TWI273633B - Fluid injection apparatus for semiconductor processing - Google Patents

Description

1273633 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種應 是有關於一種流體注射設備 为佈圖案朝晶圓表面流動。 用在半導體製造之設備，且特別 有利於處理流體以各種流動與 【先前技術】 ^ 在半導體積體電路之製作 Φ ^ ^ ^ 衣作〒，利用金屬導線來互相連接 半¥體晶圓上之元件電路中的夕 电峪τ的卉多構件。一般用於沉積金屬 :線圖案於半導體晶圓上之製程包括:沉積導電層於石夕晶圓 土材上’利用標準微影技術形成具有所需金屬導線圖案之光 阻1其他罩幕’例如氧化鈦或氧化矽；對晶圓基材進行乾蝕 】製耘以從未文到覆蓋之區域移除導電層，而留下具有受 到遮罩之導線圖案形狀的金屬層；以及通常利用反應性電漿 氯氣來移除罩幕層，以暴露出金屬導線之上表面。一般， • 7曰曰圓基材上依序沉積許多交錯之導電與絕緣材料層，且在 ^ 曰曰圓上不同層之導電層可藉由在絕緣層中蝕刻出介層窗口 開口，廿+古 ， 亚異入銘、鎢或其他金屬以在導電層之間建立電性 連接的方式，達到互相電性連接。 通㊉’在蝕刻機或其他半導體處理機台中，例如用以在 曰曰圓上沉積薄膜者，氣體以化學物或流體型式朝晶圓表面注 戈〃IL動’以達到餘刻或沉積目的。流體在晶圓表面上之流 動方向與分佈會影響蝕刻速率或沉積率，以及關鍵尺寸（CD) 之均勻度或薄膜厚度之均勻度。傳統之處理機台利用固定式 1273633 :體注射器或板’而固定式流體注射器或板 佈圖案的方式對著晶圓提供流體流。因此，在許多情= =流體在晶圓表面上之流動與分佈的需求， ::積之均勾度的目的’而上述之機台並不適宜。因此」 種：穎且改進之注射設備’以利處理流體根據特： -求’而以各種流動與分佈圖案的方式朝晶圓表面流動。

【發明内容】 本發明之目的就是在提供一種流體注射設備，可 二面上之流體的位置與方向流動特性，根據特 圓表面二理流體以各種流動與分佈圖案的方式朝晶 發月之3目在提供一種半導體元件之製造方 法：透過新穎流體注射設備之應用，可控制處理流體以所需 之流_案來散佈，而有助於晶圓表面上之薄膜的均勻蝕刻 麵I 及/或沉積，藉以增加薄膜之均勻度。 . 根據本發明之上述目的，本發明大致係直指一種流體注 -射設備’藉以利用位置控制及方向控制的方式，對-表面排 放流體。此流體注射設備包括：至少—流體供應導管；可旋 2且可垂直移動之至少一流體注射器，#中此流體注射器係 設置成使其可與流體供應導管流通；以及至少一流體導管設 於流體注射H中。透過流體注射器之選擇性垂直移動，可選 擇性地將流體注射器中之每一流體導管與流體供應導管間 之"IL通加以封鎖或加以提供，以朝上述表面供應具所需流動 6 1273633 型態之處理流體。透過流體注射器之選擇性轉動，可使流體 以旋轉或螺旋運動方式接觸上述表面。 根據本發明之目的，更提出一種半導體元件之製造方 法，至少包括下列步驟。提供一處理反應室，此處理反應室 至少包括一流體注射設備，其中此流體注射設備具有：至少 一流體供應導管；可旋轉且可垂直移動之至少一流體注射 器，設置成與至少一流體供應導管流通；以及至少一流體導 管，設於至少一流體注射器中。並提供一基材。接著，形成 一介電層於基材上，其中形成此介電層之步驟係藉由將一處 理流體攸至少一流體供應導管並經由至少一流體導管散佈 至此基材上。 【實施方式】 首先，请參照第1圖，其係繪示本發明之一種機械驅動 之流體注射設備的圖示實施例，以下此流體注射設備通常以 圖號10來標示。設備1〇適用於在基材（未繪示）上之積體電 路的製作期間，以方向控制及位置控制方式，對基材之表面 施放流體30,例如應用於半導體處理之處理液體或氣體。 設備10可例如設於蝕刻反應室（未繪示）中，用以對晶圓排 放蝕刻流體30，或者設於化學氣相沉積（CVD)反應室（未繪 示）中’用以對晶圓排放例如沉積氣體之流體3 〇。可了解的 一點是，可將設備10運用在其他工業應用上，其中此設備 10係用於以方向控制與位置控制的方式對基材施放流體。 如第1圖所示，設備10包括流體注射器12，其中此流 7 1273633 -/主射器12之没置係用以透過操作磁性耦合元件丨3而在外 隔離罩32内選擇性垂直移動。流體注射器12之底端一般呈 朝外喇队狀。隔離凸緣34從外隔離罩32朝内延伸，並密封 接合在流體注射器12之外側面上。外隔離罩32包括流體隔 板33，其中此流體隔板33從外隔離罩32之主體的底端向 外延伸。將流體供應導管U設置於流體隔板33下方之流體 机動空間11 a中，以對設備丨〇供應處理流體3 〇。 流體注射12通常為圓筒狀，且包括内磁鐵14與16, 其中内磁鐵14與1 6具有相反之極性，且設置於流體注射器 1 2之相對、或直徑地相反側或邊上。τ字型中央流體導管 1 8延伸通過流體注射器丨2，且位於内磁鐵1 *與丨6之下方。 中央流體導管18包括水平通過流體注射器12之水平部分以 及從水平部分向下延伸之垂直部分，其中垂直部分在流體注 射器12之喇π八狀底端打開。 環狀盆腔20則設置在流體注射器12之外側面，且環繞 中央流體導管18之垂直部分。環狀固定磁鐵28設置在流體 注射器12中，且鄰近並位於盆腔2〇内。浮動隔離板以通 常具有％型架構，且浮動隔離板24係設置成可在盆腔Μ 中垂直移動。環狀浮動磁鐵26具有相反於固定磁鐵28之磁 性，且設置在浮動隔離板24中。外流體導管22自盆腔2〇 延伸通過流體注射器12,且在流體注射器12之喇叭狀底端 打開。外流體導管22之排放部通常係設置成與中央流體導 管18之間具有一角度，且一般可與流體注射器12底端之朝 外喇P八狀外形平行。外流體導管22具有上方入口 22a與下 8 1273633 方入口 22b，外流體導管22具有上方入口 22&與下方入口 22b，其中上方入〇 22a及下方入口 2几與盆腔2〇相通，且 分別δ又於固疋磁鐵28之上端及下端。 由於固定磁鐵28與浮動磁鐵26之間的磁性吸引，浮動 •隔離板24通常定位在盆腔20之實質垂直中心，且介於外流 體導官22之上方入口 22a及下方入口 22b之間並約與上方 入口 22a及下方入口 22b等距。然而，對應於流體注射器 φ 12相對於外隔離罩32的上升與下降，可使得浮動隔離板24 阻塞上方入口 22a或下方入口 22b，而防止流體3〇自外流 體導管22排出，如以下所述。 環狀内隔離板56環繞流體注射器12。流體注射器12 延伸通過外圍流體導管58，其中外圍流體導管58延伸通過 内隔離板5 6之中央。外圍流體導管5 8之内側邊通常以一角 度朝外，而大致對應於流體注射器12之底端的朝外喇。八狀 夕卜5ΐί 〇

磁性耦合元件13包括環狀固定板44，其中固定板44 係設於流體隔板3 3上方。固定板44環繞外隔離罩32。將 驅動軸50固定成軸頸，以使驅動軸50在固定板44中旋轉， 旋轉驅動馬達48驅動地接合驅動軸50。驅動傳動裝置46 設置在驅動軸50上。環狀傳動板42可旋轉地架設在固定板 44上方，並與驅動傳動裝置46相互嚙合。導桿40從傳動 板42之一端向下延伸，且移動板36自導桿40水平延伸且 位於傳動板42下方。外磁鐵17設於移動板36上，其中外 磁鐵17位於流體注射器12上之内磁鐵14之磁力鄰近處且 9 1273633 磁性相反於内磁鐵14。導螺桿38向下延伸通過傳動板42 相對之另一端，且設在移動板36上之軸承中。垂直驅 動馬達39驅動地接合導螺桿38之上端。外磁鐵15設於移 動板36上，其中外磁鐵15位於内磁鐵“之磁力鄰近處且 磁性相反於内磁鐵16。將傳動軸54固定成軸頸，以使傳動 轴54在固定板44上旋轉，其中傳動轴54通常與驅動傳動 裝置46之間呈直徑相對關係。支撐傳動裝置設於傳動軸 54上，且與傳動板42相互嚙合。 如第1圖所示，藉由操作垂直驅動馬達39來選擇性地 進行外隔離罩32中之流體注射器12的垂直位置調整。於 是’垂直驅動馬達39旋轉導螺桿38，而使移動板％在導 螺桿38上向上或向下行進，移動板％之行進方向取決於導 螺才干3 8之;ί疋轉方向。這樣將根據外磁鐵1 $和1 7分別與内 磁鐵^和。16之間的磁性吸引，轉而升高或降低流體注射器 12。藉由操作旋轉驅動馬達48，來選擇性地進行流體注射 器12在外隔離罩32中的順時針或逆時針旋轉。於是，旋轉 驅動馬達48透過驅動軸50來旋轉驅動傳動裝置46。驅動 傳動裝置46轉而旋轉傳動板42，而使位於移動板刊上之 外磁鐵！5和17旋轉’而隨著外磁鐵15和17與流體注射器 12中各自之内磁鐵16和14的磁性吸引，會使流體注射器 12以相同於旋轉傳動板42的方向旋轉。 接下來請參照第2圖，其料示本發明之流體注射設備 之一種替代的電性致動實施例，此流體注射設備概括以圖號 1 0a來加以標示。設備丨0a包括磁性耦合元件1，其中嗖 10 1273633 J Q 〇 、、 系以磁性誘發效應來取代先前對應於第1圖之設備 1 〇戶斤、 ^之垂直驅動馬達3 9與旋轉驅動馬達48，以利流體注 . 射器12之垂直與旋轉運動。設備1 Oa利用多組下電性線圈 62、由 電性線圈64以及上電性線圈66，其中這些下電性線 圈62、中電性線圈64與上電性線圈66環繞外隔離罩32設 置。因此，藉由選擇性分佈流經下電性線圈62、中電性線 圈64及/或上電性線圈66的電流，可透過内磁鐵14和16 與供有能量之電性線圈之間的磁性吸引，而選擇性地在外隔 離罩32中升高或降低流體注射器12。在類似方式中，透過 根據時間來改變流經以環性圖案圍繞外隔離罩32之電性線 圈之電流分佈的方式，可選擇性地在外隔離罩32中旋轉流 體注射器12。雖然以下將以設備10來描述本發明之操作， 然可以類似方式來操作設備1 〇 a而達到本發明之目的。 接著’請參照第1圖與第3-9圖，設備1 〇適用以作為 半導體製造之流體分佈平台（Fluid Distribution Plat ; • FDP)。流體注射設備i〇通常設置在處理反應室（未緣示） W 中，其中此處理反應室係應用在半導體晶圓（未繪示）上之半 導體元件的製作中。因此’外隔離罩32與流體隔板33密封 ‘ 式地隔離外隔離罩32下方之反應室的真空或低壓區與外隔 離罩32上方之大氣壓區。舉例而言，在積體電路的製作中岡 可運作設備10，而從流體供應導管11來將處理流體3〇，例 如蝕刻氣體或液體或者形成薄膜之氣體或液體，以選搂 、 、释之流 體圖案散佈至半導體晶圓（未緣示）之表面上。可在外隐 I 離罩 32中升高、降低及/或旋轉流體注射器12，以利流體3〇、登 11 1273633 擇性地流經中央流體導管丨8、外流體導管22及/或外圍流 體導管58，藉以控制在晶圓表面上之流體30的位置與方向 流動特性。如此將轉而有助於晶圓表面上之薄膜的均勻蝕刻 及/或沉積。在此為了提供更清楚之討論，而將流體30描述 為流經且從中央流體導管1 8排出之第一部分30a、流經且 從外流體導管22排出之第二部分3 Ob、以及流經且從外圍 流體導管58排出之第三部分30c。

在本發明之一種可能應用中，設備10係設置在化學氣 相沉積（CVD)反應室中，其中此化學氣相沉積反應室係用以 沉積介電層（未繪示）於晶圓（未繪示）上。因此，透過設備 1 〇 ’經由其中央流體導管1 8、外流體導管22及/或外圍流 體導管58，而以控制之流動圖案來散佈處理流體3〇，藉以 增加介電層之均勻度，其中流體30為含有形成介電層之沉 積成分的氣體。 第1圖係繪示設備10之一種操作，以利將最大流量之 流體30散佈至晶圓上。因此，流體30之第一部分3〇a先流 經中央流體導管18,接著以正實質垂直於晶圓表面之路 徑，從流體注射器丨2之底端排出。同時，流體⑽之第二部 分30b流入盆腔20 ;再流經外流體導螫 L版守s 22之上方入口 22a 與下方入口 22b ;並且在流體注射5§ ! 9 — — α ^ Λ 町為12之底部，以與流體 30之第一部分30a之流動路徑間呈右 么一 、 仏间具有一角度的方式而從外 流體導管2 2排出。因此，流體3 〇之笛一 Α 二弟一部分30b向外流出 並斜向觸及晶圓表面。流體3〇之莖=加 <弟一部分30c向下且向外 流經外圍流體導管58，並以向外傾叙4 斜之環形流動路徑碰觸 12 1273633 晶圓。 第3圖係繪示設備1〇之一種操 1 、、衣 ,、τ田机體3 〇之第 一部m經由且從中央流體導管18散佈排出且流體^ ，第二部分遍經由且從外流體導管22散佈排出時： 操作旋轉驅動馬達48，來旋轉流體注射寒 ^ z。因此，篦一 Φ

部/刀30a筆直地觸及晶圓表面，而第二部分鳥卻以 螺旋運動的方式，由外流體導管22噴出並觸及晶圓 第三部分3Ge通常經由外圍流體導f %而從設㈣向外側 喷出，並以向外傾斜之環形流動路徑觸及晶圓表面。 第4圖係繪示設備1〇之一種操作，其中流體注射器u 位於外隔離罩32之較上部，且浮動隔離板24與内隔離板 5 6相隔相當大的一段間隔。如此有利於流體3 〇之第二部分 3〇b以相對大量之流量流經外圍流體導管58，並以寬廣1 : 外傾斜之環形流動路徑觸及晶圓表面。同時，中央導二 18受到外隔離罩32的部分阻擋，因而部分地限制=一部二 30a流經且從中央流體導管18排出的流量。第二部分%二 從外流體導管22向外側噴出，並斜向觸及晶圓表面=如此 一來，導致流體廣泛散佈而流動在整個晶圓表面上。 第5圖係繪示設備10之一種操作，其中相較於其在第 4圖之位置：流體注射器12在外隔離罩32中處於較高位 置，藉以使浮動隔離板24接合在流體隔板33之下表面，且 中央流體導管1 8之水平部分完全位於外隔離罩32内。因 此，流體30之第一部分3〇a不能進入且不能從中央流體導 官1 8排出。雖然浮動隔離板24與流體隔板33之接合而使 13 1273633 一卜：=導g 22之上方入口 22a受到阻塞，然而流體之第 ::分30b仍可分別經由盆腔2〇與下方入口以而流入且 從外流體導管22排Ψ。& ^ ^ ^ _出此外，由於洋動隔離板24與内隔離 板5 6之間的間隔具有最大嘗声 ，、啕取穴見度相對大$之流體3〇的第三 部分斯流經外圍流體導管58，並以環形流動路徑對著晶 圓表面朝外側噴出。 第6圖係繪示設備1Q之—種操作，其中流體注射器η ;外隔離罩32内之最上方的位置。由於中央流體導管^ 之水平邛为兀全位於外隔離罩32内，因此流體3〇之第一部 分30a不能從中央流體導管18排出。此外，已經將浮動隔 離板24向下推動至盆腔20之底部，而與固定磁鐵28與浮 動磁鐵26之間的磁性吸引所產生之向上趨勢相抗衡，因此 下方入口 22b受到阻塞，而防止流體3〇之第二部分3此的 流動以及從外流體導管22排出流體30之第二部分3〇b。然 而，由於此時浮動隔離板24與内隔離板56之間的間隔具有 最大寬度，因此最大量之流體3〇的第三部分3〇c流經外圍 流體導管58，並以環形流動路徑對著晶圓表面朝外側噴出。 第7圖係繪示設備1 〇之一種操作，其中浮動隔離板24 朝内隔離板56靠近而使外圍流體導管58之寬度受到限制。 因此，相對少量之流體30的第三部分3〇c能流經外圍流體 導管58，而以環形流動路徑對著晶圓表面朝外側流出。流 體30之第一部分30a流經且從中央流體導管1 8直接朝晶圓 表面噴出。流體30之第二部分3〇b經由且從外流體導管22 朝晶圓表面而向外側喷出。 14 1273633 :8圖係纷示設備1〇之一種操作，其中浮動隔離板％ ::離板56接合而關閉外圍流體導管58。因此流體3〇 二部分30c不能流經外圍流體導管“以朝晶圓表面向 18 出。机體3〇之第一部分3〇a流經且從中央流體導管 出’且㈣30之第二部分遍分別從盆腔2〇與上方 ^22流進外流體導管22 ’並從流體注射3 !2之底部朝 曰曰圓而向外側排出。

第9圖係繪不設備10之一種操作，其中流體注射器12 Z外隔離罩32中之最低位置。如此—來，浮動隔離板24 ^内隔離板56及盆腔2〇之上表面均接合。因此，浮動隔離 =4封住外流體導管。之上方入口 m與下方入口⑽， :父防止流體30之第二部分3〇b流經外流體導管22。浮動 隔=板24亦封住内隔離板％之外圍流體導管58，因而防 立机體30之第三部分3〇c從設備1〇流向晶圓。因此，將全 #之流體30限制為流經中央流體導管j 8且直接朝晶圓表面 排出。 、雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然可明白且了解 :.、』疋本發明可作各種之潤飾，而後附之申請專利範圍 思砍含括所有可落在本發明之精神和範圍内之此類潤飾。 【圖式簡單說明】 本發明已透過例子並輔以所附圖示來加以描述，其中： 第1圖係緣示本發明之一種機械驅動之流體注射設備 之實施例的示意圖，圖示出透過流體注射器之轉動與垂直位 15 l2?3633 置的调整來控制來自此設備之流體的流動。 種電性驅動之流體注射設備 第2圖係繪示本發明之一 之實施例的示意圖。 第3圖係繪示本發明之一種機械驅動之流 ;實施：的示意圖，圖示出流體注射器之轉動，當流體從流 、主射為排出時有助於流體之旋轉。 声第」圖係繪示流體注射設備之示意圖，其中流體注射器 处於“高”位，以利廣範圍之流體流動分佈。 w〜苐囷係、曰示々，L體注射设備之示意圖，其中將流體注射 盗定位成阻止流體流經流體注射器之中央流體導管，而有利 於來自於設備之流體流向外圍。

、弟6圖係、、、曰示流體注射設備之示意圖，其中流體注射器 位於最上方位置，以阻止流體流經流體注射器之中央流體導 管與外流體導管，而有利於來自於設備之流體僅流向外圍。 ^第7圖係繪示流體注射設備之示意圖，其中將流體注射 器定位成提供來自於設備之流體範圍狹窄之外圍流動。 口〜第8圖係繪示流體注射設備之示意圖，其中將流體注射 ，位成阻止來自於設備之流體流向外圍’並將流體限制為 僅能流向流體注射器之中央流體導管與外流體導管。 第9圖係繪示流體注射設備之示意圖，其中流體注射器 位於最低位置，以阻止來自於設備之流體流向外圍和流經外 流體導管，並將流體限制為流入流體注射器之中央流體導 管。 16 1273633 【主要元件符號說明】 Ο

10 :設備 10a 11 :流體供應導管 11a 12 :流體注射器 13 ： 1 3 a :磁性麵合元件 14 ： 15 :外磁鐵 16 ： 1 7 :外磁鐵 18 ： 20 :盆腔 22 ： 22a :上方入口 22b 24 :浮動隔離板 26 ： 28 :固定磁鐵 30 ： 30a :第一部分 30b 3 0c :第三部分 32 : 33 :流體隔板 34 : 36 :移動板 38 : 38a :軸承 39 ·· 40 :導桿 42 ： 44 :固定板 46 ·· 48 :旋轉驅動馬達 50 : 52 :支撐傳動裝置 54 : 56 :内隔離板 58 : 62 :下電性線圈 64 : 66 :上電性線圈 :設備 :流體流動空間 磁性麵合元件 内磁鐵 内磁鐵 中央流體導管 外流體導管 :下方入口 浮動磁鐵 流體 :第二部分 外隔離罩 隔離凸緣 導螺桿 垂直驅動馬達 傳動板 驅動傳動裝置 驅動軸 傳動軸 外圍流體導管 中電性線圈 17

Claims (1)

1273633 十、申請專利範圍 Λ ι —種流體注射設備，用以朝一表面排出一流體， 该流·體注射設備至少包含·· 至少一流體供應導管； 可旋轉且可垂直移動之至少一流體注射器，設置 該至少一流體供應導管流通；以及 一 至少一流體導管，設於該至少一流體注射器中。 2·如申請專利範圍第1項所述之流體注射設備，更 至少包括至少一磁性耦合元件，磁性鄰近於該至少一流體 注射器，以選擇性地旋轉及垂直移動該至少一流體注射 器。 3·如申請專利範圍第丨項所述之流體注射設備，更 至少包括一外隔離罩，其中該至少一流體注射器設於該外 隔離罩中。 4·如申請專利範圍第3項所述之流體注射設備，更 至少包括一固定隔離凸緣設於該外隔離罩中，且與該至少 一流體注射器密封接合。 5 ·如申請專利範圍第3項所述之流體注射設備，更 至少包括一内隔離板環繞該至少一流體注射器。 18 1273633 6.如申請專㈣圍第5項所述之流體注射設備，更 至少包括—流體流動空間介於該内隔離板與該外隔離罩 之間。 7.如申請專利範圍第6項所述之流體注射設備，其 中該至少一流體導管至少包括至少二流體導管延伸穿過 該至少一流體注射器，且纟中該至少—流體注射器在該外 ® 隔離罩中之垂直移動可選擇性地將該至少二流體導管與 該流體供應導管之間予以封鎖。 8 ·如申凊專利範圍第1項所述之流體注射設備，更 至少包括一浮動隔離板，磁性鄰近於該至少一流體注射 器，且介於該至少一流體供應導管與該至少一流體導管之 間。 I 9· 一種流體注射設備，用以朝一表面排出一流體， 該流體注射設備至少包含·· 至少一流體供應導管； ^ 可旋轉且可垂直移動之至少一流體注射器，設置成與 /該至少一流體供應導管流通； 至少一流體導管，設於該至少一流體注射器中； 可旋轉軸承板，可操作地接合在該至少一流體注射 ° ’以轉動該至少一流體注射器；以及 19 1273633 一旋轉驅動馬達，接合在該可旋轉軸承板，以選擇性 地旋轉該可旋轉軸承板。 1 〇·如申請專利範圍第9項所述之流體注射設備，更 至少包括： 一垂直驅動馬達，為該可旋轉軸承板所支撐； 一導螺桿，為該垂直驅動馬達驅動地接合；， 一移動板，為該導螺桿所支撐；以及 複數個磁性耦合元件，介於該移動板與該至少一流體 注射器之間。 11·如申請專利範圍第1〇項所述之流體注射設備， 其中該些磁性耦合元件至少包括由該至少一流體注射器 所支撐之至少一内磁鐵以及由該移動板所支撐之至少一 外磁鐵，且該至少一外磁鐵之磁性與該至少一内磁鐵之磁 性相反。 12·如申請專利範圍第n項所述之流體注射設備， 其中該至少一流體導管至少包括延伸穿過該至少一流體 注射器之一中央流體導管與一外流體導管，其中藉由該至 少一流體注射器之垂直移動而選擇性地將該中央流體導 管及該外流體導管與該至少一流體供應導管予以封鎖。 13.如申請專利範圍第12項所述之流體注射設備， 20 1273633 更至少包括一内隔離板，該内隔離板具有一外圍流體導 管’其中該至少一流體注射器延伸通過該外圍流體導管。 ^ 14·如申印專利範圍第13項所述之流體注射設備， 、 更至少包括一浮動隔離板，磁性鄰近於該至少一流體注射 器，且介於該至少一流體供應導管與該外流體導管之間。 15. 如申請專利範圍第9項所述之流體注射設備，更 #)至少包括由該至少一流體注射器支撐之至少一内磁鐵以 及複數個電性線圈，其中該些電性線圈鄰設於該至少一流 體注射器，以選擇性地磁化該至少一内磁鐵。 16. —種半導體元件之製造方法，至少包括： 提供一處理反應室，該處理反應室至少包括一流體注 射設備，其中該流體注射設備具有： 至少一流體供應導管； •可旋轉且可垂直移動之至少一流體注射器，設置 成與該至少一流體供應導管流通；以及 至少一流體導管，設於該至少一流體注射器中； 提供一基材；以及 ^形成一介電層於該基材上，其中形成該介電層之步驟 係藉由將一處理流體從該至少一流體供應導管並經由該 至少一流體導管散佈至該基材上。 21 1273633 1 7·如申請專利範圍第丨6項所述之半導體元件之製 造方法，其中該處理流體為一氣體或一液體。 18·如申請專利範圍第16項所述之半導體元件之製 造方法’更至少包括一外隔離罩，其中該至少一流體注射 器設於該外隔離罩中。 19·如申請專利範圍第18項所述之半導體元件之製 造方法，更至少包括一固定隔離凸緣設於該外隔離罩中， 且與該至少一流體注射器密封接合。 20·如申請專利範圍第18項所述之半導體元件之製 造方法，更至少包括一流體流動空間介於該内隔離板與該 外隔離罩之間。

21·如申請專利範圍第16項所述之半導體元件之製 造方法，更至少包括： 流體注射 以選擇性 一可旋轉軸承板，可操作地接合在該至少 器，以轉動該至少一流體注射器；以及 一旋轉驅動馬達，接合在該可旋轉轴承板 地旋轉該可旋轉軸承板。 2 2 ·如中請專利範圍黛、 項所述之半導體元件之製 le方法，更至少包括一浮動隔 k離板’磁性鄰近於該至少一 22 1273633 流體注射器，且介於該至少一流體供應導管與該至少一流 體導管之間。 ·) 23