TWI273648B - Cleaning sheet and method of cleaning substrate processing equipment - Google Patents

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TWI273648B
TWI273648B TW092133016A TW92133016A TWI273648B TW I273648 B TWI273648 B TW I273648B TW 092133016 A TW092133016 A TW 092133016A TW 92133016 A TW92133016 A TW 92133016A TW I273648 B TWI273648 B TW I273648B
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Yoshio Terada
Makoto Namikawa
Eiji Toyoda
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Nitto Denko Corp
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Description

1273648 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於清潔易受外來物質影響之各種 基板處理設備，諸如用於製造或檢測半導體、平面顯示器、 印刷電路板等等之設備的片材，一種使用此一片材清潔基 板處理設備之方法，及一種利用此一清潔方法清潔之基板 處理設備。 【先前技術】 在各種基板處理設備中，各種輸送系統及基板彼此物理 接觸而輸送。在此程序中，當基板或輸送系統經附著外來 物質時，後續的基板會接著受污染。此使得設備需定期停 止操作進行清潔，而會導致操作效率的下降或需要甚多人 工 〇 為解決此等問題，已提出一種包括輸送經固定黏性材料 之基板，以經由清潔作用將附著至基板處理設備内部之外 來物質移除的方法（專利參考文獻1 )，及一種包括輸送管 狀元件，以將附著至基板背面之外來物質移除之方法（專利 參考文獻2 )。此等方法可消除停止基板處理設備之操作進 行清潔之需求，而不會導致操作效率的下降或不需甚多人 工。尤其，前一方法之移除外來物質的能力優良。 [專利參考文獻1 ] JP-A-10-154686(2-4 頁） [專利參考文獻2 ] JP-A-11-87458(2-3 頁） 8 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 【發明内容】 然而，本發明人之研究顯示前述之提案對於當輸送至設 備中之清潔元件包含陰離子諸如_離子、硝酸根離子、磷 酸根離子及硫酸根離子或陽離子諸如鹼金屬離子時將不 利，由於此等離子不純物會污染設備之内部造成產物晶圓 之污染，而導致諸如裝置佈線腐蝕及電晶體性能劣化之嚴 重問題。 此外，根據前述之提案，尤其係具有優異外來物質移除 能力之前一方法，即涉及使用黏性材料之方法，將清潔層 之表面與經由利用聚矽氧、蠟或其類似物使聚酯薄膜或其 類似物進行易釋離處理，或經由將經浸泡熱劣化抑制劑、 潤滑劑或其類似物之聚烯烴基樹脂或其類似物形成為薄膜 而製得之可釋離保護膜層合，以抑制其之污染。 本發明人發現此一保護膜包含各種會轉移至清潔層之 金屬元素，諸如驗金屬及驗土金屬或其之化合物為不純 物。當將此保護膜自清潔層剝離及將清潔元件輸送至基板 處理設備時，此等不純物之黏著會造成設備污染，而導致 產物晶圓之污染，其由於裝置性能之劣化而導致經常發生 瑕疵。 此外，本發明人之研究顯示前述之提案有當待輸送至設 備中之清潔元件包含金屬諸如鹼金屬及鹼土金屬或其之化 合物為不純物時，其不僅無法達到期望的清潔效果，並且 會使此等不純物污染設備之内部，造成產物晶圓之污染， 而導致諸如裝置佈線腐蝕及電晶體性能劣化之嚴重問題的 9 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 缺點。 本發明之一目標為提供一種鑑於此等情勢下，經由將清 潔元件輸送至設備中以清潔作用將附著至設備内部之外來 物質移除時，不會造成基板處理設備被離子不純物污染的 清潔元件。 本發明之另一目標為提供一種鑑於此等情勢下，經由將 清潔元件輸送至設備中以清潔作用將附著至設備内部之外 來物質移除時，造成極少基板處理設備被歸因於保護膜之 金屬不純物污染之清潔元件。 本發明之再一目標為提供一種鑑於此等情勢下，經由將 清潔元件輸送至設備中以清潔作用將附著至設備内部之外 來物質移除時，不會造成基板處理設備被金屬不純物污染 之清潔元件。 _ 本發明人進行廣泛的研究，以達成前述目標。結果，得 知使用之清潔元件，包括其之特定離子之純水萃取性受限 之可與基板處理設備接觸之清潔層，於經由將清潔元件輸 送至設備内部中以清潔作用將附著至設備内部之外來物質 移除，可消除設備被離子不純物之污染，及因此可防止發 生諸如會造成裝置中之佈線腐蝕或電晶體性能劣化之產物 晶圓之污染的嚴重問題。本發明因此而完成。 換言之，本發明係關於一種清潔片材，其包括其中r、 Cl、Br-、N〇2_、NO，、P〇43' SO，、NaT、Nil/及 K+，各可 利用純水以不大於2 0 p p m (在1 2 0 °C於沸騰下萃取1小時） 之量萃取之清潔層；及尤其係一種具有前述構造之清潔片 10 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 材，其中清潔層實質上不具黏著力；或一種具有前述構造 之清潔片材，其中清潔層係設置於基礎材料上。本發明進 一步關於一種清潔基板處理設備之方法，其包括將此一清 潔片材輸送至基板處理設備中。 本發明人亦得知使用由當使保護膜與矽晶圓（之鏡面） 接觸時，金屬元素或其之化合物各係以不大於一特定值（以 金屬元素計算）之量轉移至矽晶圓之材料形成之保護膜作 為設置於清潔層上之保護膜，經由將清潔元件輸送至設備 之内部中以清潔作用將附著至基板處理設備内部之外來物 質移除，可消除設備被金屬不純物之污染，及因此而防止 發生諸如會由於裝置性能之劣化而導致經常產生瑕疵之產 物晶圓之污染的問題。本發明因此而完成。 換言之，本發明係關於一種清潔片材，其包括層合於清 潔層上之可釋離保護膜，其中保護膜係由當使保護膜與矽 晶圓（之鏡面）在2 3 °C下接觸1分鐘時，金屬元素諸如N a、 K、 Ca、 Mg、 Al、 Ti、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu 及 Zn 或其 之化合物各係以不大於1 x 1 0 12原子/平方公分（以金屬 元素計算）之量轉移至矽晶圓之材料所形成；及更特定言之 係一種具有前述構造之清潔片材，其中清潔層實質上不具 黏著力；或一種具有前述構造之清潔片材，其中清潔層係 設置於基礎材料上。本發明進一步關於一種清潔基板處理 設備之方法，其包括將保護膜自清潔層剝離及將此一清潔 片材輸送至基板處理設備中。 本發明人進一步得知使用之清潔元件，包括其之特定金 11 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 屬元素或其化合物之含量受限之可與基板處理設備接觸之 清潔層，於經由將清潔元件輸送至設備之内部中以清潔作 用將附著至設備内部之外來物質移除，可消除設備被金屬 不純物之污染，及因此而防止發生諸如會造成裝置中之佈 線腐蝕或電晶體性能劣化之產物晶圓之污染的嚴重問題。 本發明因此而完成。 換言之，本發明係關於一種清潔片材，包括其中之金屬 元素諸如 Na、K、Mg、Al、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、 Cu及Zn或其之化合物之含量各不大於5 ppm(微克/ 克）（以金屬元素計算）之清潔層；及更特定言之係一種清潔 片材，其中清潔層實質上不具黏著力；或一種清潔片材， 其中清潔層係設置於基礎材料上。本發明進一步關於一種 清潔基板處理設備之方法，其包括將此一清潔片材輸送至 基板處理設備中。 本發明亦關於一種具有前述構造之清潔片材，其中將清 潔層設置於基礎材料之一面上，及將感壓黏著層設置於基 礎材料之另一面上；及更特定言之係一種具有清潔力之載 送材料，其包括藉由感壓黏著層層合於載送材料上之前述 的清潔片材。本發明進一步關於一種清潔基板處理設備之 方法，其包括將具有前述構造之具清潔力之載送材料輸送 至基板處理設備中。本發明進一步關於一種清潔基板處理 設備之方法，其包括將具有前述構造之具清潔力之載送材 料之若有之設置於清潔片材上之保護膜自清潔層剝離及輸 送至基板處理設備中。 12 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 本發明可進一步提供一種利用任何前述之各種清潔方 法清潔之基板處理設備。 【實施方式】 在本發明，清潔層需滿足作為離子不純物之F_、C 1_、 Br-、ΝΟΓ、NO，、P〇43-、S〇42-、Na+、NH /及 Γ之純水萃取 性之量各係不大於2 0 p p m (微克/克）的條件，以不大於1 Ο p p m較佳（在1 2 0 °C於沸騰下萃取1小時）。當特定離子之純 水萃取性各不大於2 0 p p m時，可消除經如此清潔之基板處 理設備被離子不純物的污染，而可防止發生諸如產物晶圓 之污染的問題。 為測量前述之特定離子之純水萃取性，將清潔層切割成 1 0 0平方公分（1 0公分X 1 0公分）之尺寸。然後將經如此 取樣之清潔層測量於由PMP (聚曱基戊烯）製成之容器中。 接著將5 0毫升純水置於容器中。然後將容器關閉。接著將 樣品於乾燥機中在1 2 0 °C在沸騰下萃取1小時。然後使用 DX-500型離子層析儀（DIONEX CORPORATION製造）使所得之 萃取物進行定量分析。 在本發明，層合於清潔層上之可釋離保護膜係由當使保 護膜與矽晶圓（之鏡面）在2 3 °C下接觸1分鐘時，金屬元素 言f 如 Na、K、Ca、Mg、Al、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、N i、C u 及Z n或其之化合物各係以不大於1 x 1 0 12原子/平方公 分，以不大於1 X 1 0 11原子/平方公分較佳，不大於1 X 1 0 1 °原子/平方公分更佳（以金屬元素計算）之量轉移至矽 晶圓之材料所形成。使用此一保護膜可消除設備之污染， 13 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 及因此而防止產物晶圓之污染。 相對地，當使用由前述之金屬元素或其之化合物各係以 大於1 X 1 0 12原子/平方公分（以金屬元素計算）之量轉 移至矽晶圓之材料形成之保護膜時，前述之金屬元素或其 之化合物會轉移至清潔層成為不純物。因此，當將保護膜 自清潔層剝離及將清潔片材輸送至基板處理設備中時，經 轉移之不純物會附著（轉移）至設備，而造成產物晶圓之污 染，其會造成裝置性能劣化，而導致經常產生瑕疵及因此 使良率下降，而大大不利。 為測量前述之轉移量，使保護膜與矽晶圓（之鏡面）在2 3 °C下接觸1分鐘。為測量N a及K之轉移量，使經與保護膜 接觸之晶圓表面與氫氟酸接觸。將晶圓經與其接觸之氫氟 酸加熱及蒸發至乾。然後使殘留物進行感應偶合電漿質譜 術（使用 Hewlett-Packard Development Company, L.P.製 造之HP4500型）。 為測量 Ca、 Mg、 Al、 Ti、 Cr、 Μη、 Fe、 Co、 Ni、 Cu 及 Zn之轉移量，使經與保護膜接觸之晶圓表面進行全反射X-射線螢光檢測（使用Technos Inc.製造之TREX610T型）。 此外，在本發明，清潔層需滿足作為金屬不純物之金屬 元素諸如 Na、K、Mg、Al、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、 Cu、Zn、或其之化合物之含量不大於5 ppm(微克/克）， 以不大於2ppm較佳，不大於1 ppm更佳（以金屬元素計算） 之條件。經由如此限制金屬不純物之含量，可消除以如此 清潔之基板處理設備被金屬不純物之污染，而使其可防止 14 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 發生諸如產物晶圓之污染的問題。 前述之含量可以下述方式測量。 將清潔層切割成4平方公分（2公分X 2公分）之尺寸。 將經如此取樣之清潔層分配於鉑碟中，然後利用氣體燃燒 器將其加熱，以使其燃燒。其後於電爐中將樣品加熱至5 5 0 V 1小時及至6 0 0 °C 1小時，直至沒有碳未經燃燒為止。 然後使樣品冷卻。接著於樣品中加入2亳升之濃鹽酸。然 後將樣品加熱至5 0 °C ，以使灰份含量溶解。使樣品冷卻， 然後以超純水稀釋成為5 0毫升。為測定各元素諸如Na及 K之含量，進行原子吸收光譜術（使用H i t a c h i， L t d .製造 之Z-6100型）。為測定各元素諸如Mg、 Al、 Ca、 Ti、 Cr、 Μη、Fe、Co、Ni、Cu及Zn之含量，進行ICP光譜術（使用 Seiko Instruments Inc·製造之 SPS-1700HVR 型）。 當此一清潔層具有不小於1 0 Μ P a之拉伸模數（試驗方 法：J I S K 7 1 2 7 )，以1 0至2，0 0 0 Μ P a較佳時，可防止在切 割標籤或錯誤切割標籤時之清潔層的擠出，而使其可製造 在預切割程序中不會造成污染之具清潔力之標籤片材而有 利。當拉伸模數太小時，標籤片材會在輸送過程中黏著至 設備中之接觸部位（待清潔之部位），而在前述之切割困難 之外再造成輸送困難。相對地，當拉伸模數太大時，所得 之標籤片材具有劣化之附著至輸送系統之外來物質的移除 力。 此一清潔層之材料並無明確之限制。然而，清潔層係由 利用活性能源諸如紫外射線及熱聚合及固化之樹脂層所形 15 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 成較佳。此係由於前述之聚合固化產生實質上未顯現黏著 力之三維網狀分子結構，而使其可製得在輸送過程中不會 黏著至基板處理設備中之接觸部位的清潔元件，因此其可 安全地輸送至設備中。 此處所使用之術語「實質上無黏著」係指示如將黏性之 本質視為摩擦（其係滑動之阻力），則未發生呈現感壓黏性 的黏著。此感壓黏性係當黏性材料之彈性模數根據，例如， 達奇斯特（Dahlquist)標準，直至1 MPa時出現。 前述聚合固化樹脂層之一例子係經由利用活性能源，尤 其係利用紫外射線，使包含感壓黏著聚合物、每分子具有 一或多個不飽和雙鍵之化合物（以下稱為「可聚合不飽和化 合物」）、聚合引發劑及非必需之交聯劑之可固化樹脂組成 物進行固化而得之樹脂層。 經由限制包含於前述可固化樹脂組成物之各種成份中 之前述特定離子之含量，即經由適當選擇所使用之各種成 份之材料，或使成份進行適當的處理，以降低前述特定離 子之含量，而將來自經如此聚合固化之樹脂層之前述特定 離子之純水萃取性預定為不大於2 0 p p m。 此外，經由限制包含於前述可固化樹脂組成物之各種成 份中之前述特定金屬元素或其化合物之含量，即經由適當 選擇所使用之各種成份之材料，或使成份進行適當的處 理，以降低前述金屬元素或其化合物之含量，而將經如此 聚合固化之樹脂層中之前述金屬元素或其化合物之含量各 預定為以金屬元素計算不大於5 ppm。 16 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 在將說明於後之保護膜層合於由聚合固化樹脂層等等 製成之清潔層上的情況中，前述之金屬元素或其化合物會 自保護膜轉移至清潔層之内部。在此情況，為亦限制轉移 量，將清潔層中之前述金屬元素或其化合物之含量各預定 為以金屬元素計算不大於5 ppm。 關於感壓黏著聚合物，使用包含（曱基）丙烯酸及/或 (曱基）丙烯酸酯作為主要單體之丙烯酸系聚合物較佳。為 合成丙烯酸系聚合物，可經由使用每分子具有二或多個不 飽和雙鍵之化合物作為可共聚合單體，或將於其分子中具 有不飽和雙鍵之化合物化學鍵結至經由官能基與彼此之反 應如此合成得之丙烯酸系聚合物，而將不飽和雙鍵加入於 丙烯酸系聚合物之分子中。加入不飽和雙鍵可使丙烯酸系 聚合物參與聚合固化反應。 關於可聚合不飽和化合物，為於固化過程中達到高的三 維網狀交聯效率，使用具不大於1 0，0 0 0之重量平均分子 量，尤其係不大於5，0 0 0之非揮發性低分子化合物較佳。 此一可聚合不飽和化合物之例子包括苯氧基聚乙二醇 (曱基）丙烯酸酯、ε -己内酯（曱基）丙烯酸酯、聚乙二醇二 (甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基 丙烷三（曱基）丙烯酸酯、二異戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、 胺基甲酸酯（曱基）丙烯酸酯、環氧（甲基）丙烯酸酯、及寡 聚酯（曱基）丙烯酸酯。可使用其之一或多者。 關於聚合引發劑，如使用熱作為活性能源，則可使用熱 聚合引發劑諸如過氧化苯甲醯及偶氮雙異丁腈。或者，如 17 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 使用光作為活性能源，則可使用光聚合引發劑諸如苯甲醯 基、安息香乙基醚、雙苄、異丙基安息香醚、二苯基酮、 米蚩酮（Michler’sketone)氯-9-氧二苯并硫°底喃、十二基 -9 -氧二苯并硫哌喃、二曱基-9 -氧二苯并硫哌喃、二乙醇 縮苯乙酮、苄基二曱基縮酮、α -羥環己基苯基酮、2 -羥曱 基苯基丙烷及2, 2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮。 由經如此聚合固化之樹脂層形成之清潔層相對於矽晶 圓（鏡面）展現不大於0 . 2牛頓/ 1 0毫米寬度之1 8 0 ^剝離 黏著較佳，自0 . 0 1至0 . 1牛頓/ 1 0毫米寬度更佳（根據J I S Ζ 0 2 3 7測量）。此一低黏性或無黏性清潔層在輸送過程中不 會黏著至設備中之接觸部位，而不會造成輸送困難。 在本發明，可將此一清潔層單獨形成為片材或帶材，或 可將其設置於適當的基礎材料上，以提供本發明之清潔片 材。經由將如此製備得之清潔片材就此或利用感壓黏著劑 將其黏著至載送材料而輸送至各種基板處理設備中，以使 清潔層與待清潔之部位接觸，則可簡單及確實地經由清潔 作用將附著至該部位之外來物質移除。 此外，在本發明，可將此一清潔層單獨形成為片材或帶 材或設置於適當的基礎材料上，然後再與前述之特定的保 護膜層合，而提供本發明之清潔片材。經由將前述之保護 膜自清潔層剝離及將清潔片材就此或利用感壓黏著劑將其 黏著至載送材料而輸送至各種基板處理設備中，以使清潔 層與待清潔之部位接觸，則可簡單及確實地經由清潔作用 將附著至該部位之外來物質自前述之部位移除。 18 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 本發明之一特佳具體例係一種包括設置於基礎材料之 一面上之清潔層及設置於另一面上之感壓黏著層的清潔片 材。在此結構中，基礎材料、清潔層及感壓黏著層之厚度 一般係分別自1 0至1 0 0微米、自5至1 0 0微米及自5至 1 0 0微米（以1 0至5 0微米較佳）較佳。 然後利用設置於基礎材料之另一面上之感壓黏著層將 如此製備得之清潔片材黏著至載送材料，而製得具清潔力 之載送材料。經由以與前述相同之方式將載送材料輸送至 各種基板處理設備中，以使清潔層與待清潔之部位接觸， 則可經由清潔作用簡單及確實地將附著至此部位之外來物 質移除。 本發明之另一特佳具體例係一種包括設置於基礎材料 之一面上之清潔層，層合於清潔層上之前述之特定保護膜 及設置於另一面上之感壓黏著層的清潔片材。在此具體例 中，基礎材料、清潔層及感壓黏著層之厚度一般係分別自 1 0至1 0 0微米、自5至1 0 0微米及自5至1 0 0微米（以1 0 至5 0微米較佳）較佳。 然後利用設置於基礎材料之另一面上之感壓黏著層將 如此製備得之清潔片材黏著至載送材料，而提供具清潔力 之載送材料。經由將前述之保護膜自清潔層剝離及將載送 材料輸送至各種基板處理設備中，以使清潔層與待清潔之 部位接觸，則可經由清潔作用簡單及確實地將附著至此部 位之外來物質移除。 基礎材料之材料並無明確之限制，但其可為由聚烯烴諸 19 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯及聚甲基戊烯或樹 脂諸如聚氣乙烯、氣乙烯共聚物、聚對苯二曱酸乙二酯、 聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺基曱酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯共 聚物、離子交聯聚合物樹脂、乙烯-(曱基）丙烯酸共聚物、 乙烯-(曱基）丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯及聚碳酸酯製成之 塑膠膜。 此一塑膠膜可為單層膜或由前述樹脂製成之層合薄 膜。可使塑膠膜於其之一或兩面上進行諸如電暈處理之表 面處理。 設置於基礎材料之另一面上之感壓黏著層之成份並無 明確之限制。可使用包括一般之感壓黏著劑諸如丙烯酸系 及橡膠基感壓黏著劑之任何材料。在此等感壓黏著劑中， 將主要包括經由（甲基）丙烯酸烷基酯及非必需之其他可共 聚合單體之單體混合物之聚合反應製得之具不大於 1 0 0，0 0 0之重量平均分子量之成份之比例不大於1 0重量百 分比之丙稀酸系聚合物的材料使用作為丙稀酸系感壓黏著 劑較佳。 此一感壓黏著層相對於矽晶圓（鏡面）展現0 . 0 1至1 0牛 頓/ 1 0毫米寬度之1 8 0 °剝離黏著，以0 . 0 5至5牛頓/ 1 0 毫米寬度較佳。當黏著太高時，當將清潔片材自載送材料 剝離時，基礎材料薄膜可能會被撕裂。 清潔層之表面可保持與保護膜黏著，直至使用清潔片材 時為止。保護膜之材料並無明確之限制。舉例來說，可使 用經利用聚矽氧基、長鏈烷基、氟基、脂族酸醯胺基或矽 20 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 石基釋離劑進行釋離處理之由聚烯烴諸如聚乙烯、聚丙 烯、聚丁烯、聚丁二烯及聚甲基戊烯或樹脂諸如聚氯乙烯、 氣乙烯共聚物、聚對苯二曱酸乙二酯、聚對苯二曱酸丁二 酯、聚胺基曱酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子交聯聚 合物樹脂、乙烯-(甲基）丙烯酸共聚物、乙烯-(曱基）丙烯 酸酯共聚物、聚苯乙烯及聚碳酸酯製成之厚度一般自1 〇 至1 0 0微米之塑膠膜。 自保護膜轉移之前述金屬元素或其化合物之量可經由 適當選擇前述釋離劑等等之種類，或經由使前述之釋離劑 或經如此進行釋離處理之薄膜進行移除（消除）前述之金屬 元素或其化合物之處理而容易地預定。一般而言，保護膜 之厚度係自1 0至1 0 0微米較佳。 感壓黏著層之表面可保持與隔離物黏著，直至使用清潔 片材時為止。關於隔離物，可使用與層合於前述之清潔層 或其類似物上之保護膜相同的材料，即經各種釋離劑進行 易釋離處理之厚度一般自1 0至1 0 0微米之塑膠膜。然而， 不同於待層合於前述清潔層上之保護膜，隔離物之前述金 屬元素或其化合物之轉移量並無明確之限制。 在本發明之具清潔力之載送材料中，其上層合清潔片材 之載送材料並無明確之限制。可視要移除外來物質之基板 處理設備之種類而使用各種基板。更詳細言之，可使用半 導體晶圓、平面顯示器之基板諸如LCD及PDP、及諸如光 碟和MR磁頭之基板。 在本發明，待清潔之基板處理設備並無明確之限制。待 21 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 清潔之基板處理設備之例子包括用於形成電路之暴露設 備、光阻劑塗布設備、丨賤鍵設備、顯影設備、灰化設備、 乾式蝕刻設備、離子植入設備、晶圓針測機（w a f e r p r〇b e r )、P V D言史備、C V D言史備、及檢測言免備〇根據本發明’ 可提供利用前述方法清潔之前述的各種基板處理設備。 (實施例） 本發明將進一步明確地說明於以下之實施例中，但不應 將本發明解釋為受限於此。此處所使用之術語「份」係指 示「重量份數」。 實施例1 將由包含7 5份丙烯酸2 -乙基己酯、2 0份丙烯酸曱酯及 5份丙烯酸之單體混合物製得之1 0 0份丙烯酸系聚合物（重 量平均分子量：7 0 0，0 0 0 )與2 0 0份聚乙二醇2 0 0二甲基丙 稀酸酉旨（商品名：NK Ester 4G，Shin-nakamura Chemical Corporation製造）、3份聚異氰酸酯化合物（商品名： r ColonateLj， NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO·， LTD. 製造）及3份作為光聚合引發劑之苄基二曱基縮酮（商品 名:Irgacure 651，Ciba Specialty Chemicals Inc.製造） 均勻混合，而製備得紫外光固化樹脂組成物A。 另外將7 3份丙烯酸2 -乙基己S旨、1 0份丙烯酸正丁 S旨、 1 5份N , N -二甲基丙烯醯胺、5份丙烯酸、及0 . 1 5份作為 聚合引發劑之2，2 ’ -偶氮雙異丁腈及1 0 0份乙酸乙酯裝入 至設有溫度計、攪拌器、氮氣引入管及迴流冷凝器之5 0 0 毫升三頸燒瓶型反應器中，成為2 0 0克。然後將氮氣引入 22 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 至反應器中約1小時將混合物攪拌，以致以氮置換其中之 空氣。 其後將反應器之内部溫度提高至5 8 °C，然後使反應混合 物在此溫度下維持約4小時，以經歷聚合作用，而導致產 生聚合物溶液。然後於1 0 0份如此製備得之聚合物溶液中 均勻混合3份聚異氰酸酯化合物（商品名·· C ο 1 ο n a t e L， N I PPON POLYURETHANE I NDUSTRY CO.，LTD·製造），而製得 感壓黏著劑溶液A。 將前述之感壓黏著劑溶液於在其之一面上經聚矽氧基 釋離劑處理之由連續長度之聚酯薄膜（厚度：3 8微米；寬 度·· 2 5 0毫米）製成之隔離物A之經釋離處理之表面上塗布 至1 5微米之乾厚度，然後乾燥。然後將連續長度之聚酯薄 膜（厚度：2 5微米；寬度：2 5 0毫米）於如此形成之感壓黏 著層上層合作為基礎材料。然後將前述之紫外光固化樹脂 組成物A於薄膜上塗布至4 0微米之厚度，而提供樹脂層。 接著將樹脂層之表面以使隔離物A之經釋離處理之表面與 樹脂層接觸之配置與如以上所使用之相同隔離物A層合， 而提供層合片材。 然後將如此製備得之層合片材照射在1，0 0 0毫焦耳/平 方公分之整體劑量下之具有3 6 5奈米之中心波長的紫外射 線，而製備包括由聚合固化樹脂層製成之清潔層的清潔片 材A。然後將清潔片材A之清潔層側上之隔離物A剝離。 接著檢測清潔片材A相對於矽晶圓（鏡面）之1 8 0 °剝離黏著 (根據J I S Z 0 2 3 7 )。結果為0 · 0 6牛頓/ 1 0毫米。清潔層展 23 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 現4 4 Ο Μ P a之拉伸強度（拉伸模數：根據J I S Κ 7 1 2 7測試）。 將清潔片材A之感壓黏著層側上之隔離物A剝離。接著 使用手動輥將清潔片材A黏著至8英吋矽晶圓之鏡面，而 製備具清潔力之載送材料A。前述之感壓黏著層相對於矽 晶圓（鏡面）展現1 . 5牛頓/ 1 0毫米寬度之1 8 0 °剝離黏著。 為檢測具清潔力之載送材料A之清潔層之離子不純物的 純水萃取性，根據以下方式另外製備待測量離子不純物之 含量的樣品。然後測量如此製備得之樣品的純水萃取性。 首先，將紫外光固化樹脂組成物A於隔離物A上塗布至 4 0微米之厚度。然後將另一隔離物A黏著至樹脂層。接著 將層合物照射在1，0 0 0毫焦耳/平方公分之整體劑量下之 具有3 6 5奈米之中心波長的紫外射線，以使前述之樹脂組 成物A聚合固化，而製備得待測量離子不純物之含量的樣 品。 接著將樣品切割成1 0 0平方公分（1 0公分X 1 0公分）之尺 寸。將於樣品之兩面上之隔離物A剝離，然後於PMP容器 中進行測量。結果，樣品之重量為0 . 3 7 5。然後於樣品中 加入5 0毫升之純水。接著將容器關閉。然後將樣品於乾燥 機中在1 2 0 °C在沸騰下萃取1小時。接著利用離子層析術 (使用DIONEX CORPORATION製造之DX-500型）使所得之萃 取物進行離子不純物之定量分析。結果為F _ : 0 . 4 p p m、 Cl-· 0 . 6 ppm、B r ~ · 1 . 5 ppm、N 0 2' · 1.0 ppm、N 0 3 ~ '· 1,8 ppm、PCh3_: 4.0 ppm、S〇42_: 1.8 ppm、Na+: 0.6 ppm、NH/ : 1。7 ppm、及 r: 1. 6 ppm〇 24 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 使用晶圓針測機（Τ Ο Κ Υ 0 S E I Μ I T S U C Ο .， L T D .製造之 U F 2 0 0型），其係用於製造半導體之晶圓通過測試設備，評 估清潔程度。首先，確認兩設備A及B之在清潔前之晶圓 輸送系統。觀察到兩設備A及B具有甚多存在於卡盤台面 上之可以視覺辨識的外來物質。 關於設備A，將具清潔力之載送材料A之清潔層側上之 隔離物A剝離。然後將載送材料A以模型輸送通過輸送系 統同時並與輸送系統接觸，以致將輸送系統中之卡盤台面 及其他部位清潔。結果，載送材料成功地輸送，而沒有清 潔層牢固地黏著至接觸部位。然後以視覺觀察經如此清潔 之輸送系統。結果，未觀察到未經移除的外來物質，顯示 外來物質經由清潔作用而確實地移除。 接著將2 5個產物晶圓之片材輸送通過經如此清潔之輸 送系統。然後進行實際的通過試驗。結果，既未發生產物 晶圓之損壞亦未發生吸取錯誤，顯示基板可經成功地處 理。亦明顯可見經如此檢測之產物晶圓未受離子不純物污 染，而未造成佈線腐蝕或電晶體性能之劣化。 比較實施例1 以與實施例1相同之方式製備紫外光固化樹脂組成物 B，除了使用1 0 0份之丙烯酸胺基甲酸酯（商品名：U - N - 0 1， Shin-nakamura Chemical Corporation 製造）替代紫外光 固化樹脂組成物A中之2 0 0份聚乙二醇2 0 0二曱基丙烯酸 酯（商品名：NK Ester 4G， Shin-nakamura Chemical C o r p o r a t i ο η製造）。以與實施例1相同之方式製備清潔片 25 312/發明說明書(補件)/93-02/9213 3016 1273648 材B，除了使用紫外光固化樹脂組成物B。然後使用 材B，以與實施例1相同之方式製備具清潔力之載送 然後將具清潔力之載送材料B之清潔層側上之隔 剝離。接著測量具清潔力之載送材料相對於矽晶圓 之1 8 0 °剝離黏著（根據J I S Z 0 2 3 7測量）。結果為C 頓/ 1 0毫米。清潔層展現8 8 Ο Μ P a之拉伸強度。 亦以與實施例1相同之方式測量清潔層之離子不 純水萃取性（樣品重量：0 · 3 6 6克）。結果為F_ ·· 0 · C 1 ' ： 2 3.1 ppm、B r" · 1.5 ppm、N Ο 2 ~ ' 1.5 ppm、NO ppm、P〇43-: 4.5 ppm、S〇42-: 1.5 ppm、Na+: 0.9 ppm 2.0 ppm、及 K+: 1. 9 ppmo 接著使用前述之具清潔力之載送材料B，將前述 B以模型輸送，而進行清潔。結果，設備B成功地 然後以視覺觀察經如此清潔之輸送系統。結果，未 未經移除的外來物質，顯示外來物質經由清潔作用 移除。接著將2 5個產物晶圓之片材輸送通過經如此 輸送系統。然後進行實際的通過試驗。結果，觀察 此檢測之產物晶圓受到離子不純物污染，而造成甚 諸如佈線腐蝕及電晶體性能之劣化。 實施例2 以與實施例1相同之方式製備樹脂組成物A及感 劑溶液A。 將前述之感壓黏著劑溶液A於在其之一面上經聚 釋離劑處理之由連續長度之聚酯薄膜（厚度：3 8微 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 清潔片 材料B。 離物A (鏡面） 丨.02牛 純物的 8 ppm、 3" ： 2.2 、NH/ : 之設備 輸送。 觀察到 確實地 清潔之 到經如 多瑕/疵 壓黏著 矽氧基 米；寬 26 1273648 度：2 5 0毫米）製成之隔離物之經釋離處理之表面上塗布至 1 5微米之乾厚度，然後乾燥。然後將連續長度之聚酯薄膜 (厚度：2 5微米；寬度：2 5 0毫米）於如此形成之感壓黏著 層上層合作為基礎材料。然後將前述之紫外光固化樹脂組 成物Α於薄膜上塗布至4 0微米之厚度，而提供樹脂層。接 著將樹脂層之表面以使保護膜A之經釋離處理之表面與樹 脂層接觸之配置與由於其之一面上經聚石夕氧基釋離劑A處 理之聚酯薄膜製成之保護膜A層合，而提供層合片材。 然後將如此製備得之層合片材照射在1，0 0 0毫焦耳/平 方公分之整體劑量下之具有3 6 5奈米之中心波長的紫外射 線，而製備包括由聚合固化樹脂層製成之清潔層的清潔片 材C。然後將清潔片材C之清潔層側上之保護膜A剝離。 接著檢測清潔片材C相對於矽晶圓（鏡面）之1 8 0 °剝離黏著 (根據J I S Z 0 2 3 7 )。結果為0 . 0 6牛頓/ 1 0毫米。清潔層展 現4 4 Ο Μ P a之拉伸強度（拉伸模數：根據J I S K 7 1 2 7測試）。 將清潔片材C之感壓黏著層側上之隔離物剝離。接著使 用手動輕b將清潔片材C黏著至8英叶石夕晶圓之鏡面，而製 備具清潔力之載送材料C。前述之感壓黏著層相對於矽晶 圓（鏡面）展現1 . 5牛頓/ 1 0毫米寬度之1 8 (Γ剝離黏著。 接著以下述方式測量具清潔力之載送材料C中之層合於 清潔層上之保護膜A之特定金屬元素或其化合物之轉移至 石夕晶圓之表面。 首先，利用手動輥使保護膜A與矽晶圓（之鏡面）接觸， 然後使其在2 3 t：下靜置1分鐘。接著利用全反射X -射線螢 27 312/發明說明書(補件)/93-02/921330】6 1273648 光檢測（使用T e c h η〇s I n c ·製造之T R E X 6 1 Ο T型）測量經與 保護膜Α接觸之矽晶圓表面之C a、M g、A 1、T i、C r、Μ η、 F e、C ο、N i、C u及Z n的轉移性。然後使經與保護膜接觸 之矽晶圓表面與氫氟酸接觸。將晶圓經與其接觸之氫氟酸 加熱及蒸發至乾。然後使殘留物進行感應偶合電漿質譜術 (使用 Hewlett-Packard Development Company, L.P.製造 之Η P 4 5 0 0型），以測量N a及K之轉移性。轉移性之測量如 下。
Na ： 5. 6 X 1 ol 〇原 子 /平 方 公 分 K : 2. · 5 x 10 10 原子/ /平方/ 公分 Ca : 4. 1 X 1 o1 °原 子 /平 方 公 分 Mg : 6. 3 X 1 09 原 子 /平 方 公 分 A1 ·· 8. 2 X 1 09 原 子 /平 方 公 分 Ti ： 1 . 3 X 1 o1 1原 子 /平 方 公 分 C r : 4. 1 X 1 09 原 子 /平 方 公 分 Μη: 2. 3 X 1 o1 〇原 子 /平 方 公 分 Fe ： 2. 2 X 1 o1 1原 子 /平 方 公 分 Co : 3. 5 X 1 o9 原 子 /平 方 公 分 Ni ： 6. 7 X 1 09 原 子 /平 方 公 分 Cu : 4. 8 X 1 o9 原 子 /平 方 公 分 Z n : 7. ,5 X 1 o9 原 子 /平 方 公 分 使用雷射表面偵測器，觀察兩8英吋新矽晶圓之片材之 於其鏡面上之具不小於0 . 2微米尺寸之外來物質的產生。 結果，測得兩晶圓片材分別具有1 0及3個外來物質。然後 28 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 將此等矽晶圓以其之鏡面面向下地輸送至設有靜電吸引機 構之個別的氧化物層乾式蝕刻設備中。使用雷射表面偵測 器，各觀察此等矽晶圓之於其鏡面上之具不小於0. 2微米 尺寸之外來物質的產生。結果，測得兩晶圓片材分別具有 3 8，9 4 5及3 7，9 9 8個外來物質。 然後將保護膜A自清潔層剝離，而將具清潔力之載送材 料C輸送至具有經附著3 8，9 4 5個外來物質之晶圓階段的氧 化物層乾式蝕刻設備中。結果，具清潔力之載送材料C經 成功地輸送。將此步驟進行五次。其後將新的8英忖碎晶 圓以其之鏡面面向下地輸送至設備中。然後使用雷射表面 偵測器觀察矽晶圓之具不小於0 . 2微米尺寸之外來物質的 產生。結果，測得外來物質經移除起始值之9 5 %。其後將 產物晶圓進行處理。結果，發現可成功地製備產物晶圓， 而不會受到金屬不純物污染。 比較實施例2 以與實施例2相同之方式製備清潔片材D，除了使用由 在其之一面上經聚矽氧基釋離劑B處理之聚酯薄膜製成之 保護膜B替代設置於清潔層上之保護膜A。然後以與實施 例2相同之方式由清潔片材D製備具清潔力之載送材料D。 然後以如前所述之相同方式測量保護膜B之特定金屬元 素或其化合物之轉移至矽晶圓之表面。結果如下。 N a : 1 . 4 X 1 0 12原子/平方公分 K ： 3. 3 X 1 0 12原子/平方公分 C a : 3 . 4 X 1 0 12原子/平方公分 29 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648
Mg ： 4. 3 x 1 Ο 12原子/平方公分 A 1 ： 1.2 X 1 0 13原子/平方公分 T i : 2 . 1 X 1 0 12原子/平方公分 C r : 3 . 2 X 1 0 13原子/平方公分
Mn ： 5. 3 X 1 0 11原子/平方公分 F e ： 1.2 X 1 0 12原子/平方公分
Co ： 4. 5 X 1 0 11原子/平方公分 N i ： 8.7 X 1 0 11原子/平方公分
Cu ： 6. 8 X 1 0 12原子/平方公分 Ζ η ： 7.1 X 1 0 12原子/平方公分 然後將保護膜Β自清潔層剝離，而將具清潔力之載送材 料D輸送至具有經附著3 7, 9 9 8個外來物質之晶圓階段的氧 化物層乾式蝕刻設備中。結果，具清潔力之載送材料D經 成功地輸送。將此步驟進行五次。其後將新的8英忖碎晶 圓以其之鏡面面向下地輸送至設備中。然後使用雷射表面 偵測器觀察矽晶圓之具不小於0 . 2微米尺寸之外來物質的 產生。結果，測得外來物質經移除起始值之9 0 %。然而， 當處理產物晶圓時，由於設備受到金屬不純物污染，因而 所得之產物晶圓受到污染 '因此，經常發生由於裝置性能 劣化所致之瑕疵。因此，為自設備移除金屬污染物，需要 甚多人工，諸如包括停置設備之操作，隨後再打開及清潔 之步驟。 實施例3 以與實施例1相同之方式製備樹脂組成物Α及感壓黏著 30 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 劑溶液A。 將前述之感壓黏著劑溶液A於在其之一面上經聚矽氧基 釋離劑處理之由連續長度之聚酯薄膜（厚度：3 8微米；寬 度：2 5 0毫米）製成之隔離物B之經釋離處理之表面上塗布 至1 5微米之乾厚度，然後乾燥。然後將連續長度之聚酯薄 膜（厚度：2 5微米；寬度：2 5 0毫米）於如此形成之感壓黏 著層上層合作為基礎材料。然後將前述之紫外光固化樹脂 組成物A於薄膜上塗布至4 0微米之厚度，而提供樹脂層。 接著將樹脂層之表面以使隔離物B之經釋離處理之表面與 樹脂層接觸之配置與如以上所使用之相同的隔離物B層 合，而提供層合片材。 然後將如此製備得之層合片材照射在1，0 0 0毫焦耳/平 方公分之整體劑量下之具有3 6 5奈米之中心波長的紫外射 線，而製備包括由聚合固化樹脂層製成之清潔層的清潔片 材E。然後將清潔片材E之清潔層側上之隔離物B剝離。 接著檢測清潔片材E相對於矽晶圓（鏡面）之1 8 0 °剝離黏著 (根據J I S Z 0 2 3 7 )。結果為0 . 0 6牛頓/ 1 0毫米。清潔層展 現4 4 Ο Μ P a之拉伸強度（拉伸模數：根據J I S K 7 1 2 7測試）。 將清潔片材E之感壓黏著層側上之隔離物B剝離。接著 使用手動輥將清潔片材E黏著至8英吋矽晶圓之鏡面，而 製備具清潔力之載送材料E。前述之感壓黏著層相對於矽 晶圓（鏡面）展現1 · 5牛頓/ 1 0毫米寬度之1 8 0 ^剝離黏著。 為檢測具清潔力之載送材料E之清潔層之金屬不純物的 含量，根據以下方式另外製備待測量金屬不純物之含量的 31 312/發明說明書(補件)/93-〇2/92133016 1273648 樣品。然後測量如此製備得之樣品的金屬不純物 首先，將紫外光固化樹脂組成物A於隔離物B 4 0微米之厚度。然後將另一隔離物B黏著至樹脂 將層合物照射在1，0 0 0毫焦耳/平方公分之整體 具有3 6 5奈米之中心波長的紫外射線，以使前述 成物A聚合固化，而製備得待測量金屬不純物之 品。 接著將樣品切割成4平方公分（2公分X 2公分 然後將於樣品之兩面上之隔離物B剝離。將樣品 碟中，然後利用氣體燃燒器將其加熱，以使其燃 其後於電爐中將樣品加熱至5 5 0 °C 1小時及至 小時，直至沒有碳未經燃燒為止。然後使樣品冷 於樣品中加入2毫升之濃鹽酸。然後將樣品加熱 接著將所得之灰份含量溶解。使溶液冷卻，然後 稀釋成為5 0毫升。為測定N a及K之含量，進行 光譜術（使用H i t a c h i， L t d ·製造之Z - 6 1 0 0型）。 Mg、Al、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu & Zn 進行 ICP 光譜術（使用 Seiko Instruments Inc· SPS-l 7 0 0 HVR 型）° 結果為 Na: 0.9 ppm、K: 0. 5 ppm、Mg: 0.1 0.2 ppm、Ca: 0.2 ppm、Ti: 0. 1 ppm、Cr: 0.1 0. 1 ppm、Fe: 0. 1 ppm、Co: 0. 1 ppm、Ni : 0.1 0. 1 ppm、及 Zn: 0. 8 ppmo 使用雷射表面偵測器，觀察兩8英吋新石夕晶圓 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 含量。 上塗布至 「層。接著 劑量下之 之樹脂組 含量的樣 )之尺寸。 分配於鉑 燒。 6 0 0 °C 1 卻。接著 至 50。。。 以超純水 原子吸收 為測定 [之含量， 製造之 ppm、A1 : ppm、 Μη: ppm 、 Cu : 之片材之 32 1273648 於其鏡面上之具不小於Ο . 2微米尺寸之外 結果，測得兩晶圓片材分別具有5及5個 將此等矽晶圓以其之鏡面面向下地輸送至 構之個別的氧化物層乾式蝕刻設備中。使 器，各觀察此等矽晶圓之於其鏡面上之具 尺寸之外來物質的產生。結果，測得兩晶 晶圓尺寸之面積上分別具有3 0，5 7 6及3 1， 然後將隔離物B自清潔層剝離，而將具 料E輸送至具有經附著3 0，5 7 6個外來物質 化物層乾式蝕刻設備中。結果，具清潔力 成功地輸送。將此步驟進行五次。其後將 圓以其之鏡面面向下地輸送至氧化物層I虫 使用雷射表面偵測器觀察矽晶圓之具不小 之外來物質的產生。結果，測得外來物質 9 0% ° 其後將產物晶圓進行處理。結果，發現 物晶圓，而不會受到金屬不純物污染。 比較實施例3 以與實施例3相同之方式製備紫外光固 C，除了使用1 0 0份之丙烯酸系聚合物（「 R-1020」， Toray Coatex Co·， Ltd.製造） 光固化樹脂組成物A中之1 0 0份丙烯酸系 用3份之9 -氧二苯并硫哌喃基光聚合引養 DETX-S」，NIPPON KAYAKU CO. ， LTD.製造： 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 來物.質的產生。 外來物質。然後 設有靜電吸引機 用雷射表面偵測 不小於0. 2微米 圓片材於8英吋 5 6 3個外來物質。 清潔力之載送材 之晶圓階段的氧 之載送材料E經 新的8英吋矽晶 刻設備中。然後 於0 . 2微米尺寸 經移除起始值之 可成功地製備產 化樹脂組成物 Rheocoat 替代加入於紫外 聚合物A，及使 .劑（r KAYACURE 替代作為光聚合 33 1273648 引發劑之3份苄基二曱基縮酮。 以與實施例3相同之方式製備清潔片材F，除了使用紫 外光固化樹脂組成物C。然後使用清潔片材F，以與實施例 3相同之方式製備具清潔力之載送材料F。 然後將具清潔力之載送材料F之清潔層側上之隔離物B 剝離。接著測量具清潔力之載送材料F相對於矽晶圓（鏡面） 之1 8 0 °剝離黏著（根據J I S Z 0 2 3 7測量）。結果為0 · 0 7牛 頓/ 1 0毫米。清潔層展現4 2 Ο Μ P a之拉伸強度。 為檢測清潔層中之金屬不純物的含量，以與實施例3相 同之方式製備待測量金屬不純物之含量的樣品。然後測量 樣品的金屬不純物含量。結果為N a : 7 · 1 p p m、K : 6 · 5 p p m、 Mg: 5.2 ppm、A1 ： 5.8 ppm、Ca: 5. 1 ppm、Ti : 5.0 ppm、 Cr: 6.1 ppm、Mn: 5.0 ppm、Fe: 5.1 ppm、Co: 5.7 ppm、 Ni: 5.3 ppm、 Cu: 7.0 ppm、及 Zn: 7.3 ppmo 然後將隔離物B自清潔層剝離，而將具清潔力之載送材 料F輸送至具有經附著3 1，5 6 3個外來物質之晶圓階段的氧 化物層乾式蝕刻設備中。結果，具清潔力之載送材料F經 成功地輸送。將此步驟進行五次。其後將新的8英忖石夕晶 圓以其之鏡面面向下地輸送至設備中。然後使用雷射表面 偵測器觀察矽晶圓之具不小於0 . 2微米尺寸之外來物質的 產生。結果，測得外來物質經移除起始值之88%。 然而，當處理產物晶圓時，由於設備受到金屬不純物污 染，因而所得之產物晶圓受到污染。因此，經常發生由於 裝置性能劣化所致之瑕疵。因此，為自設備移除金屬污染 34 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 物，需要甚多人工，諸如包括停置設備之操作，隨後再打 開及清潔之步驟。 雖然本發明已經詳細說明並參照其之特定具體例，但熟 悉技藝人士當明白可不脫離其精神及範圍而於其中進行各 種變化及修改。 本申請案係以2 0 0 2年1 1月2 5日提出申請之日本專利 申請案（專利中請案2 0 0 2 - 3 4 0 9 3 5 )、2 0 0 2年1 1月2 5日提 出申請之日本專利申請案（專利中請案2 0 0 2 - 3 4 0 9 3 6 )、及 2 0 0 3年1月2 8日提出申請之曰本專利申請案（專利申請案 2003-018151)為基礎，將其之揭示内容併入本文為參考資 料。 (工業應用性） 根據本發明，將在經由輸送至設備中經由清潔作用將附 著至基板處理設備内部之外來物質移除時之來自清潔層之 離子不、純物 F_、Cl_、Βγ_、ΝΟΓ、ΝΟΓ、P〇43_、S〇42_、Na+、 N H /及K+之純水萃取性（在1 2 0 °C於沸騰下萃取1小時）預 定為不大於2 0 p p m使其可提供一種不會導致設備被離子不 純物污染之具高效用之清潔元件。此外，根據本發明，使 用由當使保護膜與矽晶圓（之鏡面）接觸時，特定金屬元素 或其之化合物各係以不大於一特定值（以金屬元素計算）之 量轉移至矽晶圓之材料形成之保護膜作為設置於清潔層上 之保護膜於經由將清潔元件輸送至設備之内部中以清潔作 用將附著至基板處理設備内部之外來物質移除，可提供一 種極少造成設備被歸因於保護膜之金屬不純物污染之具高 35 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016 1273648 效用之清潔元件。此外，根據本發明，在經由將清潔元件 輸送至設備之内部中經由清潔作用將附著至基板處理設備 内部之外來物質移除時，將清潔層中之各種金屬元素Na、 K、 Mg、 Al、 Ca、 Ti、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu 及 Zn 及其 之化合物之含量預定為以金屬元素計算不大於5ppm(微克 /克）使其可提供一種不會導致設備被金屬不純物污染之 具高效用之清潔元件。 36 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016

Claims (1)

1273648 拾、申請專利範圍： 1 · 一種清潔片材，包括其中F_、Cl_、Br_、N〇2_、ΝΟΓ、 P Ο 43 _、S Ο 42、N a +、Ν Η 4 +及K +各可利用純水以不大於2 0 p p m (在 1 2 0 °C於沸騰下萃取1小時）之量萃取之清潔層。 2 . —種清潔片材，包括層合於清潔層上之可釋離保護 膜，其中該保護膜係由當使保護膜與矽晶圓（之鏡面）在2 3 °C 下接觸 1 分鐘時，Na、K、Ca、Mg、Al、Ti、Cr、Mn、Fe、 C〇、Ni、Cu及Zn之金屬元素或其之化合物各係以不大於1 X 1 0 12原子/平方公分（以金屬元素計算）之量轉移至矽 晶圓之材料所形成。 3. —種清潔片材，包括其中Na、K、Mg、Al、Ca、Ti、 Cr、Μη、Fe、Co、Ni、Cu及Zn之金屬元素或其之化合物 之含量各不大於5 ppm(微克/克）（以金屬元素計算）之清 潔層。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之清潔片材，其 中該清潔層實質上不具黏著力。 5. 如申請專利範圍第1或3項之清潔片材，其中該清潔 層係設置於基礎材料上。 6 .如申請專利範圍第2項之清潔片材，其中該清潔層係 設置於基礎材料上。 7 .如申請專利範圍第5項之清潔片材，其中該清潔層係 設置於基礎材料之一面上，及將感壓黏著層設置於基礎材 料之另一面上。 8 .如申請專利範圍第6項之清潔片材，其中該清潔層係 37 312/發明說明書(補件)/93-02/92133016
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