TWI278033B - Method for grinding wafer - Google Patents
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1278033 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種晶圓研磨方法方法,詳言之,係關於 一種塗佈一保護層於晶圓表面之研磨方法。 【先前技術】 參考圖1 ’為習知晶圓研磨方法之示意圖。首先,提供 一晶圓10,該晶圓10具一主動表面1〇1及一背面1〇2。貼設 一研磨膠帶11於該晶圓1 〇之該主動表面丨〇 1,該研磨膠帶 11係大於該晶圓10。參考圖2,沿該晶圓丨〇之邊緣1 〇3將該 研磨知帶11切割至與該晶圓1 〇相同大小。參考圖3,研磨 該背面102以薄化該晶圓10。在研磨步驟之後,移除該研 磨膠帶11,接著切割該晶圓10以形成複數個晶片。 該習知之晶圓研磨方法,係以一研磨膠帶丨丨貼附於晶圓 10之主動表面101,而該研磨膠帶n係大於該晶圓10,且 口孩曰曰圓1 〇之邊緣1 03在微觀下係為一曲面,因此,該研 磨膠fll無法完全覆蓋於該主動表面1〇1及該邊緣,在 沿該晶圓10之該邊緣1〇3切割該研磨膠帶丨丨時,會有造成 該晶圓1 0破裂之虞慮。 再者,该晶圓1 〇在測試完後會在不良之晶片上點上油墨 (Ink)作為標記1〇4,因該晶圓1〇與該主動表面Η〗之間有標 ^己104存在,研磨膠帶u會在標記1〇4處形成突起,在該晶 研磨時容易進水而導致破片。又,在研磨步驟之後, 需移除該研磨膠帶η再進行切割,故切割該晶圓1〇以形成 複數個晶片時,亦會造成該等晶片之表面受到污染。 103771.doc 1278033 因此’有必要提供一種創新具有進步性之晶圓研磨方 法’以解決上述問題。 【發明内容】 本1明之目的在於提供-種晶圓研磨方法,該研磨方法 包括Μ提供-晶圓,該晶圓具—主動表面及—背面; ㈨塗佈-保護層於該主動表面,該保護層完全覆蓋該主動 表=。且覆盍部分該晶圓之邊緣;及⑷研磨該背面以薄化
該晶圓。 本發明係利用旋轉塗佈方式塗佈一層保護層於該主動表 面,、再研磨該背面以薄化該晶圓。由於該保護層係以塗佈 方式進仃,可以確保該保護層與該主動表面及部分該晶圓 邊彖π王緊松貼合’不需另外進行切割膠帶的步驟,避 免該晶圓產生破片。再者’由於該晶圓完全覆蓋該保護 層’進行晶圓切割時亦可以避免晶圓該主動表面受到污 染。 【實施方式】 參考圖4至6,其顯示本發明晶圓研磨方法之示意圖。參 考圖4 ’首先,提供一晶圓2〇,該晶圓2〇具一主動表面2〇1 及一背面202,在微觀下該晶圓2〇之邊緣2〇3為一曲面。參 考圖5 ^佈保濩層21於该主動表面2〇 1及部分該晶圓20 之邊緣203,而該保護層21係以旋轉塗佈方式塗佈於該主 動表面2〇1及部分該晶圓20之邊緣2〇3。該保護㈣係為一 種液態膠,在本實施例中,該液態膠為環氧樹脂。 由於塗佈於該主動表面2 01之該保護層2丨係為一液態物 103771.doc Ί278033 質’故呆護層21可完全貼附該$圓2〇之該主動表面 :〇1曰’且該保護層21可順著曲面覆蓋部分該邊緣2〇3。雖然 垓阳圓20與該保護層21之間有標記2〇4存在,但該保護層 21亦:利用其液態之特性,不僅可緊密包覆該主動表: 2曰01、邊邊緣203及該標記204,亦可使該保護層21形成平 t之表面,而不會有習知技術中研磨膠帶會在標記處形成 大起之情形。另外’在塗佈—層保護層21於該主動表面
2〇1及部分該邊緣203之後’另包括—供烤之步驟,以固化 該保護層2 1。 麥考圖6,研磨該晶圓2〇之該背面2〇2以薄化該晶圓^ , 在研磨該晶圓20時,緊密包覆邊緣之該保護層㈣提供該 邊、,束之支撑力,且,在該晶圓2〇與該保護層2ι之間之標記 204處形成平坦之表面’而不會有習知技術中研磨膠:會 在標記處形成突起之情形,因此,在進行研磨製程時可^ 免該晶圓20發生破片之問題。另,在研磨步驟之後,亦可 切割該晶圓20,以形成趨齡伽曰y . , . t 乂仏成稷數個日日片。在切割該晶圓2〇步驟 之後,更可利用一溶劑將該保護層以移除。 本發明係利用旋轉塗伟方式塗佈—保護層21於該主動表 面2CU,再研磨該背面2〇2以薄化該晶圓2卜該保護層_ 以塗佈方式進行’由於塗佈於該主動表面2〇ι之該保護層 21係為-液態物質,故該保護層21可完全貼附該晶圓^ 該主動表面201 ’且該保護層21可覆蓋部分該邊緣加, 且’在該晶圓20與該保護層21之間之標記2〇4處形成平坦 之表面’而不會有習知技術中研磨膠帶會在標記處形成突 103771.doc 1278033 ι之丨月形,使彳于在研磨及切割過程中,避免該晶圓2〇發生 皮片之問題。再者’由於覆盍該晶圓2〇之該保護層2丄係於 切割後才移除’故可以避免晶圓2G於切割時該主動表面 2〇1受到污染。 惟上述實施例僅為說明本發明之原理及其功效,而非用 ^限制本發明。因m此技術之人士可在不違背本發
=之精神對上述實施例進行修改及變化。本發明之權利範 圍應如後述之申請專利範圍所列。 【圖式簡單說明】 圖1顯示習用晶圓貼附一研磨膠帶之示意圖; 圖2顯示習用切割研磨膠帶之示意圖; 圖3顯示習用研磨晶圓之示意圖; 圖4顯示本發明晶圓之示意圖; 。"、員示本發明晶圓塗佈保護層之示意圖; 圖 6¾ - t ^ -貝不本發明晶圓研磨之示意圖。 【主要元件符號說明】
10 R 晶圓 11 20 21 101 102 103 104 研磨膠帶 晶圓 保護層 主動表面 背面 邊緣 標記 103771.doc 1278033 201 主動表面 202 背面 203 邊緣 204 標記 103771.doc -10-
Claims (1)
1278033 十、申請專利範圍: 1 · 一種晶圓研磨方法,包含以下步驟: (a) 提供一晶圓,該晶圓具一主動表面及一相對之背 面 · (b) 塗佈一保護層於該主動表面,該保護層完全覆蓋該 動表面’且覆盖部分該晶圓之邊緣;及 (C)研磨該背面以薄化該晶圓。 、月求項1之方法,其中在步驟(b)中,該保護層係以旋 轉塗佈方式塗佈於該主動表面。 3·如清求項1之方法,其中該保護層係為一種液態膠。 ㈢求項3之方法,其中該液態膠為環氧樹脂。 月长項1之方法,其中在步驟(b)之後更包括了 一烘烤 之步騍,以固化該保護層。 6.如睛求項1之方法,其中在步驟⑷之後更包括了以下步 驟: (d) 切割該晶圓,以形成複數個晶片;及 (e) 移除該保護層。 月求項6之方法,其中該保護層係以一溶劑移除。 103771.doc
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TW95106381A TWI278033B (en) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | Method for grinding wafer |
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