TWI274317B - Electro-optical apparatus and electronic machine - Google Patents

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TWI274317B
TWI274317B TW093125556A TW93125556A TWI274317B TW I274317 B TWI274317 B TW I274317B TW 093125556 A TW093125556 A TW 093125556A TW 93125556 A TW93125556 A TW 93125556A TW I274317 B TWI274317 B TW I274317B
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film transistors
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TW093125556A
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Hiroaki Mochizuki
Masahide Uchida
Yasuji Yamasaki
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Description

1274317 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於例如液晶裝置等之光電裝置的驅動電 路、該光電裝置’及具備它們之例如液晶投影機等電子機 器的技術領域。 【先前技術】 此種驅動電路,係例如在液晶裝置等光電裝置的基板 上,整合製作了用來驅動資料線的資料線驅動電路、用來 驅動掃描線的掃描線驅動電路、用來取樣影像訊號的取樣 電路等。而在其動作時,取樣電路會以來自資料線驅動電 路所供給之取樣電路驅動訊號的時序,將影像訊號線上所 供給的影像訊號予以取樣,並供給至資料線而構成。 甚至,爲了 一邊抑制驅動頻率的上升同時實現高精細 的影像顯示,而先將序列的影像訊號,轉換成例如3相、 6相、1 2相、24相、…等複數之平行的影像訊號(亦即相 展開),再透過複數跟影像訊號線而對該當光電裝置進行 供給之技術,已經被實用化了。此時,複數的影像訊號, 是藉由複數的取樣開關而同時被取樣,對複數條資料線同 時進行供給而構成。 此外,在本案中,將此種轉換稱爲“序列-平行”轉 換。 可是在此同時,若根據此種同時驅動複數條資料線的 驅動電路,則構成取樣電路的複數取樣開關的複數薄膜電 -5- (2) 1274317 晶體(以下適宜地簡稱爲“TFT” )彼此間的寄生電容,造 成沿著資料線的像素列間發生影像訊號干涉’多多少少會 造成影像不良。 然後,尤其是被同時驅動的資料線所構成之群組的交 界處,存在者所謂鬼影或串音這類影像不良被顯著確認的 技術問題。這類鬼影等之影像不良,係如後述根據本發明 人的硏究所發現,是構成取樣電路的複數薄膜電晶體之 中,隔著被同時驅動的資料線所構成之群組的交界而相鄰 的兩薄膜電晶體間的寄生電容所造成的。 【發明內容】 本發明係有鑑於例如上記問題點而硏發,課題在於, 提供一種例如液晶裝置等之光電裝置的驅動電路、該光電 裝置、以及例如液晶投影機等電子機器,其爲在同時驅動 複數條資料線之際,尤其是由被同時驅動之資料線所成之 群組交界處得以順暢化,取樣電路內的薄膜電晶體彼此間 的寄生電容所致之影像不良能夠得以降低者。 本發明的光電裝置之第1種驅動電路係爲了解決上記 課題,係屬於驅動以下之光電裝置的驅動電路,該光電裝 置係在位於基板上的影像顯示領域內,具備互相交叉配置 的複數掃描線及複數資料線和連接至前記複數掃描線及前 記複數資料線的複數像素部;在位於前記基板上的前記影 像顯示領域周邊的周邊領域內,具備受到經過序列-平行 轉換的n(其中,η爲2以上的自然數)個影像訊號供給之η -6 - (3) 1274317 條影像訊號線;其中,前記周邊領域內,除了分別具備 有:(i)與從前記資料線起往前記資料線延伸方向延展設置 之汲極配線相連接的汲極、(ii)與從前記影像訊號線起往 前記資料線延伸方向延展設置之源極配線相連接的源極、 (iii)在前記資料線延伸方向上被挾持在前記汲極配線及前 記源極配線間而延展設置的閘極,同時還具備有:含有對 應於前記複數資料線而配列之複數薄膜電晶體的取樣電 路;和將取樣電路驅動訊號,針對前記複數資料線之中會 被同時驅動之被η條資料線所連接之n個薄膜電晶體之每 一群組,供給至前記閘極的資料線驅動電路;前記複數薄 膜電晶體之中隔著前記群組的交界而相鄰的兩個薄膜電晶 體係被配置成,挾持前記閘極之前記源極配線和前記汲極 配線的排列方式爲彼此相反之狀態。 若根據第1種驅動電路,則構成取樣電路的作爲取樣 開關的薄膜電晶體的汲極配線、閘極及源極配線,係在資 料線的延伸方向,例如縱方向或Υ方向上延伸設置。而 且’複數的薄膜電晶體,係對應於複數資料線,而在例如 橫方向或X方向上被配列著。 在其動作時,供給至η條影像訊號線的經過序列-平 行轉換(亦即,相展開)的η個影像訊號,係在每一構成取 樣電路的η個薄膜電晶體群組內,分別受到取樣,而對η 條資料線同時供給。其他還有,例如來自掃描線驅動電路 的掃描訊號是對掃描線依序供給。藉此,例如在具備像素 開關用TFT、像素電極、積存電容等的像素部中,例如液 (4) 1274317 晶驅動等之光電動作是以像素單位而進行。 此處若根據本案發明人的硏究,則確認到,一般而 言,在同時驅動η條資料線的時候,於取樣電路內,因爲 相鄰薄膜電晶體間的寄生電容,導致被同時驅動的η條資 料線及連接至鄰接它們的資料線上的薄膜電晶體的源極配 線及汲極配線間彼此的電位變動影響所及的結果,將導致 鬼影或串音的.發生。而且尤其發現到,取樣電路內相鄰的 薄膜電晶體間的寄生電容之中,對於顯示影像有顯著不良 影響的,就是隔著群組交界的寄生電容。更具體而言,由 於藉由在同一群組內的相鄰薄膜電晶體間的寄生電容,只 會以例如數// m〜數十// m程度之狹窄配線間隙而相鄰的 線(line,亦即沿著資料線的像素列)間來顯示鬼影等,因 此在人類視覺上幾乎或是完全無法鑑別。相對於此,藉由 隔著群組交界而相鄰的薄膜電晶體間的寄生電容,在未施 予任何對策的情況下,會如下所述般的,產生會被人類視 覺所識別的鬼影。 亦即,例如,假設源極配線、閘極及汲極配線的排列 方式爲取樣電路全領域統一之僅有複數薄膜電晶體被配列 的情況。此時,第M(M爲自然數)號群組中的最初薄膜電 晶體和第M+ 1號群組中的最初薄膜電晶體,係連接至同 一個第1號影像訊號線。此處,藉由第Μ號群組中的最 初薄膜電晶體(以下爲了方便起見,簡稱爲“第nTFT”) 和第M + 1號群組中的最初薄膜電晶體(以下爲了方便起 見,簡稱爲“第η+lTFT”)之間的寄生電容,導致:(i)第 1274317 (5) 1號影像訊號線的電位變動,會從第n+1 TFT的TFT的源 極配線往第nTFT的汲極配線傳達。如此一來,將會導致 在第nTFT前者將第η號影像訊號線的影像訊號供給至資 料線之際,對該當影像訊號而言,會隨著上述隔著交界的 寄生電容而產生了對應於來自第n+lTFT源極領域所傳達 之第L號影像訊號線上之影像訊號的電位變動。或者’(H) 第η號影像訊號線的電位變動,會從第nTFT的TFT源極 配線往第n+1 TFT的汲極配線傳達。如此一來’將會導致 在第n+1 TFT將第1號影像訊號線的影像訊號供給至資料 線之際,對該當影像訊號而言,會隨著上述隔著交界的寄 生電容而產生了對應於來自第nTFT源極領域所傳達之第 η號影像訊號線上之影像訊號的電位變動。尤其是’第 Μ+1號群組中的第η號所該當之時序的影像訊號,會透過 第Μ號群組的第η號源極而輸入至第Μ +1號群組的第1 號汲極,而成爲離開η-1條之距離的鬼影,因爲距離太遠 而非常顯眼。 無論上記⑴及(ii)的情況,上述之隔著交界的寄生電 容,將導致之各群組內第1號和第η號的資料線間,例如 響應著顯示影像的明暗,而在群組交界處顯示白線或黑線 的鬼影。而且,此種鬼影等,由於是以被同時驅動之資料 線的寬度,例如數// m〜數十μ m程度X (η-1個)的距離而 間隔存在,因此在人類視覺上會被認出或是非常顯眼,而 以鬼影的樣態被顯示出來。 但若根據本發明,則隔著同時驅動η條資料線的.η個 1274317 (6) 薄膜電晶體所成之群組的交界而相鄰之兩薄膜電晶體(亦 即第nTFT及第n+lTFT),係被配置成,挾持閘極的源極 配線和汲極配線的排列方式爲彼此相反之狀態。亦即,例 如一方之薄膜電晶體,是以源極配線、閘極及汲極配線的 順序而排列的時候,另一方之薄膜電晶體,則以汲極配 線、閘極及源極配線的順序而排列,汲極配線和汲極配線 是隔著群組交界而相鄰。又,源極配線和源極配線是隔著 群組交界而相鄰。 因此,如上述,第 n+lTFT的電位變動,對於第 nTFT之群組中的最後一個薄膜電晶體,即使會隔著兩者 間的寄生電容而影響,亦可將其予以抑制。亦即,若是第 nTFT的汲極配線和第n+l TFT的汲極配線爲相鄰,則由 於後者是隔著在第n+1 TFT爲ON之時序上呈非導通狀態 的第η薄膜電晶體而和第1號影像訊號線相連接,因此該 電位變動便幾乎不會傳達至前者。又,若是第nTFT的源 極配線和第n+1 TFT的源極配線爲相鄰,則由於任一配線 都是直接連接至影像訊號線而成爲穩定的電位,因此彼此 間的電位變動之影響,基本而言其性質上是屬輕微。因 此,各群組內,在第1號和第η號的資料線間,寄生電容 所致之鬼影等會幾乎或在實用上完全不會發生。 以上的結果,若根據本發明的第1種驅動電路,則可 降低因取樣電路內的薄膜電晶體間的寄生電容所導致在被 同時驅動之資料線交界處所發生的鬼影等,而可顯示高品 位的影像°況且’可~邊抑制此種寄生電容所致之顯示影 -10- 1274317 (7) 像的不良影響,同時使得取樣電路內的薄膜電晶 變得更窄,因此亦可達成資料線的窄間隙化、亦 窄間隙化,而可進行高精細度的影像顯示。 本發明之第1種驅動電路的一態樣中,前記 群組中,前記η個薄膜電晶體,係除了隔著前記 鄰之兩個薄膜電晶體之一者以外,前記排列方式 之狀態。 若根據該樣態,則對於源極配線、閘極及汲 排列方式是呈統一的構造而言,只要隔著交界而 薄膜電晶體之一是和該排列方式相反,即可簡單 發明的第1種驅動電路。 本發明之第1種_動電路的其他態樣中,前 組中,前記η個薄膜電晶體,係前記排列方式呈 相鄰兩群組間,前記排列方式爲彼此相反。 若根據該樣態,則對於源極配線、閘極及汲 排列方式是呈統一的構造而言,只要以群組單位 式彼此相反,即可簡單地獲得本發明的第1種驅 本發明之第1種驅動電路的其他態樣中,前 薄膜電晶體,係依照其配列順序而呈挾持前記閘 源極配線和前記汲極配線的排列方式爲彼此相反 η爲偶數。 若根據該樣態,則序列-平行轉換數(亦即才 的η,係爲偶數。亦即,例如是每6條、12條 的資料線同時驅動。此處,複數的薄膜電晶體, 體的間隙 即像素的 前記每一 交界而相 爲呈統一 極配線的 相鄰的兩 地獲得本 記每一群 統一,且 極配線的 使排列方 動電路。 記複數之 極之前記 ;且前記 目展開數) 、24條等 係依照它 -11 - 1274317 (8) 們的配列順序而呈挾持前記閘極之前記源極配線和前記汲 極配線的排列方式爲彼此相反,因此位於各群組交界的該 排列方式,係總是爲相同。亦即,各群組的所有交界中, 都是源極配線彼此相鄰或汲極配線彼此相鄰。因此,無論 哪個交界,都能一律降低寄生電容。例如,令η爲奇數, 藉由群組交界而使源極配線彼此相鄰,或是汲極配線彼此 相鄰,就可使寄生電容的參差防患於未然。此時,在群組 交界處只要總是保持源極配線彼此鄰接的構成,則任一源 極配線都是直接連接影像訊號線而呈穩定電位,因此彼此 間的電位變動影響,基本而言其性質上是輕微的。反之, 若在群組交界處採用總是保持汲極配線彼此相鄰之構成, 則第n+1 TFT的汲極配線係透過非導通狀態的薄膜電晶體 而和第1號影像訊號線連接,因此該電位變動,幾乎不會 傳達至第nTFT。因此,無論哪種情況,寄生電容所致之 鬼影等會幾乎或在實用上完全不會發生,因而極爲有利。 本發明之光電裝置之第2種驅動電路係爲了解決上記 課題,而在位於基板上的影像顯示領域內,具備互相交叉 配置的複數掃描線及複數資料線和連接至前記複數掃描線 及前記複數資料線的複數像素部;在位於前記基板上的前 記影像顯示領域周邊的周邊領域內,具備受到經過序列· 平行轉換的n(其中,n爲2以上的自然數)個影像訊號供 給之η條影像訊號線;前記周邊領域內,除了分別具備 有:(i)與從前記資料線起往前記資料線延伸方向延展設置 之汲極配線相連接的汲極、(ii)與從前記影像訊號線起往 -12- (9) 1274317 前記資料線延伸方向延展設置之源極配線相連接的源極、 (iii)在前記資料線延伸方向上被挾持在前記汲極配線及前 記源極配線間而延展設置的閘極,同時還具備有:含有對 應於前記複數資料線而配列之複數薄膜電晶體的取樣電 路;和將取樣電路驅動訊號,針對前記複數資料線之中會 被同時驅動之被η條資料線所連接之η個薄膜電晶體之每 一群組’供給至前記閘極的資料線驅動電路;前記複數薄 膜電晶體之中隔著前記群組的交界而相鄰的兩個薄膜電晶 體的間隙’係設定成大於前記群組內相鄰之兩薄膜電晶體 的間隙。 若根據本發明之箄2種驅動電路,則可和上述本發明 之第1種驅動電路同樣地動作。第2種驅動電路中,尤其 是,隔著同時驅動η條資料線的η個薄膜電晶體所成之群 組的交界處而彼此相鄰兩薄膜電晶體(亦即第nTFT及第 n+l TFT)的間隙,係被設定成大於群組內相鄰之其他薄膜 電晶體的間隙。因此,如上述,第n+1 TFT的電位變動, 對於第nTFT中之最後薄膜電晶體,即使透過兩者間的寄 生電容而影響,仍可響應著被設定成較大的間隙而予以抑 制。因此,各群組內,第1號和第η號的資料線間,寄生 電容所致之鬼影等幾乎或實用上完全不產生。 以上的結果,若根據本發明的第2種驅動電路,則可 進行高精細度的影像顯示。而且,除了面對交界的間隙, 亦即群組內的薄膜電晶體的各間隙都可變窄,因此亦可達 成資料線的窄間隙化、亦即像素的窄間隙化,而可進行高 -13 - (10) 1274317 精細度的影像顯示。 本發明之第2種驅動電路的一態樣中,隔著前記交界 而相鄰的兩個薄膜電晶體的間隙內,係被配線有連接至前 記閘極的閘極配線的一部份。 若根據該樣態,則可有效利用群組交界上的大間隙, 而將閘極配線的一部份予以配線。藉此,訊號可從複數經 路而輸入至閘極配線。再加上,若利用該當大間隙來形成 備援的閘極配線,則即使閘極配線的一部份發生斷線,也 能防範整體裝置的缺陷於未然。 本發明之第1或第2種驅動電路的其他態樣中,隔著 前記交界而相鄰的兩個薄膜電晶體,係前記源極配線彼此 爲相鄰配置。 該態樣中,由於在群組交界處有源極配線彼此相鄰, 因此任一源極配線都是直接連接影像訊號線而呈穩定電 位,因此彼此間的電位變動影響,基本而言其性質上是輕 微的。或者,原本受限於配線電容而相對地容易受到電位 變動影響的資料線所連接之各汲極配線,由於係位於各群 組的內側,因此對該各汲極配線的電位變動實際上會小於 先前技術者。因此,在各群組內,第1號和第η號資料線 間,寄生電容所致之鬼影等會幾乎或在實用上完全不會發 生。 本發明之第1或第2種驅動電路的其他態樣中,隔著 前記交界而相鄰的兩個薄膜電晶體,係前記汲極配線彼此 爲相鄰配置。 -14- (11) 1274317 該態樣中,由於群組交界處有汲極配線彼此相鄰’因 此第n+lTFT的汲極配線係透過非導通狀態的薄膜電晶體 而和第1號影像訊號線連接,因此該電位變動’幾乎不會 傳達至第nTFT。因此’在各群組內’第1號和第η號資 料線間,寄生電容所致之鬼影等會幾乎或在實用上完全不 會發生。 本發明之光電裝置之第3種驅動電路係爲了解決上記 課題,而在位於基板上的影像顯示領域內,具備互相交叉 配置的複數掃描線及複數資料線和連接至前記複數掃描線 及前記複數資料線的複數像素部;在位於前記基板上的前 記影像顯示領域周邊的周邊領域內,具備受到經過序列-平行轉換的η(其中,η爲2以上的自然數)個影像訊號供 給之η條影像訊號線·,前記周邊領域內,除了分別具備 有:(i)與從前記資料線起往前記資料線延伸方向延展設置 之汲極配線相連接的汲極、(ii)與從前記影像訊號線起往 前記資料線延伸方向延展設置之源極配線相連接的源極、 (111)在則記資料線延伸方向上被挾持在前記汲極配線及前 記源極配線間而延展設置的閘極,同時還具備有:含有對 應於前記複數資料線而配列之複數薄膜電晶體的取樣電 路·’和將取樣電路驅動訊號,針對前記複數資料線之中會 被同時驅動之被η條資料線所連接之n個薄膜電晶體之每 一群組’供給至前記閘極的資料線驅動電路;前記複數薄 膜電晶體之中隔著前記群組的交界而相鄰的雨個薄膜電晶 體的一者’係往前記資料線的延伸方向錯開而配置。 -15- (12) 1274317 若根據本發明之第3種驅動電路,則可和上述本發明 之第1種驅動電路同樣地動作。第3種驅動電路中,尤其 是,隔著同時驅動η條資料線的η個薄膜電晶體所成之群 組的交界處而彼此相鄰兩薄膜電晶體(亦即第nTFT及第 η + 1 T F T)之一者,係往前記資料線的延伸方向錯開而配 置。因此,如上述,第 n+lTFT的電位變動,對於第 nTFT中之最後薄膜電晶體,即使透過兩者間的寄生電容 而影響,仍可響應著錯開量的2次元上的距離而予以抑 制。因此,各群組內,第1號和第η號的資料線間,寄生 電容所致之鬼影等幾乎或實用上完全不產生。 以上的結果,若根據本發明的第3種驅動電路,則可 顯示出減少鬼影等的高品位影像。而且,藉由將面對交界 的一方之薄膜電晶體往資料線的延伸方向錯開,理想爲將 該一方之薄膜電晶體往資料線的延伸方向錯開至大於其寬 度份量,則可使其他薄膜電晶體之各間隙縮窄。因此,亦 可達成資料線的窄間隙化、亦即像素的窄間隙化,而可進 行高精細度的影像顯示。 本發明之第3種驅動電路的一態樣中,前記兩個薄膜 電晶體之一者,沿著前記資料線的延伸方向上錯開達前記 複數薄膜電晶體的長度以上,且前記兩個薄膜電晶體之一 者中之朝向前記群組的外側的前記源極配線及前記汲極配 線之一者,是往不會對向於前記兩個薄膜電晶體之另一者 的方向而錯開。 若根據該樣態,則隔著群組交界而相鄰的兩薄膜電晶 -16- (13) 1274317 體之一者,係被錯開大於沿著資料線延伸方向的複數薄膜 電晶體的長度。因此,以群組交界相鄰的源極配線和汲極 配線的距離,可以設計得較大。而且,一方之薄膜電晶體 中之朝向群組外側的源極配線及汲極配線之一者,是以不 對向於另一方之薄膜電晶體之方向而錯開。例如,若一方 之薄膜電晶體中之朝向群組外側的配線,是從基板周邊朝 向薄膜電晶體的源極配線,則該當一方之薄膜電晶體,係 沿著資料線的延伸方向而朝向基板周邊而錯開。反之,若 一方之薄膜電晶體中之朝向群組外側的配線,是從影像顯 示領域朝向薄膜電晶體的汲極配線,則該當一方之薄膜電 晶體,係沿著資料線的延伸方向而朝向影像顯示領域而錯 開。無論.哪種情況,該一方之薄膜電晶體中之朝向群組外 側的源極配線或汲極配線,係在遭遇到相鄰之另一方薄膜 電晶體中之朝向群組.外側的源極配線或汲極配線的位置 (亦即,相對向的位置)之前就來到終端。因此,該一方之 薄膜電晶體中之朝向群組外側的源極配線或汲極配線,和 該一方之薄膜電晶體中之朝向群組外側的源極配線或汲極 配線之間的寄生電容,可更進一步降低。 此外,本態中,這些兩個薄膜電晶體,由於係沿著資 料線延伸方向而錯開達到薄膜電晶體的長度以上,因此, 此種寄生電容降低效果極爲顯著。可是在此同時,該錯開 量即使很小也能獲得相應的效果。亦即,只要沿著資料線 延伸方向多少有所錯開,則會獲得響應於錯開量的此種寄 生電容的降低效果。 -17- (14) 1274317 本發明之光電裝置係爲了解決上記課題,而具備上述 本發明之第1至第3種驅動電路(其中包含其各種態樣)’ 和前記基板、前記掃描線、前記資料線、前記像素部及前 記影像訊號線。 若根據本發明的光電裝置,則由於具備了上述本發明 之第1至第3種驅動電路,因此可顯示減少鬼影的高品位 影像,亦可進行高精細度的影像顯示。此種本發明的光電 裝置,係可當作液晶裝置、電子紙等電泳裝置、電子放射 元件所致之裝置(Field Emission Display 及 Surface-Conduction Electron-Emitter Display)等 來實現 0 本發明之電子機器係爲了解決上記課題,而具備上述 本發明之光電裝置所構成。 本發明之電子機器,由於具備上述本發明之光電裝置 所構成,因此可實現能夠顯示高品位影像的投影型顯示裝 置、電視收訊機、行動電話、電子筆記、文書處理器、取 景窗型或監視器直視型的攝錄影機、工作站、電視電話、 POS終端、觸控面板等各種電子機器。 【實施方式】 以下將一邊參照圖一邊說明本發明的實施形態。以下 的實施形態,係將本發明的光電裝置適用於液晶裝置者。 (第1實施形態) 首先’參照圖1至圖9說明本發明之光電裝置所論第 1實施形態的液晶裝置。 -18 - (15) 1274317 <顯不面板的構成> 圖1係圖示本實施形態之液晶裝置之中的顯示面板的 構成。該液晶裝置,係由驅動電路內藏型的顯示面板 1 00,和進行整體控制或對影像訊號各種處理的未圖示的 •電路部所構成。 顯示面板100,係TFT陣列基板1和對向基板(未圖 示)隔著液晶層而對向配置,藉由在影像顯示領域1 〇中的 每個區塊配列的像素部4內對液晶層施加電場使得兩基板 間的透光亮被抑制,而可將影像予以色階顯示而構成。此 外,該液晶裝置係採用TFT主動矩陣驅動方式,在顯示 面板100中,TFT陣列基板1中的影像顯示領域10內, 有複數的掃描線2及複數的資料線3呈互相交叉而配列’ 掃描線2及資料線3分別連接至像素部4 °像素部4 ’基 本上,是由包含用來將資料線3所供給之影像訊號電壓予 以選擇施加的像素開關用TFT ’和用來將輸入電壓施加並 保持於液晶層,亦即和對向電極一倂構成液晶保持電容的 像素電極所構成。 掃描線2,其兩端&例! $是連胃$胃胃^ '線2依序Μ 擇驅動之掃描線驅動電路5Α及5Β。掃描線驅動電路5Α 及5 Β,係設於影像顯示領域1 0的周邊領域’是構成爲會 將電壓從兩端往各掃描線2同時施加。 杳料線3,係透過取樣電路7而連接至供給影像訊號 Sv的影像訊號線6上。取樣電路7 ’係爲了將接收來自影 -19- ^274317 (16) 像訊號線6之影像訊號Sv的資料線3予以選擇,而是由 附設在每條資料線3的開關元件所成,該開關的動作,係 由資料線驅動電路8予以時序控制而構成。此外,預充電 電路9,係爲了在影像訊號Sv施加前,向資料線3施加 預充電位而設置。 至此爲止,顯示面板100係構成爲利用「序列-平行 轉換」而驅動·。亦即,如圖示,影像訊號線6係複數(此 處爲4條)配設,對其各自依照配列順序而連接的資料線 3 (也是4條)是被總結成1個群組,對應於資料線3的開 關元件,係藉由控制配線X(X1、X2、…)而於每群組內連 接至資料線驅動電路8。然後,來自資料線驅動電路8內 設置的平移暫存器所依序輸出之脈沖會作爲取樣電路驅動 訊號,而透過控制配線XI、X2…,依序輸入取樣電路 7。此時,組成被同一控制配線X所連接的一群組的複數 開關元件,係被同時驅動。藉此,在每一組資料線3的群 組內,影像訊號線6上的影像訊號便會被取樣。如此,一 旦對複數的影像訊號線6,同時供給了經過序列影像訊號 轉換而得的平行影像訊號,則往資料線3的影像訊號輸入 可在各群組內同時進行,因而可抑制驅動頻率。 <取樣電路的機能性構成> 圖2係顯示面板中,有關資料線驅動的電路系的圖 示。此外,同圖中,爲了簡化,而只代表性地圖示控制配 線XI、X2所連接的群組G1、. G2的資料線3的旁系,以 -20- (17) 1274317 下也僅根據這兩個群組的電路系來作更詳細的說明。 此處,影像訊號線6係4條,會分別受到影像訊號 Svl〜Sv4供給。又,取樣電路7的開關元件,具體而言 是以取樣用 TFT71的方式而構成。各取樣用TFT71,係 在資料線3上以源極-汲極間而串聯,其閘極則連接至資 料線驅動電路8,會對被選擇到的像素部4的液晶電容Cs 供給訊號電壓。此外,液晶電容Cs上亦可另外並聯積存 電容。 <取樣電路的佈局> 其次參照圖3及圖4說明取樣電路的TFT陣列基板 上的佈局。 本實施形態的取樣電路7中,並列的取樣用 TFT71 之中,隔著群組交界而相鄰的2個取樣用TFT7 1,係源極 配線和汲極配線的排列方式爲彼此相反而配置。 具體而言,取樣用TFT71是以圖3所示的佈局而配 置。複數的取樣用TFT71,係對應著控制配線XI及X2 而被群組化成群組G1及G2。群組G1及G2分別含有取 樣用 TFT71A(圖中,各群組中的左端)及取樣用 TFT71B(圖中,各群組中的右端),含有 4個取樣用 TFT71。取樣用TFT71 A,係具備:沿著資料線3的延伸 方向而延伸設置的源極配線72S及汲極配線72D,以及被 沿著資料線3的延伸方向而延伸設置的源極配線72S及汲 極配線72D所挾持而延伸設置的閘極配線72G。取樣用 -21 - (18) 1274317 TFT71B,係具備:沿著資料線3的延伸方向而延伸設置 的源極配線73S及汲極配線73D,以及被沿著資料線3的 延伸方向而延伸設置的源極配線7 3 S及汲極配線7 3 D所 挾持而延伸設置的閘極配線7 3 G。 此外,圖4係Ι-Γ線中的取樣用TFT71A的剖面構成 的放大顯示。取樣用TFT71A,係例如此般,TFT陣列基 板1之上設置的半導體層74的源極配線74S及汲極配線 74D上分別連接著源極配線72S及汲極配線72D,通道領 域74C的上層,以隔著閘極絕緣膜75而正對於通道領域 74C的方式設置有閘極配線72G,藉此以形成閘極。源極 配線72S、閘極配線72G及汲極配線72D,係藉由層間絕 緣膜76而呈彼.此電氣絕緣。此外,取樣用TFT71B也是 具有相同於圖4所示之構成。 如圖3所示,取樣用TFT71內存在兩種類的閘極領 域彼此對稱之構成的TFT71 A和TFT71B,其中源極配線 7 2 S及汲極配線7 2 D的排列方式,是和源極配線7 3 S及汲 極配線73D的排列方式互爲相反。此處,取樣用 TFT71 係在群組交界R處以TFT71A和TFT71B相鄰的方式而配 列。此外,各群組內,除了位於一方之最端部的 TFT71B,其他都是由 TFT71A所構成,其源極配線和汲 極配線的排列方式均爲統一。 <顯示面板的動作> 此種顯示面板1 〇〇中,一水平掃描期間中將影像訊號 -22- 1274317 (19) S v供給至各資料線3之際,藉由資料線驅動電路8以所 定的時序依序將控制訊號輸入至控制配線XI、X2、···, 以各群組別控制取樣用TFT71的ΟΝ/OFF。同步於該取樣 控制,各群組之中的取樣用TFT71呈ON狀態,允許訊號 輸入之群組的各資料線3所對應之影像訊號Svl〜Sv4, 會在影像訊號線6上被取樣,而同時供給至對應之4條資 料線3。 現在,假設控制配線X1上施加有電壓,且對於群組 G1供給有影像訊號Svl〜Sv4(參照圖2及圖3)。此時, 只有群組G1的取.樣用TFT71呈ON狀態,其他以外的取 樣用TFT71全部都呈OFF狀態。因此,群組G1的取樣用 TFT71的源極配線72S、73S,以及汲極配線72D、73D .上,分別施加有響應著所輸入之影像訊號Sv(Svl〜Sv4) 的電壓。 此時,相鄰的兩取樣用TFT71彼此間,以隔著介電 體膜而對向於層間絕緣膜76的方式而發揮電容電極機能 的配線部份之間會存在有寄生電容。然後,此種寄生電容 尤其在最接近配線間會特別大。寄生電容,由於又會因高 精細化導致像素間隙變窄,或取樣用 TFT7 1的間隔變 窄,造成該介電體膜變薄,因而增大。動作中的群組G1 中,會隨著該配線系上結合之寄生電容的大小,而主要會 影響相鄰的源極配線72S和汲極配線72D之間彼此的電 位變動。因此資料線3,更會因不同於原本供給至像素部 4的影像訊號的其他影像訊號而多少產生電位變動。這些 -23- 1274317 (20) 在嚴謹的意義上,全部都是鬼影產生的原因。 但是,本發明的發明人,發現到相較於此種群組內的 取樣用 TFT71之間的寄生電容,隸屬於互異群組且在群 組和群組之交界處相鄰的取樣用TFT71間的寄生電容(以 下簡稱爲群組間電容)是更會對畫質有顯著的影響。 關於此點,參照圖5至圖7來說明。這裡圖5係本實 施形態之情形,將取樣電路內的寄生電容的樣子以等價電 路圖的方式予以圖示。圖6及圖7係比較例之情形,將取 樣電路內的寄生電容的樣子以等價電路圖的方式予以圖 示。· 圖5所示之本實施形態的情形,在群組G1或G2 內,TFT71A的源極配線72S,和該源極配線72S未夾著 交界R而接近的TFT71 A的汲極配線72D之間,會寄生有 寄生電容C21。另外,在群組G1和G2之間,群組G2的 TFT71B的源極配線73S,和該源極配線73S夾著交界R 而接近的TFT7 1A的源極配線72S之間,會寄生有寄生電 容C 1 1。此時的群組間電容C 1 1,係源極配線彼此呈對向 配置時的寄生電容。 相對於此,如圖6所示,假設一比較例,其源極配線 及汲極配線的排列方式,是在所有的取樣用 TFT爲統 一,亦即所有TFT71A均爲統一。該比較例中,如圖6及 圖7所示,無論群組內或群組間,TFT71A的源極配線 72S,和接近該源極配線72S的TFT71 A的汲極配線72D 之間,寄生著寄生電容C21。亦即,夾著交界R而寄生有 -24 - (21) 1274317 群組間電容C2 1。此時的群組間電容C21,係源極配線和 汲極配線呈對向設置時的寄生電容。 通常,影像若由像素單位來看則不會有劇烈的變化, 而相鄰兩像素係進行類似的顯示。換言之,越接近的像素 彼此間,像素訊號電壓的差越小。因此,對於群組內而 •言,無論是本實施形態的情況,或是比較例的情況,寄生 電容C2 1所致之相鄰配線間的電位變動的不良影響,基本 上很小。甚至,假使以像素單位而發生劇烈變化的時候, 若爲相鄰像素間的劇烈變化,則就算藉由相鄰之取樣用 丁F丁71間的寄生電容,被相鄰之資料線所連接的0素線間 產生了鬼影,其在視覺上也很難辨認。例如,即使在白影 像和黑影像的父界附近顯不出黑線或白線,也只會有一條 像素線份而已,只有分離例如十數// m程度的細微,該當 黑線或白線通常在視覺上或實用上幾乎完全無法辨認。 可是在此同時,比較例的情況中,欲向群組G 1供給 影像訊號的期間,於群組G1之一方的交界R處,隔著群 組間電容C22 ’而直接連接至影像訊號線6的源極配線 72S上的電位變動,無論在哪個tfT中都不會經由已經呈 OFF的通道領域通過,而是會傳達至其相鄰的汲極配線 72D。或者,於欲向群組Gi供給影像訊號的期間,於群 組G1之另一方的交界R處,隔著群組間電容C22,對於 在有來自影像訊號線6的影像訊號供給的狀態下的汲極配 線72D ’直接連接至影像訊號線6的源極配線72S的電位 變動會傳導至其上。該情形的具體例有,根據本發明的發 -25- (22) 1274317 明人的觀察,例如一旦群組G1中給予了令右端的像素部 4爲黑顯示之影像訊號Svl,則左端的像素部4會有顯示 出白色的現象。其原因爲’寄生電谷C22,會隨著影像訊 號Sv 1而在左端的像素部4中實效性地減少了施加電壓。 相對於此,本實施形態中,是以在群組交界R處,群 組G2側的源極配線73 S附近,並非群組G1側的汲極配 線73D而是有源極配線72S來接近的方式,來設計取樣 用TFT71的佈局。此處的群組間電容C11,是屬於兩者都 直接連接至影像訊號線6因而電位極爲安定的源極配線彼 此呈對向配置而成的寄生電容。況且,即使有電位變動之 影響,也有取樣用TFT在抑制,該影響可想作幾乎不會 及於資料線3側。 若根據如此圖5所示的本實施形態,則群組間電容 C 22所造成之如比較例資料線3引起的像素部4中的電位 變動可得以降低,可使鬼影等所致之畫質劣化幾乎或在實 用上完全不發生地進行影像顯示。又,如此只需要對先前 的取樣電路作一部份的佈局變更,即可將群組間電容這種 特別大的寄生電容成份予以減輕,使畫質獲得飛躍性改善 之明顯效果。 甚至,藉由降低此種對畫質特別影響嚴重的寄生電容 成份,可使得與寄生電容呈取捨關係的取樣用TFT 71 .的 配線間距(不使畫質低落地)予以變窄。因此,顯示面板 1 〇〇可達到比先前更高精細化的目標。 -26- (23) 1274317 (變形例1) 圖8係表示第1實施形態中的取樣電路的第1變形 例。第1實施形態中,雖然說明了各群組的取樣用 TF1T71,是以交界R爲界而以源極配線彼此相鄰的方式來 配設之情形,但本變形例中,則是以交界R爲界而以汲極 配線彼此相鄰的方式來構成。例如。同圖所示例中,取樣 用TFT71的各群組,全部都是,左端設爲TFT71B以外其 他都是以以TFT71A構成,以交界R爲界,TFT71A配置 在左,TFT71B配置在右(第1實施形態中,群組右端配設 TFT71B,以交界R爲界TFT71B爲左,TFT71A爲右卜 即使是此種配列的佈局,仍可減輕群組間電容,而可 降低成本來顯示高品位影像。甚至,可不使畫質低落而達 到取樣用TFT7 1的窄間隙所致之高精細化。 圖9係表示第1實施形態中的取樣電路的第2變形 例。第1實施形態及第1變形例中,雖然說明了取樣用 TFT71的各群組,全部都是一端爲TFT71B以外其他都是 以TFT71 A構成之情形,但本變形例中.,則是將取樣用 TFT71 ,設計成配線的排歹IJ方式以群組單位而交互相反。 例如。同圖所示例中,群組G1係TFT71A配列而構成, 群組G2則是以TFT71B配列而構成。即使是此種情況, 仍可以交界R爲界而使源極配線彼此相鄰,而可獲得相同 於第1實施形態的效果。 (第2實施形態) -27- (24) 1274317 其次,參照圖10及圖1 1說明第2實施形態。第2實 施形態所論之光電裝置的主要構成,和第1實施形態相 同’只有取樣電路的佈局不同。因此,和第1實施形態相 同的構成要素,均以同一符號標示,並適宜的省略其說 明。 圖.1 〇係表示第2實施形態所論之取樣電路的構成。 該取樣電路17係由同一構造的TFT(此處爲TFT71A)並列 而構成’隔著群組交界R而相鄰的TFT71A彼此之間隔 W1 ’係被設定成大於群組內相鄰之TFT71 A的間隔W2。 此時’群組間電容(圖7 :電容C2 2)係被間隔W1所 降低。因此,資料線3上像素部4的電容C22所造成的電 壓變動會降低,可使鬼影等所致之畫質劣化幾乎或在實用 上完全不會發生而進行影像顯示。 甚至’藉由降低此種對畫質特別影響嚴重的寄生電容 成份,可使得與寄生電容呈取捨關係的取樣用 TFT71的 配線間距(不使畫質低落地)予以變窄。因此,顯示面板 1 〇〇可達到比先前更高精細化的目標。 (應用例) 圖1 1係表示第2態中之取樣電路的應用例。本應用 例中,隔著交界R相鄰的TFT71A的間隔W1,係設有連 接至閘極的閘極配線72G的一部份。亦即,閘極配線 72G,並非單純地在每個群組內對控制配線XI、X2、… 共通連接,而是如同圖所示,是將閘極配線72 G的共通 -28- 1274317 (25) 部份繞著TFT71 A的各群組的外周設置。藉此,各閘極配 線72G上,從群組的左右兩側會有取樣電路驅動訊號供 給。此外,若如此地將閘極配線72G予以備援形成,則 即使其一部份斷線,也能正常驅動TFT71 A。 此種配線構造中,藉由將閘極配線72G的一部份, 利用間隔W1來配線,就可達成不浪費空間的配線佈局。 甚至,上記第2實施形態及應用例所論之取樣電路, 係如同第1實施形態及其變形例所說明的一樣,亦可將隔 著交界R而相鄰的取樣用TFT71,以源極配線彼此,或是 汲極配線彼此相鄰.的方式來配置而構成變形。此時,可更 進一步降低群組間電容。 .(第3實施形態) 其次參照圖1 2及圖1 3說明第3實施形態。第3實施 形態所論之光電裝置的主要構成,係和第1實施形態相 同,只有取樣電路的佈局不同。因此,和第1實施形態相 同的構成要素,均以同一符號標示,並適宜的省略其說 明。 圖1 2係表示第3實施形態所論之取樣電路的構成。 該取樣電路17係由同一構造的TFT(此處爲TFT71A)並列 而構成。只不過,只有隔著群組交界R而相鄰的取樣用 TFT71之一方的TFT71C,是往資料線3延伸方向上錯開 距離L而配置。
此時,群組間電容(圖7:電容C22)係響應著TFT71C -29- (26) 1274317 的錯開量的距離L而降低。因此,資料線3上像素部4的 電容C22所造成的電壓變動會降低,可使鬼影等所致之畫 質劣化幾乎或在實用上完全不會發生而進行影像顯示。本 實施形態中尤其是TFT71C,是往資料線延伸方向上錯開 一大於各TFT長度的距離L而配置,甚至,TFT71C中 朝向群組外側的源極配線,是往不對向於鄰接群組之TFT 的方向而錯開。亦即,TFT71C中的朝向群組外側的源極 配線,在遭遇到相鄰群組之朝向外側的汲極配線位置(亦 即,相對向之位置)之前就到達終端。因此TFT71C中的 朝向群組外側的源極配線,和其相鄰群組之朝向外側的汲 極配線之間的寄生電容,可更大幅降低。 又,此處,藉由將TFT71C遠離TFT71A而配列形 成,可使TFT71 A的間隔縮窄達到TFT71C之寬度的量。 藉此,可使和群組間電容降低息息相關的配線間距(不使 畫質低落地)縮窄,可達到顯示面板100之高精細化之目 的。 此外,本實施形態的變形例有,如圖1 3所示,亦可 採用將圖12相反側的 TFT71C錯開之構成。此時, TFT71C中朝向群組外側汲極配線,係包含遭遇到相鄰群 組之朝向外側的源極配線位置(亦即,相對向位置)而配 線。因此,雖然相較於圖1 2所示之第3實施形態則寄生 電容降低的效果略差,但本變形例中,除了可獲得相應的 寄生電容降低效果,還可縮窄構成取樣電路之TFT71 A的 間隙。又,其他變形例有,如第1實施形態及其變形例所 -30- (27) 1274317 說明的,若將隔著交界R而相鄰的取樣用TFT71,令彼此 的源極配線,或汲極配線相鄰而配置,則更可降低低群組 間電容。 (電子機器) 首先,針對將該光電裝置所致之液晶裝置當作光閥使 用之投影機加以說明。圖1 4係投影機的構成例的平面 圖。如該圖所示,投影機11 〇〇內部,設置有鹵素燈等白 色光源所成之燈光單元1 1 02。該燈光單元1 1 02所射出的 投射光,藉由4片鏡子1106及2片分色鏡1108而分離成 RGB三原色,朝向對應於各原色之做爲光閥的液晶裝置 1 1 10R、1 1 10G、1 1 10B 入射。液晶裝置 1 1 l〇R、1 1 10G、 1 1 1 0B的構成係等同於上述之光電裝置,其會受到來自影 像訊號處理電路所供給的R、G、B的原色訊號而調變。 被這些液晶裝置所調變過的光,會從三方向往分色棱鏡 1112入射。在分色棱鏡1112中,R及B的光會被90度 折射,而G光則直線前進。藉此各色的影像便被合成, 透過投射透鏡1 1 1 4而將彩色影像投影至螢幕等。 (攜帶型電腦) 其次,針對將該光電裝置所致之液晶裝置,適用於攜 帶型個人電腦之例子來說明。圖1 5係該個人電腦的構成 之斜視圖。個人電腦1 200,係由具備鍵盤1 202的本體部 1 2 04,和由液晶顯示單元1 206所構成。液晶顯示單元 -31 - (28) 1274317 1 2 06,係在前述之做爲光電裝置的液晶裝置1 005後面, 附加背光後而構成。 (行動電話) 再者,針對將該光電裝置所致之液晶裝置,適用於行 動電話.之例子來說明。圖1 6係該行動電話之構成的斜視 圖。同圖中,.行動電話1 3 00,係除了具備複數的操作鍵 1 3 02,還具備做爲前述光電裝置的反射型液晶裝置 1 005。該反射型液晶裝置1 005上,可按照需要而設置前 光。 以上雖然將本發明的光電裝置的一具體例以液晶裝置 舉例說明,但本發明的光電裝置,亦可以例如液晶裝置、 電子紙等電泳裝置、電子放射元件所致之裝置(Field Emission Display 及 Surface-Conduction Electron-Emitter Display)等之方式來實現。此外,此種本發明之光電裝 置,除了之前說明過的電子機器以外,亦可適用在電視收 像機、行動電話、電子筆記、文書處理機、取景窗型或螢 幕直視型攝錄影機、工作站、電視電話、POS終端、具備 觸控面板之裝置等。 本發明,並非侷限於上述實施形態,在不脫離申請專 利範圍及說明書全文所列之要旨,或思想範圍內,可作各 種適宜地變更,而此種變更所伴隨而來的驅動電路、具備 該驅動電路的光電裝置以及電子機器’亦都被本發明的技 術範圍所涵蓋。 -32- (29) 1274317 【圖式簡單說明】 [圖1 ]本發明之第1實施形態所論之光電裝置的顯示 面板的方塊圖。 [圖2]圖1所示之顯示面板中的資料線驅動電路系的 構成電路圖。 [圖3]圖2所示取樣電路的配線佈局圖。 [圖4]圖3的卜1’剖面圖。 [圖5]圖2所示取樣電路中的寄生電容的說明圖。 [圖6 ]圖3所示取樣電路的比較例的配線佈局圖。 [圖7]圖6所示取樣電路中的寄生電容的說明圖。 [圖8]第1實施形態所論之取樣電路之變形例的配線 佈局圖。 [圖9]第1實施形態所論之取樣電路之變形例的配線 佈局圖。 [圖10]第2實施形態所論之適用於光電裝置的取樣電 路之配線佈局圖。 [圖11 ]第2實施形態所論之取樣電路的應用例所示的 配線佈局圖。 [圖12]第3實施形態所論之適用於光電裝置的取樣電 路之配線佈局圖。 [圖1 3 ]第3實施形態之變形例所論之取樣電路的配線 佈局圖。 [圖14]適用了光電裝置之電子機器之一例的投影機的 構成剖面圖。 -33 - (30) 1274317 [圖15]適用了光電裝置之電子機器之一例的個人電腦 的構成剖面圖。 [圖16]適用了光電裝置之電子機器之一例的行動電話 的構成剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 TFT基板 2 掃描線 3 資料線 4 像素部 5 A,5B 掃描線驅動電路 6 影像訊號線 7,17,27 取樣電路 8 資料線驅動電路 9 預充電電路 10 影像顯示領域 71,71 A 〜71C 取樣用TFT 72S,73S 源極配線 72G,73G 閘極配線 72D,73D 汲極配線 X,X1,X2 控制配線 Gl, G2 (被同時驅動的配線系)群組 R 群組間的交界 Sv,Svl〜Sv4 影像訊號 100 顯示面板 -34 -

Claims (1)

  1. (1) 1274317 十、申請專利範圍 1· 一種光電裝置,其特徵爲, 具備··基板;和位於基板上的影像顯示領域內,互相 交叉配置的複數掃描線及複數資料線和連接至前記複數掃 描線及前記複數資料線的複數像素部; 在位於前記基板上的前記影像顯示領域周邊的周邊領 域內,具備受到經過序列·平行轉換的n(其中,η爲2以 上的自然數)個影像訊號供給之η條影像訊號線; 前記周邊領域內,除了分別具備有:(i)與從前記資料 線起往前記資料線延伸方向延展設置之汲極配線相連接的 汲極、(ii)與從前記影像訊號線起往前記資料線延伸方向 延展設置之源極配線相連接的源極、(iii)在前記資料線延 伸方向上被挾持在前記汲極配線及前記源極配線間而延展 設置的閘極,同時還具備有:含有對應於前記複數資料線 而配列之複數薄膜電晶體的取樣電路;和 將取樣電路驅動訊號,針對前記複數資料線之中會被 同時驅動之被η條資料線所連接之n個薄膜電晶體之每一 群組,供給至前記閘極的資料線驅動電路; 前記複數薄膜電晶體之中隔著前記群組的交界而相鄰 的兩個薄膜電晶體係被配置成,挾持前記閘極之前記源極 配線和前記汲極配線的排列方式爲彼此相反之狀態。 2.如申請專利範圍第1項的光電裝置,其中,前記 每一群組中,前記η個薄膜電晶體,係除了隔著前記交界 而相鄰之兩個薄膜電晶體之一者以外,前記排列方式爲呈 -35- (2) 1274317 統一之狀態。 3 ·如申請專利範圍第1項的光電裝置,其中,前記 每一群組中’前記η個薄膜電晶體,係前記排列方式呈統 一,且相鄰兩群組間,前記排列方式爲彼此相反。 4· 如申請專利範圍第1項的光電裝置,其中,前 記複數之薄膜電晶體,係依照其配列順序而呈挾持前記閘 極之前記源極配線和前記汲極配線的排列方式爲彼此相 反; 且前記η爲偶數。 5 · —種光電裝置,其特徵爲, 具備:基板;和位於基板上的影像顯示領域內,互相 交叉配置的複數掃描線及複數資料線和連接至前記複數掃 描線及前記複數資料線的複數像素部; 在位於前記基板上的前記影像顯示領域周邊的周邊領 域內,具備受到經過序列-平行轉換的η(其中,η爲2以 上的自然數)個影像訊號供給之η條影像訊號線; 則i己周邊領域內,除了分別具備有:(i)與從前記資料 線起往前記資料線延伸方向延展設置之汲極配線相連接的 汲極、(ii)與從前記影像訊號線起往前記資料線延伸方向 延展設置之源極配線相連接的源極、(iii)在前記資料線延 伸方向上被挾持在前記汲極配線及前記源極配線間而延展 設置的閘極,同時還具備有:含有對應於前記複數資料線 而配列之複數薄膜電晶體的取樣電路;和 將取樣電路驅動訊號,針對前記複數資料線之中會被 -36- (3) 1274317 问時驅動之被η條資料線所連接之η個薄膜電晶體之每一 群組’供給至前記閘極的資料線驅動電路; 前記複數薄膜電晶體之中隔著前記群組的交界而相鄰 的兩個薄膜電晶體的間隙,係設定成大於前記群組內相鄰 之兩薄膜電晶體的間隙。 6·如申請專利範圍第5項的光電裝置,其中,隔著 前記交界而相鄰的兩個薄膜電晶體的間隙內,係被配線有 連接至前記閘極的閘極配線的一部份。 7 ·如申請專利範圍第1項的光電裝置,其中,隔著 前記交界而相鄰的兩個薄膜電晶體,係前記源極配線彼此 爲相鄰配置。... . 8 ·如申請專利範圍第1項的光電裝置,其中,隔著 前記交界而相鄰的兩個薄膜電晶體,係前記汲極配線彼此 爲相鄰配置。 9. 一種光電裝置,其特徵爲, 具備:基板;和位於基板上的影像顯示領域內,互相 交叉配置的複數掃描線及複數資料線和連接至前記複數掃 描線及前記複數資料線的複數像素部; 在位於前記基板上的前記影像顯示領域周邊的周邊領 域內,具備受到經過序列-平行轉換的η(其中,η爲2以 上的自然數)個影像訊號供給之η條影像訊號線; 前記周邊領域內,除了分別具備有:(i)與從前記資料 線起往前記資料線延伸方向延展設置之汲極配線相連接的 汲極、(Π)與從前記影像訊號線起往前記資料線延伸方向 -37- (4) 1274317 延展設置之源極配線相連接的源極、(iii)在前記資料線延 伸方向上被挾持在前記汲極配線及前記源極配線間而延展 設置的閘極,同時還具備有:含有對應於前記複數資料線 而配列之複數薄膜電晶體的取樣電路;和 將取樣電路驅動訊號,針對前記複數資料線之中會被 同時驅·動之被η條資料線所連接之n個薄膜電晶體之每一 群組,供給至前記閘極的資料線驅動電路; 前記複數薄膜電晶體之中隔著前記群組的交界而相鄰 的兩假薄膜電晶體的一者,係往前記資料線的延伸方向錯 開而配置。 10·如申請專利範圍第9項的光電裝置,其中,前記 兩個薄膜電晶體之一者,沿著前記資料線的延伸方向上錯 開達前記複數薄膜電晶體的長度以上,且前記兩個薄膜電 晶體之一者中之朝向前記群組的外側的前記源極配線及前 記汲極配線之一者,是往不會對向於前記兩個薄膜電晶體 之另一者的方向而錯開。 11· 一種電子機器,其特徵爲,具備有一光電裝置, 其爲 具備:基板;和位於基板上的影像顯示領域內,互相 交叉配置的複數掃描線及複數資料線和連接至前記複數掃 描線及前記複數資料線的複數像素部; 在位於前記基板上的前記影像顯示領域周邊的周邊領 域內,具備受到經過序列-平行轉換的η(其中,η爲2以 上的自然數)個影像訊號供給之η條影像訊號線; -38- 1274317 (5) 前記周邊領域內,除了分別具備有:(i)與從前記資料 線起往前記資料線延伸方向延展設置之汲極配線相連接的 汲極、(Π)與從前記影像訊號線起往前記資料線延伸方向 延展設置之源極配線相連接的源極、(iii)在前記資料線延 伸方向上被挾持在前記汲極配線及前記源極配線間而延展 設置的·閘極,同時還具備有:含有對應於前記複數資料線 而配列之複數薄膜電晶體的取樣電路;和 將取樣電路驅動訊號,針對前記複數資料線之中會被 同時驅動之被η條資料線所連接之n個薄膜電晶體之每一 群組,供給至前記閘極的資料線驅動電路; 前記複數薄膜電晶體之中隔著前記群組的交界而相鄰 的兩個薄膜電晶體係被配置成,挾持前記閘極之前記源極 配線和前記汲極配線的排列方式爲彼此相反之狀態。 -39-
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