KR20050021272A - 전기 광학 장치 및 전자기기 - Google Patents

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Abstract

시리얼-패러렐 변환된 n 개의 화상 신호가 공급되는 n 개의 화상 신호선을 구비한 전기 광학 장치에 있어서, 구동 회로는, (ⅰ) 데이터선으로부터 연장 설치된 드레인 배선에 접속된 드레인과, (ⅱ) 화상 신호선으로부터 데이터선 연장 방향으로 연장 설치된 소스 배선에 접속된 소스와, (ⅲ) 드레인 배선 및 소스 배선 사이에 개재되어 연장 설치된 게이트를 각각 구비하는 동시에, 복수의 데이터선에 대응하여 배열된 복수의 박막 트랜지스터를 포함하는 샘플링 회로를 구비한다. 복수의 박막 트랜지스터 중, 그룹의 경계선을 사이에 두고 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터는, 게이트를 개재하는 소스 배선과 드레인 배선의 배열이 서로 반대이다.
이것에 의해, 샘플링 회로내의 박막 트랜지스터 상호간의 기생 용량에 근거하는 화상 불량을 저감시킨다.

Description

전기 광학 장치 및 전자기기{ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은, 예를 들어 액정 장치 등의 전기 광학 장치의 구동 회로, 그 전기 광학 장치, 및 이것을 구비한 예를 들어 액정 프로젝터 등의 전자기기의 기술 분야에 관한 것이다.
이런 종류의 구동 회로는, 예를 들어 액정 장치 등의 전기 광학 장치의 기판 위에, 데이터선을 구동하기 위한 데이터선 구동 회로, 주사선을 구동하기 위한 주사선 구동 회로, 화상 신호를 샘플링하기 위한 샘플링 회로 등으로 만들어진다. 그리고 그 동작시에는, 데이터선 구동 회로로부터 공급되는 샘플링 회로 구동 신호의 타이밍으로 샘플링 회로가 화상 신호선 위에 공급되는 화상 신호를 샘플링하여 데이터선에 공급하도록 구성되어 있다.
또한, 구동 주파수의 상승을 억제하면서 고정세한 화상 표시를 실현하기 위해, 시리얼 화상 신호를 예를 들어 3 상, 6 상, 12 상, 24 상, …등 복수의 패러렐 화상 신호로 변환 (즉, 상 전개) 한 다음, 복수개의 화상 신호선을 통하여 해당 전기 광학 장치에 대해 공급하는 기술도 이미 실용화되어 있다. 이 경우, 복수의 화상 신호가 복수의 샘플링 스위치에 의해 동시에 샘플링되고, 복수개의 데이터선에 대하여 동시에 공급되도록 구성되어 있다.
본원에서는 이러한 변환을 "시리얼-패러렐 변환" 이라고 부른다.
그러나, 이런 종류의 복수개의 데이터선을 동시에 구동하는 구동 회로에 따르면, 샘플링 회로를 구성하는 복수의 샘플링 스위치로서의 복수의 박막 트랜지스터 (이하 적절히 "TFT" 라고 한다) 상호간에서의 기생 용량에 기인하여 데이터선에 따른 화소열 사이에서 화상 신호의 간섭이 생겨, 화상 불량이 많든지 적든지 간에 발생되고 있다.
그리고 특히, 동시 구동되는 데이터선으로 이루어지는 그룹의 경계선에 고스트 또는 크로스토크와 같은 화상 불량이 현저히 확인된다는 기술적 문제점이 있다. 이러한 고스트 등의 화상 불량은, 후술하는 바와 같이 본원 발명자의 연구에 의하면, 샘플링 회로를 구성하는 복수의 박막 트랜지스터 중 동시 구동되는 데이터선으로 이루어지는 그룹의 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터 사이에서의 기생 용량에 기인하고 있는 것으로 고찰되고 있다.
본 발명은, 예를 들어 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 복수개의 데이터선을 동시에 구동할 때에, 특히 동시 구동되는 데이터선으로 이루어지는 그룹의 경계선에 있어서 현재(顯在)화되는, 샘플링 회로내의 박막 트랜지스터 상호간의 기생 용량에 근거하는 화상 불량을 저감시킬 수 있는, 예를 들어 액정 장치 등과 같은 전기 광학 장치의 구동 회로, 그 전기 광학 장치, 및 예를 들어 액정 프로젝터 등의 전자기기를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 전기 광학 장치의 제 1 구동 회로는 상기 과제를 해결하기 위해, 기판 위에서의 화상 표시 영역에, 서로 교차하여 배열된 복수의 주사선 및 복수의 데이터선과 상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선에 접속된 복수의 화소부를 구비하고, 상기 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에, 시리얼-패러렐 변환된 n (단, n 은 2 이상의 자연수) 개의 화상 신호가 공급되는 n 개의 화상 신호선을 구비한 전기 광학 장치를 구동하는 구동 회로로서, 상기 주변 영역에, (ⅰ) 상기 데이터선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 드레인 배선에 접속된 드레인과, (ⅱ) 상기 화상 신호선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 소스 배선에 접속된 소스와, (ⅲ) 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 상기 드레인 배선 및 상기 소스 배선 사이에 개재되어 연장 설치된 게이트를 각각 구비하는 동시에, 상기 복수의 데이터선에 대응하여 배열된 복수의 박막 트랜지스터를 포함하는 샘플링 회로와, 샘플링 회로 구동 신호를, 상기 복수의 데이터선 중 동시에 구동되는 n 개의 데이터선에 접속된 n 개의 박막 트랜지스터의 그룹별로, 상기 게이트에 공급하는 데이터선 구동 회로를 구비하고 있고, 상기 복수의 박막 트랜지스터 중 상기 그룹의 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터는, 상기 게이트를 개재하는 상기 소스 배선과 상기 드레인 배선의 배열이 서로 반대가 되도록 배치되어 있다.
본 발명의 제 1 구동 회로에 의하면, 샘플링 회로를 구성하는 샘플링 스위치로서의 박막 트랜지스터의 드레인 배선, 게이트 및 소스 배선은 데이터선이 연장되는 방향, 예를 들어 종방향 또는 Y 방향으로 연장 설치되어 있다. 그리고, 복수의 박막 트랜지스터는, 복수의 데이터선에 대응하여 예를 들어 횡방향 또는 X 방향으로 배열되어 있다.
이 동작시에는, n 개의 화상 신호선에 공급되는 시리얼-패러렐 변환 (즉, 상 전개) 된 n 개의 화상 신호는, 샘플링 회로를 구성하는 n 개의 박막 트랜지스터의 그룹별로 각각 샘플링되어, n 개의 데이터선에 대하여 동시에 공급된다. 한편, 예를 들어 주사선 구동 회로로부터 주사 신호가 주사선에 대하여 순차적으로 공급된다. 이들에 의해, 예를 들어 화소 스위칭용 TFT, 화소 전극, 축적 용량 등을 구비한 화소부에서는, 예를 들어 액정 구동 등의 전기 광학 동작이 화소 단위로 행해진다.
여기서 본원 발명자의 연구에 의하면, 일반적으로는 데이터선 n 개를 동시에 구동하는 경우, 샘플링 회로내에서 서로 인접하는 박막 트랜지스터 사이의 기생 용량에 의해 동시에 구동되는 n 개의 데이터선 및 이들에 인접하는 데이터선에 접속된 박막 트랜지스터의 소스 배선이나 드레인 배선 사이에서 상호의 전위 변동이 서로에게 영향을 미치는 결과, 고스트 또는 크로스토크 등이 발생하는 것이 확인되고 있다. 그리고 특히, 샘플링 회로내에서 서로 인접하는 박막 트랜지스터 사이의 기생 용량 중 표시 화상에 대한 악영향을 현재화시키는 것은, 그룹의 경계선을 사이에 둔 기생 용량임이 판명되어 있다. 보다 구체적으로는, 동일 그룹내에서의, 서로 인접하는 박막 트랜지스터 사이의 기생 용량에 따라서는, 예를 들어 수 ㎛∼수십 ㎛ 정도의 좁은 배선 피치로 서로 인접하는 라인 (즉, 데이터선에 따른 화소열) 간에서의 고스트 등만이 표시되기 때문에, 인간의 시각상 거의 또는 전혀 식별되지 않는다. 이에 반하여, 그룹의 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 박막 트랜지스터 사이의 기생 용량에 따라서는, 아무런 대책을 실시하지 않은 상황하에서는 다음과 같이 고스트 등이 인간의 시각에 의해 식별된다.
즉, 예를 들어, 소스 배선, 게이트 및 드레인 배선의 배열이 샘플링 회로의 전역에서 통일되어 있는 복수의 박막 트랜지스터만이 배열되어 있는 경우를 상정한다. 이 경우, M (단, M 은 자연수) 번째 그룹에서의 최초의 박막 트랜지스터와 M＋1 번째 그룹에서의 최초의 박막 트랜지스터는 동일한 제 1 번째 화상 신호선에 접속되어 있다. 여기서, M 번째 그룹에서의 마지막 박막 트랜지스터 (이하 적절하게 간단히 "제 n TFT" 라고 한다) 와 M＋1 번째 그룹에서의 최초의 박막 트랜지스터 (이하 적절하게 간단히 "제 n＋1 TFT" 라고 한다) 사이에 있는 기생 용량에 의해, (i) 1 번째 화상 신호선의 전위 변동이 제 n＋1 TFT 의 TFT 소스 배선으로부터 제 n TFT 의 드레인 배선으로 전달된다. 그러면, 제 n TFT 전자가 n 번째 화상 신호선의 화상 신호를 데이터선에 공급할 때에, 해당 화상 신호에 대하여 상기 서술한 경계선을 사이에 둔 기생 용량에 의해 제 n＋1 TFT 의 소스 영역에서부터 전달된 제 1 번째 화상 신호선 상의 화상 신호에 대응하는 전위 변동이 실리게 되는 결과를 초래한다. 또는, (ⅱ) n 번째 화상 신호선의 전위 변동이, 제 n TFT 의 TFT 소스 배선으로부터 제 n＋1 TFT 의 드레인 배선으로 전달된다. 그러면, 제 n＋1 TFT 가 제 1 번째 화상 신호선의 화상 신호를 데이터선에 공급할 때에, 해당 화상 신호에 대하여 상기 서술한 경계선을 사이에 둔 기생 용량에 의해 제 n TFT 의 소스 영역에서부터 전달된 제 n 번째 화상 신호선 상의 화상 신호에 대응하는 전위 변동이 실리게 되는 결과를 초래한다. 특히, M＋1 번째 그룹에서의 제 n 번째에 해당하는 타이밍의 화상 신호가 M 번째 그룹의 제 n 번째 소스를 통하여 M＋1 번째 그룹의 제 1 번째 드레인에 입력되어, n－1 개 떨어진 거리에 있는 고스트가 되고, 거리가 떨어져 있기 때문에 눈에 띈다.
상기 (ⅰ) 및 (ⅱ) 중 어느 경우에서도, 상기 서술한 경계선을 사이에 둔 기생 용량에 기인하여, 각 그룹내에서 제 1 번째와 제 n 번째의 데이터선 사이에서 예를 들어 표시 화상의 명암에 따라서 고스트 등으로서 화이트 라인 또는 블랙 라인이 그룹의 경계선에 표시된다는 것이다. 그리고, 이러한 고스트 등은, 동시 구동되는 데이터선군의 폭만큼 예를 들어 수 ㎛∼수십 ㎛ 정도×(n－1) 개의 거리를 두고 위치하기 때문에, 인간의 시각상으로 인식될 수 있거나 또는 눈에 띄는 고스트 등으로서 표시된다는 것이다.
그런데 본 발명에 의하면, n 개의 데이터선을 동시에 구동하는 n 개의 박막 트랜지스터로 이루어지는 그룹의 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터 (즉, 제 n TFT 및 제 n＋1 TFT) 는, 게이트를 개재하는 소스 배선과 드레인 배선의 배열이 서로 반대가 되도록 배치되어 있다. 즉, 예를 들어 일방의 박막 트랜지스터가, 소스 배선, 게이트 및 드레인 배선의 순으로 배열되어 있는 경우, 타방의 박막 트랜지스터는, 드레인 배선, 게이트 및 소스 배선의 순으로 배열되어 있어, 그룹의 경계선을 사이에 두고 드레인 배선과 드레인 배선이 서로 인접한다. 또는, 그룹의 경계선을 사이에 두고 소스 배선과 소스 배선이 서로 인접한다.
이 때문에, 상기 서술한 바와 같이, 제 n＋1 TFT 의 전위 변동이 제 n TFT 의 그룹에서의 마지막 박막 트랜지스터에 대하여 양자 사이의 기생 용량을 통해 영향을 주려고 하여도, 이것이 억제 가능해진다. 즉, 제 n TFT 의 드레인 배선과 제 n＋1 TFT 의 드레인 배선이 인접하고 있으면, 후자는 제 n＋1 TFT 가 온 타이밍에서는 비도통 상태인 제 n 박막 트랜지스터를 통하여 제 1 번째 화상 신호선과 접속되어 있기 때문에, 그 전위 변동이 전자에 거의 전달되지 않는다. 또한, 제 n TFT 의 소스 배선과 제 n＋1 TFT 의 소스 배선이 인접하고 있으면, 모든 배선이 화상 신호선에 직접 접속되어 있어 안정적인 전위로 되어 있기 때문에, 상호간 전위 변동의 영향은 그 성질상 기본적으로 경미하다. 따라서, 각 그룹내에서 제 1 번째와 제 n 번째 데이터선 사이에서 기생 용량에 의한 고스트 등은 거의 또는 실천상 전혀 발생되지 않는다.
이상의 결과, 본 발명의 제 1 구동 회로에 의하면, 샘플링 회로내의 박막 트랜지스터 사이의 기생 용량에 기인하여, 동시 구동되는 데이터선군의 경계선에 발생하는 고스트 등이 저감된 고품위의 화상이 표시 가능해진다. 더구나, 이러한 기생 용량에 의한 화상 표시에 대한 악영향을 억제하면서 샘플링 회로내에서의 박막 트랜지스터의 피치를 좁힐 수 있기 때문에, 데이터선의 협(狹)피치화, 즉 화소 피치의 협피치화가 가능해져, 고정세도의 화상 표시를 행할 수 있게 된다.
본 발명의 제 1 구동 회로의 일 양태에서는, 상기 그룹별로, 상기 n 개의 박막 트랜지스터는, 상기 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터 중 일방을 제외하고 상기 배열이 통일되어 있다.
이 양태에 의하면, 소스 배선, 게이트 및 드레인 배선의 배열이 통일되어 있는 구조에 대하여, 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터 중 일방에만 대해서 그 배열을 반대로 하는 것만으로 본 발명의 제 1 구동 회로를 간단히 얻을 수 있다.
본 발명의 제 1 구동 회로의 다른 양태에서는, 상기 그룹별로, 상기 n 개의 박막 트랜지스터는 상기 배열이 통일되어 있고, 서로 인접하는 2 개의 그룹 사이에서는 상기 배열이 서로 반대이다.
이 양태에 의하면, 소스 배선, 게이트 및 드레인 배선의 배열이 통일되어 있는 구조에 대하여, 그룹 단위로 배열을 교대로 반대로 하는 것만으로 본 발명의 제 1 구동 회로를 간단히 얻을 수 있다.
본 발명의 제 1 구동 회로의 다른 양태에서는, 상기 복수의 박막 트랜지스터는, 이들의 배열순으로 상기 게이트를 개재하는 상기 소스 배선과 상기 드레인 배선의 배열이 교대로 반대이고, 상기 n 은 짝수이다.
이 양태에 의하면, 시리얼-패러렐 변환수 (즉, 상 전개수) 인 n 은 짝수이다. 즉, 예를 들어, 6 개, 12 개, 24 개 등의 데이터선별로 동시 구동된다. 여기서, 복수의 박막 트랜지스터는, 이들의 배열순으로 게이트를 개재하는 소스 배선과 드레인 배선의 배열이 교대로 반대이기 때문에, 각 그룹의 경계선에 위치하는 그 배열은 항상 동일해진다. 즉, 각 그룹의 경계선 전부에 있어서 소스 배선들이 서로 인접하거나 또는 드레인 배선들이 서로 인접하게 된다. 따라서, 어느 경계에 대해서도 기생 용량을 일률적으로 저감시킬 수 있다. 예를 들어, n 을 홀수로 하고, 그룹의 경계선에 의해 소스 배선들이 서로 인접하거나, 드레인 배선들이 서로 인접하거나 하여 기생 용량에 편차가 생기는 것을 미연에 방지할 수 있다. 이 때, 그룹의 경계선에서는 항상 소스 배선들이 서로 인접하고 있도록 구성하면, 모든 소스 배선이 화상 신호선에 직접 접속되어 있어 안정적인 전위로 되어 있기 때문에, 상호간의 전위 변동의 영향이 그 성질상 기본적으로 경미하다. 반대로, 그룹의 경계선에서는 항상 드레인 배선들이 서로 인접하는 구성을 채용하면, 제 n＋1 TFT 의 드레인 배선은 비도통 상태의 박막 트랜지스터를 통하여 제 1 번째 화상 신호선과 접속되어 있기 때문에, 그 전위 변동이 제 n TFT 에 거의 전달되지 않는다. 따라서, 모든 경우에서 기생 용량에 의한 고스트 등은 거의 또는 실천상 전혀 생기지 않기 때문에 대단히 유리하다.
본 발명의 전기 광학 장치의 제 2 구동 회로는 상기 과제를 해결하기 위해서, 기판 위에서의 화상 표시 영역에, 서로 교차하여 배열된 복수의 주사선 및 복수의 데이터선과 상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선에 접속된 복수의 화소부를 구비하고, 상기 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에, 시리얼-패러렐 변환된 n (단, n 은 2 이상의 자연수) 개의 화상 신호가 공급되는 n 개의 화상 신호선을 구비한 전기 광학 장치를 구동하는 구동 회로로서, 상기 주변 영역에, (ⅰ) 상기 데이터선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 드레인 배선에 접속된 드레인과, (ⅱ) 상기 화상 신호선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 소스 배선에 접속된 소스와, (ⅲ) 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 상기 드레인 배선 및 상기 소스 배선 사이에 개재되어 연장 설치된 게이트를 각각 구비하는 동시에, 상기 복수의 데이터선에 대응하여 배열된 복수의 박막 트랜지스터를 포함하는 샘플링 회로와, 샘플링 회로 구동 신호를, 상기 복수의 데이터선 중 동시에 구동되는 n 개의 데이터선에 접속된 n 개의 박막 트랜지스터의 그룹별로, 상기 게이트에 공급하는 데이터선 구동 회로를 구비하고 있고, 상기 복수의 박막 트랜지스터 중 상기 그룹의 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터의 간극은, 상기 그룹내에서 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터의 간극과 비교하여 크게 설정되어 있다.
본 발명의 제 2 구동 회로에 의하면, 상기 서술한 본 발명의 제 1 구동 회로와 동일하게 동작한다. 제 2 구동 회로에서는 특히, n 개의 데이터선을 동시에 구동하는 n 개의 박막 트랜지스터로 이루어지는 그룹의 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터 (즉, 제 n TFT 및 제 n＋1 TFT) 의 간극이, 그룹내에서 서로 인접하는 다른 박막 트랜지스터의 간극과 비교하여 커지도록 설정되어 있다. 이 때문에, 상기 서술한 바와 같이, 제 n＋1 TFT 의 전위 변동이 제 n TFT 의 그룹에서의 마지막 박막 트랜지스터에 대하여 양자 사이의 기생 용량을 통해 영향을 주려고 하여도, 크게 설정된 간극에 따라서 이것이 억제 가능해진다. 따라서, 각 그룹내에서 제 1 번째와 제 n 번째 데이터선 사이에서 기생 용량에 의한 고스트 등은 거의 또는 실천상 전혀 발생되지 않는다.
이상의 결과, 본 발명의 제 2 구동 회로에 의하면, 고스트 등이 저감된 고품위의 화상이 표시 가능해진다. 더구나, 경계선에 면한 간극을 제외한, 즉 그룹내에서의 박막 트랜지스터의 각 간극을 좁힐 수 있기 때문에, 데이터선의 협피치화 즉 화소 피치의 협피치화가 가능해져 고정세도의 화상 표시를 행할 수 있게 된다.
본 발명의 제 2 구동 회로의 일 양태에서는, 상기 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터의 간극에는, 상기 게이트에 접속된 게이트 배선의 일부가 배선되어 있다.
이 양태에 의하면, 그룹의 경계선에서의 큰 간극을 유효하게 이용하여 게이트 배선의 일부를 배선한다. 이것에 의해, 게이트 배선에 복수의 경로로부터 신호를 입력할 수 있다. 또, 해당하는 큰 간극을 이용하여 용장한 게이트 배선을 형성하면, 게이트 배선의 일부가 단선되어도 역시 장치 전체가 결함화되는 것을 효율적으로 미연에 방지할 수 있다.
본 발명의 제 1 또는 제 2 구동 회로의 다른 양태에서는, 상기 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터는, 상기 소스 배선들이 서로 인접하도록 배치되어 있다.
이 양태에서는, 그룹의 경계선에서는 소스 배선들이 서로 인접하고 있기 때문에, 모든 소스 배선이 화상 신호선에 직접 접속되어 있어 안정된 전위로 되어 있으므로, 상호간의 전위 변동의 영향이 그 성질상 기본적으로 경미하다. 또는, 배선 용량이 한정되어 있어 상대적으로 전위 변동의 영향을 받기 쉬운 데이터선에 접속된 각 드레인 배선은 각 그룹에서 안쪽에 위치하고 있기 때문에, 그 각 드레인 배선에 대한 전위 변동은 실제로는 본래 작다. 따라서, 각 그룹내에서 제 1 번째와 제 n 번째의 데이터선 사이에서 기생 용량에 의한 고스트 등은 거의 또는 실천상 전혀 발생되지 않는다.
본 발명의 제 1 또는 제 2 구동 회로의 다른 양태에서는, 상기 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터는, 상기 드레인 배선들이 서로 인접하도록 배치되어 있다.
이 양태에서는, 그룹의 경계선에서는 드레인 배선들이 서로 인접하고 있기 때문에, 제 n＋1 TFT 의 드레인 배선은 비도통 상태의 박막 트랜지스터를 통하여 제 1 번째 화상 신호선과 접속되어 있기 때문에, 그 전위 변동이 제 n TFT 에 거의 전달되지 않는다. 따라서, 각 그룹내에서 제 1 번째와 제 n 번째의 데이터선 사이에서 기생 용량에 의한 고스트 등은 거의 또는 실천상 전혀 발생되지 않는다.
본 발명의 전기 광학 장치의 제 3 구동 회로는 상기 과제를 해결하기 위해, 기판 위에서의 화상 표시 영역에, 서로 교차하여 배열된 복수의 주사선 및 복수의 데이터선과 상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선에 접속된 복수의 화소부를 구비하고, 상기 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에, 시리얼-패러렐 변환된 n (단, n 은 2 이상의 자연수) 개의 화상 신호가 공급되는 n 개의 화상 신호선을 구비한 전기 광학 장치를 구동하는 구동 회로로서, 상기 주변 영역에, (ⅰ) 상기 데이터선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 드레인 배선에 접속된 드레인과, (ⅱ) 상기 화상 신호선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 소스 배선에 접속된 소스와, (ⅲ) 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 상기 드레인 배선 및 상기 소스 배선 사이에 개재되어 연장 설치된 게이트를 각각 구비하는 동시에, 상기 복수의 데이터선에 대응하여 배열된 복수의 박막 트랜지스터를 포함하는 샘플링 회로와, 샘플링 회로 구동 신호를, 상기 복수의 데이터선 중 동시에 구동되는 n 개의 데이터선에 접속된 n 개의 박막 트랜지스터의 그룹별로, 상기 게이트에 공급하는 데이터선 구동 회로를 구비하고 있고, 상기 복수의 박막 트랜지스터 중 상기 그룹의 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터 중 일방은, 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 어긋나 배치되어 있다.
본 발명의 제 3 구동 회로에 의하면, 상기 서술한 본 발명의 제 1 구동 회로와 동일하게 동작한다. 제 3 구동 회로에서는 특히, n 개의 데이터선을 동시에 구동하는 n 개의 박막 트랜지스터로 이루어지는 그룹의 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터 (즉, 제 n TFT 및 제 n＋1 TFT) 중 일방은, 데이터선이 연장되는 방향, 예를 들어 종방향 또는 Y 방향으로 어긋나 배치되어 있다. 이 때문에, 상기 서술한 바와 같이, 제 n＋1 TFT 의 전위 변동이 제 n TFT 의 그룹에서의 마지막 박막 트랜지스터에 대하여 양자간의 기생 용량을 통해 영향을 주려고 하여도, 어긋난 정도로서의 2 차원적인 거리에 따라서 이것을 억제 가능해진다. 따라서, 각 그룹내에서 제 1 번째와 제 n 번째의 데이터선 사이에서 기생 용량에 의한 고스트 등은 거의 또는 실천상 전혀 발생되지 않는다.
이상의 결과, 본 발명의 제 3 구동 회로에 의하면, 고스트 등이 저감된 고품위 화상이 표시 가능해진다. 또, 경계선에 면한 일방의 박막 트랜지스터를 데이터선이 연장되는 방향으로 어긋나게 함으로써, 바람직하게는 그 일방의 박막 트랜지스터의 데이터선이 연장되는 방향에 대한 폭 길이 이상으로 어긋나게 함으로써 그 밖의 박막 트랜지스터의 각 간극을 좁힐 수 있다. 따라서, 데이터선의 협피치화 즉 화소 피치의 협피치화가 가능해져, 고정세도의 화상 표시를 행할 수 있게 된다.
본 발명의 제 3 구동 회로의 일 양태에서는, 상기 2 개의 박막 트랜지스터 중 일방은, 상기 데이터선이 연장되는 방향을 따른 상기 복수의 박막 트랜지스터의 길이 이상으로 어긋나 있고 또 상기 2 개의 박막 트랜지스터 중 일방에서의 상기 그룹의 외측을 향하는 상기 소스 배선 및 상기 드레인 배선 중 일방이, 상기 2 개의 박막 트랜지스터 중 타방에 대향하지 않게 되는 방향으로 어긋나 있다.
이 양태에 의하면, 그룹의 경계를 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터 중 일방은 데이터선이 연장되는 방향을 따른 복수의 박막 트랜지스터의 길이 이상으로 어긋나 있다. 따라서, 그룹의 경계선에서 서로 인접하는 소스 배선과 드레인 배선의 거리를 비교적 크게 취할 수 있다. 또한, 일방의 박막 트랜지스터에 있어서의 그룹의 외측을 향하는 소스 배선 및 드레인 배선 중 일방이 타방의 박막 트랜지스터에 대향하지 않게 되는 방향으로 어긋나 있다. 예를 들어, 일방의 박막 트랜지스터에 있어서의 그룹의 외측을 향하는 배선이 기판 주변에서부터 박막 트랜지스터를 향하는 소스 배선이면, 그 해당 일방의 박막 트랜지스터는 데이터선이 연장되는 방향을 따라 기판 주변을 향하여 어긋나게 된다. 반대로, 일방의 박막 트랜지스터에 있어서의 그룹의 외측을 향하는 배선이 화상 표시 영역에서부터 박막 트랜지스터를 향하는 드레인 배선이면, 그 해당 일방의 박막 트랜지스터는 데이터선이 연장되는 방향을 따라 화상 표시 영역을 향하여 어긋나게 된다. 어느 경우에서도, 그 일방의 박막 트랜지스터에 있어서의 그룹의 외측을 향하는 소스 배선 또는 드레인 배선은, 서로 인접하는 타방의 박막 트랜지스터에 있어서의 그룹의 외측을 향하는 소스 배선 또는 드레인 배선과 만나는 위치 (즉, 서로 대향하는 위치) 를 앞두고 종단을 맞이한다. 따라서, 그 일방의 박막 트랜지스터에 있어서의 그룹의 외측을 향하는 소스 배선 또는 드레인 배선과, 서로 인접하는 타방의 박막 트랜지스터에 있어서의 그룹의 외측을 향하는 소스 배선 또는 드레인 배선 사이에서의 기생 용량을 현저히 저감시킬 수 있게 된다.
또, 본 양태에서는, 이들 2 개의 박막 트랜지스터는, 데이터선이 연장되는 방향을 따른 박막 트랜지스터의 길이 이상으로 어긋나 있기 때문에, 이러한 기생 용량을 저감시키는 효과가 매우 현저하다. 그러나, 그 어긋난 정도를 작게 하더라도 상응하는 효과를 얻을 수 있다. 즉, 데이터선이 연장되는 방향을 따라 많든 적든 어긋나게 해두면, 이러한 기생 용량을 저감하는 효과가 어긋난 정도에 따라서 상응하여 얻어진다.
본 발명의 전기 광학 장치는 상기 과제를 해결하기 위해, 상기 서술한 본 발명의 제 1 내지 제 3 구동 회로 (단, 그 각종 양태를 포함한다) 와, 상기 기판, 상기 주사선, 상기 데이터선, 상기 화소부 및 상기 화상 신호선을 구비한다.
본 발명의 전기 광학 장치에 의하면, 상기 서술한 본 발명의 제 1 내지 제 3 구동 회로를 구비하기 때문에 고스트 등이 저감된 고품위의 화상이 표시 가능해지고, 고정세도의 화상 표시를 행할 수 있게 된다. 이러한 본 발명의 전자 광학 장치는, 예를 들어 액정 장치, 전자 페이퍼 등의 전기 영동 장치, 전자 방출 소자에 의한 장치 (Field Emission Display 및 Surface-Conduction Electron-Emitter Display) 등으로서 실현 가능하다.
본 발명의 전자기기는 상기 과제를 해결하기 위해, 상기 서술한 본 발명의 전기 광학 장치를 구비하여 이루어진다.
본 발명의 전자기기는, 상기 서술한 본 발명의 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지기 때문에 고품위의 화상 표시가 가능한, 투사형 표시 장치, 텔레비전 수상기, 휴대전화, 전자수첩, 워드프로세서, 뷰 파인더형 또는 모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 워크스테이션, 텔레비전 전화, POS 단말, 터치 패널 등의 각종 전자기기를 실현할 수 있다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하에서는, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 이하의 실시형태는, 본 발명의 전기 광학 장치를 액정 장치에 적용한 것이다.
[제 1 실시형태]
우선, 본 발명의 전기 광학 장치에 관한 제 1 실시형태로서의 액정 장치에 대해 도 1 내지 도 9 를 참조하여 설명한다.
<표시 패널의 구성>
도 1 은, 본 실시형태의 액정 장치 중 표시 패널의 구성을 나타내고 있다. 이 액정 장치는, 구동 회로 내장형의 표시 패널 (100) 과, 전체의 구동 제어나 화상 신호에 대한 각종 처리를 수행하는 도시하지 않은 회로부에 의해 구성되어 있다.
표시 패널 (100) 은, TFT 어레이 기판 (1) 과 대향 기판 (도시 생략) 이 액정층을 사이에 두고 대향 배치되고, 화상 표시 영역 (10) 에 있어서 구획 배열된 화소부 (4) 마다 액정층에 전계를 인가함으로써 양 기판간의 투과광량을 제어하여 화상을 계조 표시하도록 구성되어 있다. 또, 이 액정 장치는 TFT 액티브 매트릭스 구동 방식을 채용하여, 표시 패널 (100) 에서는, TFT 어레이 기판 (1) 에서의 화소 표시 영역 (10) 에 복수의 주사선 (2) 및 복수의 데이터선 (3) 이 서로 교차하여 배열되고, 주사선 (2) 및 데이터선 (3) 각각에 화소부 (4) 가 접속되어 있다. 화소부 (4) 는, 기본적으로, 데이터선 (3) 에 의해 공급되는 화상 신호 전압을 선택적으로 인가하기 위한 화소 스위칭용 TFT 와, 입력 전압을 액정층에 인가하여 유지하기 위한, 즉 대향 전극과 함께 액정 유지 용량을 형성하는 화소 전극을 포함하여 구성되어 있다.
주사선 (2) 은, 예를 들어 양단에 있어서 주사선 (2) 을 순차 선택 구동하는 주사선 구동 회로 (5A 및 5B) 에 접속되어 있다. 주사선 구동 회로 (5A 및 5B) 는, 화상 표시 영역 (10) 의 주변 영역에 형성되어, 각 주사선 (2) 에 양단으로부터 동시에 전압을 인가하도록 구성되어 있다.
데이터선 (3) 은, 화상 신호 (Sv) 를 공급하는 화상 신호선 (6) 에 샘플링 회로 (7) 를 통하여 접속되어 있다. 샘플링 회로 (7) 는, 화상 신호선 (6) 으로부터 화상 신호 (Sv) 를 받는 데이터선 (3) 을 선택하기 위해 데이터선 (3) 마다 부설되는 스위칭 소자로 이루어지고, 그 스위칭 동작은 데이터선 구동 회로 (8) 에 의해 타이밍 제어되도록 구성되어 있다. 또, 프리차지 회로 (9) 는, 화상 신호 (Sv) 의 인가 전에 데이터선 (3) 에 프리차지 레벨을 인가하기 위해 형성되어 있다.
또한 여기서는, 표시 패널 (100) 은 "시리얼-패러렐 변환" 을 이용하여 구동되도록 구성되어 있다. 즉, 도시한 바와 같이, 화상 신호선 (6) 은 복수 (여기서는 4 개) 배치되고, 그 각각에 대하여 배열순으로 접속된 데이터선 (3) (즉 4 개) 이 하나의 그룹으로 통합되어 있으며, 데이터선 (3) 에 대응한 스위칭 소자가 제어 배선 (X (X1, X2, …)) 에 의해 그룹별로 데이터선 구동 회로 (8) 에 접속되어 있다. 그리고, 데이터선 구동 회로 (8) 내에 형성된 시프트 레지스터로부터 순차 출력되는 펄스가 샘플링 회로 구동 신호로서 제어 배선 (X1, X2, …) 을 통하여 샘플링 회로 (7) 에 순서대로 입력된다. 이 때, 동일한 제어 배선 (X) 에 접속된 하나의 그룹을 형성하는 복수의 스위칭 소자가 동시에 구동된다. 이들에 의해, 데이터선 (3) 의 그룹별로 화상 신호선 (6) 상의 화상 신호가 샘플링되도록 구성되어 있다. 이와 같이, 복수의 화상 신호선 (6) 에 대하여 시리얼 화상 신호를 변환하여 얻은 패러렐 화상 신호를 동시에 공급하면, 데이터선 (3) 에 대한 화상 신호 입력을 그룹별로 동시에 행할 수 있기 때문에 구동 주파수가 억제된다.
<샘플링 회로의 기능적 구성>
도 2 는, 표시 패널 중, 데이터선의 구동에 관한 회로계를 나타낸 것이다. 또, 동 도면은, 간편하게 하기 위해 제어 배선 (X1, X2) 에 접속된 그룹 (G1, G2) 의 데이터선 (3) 의 계통에 대해서만 대표적으로 나타내고 있으며, 이하에서도 이 두 그룹의 회로계에 기초하여 보다 상세한 설명을 하기로 한다.
여기서, 화상 신호선 (6) 은 4 개로서, 화상 신호 (Sv1∼Sv4) 가 각각 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 샘플링 회로 (7) 의 스위칭 소자는 구체적으로는 샘플링용 TFT (71) 로서 구성된다. 샘플링용 TFT (71) 각각은 데이터선 (3) 에 소스-드레인 사이에서 직렬로 접속되고, 그 게이트는 데이터선 구동 회로 (8) 에 접속되어 있다. 또, 개개의 데이터선 (3) 은, 샘플링 회로 (7) 와는 반대측에서 다수의 화소부 (4) 에 접속되어 있고, 선택된 화소부 (4) 의 액정 용량 (Cs) 에 신호 전압을 공급하도록 되어 있다. 또, 액정 용량 (Cs) 에 축적 용량이 별도로 병렬 접속되어 있어도 된다.
<샘플링 회로의 레이아웃>
다음으로 샘플링 회로의 TFT 어레이 기판 위에서의 레이아웃에 대해 도 3 및 도 4 를 참조하여 설명한다.
본 실시형태의 샘플링 회로 (7) 에서는, 병렬하는 샘플링용 TFT (71) 중 그룹의 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 샘플링용 TFT (71) 는, 소스 배선과 드레인 배선의 배열이 서로 반대이도록 배치되어 있다.
구체적으로는, 샘플링용 TFT (71) 가 도 3 에 나타낸 레이아웃으로 배치되어 있다. 복수의 샘플링용 TFT (71) 는, 제어 배선 (X1 및 X2) 에 대응하여 그룹 (G1 및 G2) 으로 그룹화되어 있다. 그룹 (G1 및 G2) 은 각각 샘플링용 TFT (71A: 도면에서, 각 그룹 중 좌단) 및 샘플링용 TFT (71B: 도면에서, 각 그룹 중 우단) 를 포함하는 4 개의 샘플링용 TFT (71) 를 포함하여 이루어진다. 샘플링용 TFT (71A) 는, 데이터선 (3) 이 연장되는 방향으로 연장 설치된 소스 배선 (72S) 및 드레인 배선 (72D), 그리고 데이터선 (3) 이 연장되는 방향으로 소스 배선 (72S) 및 드레인 배선 (72D) 사이에 끼워져 연장 설치된 게이트 배선 (72G) 을 구비하고 있다. 샘플링용 TFT (71B) 는, 데이터선 (3) 이 연장되는 방향으로 연장 설치된 소스 배선 (73S) 및 드레인 배선 (73D), 그리고 데이터선 (3) 이 연장되는 방향으로 소스 배선 (73S) 및 드레인 배선 (73D) 사이에 끼워져 연장 설치된 게이트 배선 (73G) 을 구비하고 있다.
또, 도 4 는, I-I' 선에서의 TFT (71A) 의 단면 구성을 확대 표시하고 있다. 샘플링용 TFT (71A) 는, 예를 들어 이와 같이 TFT 어레이 기판 (1) 위에 형성된 반도체층 (74) 의 소스 영역 (74S) 및 드레인 영역 (74D) 에 소스 배선 (72S) 및 드레인 배선 (72D) 이 각각 접속되고, 채널 영역 (74C) 의 상층에 채널 영역 (74C) 과 게이트 절연막 (75) 을 사이에 두고 마주 대하도록 게이트 배선 (72G) 이 형성됨으로써 게이트가 형성되어 있다. 소스 배선 (72S), 게이트 배선 (72G) 및 드레인 배선 (72D) 은 층간 절연막 (76) 에 의해 서로 전기적으로 절연되어 있다. 또, 샘플링용 TFT (71B) 에 대해서도, 도 4 에 나타낸 것과 동일한 구성을 갖는다.
도 3 에 나타낸 바와 같이, 샘플링용 TFT (71) 에는 게이트 영역을 사이에 두고 서로 대칭인 구성의 TFT (71A) 와 TFT (71B) 의 2 종류가 있고, 소스 배선 (72S) 및 드레인 배선 (72D) 의 배열과, 소스 배선 (73S) 및 드레인 배선 (73D) 의 배열은 서로 반대로 되어 있다. 여기서는, 샘플링용 TFT (71) 는, 그룹의 경계 (R) 에서 TFT (71A) 와 TFT (71B) 가 인접하도록 배열되어 있다. 또, 각 그룹내에는, 일방의 최단부에 위치하는 TFT (71B) 를 제외하면 모두 TFT (71A) 로 구성되고, 소스 배선과 드레인 배선의 배열이 통일되어 있다.
<표시 패널의 동작>
이러한 표시 패널 (100) 에서는, 1 수평 주사 기간 중에 화상 신호 (Sv) 를 각 데이터선 (3) 에 공급할 때, 데이터선 구동 회로 (8) 가 소정의 타이밍으로 제어 배선 (X1, X2, …) 에 제어 신호를 순차 입력함으로써 샘플링용 TFT (71) 의 온/오프가 그룹별로 제어된다. 이 샘플링 제어에 동기하여 각 그룹 중 샘플링용 TFT (71) 가 온 상태가 되고, 신호 입력이 허가된 그룹의 각 데이터선 (3) 에 대응하는 화상 신호 (Sv1∼Sv4) 가 화상 신호선 (6) 상에서 샘플링되어 대응하는 4 개의 데이터선 (3) 에 대하여 동시에 공급된다.
현재 제어 배선 (X1) 에 전압이 인가되고, 그룹 (G1) 에 대하여 화상 신호 (Sv1∼Sv4) 가 공급된 것으로 가정한다 (도 2 및 도 3 참조). 이 경우, 그룹 (G1) 의 샘플링용 TFT (71) 만 온 상태이고, 그 이외의 샘플링용 TFT (71) 는 모두 오프 상태로 되어 있다. 따라서, 그룹 (G1) 의 샘플링용 TFT (71) 의 소스 배선 (72S, 73S) 및 드레인 배선 (72D, 73D) 각각에는, 입력되는 화상 신호 (Sv: Sv1∼Sv4) 에 따른 전압이 인가되어 있다.
이 때, 인접하는 샘플링용 TFT (71) 들에는, 층간 절연막 (76) 을 유전체막으로 하여 사이에 두고 대향시킴으로써 용량 전극으로서 기능하는 배선 부분 사이에서 기생 용량이 존재한다. 그리고, 가장 근접하는 배선 사이에서는 특히 이러한 기생 용량이 크다. 기생 용량은, 또한 고정세화에 의해 화소 피치가 좁아져 샘플링용 TFT (71) 의 간격이 좁아짐에 따라서 그 유전체막이 얇아지기 때문에 증대된다. 동작 중의 그룹 (G1) 에서는, 이 배선계에 결합하는 기생 용량의 크기에 따라서, 주로 서로 인접하는 소스 배선 (72S) 과 드레인 배선 (72D) 사이에서 상호간에 전위 변동의 영향을 미치고 있다. 따라서, 데이터선 (3), 그리고 화소부 (4) 에 원래 공급되는 화상 신호와는 별도의 화상 신호에 기인한 전위 변동이 많든 적든 발생한다. 이들은, 엄밀한 의미에서는 모두 고스트 발생의 원인이 될 수 있다.
단, 본 발명의 발명자는, 이러한 그룹내에서의 샘플링용 TFT (71) 사이의 기생 용량에 비하여, 서로 다른 그룹에 속하고, 그룹과 그룹의 경계에서 인접하는 샘플링용 TFT (71) 사이의 기생 용량 (이하, 그룹간 용량이라고 부르기로 한다) 이 화질에 주는 영향이 현저하게 크다는 것을 발견하였다.
이 점에 대해서 도 5 내지 도 7 을 참조하여 설명한다. 여기에 도 5 는, 본 실시형태 경우의, 샘플링 회로내에서의 기생 용량의 모습을 나타낸 등가적인 회로도이다. 도 6 및 도 7 은, 비교예 경우의, 샘플링 회로내에서의 기생 용량의 모습을 나타낸 등가적인 회로도이다.
도 5 에 나타내는 본 실시형태의 경우, 그룹 (G1) 내 또는 (G2) 내에서, TFT (71A) 의 소스 배선 (72S) 과, 이 소스 배선 (72S) 과 경계 (R) 를 사이에 두지 않고 근접하는 TFT (71A) 의 드레인 배선 (72D) 사이에는 기생 용량 (C21) 이 기생하고 있다. 한편, 그룹 (G1) 과 그룹 (G2) 사이에서는, 그룹 (G2) 의 TFT (71B) 의 소스 배선 (73S) 과, 이 소스 배선 (73S) 과 경계 (R) 를 사이에 두고 근접하는 TFT (71A) 의 소스 배선 (72S) 사이에, 그룹간 용량 (C11) 이 기생하고 있다. 이 경우의 그룹간 용량 (C11) 은, 소스 배선들이 대향 배치되어 형성되는 기생 용량이다.
이에 대하여, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 소스 배선 및 드레인 배선의 배열이 모든 샘플링용 TFT 에서 통일되어 있는, 즉 모두 TFT (71A) 로 통일된 비교예를 상정한다. 이 비교예의 경우에는, 도 6 및 도 7 에서 나타낸 바와 같이, 그룹내나 그룹간에 상관없이 TFT (71A) 의 소스 배선 (72S) 과, 이 소스 배선 (72S) 과 근접하는 TFT (71A) 의 드레인 배선 (72D) 사이에 기생 용량 (C21) 이 기생하고 있다. 즉, 경계 (R) 를 사이에 두고 그룹간 용량 (C21) 이 기생하고 있다. 이 경우의 그룹간 용량 (C21) 은, 소스 배선과 드레인 배선이 대향 배치되어 형성되는 기생 용량이다.
통상적으로 화상은 화소 단위로 보면 급격하게 변화하지 않고, 인접 화소들은 서로 닮은 표시를 행하는 것이 알려져 있다. 요컨대, 근접하는 화소들일수록 화소 신호 전압도 차이가 없어지게 된다. 따라서, 그룹내에 대해서는, 본 실시형태의 경우나 비교예의 경우나 모두, 기생 용량 (C21) 에 의한 인접 배선 사이에서의 전위 변동이 미치는 악영향이 기본적으로 작다. 또, 가령 화소 단위로 급격히 변화하는 경우라도 인접 화소 사이에서의 급격한 변화이면, 서로 인접하는 샘플링용 TFT (71) 사이에서의 기생 용량에 의해 서로 인접하는 데이터선에 접속된 화소 라인 사이에서 고스트가 발생되어도 이것을 눈으로 확인하기가 오히려 곤란하다. 예를 들어, 화이트 화상과 블랙 화상의 경계 부근에 블랙 라인 또는 화이트 라인이 표시되어 있어도 1 라인분만, 예를 들어 십수 ㎛ 정도만 떨어져 있는 가느다란 해당 블랙 라인이나 화이트 라인은 거의 또는 실천적인 의미에서는 전혀 통상적으로 눈으로 확인할 수 없다.
그러나, 비교예의 경우에는, 그룹 (G1) 에 화상 신호가 공급되어야 하는 기간에, 그룹 (G1) 중 일방의 경계 (R) 에 있어서, 그룹간 용량 (C22) 을 통하여, 화상 신호선 (6) 에 직접 접속되어 있는 소스 배선 (72S) 에서의 전위 변동이 모든 TFT 에서 오프된 채널 영역을 경유하지 않고 이것에 인접하는 드레인 배선 (72D) 에 전달된다. 또는, 그룹 (G1) 에 화상 신호가 공급되어야 하는 기간에, 그룹 (G1) 의 타방의 경계 (R) 에 있어서, 그룹간 용량 (C22) 을 통하여, 화상 신호선 (6) 으로부터의 화상 신호가 공급된 상태에 있는 드레인 배선 (72D) 에 대해 화상 신호선 (6) 에 직접 접속되어 있는 소스 배선 (72S) 의 전위 변동이 전달된다. 이러한 경우의 구체예로서, 본 발명의 발명자에 따르면, 예를 들어 그룹 (G1) 에 있어서 우단의 화소부 (4) 를 흑색 표시하는 화상 신호 (Sv1) 를 공급하면 좌단의 화소부 (4) 가 하얗게 표시된다는 현상이 관찰되어 있다. 이것은, 기생 용량 (C22) 이, 화상 신호 (Sv1) 에 따라서 좌단의 화소부 (4) 에서의 인가 전압을 실효적으로 감소시키는 것에 기인하고 있다.
또한, 그룹간 용량 (C22) 은, 이와 같이 그룹내에서 일단측에 배열하는 데이터선 (3) 의 전위를 타단측의 데이터선 (3) 의 전위에 작용시키기 때문에, 그 영향은 그룹의 주기분만큼 이간된 화소에 나타난다. 따라서, 인접 화소 사이에서 발생하는 노이즈보다도 훨씬 시인되기 쉽다. 이와 같이 도 6 및 도 7 에 나타낸 비교예에 의하면, 그룹간 용량 (C22) 에 의한 악영향이 표시 화면 상에서 거리를 둠으로써 현재화되는 고스트로서 시각상 눈에 띄어 인식되게 되는 것이다.
이에 대하여, 본 실시형태에서는, 그룹의 경계 (R) 에서 그룹 (G2) 측의 소스 배선 (73S) 에, 그룹 (G1) 측은 드레인 배선 (73D) 이 아니라 소스 배선 (72S) 이 근접하도록 샘플링용 TFT (71) 를 레이아웃하고 있다. 여기서의 그룹간 용량 (C11) 은, 쌍방 모두 화상 신호선 (6) 에 직접 접속되어 있기 때문에 전위가 매우 안정되어 있는 소스 배선들이 대향 배치되어 형성되는 기생 용량이다. 또한, 전위 변동의 영향이 있더라도 샘플링용 TFT 의 게이트가 예비되어 있어, 그 영향이 데이터선 (3) 측까지 미치는 일은 거의 없는 것으로 생각할 수도 있다.
이와 같이 도 5 에 나타낸 본 실시형태에 의하면, 그룹간 용량 (C22) 에 기인하는 비교예와 같은 데이터선 (3) 나아가서는 화소부 (4) 에서의 전압 변동이 경감되어, 고스트 등에 의한 화질 열화를 거의 또는 전혀 생기게 하지 않고 화상 표시를 행할 수 있다. 또한, 이와 같이 종래의 샘플링 회로에 대하여 일부분만을 레이아웃 변경하는 것만으로도 그룹간 용량이라는 특히 큰 기생 용량 성분을 경감시켜, 화질을 비약적으로 개선시킨다는 커다란 효과를 얻을 수 있다.
또, 이와 같이 특히 화질에 미치는 영향이 큰 기생 용량 성분을 저감시킴으로써, 기생 용량과 트레이드 오프 관계에 있는 샘플링용 TFT (71) 의 배선 피치를 (화질을 떨어뜨리지 않고) 좁힐 수 있다. 따라서, 표시 패널 (100) 은, 종래에 비하여 고정세화를 꾀할 수 있다.
(변형예 1)
도 8 은, 제 1 실시형태에 있어서의 샘플링 회로의 제 1 변형예를 나타내고 있다. 제 1 실시형태에서는, 각 그룹의 샘플링용 TFT (71) 가 경계 (R) 를 경계로 하여 소스 배선들이 인접하도록 배치되어 있는 경우에 대해 설명했지만, 본 변형예에서는, 경계 (R) 를 경계로 하여 드레인 배선들이 인접하도록 구성되어 있다. 예를 들어, 동 도면에 나타낸 예에서는, 샘플링용 TFT (71) 의 각 그룹은, 모두 좌단을 TFT (71B) 로 하는 것 외에는 TFT (71A) 로 구성되고, 경계 (R) 를 기준으로 TFT (71A) 가 왼쪽, TFT (71B) 가 오른쪽에 배치되어 있다 (제 1 실시형태는, 그룹 우단에 TFT (71B) 를 배치하고, 경계 (R) 를 기준으로 TFT (71B) 를 왼쪽, TFT (71A) 를 오른쪽으로 하고 있다).
이러한 배열의 레이아웃에서도 그룹간 용량이 경감되어, 고스트 등을 억제한 고품위의 화상 표시가 가능해진다. 또, 화질을 떨어뜨리지 않고 샘플링용 TFT (71) 의 협피치화에 의한 고정세화가 가능해진다.
(변형예 2)
도 9 는, 제 1 실시형태에서의 샘플링 회로의 제 2 변형예를 나타내고 있다. 제 1 실시형태 및 제 1 변형예에서는, 샘플링용 TFT (71) 의 각 그룹은, 모두 일단을 TFT (71B) 로 하는 것 외에는 TFT (71A) 로 구성되어 있는 경우에 대해 설명했지만, 본 변형예에서는, 샘플링용 TFT (71) 를 그룹 단위로 배선의 배열이 교대로 반대가 되도록 하고 있다. 예를 들어, 동 도면의 예에서는, 그룹 (G1) 은 TFT (71A) 가 배열된 구성으로 되어 있고, 그룹 (G2) 은 TFT (71B) 가 배열된 구성으로 되어 있다. 이 경우도, 경계 (R) 를 경계로 하여 소스 배선들이 인접하도록 되어 있고, 제 1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
[제 2 실시형태]
다음으로 도 10 및 도 11 을 참조하여 제 2 실시형태에 대해 설명한다. 제 2 실시형태에 관한 전기 광학 장치의 주요 구성은 제 1 실시형태와 동일하며, 샘플링 회로의 레이아웃만이 다를 뿐이다. 따라서, 제 1 실시형태와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 적절히 생략하기로 한다.
도 10 은, 제 2 실시형태에 관한 샘플링 회로의 구성을 나타내고 있다. 이 샘플링 회로 (17) 는, 동일 구조의 TFT (여기서는 TFT (71A)) 가 병렬로 구성되어 있고, 그룹의 경계 (R) 를 사이에 두고 인접하는 TFT (71A) 들의 간격 (W1) 은, 그룹내에서 인접하는 TFT (71A) 의 간격 (W2) 에 비하여 크게 설정되어 있다.
이 경우, 그룹간 용량 (도 7: 용량 (C22)) 은, 간격 (W1) 에 의해 저감된다. 따라서, 데이터선 (3) 나아가서는 화소부 (4) 의 용량 (C22) 에 기인하는 전압 변동이 경감되어, 고스트 등에 의한 화질 열화를 거의 또는 전혀 생기게 하지 않고 화상 표시를 행할 수 있다.
그리고, 이와 같이 특히 화질에 미치는 영향이 큰 기생 용량 성분을 저감시킴으로써, 기생 용량과 트레이드 오프 관계에 있는 샘플링용 TFT (71) 의 배선 피치를 (화질을 떨어뜨리지 않고) 좁힐 수 있다. 따라서, 표시 패널 (100) 은, 종래에 비하여 고정세화를 꾀할 수 있다.
(응용예)
도 11 은, 제 2 실시형태에서의 샘플링 회로의 응용예를 나타내고 있다. 본 응용예에서는, 경계 (R) 를 사이에 두고 서로 인접하는 TFT (71A) 의 간극 (W1) 에는 게이트에 접속된 게이트 배선 (72G) 의 일부가 형성되어 있다. 즉, 게이트 배선 (72G) 은, 단순히 그룹별로 제어 배선 (X1, X2, …) 에 대하여 공통적으로 접속되어 있을 뿐만 아니라, 동 도면에 나타낸 바와 같이 게이트 배선 (72G) 의 공통 부분이 TFT (71A) 의 각 그룹의 외주로 우회되어 있다. 이것에 의해, 각 게이트 배선 (72G) 에는, 그룹의 좌우 양측으로부터 샘플링 회로 구동 신호가 공급된다. 또, 이와 같이 게이트 배선 (72G) 을 용장하게 형성하면, 그 일부가 단선되어도 TFT (71A) 를 정상적으로 구동할 수 있다.
이러한 배선 구조에 있어서, 게이트 배선 (72G) 의 일부를 간극 (W1) 을 이용하여 배선함으로써, 경제적인 배선 레이아웃을 취할 수 있다.
또, 상기 제 2 실시형태 및 응용예에 관한 샘플링 회로는, 제 1 실시형태 및 그 변형예에서 설명한 바와 같이, 경계 (R) 를 사이에 두고 인접하는 샘플링용 TFT (71) 를 서로의 소스 배선들이, 또는 드레인 배선들이 인접하도록 배치시키는 변형을 실시할 수도 있다. 이 경우, 그룹간 용량을 한층 더 저감시키는 것이 가능하다.
[제 3 실시형태]
다음으로 도 12 및 도 13 을 참조하여 제 3 실시형태에 대해 설명한다. 제 3 실시형태에 관한 전기 광학 장치의 주요 구성은 제 1 실시형태와 동일하고, 샘플링 회로의 레이아웃만 다르다. 따라서, 제 1 실시형태와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 적절히 생략하기로 한다.
도 12 는, 제 3 실시형태에 관한 샘플링 회로의 구성을 나타내고 있다. 이 샘플링 회로 (27) 는, 동일 구조의 TFT (여기서는 TFT (71A)) 가 병렬하여 구성되어 있다. 단, 그룹의 경계 (R) 를 사이에 두고 인접하는 샘플링용 TFT (71) 중 일방인 TFT (71C) 만은, 데이터선 (3) 의 연장 방향으로 거리 (L) 만큼 어긋나게 배치되어 있다.
이 경우, 그룹간 용량 (도 7: 용량 (C22)) 은, TFT (71C) 의 어긋난 정도로서의 거리 (L) 에 따라 저감된다. 따라서, 데이터선 (3) 나아가서는 화소부 (4) 의 용량 (C22) 에 기인하는 전압 변동이 경감되어, 고스트 등에 의한 화질 열화를 거의 또는 전혀 발생시키지 않고 화상 표시를 행할 수 있다. 본 실시형태에서는 특히, TFT (71C) 는, 데이터선이 연장되는 방향을 따른 각 TFT 의 길이 이상인 거리 (L) 만큼 어긋나 있고, 또한 TFT (71C) 에서의 그룹의 외측을 향하는 소스 배선이 인접하는 그룹의 TFT 에 대향하지 않게 되는 방향으로 어긋나 있다. 즉, TFT (71C) 에서의 그룹의 외측을 향하는 소스 배선은 서로 인접하는 그룹의 외측을 향하는 드레인 배선과 만나는 위치 (즉, 서로 대향하는 위치) 를 앞두고 종단을 맞이한다. 따라서 TFT (71C) 에서의 그룹의 외측을 향하는 소스 배선과, 이것과 서로 인접하는 그룹의 외측을 향하는 드레인 배선 사이에서의 기생 용량이 현저하게 저감된다.
또한 여기서는, TFT (71C) 를 TFT (71A) 가 배열되는 위치로부터 이간시킴으로써, TFT (71C) 의 폭만큼 TFT (71A) 의 간격을 좁힐 수 있다. 따라서, 그룹간 용량의 저감과 함께 배선 피치를 (화질을 떨어뜨리지 않고) 좁힐 수 있어, 표시 패널 (100) 의 고정세화를 꾀할 수 있다.
또, 본 실시형태의 변형예로서, 도 13 에 나타낸 바와 같이 도 12 와는 반대측의 TFT (71C) 를 어긋나게 한 구성을 채용하는 것도 가능하다. 이 경우, TFT (71C) 에서의 그룹의 외측을 향하는 드레인 배선은, 서로 인접하는 그룹의 외측을 향하는 소스 배선과 만나는 위치 (즉, 서로 대향하는 위치) 를 포함하여 배선되어 있다. 따라서, 도 12 에 나타낸 제 3 실시형태와 비교하면 기생 용량을 저감시키는 효과는 다소 떨어지지만, 본 변형예의 경우에도, 기생 용량을 저감시키는 효과가 상응하여 얻어지는 동시에, 샘플링 회로를 구성하는 TFT (71A) 의 간극을 좁히는 것도 가능하다. 또한, 그 밖의 변형예로서, 제 1 실시형태 및 그 변형예에서 설명한 바와 같이, 경계 (R) 를 사이에 두고 인접하는 샘플링용 TFT (71) 가 서로 소스 배선들이, 또는 드레인 배선들이 인접하도록 배치하면 더욱 그룹간 용량을 저감시키는 것이 가능하다.
[전자기기]
다음으로, 이상에서 설명한 전기 광학 장치를 각종 전자기기에 적용하는 경우에 관해 설명한다.
(프로젝터)
우선, 이 전기 광학 장치인 액정 장치를 라이트 밸브로서 사용한 프로젝터에 대해서 설명한다. 도 14 는, 프로젝터의 구성예를 나타내는 평면도이다. 이 도면에 나타내는 바와 같이, 프로젝터 (1100) 내부에는 할로겐 램프 등의 백색 광원으로 이루어지는 램프 유닛 (1102) 이 형성되어 있다. 이 램프 유닛 (1102) 에서 출사된 투사광은, 라이트 가이드 (1104) 내에 배치된 4 장의 미러 (1106) 및 2 장의 다이크로익 미러 (1108) 에 의해 RGB 의 3 원색으로 분리되고, 각 원색에 대응하는 라이트 밸브로서의 액정 장치 (1110R, 1110B 및 1110G) 에 입사된다. 액정 장치 (1110R, 1110B 및 1110G) 의 구성은 상기 서술한 전기 광학 장치와 동등하고, 각각에 있어서 화상 신호 처리 회로로부터 공급되는 R, G, B 의 원색 신호가 변조된다. 이들 액정 장치에 의해 변조된 광은, 다이크로익 프리즘 (1112) 에 3 방향으로부터 입사된다. 다이크로익 프리즘 (1112) 에서는, R 및 B 의 빛이 90 도에 굴절되는 한편, G 의 빛이 직진한다. 이것에 의해 각 컬러의 화상이 합성되고, 투사 렌즈 (1114) 를 통해 스크린 등에 컬러 화상이 투사된다.
(모바일형 컴퓨터)
다음으로, 이 전기 광학 장치인 액정 장치를 모바일형 PC 에 적용한 예에 대해 설명한다. 도 15 는, 이 PC 의 구성을 나타내는 사시도이다. PC (1200) 는, 키보드 (1202) 를 구비한 본체부 (1204) 와, 액정 표시 유닛 (1206) 으로 구성되어 있다. 액정 표시 유닛 (1206) 은, 전술한 전기 광학 장치로서의 액정 장치 (1005) 에 백라이트를 부가한 구성으로 되어 있다.
(휴대전화)
또, 이 전기 광학 장치인 액정 장치를 휴대전화에 적용한 예에 대해 설명한다. 도 16 은, 이 휴대전화의 구성을 나타내는 사시도이다. 동 도면에 있어서, 휴대전화 (1300) 는, 복수의 조작 버튼 (1302) 과 함께 전술한 전기 광학 장치로서의 반사형 액정 장치 (1005) 를 구비하는 것이다. 이 반사형 액정 장치 (1005) 에 있어서는 필요에 따라 그 전면에 프론트 라이트가 형성된다.
이상에서는, 본 발명의 전기 광학 장치의 일 구체예로서 액정 장치를 들어 설명했지만, 본 발명의 전기 광학 장치는, 그 외에도 예를 들어 전자 페이퍼 등의 전기 영동 장치나, 전자 방출 소자를 사용한 표시 장치 (Field Emission Display 및 Surface-Conduction Electron-Emitter Display) 등으로서 실현할 수 있다. 또한, 이러한 본 발명의 전기 광학 장치는, 앞서 설명한 전자기기 외에도, 텔레비전 수상기나, 뷰 파인더형 또는 모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 카 내비게이션 장치, 호출기, 전자수첩, 전자탁상 계산기, 워드프로세서, 워크스테이션, 휴대전화, 텔레비전 전화, POS 단말 및 터치 패널을 구비한 장치 등에 적용 가능하다.
본 발명은 상기 서술한 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 청구의 범위 및 명세서 전체로부터 파악되는 발명의 요지 또는 사상에 반하지 않는 범위에서 적절히 변경이 가능하고, 그와 같은 변경을 동반하는 전기 광학 장치, 그 구동 회로 및 전자기기도 또한 본 발명의 기술적 범위에 포함되는 것이다.
본 발명에 따르면, 샘플링 회로내의 박막 트랜지스터 사이의 기생 용량에 기인하여 동시 구동되는 데이터선군의 경계선에 발생하는 고스트 등이 저감된 고품위의 화상이 표시 가능해진다. 또한, 이러한 기생 용량에 의한 화상 표시에 대한 악영향을 억제하면서 샘플링 회로내에서의 박막 트랜지스터의 피치를 좁힐 수 있기 때문에, 데이터선의 협(狹)피치화, 즉 화소 피치의 협피치화가 가능해져, 고정세도의 화상 표시를 행할 수 있게 된다.
또한 본 발명의 전자기기는 상기 서술한 본 발명의 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지므로 고품위의 화상 표시가 가능한, 투사형 표시 장치, 텔레비전 수상기, 휴대전화, 전자수첩, 워드프로세서, 뷰 파인더형 또는 모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 워크스테이션, 텔레비전 전화, POS 단말, 터치 패널 등의 각종 전자기기를 실현할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 전기 광학 장치의 표시 패널을 나타내는 블록도.
도 2 는, 도 1 에 나타낸 표시 패널에서의 데이터선 구동 회로계의 구성을 나타내는 회로도.
도 3 은, 도 2 에 나타낸 샘플링 회로의 배선 레이아웃도.
도 4 는, 도 3 의 I-I' 단면도.
도 5 는, 도 2 에 나타낸 샘플링 회로에서의 기생 용량에 대해서 설명하기 위한 도면.
도 6 은, 도 3 에 나타낸 샘플링 회로의 비교예를 도시하는 배선 레이아웃도.
도 7 은, 도 6 에 나타낸 샘플링 회로에서의 기생 용량에 대해서 설명하기 위한 도면.
도 8 은, 제 1 실시형태에 관한 샘플링 회로의 변형예를 도시하는 배선 레이아웃도.
도 9 는, 제 1 실시형태에 관한 샘플링 회로의 변형예를 도시하는 배선 레이아웃도.
도 10 은, 제 2 실시형태에 관한 전기 광학 장치에 적용되는 샘플링 회로의 배선 레이아웃도.
도 11 은, 제 2 실시형태에 관한 샘플링 회로의 응용예를 도시하는 배선 레이아웃도.
도 12 는, 제 3 실시형태에 관한 전기 광학 장치에 적용되는 샘플링 회로의 배선 레이아웃도.
도 13 은, 제 3 실시형태의 변형예에 관한 샘플링 회로의 배선 레이아웃도.
도 14 는, 전기 광학 장치를 적용한 전자기기의 일례인 프로젝터의 구성을 나타내는 단면도.
도 15 는, 전기 광학 장치를 적용한 전자기기의 일례인 PC 의 구성을 나타내는 단면도; 및
도 16 은, 전기 광학 장치를 적용한 전자기기의 일례인 휴대전화의 구성을 나타내는 단면도.
※ 도면의 주요부분의 주요 부호의 설명 ※
1: TFT 기판 2: 주사선
3: 데이터선 4: 화소부
5A, 5B: 주사선 구동 회로 6: 화상 신호선
7, 17, 27: 샘플링 회로 8: 데이터선 구동 회로
9: 프리차지 회로 10: 화상 표시 영역
71, 71A∼71C: 샘플링용 TFT 72S, 73S: 소스 배선
72G, 73G: 게이트 배선 72D, 73D: 드레인 배선
X, X1, X2: 제어 배선
G1,G2: (동시 구동되는 배선계의) 그룹
R: 그룹간 경계 Sv, Sv1∼Sv4: 화상 신호
100: 표시 패널

Claims (11)

  1. 기판;
    상기 기판 위에서의 화상 표시 영역에, 서로 교차하여 배열된 복수의 주사선과 복수의 데이터선; 및
    상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선에 접속된 복수의 화소부를 구비하고,
    상기 기판 위에서의 상기 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에, 시리얼-패러렐 변환된 n (단, n 은 2 이상의 자연수) 개의 화상 신호가 공급되는 n 개의 화상 신호선을 구비하고,
    상기 주변 영역에, (ⅰ) 상기 데이터선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 드레인 배선에 접속된 드레인과, (ⅱ) 상기 화상 신호선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 소스 배선에 접속된 소스와, (ⅲ) 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 상기 드레인 배선 및 상기 소스 배선 사이에 개재되어 연장 설치된 게이트를 각각 구비하는 동시에, 상기 복수의 데이터선에 대응하여 배열된 복수의 박막 트랜지스터를 포함하는 샘플링 회로; 및
    샘플링 회로 구동 신호를 상기 복수의 데이터선 중 동시에 구동되는 n 개의 데이터선에 접속된 n 개의 박막 트랜지스터의 그룹별로, 상기 게이트에 공급하는 데이터선 구동 회로를 구비하고,
    상기 복수의 박막 트랜지스터 중 상기 그룹의 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터는, 상기 게이트를 개재하는 상기 소스 배선과 상기 드레인 배선의 배열이 서로 반대가 되도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 그룹별로, 상기 n 개의 박막 트랜지스터는 상기 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터 중 일방을 제외하고, 상기 배열이 통일되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 그룹별로, 상기 n 개의 박막 트랜지스터는 상기 배열이 통일되어 있고, 서로 인접하는 2 개의 그룹 사이에서는 상기 배열이 서로 반대인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 박막 트랜지스터는 이들의 배열순으로 상기 게이트를 개재하는 상기 소스 배선과 상기 드레인 배선의 배열이 교대로 반대이고, 상기 n 은 짝수인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  5. 기판;
    상기 기판 위에서의 화상 표시 영역에, 서로 교차하여 배열된 복수의 주사선과 복수의 데이터선; 및
    상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선에 접속된 복수의 화소부를 구비하고,
    상기 기판 위에서의 상기 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에, 시리얼-패러렐 변환된 n (단, n 은 2 이상의 자연수) 개의 화상 신호가 공급되는 n 개의 화상 신호선을 구비하고,
    상기 주변 영역에, (ⅰ) 상기 데이터선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 드레인 배선에 접속된 드레인과, (ⅱ) 상기 화상 신호선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 소스 배선에 접속된 소스와, (ⅲ) 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 상기 드레인 배선 및 상기 소스 배선 사이에 개재되어 연장 설치된 게이트를 각각 구비하는 동시에, 상기 복수의 데이터선에 대응하여 배열된 복수의 박막 트랜지스터를 포함하는 샘플링 회로; 및
    샘플링 회로 구동 신호를 상기 복수의 데이터선 중 동시에 구동되는 n 개의 데이터선에 접속된 n 개의 박막 트랜지스터의 그룹별로, 상기 게이트에 공급하는 데이터선 구동 회로를 구비하고,
    상기 복수의 박막 트랜지스터 중 상기 그룹의 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터의 간극은, 상기 그룹내에서 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터의 간극과 비교하여 크게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터의 간극에는, 상기 게이트에 접속된 게이트 배선의 일부가 배선되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터는, 상기 소스 배선들이 서로 인접하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터는, 상기 드레인 배선들이 서로 인접하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  9. 기판;
    상기 기판 위에서의 화상 표시 영역에, 서로 교차하여 배열된 복수의 주사선과 복수의 데이터선; 및
    상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선에 접속된 복수의 화소부를 구비하고,
    상기 기판 위에서의 상기 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에, 시리얼-패러렐 변환된 n (단, n 은 2 이상의 자연수) 개의 화상 신호가 공급되는 n 개의 화상 신호선을 구비하고,
    상기 주변 영역에, (ⅰ) 상기 데이터선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 드레인 배선에 접속된 드레인과, (ⅱ) 상기 화상 신호선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 소스 배선에 접속된 소스와, (ⅲ) 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 상기 드레인 배선 및 상기 소스 배선 사이에 개재되어 연장 설치된 게이트를 각각 구비하는 동시에, 상기 복수의 데이터선에 대응하여 배열된 복수의 박막 트랜지스터를 포함하는 샘플링 회로; 및
    샘플링 회로 구동 신호를 상기 복수의 데이터선 중 동시에 구동되는 n 개의 데이터선에 접속된 n 개의 박막 트랜지스터의 그룹별로, 상기 게이트에 공급하는 데이터선 구동 회로를 구비하고,
    상기 복수의 박막 트랜지스터 중 상기 그룹의 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터 중 일방은, 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 어긋나 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 2 개의 박막 트랜지스터 중 일방은, 상기 데이터선이 연장되는 방향을 따른 상기 복수의 박막 트랜지스터의 길이 이상으로 어긋나 있고, 또 상기 2 개의 박막 트랜지스터 중 일방에서의 상기 그룹의 외측을 향하는 상기 소스 배선 및 상기 드레인 배선 중 일방이, 상기 2 개의 박막 트랜지스터 중 타방에 대향하지 않게 되는 방향으로 어긋나 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  11. 기판;
    상기 기판 위에서의 화상 표시 영역에, 서로 교차하여 배열된 복수의 주사선과 복수의 데이터선; 및
    상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선에 접속된 복수의 화소부를 구비하고,
    상기 기판 위에서의 상기 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에, 시리얼-패러렐 변환된 n (단, n 은 2 이상의 자연수) 개의 화상 신호가 공급되는 n 개의 화상 신호선을 구비하고,
    상기 주변 영역에, (ⅰ) 상기 데이터선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 드레인 배선에 접속된 드레인과, (ⅱ) 상기 화상 신호선으로부터 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 연장 설치된 소스 배선에 접속된 소스와, (ⅲ) 상기 데이터선이 연장되는 방향으로 상기 드레인 배선 및 상기 소스 배선 사이에 개재되어 연장 설치된 게이트를 각각 구비하는 동시에, 상기 복수의 데이터선에 대응하여 배열된 복수의 박막 트랜지스터를 포함하는 샘플링 회로; 및
    샘플링 회로 구동 신호를, 상기 복수의 데이터선 중 동시에 구동되는 n 개의 데이터선에 접속된 n 개의 박막 트랜지스터의 그룹별로, 상기 게이트에 공급하는 데이터선 구동 회로를 구비하고,
    상기 복수의 박막 트랜지스터 중 상기 그룹의 경계선을 사이에 두고 서로 인접하는 2 개의 박막 트랜지스터는, 상기 게이트를 개재하는 상기 소스 배선과 상기 드레인 배선의 배열이 서로 반대가 되도록 배치되어 있는, 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자기기.
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