CN102039283B - Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法 - Google Patents
Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102039283B CN102039283B CN2010102325599A CN201010232559A CN102039283B CN 102039283 B CN102039283 B CN 102039283B CN 2010102325599 A CN2010102325599 A CN 2010102325599A CN 201010232559 A CN201010232559 A CN 201010232559A CN 102039283 B CN102039283 B CN 102039283B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- barrier material
- surface cleaning
- barrier layer
- polished
- mechanical polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 14
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 7
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 claims description 6
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 claims description 6
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 43
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 8
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound OCCN(CCO)CCN(CCO)CCO BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010024769 Local reaction Diseases 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010052428 Wound Diseases 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N nitric acid;trihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.Cl.O[N+]([O-])=O NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法，旨在提供一种能够降低Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高Ti阻挡层表面质量的方法。配制水溶性表面洁净液：取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂和FA/O II型螯合剂，搅拌均匀后得pH值为6.5-7.5水溶性表面洁净液；使用洁净液迅速对Ti阻挡层材料采用1000-5000ml/min的大流量在0-0.01大气压的低压力条件下进行抛光清洗；使用稀释后的阻蚀剂溶液迅速对Ti阻挡层材料进行零压力抛光清洗，流量为1000-5000ml/min；用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、流量为1000-5000ml/min的条件下冲洗Ti阻挡层材料。
Description
技术领域
本发明涉及一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法。
背景技术
纯钛是银白色的金属，它具有许多优良性能。钛的密度为4.54g/cm3，比钢轻43％，比久负盛名的轻金属镁稍重一些。机械强度却与钢相差不多，比铝大两倍，比镁大五倍。钛耐高温，熔点1942K，比黄金高近1000K，比钢高近500K。钛属于化学性质比较活泼的金属。加热时能与O2、N2、H2、S和卤素等非金属作用。但在常温下，钛表面易生成一层极薄的致密的氧化物保护膜，可以抵抗强酸甚至王水的作用，表现出强的抗腐蚀性。因此，一般金属在酸的溶液中变得千疮百孔而钛却安然无恙。
在GLSI金属化工艺中，阻挡层成为其越来越重要的组成部分。没有阻挡层，硅和金属间的相互反应会造成“结穿透”，导致高阻或者彻底的接触失效，也会发生一些与电迁移相关的可靠性间题。所以，阻挡层金属在半导体工艺被广泛使用，对阻挡层金属的基本特性要求是有很好的阻挡扩散特性。通常用做阻挡层的金属是一类具有高熔点的金属，如钛Ti、钨W、钽Ta、钼MO、钴Co、铂Pt等。钛Ti作阻挡层有以下特点：高电导率，具有较低的欧姆接触电阻；在半导体和金属之间有很好的粘附性，不容易剥落(Peeling)；抗电迁移；能形成均匀的薄膜，并且具有良好的稳定性；抗腐蚀和氧化。因此钛以其优良阻挡特性，被广泛应用于超大规模集成电路的制造中。
作为Ti阻挡层材料表面处理技术之一的抛光后表面洁净技术尤其重要。目前Ti阻挡层批量抛光生产后表面洁净采用水冲洗的方法，由于晶片表面温度高、能量高、表面张力大，虽然抛光停止了，但是晶片表面的反应有一个滞后的过程，简单的水冲洗不能避免抛光液的分布不均匀、沾污金属离子等现象，使得清洗后Ti阻挡层材料表面有蚀圈，在8英寸芯片上，粒径大于0.1微米的粒子在1000个以上，从而造成后续加工中成本的提高及器件成品率的降低。
发明内容
本发明是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种能够降低Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高Ti阻挡层表面质量的方法。
本发明通过下述技术方案实现：
一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法，其特征在于，包括下述步骤：
(1)配制水溶性表面洁净液：取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂和FA/O II型螯合剂，搅拌均匀后得pH值为6.5-7.5水溶性表面洁净液，得到的洁净液中，表面活性剂的重量百分比为0.5-5％，FA/O II型螯合剂的重量百分比为0.1-5％；
(2)使用步骤(1)中得到的水溶性表面洁净液迅速对碱性化学机械抛光后的Ti阻挡层材料采用1000-5000ml/min的大流量在0-0.01大气压的低压力条件下进行抛光清洗，抛光清洗的时间为30s-3min；
(3)采用电阻为18MΩ以上的超纯水稀释阻蚀剂得到阻蚀剂的重量百分比浓度为0.1-5％的阻蚀剂溶液，使用稀释后的阻蚀剂溶液迅速对步骤(2)清洗后的Ti阻挡层材料进行零压力抛光清洗，流量为1000-5000ml/min，抛光清洗的时间为30s-3min；
(4)用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、流量为1000-5000ml/min的条件下对步骤(3)清洗后的Ti阻挡层材料冲洗30s-3min。
其中，零压力是指压力表上的压力为零，只有抛光盘的自重压力。
0-0.01大气压的低压力中的0.01个大气压为压力表上的数值，不含有自重压力。
表面活性剂为FA/OI型表面活性剂、Oπ-7((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)7-H)、Oπ-10((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)10-H)、O-20(C12-18H25-37-C6H4-O-CH2CH2O)70-H)、JFC中的任一种。FA/OI型表面活性剂为天津晶岭微电子材料有限公司市售产品。
所述FA/O II型螯合剂是天津晶岭微电子材料有限公司市售产品，为乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)，可简写为NH2RNH2，其结构式如下，
所述阻蚀剂为苯并三唑或六次甲基四胺。
本发明具有下述技术效果：
1.本发明的方法在Ti阻挡层材料进行碱性CMP后，选用含表面活性剂、螯合剂的洁净液、阻蚀剂、电阻为18MΩ以上的超纯水等进行大流量抛光清洗晶片表面，可迅速将晶片表面残留的、分布不均的抛光液冲走，防止局部继续反应，而且，大流量的清洗带出的热量使晶片各部分温度分布一致，温度一致性好，抛光清洗后可以获得洁净、完美的抛光表面。
2.本发明的方法中所使用的洁净液为水溶性，其中的表面活性剂可使抛光后Ti阻挡层材料表面很高的表面能量迅速降低，减少损伤层，提高Ti阻挡层材料表面质量的均匀性；FA/O II型螯合剂可与晶片表面残留的金属离子发生反应，生成可溶性的大分子螯合物，在大流量抛光清洗作用下脱离Ti阻挡层材料表面；阻蚀剂可在抛光后Ti阻挡层材料表面形成单分子钝化膜，阻止Ti阻挡层材料表面不均匀分布的抛光液继续与Ti阻挡层材料反应而形成不均匀腐蚀，提高抛光后Ti阻挡层材料表面的完美性，从而获得洁净、完美的抛光表面。
3.本发明的方法通过大流量、低压力抛光清洗可有效地使表面活性剂、螯合剂及阻蚀剂的作用相互配合，共同作用，及时将残留的抛光液冲走，使表面迅速吸附易清洗物质，降低表面张力使表面呈物理吸附状态、形成单分子钝化膜、并使金属离子形成可溶的螯合物，获得高质量的晶片，从而降低后续加工的成本，提高器件成品率，使用方便简单易行。而且，洁净液的成本低、不污染环境及腐蚀设备。
4.本发明的洁净液呈中性，可有效防止残留的抛光液继续腐蚀晶片，降低化学作用。
5、本发明的方法在低压力下进行，可以使洁净液与清洗表面充分接触，同时在大流量洁净液的作用下有效带走表面清洗下来的污染物，提高表面清洗质量；若压力过大，则会对表面有摩擦，影响抛光后的表面质量。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1：
(1)取电阻为18MΩ上的超纯水497g，边搅拌边加入表面活性剂FA/OI型表面活性剂2.5g和FA/O II型螯合剂0.5g，搅拌均匀后得pH值为6.7近似为中性的水溶性表面洁净液。
(2)用步骤(1)得到的洁净液迅速对碱性化学机械抛光后的Ti阻挡层材料进行抛光清洗，流量为1000ml/min，压力为零压力(自重压力)，抛光清洗30s。
(3)用电阻为18MΩ的超纯水499.5稀释苯并三唑阻蚀剂0.5g，用稀释后的苯并三唑溶液迅速对步骤(2)清洗后的Ti阻挡层材料进行零压力(自重压力)抛光清洗，流量为1000ml/min，抛光清洗的时间30s。
(4)用电阻为18MΩ的超纯水在零压力(自重压力)、流量为1000ml/min的条件下对步骤(3)清洗后的Ti阻挡层材料冲洗30s。
经过上述清洗过程后，Ti阻挡层材料表面光洁无蚀圈，清洁效果好，在8英寸芯片上，粒径大于0.1微米的粒子小于10个，表面粗糙度达到0.3nm级别。
实施例2：
(1)取电阻为18MΩ的超纯水2054g，边搅拌边加入表面活性剂Oπ-1042g和FA/O II型螯合剂38g，搅拌均匀后得pH值为6.9近似为中性的水溶性表面洁净液。
(2)用步骤(1)得到的洁净液迅速对碱性化学机械抛光后的Ti阻挡层材料进行抛光清洗，流量为1600ml/min，压力为0.01个大气压，抛光清洗80s。
(3)用电阻为18MΩ的超纯水2096g稀释六次甲基四胺阻蚀剂38g，用稀释后的六次甲基四胺溶液迅速对步骤(2)清洗后的Ti阻挡层材料进行零压力(自重压力)抛光清洗，流量为1600ml/min，抛光清洗的时间80s。
(4)用电阻为18MΩ的超纯水在零压力(自重压力)、流量为1600ml/min的条件下对步骤(3)清洗后的Ti阻挡层材料冲洗80s。
经过上述清洗过程后，Ti阻挡层材料表面光洁无蚀圈，清洁效果好，在8英寸芯片上，粒径大于0.1微米的粒子小于10个，表面粗糙度达到0.3nm级别。
实施例3
(1)取电阻为18MΩ的超纯水5643.56g，边搅拌边加入表面活性剂O-20212.42g和FA/O II型螯合剂212.42g，搅拌均匀后得pH值为7.3近似为中性的水溶性表面洁净液。
(2)用步骤(2)得到的洁净液迅速对碱性化学机械抛光后的Ti阻挡层材料进行抛光清洗，流量为2800ml/min，压力为0.005个大气压，抛光清洗130s。
(3)用电阻为18MΩ的超纯水5855.98g稀释六次甲基四胺阻蚀剂212.42g，用稀释后的六次甲基四胺溶液迅速对步骤(2)清洗后的Ti阻挡层材料进行零压力(自重压力)抛光清洗，流量为2800ml/min，抛光清洗的时间130s。
(4)用电阻为18MΩ的超纯水在零压力(自重压力)、流量为2800ml/min的条件下对步骤(3)清洗后的Ti阻挡层材料冲洗130s。
经过上述清洗过程后，Ti阻挡层材料表面光洁无蚀圈，清洁效果好，在8英寸芯片上，粒径大于0.1微米的粒子小于10个，表面粗糙度达到0.3nm级别。
实施例4：
(1)取电阻为18MΩ的超纯水13500g，边搅拌边加入表面活性剂JFC750g和FA/O II型螯合剂750g，搅拌均匀后得pH值为7.5近似为中性的水溶性表面洁净液。
(2)对碱性化学机械抛光后的Ti阻挡层材料立即用步骤(1)得到的洁净液进行抛光清洗，流量为5000ml/min，压力为0.01个大气压，抛光清洗180s。
(3)用电阻为18MΩ的超纯水14250g稀释苯并三唑阻蚀剂750g，用稀释后的苯并三唑溶液迅速对步骤(2)清洗后的Ti阻挡层材料进行零压力(自重压力)抛光清洗，流量为5000ml/min，抛光清洗的时间180s。
(4)用电阻为18MΩ的超纯水在零压力(自重压力)、流量为5000ml/min的条件下下对步骤(3)清洗后的Ti阻挡层材料冲洗180s。
经过上述清洗过程后，Ti阻挡层材料表面光洁无蚀圈，清洁效果好，在8英寸芯片上，粒径大于0.1微米的粒子小于10个，表面粗糙度达到0.3nm级别。
Claims (3)
1.一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法，其特征在于，包括下述步骤：
(1)配制水溶性表面洁净液：取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂和FA/O II型螯合剂，搅拌均匀后得pH值为6.5-7.5水溶性表面洁净液，得到的洁净液中，表面活性剂的重量百分比为0.5-5％，FA/O II型螯合剂的重量百分比为0.1-5％，余量为电阻为18MΩ以上的超纯水；
所述FA/O II型螯合剂的结构式为：
(2)使用步骤(1)中得到的水溶性表面洁净液迅速对碱性化学机械抛光后的Ti阻挡层材料采用1000-5000ml/min的大流量在0-0.01个大气压的低压力条件下进行抛光清洗，抛光清洗的时间为30s-3min；
(3)采用电阻为18MΩ以上的超纯水稀释阻蚀剂得到阻蚀剂的重量百分比浓度为0.1-5％的阻蚀剂溶液，使用稀释后的阻蚀剂溶液迅速对步骤(2)清洗后的Ti阻挡层材料进行零压力抛光清洗，流量为1000-5000ml/min，抛光清洗的时间为30s-3min；
(4)用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、流量为1000-5000ml/min的条件下对步骤(3)清洗后的Ti阻挡层材料冲洗30s-3min。
2.根据权利要求1所述的Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光后的表面洁净方法，其特征在于，所述表面活性剂为Oπ-7、Oπ-10、O-20、JFC中的任一种。
3.根据权利要求1所述的Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光后的表面洁净方法，其特征在于，所述阻蚀剂为苯并三唑或六次甲基四胺。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010102325599A CN102039283B (zh) | 2010-07-21 | 2010-07-21 | Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010102325599A CN102039283B (zh) | 2010-07-21 | 2010-07-21 | Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102039283A CN102039283A (zh) | 2011-05-04 |
| CN102039283B true CN102039283B (zh) | 2012-04-18 |
Family
ID=43906007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010102325599A Expired - Fee Related CN102039283B (zh) | 2010-07-21 | 2010-07-21 | Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102039283B (zh) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR890700052A (ko) * | 1986-12-18 | 1989-03-02 | 토마스 에프.키르코프 | 초음파 세정 방법 및 장치 |
| JP2000331977A (ja) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料の洗浄方法 |
| WO2004048008A1 (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-10 | Nitto Denko Corporation | クリーニングシートおよび基板処理装置のクリーニング方法 |
| JP2004174315A (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Nitto Denko Corp | クリーニングシートおよび基板処理装置のクリーニング方法 |
| CN1300271C (zh) * | 2004-09-24 | 2007-02-14 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用 |
| CN1833816A (zh) * | 2005-11-23 | 2006-09-20 | 周海 | 蓝宝石晶片纳米级超光滑加工工艺 |
| CN1858131A (zh) * | 2006-05-31 | 2006-11-08 | 河北工业大学 | 用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液 |
| CN1861723A (zh) * | 2006-06-09 | 2006-11-15 | 河北工业大学 | 硅单晶衬底材料抛光液及其制备方法 |
-
2010
- 2010-07-21 CN CN2010102325599A patent/CN102039283B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102039283A (zh) | 2011-05-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW573325B (en) | Cleaning method, method for fabricating semiconductor device and cleaning solution | |
| US7232529B1 (en) | Polishing compound for chemimechanical polishing and polishing method | |
| JP4605409B2 (ja) | アルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法 | |
| Kwon et al. | Study on effect of complexing agents on Co oxidation/dissolution for chemical-mechanical polishing and cleaning process | |
| JP2002050595A (ja) | 研磨方法、配線形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
| US10224208B2 (en) | Plating method and recording medium | |
| WO2011060616A1 (zh) | 一种化学机械抛光液及其应用 | |
| KR20080066580A (ko) | 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법 | |
| TW200400257A (en) | Post-CMP washing liquid composition | |
| WO2011069345A1 (zh) | 一种化学机械抛光浆料及其应用 | |
| TW201422740A (zh) | 一種磷酸酯表面活性劑在自停止拋光中的應用 | |
| Armini et al. | Copper CMP with composite polymer core-silica shell abrasives: A defectivity study | |
| CN104513627A (zh) | 一种集成电路铜cmp组合物及其制备方法 | |
| TW201436010A (zh) | 半導體基板洗淨系統及半導體基板的洗淨方法 | |
| TW200823285A (en) | Rinse formulation for use in the manufacture of an integrated circuit | |
| WO2007048314A1 (fr) | Pate d'abrasion chimique-mecanique pour cuivre | |
| WO2012009940A1 (zh) | 极大规模集成电路钨插塞cmp后表面洁净方法 | |
| JP4267331B2 (ja) | 基板の処理方法及びエッチング液 | |
| CN101972755B (zh) | Ulsi铜材料抛光后表面清洗方法 | |
| CN102039283B (zh) | Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法 | |
| CN110819999A (zh) | 一种去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液 | |
| CN102486994A (zh) | 一种硅片清洗工艺 | |
| CN101912857B (zh) | 锑化铟晶片碱性化学机械抛光后的表面洁净方法 | |
| CN101901782B (zh) | 极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法 | |
| TW200907047A (en) | Aqueous cleaning composition for semiconductor copper processing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120418 Termination date: 20160721 |