TWI274756B - Novel chromophores for polymeric thin films and optical waveguides and devices comprising the same - Google Patents

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TWI274756B TW090114787A TW90114787A TWI274756B TW I274756 B TWI274756 B TW I274756B TW 090114787 A TW090114787 A TW 090114787A TW 90114787 A TW90114787 A TW 90114787A TW I274756 B TWI274756 B TW I274756B
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Description

1274756 A7 B7五、發明説明(I ) 2 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 相關申請: 本案依據2000年6月16日美國第09/569, 221號專利申 請案,發明名稱為"Novel Chromophores For Polymeric Thin Film And Optical Waveguide And Devices Comprising The Same"以及 2000年9月29日美國第09/675, 966號專利申請案,發明名 稱為"Nevel Chromophores For Polymeric Thin Film And Optical Waveguide And Devices Comprising The Same"主張優先權。 發明領域: 本發明係關於色基,其能夠使用於配製波導介質之 聚合性薄膜,以及關於包含色基之光學波導以及裝置。 發明背景: 具有大的第二階非線性有機或聚合性材料之薄膜以及 矽為主之電路能夠使用於系統中以作為雷射調變及偏移、 光學線路中資訊控制以及許多其他波導應用。除此,藉由 第二階非線性例如衣減四波相混之新賴的處理過程因而產 生光場之即時地處理,該新穎的處理過程能夠使用於多種 場作為光學通訊以及集體線路之製造。具有大的第二階及 第三階非線性之有機材料使用於高頻應用與目前所使用傳 統無機電光材料頻帶寬度之限制成對比。 許多光學反應性單體以及聚合物已發展出以使用於有 機材料中,該有機材料能夠使用於先前所說明之波導應用 中。例如美國第5044725號專利說明許多聚合物能夠提供 適當非線性之光學反應。美國第5044725號專利為優先聚 合物組成份,其包含含有提供電子基以及相對橋接體終端 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
本紙張尺度逋用中關家標準(CNS)从規格(21GX297公釐)Hr 1274756 A7 B7五、發明説明(α) 為捕取電子基之有機結構。為了達成非線性光學(NL〇)穩 定性,必需得到熱穩定電子承受體。 高性能有機高// /5電-光色基之合成必需完成以製造 出聚合物為主電-光波導以及裝置。有機非線性光學應用 之電-光色基橋接化合物以及施予體-橋接化合物之合成通 常為業界所熟知。雖然文獻中已報導一些色基,許多顯示 出一些問題及有時為嚴重的問題,包含受熱不穩定,在聚合 物中不溶解性,光衰變,在人們所感興趣波長區域中呈現寬 廣的吸收頻帶,以及由於極性產生大的雙折射性。 目前美國第6067186號專利(稱為186專利)揭示出一種 有機色基,該色基產生強固的電-光聚合物,適合作為電一光 調變器以及其他裝置例如光學切換器。 對於具有改良特性之適當電-光色基為持續性需要的。· 發明大要: 本發明部份係關於化合物,其能夠作為例如光學波導 以及光學裝置之薄膜中色基化合物。其具有下列分子式(I): -------Ik! (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 订 經濟部中夬橾準局貝工消費合作社印製
其中D為電子施予基;b包含一種雙價環;以及r2 與R3均獨立地由由下列選取出:取代或未取代 之C2-Cio烯基,取代或未取代之C2-Cio炔基,取代
本紙張尺度逋用中國國家樑準(CNS ) A4規格(210X297公麓) 7 1274756 五、發明説明( 或未取代之絲,取錢未取代 之碳環基,取代或未取代之雜環基,取代土或未上^代 代或未取代格G。絲觀出,於加=二 =有基=_%更優先= 經 央 標 準 局 貝 工 合 作 社 印 裝
D—B
(I,) 頁 其=R2與R3更進-步特徵在於其界定出一個環,其中*表开 螺旋連接,或其巾*麵旋射心;細2及_胃立地為替 代或未取代之G-c1Q烧基,取代或未取代之G—Ci。稀基,替 代或未取代之G-G。快基,取代或未取代之芳基,取代或未 取^之烧絲,取代絲取代之魏基,取代或未取代之 雜環基,取代或未取代之環已基,或(CH2)n-0-(CH2)n,其中E 為1-10。D與B如上面所定義。 本發明另外一項係關於包含新穎的環狀橋接之色基, 其包含至少一個雙價芳香環。本發明優先化合物具有下’ 列分子式II:
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1274756 A7 B7 五、發明説明(Hr) 其中D為電子施予基;A為電子捕取基;K為0或SiR1為 -Q-CnH2n+l,-Q - ( CH2)aCnF2n+l,-Q-CH2〇CH2CnF2n+l, -Q-CH2SCH2CCnF2n+i, -Q-CH2OCH2CF3, -Q-CH2SCH2CF3, 其中η為1-10,以及Q為不存在,0或S;以及q為1,2,或3。 本發明其他優先化合物具有下列分子式III:
Rl III 其中D為電子施予基;A為電子捕取基;J為CH2,0或S;!?1 為—Q—CnlWl,-Q— ( CH2 ) aCnF2n+l,_Q—CH2〇CH2CnF2n+l, -Q-CH2SCH2CCnF2沾,-Q-CH2〇CH2CF3,-Q-CH2SCH2CF3,其中 n為 1 -10, a為0-10,以及Q為不存在,0或S;以及q為1,2,或3。 在本發明一項實施例中,色基包含新穎的環狀橋接,其 包含至少一個雙價或共輛環結構,例如芳香環,以及新穎的 電子捕取基。該化合物通常具有下列分子式IV: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央橾準局員工消費合作社印製
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) 1274756 五、發明説明($ ) (CH2)aCnF2⑽,一Q-CH2〇CH2CnF2n+1,一Q—CH2SCH2CCnF2n+1, -Q-CH2OCH2CF3,或-Q-CH2SCH2CF3其中η為 1-10,以及Q為不 存在,0或S;以及q為1,2,或3;以及R2以及R3均獨立地為替 代或未取代之Cl_Cl。烧基,取代或未取代之Q-Cio烯基,取代 或未取代之G-Cio快基,取代或未取代之芳基,取代或未替 代之烷芳基,取代或未取代之碳環基,取代或未取代之雜環 基,取代或未取代之環已基,或一(CH〇n,其中n為'i ' :1〇。可加以變化,R2以及R3共同地形成一個環結構或取 環結構。優先地該實施例化合物具有下列分子式”,·
一個環,其中 其中:其中R2與R3更進一步特徵在於其界定出 *表示螺旋連接,或其中*表示旋轉中心。 本發明有用的化合物具有下列分子式V: [274756 A7 B7 五、發明説明(t) 其中D為電子施予基;J為CH2,0或S#為id,令(弧)3 d+l,-Q-CH2〇CH2CnF2n«,-Q-CH2SCH2CCnF2n+i,-Q-CH2〇C{J2CF3. -Q-CH2SCH2CF3,其中n為 1-10, a為〇_1〇,以及q為不存 , 在,0或S;以及R以及R均獨立地為η,取代或^取代之Ci一 ClO烧基,取代或未取代之C2-Cl。烯基,取代或未取代之c — Go炔基,取代或未取代之芳基,取代或未取代之烷芳基替 代或未取代之碳縣,取代縣取叙_基,取代或 代之環已基,或(CH2)n-(HCH2)n,其中10。可加以變首 化,R2以及R3共同地形成-個環結構或取代環狀結構。= 實施例優先色基包含分子式V,化合物Μ
經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 其中:其中R2與R3更進-步特徵在於其界定出一個環,其中 *表示螺旋連接,或其中*表示旋轉中心。 ,/' 本發明亦關於光學波導,其包含光學波導,該波導包含 具有下列分子量式VI之薄膜介質: 3?Wn,+ρ•慨-ρ、 or η
S IM or S、M义 n
VI 本紙張尺度適用) A4規格(2跑297公釐 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 B7 經濟部中央標準局貝工·;«·费合作社印製 1274756 五、發明説明(α) 其中P以及P為聚合物主要鍵單元,其能夠為相同的構造單 元或不同的構造單元,以及C為共單體單元,其中異於零 之整數以及η為0或異於零之整數;s為具有線性鏈長度界 於2-12原子之附屬間隔基。Μ為具有分子式I,分子式丨,,分 子式II,分子式III,分子式IV,分子式IV’,分子式V,或分子 式V’,如先前所說明。 所謂’’電子施予基”與’1電子施予體π同義以及當共輛電 子結構藉由輸入電磁能量產生偏極時能夠供應電子密度至 7Γ電子系統之取代基。 在此所謂’’電子承受體”與”電子承受基”以及”電子捕 取基π為同義的以及係指陰電性有機化合物或取代物,當共 車厄電子結構藉由輸入電磁能量產生偏極時能約由π電子系 統吸引電子。 所謂π色基π係指光學化合物包含電子施予基以及電子 捕取基在共軛7Γ電子系統相對端部處。 所謂π環橋接"係指雙價環狀結構,其作為連接電子施予 基以及捕取基。 本發明亦關於先前所說明之光學波導。 詳細說明: 本發明係關於新穎的電子承受體,其能夠使用於有機 非線性光學應用中以及配製方法。本發明化合物功能為電 子承受體(或電子捕取基),其呈現出熱穩定性以及非常高 電子承受性。本發明能夠使用於例如光學波導聚合性有機 材料中。該聚合性有機材料說明於美國第5044725,479566 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)八4祕(ζ1〇χ297公董) [〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
1274756 五、發明説明(f) 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 4, 5247042, 5196509, 4810228, 4936645, 5326661,5187234, 5170461,5133037, 5106211,以及5006285號專利中,每一專 利之說明在此加入作為參考。 本發明色基具有數種有益的特性,其無法在其他已知 或商業化色基中發現。例如,我們發現加入旋轉中心於分 子之承受體部份,以及更優先為消旋性混合物,大大地增加 色基之溶解性。我們發現R2與R3間之結構或功能基差異越 大溶解性將提昇。例如,我們觀察到當铲或R3一個為直鏈 以及另外^個為環狀結構;或一個為短鏈(最高三個碳)以 及另外一個為長鏈(即C4-Cis)時,顯著地提高溶解性。此 提高溶解性因而促使最終材料之非線性提昇。人們了解加 入長鏈烷基將提高色基溶解度,以及烷部份數目以及大小 增加,溶解度以及整體材料非線性大大地改善。本發明色 基之溶解度提昇優於先前技術之二甲基之種類。 然而有許多因素將使特性得到改善,我們發現本發明 承受體與先别技術間之主要差異在於本發明承受體存在旋 轉中心。人們了解純對映體之物理特性例如熔點以及溶解 度與消旋性混合物不同。該差異存在數個範例。例如,純 方疋轉(D)甜菜驗溶點為218°C以及在室溫下非常容易溶解。 其消旋物熔點為170°C以及在室溫水中可視為可無限地溶 解。同時純扁桃酸消旋物熔點為133°C,然而其消旋物熔點 為120°C。(R)-(+)-扁桃晴熔點為29°C以及在室溫下非常 容易溶解,同時其消旋物在室溫下為油。 在本發明特定化學式中,旋轉中心並不會形成單一旋 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .1. 、π
1274756 A7 B7 五、發明説明(C[) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 轉化合物但疋為消旋性對映體之混合物,當加入色基内將提 咼色基溶解度,此由於溶點降低所致。實際上,我們發現本 發明混合物有傾向形成玻璃性固體而非結晶材料。我們相 信本發明化學物導致整體聚合物之非線性,係因為加入消旋 性旋轉中心於色基中。 本發明電-光色基在溫度260°C至310°C呈現出熱穩定 性。這些色基在大部份一般有機溶劑中亦顯示出大的溶解 度,因而能夠使用於外來添加劑於大部份波導聚合物薄膜 中。除此,在強烈紫外線(365nm,3焦/平方公分至13分鐘量 劑),本發明之色基紫外線-可見光-近紅外線之頻譜顯示並 未變化,同時顯示色基為光穩定的。色基亦顯示可調整吸收 頻帶遠離正常通訊波長,該特性為非常重要的,其將減小通 訊波長下之光學損耗。本發明色基具有有效三維設計,其能 夠防止色基-色基不平行之堆疊。由於具有彈性之側鏈取代 基,本發明色基顯示出明顯地減小雙折射性損耗。在一些本 發明色基中,橋接塞吩環存在唯一的區域特定取代,其允許 電子承受體更容易地接近橋接之共軛72:系統以及能夠使分 子月幹更為平坦。除此,本發明一些優先之色基具有經基於 電子施予體終端處以容易地將色基處理為羥基而有機以及無 機聚合物反應作用相匹配以製造出溶解性之色基,聚合物以 及共聚合物,以及能夠使用來製造高度溶解性"外來"色基作 為外來宿主之應用。 本發明部份係關於化合物,其能夠使用作為例如光學 波導之聚合性薄膜中色基。在本發明優先實施例中,該化 ---------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、tT 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) 1^ 111274756 Α7 Β7 五、發明説明(丨Ό ) 合物包含新穎的電子捕取基,其具有下列分子式(j):
經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 其中D為電子施予基。優先電子施予基已說明於例如美 國第 5044725, 4795664, 5247042, 5196509, 4810228, 493664 5, 5326661,5187234, 5170461,5133037, 5106211,以及5006 285號專利中,每一專利之說明在此加入作為參考。優先地 D由下列基選取出:包含例如:氨基,烷基氨基,二烷基氨基, 二烧基苯胺,l-σ比咬基,1-此唤基,l-p比洛基,醯氨基,經基, 硫醇基,烷基硫醇基,芳基硫醇基,烷氧基,芳氧基,烷基,乙 稀基,1,2, 3, 4-四氫奎琳等。最優先電子施予基為取代及未 取代之苯基-N(CH2CH2〇H)2。 B為橋接,其連接電子捕取基與電子施予基。優先 地,Β為至少一種雙價環。本發明應用中能夠使用作為環橋 接物之雙價環說明於例如美國第5044725, 4795664, 5247042 ,5196509, 4810228, 4936645, 5326661,5187234, 5170461,51 33037, 5106211,以及5006285號專利中,每一專利之說明在 此加入作為參考。環Β能夠為芳香或非芳香性。優先 下列非限制性基選取出: 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 15 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁」 Γ 1274756 a? B7 、發明説明 R4
R4
1-5 R4 民4 CH=CH— / 1-5
1-3
R4 R4 R4 —V L ~*Λ ΓΓ~ —CH=CH~^ >] 1-3
CH=CH'CH=CH R4
S 1-3 ---------M— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中夬梂率爲負工消费合作社印製 其中R為H,OH,Ci-Ci。烧基,稀基,或快基,_素,等。R亦 能夠為-Q-CnH2n+1,-Q-(CH2)aC„F2n+1,-g--Q-CH2SCH2CCnF2n+i, -Q-CH2OCH2CF3, -Q-CH2SCH2CF3, 其中η為1 -10,以及Q為不存在,〇或&以及(1為1,2,或3。 R2及R3均獨立地為取代或未取代之Ci_Ci()烷基,取代 或未取代之g-c1(#基,取代或未取代之C2_Ci。炔基,取代 或未取代之絲,取代或未取代找絲,取代或未替 代之碳環基,取代絲取代之雜縣,取代絲取 環已基,或(cH2)n-(KCH2)n,其 α a c3, G’ G,Ce,G,c8, c9, u,以及其組合物。優先地曰 I n I » 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 1274756 at Γ ____ Β7 五、發明説明(丨1) R及R3由取代或未取代之G-g。烧基選取出,亦符合r2#r3 。更特別地,R2與R3界定出一個環,其中*表示螺旋連接, 或其中*表示旋轉中 心。 取代之烷基,烯基,炔基,碳環基,雜環基能夠包含一種 或多種取代基包括例如氟,氯,D等。除此雜環基能夠包含〇 ,N,S等。 芳基優先地包含非限制性苯基,芴基,以及萘基。芳基 ,碳環基,雜環基,以及環已基能夠取代以一個或多個取代 基包含D,彘素,包含I氯,溴。烷芳基優先地包含Cl_Cl0 烧基以及取代之烷芳基包含先前所說明取代之烷基及芳基。 本發明優先實施例中,R2以及R3獨立地由碳環基,雜環 基,環已基,苯基,環烷基,環烯基,以及取代之苯基選取出 。R2及/或R3其他部份獨立地由下列選取出以及並不受限於 下列:
本發明更優先實施例中,R2及R3—個為(¾以及另一個 R2及R3為取代之苯基。優先地,取代之苯基由下列選取出 以及並不受限於下列: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) Ι!Τ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}
[274756 五、發明説明(G)
Bu
Cl
F
Cl
Cl
F
Cl 、C1 I加以變化,R2以及R3共同形成總共為3至7個主要原 子之,、纟°構或取代之環結構,優先地奶或6彳明子。優先 環結構絲代或未取狀碳縣H絲取代之雜 環基,取代絲取代之環已基。取代之環_包含取代基 ,其包含^素,該_素包括氟,氯,溴,但是並不受限於此。 具有由R2以及R3所形成之環狀結構化合物包含·.
經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 本發明電子捕取基優先地由下列方案〖配製出
HC1/Mb〇H/H2〇 CH2(CN)a
分子式I化合物由方案I所說明步驟配製出:a)提供燒 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) lb 151274756五、發明説明(⑼) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 基乙烯醚,b)將烷基乙烯醚與強鹼接觸以形成第_中間化 合物,c)將第一中間化合物與酮類接觸以形成第二中間化 合物,以及d)將第二中間化合物在常用驗金屬氧化物驗類 或業界已知的適當鹼類中與二氰甲烷反應以形成分子式ι 之化合物。每一步驟詳細說明如下。 本發明優先實施例中,溶劑中烷基乙烯醚為啟始原料 。溶劑優先地為四氫呋喃(THF), 1,4-二噁烷等。雖然說明 於方案I之烷基乙烯醚為乙基乙烯醚,能夠使用其他烷基乙. 烯喊。烷基乙烯醚優先地包含分子式CH3-(CHKKIKHR6, 其中X為1-3,以及R6為Ci-CJ完基。最優先地,烧基乙烯醚為 曱基乙稀或乙基乙婦驗。 烧基乙烯醚與強驗接觸以形成第一中間化合物。優先 地’強驗之pKa大於乙靈(ethylinic)C-Η鍵結α至燒基乙· 烯醚之氧功能基。例如,參閱Advanced Organic Chemistry,3rd Ed·,Jerry March, 1985,Table 1,ρρ· 220-222。 在優先實施例中,強鹼為烷基鋰,或鹼金屬鹽類或烷基陰離 子包含t-BuLi或次-BuLi,但是並不受限於這些。烷基乙烯 酯優先地與強鹼接觸於-7〇°C至85°C之間,最優先地為-78 〇C 〇 第一中間化合物與酮類以及再與酸/醇/水之溶液接觸 以形成第二中間化合物。業界所熟知許多酸/醇/水之溶液 能夠使用於本發明中。酸/乙/水之溶液優先地為HCl/MeOH /%0, HBr/EtOH/H2〇,或H2S(VEtOH/H2〇。優先地,在室溫 下接觸。優先地調整pH在1至4之間。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) ------------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
I
T !274756
、發明説明(γ) 6 11 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 獨立其中咖均 ^ _出:取代及未取代之CrGo烧基,取代以 2取代之㈣雜,取勉桃狀W録,取代 〆j代之芳基,取代或未取代之烧芳基,取代或未取代 之厌ϊ衣基’取代或未取代之雜環基,取代或未取代之環已 基,以及(CH2)n-〇-(CH2)n,其中撕,。 Cr(V 係指G,C2, C3, C4, C5, C6, C7, G,C9, C!。,以及其組 合物。 優先地,烯基以及烯基之C=C與CEC鍵並不緊鄰於酮類 化合物之羰基。 取代之燒基,烯基,炔基,羰基,以及雜環基能夠包含一 個或多個取代基例如為氟,D,以及氯等。除此雜環機能夠 包含0,N,S等。 芳基優先地包含笨基,芴基,以及萘基,以及並不受限 於這些。芳基,碳環基,雜環基,以及環已基能夠取代以一 個或多個取代基包含D,鹵素包含氟,氯,溴。優先地,烷芳 基包含Cl-Cl。烷基以及取代之烷芳基包含取代先前所說明 之烧基及芳基。 在更優先地實施例中,R2及R3均獨立由下列選取出··苯 曱基,羰環,雜環基,環已基,苯基,環烷基,環烯基,環戊基, 以及取代之苯基。R2及/或R3其他部份獨立地包含下列,但 是並不受限於下列: --------i.i! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、π 本紙張適用中國國家梂準(CNS ) A4规格(210X^7 公釐)
經濟部中央榡準局員工消費合作衽印製 1274756 在更優先地實施例中,R2及R3之一為CH3以及R^R3另 -個為取代之苯基。優先地取代之笨基由下列選取出, 但是並不受限於下列:
、可加以、雜,R以及R共同形成環結構或取代環結構 或雜環之環結構。優先地環結構為取代或未取代之3個或 7個主要原子之環,5或6個為優先的。優桃環結構為替 代j未取代之縣,喊絲取代之雜職,取代或未取代 已,或iR戊基。取代之環結構能夠包含取代基包括-、包合氟,氯,以及溴,但是並不受限於此。由圮及^3 環結構之化合物包含:
(請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、發明説明((q ) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 1274756 at B7 I»
CN
CN 第二中間化合物在與存在第二鹼類以及適當溫度下與 二氰甲貌反應器以形成分子式I化合物之電子捕取基部份 。第二驗類優先地為金屬烴氧化物包含NaOC2Hs,NaOH,KOH ,以及LCO3,但是並不受限於此。在存在第二驗類情況下 第二中間化合物與二氰甲烧接觸後,加入稀釋酸例如為HQ 以中和所形成電子捕取基。 電子捕取基包含R6, R6優先地由下列選取出:取代或未 取代之G-C4烷基,分支取代或未取代之G-C4烯基,未分支 取代或未取代之G_C4炔基能夠包含一個或多個取代基包 含例如氟。在優先地實施例中,R6由下列選取出:未分支Ci -C4烧基,C1-C4烯基,以及C1-C4炔基。更優先地R6為ch3。 本發明部份關於能夠使用作為光學波導聚合物薄膜中 之色基,其包含新穎的連接色基電子捕取與電子施予基之 橋接基本發明優先地化合物具有下列分子式11:
D為電子施予基。優先地電子施予基如上面所說明。 本紙浪尺度通用中國國家梯準(CNS ) μ規格(210X297公釐) >0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
191274756 A7 B7 五、發明説明(l?) A為電子捕取基。優先地電子捕取基說明於例如美國 第5044725, 4795664, 5247042, 5196509, 4810228, 4936645, 5326661,5187234, β170461,5133037, 5106211,以及500628 5號專利中,每一專利之說明在此加入作為參考。優先地a 由下列基選取出,但是並不受限下列:硝基,氰基,鹵烷基, 醯基,羰基,芳氧基,碳氨基,烷氧績醯基,芳氧磺醯基,—CH= C(CNk-C(CN)=C(CN)2, SO£F3,烷氧基,
其中 X為 H,D,F,CN,N〇2,4CF3。 R1 為-Q-CnH㈣,-qKCH2)aCnF2n+1,-Q-CH2〇CH2CnFM,-Q-CH2SCH2CCnF2n+i, -Q~CH2〇CH2CF3, -Q-CH2SCH2CF3, 其中n為1 -10,以及Q為不存在,〇或s;以及q為1,2,或3。更優 先地R1為C4-Ciq或I取代之C4-C10。 分子式II之混合物能夠使用噻吩環狀橋接配製出,其 優先地包含分子式VII: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
優先地K為〇或S。R1 為-Q-CnlWl,«CH^aCiJ^n+l, -Q~CH2〇CH2CnF2n+l, ~Q-CH2SCH2CCnF2n+l, -Q--CH2OCH2CF3, -Q-CH2SCH£F3,其中n為1-10, a為0-10,以及Q優先地不存 本紙張尺度適用中國囷家標準(CNS ) Μ規格(210X297公釐) 1274756 A7 B7 五、發明説明(d) 在,當存在時為0或s。能夠使用其他鹵素或氣以取代F。在 本發明優先地實施例中,R1為C4-U或敗取代之C4-Go。 X優先地具有分子式-(CH=CH)b-C(=0)H,其中b為0-3。 終端盤基作為與電子捕取基反應作用之位置。在更優先實 施例中,b為0使得X為一 c(=〇)H。 2為化學基,其能夠連接至施予體以及包含Br,I,-CH2-Br ,-CH2-QH,-CH3, -C(=0)H等,但是並不受限於這些。熟知此 技術者能夠使用業界所熟知之其他基以連接橋接化合物至 施予體。能夠使用來連接橋接化合物至施予體之另外一個 Z基為
Bu
Bu—P-CH—
Bu Y- 其中Y為相對離子包含Br_或Cl_,但是並不受限於這些。 本發明另外一個實施例中,優先化合物具有下列分子 式 III:
經濟部中央橾準局員工消費合作社印製
2n+l, D為電子施予基以及a為電子捕取基,如上面所說明 J 為 CH2, 〇 或s。 R 為~Q-CnH2n+l,-Q-(CH2)aCnF2n+l,-Q-CH2OCH2C11F: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1274756 1X 2 五、發明説明(α〇 ) -Q-CMCHzCd+i,-Q-CH2OCH2CF3,-Q-CKbSCIfcCFs, 其中η為1-10,以及Q為不存在,〇或S。更優先地R1為c4-c1〇 或氟取代之C4-C1〇。 分子式IV化合物能夠使用二氫奈基環橋接配製出,該 橋接優先地包含分子式VI11: Rl VIII 優先地,J 為〇ί2, 0或S ; R1 為-Q-CnH2n+l,-Q-(CH2)aCnF2n+l, - Q-CH2〇CH2CnF2n+l,- Q-CH2SCH2CCnF2n+l,~Q-CH2〇CH2CF3, -Q-CMC&CF3,其中n為1-10,以及Q為不存在,0或S。更優先 地,R1為Cr-Cio或氟取代之C4-C1D。 X優先地具有分子式(OO)H或OCH(-CH=CH)d-C(=0)H, 其中d為0-3。終端醛基作為與電子捕取基反應作用之位置 。在更優先實施例中,X為(C=0)H。 Z為化學基,其能夠連接至施予體,如先前所說明。 本發明亦關於能夠使用作為光學波導聚合物薄膜中之 色基,其包含新穎的橋接基以及新穎的電子捕取基,以及以 下列分子式IV表示: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i. 訂· 本紙張尺度適用中國國家榣準(CNS ) A4規格(21〇 X 297公嫠〉 ^3 1274756 at ___ Β7 五、發明説明(4 ) 22
其中Κ為Q或S;以及R 為-Q-CJW,-Q~(CH2)aCnF2n+i, -Q~CH2〇CH2CnF2n+l, -Q-CH2SCH2CCnFzn+i, -Q-CH2OCH2CF3, -Q-CH2SCH2CF3,其中η為1-10,以及Q為不存在,0或S。更優先 地,R1為OG。或氟取代之ou。本發明該實施例更優先化 合物以下列分子式IV,表示:
Rl IV (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .4. 、π 經濟部中央樣率局貝工消費合作社印製 其中:R2與R3更進一步特徵在於其界定出一個環,其中木表 不螺旋連接,或其中*表示旋轉中心。 一可加以變化,R2及R3均獨立地由下列選取出,但是並不 又限於下列:取代絲取代之(^絲,取代或未取代之 稀基,取代或未取代之C2—Cig炔基,取代或未取代之 芳土 ’取代或未取代之燒芳基,取代或未取代之碳環爲妹 代或未取叙轉基,取代絲取狀環仏或(d曰
I屮 231274756 A7 B7 五、發明説明( x> 0一①瓜乂其中η為MO等。更優先地,R2及R3均獨立地由替 代或未取代之芳基,取代或未取代之烷芳基,取代或未替 代之環已基選取出。更優先地,R2&R3均獨立地由下列選 取出:笨甲基,環已基,以及取代或未取代之苯基。更優先 地R2及R3—個為CH3以及另一個R2及R3為取代之苯基。最優 先地,R2及R3中一個為:
另外一個R2及R3為CH3。 可加以變化,R2以及R3共同形成總共為3至7個主要原 子之環結構或取代之環結構,優先地為5或6個原子。優先 地,環結構為取代或未取代之碳環基,取代或未取代之雜環 基,取代或未取代之環已基或環戊基。取代之環結構能夠^ 包含取代基包含取代基包含氘,以及鹵素包含氟,氯,漠但 是並不受限於此。具有由R2以及R3所形成之環狀結構=匕一 合物包含:
一適 準 標 家 I釐 29v> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}
A7 B7 1274756 五、發明説明(Θ D為電子施予基如上面所說明。在本發明另外一個實 施例中,有用的化合物以分子式V結構表示:
其中J為CH2,0或S。 優先地,R1 為-Q-d+i,-Q-(CH2)aCnF2n+i, CH2OCH2G1F211+1,-Q-CMCHbCd+i,-Q-CH2OCH2CF3, -Q-CH2SCH£F3,其中n為1-1〇,以及Q為不存在,〇或s。更優 先地R1為G-G。或氟取代之Q-Cio。該實施例優先化合物 以下列分子式V,結構表示:
其中R2與R3界定出-個環,其中*表示螺旋連接,或其中*表 示旋轉中心。 可加以變化,R2及R3均獨立地由下列選取出,但是並不 受限於下列··取代或未取代之Ci—Ci。烷基,取代或未取代之 適财關家樣竿(CNS)八4規格(2淑297公釐) 1274756 五、 發明説明( ·Μρ) 。烯基’取代或未取代之C2—。快基,取代或未取代之 t,取代或未取代之院芳基,取代絲取代之碳環基,替 取代之雜環基,取代或未取代之環已基,或⑽)n— H H〇n,其中1()等。更優先地,R2及R3均獨立地由 =代或未取代之絲,取代或未取代之絲基,取代或未替 代之環已_取出。更優先地,R2及R3均獨立地由下列選 取曱基,環已基,以及取代或未取代之苯基。更優先 地R2及R3-個為CH3以及另―個伙^為取代之苯基。最優 先地,R2及R3中一個為:
經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 另外一個R2及R3為CH3。 可加以變化,R2以及R3共同形成總共為3至7個主要原 子之環結構或取代之環結構,優先地為5或6個原子。優先 地,環結構為取代或未取代之碳環基,取代或未取代之^与 基,取代或未取代之環已基或環戊基。取代之環結構能夠 包含取代基包含取代基包含氣,以及鹵素包含氟,氯,漠令 是並不受限於此。具有由R2以及R3所形成之環狀結構之化 合物包含: 衣紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(21〇 X 297公釐) 1274756
D為電子施予基如上面所說明。 本發明部份關於光學波導,該光學波導由具有本發明 色基之聚合性薄膜所構成。在本發明優先實施例中,光學 波導由具有下列分子式VI薄膜介質所構成:
VI P以及F為聚合物主要鏈單元,其能夠為相同的構造單 元或不_構料元,以及C為解鮮元,其巾福異於零 之整數以及η’為〇或異於零之整數。能夠使用於本發明中 之聚合物以及共聚合物已說明於例如美國第5〇44725,4795 664, 5247042, 5196509,4810228, 4936645, 5326661, 518723 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 4, 5170461,5133037, 5106211,以及5006285號專利中,每一 專利之說明在此加入作為參考。本發明聚合物能夠為同聚 合物或共聚合物。優先聚合物以及共聚合物包含丙烯酸酯 ,乙烯羧酸酯,取代芳香乙烯基,乙烯齒素化物,羧酸酯,烯 屬烴,二烯屬烴,芳香乙烯基,甲基丙烯酸_,乙烯氯化物, 乙烯醋酸醋,乙烯峻,乙烯,丙烯,異丁烯,丨—丁烯,異戊二烯 本紙張尺度通用Τ國國豕標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 1274756 A7 B7 27 五、發明説明 經濟部中夬標準局貝工消费合作社印製 ,笨乙烯等。 優先地,本發明聚合物包含外部場導致之指向以及對 準之懸附側鏈。優先地,聚合物主鏈能夠為結構形式例如 為聚乙烯,聚氧烧撐,聚矽氧烷,聚凝縮等。聚合物能夠藉 由傳統方式塗覆至支撐基質,例如旋轉塗覆,浸潰塗覆,喷 灑,Langmuir-Blodgett沉積等。在製造後,本發明薄膜光 學波導介質能夠受到外部場影響使聚合物側鏈朝某一方向 以及單軸地對準。在一種方法中,聚合物介質加熱接近至 或高於聚合物玻璃轉變溫度Tg,再對可移動色基分子施加 外部場(例如DC電場)以使色基聚合物側鏈產生單軸分子對 準或外來物-宿主系統中外來物平行於所施加之場,以及介 質被冷卻時亦保持外部場效應。 S為具有線性鏈長度為2-12原子之懸附間隔基。能夠 使用於本發明之懸附間隔基已說明於例如美國第5〇44725,4795664, 5247042, 5196509,4810228,4936645, 5326661,51 87234, 5170461,5133037, 5106211,以及5006285號專利中, 每一專利之說明在此加入作為參考。 Μ為具有分子式I,分子式I’,分子式π,分子κΠΙ,分 子式IV,分子式IV’,分子式V,或分子式V,,如先前所說明。 本發明部份關於光學裝置,該光學裝置由具有本發明 波導所構成。光學裝置已說明於例如美國第5044725,4795664, 5247042, 5196509, 4810228, 4936645, 5326661,518723 4, 5170461,5133037, 5106211,以及5006285號專利中,每一 專利之說明在此加入作為參考。優先光學裝置包含雷射頻 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210x297公釐) (請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁)
*1T
A7 B7 1274756 五、發明説明(<1) 率轉變H,光學干涉做_,寬義帶電光導引光波類比 ,數值轉.rf,及光學參數裝料,如說明於美國第娜以 5號專利,該專利之說明在此加入作為參考。 本發明更進—步藉由下舰例列舉出,這些範例只作 為說明本發明。這魏顺不期望或構成關本發明之範 圍。 範例: 範例1:二氰曱撐二氳呋喃一般合成 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 f -78 C.下姐中在〇· 3莫耳t-BuU點滴地加入在150ml 乾職F中之〇. 33莫耳乙基乙烯轉溶液。檀拌混合物以及 緩慢地加溫至(TC以及接著冷卻至—78〇c。其次,溶解於最 小乾燥THF中0· 25莫耳環已基苯基嗎點滴地加人。混合 物在室溫下攪拌至第二夜,再使fflHC1/Me〇H/THF/H2〇溶液 酸化至pH為1-4。在攪拌該混合物二小時後,大部份溶劑混 合物使用旋轉蒸發器加以蒸發。其餘混合物利用乙醚(3χ 1〇〇毫升)抽取出。有機溶液再利用NaHC〇3,鹽水,以及去離 子水清洗。該混合物置於無水MgS〇4上加以乾燥。在蒸發 乙醚後,粗產物利用柱層析加以淨化(已烷中5%乙酸)以產 生純的α -羥基酮類(3〇公克)。 上述合成羥基酮類(〇· 〇2莫耳)與以冰浴冷卻乙醇中丙 二腈(0· 04莫耳)混合。20毫升之1M NaOGH5/EtOH點滴地加 入。攪拌混合物至第二天。在利用濃HC1中和至邱為6,利用 真空蒸發將溶劑去除。其餘固體溶解於⑶‘2以及加以過濾 以去除未溶解固體。在蒸發CH^2後,粗產物利用由乙醇再結 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4祕(21〇Χ297公釐) 1274756 五、發明説明(成) 晶加以淨化以得到二氰甲撐二氫呋喃化合物(1. 25公克)。 可加以變化,優先地上述合成之羥基酮類(0. 02莫耳) 混合丙二腈(〇· 〇4莫耳)以及碳酸鉀(〇· 〇2莫耳)於別代仙毫 升)以及EtOH(2毫升)中。觸媒18-醚加入該混合物中。混 合物再加以攪拌以及迴流至第二天。過濾掉固體,接著蒸 發掉大部份溶劑。粗混合物利用柱層析法(αΐ£ι2)加以淨化 以得到底下所顯示二氰甲撐二氫呋喃化合物(1. 5公克),其 溶點MP=194-196。(:。
範例2:配製二氰甲撐二氫呋喃為主之電子承受體 經濟部中央摞準局貝工消費含作拉印$ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
在-78 C下將176毫升t-BuLi點滴地加入至乙基乙稀醚 (28. 8公克在3〇〇mi之THF)溶液。混合物緩慢地加溫至〇°c 以及接著冷卻呈―78°C。環已酮(30公克在30毫升THF中)點 滴地加入以及混合物緩慢地加熱至室溫以及再攪拌4小時 。甲醇(70毫升),水(20毫升)以及濃HC1(10毫升)溶液緩慢 地加入持續到得到pH為2-3。在室溫下攪拌該混合物至第 二天以及加入NaHC〇3加以中和至pH為7以及蒸發水份以及 溶劑。固體利用NaHC〇3(50毫升),鹽水(100毫升),以及置 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Μ規格(2i〇X297公釐) 1274756 at B7 五、發明説明(识) 於無水MgS〇4上加以乾燥。在去除醚後在真空中蒸餾中間 產物得到36公克。 ' CH2(CN)2(13· 2公克)以及 NaOC2Hs(0· 1 莫耳)混合於 冰域中。以上述所說明方法配製出以及溶解於最少以〇幵中 之大約14. 2公克中間產物點滴地加入以及在室溫下加以授 拌至第二天。混合物以8毫升濃HC1加以中和至pH為6· 〇以 及固體材料被滤除以及其餘溶液被蒸發。溶液殘餘物溶解 於CM:%再加以過濾,接著蒸發CH^。其餘混合物由乙醇( 150毫升)再形成結晶得到底下所示6· 1公克最終化合物(mp =239-24ΓΟ。 30 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
範例3:配製二氰甲撐二氫吹喃為主之電子承受體 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 在-78°C下將110毫升t-BuLi點滴地加入至乙基乙烯醚 (21. 6公克在300ml之THF)溶液。混合物緩慢地加溫至〇°c 1以及接著冷卻至-78°C。5, 4,-二氯乙醯苯(30· 5公克)溶解 於150毫升THF中以及再點滴地加入。混合物在室溫操作至 第二天。再反應完成後加入甲醇(70毫升),水(20毫升)以 及濃HC1 (10毫升)溶液。混合物pH值調整至4以及攪拌該混 合物至第二天。加入NaHCOa以中和至pH為7。混合物利用 乙醚(3x100毫升)抽取出。有機酸混合物再利用NaHC〇3(50 宅升),鹽水(100毫升)清洗,以及置於無水MgS〇4上加以乾 燥。中間產物真空蒸餾得到55公克產物。 本紙張尺度通用中國國家棣準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1274756 A7 B7_五、發明説明(jC?)CH2(CN)2(13· 2公克)以及1M NaOGIKO· 1莫耳)混合於冰 域中。以上述所說明方法配製出以及溶解於EtOH中之大約 15公克中間產物點滴地加入以及在室溫下攪拌至第二天。 混合物以8毫升濃HC1加以中和至pH為6. 0以及固體材料被濾 除以及其餘溶液被蒸發。溶液殘餘物溶解於CH2C!2,再加以過 濾,接著蒸發CH£i2。其餘混合物由乙醇(150毫升)再形成結 晶得到庳下所示之5· 5公克最終化合物(MP=ll〇-lirc ;152-153°C;以及222-224°C,由左而右)。 11 3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-、1T 經濟部中央標率局員工消费合作社印製 範例4:配製雙-[N,N-二(2-乙醇)氨基)次苯基-3-癸基-2- 口塞吩] NaOGIK 1M在乙醇)點滴地加入3-癸基-2-甲基三丁基 磷噻吩溴化物(26公克,0_ 05莫耳)以及200毫升N,N-二-乙 醇氨本基酸^12. 6公克,0· 06莫耳)。所形成混合物再迴流 98小時。由油浴去除該反應作用後,溶劑蒸發掉,以及殘餘 物利用乙醚(3x100毫升)抽取出。混合醚混合物利用水( 100毫升),鹽水(2x100毫升)清洗,以及置於無水MgS〇4上加 以乾燥。在去除溶劑後,殘餘物在矽石使用5〇%醋酸乙酯, 10%丙_,以及40%已烷柱層析加以淨化(已烷中5%乙酸)以 得到16公克純的標題之化合物。碳與中子NMR符合該結構。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210x297公釐)33 1274756
五、 發明説明('㈠ 32 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 範例5:配製雙—[N,N—二(2-乙醇)氨基)次苯基-2-遽嗯-3 -癸基-2-噻吩] 200宅升曹點滴地加人具有上述合成化合物⑽44公 ,,〇·0243莫耳)燒瓶巾。溶液冷卻至—78。⑶及n—BuU(32 =升,2·5Μ於已烧中}。混合物麟2小時,接著加人腳(6 毫升)。所形成溶液在室溫下攪拌至第二天。在加入HC1( 2M,5〇毫升巧及攪拌!小時後,曹被蒸發掉。殘餘物利用 乙^(3x100毫升)抽取出。混合有機混合物糊乙鍵(3χ 1〇〇毫升)抽取。混合有機溶液利用飽和NaC〇3溶液(5〇毫升 ),水(1GG毫升),鹽水(議毫升)清洗,以及置於無水MgS〇4 上乾燥。在蒸發溶劑後,得到目標化合物⑴·丨公克,Mp= 10M09C)。HNMR顯示該化合物非常純足以作為下一步 驟使用。 範例6:配製色基 上述醛類化合物(3公克,6· 54毫莫耳)與2-二氰甲撐一3 -氰-4, 5-二甲基-5-(3, 4-二氣苯基)-2, 5-二氫咬喃(2. 4公 克,7.27毫莫耳)加以混合以及溶解於趾〇11(3〇毫升)中。加 八一滴或二滴氮雜環已烧。混合物迴流48小時。冷卻後,過濾 $儿版固體,由EtOH再形成結晶,以及藉由秒石清除溶劑之柱 層析加以淨化以得到3· 38公克色基。進行碳與中子njjr以 及分析符合該結構。 範例7··配製色基 雙-[N,N-二(2-乙醇)氨基)次苯基-3, 4-二丁基—2-癌 吩-5-醛](〇· 3公克,0· 7毫莫耳)與2-二氰甲撐一3—氰— (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中夬梂準局員工消費合作社印製 1274756 at Β7 五、發明説明(y^) 4, 5-二甲基-5-(3,4-二氣笨基)-2, 5-二氫呋喃(〇· 23公克, 〇·7亳莫耳)加以混合於EtOH(20毫升)中。加入二滴或三滴 氮雜ί哀已烧。混合物迴流48小時。冷卻後,過滤沉澱固體, 由EtOH再形成結晶,以及藉由石夕石清除溶劑之柱層析加以 淨化。 範例8:配製高度氯化電-光聚合物 具有1,4, 5, 6, 7, 7-六氯-5-正冰片烯一2, 3-二羧酸氯化 物(2· 65公克,6. 23毫莫耳)及2, 3, 5, 6-四-氯-對一二甲苯一 α α-二醇(1. 36公克,4. 93毫莫耳),2-二氰甲撐一3一氰一4一 {Ε-(4-〇-二-(2-乙醇)氨基)次苯基—(3—癸基)禮嗯一 5] 一 Ε-乙烯}-5-甲基-5-(3,4-二氯苯基)-2, 5-二氫呋喃(1公克 ,1· 3毫莫耳)在70°C20毫升三個燒瓶中混合。£t3N(l. 26公 克在15¾升THF中)點滴地加入。混合物迴流狀小時。蒸發 一些THF後,其餘溶液緩慢點滴地加入Me〇H(3〇〇毫升)及水( 50¾升)並且激烈地授拌。過濾'沉殿之固體,再溶解於thf 中及再次地在MeOH(300毫升)中沉殿。收集固體作真空乾 燥歷時8小時以及稱重4. 5公克。聚合物藉由DSC以及TGA顯 現出特徵。Tg為152°C,·以及在空氣中分解溫度為285。(:。 雖然本發明已對列舉目的詳細說明加以說明,人們了 解該詳細說明只作為該用途,熟知此技術者能夠作出各種 變化但疋並不會脫離下列申請專利範圍所界定出之本發明 精神與範圍。
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1274756
六、申請專利範圍^-- 1· 一種具有下列分子式π之化合物
其中:其中D為電子施予基;A為電子捕取基;K為0或S# 為-Q-CIh,♦(cHOaCJM, -Q-CH2〇™^ -Q-CH2SCH2CCnF2n+i, -Q-CH2〇CH2CF35 -Q-CH2SCH2CF3, 其中11為1-1〇,3為0-10,以及q為不存在,〇或s;以及q為1 ,2,或3。 2. —種具有下列分子式hi之化合物 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂 經濟部中央標举局員工消費合作社印製 頃諳委員明示,本案修正後是否變更原實質内容 其中D為電子施予基;A為電子捕取基;J為CH2,0或SiR1 為-Q-CJWi,-Q-(CH2)aCnF2叫-Q-CH2〇CH2CnF2n+1, -Q-CH2SCH2CCnF2n+i, -Q-CH2OCH2CF3, -Q-CHzSCHzCFs, 其中n為1-10, a為0-10,以及Q為不存在,0或S;以及q為1,2, 或3 〇 3.依據申請專利範圍第1或2項之化合物,其中A包含分子單 元由下列基選取出:石肖基,氰基,_烧基,酿基,幾基,芳氧基 ,碳氨基,烷氧磺醯基,芳氧磺醯基,-CH=C(CN)2, -C(CN)=C(CN)2, S02CF3,院氧基, ‘紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1274756 A8 B8 C8 D8
六、申請專利範園 ca X
其中 X為 H,D,F,CN,船2,或 CF3。;^彻第3項之化合物,其㈣—3以及_ ,K^U—ClQ或氟取代之CrG。。 5.—種具有下恥子式Γ之化合物:
CN (I,) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 φ —個環,其巾*表示微連接,或其中*表 ,取代或林錢林狀Wl。块基 取代之基代絲取代找絲,取代或未 严p I A衣基,械或未取代之雜環基,取代或未取代之 j L ν(Η(:Η2)η,其中福卜10;其中當R2及R3由 I κ16取代Cl~Cl°烧基選取出時,r2#r3;d為電子施予之 基;B為包含一種雙價環。 亿據申。月專利|&圍第5項之化合物,其中B由下列選取出:
1274756 六、申請專利範圍 R4
R4 R4 R4 、S^ R4 、S^ -CH-CH- 1-5 R4 R4 1-3 -CH=CH- 1-3 R4 、S, -CH=CH"CH=CH- \為H, OH, G-G。烷基,婦基,块基,或幽i R2及R3均獨立地由下列選取出:取代絲取代之 ,取代或未取代之㈤烯基,取代或^ =基 桃狀綠’械絲械找綠取=基未 基,取代或未取代之雜環基,取代或未取代i 衣已基,或(CH2)n-CKCH2)n,其中 1〇; 3 均獨立地由下列選取出:取代或未取代之 3取代或未取代之稀基,取代或未取代之快基,取代或 之方基,取代或未替代之燒芳基,取代或未取代之 厌咸取代絲取狀雜縣,取代絲取代之環6基。 t紙張尺度適用中國 1274756 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 •一種具有下列分子式IV,之化合物:
經濟部中央標率局員工消費合作社印製 其^與R3界定出一個環,其中*表示螺旋連接,或其中木表 不方疋轉中心;或R2及p均獨立地為取代或未取代之Ci—Ci〇 燒基,取代或未取代之CrCio稀基,取代或未取代之〇G。 快基’取代或未取代之芳基,取代或未取代之烧芳基,取代 或^取代之碳環基,取代或未取代之轉基,取代或未取代 之環已基,或(CH2%-(HCHOn,其中η為1-1〇; D為電子施予基; Κ為0或S; R 為-Q-Cnlku,-Q-(CH2)aCnF2n+1,-Q—CH2〇CH2CnF2n+1, Q Q^SCikCd,-Q-CH2〇CH2CF3,或-Q—CH2SCH2CF3 其中n為1-10, a為(M〇,以及q為不存在,〇或s;以及咖,2, 或3; 或者,其中R2及R3均獨立地由下列選取出:取代或未取代之芳 基’取代或未取代之烧芳基,取代或未取代之環已基或環戊 基。 8· —種具有下列分子式ν’之化合物:
1请先閲讀背面之法意事項存填寫本寅〕 If— 1274756
a、申請專利範圍
經濟部中央襟隼局員工消費合作社印製 界疋? 一個環,其中*表示螺旋連接,或其中*表 =轉中心;献灿3均獨立地為取代或未取代之Ci—Ci。 =’取代絲械之G2_Gl(#基,取錢未取代之 代絲取代之絲,取代絲取代之絲基,取代 二ίί之碳環基,取代或未取代之雜環基,取代或未取代 辰土,或(CH2)n-〇-(CH2)n,其中瞒卜价 D為電子施予基; J為CH2, 〇或S; ^ R ^Q-CnH2„+1, -Q-(CH2)aCnF2nH, -Q~CH2〇CH2CnF2n+l, 2SCH2CCnF2n+i, -Q-CH2OCH2CF3, ^-Q-CH2SCH2CF3 其中n為1-10, a為(MO,以及Q為不存在,〇或s; 其中R及R3均獨立地由下列選取出:取代或未取代之芳 二,或未取代找絲,取代或未取代之碳環基,取代或 代之雜環基,替代或未取代之環已基。 9直依據中請專利範圍第1,2, 5, 7或8任何-項之化合物, =D為笨環,藉由下列選取出基在相對位置取代··氣基,烷 ni^i,—錄氨基,二絲苯胺,卜.定基,卜鴨基,卜 基’酸氨基,錄,硫醇基,絲硫醇基,芳基硫醇基,烷 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) II - I n · ! ! I 、IT— —- n m n If! 1274756 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 以 六、申請專利範圍 氧基,芳氧基,烷基,乙烯基,;I,2, 3, 4-四氫喹啉等。 \〇·依據申請專利範圍第5, 7或8任何一項之化合物,其中 R及R均獨立地由下列選取出··苯甲基,環已基,環戊基,以 及取代或未取代之苯基; 或者,其中R2及R3中-個為服以及另一個為取代之苯 基; 或者,其中取代之苯基為
C1 -¾ 為不同的以及兩者由取代或未取代之G—Ci。燒基 輸其他 :依:===:=均 未取代之r r μ 似未取代之Cl—Q完基,取代或 或未取代之以。炔基,取代或 «,取代^未32_之燒芳基,取代或未取代之碳 似未取代之雜環基,取 及⑽VO-崎其中如瓜取代认已基, 其中a為1-3以及rL^i—3,或 其中R1為C4—Cl°或氟取代之Μ"
^74756
、申請專利範圍 12. 薄^學波導由具有具打浙子量狀 Pfc] S IΜ Ρ Ρ··-[〇 η, Μ or Ρ. Ρ,——S、/ Μ VI -、中·Ρ以及ρ為聚合物主要鏈單☆ C為共單體單元,· s為具有線’ft鏈長度界於2—12軒之附屬間隔基,· η為大於零之整數; η’為0或大於零之整數;以及 Μ為申請專利範圍第1項至11項之任何一種化合物。 13. 依據申請專利範圍第12項之光學波導,其中光學波導構 成光學裝置。 14. 依據申請專利範圍第13項之光學波導,其中光學裝置為 下列裝置之一:雷射頻率轉變器,光學干涉儀波導閘,寬廣 頻帶電光導引光波類比至數值轉變器,及光學參數裝置。 15· —種配製電子捕取基之方法,該方法包含下列步驟: a) 提供院基乙稀g迷; 經濟部中央標李局員工消費舍作社印製 b) 將烷基乙烯醚與強鹼接觸以形成第一中間.化合物; c) 將第一中間化合物與酮類接觸以形成第二中間化合物; 以及 d) 將第二中間化合物在存在鹼類情況下與二氰曱烷反應 以形成電子捕取基; 各紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2ι〇χ297公釐) 1274756 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 其中烧基乙烯鱗在溶劑中, 溶劑為四氫咲喃或1,4-二。惡烧; 其中烧基乙_分子式為CH3_(CH2)X|CH=CHR4,其中χ為卜3 以及R4為Η或G-C4烷基; 其中烧基乙細謎為甲基乙稀醚或乙基乙烯_。 16. 依據申請專利範圍第項之方法其中強驗具有_值 大於乙靈C-Η鍵結α至烷基乙烯醚之氧功能基。 17. 依射請專概圍第π項之方法,射&為烧紙 或者強鹼為t-BuLi或次-BuLi。 1,依據申請專利範圍第15項之方法,其中酉同類分子式為 R -C(=0)R,其中R2及p均獨立地由下列選取出:取代以及 未取代之G-U錄選取$,取代以及未取代之q_Ciq烯 基,取代或未取代之Cr~Ci。快基,取代或未取代之芳基,替 代或未取代之烷芳基,取代或未取代之碳環基,取代或未替 代之雜環基,取代或未取代之環已基,以及(CHOKCHA, 其中η為1-10; 或者,其中R2及R3均獨立地由苯甲基,環已基,環戊基,以及 取代或未取代之苯基選取出; 或者,其中R2及R3中一個為(^3以及另一個R2&R3為取代之笨 基。 |9·依據申請專利範圍第項之方法,其中第二鹼為金屬烴 氧化物;其中金屬烴氧化物為Na〇GH5。 核張尺度適用 fm^m{ CNS ) A4mrr2lOX291^ ) (請先閲讀背面之注意事項存填寫本貰) I--------------—-----IT------Is---
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