CN100435978C - 半导体处理的流体注射设备及半导体元件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是有关于一种以控制方式朝一表面排放流体的流体注射设备。此流体注射设备包括：至少一流体供应导管；可旋转且可垂直移动的至少一流体注射器，设置成与至少一流体供应导管流通；以及至少一流体导管，设置在至少一流体注射器中。通过流体注射器的选择性垂直移动，可选择性地将流体注射器中的每一流体导管与流体供应导管间的流通加以封锁或加以提供，以朝上述表面供应具所需流动型态的处理流体。通过流体注射器的选择性转动，可使流体以旋转或螺旋运动方式接触上述表面。本发明的新颖流体注射设备的应用，可控制处理流体以所需的流动图案来散布，而有助于晶圆表面上的薄膜的均匀蚀刻及/或沉积，藉以增加薄膜的均匀度。
Description
技术领域
本发明涉及一种应用在半导体制造的设备，且特别是涉及一种流体注射设备，有利于处理流体以各种流动与分布图案朝晶圆表面流动。
背景技术
在半导体集成电路的制作中，利用金属导线来互相连接半导体晶圆上的元件电路中的许多构件。一般用于沉积金属导线图案在半导体晶圆上的制程包括：沉积导电层在硅晶圆基材上；利用标准微影技术形成具有所需金属导线图案的光阻或其他罩幕，例如氧化钛或氧化硅；对晶圆基材进行干蚀刻制程，以从未受到覆盖的区域移除导电层，而留下具有受到遮罩的导线图案形状的金属层；以及通常利用反应性等离子与氯气来移除罩幕层，以暴露出金属导线的上表面。一般，在晶圆基材上依序沉积许多交错的导电与绝缘材料层，且在晶圆上不同层的导电层可通过在绝缘层中蚀刻出介层窗口或开口，，并填入铝、钨或其他金属以在导电层之间建立电性连接的方式，达到互相电性连接。
通常，在蚀刻机或其他半导体处理机台中，例如用以在晶圆上沉积薄膜者，气体以化学物或流体型式朝晶圆表面注射或流动，以达到蚀刻或沉积目的。流体在晶圆表面上的流动方向与分布会影响蚀刻速率或沉积率，以及关键尺寸(CD)的均匀度或薄膜厚度的均匀度。传统的处理机台利用固定式流体注射器或板，而固定式流体注射器或板以固定方向或分布图案的方式对着晶圆提供流体流。因此，在许多情况下，有调整流体在晶圆表面上的流动与分布的需求，以达到蚀刻或沉积的均匀度的目的，而上述的机台并不适宜。因此，需要一种新颖且改进的注射设备，以利处理流体根据特定处理需求，而以各种流动与分布图案的方式朝晶圆表面流动。
由此可见，上述现有的半导体处理的流体注射设备在产品结构、制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决半导体处理的流体注射设备存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的半导体处理的流体注射设备，便成了当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的半导体处理的流体注射设备存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合合理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的半导体处理的流体注射设备，能够改进一般现有的半导体处理的流体注射设备，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于，克服现有的半导体处理的流体注射设备存在的缺陷，而提供一种新型结构的半导体处理的流体注射设备，所要解决的技术问题是使其提供一种流体注射设备，可以控制在晶圆表面上的流体的位置与方向流动特性，根据特定处理需求，使处理流体以各种流动与分布图案的方式朝晶圆表面流动，从而更加适于实用。
本发明的另一目的在于，克服现有的半导体处理的流体注射设备存在的缺陷，而提供一种新的半导体的处理方法，所要解决的技术问题是使其提供一种半导体元件的制造方法，通过新颖流体注射设备的应用，可控制处理流体以所需的流动图案来散布，而有助于晶圆表面上的薄膜的均匀蚀刻及/或沉积，藉以增加薄膜的均匀度，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种流体注射设备，用以朝一表面排出一流体，该流体注射设备至少包括：至少一流体供应导管；一外隔离罩；可旋转且可垂直移动的至少一流体注射器，设置成与该至少一流体供应导管流通，其中该至少一流体注射器设于该外隔离罩中；以及至少二流体导管，延伸穿过该至少一流体注射器，且其中该至少一流体注射器在该外隔离罩中的垂直移动可选择性地将该至少二流体导管与该流体供应导管之间予以封锁。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的半导体处理的流体注射设备，更至少包括至少一磁性耦合元件，磁力邻近于该至少一流体注射器，以选择性地旋转及垂直移动该至少一流体注射器。
前述的半导体处理的流体注射设备，更至少包括一固定隔离凸缘设置在该外隔离罩中，且与该至少一流体注射器密封接合。
前述的半导体处理的流体注射设备，更至少包括一内隔离板环绕该至少一流体注射器。
前述的半导体处理的流体注射设备，更至少包括一流体流动空间介于该内隔离板与该外隔离罩之间。
前述的半导体处理的流体注射设备，更至少包括一浮动隔离板，磁力邻近于该至少一流体注射器，并介于该至少一流体供应导管与该至少二流体导管之间。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种半导体元件的制造方法，至少包括：提供一处理反应室，该处理反应室至少包括一流体注射设备，其中该流体注射设备具有：至少一流体供应导管；一外隔离罩；可旋转且可垂直移动的至少一流体注射器，设置成与该至少一流体供应导管流通，其中该至少一流体注射器设于该外隔离罩中；以及至少二流体导管，延伸穿过该至少一流体注射器，且其中该至少一流体注射器在该外隔离罩中的垂直移动可选择性地将该至少二流体导管与该流体供应导管之间予以封锁；提供一基材；以及形成一介电层于该基材上，其中形成该介电层之步骤是通过将一处理流体从该至少一流体供应导管并经由该至少二流体导管散布至该基材上。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的半导体元件的制造方法，其中所述的处理流体为一气体或一液体。
前述的半导体元件的制造方法，该流体注射设备更至少包括一内隔离板环绕该至少一流体注射器。
前述的半导体元件的制造方法，更至少包括一固定隔离凸缘设置在该外隔离罩中，且与该至少一流体注射器密封接合。
前述的半导体元件的制造方法，更至少包括一流体流动空间介于该内隔离板与该外隔离罩之间。
前述的半导体元件的制造方法，更至少包括：一可旋转轴承板，可操作地接合在该至少一流体注射器，以转动该至少一流体注射器；以及一旋转驱动马达，接合在该可旋转轴承板，以选择性地旋转该可旋转轴承板。
前述的半导体元件的制造方法，更至少包括一浮动隔离板，磁力邻近于该至少一流体注射器，并介于该至少一流体供应导管与该至少二流体导管之间。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本发明的主要技术内容如下：
为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体处理的流体注射设备，藉以利用位置控制及方向控制的方式，对一表面排放流体。此流体注射设备包括：至少一流体供应导管；可旋转且可垂直移动的至少一流体注射器，其中此流体注射器设置成使其可与流体供应导管流通；以及至少一流体导管设置在流体注射器中。通过流体注射器的选择性垂直移动，可选择性地将流体注射器中的每一流体导管与流体供应导管间的流通加以封锁或加以提供，以朝上述表面供应具所需流动型态的处理流体。通过流体注射器的选择性转动，可使流体以旋转或螺旋运动方式接触上述表面。
另外，为了达到上述目的，更提出一种半导体元件的制造方法，至少包括下列步骤。提供一处理反应室，此处理反应室至少包括一流体注射设备，其中此流体注射设备具有：至少一流体供应导管；可旋转且可垂直移动的至少一流体注射器，设置成与至少一流体供应导管流通；以及至少一流体导管，设置在至少一流体注射器中。并提供一基材。接着，形成一介电层在基材上，其中形成此介电层的步骤是通过将一处理流体从至少一流体供应导管并经由至少一流体导管散布至此基材上。
经由上述可知，本发明提供了一种以控制方式朝一表面排放流体的流体注射设备。此流体注射设备包括：至少一流体供应导管；可旋转且可垂直移动的至少一流体注射器，设置成与至少一流体供应导管流通；以及至少一流体导管，设置在至少一流体注射器中。通过流体注射器的选择性垂直移动，可选择性地将流体注射器中的每一流体导管与流体供应导管间的流通加以封锁或加以提供，以朝上述表面供应具所需流动型态的处理流体。通过流体注射器的选择性转动，可使流体以旋转或螺旋运动方式接触上述表面。
借由上述技术方案，本发明半导体处理的流体注射设备至少具有下列优点：
本发明的流体注射设备，可以控制在晶圆表面上的流体的位置与方向流动特性，根据特定处理需求，使处理流体以各种流动与分布图案的方式朝晶圆表面流动。通过新颖流体注射设备的应用，可控制处理流体以所需的流动图案来散布，而有助于晶圆表面上的薄膜的均匀蚀刻及/或沉积，藉以增加薄膜的均匀度，从而更加适于实用。
综上所述，本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构、制造方法或功能上皆有较大改进，在技术上有较大进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的半导体处理的流体注射设备具有增进的多项功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是绘示本发明的一种机械驱动的流体注射设备的实施例的示意图，图示出通过流体注射器的转动与垂直位置的调整来控制来自此设备的流体的流动。
图2是绘示本发明的一种电性驱动的流体注射设备的实施例的示意图。
图3是绘示本发明的一种机械驱动的流体注射设备的实施例的示意图，图示出流体注射器的转动，当流体从流体注射器排出时有助于流体的旋转。
图4是绘示流体注射设备的示意图，其中流体注射器处于“高”位，以利广范围的流体流动分布。
图5是绘示流体注射设备的示意图，其中将流体注射器定位成阻止流体流经流体注射器的中央流体导管，而有利于来自于设备的流体流向外围。
图6是绘示流体注射设备的示意图，其中流体注射器位于最上方位置，以阻止流体流经流体注射器的中央流体导管与外流体导管，而有利于来自于设备的流体仅流向外围。
图7是绘示流体注射设备的示意图，其中将流体注射器定位成提供来自于设备的流体范围狭窄的外围流动。
图8是绘示流体注射设备的示意图，其中将流体注射器定位成阻止来自于设备的流体流向外围，并将流体限制为仅能流向流体注射器的中央流体导管与外流体导管。
图9是绘示流体注射设备的示意图，其中流体注射器位于最低位置，以阻止来自于设备的流体流向外围和流经外流体导管，并将流体限制为流入流体注射器的中央流体导管。
10：设备 10a：设备
11：流体供应导管 11a：流体流动空间
12：流体注射器 13：磁性耦合元件
13a：磁性耦合元件 14：内磁铁
15：外磁铁 16：内磁铁
17：外磁铁 18：中央流体导管
20：盆腔 22：外流体导管
22a：上方入口 22b：下方入口
24：浮动隔离板 26：浮动磁铁
28：固定磁铁 30：流体
30a：第一部分 30b：第二部分
30c：第三部分 32：外隔离罩
33：流体隔板 34：隔离凸缘
36：移动板 38：导螺杆
38a：轴承 39：垂直驱动马达
40：导杆 42：传动板
44：固定板 46：驱动传动装置
48：旋转驱动马达 50：驱动轴
52：支撑传动装置 54：传动轴
56：内隔离板 58：外围流体导管
62：下电性线圈 64：中电性线圈
66：上电性线圈
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的半导体处理的流体注射设备其具体实施方式、结构、加工方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
首先，请参阅图1所示，其绘示本发明的一种机械驱动的流体注射设备的图示实施例，以下此流体注射设备通常以图号10来标示。设备10适用于在基材(未绘示)上的集成电路的制作期间，以方向控制及位置控制方式，对基材的表面施放流体30，例如应用于半导体处理的处理液体或气体。设备10可例如设置在蚀刻反应室(未绘示)中，用以对晶圆排放蚀刻流体30，或者设置在化学气相沉积(CVD)反应室(未绘示)中，用以对晶圆排放例如沉积气体的流体30。可了解的一点是，可将设备10运用在其他工业应用上，其中此设备10是用于以方向控制与位置控制的方式对基材施放流体。
如图1所示，设备10包括流体注射器12，其中此流体注射器12的设置是用来通过操作磁性耦合元件13而在外隔离罩32内选择性垂直移动。流体注射器12的底端一般呈朝外喇叭状。隔离凸缘34从外隔离罩32朝内延伸，并密封接合在流体注射器12的外侧面上。外隔离罩32包括流体隔板33，其中此流体隔板33从外隔离罩32的主体的底端向外延伸。将流体供应导管11设置在流体隔板33下方的流体流动空间11a中，以对设备10供应处理流体30。
流体注射器12通常为圆筒状，且包括内磁铁14与16，其中内磁铁14与16具有相反的极性，且设置在流体注射器12的相对、或直径地相反侧或边上。T字型中央流体导管18延伸通过流体注射器12，且位于内磁铁14与16的下方。中央流体导管18包括水平通过流体注射器12的水平部分以及从水平部分向下延伸的垂直部分，其中垂直部分在流体注射器12的喇叭状底端打开。
环状盆腔20则设置在流体注射器12的外侧面，且环绕中央流体导管18的垂直部分。环状固定磁铁28设置在流体注射器12中，且邻近并位于盆腔20内。浮动隔离板24通常具有环型架构，且浮动隔离板24设置成可在盆腔20中垂直移动。环状浮动磁铁26具有相反于固定磁铁28的磁性，且设置在浮动隔离板24中。外流体导管22自盆腔20延伸通过流体注射器12，且在流体注射器12的喇叭状底端打开。外流体导管22的排放部通常设置成与中央流体导管18之间具有一角度，且一般可与流体注射器12底端的朝外喇叭状外形平行。外流体导管22具有上方入口22a与下方入口22b，外流体导管22具有上方入口22a与下方入口22b，其中上方入口22a及下方入口22b与盆腔20相通，且分别设置在固定磁铁28的上端及下端。
由于固定磁铁28与浮动磁铁26之间的磁性吸引，浮动隔离板24通常定位在盆腔20的实质垂直中心，且介于外流体导管22的上方入口22a及下方入口22b之间并约与上方入口22a及下方入口22b等距。然而，对应于流体注射器12相对于外隔离罩32的上升与下降，可使得浮动隔离板24阻塞上方入口22a或下方入口22b，而防止流体30自外流体导管22排出，如以下所述。
环状内隔离板56环绕流体注射器12。流体注射器12延伸通过外围流体导管58，其中外围流体导管58延伸通过内隔离板56的中央。外围流体导管58的内侧边通常以一角度朝外，而大致对应于流体注射器1 2的底端的朝外喇叭状外型。
磁性耦合元件13包括环状固定板44，其中固定板44设置在流体隔板33上方。固定板44环绕外隔离罩32。将驱动轴50固定成轴颈，以使驱动轴50在固定板44中旋转，旋转驱动马达48驱动地接合驱动轴50。驱动传动装置46设置在驱动轴50上。环状传动板42可旋转地架设在固定板44上方，并与驱动传动装置46相互啮合。导杆40从传动板42的一端向下延伸，且移动板36自导杆40水平延伸且位于传动板42下方。外磁铁17设置在移动板36上，其中外磁铁17位于流体注射器12上的内磁铁14的磁力邻近处且磁性相反于内磁铁14。导螺杆38向下延伸通过传动板42相对的另一端，且设在移动板36上的轴承38a中。垂直驱动马达39驱动地接合导螺杆38的上端。外磁铁15设置在移动板36上，其中外磁铁15位于内磁铁16的磁力邻近处且磁性相反于内磁铁16。将传动轴54固定成轴颈，以使传动轴54在固定板44上旋转，其中传动轴54通常与驱动传动装置46之间呈直径相对关系。支撑传动装置52设置在传动轴54上，且与传动板42相互啮合。
如图1所示，通过操作垂直驱动马达39来选择性地进行外隔离罩32中的流体注射器12的垂直位置调整。于是，垂直驱动马达39旋转导螺杆38，而使移动板36在导螺杆38上向上或向下行进，移动板36的行进方向取决于导螺杆38的旋转方向。这样将根据外磁铁15和17分别与内磁铁14和16之间的磁性吸引，转而升高或降低流体注射器12。通过操作旋转驱动马达48，来选择性地进行流体注射器12在外隔离罩32中的顺时针或逆时针旋转。于是，旋转驱动马达48通过驱动轴50来旋转驱动传动装置46。驱动传动装置46转而旋转传动板42，而使位于移动板36上的外磁铁15和17旋转，而随着外磁铁15和17与流体注射器12中各自的内磁铁16和14的磁性吸引，会使流体注射器12以相同于旋转传动板42的方向旋转。
接下来请参阅图2所示，其绘示本发明的流体注射设备的一种替代的电性致动实施例，此流体注射设备概括以图号10a来加以标示。设备10a包括磁性耦合元件13a，其中设备10a是以磁性诱发效应来取代先前对应于图1的设备10所述的垂直驱动马达39与旋转驱动马达48，以利流体注射器12的垂直与旋转运动。设备10a利用多组下电性线圈62、中电性线圈64以及上电性线圈66，其中这些下电性线圈62、中电性线圈64与上电性线圈66环绕外隔离罩32设置。因此，通过选择性分布流经下电性线圈62、中电性线圈64及/或上电性线圈66的电流，可通过内磁铁14和16与供有能量的电性线圈之间的磁性吸引，而选择性地在外隔离罩32中升高或降低流体注射器12。在类似方式中，通过根据时间来改变流经以环性图案围绕外隔离罩32的电性线圈的电流分布的方式，可选择性地在外隔离罩32中旋转流体注射器12。虽然以下将以设备10来描述本发明的操作，然可以类似方式来操作设备10a而达到本发明的目的。
接着，请参阅图1与图3至图9所示，设备10适用以作为半导体制造的流体分布平台(Fluid Distribution Plat；FDP)。流体注射设备10通常设置在处理反应室(未绘示)中，其中此处理反应室是应用在半导体晶圆(未绘示)上的半导体元件的制作中。因此，外隔离罩32与流体隔板33密封式地隔离外隔离罩32下方的反应室的真空或低压区与外隔离罩32上方的大气压区。举例而言，在集成电路的制作中，可运作设备10，而从流体供应导管11来将处理流体30，例如蚀刻气体或液体或者形成薄膜的气体或液体，以选择的流体图案散布至半导体晶圆(未绘示)的表面上。可在外隔离罩32中升高、降低及/或旋转流体注射器12，以利流体30选择性地流经中央流体导管18、外流体导管22及/或外围流体导管58，藉以控制在晶圆表面上的流体30的位置与方向流动特性。如此将转而有助于晶圆表面上的薄膜的均匀蚀刻及/或沉积。在此为了提供更清楚的讨论，而将流体30描述为流经且从中央流体导管18排出的第一部分30a、流经且从外流体导管22排出的第二部分30b、以及流经且从外围流体导管58排出的第三部分30c。
在本发明的一种可能应用中，设备10设置在化学气相沉积(CVD)反应室中，其中此化学气相沉积反应室是用来沉积介电层(未绘示)在晶圆(未绘示)上。因此，通过设备10，经由其中央流体导管18、外流体导管22及/或外围流体导管58，而以控制的流动图案来散布处理流体30，藉以增加介电层的均匀度，其中流体30为含有形成介电层的沉积成分的气体。
请参阅图1所示，是绘示设备10的一种操作，以利将最大流量的流体30散布至晶圆上。因此，流体30的第一部分30a先流经中央流体导管18，接着以正实质垂直于晶圆表面的路径，从流体注射器12的底端排出。同时，流体30的第二部分30b流入盆腔20；再流经外流体导管22的上方入口22a与下方入口22b；并且在流体注射器12的底部，以与流体30的第一部分30a的流动路径间具有一角度的方式而从外流体导管22排出。因此，流体30的第二部分30b向外流出并斜向触及晶圆表面。流体30的第三部分30c向下且向外流经外围流体导管58，并以向外倾斜的环形流动路径碰触晶圆。
请参阅图3所示，是绘示设备10的一种操作，其中当流体30的第一部分30a经由且从中央流体导管18散布排出，且流体30的第二部分30b经由且从外流体导管22散布排出时，通过操作旋转驱动马达48，来旋转流体注射器12。因此，第一部分30a笔直地触及晶圆表面，而第二部分30b却以旋转或螺旋运动的方式，由外流体导管22喷出并触及晶圆表面。第三部分30c通常经由外围流体导管58而从设备10向外侧喷出，并以向外倾斜的环形流动路径触及晶圆表面。
请参阅图4所示，是绘示设备10的一种操作，其中流体注射器12位于外隔离罩32的较上部，且浮动隔离板24与内隔离板56相隔相当大的一段间隔。如此有利于流体30的第二部分30b以相对大量的流量流经外围流体导管58，并以宽广且向外倾斜的环形流动路径触及晶圆表面。同时，中央流体导管18受到外隔离罩32的部分阻挡，因而部分地限制第一部分30a流经且从中央流体导管18排出的流量。第二部分30b从外流体导管22向外侧喷出，并斜向触及晶圆表面。如此一来，导致流体广泛散布而流动在整个晶圆表面上。
请参阅图5所示，是绘示设备10的一种操作，其中相较于其在图4的位置，流体注射器12在外隔离罩32中处于较高位置，藉以使浮动隔离板24接合在流体隔板33的下表面，且中央流体导管18的水平部分完全位于外隔离罩32内。因此，流体30的第一部分30a不能进入且不能从中央流体导管18排出。虽然浮动隔离板24与流体隔板33的接合而使外流体导管22的上方入口22a受到阻塞，然而流体30的第二部分30b仍可分别经由盆腔20与下方入口22b而流入且从外流体导管22排出。此外，由于浮动隔离板24与内隔离板56之间的间隔具有最大宽度，相对大量的流体30的第三部分30c流经外围流体导管58，并以环形流动路径对着晶圆表面朝外侧喷出。
请参阅图6所示，是绘示设备10的一种操作，其中流体注射器12位于外隔离罩32内的最上方的位置。由于中央流体导管18的水平部分完全位于外隔离罩32内，因此流体30的第一部分30a不能从中央流体导管18排出。此外，已经将浮动隔离板24向下推动至盆腔20的底部，而与固定磁铁28与浮动磁铁26之间的磁性吸引所产生的向上趋势相抗衡，因此下方入口22b受到阻塞，而防止流体30的第二部分30b的流动以及从外流体导管22排出流体30的第二部分30b。然而，由于此时浮动隔离板24与内隔离板56之间的间隔具有最大宽度，因此最大量的流体30的第三部分30c流经外围流体导管58，并以环形流动路径对着晶圆表面朝外侧喷出。
请参阅图7所示，是绘示设备10的一种操作，其中浮动隔离板24朝内隔离板56靠近而使外围流体导管58的宽度受到限制。因此，相对少量的流体30的第三部分30c能流经外围流体导管58，而以环形流动路径对着晶圆表面朝外侧流出。流体30的第一部分30a流经且从中央流体导管18直接朝晶圆表面喷出。流体30的第二部分30b经由且从外流体导管22朝晶圆表面而向外侧喷出。
请参阅图8所示，是绘示设备10的一种操作，其中浮动隔离板24与内隔离板56接合而关闭外围流体导管58。因此流体30的第三部分30c不能流经外围流体导管58以朝晶圆表面向外侧排出。流体30的第一部分30a流经且从中央流体导管18排出，且流体30的第二部分30b分别从盆腔20与上方入口22流进外流体导管22，并从流体注射器12的底部朝晶圆而向外侧排出。
请参阅图9所示，是绘示设备10的一种操作，其中流体注射器12处于外隔离罩32中的最低位置。如此一来，浮动隔离板24与内隔离板56及盆腔20的上表面均接合。因此，浮动隔离板24封住外流体导管22的上方入口22a与下方入口22b，藉以防止流体30的第二部分30b流经外流体导管22。浮动隔离板24亦封住内隔离板56的外围流体导管58，因而防止流体30的第三部分30c从设备10流向晶圆。因此，将全部的流体30限制为流经中央流体导管18且直接朝晶圆表面排出。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (13)
1、一种流体注射设备，用以朝一表面排出一流体，其特征在于该流体注射设备至少包括：
至少一流体供应导管；
一外隔离罩；
可旋转且可垂直移动的至少一流体注射器，设置成与该至少一流体供应导管流通，其中该至少一流体注射器设于该外隔离罩中；以及
至少二流体导管，延伸穿过该至少一流体注射器，且其中该至少一流体注射器在该外隔离罩中的垂直移动可选择性地将该至少二流体导管与该流体供应导管之间予以封锁。
2、根据权利要求1所述的流体注射设备，其特征在于其更进一步至少包括至少一磁性耦合元件，磁力邻近于该至少一流体注射器，以选择性地旋转及垂直移动该至少一流体注射器。
3、根据权利要求1所述的流体注射设备，其特征在于其更进一步至少包括一固定隔离凸缘设置在该外隔离罩中，且与该至少一流体注射器密封接合。
4、根据权利要求1所述的流体注射设备，其特征在于其更进一步至少包括一内隔离板环绕该至少一流体注射器。
5、根据权利要求4所述的流体注射设备，其特征在于其更进一步至少包括一流体流动空间介于该内隔离板与该外隔离罩之间。
6、根据权利要求1所述的流体注射设备，其特征在于其更进一步至少包括一浮动隔离板，磁力邻近于该至少一流体注射器，并介于该至少一流体供应导管与该至少二流体导管之间。
7、一种半导体元件的制造方法，其特征在于其至少包含：
提供一处理反应室，该处理反应室至少包括一流体注射设备，其中该流体注射设备具有：
至少一流体供应导管；
一外隔离罩；
可旋转且可垂直移动的至少一流体注射器，设置成与该至少一流体供应导管流通，其中该至少一流体注射器设于该外隔离罩中；以及
至少二流体导管，延伸穿过该至少一流体注射器，且其中该至少一流体注射器在该外隔离罩中的垂直移动可选择性地将该至少二流体导管与该流体供应导管之间予以封锁；
提供一基材；以及
形成一介电层于该基材上，其中形成该介电层之步骤是通过将一处理流体从该至少一流体供应导管并经由该至少二流体导管散布至该基材上。
8、根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述的处理流体为一气体或一液体。
9、根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其特征在于该流体注射设备更至少包括一内隔离板环绕该至少一流体注射器。
10、根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其更进一步至少包括一固定隔离凸缘设置在该外隔离罩中，且与该至少一流体注射器密封接合。
11、根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其更进一步至少包括一流体流动空间介于该内隔离板与该外隔离罩之间。
12、根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其更进一步至少包括：
一可旋转轴承板，可操作地接合在该至少一流体注射器，以转动该至少一流体注射器；以及
一旋转驱动马达，接合在该可旋转轴承板，以选择性地旋转该可旋转轴承板。
13、根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其更进一步至少包括一浮动隔离板，磁力邻近于该至少一流体注射器，并介于该至少一流体供应导管与该至少二流体导管之间。
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