1277458 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域] 本發明關於圖型形成方法、電路基板及電子機器。本 案對2004年3月22日申請之日本專利申請第2004 一 8 2 4 2 4號主張優先權而沿用其內容。 【先前技術】 電子電路或積體電路等使用之配線或絕緣膜之製造時 使用例如微影成像技術法。微影成像技術法需要真空裝置 等大型設備及複雜之步驟。另外，微影成像技術法之材料 使用效率僅約數％ ’材料之大部分不得不廢棄，製造成本 變高。作爲取代微影成像技術法之製程，而改用藉由液滴 噴出將包含功能性材料之液體直接塗敷於基材上的方法（ 液滴噴出方法）被檢討。例如，於美國專利第5 1 3 2 2 4 8號 (文獻1 )揭示，藉由液滴噴出方法將分散有導電性微粒 之液體直接圖型化、塗敷於基板之後，進行熱處理及雷射 照射而轉換爲導電膜圖型之方法。 另外，特開2 003 — 3 1 8 5 42號（文獻2 )揭示，使用 液滴噴出方法而可以較容易形成高配線密度之多層配線基 板的多層配線之形成方法。 但是’文獻1揭示之圖型形成方法及文獻2揭示之多 層配線形成方法，較難於平面大略塡滿狀之薄膜圖型形成 區域形成小孔徑之貫穿孔。亦即，欲形成平面大略塡滿狀 之薄膜圖型時需於薄膜圖型形成區域塗敷液狀體。因此，
-5 - (2) (2)1277458 首先’於薄膜圖型形成區域設置貫穿孔用之小孔徑，之孔， 之後’於該薄膜圖型形成區域塗敷液狀體時，液狀體會流 入該孔之中，以液狀體塞住該孔。依此則，於習知技術， 可於平面大略塡滿狀之薄膜圖型內簡單形成貫穿孔。 又’於平面大略塡滿狀之薄膜圖型形成區域存在角部 時’即使於薄膜圖型形成區域內塗敷液狀體情況下，亦難 以將液狀體潤溼擴散至該角部。因此，習知技術無法簡單 形成具有微細角部之平面大略塡滿狀薄膜圖型。 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 本發明有鑑於上述問題，目的在於提供使用液滴噴出 方法可以簡單形成所要形狀之薄膜圖型的圖型形成方法、 電路基板及電子機器。 又，本發明目的在於提供使用液滴噴出方法，可以高 精確度、且簡單形成平面大略塡滿狀之薄膜圖型的圖型形 成方法、電路基板及電子機器。 又，本發明目的在於提供使用液滴噴出方法，於平面 大略塡滿狀薄膜圖型內可以高精確度、且簡單形成貫穿孔 的圖型形成方法、電路基板及電子機器。 (用以解決課題的手段） 爲達成上述目的，本發明之圖型形成方法，係於圖型 形成區域與其他區域之接面之至少一部分，使用液滴噴出 (3)1277458 方法以液狀體作爲液滴予 依此則，使用以液狀 方法設置間隔壁。因此， 壁可以防止圖型形成區域 部。依本發明，使用液狀 確度之形狀。又，依本發 本、且精密地形成任意形 成高精確度之薄膜圖型。 又，本發明之圖型形 步驟而形成線形狀之上述 面之至少一部分，針對多 用液滴噴出方法進行塗敷、 敷之後’於上述間隔使用 ，於第2塗敷之後，於各 敷、第4塗敷、· ·.. 依本發明，不必使用 單形成直線或曲線構成之 又，本發明之圖型形 敷所塗敷之液滴而構成之 述第2塗敷。又，本發明 第1塗敷所塗敷之液滴構 敷之液滴構成之薄膜具有 依本發明，當第1塗 一部分重疊時，第2塗敷 以塗敷而設置間隔壁。 體作爲液滴予以噴出之液滴噴出 例如該間隔壁成爲堤堰部，間隔 上塗敷之液狀體由該區域溢出外 體等之薄膜圖型可以形成爲高精 明，藉由液滴噴出方法可以低成 狀之堤堰部，因此可以低成本形 成方法中，較好是進行至少以下 間隔壁：第1塗敷，係於上述接 數個液滴使相互間具有間隔而使 ;及第2塗敷，係於上述第1塗 上述液滴噴出方法塗敷液滴。又 液滴間另進行塗敷液滴之第3塗 亦可。 微影成像技術法之遮罩，可以簡 任意之線形狀之間隔壁。 成方法中，較好是於上述第1塗 薄膜之至少表面硬化後，進行上 之圖型形成方法中，較好是上述 成之薄膜、與上述第2塗敷所塗 重疊部分。 敷之液滴與第2塗敷之液滴存在 之液滴將被拉向第1塗敷之液滴 -7- (4) •1277458 ，可以迴避塗敷位置之偏移，可形成高精確度形狀之薄·膜 。又，依本發明，可於第1塗敷之液滴構成之薄膜之上層 ，形成第2塗敷之液滴構成之薄膜，容易增大膜厚，容易 ~ 增高間隔壁。 ' 又，本發明之圖型形成方法中，較好是於上述圖型形 成區域形成平面大略塡滿狀之薄膜。又，本發明之圖型形 成方法中，較好是上述平面大略塡滿狀之薄膜，於構成上 φ 述間隔壁之液滴之至少表面硬化後被形成。 依本發明，例如於圖型形成區域內即使塡充較大量液 狀體時，亦可藉由間隔壁防止該大量液狀體由圖型形成區 域流出外部。因此，依本發明，可以低成本形成高精確度 形狀之平面大略塡滿狀薄膜圖型。 又，本發明之圖型形成方法中，較好是上述接面爲， 包含上述圖型形成區域之圖型形成面上設置之貫穿孔與該 圖型形成面之間之接面部位。 φ 依本發明，例如欲形成貫穿平面大略塡滿狀薄膜圖型 之貫穿孔時，形成該薄膜圖型用之液狀體之進入該貫穿孔 內、被埋入該貫穿孔之情況，可以藉由間隔壁予以防止。 — 因此’依本發明，可以簡單、且高精確度地形成所要之薄 膜圖型及貫穿該薄膜圖型的貫穿孔。因此，依本發明，可 以低成本形成高精確度之微細多層基板。 又’本發明之圖型形成方法中，較好是上述圖型形成 區域具有角部，上述接面之至少一部分爲上述角部。 依本發明，於角部配置間隔壁，因而藉由圖型形成區 -8- (5) -1277458 域內塡充液狀體，可以簡單將液狀體 點。於角部接面未設置間隔壁時，圖 之液狀體難以潤溼擴散至該角部頂點 可以低成本形成高精確度之薄膜圖型 又，本發明之圖型形成方法中， 隔壁之前，對包含設置該間隔壁之部 處理或親液化處理。 | 依本發明，對設置隔壁之部位及 化處理或親液化處理，可以高精確度 ’依本發明，可以形成更高精確度之 又，本發明之圖型形成方法中， 隔壁之前，對設置該間隔壁之部位與 疏液化處理。 依本發明，設置.間隔壁之部位被 散可以被抑制，亦即，依本發明，使 φ 以低成本形成高精確度之間隔壁。 又，本發明之圖型形成方法中， 成區域形成平面大略塡滿狀薄膜之前 域施予親液化處理或疏液化處理。 依本發明，控制圖型形成區域之 此可於圖型形成區域形成更高精確度 又，本發明之圖型形成方法中， 成區域形成平面大略塡滿狀薄膜之前 中上述接面附近以外之區域，施予親 潤溼擴散至該角部頂 型形成區域內被塡充 。但是，依本發明， 之角部。 較好是在設置上述間 位之區域施予疏液化 /或其周邊施予疏液 地形成間隔壁。因此 薄膜圖型。 較好是在設置上述間 該部位之附近，施予 滴下之液滴之潤溼擴 用液滴噴出方法，可 較好是在上述圖型形 ，對上述圖型形成區 疏液性或親液性，因 之薄膜圖型。 較好是在上述圖型形 ，對該圖型形成區域 液化處理。 -9- -1277458 . (6) 依本發明，液狀 內之接面附近以外’ 抑制。因此，本發明 ： 成區域形成更高精確 又，本發明之圖 區域，被設於由捲帶 位分別被捲取而成之 φ 依本發明，於捲 精確度之薄膜圖型。 有高精確度之薄膜圖 爲達成上述目的 使用上述圖型形成方 依本發明，可以 所構成電子電路等之 更高密度集積之電子 φ 爲達成上述目的 _ 上述圖型形成方法製 依本發明，可以 型所構成配線或電子 習知更高密度集積之 【實施方式】 Μ下參照圖面說 體可以良好潤淫擴散至圖型形成區域 接面附近之液狀體之潤溼擴散可以被 可以減低間隔壁之高度，可於圖型形 度之薄膜圖型。 型形成方法中，較好是上述圖型形成 狀基板構成、該捲帶狀基板之兩端部 捲軸式（reel-to-reel)基板。 軸式基板可使用液滴噴出方法形成高 因此，本發明可以低成本大量製造具 型的基板。 ’本發明之電路基板之特徵爲，具有 法形成之圖型者。 低成本提供具有高精確度形成之圖型 電路基板。因此，例如可提供較習知 電路基板。 ’本發明之電子機器之特徵爲，使用 造。 低成本提供電子機器，其具有薄膜圖 電路等之基板。因此，例如可提供較 電子電路基板。 明本發明實施形態之圖型形成方法。 -10- (7) 1277458 (第1實施形態） 圖1 A〜1 D爲本發明第1實施形態之圖型 模式平面圖。圖2爲圖1D之位置XX，之斷面| 圖1 D之基板全體之圖。本實施形態之基板8 0 之電路基板之一例。 本實施形態之例，係於基板8 0之其中一 平面大略塡滿狀之薄膜7 0之同時，設置貫穿 該薄膜70。 首先，如圖1A所示，於基板8 0之圖型 成構成貫穿孔之孔5 0。該圖型形成區域，該 域爲後述步驟中全體作成平面大略塡滿狀薄膜 後，於圖型形成區域之孔5 0周圍，以特定間' 個液滴61予以塗敷（第1塗敷）。該液滴6 1 液滴噴出方法而由液滴噴出裝置之液滴噴嘴噴 爲液滴。 之後，如圖1 B所示，於基板8 0上之各液 分別以液滴噴出方法塗敷液滴62 (第2塗敷） 之後，如圖1 C所示，於基板8 0上之液滴 62之間分別以液滴噴出方法塗敷液滴63 (第 硬化液滴6 1、6 2、6 3。依此則，於基板8 0上 圍，形成環狀間隔壁60。換言之，於基板80 成區域與其他區域（孔5 0 )之接面形成間隔壁 之後，如圖1 D及2所示，於基板8 0上 區域全體形成平面大略塡滿狀薄膜7〇。該薄膜 形成方法之 圖。圖3爲 ，爲本發明 面全體設置 孔用於貫穿 形成區域形 圖型形成區 之區域。之 隔滴下多數 之塗敷使用 出液狀體作 (滴61之間 〇 ί 61與液滴 3塗敷）。 之孔5 0周 上之圖型形 60 〇 之圖型形成 70與間隔 -11 - (8) (8)1277458 壁6 0之間較好是具有一定間隔d。 依本實施形態，可用液滴噴出方法設置間隔壁60。 因此，間隔壁6 0成爲堤堰部，可防止圖型形成區域被塗 敷之液狀體由該區域侵入孔5 0。依本實施形態，載作成 有平面大略塡滿狀薄膜之圖型形成區域配置貫穿孔時，可 防止該貫穿孔被平面大略塡滿狀薄膜形成用之液狀體埋入 〇 因此，例如以平面大略塡滿狀薄膜7 0作爲絕緣層， 以孔50形成貫穿孔時，將圖2等所示基板80積層多片可 以構成多層基板（本發明之電路基板之一）。因此，依本 實施形態，可以低成本、高精確度提供具有微細多層基板 之電路基板。 又，本實施形態中，液滴6 1及/或液滴6 2與6 3較 好是具有重疊部分。如此則，可以形成間隔壁6 0構成無 間隙之堤堰部。具有重疊部分時，在第1塗敷與第2塗敷 所塗敷之至少表面硬化後，較好是以第3塗敷塗敷液滴 6 3。如此則，第3塗敷之液滴6 3將被第1塗敷或第2塗 敷未硬化之液滴6 1、6 2吸附，而可迴避塗敷位置之偏移 ，可形成高精確度形狀之薄膜。另外，於第1塗敷及第2 塗敷之液滴6 1、62之薄膜上層可以形成第3塗敷之液滴 63，容易增大膜厚，容易增高間隔壁60之高度。又，第 1塗敷〜第3塗敷之薄膜上層設置第4塗敷以後之薄膜， 可以增局間隔壁6 0。 又，本實施形態中，設置間隔壁6 0之前，亦即液滴 -12 - (9) (9)1277458 6 1之滴下之前，針對包含設置該間隔壁6 0之部位的區域 ，施予疏液化處理或親液化處理亦可。亦即，對基板8 0 上之孔5 0之周圍施予疏液化處理或親液化處理。 例如，液滴6 1之滴下之前，對孔5 0周圍施予疏液化 處理。如此則，設置間隔壁60之部位上被滴下之液滴6 1 、62、63之潤淫擴散可以被抑制。因此，使用液滴噴出 方法可以形成高精確度之間隔壁60。 又，本實施形態中，在圖型形成區域形成平面大略塡 滿狀薄膜70之前，較好是對該圖型形成區域施予疏液化 處理或親液化處理。例如，於圖型形成區域形成薄膜7 0 之前，對該圖型形成區域之孔5 0之附近以外之區域施予 親液化處理。如此則，於圖型形成區域全體，液狀體可以 良好潤溼擴散，可形成膜厚均勻之良好之平面大略塡滿狀 薄膜7 0。因此，本實施形態可以減低間隔壁6 0之高度之 同時，可形成更高精確度之薄膜圖型。 圖 4 A、4Β爲本實施形態之變形例之平面圖。於圖 4A、4B之變形例之中，構成爲在和圖1A— 1D之薄膜70 對應之薄膜7 1與間隔壁6 0之間未設置間咯吱配置。亦即 ’平面大略塡滿狀薄膜7 1，被形成涵蓋間隔壁6 0側面之 車E圍。其他則和圖1 -圖3之圖型形成方法相同。 (第2實施形態） 圖5爲本發明第2實施形態之圖型形成方法之模式平 面圖。本實施形態中，圖型形成區域具有角部，於該角部 -13- (10) (10)1277458 外緣設置間隔壁6 0 ’。間隔壁6 〇，相當於第1實施形態之 間隔壁6 0 ’其製造方法亦和間隔壁6 〇相同。 依本實施形態’於圖型形成區域之角部配置間隔壁 6〇 ’藉由在圖型形成區域內塡充液狀體，則液狀體可以 簡單潤淫擴散至該角部。因此，依本實施形態，可以低成 本、且高精確度地製造具有角部之平面大略塡滿狀薄膜 72 〇 (液滴噴出裝置） 圖6爲上述實施形態之圖型形成方法使用之液滴噴出 裝置之一例之斜視圖。本液滴噴出裝置2 0爲對捲帶狀基 板1 1噴出液滴者。捲帶狀基板1 i爲上述實施形態之基板 8 〇之一例，其之捲帶狀兩端部分別被捲取而構成捲軸對 捲軸式（reel-to-reel)基板。 液滴噴出裝置2 0具備：液滴噴頭群（噴頭）1，使液 滴噴頭群1朝X方向驅動之X方向導引軸2，及旋轉X 方向導引軸2的X方向驅動馬達3。又，液滴噴出裝置 2 0具備：載置捲帶狀基板1 1的載置台4，使載置台4朝 γ方向驅動的Y方向導引軸5，及旋轉Y方向導引軸5的 γ方向驅動馬達6。又，液滴噴出裝置2 0具備使X方向 導引軸2與Y方向導引軸5分別固定於特定位置之基台7 ,於基台7之下部具備控制裝置8。另外，液滴噴出裝置 2 0具備淸洗機構部1 4及加熱器1 5。 X方向導引軸2、X方向驅動馬達3、Y方向導引軸5 - 14- (11) 1277458 、Y方向驅動馬達6、及載置台4構成噴頭移動機構，可 使液滴噴頭群1對該載置台4載置被對準之捲帶狀基板 1 1進行相對移動。又，X方向導引軸2，係於液滴噴頭群 1之液滴噴出動作時，使液滴噴頭群1朝和捲帶狀基板i】 之長邊方向（Y方向）大略垂直之方向（X方向）移動之 導引機構。 液滴噴頭群1，具備多數個液滴噴頭可由噴嘴（噴出 I 口）將例如含有導電性微粒之分散液（液狀體）以特定間 隔供給至捲帶狀基板1 1。彼等多數個液滴噴頭之各個， 可依控制裝置8輸出之噴出電壓個別噴出分散液。液滴噴 頭群1被固定於X方向導引軸2，於X方向導引軸2連接 X方向驅動馬達3。X方向驅動:馬達3，係步進馬達等， 由控制裝置8被供給X方向之驅動脈衝時，可使x方向 導引軸2旋轉。當X方向導引軸2被旋轉時，液滴噴頭 群1相對於基台7朝X方向移動。 # 以下說明構成液滴噴頭群1之多數個液滴噴頭之詳細 〇 圖7A、7B爲液滴噴頭30之圖。圖7A爲重要部分斜 視圖。，圖7B爲重要部分斷面圖。圖8爲液滴噴頭30之 底面圖。 如圖7 A所示，液滴噴頭3 0具備例如不鏽鋼製噴嘴 板32與振動板33，將兩者介由間隔構件（保留板）34接 合考。於噴嘴板3 2與振動板3 3之間藉由間隔構件3 4形 成多數個空間3 5及貯液槽3 6。各空間3 5與貯液槽3 6之 -15- (12) (12)1277458 內部被塡滿液狀體，各空間3 5與貯液槽3 6係藉由供給口 3 7連通。又，於噴嘴板3 2，以縱橫排列狀態形成多數個 噴嘴孔3 8可由空間3 5噴出液狀體。另外，於振動板3 3 形成對貯液槽3 6供給液狀體的孔3 9。 又，如圖7B所示，於振動板3 3之面對空間3 5之面 與相反測之面上接合壓電元件4 0。該壓電元件4 0，位於 一對電極4 1之間，通電時朝外側突出而彎曲。於此構成 下，壓電元件40所接合之振動板33，係和壓電元件40 成一體同時朝外側彎曲，依此則，空間3 5之容積增大。 因此，和空間3 5內增大之容積分相當之液狀體，由貯液 槽3 6介由供給口 3 7流入。於此狀態解除壓電元件4 0之 通電，則壓電元件40與振動板33同時:回復元形狀。因此 ，空間3 5亦回復元容積，空間3 5內部之液狀體壓力上升 ，由噴嘴孔3 8朝基板噴出液狀體之液滴42。 又，此種構成之液滴噴頭3 0，其底面形狀爲大略矩 形狀，如圖8所示，噴嘴N (噴嘴孔3 8 )於縱向以等間 隔整列狀態被配置。本例中，其縱向、亦即，長邊方向配 置之噴嘴列之各噴嘴之中以隔開1個配置之噴嘴爲主噴嘴 (第1噴嘴）Na，配置於彼等主噴嘴Na間的噴嘴爲副噴 嘴（第2噴嘴）Nb。 於彼等各噴嘴（噴嘴Na、Nb )分別設置獨立之壓電 元件40，可獨立進行噴出動作。亦即，藉由控制彼等壓 電元件4 0被供給之電氣信號之噴出波形，可調整，變化 各噴嘴N之液滴噴出量。
-16- (13) (13)-1277458 噴出波形之控制由控制裝置8進行，於此構成下，控 制裝置8亦作爲噴出量調整手段之功能據以變化各噴嘴n 之液滴噴出量。 又，作爲液滴噴頭3 0之方式，並不限於使用上述壓 電元件4 0之壓電噴出方式，亦可採用例如熱方式，此情 況下，藉由變化施加時間即可以變化液滴噴出量。 回到圖6，載置台4係載置經由液滴噴出裝置20塗 敷有分散液之捲帶狀基板1 1者，具備將該捲帶狀基板1 1 固定於基準位置之機構（對準機構）。載置台4被固定於 Y方向導引軸5，於Y方向導引軸5連接Y方向驅動馬達 6、1 6。Y方向驅動馬達6、1 6爲步進馬達等，當由控制 裝置8被供給Y方向之驅動脈衝信號時可旋轉Y方向導 引軸5。當Y方向導引軸5被旋轉時，載置台4相對於基 台7朝Y方向移動。 液滴噴出裝置20，具備淸洗液滴噴頭群1之淸洗機 構部1 4。淸洗機構部1 4，係藉由Y方向驅動馬達1 6沿 著Y方向導引軸5移動。淸洗機構部1 4之移動亦經由控 制裝置8控制。 以下說明液滴噴出裝置20之沖洗區域12a、12b。於 液滴噴出裝置20之載置台4設有2個沖洗區域12a、12b 。沖洗區域1 2 a、1 2 b，係配置於捲帶狀基板1 1之短邊方 向（X方向）兩側之區域，爲藉由X方向導引軸2可移動 液滴噴頭群1之區域。亦即，於捲帶狀基板1 1之相當於 1個電路基板之區域之所要區域兩側配置沖洗區域1 2 a、
-17 - (14) (14)1277458 12b。沖洗區域12a、12b，係由液滴噴頭群1捨去分散液 (液狀體）之區域。藉由沖洗區域12a、12b之配置，可 沿著X方向導引軸2使液滴噴頭群1迅速朝任一之沖洗 區域12a、12b移動。例如，液滴噴頭群1欲設爲沖洗區 域1 2b附近之沖洗狀態時，使液滴噴頭群1移至較近之沖 洗區域1 2 b，而非移至較遠之沖洗區域1 2 a，以迅速進行 沖洗。 加熱器1 5，爲藉由燈管退火對捲帶狀基板丨丨施予熱 處理（乾燥處理或燒結處理）之手段。亦即，加熱器1 5 進行捲帶狀基板1 1上被噴出之液狀體之蒸發、乾燥之同 時’進行轉換爲導電膜之熱處理。加熱器1 5之電源投入 及切斷亦由控制裝置8控制。 Ί 本實施形態之液滴噴出裝置2 0，於特定配線區域噴 出分散液時，係由控制裝置8將特定之驅動脈衝信號供給 至X方向驅動馬達3及/或Y方向驅動馬達6，藉由移動 液滴噴頭群1及/或載置台4，使液滴噴頭群1與捲帶狀 基板1 1 (載置台4 )相對移動。於該相對移勸之間由控制 裝置8對液滴噴頭群1之特定之液滴噴頭3 〇供給噴出電 壓，由該液滴噴頭3 0噴出分散液。 於本實施形態之液滴噴出裝置2 0，液滴噴頭群1之 各液滴噴頭3 0之液滴噴出量可依控制裝置8供給之噴出 電壓大小予以調整。又，噴出至捲帶狀基板1 1之液滴之 間距保由液滴Π貝頭群1與捲帶狀基板ί ί (載置台4 )間之 相對移動速度及液滴噴頭群1之噴出頻率（噴出電壓供給 -18- (15) (15)1277458 之頻率）決定。 依本實施形態之液滴噴出裝置2 0，可沿著X方向導 引軸2或Y方向導引軸5移動液滴噴頭群1，而使液滴著 彈於捲帶狀基板1 1之所要區域之任意位置，而形成圖型 。亦即，液滴噴出裝置2 0，係形成圖1 A〜1 D所示間隔壁 6 〇之同時，可形成平面大略塡滿狀薄膜7 0。因此，針對 1個所要區域形成間隔壁60及薄膜70之後，使捲帶狀基 板 1 1朝長邊方向（Y方向）偏移即可極爲簡單地於其他 所要區域形成間隔壁6 0及薄膜7 0。本實施形態中，針對 捲帶狀基板1 1之各所要區域（各電路基板區域）可以簡 單、迅速、且精密地形成具有貫穿孔之圖型，可有效大量 製造具有多層配線之電子電路等。 (多層配線基板之製造方法） 以下說明使用上述實施形態之圖型形成方法形成多層 配線基板之方法。本實施形態中，以在構成捲軸對捲軸式 基板之捲帶狀基板1 1上，製造具有導電膜構成之配線層 、絕緣層及貫穿孔的多層配線基板之製造方法爲例說明。 圖9爲本實施形態之多層配線基板之製造方法之槪要 模式圖。 本製造方法適用之系統構成至少具有：捲帶狀基板 1 1被捲取的第1捲軸1 〇 1，捲取由第1捲軸1 0 1抽出之捲 帶狀基板1 1的第2捲軸1 〇2，及對捲帶狀基板1 1噴出液 滴的液滴噴出裝置2 0。 -19- (16) (16)1277458 捲帶狀基板1 1可用例如捲帶形狀之可撓性基板，以 聚醯亞胺基材構成，捲帶狀基板1 1之形狀之具體例設爲 寬l〇5mm，長200m。捲帶狀基板1 1，係以其捲帶狀兩端 部位分別捲繞於第1捲軸1 0 1與第2捲軸1 02而構成捲軸 對捲軸式基板。亦即，由第1捲軸1 0 1抽出之捲帶狀基板 1 1被捲繞於第2捲軸1 02連續行走於長邊方向，對該連 續行走之捲帶狀基板1 1使用液滴噴出裝置20噴出液狀體 之液滴而形成圖型（間隔壁6 0及薄膜7 0 )。 又，本製造方法具有對1個捲帶狀基板11構成之捲 軸對捲軸式基板分別執行多數個步驟之多數個裝置。多數 個步驟可爲例如洗淨步驟S 1、表面處理步驟S 2、第1液 滴噴出步驟S3、第1硬化步驟S4、第2液滴噴出步驟S5 、第2硬化步驟S 6、及燒結步驟S 7。藉由彼等步驟，可 於捲帶狀基板1 1形成配線層及絕緣層等。又，於捲帶狀 基板1 1之所要位置預先形成有孔5 0 (參照圖1 A〜1 D ) 〇 又，本製造方法中，將捲帶狀基板1】於長邊方向分 割爲特定長設定爲大量之基板形成區域（相當於基板8 〇 )°使捲帶狀基板1 1對各步驟之各裝置連續移動，而於 捲帶狀基板1 1之各基板形成區域連續形成配線層及絕緣 層（例如相當於薄膜7 0 )。亦即，多數個步驟s I〜s 7作 爲流程作業被執行，分別同時 '或時間重複地於多數個裝 置被執行。 以下具體說明對捲軸對捲軸式基板之捲帶狀基板j ] -20- (17) (17)1277458 進行之上述多數個步驟。 首先，由第1捲軸1〇1抽出之捲帶狀基板11之所要 區域被執行洗淨步驟S 1 (步驟S 1 )。 洗淨步驟S 1之具體例可爲對捲帶狀基板11照射UV (紫外線）。又，以水等之溶媒洗淨捲帶狀基板1 1亦可 ，以超音波洗淨亦可。又，於常壓或真空中對捲帶狀基板 1 1照射電漿洗淨亦可。 之後，於執行冼淨步驟S1之捲帶狀基板1 1之所要區 域，執行付予親液性或疏液性之表面處理步騾S2 (步驟 S2 ) 〇 說明表面處理步驟S2之具體例。於步驟S3之第1液 滴噴出步驟‘S3欲於捲帶狀基板1 1形成.含有導電性微粒之 液體之導電膜之配線，較好是控制對含有導電性微粒之液 體之捲帶狀基板1 1之所要區域之表面之潤溼性。以下說 明獲得所要接觸角之表面處理方法。 本實施形態中，欲使相對於含有導電性微粒之液體之 特定接觸角成爲所要値，首先，對捲帶狀基板1 1表面施 予疏液化處理，之後，施予親液化處理以緩和疏液狀態之 執行二階段之表面處理。 首先，說明對捲帶狀基板1 1表面施予疏液化處理之 方法。 疏液化處理方法之一，可爲在基板表面形成有機分子 膜等構成之自組裝薄膜之方法。處理基板表面之有機分子 膜，係具有：一端側可與基板結合之官能基；於另一端側 -21 - (18) 1277458 具有將基板表面變化（改質）爲疏液性等（、控制表面能量 )的基，及結合彼等官能基的碳之直鏈或者一部分分 支的碳鏈；與基板結合，藉由自行組織化而形成分子薄膜 、例如單分子薄膜。 所謂自組裝薄膜係指，由可與基板之底層等之構成原 子反應的結合性官能基、以及以外之直鏈分子形成，藉由 該直鏈分子之相互作用配向形成具有極高配向性之化合物 _ 而成的薄膜。該自組裝薄膜，係使單分子配向形成，因此 可以使膜厚極薄化，而且成爲分子位準均勻之薄膜。亦即 ’相同分子位處於薄膜表面，因而於薄膜表面可以提供均 句、且極佳疏液性等。 上述具有高配向性之化合物，使用例如氟氧基矽烷（ F A S )時，各化合物被配向而使氟氧基位於薄膜表面而形 成自組裝薄膜，因此，於薄膜表面被賦予均勻之疏液性。 形成自組裝薄膜之化合物有例如十七氟- 1，1，2，2四 _ 經基癸基三乙氧基砂院、十七氟- 1，1，2,2四經基癸基三 甲氧基矽烷、十七氟一 1，1，2,2四羥基癸基三氯矽烷、十 三氟一 1，1，2,2四羥基辛基三乙氧基矽烷、十三氟一 1,1,2,2四羥基辛基三甲氧基矽烷、十三氟一 ^2,2四羥 基辛基三氯矽烷、三氟丙基三甲氧基矽烷等之氟氧基矽垸 (以下稱「FAS」）。使用時，較好是單獨使用1種化合 物，但是組合2種以上化合物使用只要不損及本發明所要 目的並未特別限制。又，本實施形態中，作爲上述自組裝 薄膜形成用之化合物係使用上述FAS，因爲可以獲得與基 -22- (19) (19)1277458 中反之密接性以及良好之疏液性。 FAS —般以構造式Rn-Si-X…n)表示。其中^爲1以 上、3以下之整數，χ爲甲氧基、乙氧基、鹵素原子等之 加水分解基。R爲氟烷基，具有（CF3)(CF2)x(CH2)y之構 造（其中X爲〇以上、10以下之整數，y爲〇以上、4以 下之整數），多數個R或X與Si結合時，R或X全爲相 同或不同均可。χ表示之加水分解基爲，藉由加水分解形 成砂烷醇，與基板底層之羥基反應產生矽氧烷結合而與基 板結合。 另外，R爲表面具有（CF3 )等氟基，可以改變特性 成爲不會潤溼基板底層表面（表面能量低）之表面。 有機分子薄膜等構成之自組裝薄膜^係和上述原料化 合物與基板被放入同一密閉容器，於室溫放置約2 - 3天 時間而於基板上形成。 又，密閉容器全體保持於1 0 0 °C，則約3小時可於基 板上形成。上述爲氣相之形成法，亦可由液相形成自組裝 薄膜。 例如，將基板浸漬於含有原料化合物之溶液中，洗淨 、乾燥而於基板上獲得自組裝薄膜。 又，形成自組裝薄膜之前，較好是於步驟s 1之洗淨 步驟S 1對基板表面照射紫外線，藉由溶媒洗淨，施予前 處理。 疏液化處理之其他方法可爲於常壓照射電漿之方法。 電漿處理使用之氣體種可考慮基板表面材質而選擇各種。 -23- (20) •1277458 例如，可使用四氟化甲烷、全氟己烷、全氟癸烷等之氟碳 系氣體作爲處理氣體。此情況下，可於基板表面形成疏液 性之氟化聚合物。 疏液化處理，亦可藉由將具有所要疏液性之薄膜、例 如經由四氟化乙烯基板之聚醯亞胺薄膜等黏貼於基板表面 而進行。又，聚醯亞胺薄膜直接用作爲捲帶狀基板1 1亦 可。 | 以下說明親液化處理。 上述疏液化處理結束階段之基板表面具有較通常所要 之疏液性更高之疏液性，因此藉由親液化處理以緩和疏液 性。 ' 親液化處理可爲，照射17 0〜4 0 Onm之紫外線之方法。 依此則，暫時形成之疏液性薄膜之一部分、而且全體呈現 均勻地被破壞，可以緩和疏液性。 此情況下，疏液性之緩和程度可藉由紫外線之照射時 φ 間予以調整，亦可藉由紫外線強度、波長、熱處理（加熱 )之組合予以調整。 親液化處理之其他方法可爲以氧作爲反應氣體之電漿 處理。依此則，暫時形成之疏液性薄膜之一部分、而且全 體呈現均勻地被變質，可以緩和疏液性。 親液化處理之其他方法可爲將基板曝曬於臭氧環境之 處理。依此則，暫時形成之疏液性薄膜之一部分、而且全 體呈現均勻地被變質，可以緩和疏液性。此情況下，疏液 性之緩和程度可藉由照射輸出、距離、時間等予以調整。
-24- (21) •1277458 之後，對被執行表面處理步驟S2之捲帶狀基板1 1之 所要區域，執行噴出、塗敷含有導電性微粒之液體的配線 材料塗敷步驟之第1液滴噴出步驟S 3 (步驟S 3 )。 該第1液滴噴出步驟S 3之液滴噴出，係由圖6之液 滴噴出裝置20進行。於捲帶狀基板1 1形成配線時，於該 第1液滴噴出步驟S 3噴出之液狀體爲含有導電性微粒（ 圖型形成成份）之液體。含有導電性微粒之液狀體，可用 > 將導電性微粒分散於分散媒之分散液。此處使用之導電性 微粒’除含有金、銀、銅、鈀、鎳之任一之金屬微粒以外 ，亦可使用導電性聚合物或超電導體之微粒等。 導電性微粒可於表面塗敷有機物等以提升其之分散性 。導電性微粒表面塗敷之塗敷材料_v，可爲例如可引起立體 障層或靜電排斥之聚合物。又，導電性微粒之粒徑較好是 5 n m以上、〇 · 1 μ m以下。大於〇 · 1 v m時，容易引起噴嘴 堵塞’液滴噴出方法之噴出變爲困難。小於5 nm時，塗 φ 敷劑相對於導電性微粒之體積比變大，獲得之薄膜中有機 物之比例變爲夠多。 含有導電性微粒之液體之分散媒，較好是室溫之蒸氣 壓0.00 1 mmHg以上、200 mmHg以下（約〇 133 pa以上 、26600 Pa以下）。蒸氣壓高於2〇〇 mmHg時噴出後分散 媒將急速蒸發，無法形成良好之薄膜。 分散媒之蒸氣壓更好爲0.001 mmHg以上、5〇 mmHg 以下（約0.133 Pa以上、6 6 5 0 Pa以下）。蒸氣壓高於5〇 m m H g時，藉由液滴噴出方法噴出液滴時乾燥容易引起噴
-25- (22) (22)1277458 嘴堵塞，無法穩定噴出。另外，室溫之蒸氣壓低於0·001 mmHg之分散媒時，乾燥變慢，分散媒容易殘留薄膜中， 於後述步驟之加熱及/或光處理後難以獲得良質之導電膜 〇 使用之分散媒，只要能分散上述導電性微粒子不使產 生凝結者即可，並未特別設限。除水以外例如可用甲醇、 乙醇、丙醇、丁醇等之乙醇類、η —七、η-辛烷、癸烷、 十二烷、四癸烷、甲苯、二甲苯、甲基異丙基苯、暗煤、 、雙戊稀、四氫化萘、十氫化萘、環己基苯等之碳化氫 系化合物、或乙烯乙二醇二甲基醚、乙烯乙二醇二乙基醚 、乙烯乙二醇甲基乙基醚、二乙烯乙二醇二甲基醚、二乙 燒乙二醇二乙基醚V :二乙烯乙二醇甲基乙，基醚、U2 一二 甲氧基乙烷、雙（2 —甲氧基乙基）醚、p —二卩惡烷等之醚 系化合物、丙烯酸酯、7 —丁內酯、N —乙基—2 —毗咯 ;!：完酮、二甲基甲醯胺、二甲基亞碼、環己酮等極性化合物 。彼等之中就微粒子分散特性及分液特性之穩定性、或液 滴噴出法之適用容易觀點而言，較好爲水、乙醇類、碳氫 系化合物、醚類化合物，更好之分散媒爲水、碳氫系化合 物。彼等分散媒可單獨或以2種以上之混合物使用。 上述導電性微粒分散於分散媒之分散質濃度爲i質量 %以上、8 0質量％以下，可依所要導電膜膜厚調整。大於 8〇質量％時容易引起凝固，難以獲得均勻之薄膜。 上述導電性微粒之分散液之表面張力較好是〇 · 02 N / m以上、〇 · 〇 7 N / m以下之範圍。以液滴噴出方法噴出液 - 26- (23) (23)1277458 狀體時，表面張力小於0.02 N/ m時，液滴組成物對噴嘴 面之潤溼性將增大，容易引起飛行彎曲，大於0.0 7 N / m 時噴嘴前端之形狀不穩定將導致噴出量、噴出時序之控制 困難。 欲調整表面張力時，可於上述分散媒，在不致於夠度 降低與基板間之接觸角之範圍內，可微量添加氟系、矽系 、非離子系等之表面張力調整劑。非離子系表面張力調整 劑可使液狀體對基板之潤溼性良好化，可改良薄膜之平整 性、有助於防止塗敷膜之「表面不均勻」、桔皮表面之產 生等。必要時，上述分散液可含有乙醇、醚、酯、酮等之 有機化合物。 上述分散液之黏度較好是1 ηι ΊΡ a · s以上，5 0 m P a · s 以下。 以液滴噴出方法噴出時，黏度小於1 mPa · s時，噴 嘴周邊部容易被液滴之流出污染，黏度大於5 0 mPa · s時 ，噴嘴孔之堵塞頻度變高，圓滑之液滴噴出變爲困難。 本實施形態中，係由液滴噴頭噴出上述分散液液滴而 滴下至基板上配線欲形成之位置。此時，需控制繼續噴出 之液滴之重疊程度俾不至於發生液狀體堆積。又，可採用 第1次噴出使多數個液滴互相不銜接（呈分離）地噴出， 藉由第2次以後之噴出而埋入其間之噴出方法。 之後，對執行第1液滴噴出步驟S 3後之捲帶狀基板 1 1之所要區域進行第1硬化步驟（步驟S4 )。 第1硬化步驟S 4，係使第1液滴噴出步驟S 3被塗敷 -27- (24) 1277458 於捲帶狀基板Π之含有導電性微粒之液狀體硬化之構 配線材料硬化步驟。藉由重複執行上述步驟S 3與步驟 (包含步驟S2亦可）可增大膜厚，可以簡單形成所要 狀、且所要膜厚之配線等。 第1硬化步驟S4之具體例，除例如加熱捲帶狀基 1 1之通常之加熱板、電器爐等之處理以外，亦可使用 管退火處理。燈管退火處理使用之光源並未特別限制， 使用紅外線燈管、氙（He )燈管、YAG雷射、Ar雷射 碳酸氣體雷射、XeF、 XeCl、 XeBr、 KrF、 KrCl、 ArF ArCl等之激光雷射作爲光源。彼等光源通常可使用輸 10 W以上，5 000 W以下之範圍者，本實施形態中使 100 W以上、1 000 W以下之範圍即可4 ' 之後，對執行第1硬化步驟S4後之捲帶狀基.板1 1 所要區域進行構成絕緣材料塗敷步驟之第2液滴噴出步 S 5 (步驟 S 5 )。 第2液滴噴出步驟S 5之液滴噴出，亦藉由圖6之 滴噴出裝置2 0進行。但是，第1液滴噴出步驟S 3使用 液滴噴出裝置2 0與第2液滴噴出步驟S 5使用之液滴噴 裝置 2 0較好爲個別之裝置。藉由個別之裝置，可同時 行第1液滴噴出步驟S 3與第2液滴噴出步驟S 5，可提 製造之迅速化及液滴噴出裝置之運轉率。 第2液滴噴出步驟S 5，係於第1液滴噴出步驟S 3 第1硬化步驟S 4形成之捲帶狀基板1 1之配線層上層， 由液滴噴出裝置塗敷絕緣性液狀體之步驟。亦即，如圖 成 S4 形 板 燈 可 出 用 之 驟 液 之 出 執 升 及 藉 -28- 1 (25) 1277458 所不’於第2液滴噴出步驟s 5，首先於孔5 〇周圍形成 隔壁60 ’之後’於圖型形成區域全體形成平面大略塡 狀之絕緣性溥膜7 G。依此則，可以精密設置貫穿薄膜 構成之絕緣層的貫穿孔。藉由該步驟，使第1液滴噴出 驟S 3及第1硬化步驟S 4形成之配線圖型被絕緣膜覆蓋 進行該第2液滴噴出步驟S 5之前，較好是進行和上述 驟S 2之表面處理步驟S 2相當之表面處理。亦即，較好 對捲帶狀基板1 1之特定區域全體施予親液化處理。 之後，對執行第2液滴噴出步驟S5後之捲帶狀基 11之所要區域進行第2硬化步驟（步驟S6)。 第2硬化步驟S 6，係構成對第2液滴噴出步驟S 5 塗敷於捲帶狀基板11之絕緣性液狀體硬化的絕緣材料 化步驟。藉由重複實施上述步驟S5與步驟S6(亦可包 表面處理步驟）可增大膜厚，具有貫穿孔之同時，可以 單形成所要形狀、且所要膜厚之絕緣層等。第2硬化步 S 6之具體例可適用和上述第1硬化步驟S 4之具體例相 者。 上述步驟S 2〜S 6構成形成第1配線層之第1配線 形成步驟A。於該第1配線層形成步驟A之後，藉由實 上述步驟S 2〜S 6，可於第1配線層之上層形成具有貫 孔的第2配線層。形成該第2配線層之步驟設爲第2配 層形成步驟B。於該第2配線層形成步驟B之後，藉由 施上述步驟S 2〜S 6，可於第2配線層之上層形成具有 穿孔的第3配線層。形成該第3配線層之步驟設爲第3 間 滿 70 步 〇 步 是 板 所 硬 含 簡 驟 同 層 施 穿 線 實 貫 配 -29-
(S (26) -1277458 線層形成步騾C。如上述說明，藉由重複上述步驟S2〜 S6可以簡單、且良好地於捲帶狀基板n形成具有貫穿孔 的多層配線。 之後，於上述步驟S 2〜S 6形成第1配線層、第2配 線層及第3配線層之後，對捲帶狀基板1 1之所要區域進 行燒結步驟S 7 (步驟37)。 該燒結步驟S7，係對第1液滴噴出步驟S3塗敷、其 | 後被乾燥處理之配線層，及第2液滴噴出步驟S 5塗敷、 其後被乾燥處理之絕緣層同時燒結之步驟。藉由燒結步驟 S 7，可確保捲帶狀基板1 1之配線層中配線圖型微粒間之 電氣接觸，使該配線圖型轉換爲導電膜。又，藉由燒結步 驟S 7，可提升.捲帶狀基板1 1之絕緣層之絕緣性。 燒結步驟S 7通常於大氣中進行，必要時可於氮、Αι* 、He等惰性氣體環境中進行。燒結步驟S 7之處理溫度可 考慮第1液滴噴出步驟S 3或第2液滴噴出步驟S 5塗敷之 0 液狀體含有之分散媒之沸點（蒸氣壓）、環境氣體種類或 壓力、微粒之分散性或氧化性等之熱動作，塗敷材料之有 無或量、基材之耐熱溫度等予以適當決定。例如，燒結步 驟S7可以150°C進行捲帶狀基板1 1之所要區域之燒結。 上述燒結處理’除通常之加熱板、電氣爐等之處理以 外，可藉由燈管退火處理進行。燈管退火處理使用之光源 並未特別限制，可使用紅外線燈管、氙（H e )燈管、γ A G 雷射、A r雷射、碳酸氣體雷射、X e F、X e C 1、X e Β ι·、K r F 、K i. C 1、A r F、A r C】等之激光雷射作爲光源。彼等光源通 -30- (27) 1277458 常可使用輸出10 W以上，5000 W以下之範圍者，本實施 形態中使用1 0 0 W以上、1 0 0 0 w以下之範圍即可。 依本實施形態，使用液滴噴出裝置對構成捲軸對捲軸 式基板之捲帶狀基板1 1形成具有貫穿孔的多層配線，因 此可以大量、有效地製造精密、精巧之電子電路基板等。 亦即，依本實施形態，可將製品時大量之板形狀基板之! 個捲帶狀基板1 1之所要區域對準於液滴噴出裝置2 0之所 | 要位置，於該所要區域形成所要之配線圖型。對1個所要 區域以液滴噴出裝置20形成圖型之後，使捲帶狀基板！ } 對液滴噴出裝置移動，可以極簡單地對捲帶狀基板1 1之 其他所要區域形成配線圖型。依此則，本實施形態中，對 於構成捲軸對捲軸式基板之捲帶狀基板1 l·.之各所要區域 (各電路基板區域），可以簡單、且迅速形成精密之配線 圖型，可以精密、大量、有效製造配線基板等。 又，依本實施形態，自構成捲軸對捲軸式基板之捲帶 φ 狀基板1 1由第1捲軸1 〇 1抽出至其被捲繞於第2捲軸 1 02爲止，執行包含液滴塗敷步驟之多數個步驟。依此則 ，自執行洗淨步驟S 1之裝置至執行後續表面處理步驟S 2 之裝置之移動，或者至執行後續步驟之裝置之移動，僅需 將捲帶狀基板1 1之一端側捲繞於第2捲軸1 02即可移動 該捲帶狀基板1 ]。因此，依本實施形態，將捲帶狀基板 1 1移動至各步驟之各裝置的搬送機構極對準機構可以簡 化，可降低製造裝置之設置空間，可降低大量生產之製造 成本。 -31 - (28) · (28) ·.1277458 又，本實施形態之圖型形成系統極圖型形成方法中， 較好是上述多數個步驟之各步驟之所要時間大略相同。如 此則，各步驟可以並列同步執行，可以迅速製造之同時， 可提升各步驟之各裝置之使用效率。又，使各步驟所要時 間一致時’可以調整各步驟使用之裝置（例如液滴噴出裝 置2 0 )之數目或性能。例如，第2液滴噴出步驟s 5較第 1液滴噴出步驟S3之時間長時，可以於第1液滴噴出步 驟S 3使用1台液滴噴出裝置2 0，於第2液滴噴出步驟S 5 使用2台液摘噴出裝置20。 (電子機器） 以下說明使用上述實施形態之圖型形成方法製造之電 子機器。 圖1 0 A爲行動電話之一例之斜視圖。於圖1〗〇 a，符 號6 00表示使用上述實施形態之圖型形成方法形成有多層 配線的行動電話本體，符號6 0 1表示光電裝置構成之顯示 部。圖1 0 B爲文字處理機、個人電腦等攜帶型資訊處理裝 置之一例之斜視圖。於圖1 〇 B，符號7 0 〇爲資訊處理裝置 ’符號7 0 1爲鍵盤等之輸入部，符號7 〇 3表示使用上述實 方也形態之圖型形成方法形成有多層配線的資訊處理裝置本 體’符號7 0 2表示光電裝置構成之顯示部。圖〗〇 c爲手錶 型電子機器之一例之斜視圖。於圖丨〇 C，符號8 〇 〇表示使 用上述實施形態之圖型形成方法形成有多層配線的手錶本 體’符號8 Q 1表示光電裝置構成之顯示部。
(S -32- (29) * 1277458 圖10A〜10C之電子機器，具有使用上述實施形態之 圖型形成方法形成之多層配線，可以低成本、高品質、且 大量製造。 又’本發明之技術範圍不限於上述實施形態，在不脫 離本發明要旨下可做各種變更，實施形態列舉之具體材料 或層構成等僅爲一例，可做適當變更。例如，上述實施形 態係針對多層配線製造使用之圖型形成方法說明，但是本 發明不限於此，本發明亦適用各種積體電路或有機EL裝 置、電漿顯示裝置、液晶裝置等各種光電裝置之製造，本 發明亦適用彩色濾光片等之製造。亦即，本發明之圖型形 成方法之薄膜圖型不限於配線圖型，畫素、電極、各種半 導體元件等亦可使用本發明之圖型形成方法予以形成。 【圖式簡單說明】 圖1 A〜1 D ;本發明第1實施形態之圖型形成方法之 模式平面圖。 圖2:圖1D之位置XX’之斷面圖。 圖3:圖1D之基板全體之圖。 圖4A、4B :第1實施形態之變形例之平面圖。 圖5 :本發明第2實施形態之圖型形成方法之模式平 面圖。 圖6 :本發明實施形態使用之液滴噴出裝置之一例之 斜視圖。 圖7 A、7B :該液滴噴出裝置之液滴噴頭之圖。 -33-
(S (30) 1277458 圖8 :液滴噴頭之底面圖。 ® 9 :本實施形態之多層配線基板之製造方法之槪要 模式圖^ 圖1 〇 A〜1 0C :本發明實施形態之電子機器之斜視圖 【主要元件符號說明】 % 1 :液滴噴頭群（噴頭） 2 : X方向導引軸（導引器） 4 :載置台 5 : Y方向導引軸 1 1 :捲帶狀基板 1 2 a、1 2 b ·沖洗區域 2 〇 :液滴噴出裝置 50 :孔 _ 60、60’ ：間隔壁 6 1、6 2、6 3 :液滴 7〇、71、72 :薄膜 ' 8 0 :基板 1 01 :第1捲軸 102 :第2捲軸 -34 -