產效率。 根據本發明之具有一罩蓋部之半導體晶圓之製造方法， 在以上所描述之各發明中，在黏接層形成步驟中，藉由將 一含有光固性黏接劑及熱固性黏接劑之黏接片黏接至其中 形成有複數個半導體元件之半導體晶圓，來將該黏接層形 102645.doc •13- 1278104 成於該半導體晶圓上。藉由將—含有光關黏接劑及熱固 性黏接劑之黏接片黏接至其中形成有複數個半導體元件之 半導體晶®，可由一非常簡單之方法及低成本，來將該黏 接層形成於該半導體晶圓上。而且，由於有可能很容易地 改k黏接μ類型’故此方法特別適合於多種類型的半導體 晶圓生產。
根據本發明之具有一罩蓋部之半導體晶圓之製造方法， 在以上所描述的本發明中，將保護膜附著在黏接片之兩個 表面上且在黏接層开> 成步驟中藉由分離在面對半導體晶 圓側面上之保護膜來將該黏接片黏接至半導體晶圓。藉由 將保4媒附著至黏接片之兩個側面上且藉由分離在面對半 導體晶圓之侧面上之保護膜’來將該黏接劑黏接至半導體 Β曰圓’有可能猎由-非常簡單的方法且有效地提供該黏接 片，且有可能降低製造機器所需之成本。 、本發明之具有-罩蓋部之半導體晶圓之製造方法係基於 乂上所描述之發明，且在第_黏接步驟之後進—步包含分 離另-保護膜的步驟。藉由在使用包含於黏接層中之光固 性黏接劑之特徵’來將該黏接層圖案化為—預定形式之後 分離另-保護膜’有可能保持狀態，即在圖案化之前，使 保護膜置放在黏接層上側，且因此㈣接層之表面將不且 有不句性且可保持平滑性，且亦可能防止在製造過程中粉 塵黏接至該黏接層之表面。 根據本發明之且古 ^ ^ t 之具有一罩盍部之半導體晶圓的製造方法， 在以上所描述之各發明中， 甲°亥罩盍部具有一小於各半導體 102645.doc »14- 1278104 裝置之平面尺寸的平面尺寸以便將罩蓋部黏接至各半導體 元件的黏接層。藉由使用具有一小於各半導體裝置之平面 尺寸的平面尺寸之罩蓋部，其中之後將該半導體晶圓分割 為各半導體裝置，可將該罩蓋部黏接至各半導體元件之黏 接層。因此，藉由不將該罩蓋部置放在經判定為不符合要 求之半導體元件之黏接層上，有可能達成高製造效率。
根據本發明之具有一罩蓋部之半導體晶圓之製造方法’ 在以上所描述的各發明中，該罩蓋部具有-能夠覆蓋複數 個半導體裝置之平面尺寸以便將該罩蓋部黏接至全體複數 個半導體元件之黏接層。藉由使用具有—能夠覆蓋複數個 半導體裝置之平面尺寸之罩蓋部，有可能將該罩蓋部黏接 至全體複數個半導體元件之黏接層，進而顯著縮短時間。 而且’由於充分將該罩蓋部與所有半導體元件之黏接層相 接觸而置放，故對準精確度將不會引起一問題。 根據本發明之具有一罩蓋部之半導體晶圓之製造方法， 在以上所描述的各發明中，將微透鏡形成於其中形成有複 數個半導體7G件之半導體晶圓上。本發明之製造方法適合 於包括-微透鏡之固態攝像㈣，該微透鏡形成於一其中 形成有複數個半導體元件的半導體晶圓上，且可實現晶圓 尺寸的固態攝像裝置。在有微透鏡形成於其上之半導體晶 圓之表面上’报容易吸附雜質。因此，當如本發明之情況 措由曝光及顯影來圖案化-含有光固性黏接劑及熱固性黏 接劑之黏接層時，若形成辦读於 ^ 沿成破透鏡，則特定言之該黏接層傾 向於保持在應自其移垃a 轸除黏接層的一部分中。然而，藉由在 102645.doc -15- 1278104 之前檢測步驟中檢測各半導體元件，以判定經圖案化之黏 接層疋否符合要求且（例如）在經判定為不符合要求之半導 體元件上不執行隨後的步驟，有可能非常有效地改良生產 效率。 本發明之半導體裝置之製造方法係基於以上所描述的各 發明，且進一步包含一用於將該半導體晶圓切割及分割為 具有一罩蓋部之若干個別半導體裝置的分割步驟。藉由將 該半導體晶圓切割及分割為具有一罩蓋部黏接至其之個別 _ 半導體裝置，有可能防止在分割步驟之後該等半導體元件 的表面上的鳥塵黏者及刮痕。另外，由於基於一半導體晶 圓單元來執行該過程直至黏接罩蓋部，故有可能很容易地 且很安全地儲存及傳送該半導體晶圓，且有可能很容易地 管理該過程。 自以下具有附圖的詳細描述，將易於更加充分地瞭解本 發明之以上及其他的目標及特徵。 【實施方式】 ® 以下描述將基於說明本發明之一些實施例之圖式來詳細 解釋本發明。應注意到以下描述解釋了應用至一作為半導 體裝置之固態攝像裝置（諸如CCD及CMOS影像器）的製造 中之本發明，其中半導體晶圓為一矽晶圓。 (實施例1) 圖2係一展示根據本發明之實施例1之半導體晶圓製造方 法及半導體裝置之製造方法之概要的流程圖，且圖3 A-3H 係解釋根據本發明之實施例1的半導體晶圓之製造方法及 102645.doc • 16 - 1278104
> V 半導體裝置之製造方法的說明圖。 根據實施例1之半導體晶圓製造方法包含一黏接層形成 步驟（S1)、一作為第一黏接步驟的曝光步驟（S2)、一保護膜 分離步驟（S3)、一顯影步驟（S4)、一檢測步驟（S5)及一作為 第一黏接步驟之罩蓋部黏接步驟（S6)，且該半導體裝置製 造方法進一步包含一分割步驟（S7)。 在半導體晶圓10中，形成複數個具有矩形形狀之作為半 導體元件的攝像元件20、20、…，諸如CCD及CMOS影像器 _ (圖3A)。一光接收部分2〇a形成於該固態攝像元件2〇之一大 體上中心區域中，且微透鏡2〇b形成於該光接收部分2(^之 上表面上。更特定言之，該光接收部分2〇a為一光電二極 體’且藉由微透鏡20b增加了對光接收部分2(^之聚光能 力藉由將一半透明樹脂處理為一透鏡形狀來將微透鏡2〇七 形成於半導體晶圓10的表面上。 首先’作為黏接層形成步驟（圖2 : S 1)，將一具有一保護 膜3 ^黏接至其上側之黏接層4〇形成於該半導體晶圓10之 光接收侧表面上，其中有複數個固態攝像元件20形成於該 半導體晶圓10中（圖3B)。該黏接層4〇係一藉由適當地混合 -當曝光時固化之光固性黏接劑及一當加熱時顯示出黏接 強度之熱固性黏接劑所獲得的㈣，且具有一厚於微透鏡 之厚度{列如，使用-為丙稀酸樹脂的紫外線（uv)固性樹 脂作為光固性黏接劑，且例如，使用一環氧基樹脂作為熱 固性黏接劑。在黏接層形成步驟中，僅有必要將該黏接層 40形成於在該半導體晶圓1G中形成的所有複數個固態攝像 102645.doc -17- 1278104 * . 元件20、20、…上，且對準精確度而言無任何限制。 更特定言之’在圖4A及4B所示的黏接層形成步驟中，在 一狀態下滾動一黏接片30，其中保護膜31a及31b附著至黏 接片30之兩個側面上，分離出在一側面上（此處，下側面） 之保護膜31a，且轉動一附著捲筒32使得在左及右方向上移 動該附著捲筒32且黏接片30之表面接觸到半導體晶圓1〇且 被黏接至半導體晶圓1 〇(圖4A)，其中已將保護膜自該黏接 片30之表面分離。保持保護膜31a黏接至黏接片3〇之另一側 • 面。接著，沿著半導體晶圓10的外圓周（參考碼C所示）切割 黏接片30以製造黏接層4〇(圖4B)。 接著，作為曝光步驟（圖2 ·· S2)，使黏接層4〇曝光於穿過 一光罩50的光51(圖3C)。在此實例中，由於一顯示出關於 紫外輻射（UV光）之固化特徵的uv固化樹脂用作包含於黏 接層40之光固性黏接劑，因此uv光用作光51。圖案化該光 罩50使得一對應於形成於半導體晶圓1〇中之每一固態攝像 元件之光接收部分20a的區域之外的區域被曝光。由於將光 _固性黏接劑混合入黏接層40中，故當使黏接層4〇曝光至uv 光（對UV光感光）時，固化特徵出現，且光固性黏接劑引起— 光聚合反應且被改變為一不溶解於一預定顯影劑的物質。 簡而言之，在黏接層4〇中，一經1；¥光感光之黏接層4〇a已固 化同時未經UV光感光之黏接層40b保持一未固化狀態。 接者，作為保護膜分離步驟（圖2 ·· S3)，為了曝光黏接層 40刀離在黏接層40之上側面上的保護膜31a(圖3D)。若在 曝光黏接層40之前分離保護膜31a，則包含於黏接層4〇中之 102645.doc -18- 1278104 黏接劑由於黏接層40之黏著力而黏接至保護膜31a，且黏接 層40之表面可變為不勻。然而，藉由維持在一直將保護膜 3 la置放在黏接層40之上側面上直至黏接層4〇之曝光的狀 態下，黏接層40之表面不會變為不勻且可維持平滑性，且 亦可能防止在製造過程期間粉塵黏接至黏接層4〇之表面。 曝光之後，由於在一之後用於黏接至罩蓋部的部分中之黏 接層40a中之光固性黏接劑已固化，故即使自黏接層4〇分離 保護膜31a，仍不會硬引起黏接層4〇a之必要部分的表面之 # 不勻性，且維持該表面之平滑性。 接著’作為顯影步驟（圖2 : S4)，藉由使用一預定顯影劑 來顯影黏接層40，來移除在未被UV光感光之區域中的黏接 層40b，同時黏接層40a維持狀態且提供一圖案（圖3E)。從 而，黏接層40a具有一環繞各個固態攝像元件2〇之光接收部 分20a的形狀，或，換言之，變為一框架部分。在經。乂光 感光之黏接層40a中的光固性黏接劑當被感光時會引起一 光聚合反應且不溶解於一預定顯影劑中，然而在未經uv* _ 感光之黏接層4〇b中之光固性黏接劑在物理特性方面無改 變且可溶解於顯影劑。由於將藉由適當地混合一光固性黏-接劑及一熱固性黏接所獲得之材料用作黏接層4〇的材料， 故有可能使用一微影技術將以上所提及之黏接層4〇圖案化 為一預定形式。 接著’作為檢測步驟（圖2 ·· S5)，使用一相機60來檢測在 半導體晶圓10之表面上的經圖案化之黏接層4〇，以判定該 黏接層40是否符合要求（圖3F)。檢測該表面之原因係半導 102645.doc •19- 1278104 體晶圓10之表面歸因於各種堆疊的圖案可具有不勻性，且 由於該不勻性而使黏接層40b之殘餘物可保留。在檢測步驟 中’檢測出在顯影步驟中不可被移除之黏接層40b之殘餘物 的存在及在黏接層40a形狀中之缺陷的存在。詳言之，在如 此實例中之將一具有微透鏡之固態攝像元件形成在該表面 上的情況下，由於存在一很高可能性，即一殘餘物保持在 相鄰之微透鏡之間的空間中，故執行檢測步驟可有效地檢 測出一殘餘物之存在。 _ 作為黏接層40b之殘餘物，如圖5所示，例如，雖然應在 顯影步驟中移除黏接層40b，然而由於加工變化很可能在微 透鏡2 Ob之不平的上表面上引起一殘餘物41，而且，作為黏 接層40a之形狀缺陷，如圖6所示，例如，可在形成於半導 體晶圓10上之黏接層40a之圖案之部分中引起一缺陷部分 42。因此，為了藉由檢測黏接層4〇b之該殘餘物的存在及黏 接層40a之一形狀缺陷的存在而識別哪個固態攝像裝置變 為有缺陷，由一旗標所產生之映射資料展示了各固態攝像 裝置或各固態攝像元件之判定的結果。 在半導體製造中’藉由製造批號、半導體晶圓號及半導 體晶片號來識別各半導體元件，且為各半導體晶圓產生映 射資料。簡而言之，為各製造批號及各半導體晶圓號產生 映射資料’且有可能基於該映射資料產生一關於各固態攝 像裝置或各固態攝像元件是否符合要求的判定。作為映射 資料，除了顯示出關於各固態攝像裝置或各固態攝像元件 是否符合要求之判定結果的旗標之外，可能包括用於識別 102645.doc •20- 1278104 内容的資訊。舉例而言，當存在一殘絡 廿牡殘餘物時，將識別此情 況之資訊添加至映射資料，且舍在为 ^ 且田存在一缺陷部分時，將識 別此情況之資訊添加至映射資料。因此，基於映射資料資 訊，有可能識別引起-缺陷的項目且根據各項目分類缺陷 百分比，且因此映射資料適用於檢驗生產歷史資料。
接著，作為罩蓋部黏接步驟（圖2: S6)，在此實例中，將 一由玻璃等製造的之前被分離為若干個別片之半透明罩蓋 部70排列在各固態攝像元件2〇之黏接層4〇a上，且將黏接I 4〇a與罩蓋部70黏接在一起（圖3G)。注意到較佳地該罩蓋部 70之平面尺寸很小且較佳地大體上等於係一環繞各固態攝 像元件20之光接收部分2〇a之框架部分的黏接層4〇a之平面 尺寸。當執行線結合以連接一形成於該半導體晶圓1〇上之 襯墊（未圖示）與一外部電路時，若該襯墊被罩蓋部7〇遮蓋， 則有必要對一結合機作出一適當調整，但可藉由將罩蓋部 70之平面尺寸做小來容易地執行線結合。而且，若考慮到 置放罩蓋部70的準確度，則罩蓋部7〇之平面尺寸較佳地稍 大於係環繞各固態攝像元件2〇之光接收部分2〇a之框架部 分的黏接層40a之平面尺寸。 更特疋s之’在罩蓋部黏接步驟中，如圖7a及7B所示， 準備一具有若干罩蓋部70黏接至其之黏性片71，且藉由一 諸如罩盍結合器之抽吸裝置72來吸取罩蓋部7〇且將罩蓋部 70自黏性片71分離（圖7Α)。接著，移動抽吸裝置72來將罩 蓋部70置放在形成於半導體晶圓1〇中之各固態攝像元件2〇 之黏接層40a上（圖7Β)。藉由在罩蓋部70置放在黏接層4〇a 102645.doc -21 - 1278104 上的狀態中加熱，黏接特性出現在包含於黏接層4〇a中之熱 固性黏接劑中，且將黏接層40a與罩蓋部70黏接在一起。而 且，由於僅藉由在曝光步驟中所產生之光固性黏接劑之黏 接強度不能將黏接層40a與半導體晶圓1〇充分黏接在一 起，藉由此加熱過程可改良在黏接層40a與半導體晶圓1〇之 間的黏著力。當然，有可能藉由在一預定溫度之高溫容器 中置放黏接層，或藉由在加熱期間適當地施加壓力來引起 黏接特性。從而，由半導體晶圓10、罩蓋部7〇及黏接層4〇a • 產生了 一空間，且有可能降低在之後的步驟中由於水分進 入了光接收部分20a、粉塵之進入及黏著、刮痕等而在光接 收部分20a中之缺陷的產生，且有可能以良好良率製造高可 靠性之固態攝像裝置。注意到可密封由半導體晶圓1〇、罩 蓋部70及黏接層40a所形成之空間，或可將其一定程度上封 閉，即能夠降低在之後步驟中由於水分進入光接收部分 20a、粉塵之進入及黏著、刮痕等而在光接收部分2〇a中之 缺陷的產生，且，例如，可形成一小空氣通道來將進入内 _ 部之水分排出到外部。 應注意到在將固態攝像裝置安裝在一諸如相機及錄影相 機的光學裝置中的情況下，罩蓋部7〇除了保護光接收部分 20a之表面免於粉塵、刮痕等之外還需要阻斷外部的紅外輻 射。在此情況下，有可能在罩蓋部7〇之表面上形成一紅外 阻斷膜以亦執行一光學過濾器的功能。 另外，如圖7B所示，較佳地不將罩蓋部7〇附著至在檢測 步驟中經判定為有缺陷的一固態攝像裝置或一固態攝像元 102645.doc -22· 1278104 件之黏接層40a(在中心區域之黏接層）上。藉由不將罩蓋部 70附著在一缺陷產品上，有可能降低罩蓋部7〇材料的成本 及在黏接步驟中之製造成本。考慮到降低成本的觀點，較 佳地在上游步驟中選出缺陷產品且在下游步驟中不使用缺 陷產品。 接著，如分割步驟（圖2 : S7)，在於罩蓋部黏接步驟中將 罩蓋部70黏接至對應於所有良好之固態攝像裝置或固態攝 像元件之黏接層40a之後，使用一諸如切割鋸之切割裝置切 鲁割半導體晶圓10，以將其分割為若干包括個別固態攝像元 件20之固態攝像裝置8〇(圖3H)。作為分割步驟，將半導體 曰曰圓10之後側表面附著在一固定至一切割環之切割帶上， 其中罩蓋部70藉由黏接層4〇a接合至半導體晶圓1〇，且在切 割方向上移動切割鋸，以將該半導體晶圓1〇分割為個別固 態攝像裝置80。接著，藉由在適當條件下將經分割之固態 攝像裝置80自切割帶分離出，有可能獲得固態攝像裝置 80。應注意到，亦有可能向半導體晶圓1〇提供諸如已知的 * 切割線及斜切線之分割線，來改良切割準確度❹ 如以上之詳細描述，本發明之觀點係將藉由適當地混合 光固〖生黏接劑與熱固性黏接劑所獲得的材料用作黏接層⑽ 之材料，以將半導體晶圓1〇與罩蓋部7〇接合在一起，且藉 由微衫技術，首先使用包含於黏接層4〇之光固性黏接劑的 特徵，來將黏接層40圖案化為一預定形式。接著，在置放 罩蓋部70之後，藉由加熱保留之黏接層術，藉由使用包含 於黏接層40a中之熱固性黏接劑之特徵，將半導體晶圓⑺與 102645.doc -23- 1278104 罩蓋部70藉由該黏接層 4〇a接合在一起。在該 者 案化黏接層40時，諸如 田圖 喵如U透鏡之不平形狀可 物。因此，本發明執力趣殘餘 檢測v驟，以判定殘餘物之存在 或不存在。而且，由_ 於有一可能性，即待成為各固態 元件20之框架部分的黏 口〜、攝像 黏接層40a之一部分可為有缺陷的，故 在檢測步驟中亦可為該缺陷執行一檢測。 (實施例2) 圖8係一展示根據本發明之實施例2的-半導體晶圓之製 # 4方法及-半導體裝置之製造方法的概要的流程圖。 根據實施例2之半導體晶圓的製造方法包含黏接層形成 步驟（S1)、曝光步驟（S2)、保護膜分離步驟（S3)、顯影步驟 (S4)、檢測步驟（S5)、點接層修復步驟（si5)及罩蓋部黏接 步驟（S6)，且該半導體裴置之製造方法進一步包含一分割 步驟（S7)。 " 在黏接層修復步驟中（S15)，基於在檢測步驟（S5)中所產 生之映射資料，修復不具有任何黏接層40b之殘餘物且由於 在黏接層4〇a之圖案部分中的缺陷部分42之存在而經判定 為有缺陷的黏接層40。舉例而言，如圖9所示，可藉由使用 一做作為黏接劑注射器之施配器來使用一黏接劑45填充該 缺P曰^分42 °在黏接層修復步驟中使用的黏接劑45含有類 似於在黏接層形成步驟中所使用之熱固性黏接劑。 因此’黏接劑45藉由在罩蓋部黏接步驟中之加熱過程而 具有了點接特性，且黏接至罩蓋部70及半導體晶圓10。因 此’與實施例1相類似，由半導體晶圓10、罩蓋部70、黏接 102645.doc -24- 1278104 層40a及黏接劑45產生了 一空間，且在之後步驟中由於水分 進入光接收部分20a、粉塵之進入及黏著、刮痕等，有可能 降低在光接收部分20a中之缺陷的發生，且有可能以良好良 率製造高可靠性的固態攝像裝置。注意到，在此實施例中， 可密封由半導體晶圓1〇、罩蓋部70及黏接層4〇a所形成之空 間，或可將其一定程度上封閉，即能夠降低在之後步驟中 由於水分進入了光接收部分20a、粉塵之進入及黏著、刮痕 等而在光接收部分20a中之缺陷的產生，且，例如，可形成 • 一小空氣通道用於將進入内部之水分排出到外部。 而且，由於要修復一有缺陷之固態攝像裝置以製造一良 好產品，故自然要改良製造良率。當在黏接層修復步驟中 修復黏接層4〇a時，將修復固態攝像裝置之旗標改變為一良 好產品且在檢測步驟中在對各半導體晶圓給出之映射資料 中適當地作出更新。由於其他步驟與實施例i中之彼等相 同’故相同碼指定對應的部分且忽略其詳細解釋。 另外亦有可能再檢測包括在黏接層修復步驟中用於修 _復的黏接劑45之黏接層4Ga之形狀，且判^黏接層伽是否 已被修復為一預定形狀。作為再檢測方法，有可能使用與 …斤描述之檢測步驟(S5)相同的方法。當執行再檢測 時，由於不需要檢測在檢測步驟（S5)中經判定為一良好產 品之黏接層術，故自生產量的觀點而言較佳地僅檢測經修 復部分的黏接層4〇a。 (實施例3) 實施例1及2說明了一模式，其中將由玻璃等製造且之前 102645.doc •25- 1278104 被分離成個別片的半透明罩蓋部70置放在各固態攝像元件 20之黏接層40a上，且將黏接層4〇a與罩蓋部7〇黏接在一 起。然而，亦可能黏接一呈具有一能夠覆蓋複數個固態攝 像裝置（半V體裝置）之尺寸的單板（一片板）形式之半透明 罩盍部，且如實施例3解釋了該結構。根據實施例3之半導 體晶圓製造方法及半導體裝置製造方法與實施例丨及2之流 程相同，但在罩蓋部黏接步驟及分割步驟的細節方面有所 不同。 # 圖10A及10B係揭示根據本發明之實施例3的一半導體晶 圓之製造方法及一半導體裝置之製造方法的說明圖，且更 特定言之係顯示罩蓋部黏接步驟及分割步驟的說明圖。 在根據實施例3之半導體晶圓製造方法及半導體裝置製 造方法中之罩蓋部黏接步驟中，將一呈單板形式之半透明 罩蓋部75置放在全體個別固態攝像元件2〇之黏接層々“ 上，且將黏接層40a與罩蓋部75黏接在一起（圖1〇A)。由於 呈單板形式之罩蓋部75被置放，故充分地將罩蓋部Μ正好 _置放於與所有固態攝像元件2G之黏接層術相接觸，且對準 精確度係报重要的。而且，藉由置放呈_單板形式之罩蓋 部乃，有可能全體覆蓋所有的固態攝像元件⑼，進而達2 在製造時間方面之顯著降低。 接著，藉由在罩蓋部75附著在黏接層4〇a上之狀態下加 熱，引起包含於黏接層4〇a之熱固性黏接劑顯示出黏接特 性，且將黏接層40a與罩蓋部75黏接在一起。而且，隨著此 加熱，改良了在黏接層40a與半導體晶圓10之間的黏著力。 102645.doc -26 - 1278104 當然，可藉由將黏接層置放於一預定溫度的高溫容器中， 或在加熱期間施加適當壓力來顯示出黏接特性。因此，藉 由半導體晶圓10、罩蓋部75及黏接層4(^來分別產生一空 間，且有可能在之後步驟中由於光接收部分2〇a中之水分的 進入、粉塵之進入及黏著、刮痕等而降低了在光接收不分 20a中之缺陷的產生，且有可能以良好良率製造出高可靠性 的固態攝像裝置。注意到可密封由半導體晶圓1〇、罩蓋部 75及黏接層4〇a所形成之空間，或可將其在一定程度上封 閉’即此夠純在之後的步冑中由於水分進入光接收部分 2〇a、粉塵之進入及黏著、刮痕等而在光接收部分中之 缺陷的產生，I，例如，可形成一小空氣通道來將進入内 部之水分排出到外部。 接者’在分割步驟中’使用—切割裝置切割半導體晶圓 10及罩盍部75且將其分割為若干包括個別固態攝像元件 之固態攝像裝置8_1GB)。當執行線結合來連接—形成於
該半導體晶圓H)上之襯墊（未圖示）與一外部電路時，若該襯 墊被罩蓋部75遮蓋，則有必要對結合裝置作出一適當調 :因此，在分割步驟中，適當地切割半導體晶圓⑺及罩 一P 75使付切割罩蓋部75之平面尺寸小於切割半導體晶圓 1〇之:面尺寸（固態攝像裝置（半導體裝置））。 注意到雖然各實施例解釋了將本發明應用到—固態攝像 裝置^況’但本發明不限於此’且可應用至所有半導體 裝置範圍内且對於包合一且 ν 、， 3 具有一半透明罩蓋部之光接受部 为的半導體裝置特別右 子另J有效，例如，一諸如CCD及CM〇s影像 102645.doc -27- 1278104
器之固態攝像裝置，及—諸如EPR0M(可擦可程式化准讀記 :體)之一半導體裝置。而且，雖然已解釋了由半透明玻璃製 k之罩蓋。P，然本發明不限於此，且，例如，有可能使用 -由樹脂材料製造之罩蓋部，或使用一在一些情況下不具 有透光特性的罩蓋部。作為—實例，在將本發明應用至使 用一作為-非玻璃罩蓋部之半導體基板（諸如碎基板）的一 半導體晶圓的情況下’將一矽片保護蓋作為罩蓋部黏接至 石夕晶圓中，其中形成有功能性㈣。另外，在_將本發明 應用至-使用諸如♦基板之半導體基板的半導體裝置的實 例中，切割一有一用作保護蓋之矽片黏接至其的矽晶圓。 根據本發明，如以上所描述，將由-藉由適當地混合光 固性黏接劑與熱固性樹脂所獲得之材料製造的黏接層形成 於-半導體晶圓上且藉由使用包含於該黏接層中之光固性 黏接劑之特徵圖案化為一預定形式，且在置放一罩蓋部之 後’藉由使用包含於該黏接層中之熱固性黏接劑的特徵藉 由該黏接層將半導體晶圓與罩蓋部黏接在一起。從而，形 成一空間，且有可能降低來自外部之水分與粉塵的影響，v 且有可能達成在半導體裝置尺寸方面的減小且實現一高品 質及可靠的晶片尺寸之半㈣裝置H根據本發明， 猎由在各半導體元件上執行一關於經圖案化之半導體層是 否符合要求的檢測，以及藉由不將罩蓋部置放在一經判定 為不符合要求之半導體元件之半導體層上，有可能增大製 造效率。另外，根據本發明，藉由在各半導體元件上執行 一關於經圖案化之半導體層是否符合要求的檢測且修復具 102645.doc -28- 1278104 有一經判定為不符合要求之缺陷部分的半導體層，有 增大製造良率。 ％ 【圖式簡單說明】 圖1係一展示一固態攝像裝置之結構的截面圖； 圖2係一展.示根據本發明之實施例1的半導體晶圓之 方法及半導體裝置之製造方法之概要的流程圖； 圖3 A-3H係解釋根據本發明之實施例i的半導體晶圓之 製造方法及半導體裝置之製造方法的說明圖； _ 圖4A及化係解釋一黏接層形成步驟的說明圖； 圖5之圖展示了該黏接層之一殘餘物的一實例之狀態； 圖6之圖展示了該黏接層之形狀缺陷的一實例之狀態； 圖7 A及7B係解釋一罩蓋部黏接步驟的說明圖； 圖8係一展示根據本發明之實施例2的一半導體晶圓之製 造方法及一半導體裝置之製造方法之概要的流程圖； 圖9係一解釋黏接層修復步驟的說明圖；及 圖10A及10B係解釋根據本發明之實施例3的/半導體晶 馨圓之製造方法及一半導體裝置之製造方法的說明圖。 【主要元件符號說明】 10 半導體晶圓 20 攝像元件/固態攝像元件 20a 光接收部分 20b 微透鏡 30 黏接片 31a 保護膜 102645.doc -29- 1278104
31b 32 40 40a 40b 41 42 45 50 51 60 70 71 72 75 80 101 103 104 105 106 保護膜 附著捲筒 黏接層 黏接層 黏接層 殘餘物 缺陷部分 黏接劑 光罩 光 相機 半透明罩蓋部/罩蓋部 黏性片 抽吸裝置 罩蓋部/半透明罩蓋部/切割罩蓋部 固態攝像裝置/經分割之固態攝像裝置 半導體晶片 穿孔部分 環氧基樹脂片 黏接劑 玻璃板 102645.doc -30-

Claims (1)

1278104 十、申請專利範圍： l 一種具有一罩蓋部之半導體晶圓之製造方法，其包含： 一黏接層形成步驟，在一半導體晶圓上形成一含有一 光固性黏接劑及一熱固性黏接劑之黏接層，其中有複數 個半導體元件形成於該半導體晶圓中； 一第一黏接步驟，藉由選擇性地將該黏接層曝光且將 包含於該黏接層中之該光固性黏接劑固化在各半導體元 件之一周邊部分上，來將該黏接層與該半導體晶圓黏接 一顯影步驟，藉由顯影該黏接層且移除在一區域中之 該黏接層來圖案化該黏接層，其中在該區域中該光固性 黏接劑未被固化； 一檢測步驟，檢測各半導體元件， 之黏接層是否符合要求； 一罩蓋部置放步驟，將一 以判定該經圖案化 一罩蓋部置放於在該檢測步驟
接層與該罩蓋部黏接在一起。 2-如請求項1之丰逡μ旦m 4在,丨^ i d
3. -種具有一罩蓋部之半導體晶圓之製造方法， 3· 一種具有一 ，其包含： 102645.doc Ϊ278104 一黏接層形成步驟，在一半導體晶圓上形成一含有一 光固性黏接劑及一熱固性黏接劑之黏接層，其中有複數 個半導體元件形成於該半導體晶圓中； 一第一黏接步驟，藉由選擇性地將該黏接層曝光且將 包含於該黏接層中之該光固性黏接劑固化在各半導體元 件之一周邊部分上，來將該黏接層與該半導體晶圓黏接 在一起； 一顯影步驟，藉由顯影該黏接層且移除在一區域中之 該黏接層來圖案化該黏接層，其中在該區域中該光固性 黏接劑未被固化； 一檢測步驟，檢測各半導體元件，以判定該經圖案化 之黏接層是否符合要求； 一修復步驟，藉由一含有一熱固性黏接劑之黏接劑來 修復具有一缺陷部分且在該檢測步驟中經判定為不符合 要求之該黏接層； 一罩蓋部置放步驟，將一罩蓋部置放於在該檢測步驟 中經判定為符合要求之該半導體元件之該黏接層上及在 该修復步驟中經修復的該黏接層上；及 一第二黏接步驟，藉由加熱該黏接層且引起包含於該 黏接層中之該熱固性黏接劑顯示出黏接特性，來將該^ 接層與該罩蓋部黏接在一起。 4.如請求項⑴中任一項之半導體晶圓之製造方法，其中 在該黏接層形成步驟中，藉由將一含有一光固性黏接 劑及-熱1H峰接狀純#㈣㈣半㈣晶圓，來 102645.doc 1278104 將該黏接層形成於該半導體晶圓上，其中有複數個半導 體元件形成於該半導體晶圓中。 5·如請求項4之半導體晶圓之製造方法，其中 將保護膜附著至該黏接片之兩個側面，且 在該黏接層形成步驟中，藉由分離在面對該半導體晶 圓之該側面上之該保護膜，來將該點接片黏接至該半導 體晶圓。 一 6·如請求項5之半導體晶圓之製造方法，其進一步包含一分 離乂驟，即在該第一黏接步驟之後分離另一保護膜。 如請求項1至3中任一項之半導體晶圓之製造方法，其中 該罩蓋部具有一小於各半導體裝置之一平面尺寸的平 面尺寸卩便將3罩盍部黏接至各半導體元件之該黏接 層。
如請求項1至3中任一項之半導體晶圓之製造方法，其中 該罩蓋部具有一能夠覆蓋複數個半導體裝置之平面尺 寸以便將該罩蓋部黏接至全體複數個半導體元件之該 黏接層。 9. 如請，項⑴中任一項之半導體晶圓之製造方法，其中 將微透鏡形成於其中形成有複數個半導體元件之該半 導體晶圓上。 10. =種半導體裝置之製造方法，其包含—分割步驟，該分 割步驟用於將—藉由如請求項1至3十任一項之製造方法 所製造之半導體晶圓切割及分割為若干具有一罩蓋部之 個別半導體裝置。 102645.doc
TW094119847A 2004-06-15 2005-06-15 Manufacturing method of semiconductor wafer having lid part and manufacturing method of semiconductor device TWI278104B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004177529A JP3801601B2 (ja) 2004-06-15 2004-06-15 蓋部を備えた半導体ウェハの製造方法及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200605338A TW200605338A (en) 2006-02-01
TWI278104B true TWI278104B (en) 2007-04-01

Family

ID=35079401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094119847A TWI278104B (en) 2004-06-15 2005-06-15 Manufacturing method of semiconductor wafer having lid part and manufacturing method of semiconductor device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7229852B2 (zh)
EP (1) EP1610396A3 (zh)
JP (1) JP3801601B2 (zh)
KR (1) KR100678984B1 (zh)
CN (1) CN100423277C (zh)
TW (1) TWI278104B (zh)

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200710570A (en) * 2005-05-31 2007-03-16 Taiyo Ink Mfg Co Ltd Composition for forming adhesive pattern, multilayer structure obtained by using same, and method for producing such multilayer structure
JP4375481B2 (ja) 2005-07-05 2009-12-02 日立化成工業株式会社 感光性接着剤組成物、並びにこれを用いて得られる接着フィルム、接着シート、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置及び電子部品
JP5428135B2 (ja) * 2006-04-05 2014-02-26 日立化成株式会社 積層物及びその製造方法
JP5228909B2 (ja) * 2006-06-07 2013-07-03 住友ベークライト株式会社 受光装置の製造方法
JP2008042186A (ja) * 2006-07-11 2008-02-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd 受光装置および受光装置の製造方法
JP2008091399A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd 受光装置の製造方法
JP5233164B2 (ja) * 2007-05-21 2013-07-10 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、接着フィルムおよび受光装置
JP4091969B1 (ja) * 2007-07-12 2008-05-28 住友ベークライト株式会社 受光装置および受光装置の製造方法
US7829379B2 (en) * 2007-10-17 2010-11-09 Analog Devices, Inc. Wafer level stacked die packaging
JP2009218482A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Fujikura Ltd 半導体パッケージおよびその製造方法
JP2009238782A (ja) * 2008-03-25 2009-10-15 Fujikura Ltd 半導体装置及びその製造方法
US20110304034A1 (en) * 2009-02-23 2011-12-15 Hirohisa Dejima Semiconductor wafer bonding product, method of manufacturing semiconductor wafer bonding product and semiconductor device
SG173831A1 (en) * 2009-02-23 2011-09-29 Sumitomo Bakelite Co Method of manufacturing semiconductor wafer bonding product, semiconductor wafer bonding product and semiconductor device
JP5487842B2 (ja) * 2009-06-23 2014-05-14 ソニー株式会社 固体撮像装置
US8193599B2 (en) * 2009-09-02 2012-06-05 Himax Semiconductor, Inc. Fabricating method and structure of a wafer level module
US20120187553A1 (en) * 2009-09-09 2012-07-26 Sumitomo Bakelite Company Limited Method of manufacturing semiconductor wafer bonding product, semiconductor wafer bonding product and semiconductor device
CN102625952A (zh) * 2009-09-16 2012-08-01 住友电木株式会社 隔片形成用膜、半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置
US8564123B2 (en) * 2010-01-21 2013-10-22 Ching-Yu Ni Chip package and fabrication method thereof
US8748926B2 (en) * 2011-12-19 2014-06-10 Xintec Inc. Chip package with multiple spacers and method for forming the same
US9583414B2 (en) 2013-10-31 2017-02-28 Qorvo Us, Inc. Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same
US9812350B2 (en) 2013-03-06 2017-11-07 Qorvo Us, Inc. Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer
US9093489B2 (en) * 2013-03-15 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Selective curing method of adhesive on substrate
US9093563B2 (en) 2013-07-11 2015-07-28 International Business Machines Corporation Electronic module assembly with patterned adhesive array
CN104668888A (zh) * 2013-11-27 2015-06-03 厦门市海鼎盛科技有限公司 一体化管壳制造方法
US9824951B2 (en) 2014-09-12 2017-11-21 Qorvo Us, Inc. Printed circuit module having semiconductor device with a polymer substrate and methods of manufacturing the same
US10085352B2 (en) 2014-10-01 2018-09-25 Qorvo Us, Inc. Method for manufacturing an integrated circuit package
CN104362243B (zh) * 2014-10-24 2017-11-03 深圳市华星光电技术有限公司 基板的封装方法及封装结构
US10121718B2 (en) 2014-11-03 2018-11-06 Qorvo Us, Inc. Printed circuit module having a semiconductor device with a protective layer in place of a low-resistivity handle layer
US9960145B2 (en) 2015-03-25 2018-05-01 Qorvo Us, Inc. Flip chip module with enhanced properties
US9613831B2 (en) 2015-03-25 2017-04-04 Qorvo Us, Inc. Encapsulated dies with enhanced thermal performance
US20160343604A1 (en) 2015-05-22 2016-11-24 Rf Micro Devices, Inc. Substrate structure with embedded layer for post-processing silicon handle elimination
US10276495B2 (en) 2015-09-11 2019-04-30 Qorvo Us, Inc. Backside semiconductor die trimming
US10020405B2 (en) 2016-01-19 2018-07-10 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with integrated sensors
US10062583B2 (en) 2016-05-09 2018-08-28 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with inductive element and magnetically enhanced mold compound component
US10468329B2 (en) 2016-07-18 2019-11-05 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package having field effect transistors with back-gate feature
US10773952B2 (en) 2016-05-20 2020-09-15 Qorvo Us, Inc. Wafer-level package with enhanced performance
US10784149B2 (en) 2016-05-20 2020-09-22 Qorvo Us, Inc. Air-cavity module with enhanced device isolation
US10103080B2 (en) 2016-06-10 2018-10-16 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package with thermal additive and process for making the same
US11014203B2 (en) 2016-07-11 2021-05-25 Laird Technologies, Inc. System for applying interface materials
US10741519B2 (en) 2016-07-11 2020-08-11 Laird Technologies, Inc. Systems of applying materials to components
EP3497717A1 (en) 2016-08-12 2019-06-19 Qorvo Us, Inc. Wafer-level package with enhanced performance
CN109716511A (zh) 2016-08-12 2019-05-03 Qorvo美国公司 具有增强性能的晶片级封装
JP7035014B2 (ja) 2016-08-12 2022-03-14 コーボ ユーエス，インコーポレイティド 性能が強化されたウェハレベルパッケージ
US10109502B2 (en) 2016-09-12 2018-10-23 Qorvo Us, Inc. Semiconductor package with reduced parasitic coupling effects and process for making the same
US10090339B2 (en) 2016-10-21 2018-10-02 Qorvo Us, Inc. Radio frequency (RF) switch
US10749518B2 (en) 2016-11-18 2020-08-18 Qorvo Us, Inc. Stacked field-effect transistor switch
US10068831B2 (en) 2016-12-09 2018-09-04 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package and process for making the same
US10755992B2 (en) 2017-07-06 2020-08-25 Qorvo Us, Inc. Wafer-level packaging for enhanced performance
US10366972B2 (en) 2017-09-05 2019-07-30 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly
US10784233B2 (en) 2017-09-05 2020-09-22 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly
US11152363B2 (en) 2018-03-28 2021-10-19 Qorvo Us, Inc. Bulk CMOS devices with enhanced performance and methods of forming the same utilizing bulk CMOS process
US12062700B2 (en) 2018-04-04 2024-08-13 Qorvo Us, Inc. Gallium-nitride-based module with enhanced electrical performance and process for making the same
US12046505B2 (en) 2018-04-20 2024-07-23 Qorvo Us, Inc. RF devices with enhanced performance and methods of forming the same utilizing localized SOI formation
US11069729B2 (en) * 2018-05-01 2021-07-20 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, and equipment
US10804246B2 (en) 2018-06-11 2020-10-13 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with vertically stacked dies
EP3818558A1 (en) 2018-07-02 2021-05-12 Qorvo US, Inc. Rf semiconductor device and manufacturing method thereof
US10964554B2 (en) 2018-10-10 2021-03-30 Qorvo Us, Inc. Wafer-level fan-out package with enhanced performance
US11069590B2 (en) 2018-10-10 2021-07-20 Qorvo Us, Inc. Wafer-level fan-out package with enhanced performance
US11646242B2 (en) 2018-11-29 2023-05-09 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package with at least one heat extractor and process for making the same
US12125825B2 (en) 2019-01-23 2024-10-22 Qorvo Us, Inc. RF devices with enhanced performance and methods of forming the same
US11387157B2 (en) 2019-01-23 2022-07-12 Qorvo Us, Inc. RF devices with enhanced performance and methods of forming the same
US12046570B2 (en) 2019-01-23 2024-07-23 Qorvo Us, Inc. RF devices with enhanced performance and methods of forming the same
CN113632209A (zh) 2019-01-23 2021-11-09 Qorvo美国公司 Rf半导体装置和其制造方法
US12046483B2 (en) 2019-01-23 2024-07-23 Qorvo Us, Inc. RF devices with enhanced performance and methods of forming the same
US12057374B2 (en) 2019-01-23 2024-08-06 Qorvo Us, Inc. RF devices with enhanced performance and methods of forming the same
US12074086B2 (en) 2019-11-01 2024-08-27 Qorvo Us, Inc. RF devices with nanotube particles for enhanced performance and methods of forming the same
US11646289B2 (en) 2019-12-02 2023-05-09 Qorvo Us, Inc. RF devices with enhanced performance and methods of forming the same
US11923238B2 (en) 2019-12-12 2024-03-05 Qorvo Us, Inc. Method of forming RF devices with enhanced performance including attaching a wafer to a support carrier by a bonding technique without any polymer adhesive
US12129168B2 (en) 2019-12-23 2024-10-29 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with vertically stacked MEMS device and controller device
JP2022041447A (ja) * 2020-09-01 2022-03-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN114824027A (zh) * 2021-01-22 2022-07-29 荣星科技股份有限公司 Ic载板的挡墙结构的结合方法及发光二极管光学结构
US12062571B2 (en) 2021-03-05 2024-08-13 Qorvo Us, Inc. Selective etching process for SiGe and doped epitaxial silicon
WO2023033090A1 (ja) * 2021-08-31 2023-03-09 日東電工株式会社 半導体素子パッケージの製造方法及び半導体素子パッケージ
JP2024007290A (ja) * 2022-07-05 2024-01-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 外観検査装置および外観検査方法
CN116541426B (zh) * 2023-06-25 2024-05-14 荣耀终端有限公司 半导体器件的数据存储方法和数据追查方法、电子设备

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6440888A (en) * 1987-08-06 1989-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Color el display device
JPH03151666A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Nec Corp 固体撮像装置の製造方法
US5436492A (en) * 1992-06-23 1995-07-25 Sony Corporation Charge-coupled device image sensor
JPH07202152A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
DE19508222C1 (de) * 1995-03-08 1996-06-05 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren
JPH11121653A (ja) * 1997-07-31 1999-04-30 Fuji Film Microdevices Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2001126862A (ja) * 1999-10-25 2001-05-11 Futaba Corp カラーフィルターを備えた有機エレクトロルミセント素子
JP3880278B2 (ja) * 2000-03-10 2007-02-14 オリンパス株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
EP1686619A3 (en) * 2002-07-29 2007-01-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
US20040038442A1 (en) * 2002-08-26 2004-02-26 Kinsman Larry D. Optically interactive device packages and methods of assembly
JP2004296453A (ja) 2003-02-06 2004-10-21 Sharp Corp 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法
JP2005011794A (ja) * 2003-05-22 2005-01-13 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌパネル及びその製造方法
JP4148932B2 (ja) * 2004-08-31 2008-09-10 シャープ株式会社 半導体装置、半導体モジュール及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1610396A3 (en) 2009-11-18
EP1610396A2 (en) 2005-12-28
CN100423277C (zh) 2008-10-01
TW200605338A (en) 2006-02-01
KR20060048393A (ko) 2006-05-18
JP3801601B2 (ja) 2006-07-26
US7229852B2 (en) 2007-06-12
KR100678984B1 (ko) 2007-02-06
CN1713392A (zh) 2005-12-28
JP2006005025A (ja) 2006-01-05
US20050277268A1 (en) 2005-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI278104B (en) Manufacturing method of semiconductor wafer having lid part and manufacturing method of semiconductor device
JP4819152B2 (ja) 光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP4764941B2 (ja) 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP5047243B2 (ja) 光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP4764942B2 (ja) 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
TW465054B (en) Chip scale packaging technique for optical image sensing integrated circuits
US8390003B2 (en) Electronic element wafer module with reduced warping
KR20060056870A (ko) 촬상 모듈 및 촬상 모듈의 제조 방법
JP4768060B2 (ja) 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
JP2006073546A (ja) 半導体装置、半導体モジュール及び半導体装置の製造方法
JP2007027713A (ja) 透明カバーが付着されている光学装置の製造方法及びそれを利用した光学装置モジュールの製造方法
TWI467747B (zh) 固態攝影裝置及其製造方法
TWI480609B (zh) 製造複數光學裝置的方法
CN107256875A (zh) 固态成像装置
JP2009290033A (ja) 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器
TW200920117A (en) Method and apparatus for lens alignment for optically sensitive devices and systems implementing same
JP2011176229A (ja) 固体撮像装置の製造方法
CN111295873B (zh) 一种图像传感器模组的形成方法
JP2002009265A (ja) 固体撮像装置
JP2009086092A (ja) 光学部品の製造方法及び撮影装置の製造方法
CN110164984B (zh) 一体感光模块、感光组件、摄像模组及制备方法
TW201034060A (en) Techniques for glass attachment in an image sensor package
JP2006100859A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2010165779A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
TW544887B (en) COB package structure of image sensor and the manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees