CN102039283A - Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法,旨在提供一种能够降低Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光的后续加工成本,使用方法简单易行,能够提高Ti阻挡层表面质量的方法。配制水溶性表面洁净液:取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂和FA/O II型螯合剂,搅拌均匀后得pH值为6.5-7.5水溶性表面洁净液;使用洁净液迅速对Ti阻挡层材料采用1000-5000mL/min的大流量在0-0.01大气压的低压力条件下进行抛光清洗;使用稀释后的阻蚀剂溶液迅速对Ti阻挡层材料进行零压力抛光清洗,流量为1000-5000mL/min;用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、流量为1000-5000mL/min的条件下冲洗Ti阻挡层材料。
Description
技术领域
本发明涉及一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法。
背景技术
纯钛是银白色的金属,它具有许多优良性能。钛的密度为4.54g/cm3,比钢轻43%,比久负盛名的轻金属镁稍重一些。机械强度却与钢相差不多,比铝大两倍,比镁大五倍。钛耐高温,熔点1942K,比黄金高近1000K,比钢高近500K。钛属于化学性质比较活泼的金属。加热时能与O2、N2、H2、S和卤素等非金属作用。但在常温下,钛表面易生成一层极薄的致密的氧化物保护膜,可以抵抗强酸甚至王水的作用,表现出强的抗腐蚀性。因此,一般金属在酸的溶液中变得千疮百孔而钛却安然无恙。
在GLSI金属化工艺中,阻挡层成为其越来越重要的组成部分。没有阻挡层,硅和金属间的相互反应会造成“结穿透”,导致高阻或者彻底的接触失效,也会发生一些与电迁移相关的可靠性间题。所以,阻挡层金属在半导体工艺被广泛使用,对阻挡层金属的基本特性要求是有很好的阻挡扩散特性。通常用做阻挡层的金属是一类具有高熔点的金属,如钛Ti、钨W、钽Ta、钼MO、钴Co、铂Pt等。钛Ti作阻挡层有以下特点:高电导率,具有较低的欧姆接触电阻;在半导体和金属之间有很好的粘附性,不容易剥落(Peeling);抗电迁移;能形成均匀的薄膜,并且具有良好的稳定性;抗腐蚀和氧化。因此钛以其优良阻挡特性,被广泛应用于超大规模集成电路的制造中。
作为Ti阻挡层材料表面处理技术之一的抛光后表面洁净技术尤其重要。目前Ti阻挡层批量抛光生产后表面洁净采用水冲洗的方法,由于晶片表面温度高、能量高、表面张力大,虽然抛光停止了,但是晶片表面的反应有一个滞后的过程,简单的水冲洗不能避免抛光液的分布不均匀、沾污金属离子等现象,使得清洗后Ti阻挡层材料表面有蚀圈,在8英寸芯片上,粒径大于0.1微米的粒子在1000个以上,从而造成后续加工中成本的提高及器件成品率的降低。
发明内容
本发明是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种能够降低Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光的后续加工成本,使用方法简单易行,能够提高Ti阻挡层表面质量的方法。
本发明通过下述技术方案实现:
一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法,其特征在于,包括下述步骤:
(1)配制水溶性表面洁净液:取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂和FA/O II型螯合剂,搅拌均匀后得pH值为6.5-7.5水溶性表面洁净液,得到的洁净液中,表面活性剂的重量百分比为0.5-5%,FA/O II型螯合剂的重量百分比为0.1-5%;
(2)使用步骤(1)中得到的水溶性表面洁净液迅速对碱性化学机械抛光后的Ti阻挡层材料采用1000-5000ml/min的大流量在0-0.01大气压的低压力条件下进行抛光清洗,抛光清洗的时间为30s-3min;
(3)采用电阻为18MΩ以上的超纯水稀释阻蚀剂得到阻蚀剂的重量百分比浓度为0.1-5%的阻蚀剂溶液,使用稀释后的阻蚀剂溶液迅速对步骤(2)清洗后的Ti阻挡层材料进行零压力抛光清洗,流量为1000-5000ml/min,抛光清洗的时间为30s-3min;
(4)用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、流量为1000-5000ml/min的条件下对步骤(3)清洗后的Ti阻挡层材料冲洗30s-3min。
其中,零压力是指压力表上的压力为零,只有抛光盘的自重压力。
0-0.01大气压的低压力中的0.01个大气压为压力表上的数值,不含有自重压力。
表面活性剂为FA/OI型表面活性剂、Oπ-7((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)7-H)、Oπ-10((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)10-H)、O-20(C12-18H25-37-C6H4-O-CH2CH2O)70-H)、JFC中的任一种。FA/OI型表面活性剂为天津晶岭微电子材料有限公司市售产品。
所述FA/O II型螯合剂是天津晶岭微电子材料有限公司市售产品,为乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺),可简写为NH2RNH2,其结构式如下,
所述阻蚀剂为苯并三唑或六次甲基四胺。
本发明具有下述技术效果:
1.本发明的方法在Ti阻挡层材料进行碱性CMP后,选用含表面活性剂、螯合剂的洁净液、阻蚀剂、电阻为18MΩ以上的超纯水等进行大流量抛光清洗晶片表面,可迅速将晶片表面残留的、分布不均的抛光液冲走,防止局部继续反应,而且,大流量的清洗带出的热量使晶片各部分温度分布一致,温度一致性好,抛光清洗后可以获得洁净、完美的抛光表面。
2.本发明的方法中所使用的洁净液为水溶性,其中的表面活性剂可使抛光后Ti阻挡层材料表面很高的表面能量迅速降低,减少损伤层,提高Ti阻挡层材料表面质量的均匀性;FA/O II型螯合剂可与晶片表面残留的金属离子发生反应,生成可溶性的大分子螯合物,在大流量抛光清洗作用下脱离Ti阻挡层材料表面;阻蚀剂可在抛光后Ti阻挡层材料表面形成单分子钝化膜,阻止Ti阻挡层材料表面不均匀分布的抛光液继续与Ti阻挡层材料反应而形成不均匀腐蚀,提高抛光后Ti阻挡层材料表面的完美性,从而获得洁净、完美的抛光表面。
3.本发明的方法通过大流量、低压力抛光清洗可有效地使表面活性剂、螯合剂及阻蚀剂的作用相互配合,共同作用,及时将残留的抛光液冲走,使表面迅速吸附易清洗物质,降低表面张力使表面呈物理吸附状态、形成单分子钝化膜、并使金属离子形成可溶的螯合物,获得高质量的晶片,从而降低后续加工的成本,提高器件成品率,使用方便简单易行。而且,洁净液的成本低、不污染环境及腐蚀设备。
4.本发明的洁净液呈中性,可有效防止残留的抛光液继续腐蚀晶片,降低化学作用。
5、本发明的方法在低压力下进行,可以使洁净液与清洗表面充分接触,同时在大流量洁净液的作用下有效带走表面清洗下来的污染物,提高表面清洗质量;若压力过大,则会对表面有摩擦,影响抛光后的表面质量。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1:
(1)取电阻为18MΩ上的超纯水497g,边搅拌边加入表面活性剂FA/OI型表面活性剂2.5g和FA/O II型螯合剂0.5g,搅拌均匀后得pH值为6.7近似为中性的水溶性表面洁净液。
(2)用步骤(1)得到的洁净液迅速对碱性化学机械抛光后的Ti阻挡层材料进行抛光清洗,流量为1000ml/min,压力为零压力(自重压力),抛光清洗30s。
(3)用电阻为18MΩ的超纯水499.5稀释苯并三唑阻蚀剂0.5g,用稀释后的苯并三唑溶液迅速对步骤(2)清洗后的Ti阻挡层材料进行零压力(自重压力)抛光清洗,流量为1000ml/min,抛光清洗的时间30s。
(4)用电阻为18MΩ的超纯水在零压力(自重压力)、流量为1000ml/min的条件下对步骤(3)清洗后的Ti阻挡层材料冲洗30s。
经过上述清洗过程后,Ti阻挡层材料表面光洁无蚀圈,清洁效果好,在8英寸芯片上,粒径大于0.1微米的粒子小于10个,表面粗糙度达到0.3nm级别。
实施例2:
(1)取电阻为18MΩ的超纯水2054g,边搅拌边加入表面活性剂Oπ-1042g和FA/O II型螯合剂38g,搅拌均匀后得pH值为6.9近似为中性的水溶性表面洁净液。
(2)用步骤(1)得到的洁净液迅速对碱性化学机械抛光后的Ti阻挡层材料进行抛光清洗,流量为1600ml/min,压力为0.01个大气压,抛光清洗80s。
(3)用电阻为18MΩ的超纯水2096g稀释六次甲基四胺阻蚀剂38g,用稀释后的六次甲基四胺溶液迅速对步骤(2)清洗后的Ti阻挡层材料进行零压力(自重压力)抛光清洗,流量为1600ml/min,抛光清洗的时间80s。
(4)用电阻为18MΩ的超纯水在零压力(自重压力)、流量为1600ml/min的条件下对步骤(3)清洗后的Ti阻挡层材料冲洗80s。
经过上述清洗过程后,Ti阻挡层材料表面光洁无蚀圈,清洁效果好,在8英寸芯片上,粒径大于0.1微米的粒子小于10个,表面粗糙度达到0.3nm级别。
实施例3
(1)取电阻为18MΩ的超纯水5643.56g,边搅拌边加入表面活性剂O-20212.42g和FA/O II型螯合剂212.42g,搅拌均匀后得pH值为7.3近似为中性的水溶性表面洁净液。
(2)用步骤(2)得到的洁净液迅速对碱性化学机械抛光后的Ti阻挡层材料进行抛光清洗,流量为2800ml/min,压力为0.005个大气压,抛光清洗130s。
(3)用电阻为18MΩ的超纯水5855.98g稀释六次甲基四胺阻蚀剂212.42g,用稀释后的六次甲基四胺溶液迅速对步骤(2)清洗后的Ti阻挡层材料进行零压力(自重压力)抛光清洗,流量为2800ml/min,抛光清洗的时间130s。
(4)用电阻为18MΩ的超纯水在零压力(自重压力)、流量为2800ml/min的条件下对步骤(3)清洗后的Ti阻挡层材料冲洗130s。
经过上述清洗过程后,Ti阻挡层材料表面光洁无蚀圈,清洁效果好,在8英寸芯片上,粒径大于0.1微米的粒子小于10个,表面粗糙度达到0.3nm级别。
实施例4:
(1)取电阻为18MΩ的超纯水13500g,边搅拌边加入表面活性剂JFC750g和FA/O II型螯合剂750g,搅拌均匀后得pH值为7.5近似为中性的水溶性表面洁净液。
(2)对碱性化学机械抛光后的Ti阻挡层材料立即用步骤(1)得到的洁净液进行抛光清洗,流量为5000ml/min,压力为0.01个大气压,抛光清洗180s。
(3)用电阻为18MΩ的超纯水14250g稀释苯并三唑阻蚀剂750g,用稀释后的苯并三唑溶液迅速对步骤(2)清洗后的Ti阻挡层材料进行零压力(自重压力)抛光清洗,流量为5000ml/min,抛光清洗的时间180s。
(4)用电阻为18MΩ的超纯水在零压力(自重压力)、流量为5000ml/min的条件下下对步骤(3)清洗后的Ti阻挡层材料冲洗180s。
经过上述清洗过程后,Ti阻挡层材料表面光洁无蚀圈,清洁效果好,在8英寸芯片上,粒径大于0.1微米的粒子小于10个,表面粗糙度达到0.3nm级别。
Claims (3)
1.一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法,其特征在于,包括下述步骤:
(1)配制水溶性表面洁净液:取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂和FA/O II型螯合剂,搅拌均匀后得pH值为6.5-7.5水溶性表面洁净液,得到的洁净液中,表面活性剂的重量百分比为0.5-5%,FA/O II型螯合剂的重量百分比为0.1-5%,余量的电阻为18MΩ以上的超纯水;
(2)使用步骤(1)中得到的水溶性表面洁净液迅速对碱性化学机械抛光后的Ti阻挡层材料采用1000-5000ml/min的大流量在0-0.01个大气压的低压力条件下进行抛光清洗,抛光清洗的时间为30s-3min;
(3)采用电阻为18MΩ以上的超纯水稀释阻蚀剂得到阻蚀剂的重量百分比浓度为0.1-5%的阻蚀剂溶液,使用稀释后的阻蚀剂溶液迅速对步骤(2)清洗后的Ti阻挡层材料进行零压力抛光清洗,流量为1000-5000ml/min,抛光清洗的时间为30s-3min;
(4)用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、流量为1000-5000ml/min的条件下对步骤(3)清洗后的Ti阻挡层材料冲洗30s-3min。
2.根据权利要求1所述的Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光后的表面洁净方法,其特征在于,所述表面活性剂为FA/OI型表面活性剂、Oπ-7、Oπ-10、O-20、JFC中的任一种。
3.根据权利要求1所述的Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光后的表面洁净方法,其特征在于,所述阻蚀剂为苯并三唑或六次甲基四胺。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1988004582A1 (en) * | 1986-12-18 | 1988-06-30 | Eastman Kodak Company | Ultrasonic cleaning method and apparatus |
JP2000331977A (ja) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料の洗浄方法 |
JP2004174315A (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Nitto Denko Corp | クリーニングシートおよび基板処理装置のクリーニング方法 |
CN1616572A (zh) * | 2004-09-24 | 2005-05-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用 |
US20060151004A1 (en) * | 2002-11-25 | 2006-07-13 | Yoshio Terada | Cleaning sheet and method for cleaning substrate processing apparatus |
CN1833816A (zh) * | 2005-11-23 | 2006-09-20 | 周海 | 蓝宝石晶片纳米级超光滑加工工艺 |
CN1858131A (zh) * | 2006-05-31 | 2006-11-08 | 河北工业大学 | 用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液 |
CN1861723A (zh) * | 2006-06-09 | 2006-11-15 | 河北工业大学 | 硅单晶衬底材料抛光液及其制备方法 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1988004582A1 (en) * | 1986-12-18 | 1988-06-30 | Eastman Kodak Company | Ultrasonic cleaning method and apparatus |
JP2000331977A (ja) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料の洗浄方法 |
JP2004174315A (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Nitto Denko Corp | クリーニングシートおよび基板処理装置のクリーニング方法 |
US20060151004A1 (en) * | 2002-11-25 | 2006-07-13 | Yoshio Terada | Cleaning sheet and method for cleaning substrate processing apparatus |
CN1616572A (zh) * | 2004-09-24 | 2005-05-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用 |
CN1833816A (zh) * | 2005-11-23 | 2006-09-20 | 周海 | 蓝宝石晶片纳米级超光滑加工工艺 |
CN1858131A (zh) * | 2006-05-31 | 2006-11-08 | 河北工业大学 | 用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液 |
CN1861723A (zh) * | 2006-06-09 | 2006-11-15 | 河北工业大学 | 硅单晶衬底材料抛光液及其制备方法 |
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