TWI273256B - Apparatus and method for determining electrical properties of a semiconductor wafer - Google Patents

Description

1273256 九、發明說明： 【發明領域】 本發明係概括地關於一種測量半導體晶圓的電性質之穿置及 方法。 ^ 【相關技藝敘述】 半導體晶圓上電介體的電性質及/或在該半導體晶圓内载子密 度分佈之決定在這些關的製造上為重要时。為決定該晶圓二 電性質，各種技術可被使用’包括電容_電壓（cv)測=、带 流電壓（IV)測量技術、電導-電壓（GV)技術及/或電容=、电 測量技術或使用期限測量技術。 θ 在-些例證，在轉縣面的近邊界區_摻_濃度需被 分佈，典型而言’在無金屬氧化物轉體（M0S)層的情ς，各 施用於簫基障礙，此可由使用cv測量而達到，餘障夢^ 接屬於石夕或半導體材料表面而形成。然而，該蕭縛礙 V成方法為几長的且耗時的。而且’該蕭基障礙的CV測量具 ^德拜長度關（亦即’摻雜物濃度自表面可被分佈於五德拜長 度），或是，-種氧化物可在半導體材料表面上生長，且一種暫 =或永久金屬接觸點可被製造於氧化物表面以形成—種M0S接 聰接合產生優異驗能，射自魏嫌金屬界面的 私雜浪度被測量在-個德拜長朗。然而，在某些情況，使用 者不成長氧化物且因此該蕭基方法必須被使用。 :别測罝技術的另-個問題由目標區域或晶圓的測試位置及/ ί與=繞區域的探針_電子通訊或干_發展，自圍繞區域 的处載子生狀減少為必需的。現今，此通訊或干擾係藉由沉 .1273256 的防護環2在氧化物或圍繞已沉積測試點或目標區域1 、，1電體表面而被最小化（參看_)。然而 環之使關·增加處_間。 的防4 差 為對映5亥半導體材料表面，在cv及使用期限測量期間，探針 及晶圓間職向鶴是必f的，此橫向機減少對映速度。甚至 更進一步如上所述，該測量易產生由少數載子的干擾所ί起的誤 所Υ ’本發明目的為齡提供—侧量具改良探針構造的半 ¥-晶_電性質之裝絲避免或克服上述問題及其他問題，此 化由該目標卿卜輯細標區域_ 、W 夂或电子通訊。本發明另—目的為提供—種測1 T對映及驢處辦成本。本發他目的可在閱讀及 解下列敘述後為熟知本技藝者明顯看出。 【發明内容】 因此’我們已發明-種裝置關量半導體晶_至少 t質’該裝置包括-種探針，其包括—軸，在軸末稍端有傳導探 如该傳導探針與該半導體晶圓的目標區域電通訊。該震 一第-施用裝置’用以在該傳導探針及該目標區域間施用 第二施，裝置用以測量該半導體晶圓對該電刺激的回 Μ自该回應決定該半導體晶g|的目標區域之至少—個電性併 ^置亦包括-種探針護罩，其至少圍繞與探針末稍端相鄰^ 針轴且其避免在探針及該轉體晶_目標區域以外的 龟通訊或絕緣該傳導尖端及該半導體晶圓。 、 在-個具體實施财，罙針護罩完全圍繞該探針的傳 端及至少軸的-部份’而且，該探針護罩係由絕緣體材料形成。次 6 、I273256 末猶個具體實施例巾，該探針護罩包括—種醜與該探針 亦且__探針軸之絕緣體。在此频實施射，該探針護罩 吉、*垂種圍、％ n緣體的導體。亦可擬想—種交流電偏壓、-種 1偏壓及-種電接地或—些其組合被施用於該導體。

步具體實施例中，該探針鮮包括—種圍繞在該導 姑袓弟―心緒。在此具體實施财，該傳導探針尖端可由傳導 r形成，例如氧化銦錫，其為可透光的，且該探針可包括一種 =1，如發光二極體（LED)，其經由探針尖端的透光材料部份 。著該半導體晶11的目標區域射出光。此探針亦可包括圍繞該 的不透光部份以預防經由該探針的透光部份财卜之部份的光 發射出。械具體實補巾，訊號可經_LED~或該透光材料 傳導揼針尖端而與該目標區域通訊。然而，無論引人技術為何， 所得到測量係來自該探針尖端的回應。 當與相關圖式一起閱讀時，本發明的結構及其操作方法及其 額外目的及優點可由特定具體實施例的下列敘述明顯了解。 【較佳具體實施例詳細說明】 參考第2圖，一種測量半導體晶圓12的電性質之裝置包括具 末稍端18的軸16之探針14，末稍端18定義傳導尖端2〇，其使得^ 子通訊在探針14及在及/或與半導體晶圓12的前側表面24相鄰= 目標區域22之間建立。目標區域22為使用者希望分佈或測量其電 性質之該半導體晶圓12的區域。 ’、 一種施用電刺激的裝置26被連接於傳導尖端2〇及半導體晶 圓12的目標區域22之間。施用裝置26包括本技藝中已知事置以施 用如高頻率AC電壓、高頻率AC電壓合併DC偏壓、或〇(：應力電 壓或電流於探針14的傳導尖端20及第二電接觸點（典型而言，吸 7 .1273256 盤28，半導體晶圓12裝置於其上）之間。一種裝置3〇以測量半導 體晶圓12，特別是目標區域22，對該電通訊的回應及自該回應決 疋遠半導體晶圓12的目標區域22之至少一個電性質，裝置3〇係連 接在傳導尖端20及半導體晶圓12的目標區域22之間。一種探針護 罩32圍繞探針14，至少與其末稍端is相鄰。 操作時，施用裝置26經由探針14施用電容-電壓形式 電刺激、電流-電壓（iv)形式電刺激、電導_電壓（Gv)形式電 刺激及/或電容-時間（ct)或使用期限形式電刺激於目標區域。 在刺激已被施用於目標區域22後的合適時間，測量裝置3〇測量目 標區域22對相對應電刺激的CV、IV、GV&a回應的個別一個回 應。 探針14的第-具體實施例示於第3圖。在此具體實施例中， 探針護罩32包括-種騰體38，制繞傳導尖卿及與傳導尖端 20相鄰的軸16的至少-部份。使㈣，探針14藉由本技藝已知方 法壓向半導體晶圓12的表面24 ’此方法如（但不受關）美國專 利第5,023,561號所揭示的運動探針臂組件，其被併人本文做為來 考。更特定言之，輯體％麵喊軸半導體 材料34直難觸’而後裝務誠料尖麟關一訊號至 體材料34的目;^區域22。接著，探針14接收及傳送半導體材 料34的回應’特別是目標區域22，至測量裝置％。在第2圖中， 吸盤28被用於完成裝置26及測量裝置3峨路。然而，此不 欲建構為關本發關本技齡已知的完成魏之其 可被使用。 在此J貝化例中’楝針護罩％的使用使娜⑽測量技術可 被執行科需在半導體材料％上直接沉誠生長氧化物層或電 1273256 介體層。特定言之，因絕緣體38為一種麟體或電介體，其被容 納於傳導尖端2〇的末稍賴，涵蓋探針14的耗賴的絕緣體％ 能夠接觸露出的半導體材料34以形成MqS接合面以測量在 區域22的半導體材料34之性質。此M〇s接合面由傳導尖端2〇(: 屬）、取代或除在表面24 (氧化物）上的本質氧化物層或薄電介 體層（未示出）的絕緣體38、及半導體材料34 (半導體）所組成。 較佳為，傳導尖端20係由可彈性變形材料形成，如可彈性變形金 屬傳性彈性體、或傳導性聚合物等。然而，此不欲建構為限 制本發明。 、在此探針14的第一個具體實施例中，探針護罩％免除在利用 一或更細彡式的MOS糧技術分佈半導體晶B 12前，_ 一絕緣 層（如氧化物層）於半導體材料34之需求。此外，探針護罩力的 使，擴展此技術的空間分析。為達此㈣，先前技藝測量技術使 測畺在五個德拜長度限制内進行，然而，此探針14的第一具體實 施例使得測量在一個德拜長度限制内。 在複數個h況，半導體晶圓12的表面24包括一電介體層％。 測里在其鈾侧表面24上具電介體層36的半導體晶圓12的電性質 之探針14的第二具體實施例被示於第4圖。在此具體實施例中，、 探針護罩32包括-種絕緣體38，其圍繞與探針14的末綱18相鄰 的軸16，直接相鄰及圍繞絕緣體38的為導體似。在此第二具體實 加例中’傳‘^^20為露出的，包括絕緣體38及導體42的探針護 罩32減少在目標區域22的cv、GV及/或〇測量期間，在半導體材 料34的少量載子之影響。 在捸針14的第二具體實施例之使用，探針14的傳導尖端2〇藉 由本技藝已知裝置壓向或移至與電介體層36的表面24之空間關 1273256 係。接著，當執行cv測量時，施用裝置26將適當的Ac及/或DC 偏壓施用於料尖端20、導體42及吸盤28，其包括，若必須時， 施用於個參考接地，在型式電刺激的施用期間，其使得多 數及而後少數載子在目標區域22累積，且使得多數載子累積在圍 繞目標區域22的累積區域44。cv型式電刺激的施用細，對 形式石夕，負DC偏壓被施用於導體42，然而，對形式石夕，正^ 偏f被施用。沿目標區域22的累積區域44之形成避免反轉層45的 無思形反轉層45由少數载子立即沿目標區域22形成。根據探 針14的第二具體實施例無探針護罩32，圍繞的反轉層藉由增加該 有效測量面積而增加所測得的電容。 、田以探針14的第一具體實施例執行〇測量時，目的為測量少 數載子在该目標區域22的產生速度。若累積區域44含一反轉層， 在該反轉層的少數載子會飄移至目標區域22並增加在目標區域 22發生的少數載子產生速度，此作用造成顯著少的世代壽命，其 被疋義為產生> 數載子的平均時間。然:而，當使用第顿所示的 楝針14的弟一個具體貫施例時，累積區域44至少部份”阻擋”少數 載子進入半導體晶圓12的目標區域22。 當以探針14的第二具體實施例執rGV測量時，目的為由GV 測量決定在半導體機34上的電介歸36的介面態、階密度。使用 板針14的第二具體實施例時，至少部份”阻擋，，少數載子進入目標 區域22，因此GV測量彳以不具這些少數載子的介面之方式被進 行。 棟針14的第三具體實施例示於第5及6圖，在此具體實施例 中，探針14的傳導尖端20之末稍端18為露出的，且探針護罩％包 括絕緣體38，其直接相鄰及圍繞傳導尖端2〇且導體似直接相鄰及 k 1273256 圍繞絕緣體38。此外，在此探針14的第三具體實施例中，探針護 罩32包括一種第二絕緣體48，其直接相鄰及圍繞導體42。在此具 體實施例中，施用裝置26可施用合適的AC及/或DC偏壓於傳導尖 端20、導體42及吸盤28，需要時可包括施用於參考接地偏壓。 在此探針14的第三具體實施例中，探針護罩32亦可包括一種 弟二導體58 (以虛線表不）’其直接相鄰及圍繞第二絕緣體48。 在此具體實施例中，施用裝置26可施用合適的AC及/或DC偏壓於 第二導體58及施用合適的AC及/或DC偏壓於傳導尖端20、導體42 及吸盤28，及若應用需要時，施用於傳導尖端20、導體42、吸盤 28及/或第二導體58的DC偏壓可為參考接地偏壓。 探針14的第三具體實施例亦可包括一種發光二極體（LED) 50且傳導尖端20可由基本上自LED 50所射出光56可透過的材料 形成。LED 50可射出光56,此光穿過傳導尖端20向著半導體晶圓 12的目標區域22前進。因此，施用裝置26亦可或交替地施用一電 子訊號至LED 50。為預防由LED 50所射出的光撞擊目標區域22 以外的面積或區域，探針14亦可包括圍繞LED 50的不透光部份 52。因傳導尖端2〇由基本上自LED 50所射出光56可透過的材料形 成，當LED 50射出光56,且光56被防止穿過探針14的不透光部份 52，光56穿過傳導尖端20向著目標區域22前進。亦可預見施用裝 置26可選擇性地施用一電子訊號至LED 5〇及/或傳導尖端2〇。 操作時，探針14的第三具體實施例之傳導尖端2〇直接接觸電 介體層36,或是探針14的第三具體實施例之傳導尖端2〇以與電介 體層36的前侧表面24之空間關係被放置，由此形成縫隙。在另一 替代方式中’絕緣層54 (以虛線表示）在傳導尖端2〇的末稍端18 上形成’及若需要時，在面對半導體晶圓12接觸電介體層36的探 11 1273256 針瘦罩32的全部或部份表面上形成。絕緣層$何為四氮化二石夕 (^4) 7此不欲建構為限制本發明。絕緣層54或在探針14 的第三具，實施例及電介體層％間的缝隙用做在半導體晶圓12 的電子測f或分佈綱減少在薄電介歸36㈣漏。無論當傳導 尖端20或探針Η的絕緣層M接觸電介體層％的外部層^或當傳 導尖端20以與電介體層36的前側表面24之空間關係被放置，施用 裝置26施用-或更乡合適的電子峨至探針護抑，特別是至導 體42及若而要日樣第二導體58，以使在探針14下方的 22為在通訊狀態。 如第5圖所示，探針14的多重第三具體實施例的傳導尖端如 可被同時施用於半導體晶圓U的電介體層％。多重探針^的使用 使知使用期限及CV·基底參數的高速對映可進行而不需單一探針 14越過半導體晶圓12的_表面24之橫向移自。在每—個探針^ 的第三個具體實施例的探針護罩32之使用不僅減少自每一個個 別目標區域22以外的區域之電通訊及干擾，亦減少每一個探針^ 彼此間的電通訊及干擾。當探針!4的多重第三具體實施例被提供 打，可預見施用裝置26可使用一種切換矩陣7〇以個別選擇每一個 探針14以進行在每一個探針14下方的目標區域22之測量。更特定 言之，施用裝置26可使用一種切換矩陣7〇以個別選擇每一個探針 14的傳導尖端20以進行在每一個探針14下方的目標區域之測 量。在此時，施用裝置26可使用切換矩陣7〇以施用一或更多合適 的偏壓於每一個探針14的探針護罩32，可單獨施用或同時施用。 每一個探針14可以兩個模式的其中一個操作，在第一個模 式，合適的電刺激可被施用於傳導尖端2〇及導體42與第二導體％ (若提供時）的其中一個或兩個，在已施用電刺激後的適當時 12 1273256 間，相對應目標區域22的回應由測量裝置30測量及記錄。例如， 第一電刺激被施用於半導體材料34及傳導尖端2〇間且第二電刺 激被施用解導體材料34及導體42間，第三電做柯被施用於 半導體材料34及第二導體58 (若提供時）間，該第一電刺激為電 容電壓（CV)形式電刺激或電容-時間（ct)形式電刺激的其中 一個，该第二電刺激為DC電壓或接地參考，該第三電刺激亦可 為DC電壓或接地參考。該cv形式或ct形式激的每—個包括 疊置AC訊號於DC訊號，其自第一起始值掠過至第二結束值，q 形式電刺激的DC訊號之掠過較cv形式電刺激的DC訊號之掠過 為更快速。對Ct形式電刺激，當該〇(：訊號起初到達該第二值時 半導體晶圓的第一電容值被測量，該DC訊號維持在該第二值且 該半導體晶_電容由其第―電容值變至第二穩定電容值的時 間被測I，自半導體晶圓的電容由第一電容值變至第二電容值的 時間’半導體材料34的世代壽命可被決定。 在第二個模式，合適的電刺激可被施用於LED 50、傳導尖端 20、$體42及第—導體58 (若提供時），在已施帛電刺激後的適 當時間，相對應目標區域22的回應由測量裝置30測量及記錄。例 如，施用裝置26可施用第一電刺激於半導體材料34及傳導尖端2〇 間、施用第二電刺激於半導體材料34及導體42間及施用第三電刺 激於LED 50 ’若探針1饱括第二導體58，第四制激亦被施用於 其上。該第一電刺激可為Ct形式電刺激，在此第二個模式，該α 形式電刺激包括疊置AC訊號於DC訊號，DC訊號具較半導體材料 34的電壓臨界（Vt)值為大的值，且同時選擇性地將LED5〇開啟 及關斷。當LED 50開啟時，半導體晶圓12的第一電容值被測量， 當LED 50關斷後，該半導體晶圓的電容變為第二穩定電容值的時 13 1273256 間被測f，半導體晶_的電容由第—電容值變至第二電容值的 時間被絲決定半導體材料μ的重組壽命。在兩個模式中，測量 裝置難收經由傳導尖卿來自相對應目標區域22的回應訊 號，追些回應訊號再由測量裝置3〇測量及或記錄。 大，而言，根據本發明的探針14使得半導體晶圓12的電子性 質之測^可明加的效率鱗確度進行。本發明陳針護罩^ 之使用提供在每-個探針14、目標區域22及目標區域22或其他探 針=以外_域_有效_及最小干擾。基本上，根據树明 的採針14以麟的及有⑽方式進行目標區域22賴立測量，且 減少不欲的電子通訊。此外，當制第5圖所示的乡探針系統， 使用期限及cv_基底參數的高速對映可被達到，且;^需單一探 14的橫向移動。 本叙明已參考較佳具體實施例敘述，明顯修改及替代方法可 在閱靖及了解先前詳細敘述後為熟知本技藝者_看出。本發明 建構為包括所有目前為止的修改及替代方法在所附_請專利範 圍或其相當的範圍内。 【圖式簡單說明】 、第1圖為沉積防護環於測試位置周圍的先前技藝方法的頂部 視圖。 第2圖為測量本發明半導體晶圓的電性質之裝置的方塊 圖。 第3圖為本發明第2圖的裝置的第一具體實施例的侧面區段 及方塊視圖。 第4圖為本發明第2圖的裝置的第二具體實施例的侧面區段 及方塊視圖。 14 1273256 第5圖為本發明第2圖的裝置的第三具體實施例的方塊視圖。 第6圖為本發明第5圖的裝置的探針/晶圓介面的侧面區段視圖。 【元件符號說明】 12 半導體晶圓 14探針 16 轴 18末稍端 20 傳導尖端 22目標區域 24 表面 26施用電刺激的裝置 28 吸盤 30測量電刺激的裝置 32 探針護罩 34半導體材料 36 電介體層 38絕緣體 42 導體 44累積區域 45 反轉層 48第二絕緣體 50 發光二極體（LED) 56光 54 絕緣層 58第二導體 70 切換矩陣 15

Claims (1)

1273256 十、申請專利範圍： 1·〆種決辭導體晶圓電性質的裝置，該裝置包括： 至少-種探針，每-個探針具有至少一部份由光可透 過之材料^/成的種電傳導尖端及一種與該電傳導央端 相鄰放置的探針護罩； 、 第施用衣置，當其以與該半導體材料的空間關係 被放置時，用以選擇性地細—種第—電舰於該半導體 晶圓的半導體材料及每—個探針職傳導尖端間；

=第二施用裝置，用以選擇性地施用—種第二電刺激 於該半導體材料及每-個探針的該探針護罩間；及 ”-測量裝置，用以測量該半導體材料對施用於每一個 探針的電刺激之回應及由該回應決定該半導體材料的至 少一個電性質。 2.根據申請專職圍幻項的裝置，其巾朗量裝置測量該 半導體材料及每-個探針的該電傳導尖端間的回應。" 3·根據申請專利範圍第1項的裝置，其中

每-個探針更包括-種被放置的光源以經由該 材料向著該半導體材料發射光；及 該施用裝置騎性地施用—種使辆、發射 電刺激於每一個探針的光源。 一 《根據申請專利範圍第3項的裝置，其中該施用裝置包括一 ，耦合至複數個探針的切換矩陣並被放置以（i)將該第— 電刺激一次一個地施用複數個探針的該電傳導尖端， f該第-電刺激施用至每-個探針的該電傳“端= 時’以該第二·激關於複數贿針的所有該探針^ 16 1273256 次一個地施用於每一 ϋ山㈤在該第一電刺激之施用至少一部份至其該電 傳導大鈿之同時，將該第三電刺激 ’、 個探針的該光源。 5. 根據W專利關第3項賊置，其 -種圍_絲料觀赌以獅 經祕透光材細向辭導體 ）姑射不 7· 6. 根f帽細賴置，= 峨裝置_ 該半導體㈣對其上的光撞擊_應。 範彻裝置，其中剌錄置測量該 丰V體材枓及母一個探針的該 8.根據申請專利範圍第丨項的裝置，其中·· 應。 自第激為—種疊置於Dc訊號上訊號，其 自弟一起始值掠過至第二結束值.及 9 第二電，為—種具固定值賦訊號。 .偉、f專利乾圍第1項的裝置，其中該探針包括-種覆 盍该傳導尖端的介電層。 匕符種復 10·ΐΓ請專利範圍第9項的裝置，其令該介電層由氮切 個探針㈣m 其中該電傳導尖端及 面的空間關木係放置與覆蓋該半導體材料的介電層 12.根據申請專利範圍 13係由可彈性變形材料形成的4置’其中母—個電傳導尖端 用於的，，其中該第-電刺激被施 時。 、 /、设蓋該半導體材料的介電層接觸 L根據申請專利範圍第9 一個探針的探針護罩以魅、，/、中該電傳導尖端及每 表面的空間關係放置 .1273256 .-種量半導體晶圓的電性f之方法，包括下列步驟： u)提供至少—種探針’每—個探針具至少—部份由光可 ^過之材料形成的-種電傳導尖端及—種與該電傳 導尖端相鄰放置的探針護罩； ⑻,動_料尖端騎—個探針的探針護罩為與形成 μ半導體晶圓的半導體材料之空間關係； )t擇性地制—_1鑛於該铸體材料及每一 個探針的該傳導尖端間； ⑷選擇性地_—種第二電刺激於該半導體材料及每一 個探針的該探針護罩間；及 (e) 該半導體晶圓對麵於每—個探針的電刺激之回 ι5.根據ΐίΓ,ί定該轉體材料的至少—個電性質。 -種^ίΓ祀圍弟14項的方法，其中該半導體晶圓包括 種復盍该半導體材料的介電層。 16·根據申請專利範圍第I5項的方法，其中： ▲該介電層係自⑴二氧化石夕或⑻在化石夕 咼士介電體；及 夕上的 別接個探針的電傳導尖端分 護林雜料導崎_該介電層 18·根據申料概圍卵項的方法，其中該 可彈性變形材料形成。 蛉大鸲係由 抄根據申請專利範圍第M項的方法，1中步 量該半導體材料及每一個探針的該傳導尖端間的=括测 1273256 2〇·根據申請專利範圍第14項的方法，其中： 每一個探針更包括一種被放置的光源以經由該透光 材料向著該半導體材料發射光；及 該方法更包括步驟： (0選擇性地施用一種使該光源發射光的第三電刺激 於每一個探針的光源。 21·根據申請專利範圍第2〇項的方法，其中： 步驟（c)包括將該第一電刺激一次一個地施用每一個 複數個探針的該電傳導尖端； 步驟（d)包括在該第一電刺激施用至每一個探針的_ 該電傳導尖端之同時，以該第二電刺激施用於複數個探針 的所有該探針護罩；及 步驟（f)包括在該第一電刺激之施用至至少一部份其 母一個探針的該電傳導尖端之同時，將該第三電刺激一次 一個地施用於每一個探針的該光源。 22·根據申請專利範圍第14項的方法，其中該第一電刺激為電 容-電壓（CV)形式電刺激及電容_時間形式電刺激 的其中一個。 ^ 23·根據申請專利範圍第22項的方法，其中： 該cv形式電刺激及α形式電刺激的每一個包括疊置 AC訊號於DC訊號上，其自一第一起始值掠過至一第二結 束值；及 該Ct形式電刺激的DC訊號之掠過較該⑺形式電刺激 的DC訊號之掠過為更快速。 24·根據申睛專利範圍第23項的方法，其中，對q形式電刺 激’步驟（e)包括步驟： 19 1273256 測量該半導體晶圓的第一電容值於當該DC訊號起初 到達該第二值時； 維持該DC訊號在該第二值； 測1該半導體晶圓的電容變至第二穩定電容值的時 間；及 自半導體晶圓的電容由第一電容值變至第二電容值 的時間決定半導體材料的世代壽命。 25·根據申請專利範圍第22項的方法，其中·· 每一個探針更包括一種被放置的光源以經由該透光 材料向著該半導體材料發射光； · u亥方法更進一步包括選擇性地施用一種使該光源發 射光的第三電刺激於每一個探針的光源之步驟； 該ct形式電刺激包括同時（i)疊置一種Ac訊號於Dc 訊號上，其具較該半導體材料的電壓臨界（Vt)值為大的 值’且（ii)選擇性地將該光源開啟及關斷；及 步驟（e)包括步驟： 測1該半導體晶圓的第一電容值當該光源為開啟時； 測量該半導體晶圓的電容變為第二穩定電容值的栌φ 間當該光源關斷後；及 守 自a亥半導體晶圓的電容由該第一電容值變至今第一 電容值的時間決定該半導體材料的重組壽命。 26·根據申睛專利範圍第14項的方法，其中在步驟（匕）哕 傳導尖端接觸覆蓋該半導體材料的介電層。 μ 1273256 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為： (二) 本代表圖之元件符號簡單說明:

八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

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