JPH05259251A - 配線の信頼性評価用パターンと配線の信頼性評価方法 - Google Patents
配線の信頼性評価用パターンと配線の信頼性評価方法Info
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- JPH05259251A JPH05259251A JP40003590A JP40003590A JPH05259251A JP H05259251 A JPH05259251 A JP H05259251A JP 40003590 A JP40003590 A JP 40003590A JP 40003590 A JP40003590 A JP 40003590A JP H05259251 A JPH05259251 A JP H05259251A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】信頼性試験後の配線パターンの断線箇所を容易
にかつ迅速に検出することを可能とする。 【構成】半導体基板５０の表面に形成した拡散層２００
と、この拡散層２００上に形成した絶縁物１５０と、こ
の絶縁物１５０上で拡散層２００の形成領域内に形成し
た配線パターン１００とを備えた配線の信頼性評価用パ
ターンＸの拡散層２００に、逆バイアスを印加して拡散
層２００を発光させることにより配線パターン１００の
断線部１００ａから漏れる光５００を検出することによ
って、配線パターン１００の断線箇所を検出する。
にかつ迅速に検出することを可能とする。 【構成】半導体基板５０の表面に形成した拡散層２００
と、この拡散層２００上に形成した絶縁物１５０と、こ
の絶縁物１５０上で拡散層２００の形成領域内に形成し
た配線パターン１００とを備えた配線の信頼性評価用パ
ターンＸの拡散層２００に、逆バイアスを印加して拡散
層２００を発光させることにより配線パターン１００の
断線部１００ａから漏れる光５００を検出することによ
って、配線パターン１００の断線箇所を検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の配線の
信頼性評価用パターンと配線の信頼性評価方法に関する
ものである。
信頼性評価用パターンと配線の信頼性評価方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の配線の信頼性評価用パター
ンの構成を示す平面図である。図３において、１００は
アルミニウム配線からなる配線パターン、１１０は電流
ストレスを印加するためのアルミニウムパッドである。
図３に示すように、配線の信頼性評価用パターンＹは、
全長が数ミリから数センチの折れ曲がった配線パターン
１００からなる。この配線パターン１００は、実際の半
導体装置を構成する配線を模擬して長く形成したもので
あり、テスト用チップの面積の制限から折れ曲がった形
状となっている。
ンの構成を示す平面図である。図３において、１００は
アルミニウム配線からなる配線パターン、１１０は電流
ストレスを印加するためのアルミニウムパッドである。
図３に示すように、配線の信頼性評価用パターンＹは、
全長が数ミリから数センチの折れ曲がった配線パターン
１００からなる。この配線パターン１００は、実際の半
導体装置を構成する配線を模擬して長く形成したもので
あり、テスト用チップの面積の制限から折れ曲がった形
状となっている。
【０００３】このように構成された従来の配線の信頼性
評価用パターンを用いた配線の信頼性評価方法を以下説
明する。高温中で配線の信頼性評価用パターンＹに電流
ストレスを印加したり、また高温中で配線の信頼性評価
用パターンＹを放置したりして配線パターン１００の信
頼性試験を行う。その後、信頼性を評価するために、光
学顕微鏡やＥＢ(Erectoron Beam)テスタなどを用いて、
配線パターン１００の断線箇所を検出していた。
評価用パターンを用いた配線の信頼性評価方法を以下説
明する。高温中で配線の信頼性評価用パターンＹに電流
ストレスを印加したり、また高温中で配線の信頼性評価
用パターンＹを放置したりして配線パターン１００の信
頼性試験を行う。その後、信頼性を評価するために、光
学顕微鏡やＥＢ(Erectoron Beam)テスタなどを用いて、
配線パターン１００の断線箇所を検出していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
配線パターン１００の断線箇所を検出する場合に最も使
用されるのは光学顕微鏡であり、この光学顕微鏡により
容易に配線パターン１００の断線箇所を検出できる場合
もあるが逆に非常に困難な場合もある。すなわち、アル
ミニウム配線等からなるの配線パターン１００に生じる
断線は、ストレス条件や配線パターン１００の形成条件
に依存し、配線パターン１００の断線部における隙間の
殆どが非常に微小であり、容易に検出できないという問
題があった。
配線パターン１００の断線箇所を検出する場合に最も使
用されるのは光学顕微鏡であり、この光学顕微鏡により
容易に配線パターン１００の断線箇所を検出できる場合
もあるが逆に非常に困難な場合もある。すなわち、アル
ミニウム配線等からなるの配線パターン１００に生じる
断線は、ストレス条件や配線パターン１００の形成条件
に依存し、配線パターン１００の断線部における隙間の
殆どが非常に微小であり、容易に検出できないという問
題があった。
【０００５】この発明の目的は上記問題点に鑑み、配線
パターンに断線が生じた場合に、容易かつ迅速に断線箇
所を検出することのできる配線の信頼性評価用パターン
と配線の信頼性評価方法を提供することである。
パターンに断線が生じた場合に、容易かつ迅速に断線箇
所を検出することのできる配線の信頼性評価用パターン
と配線の信頼性評価方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の配線の信
頼性評価用パターンは、半導体基板の表面に形成した拡
散層と、この拡散層上に形成した絶縁物と、この絶縁物
上で拡散層の形成領域内に形成した配線パターンとを備
えたものである。請求項２記載の配線の信頼性評価用パ
ターンは、半導体基板上に形成した容量領域と、この容
量領域上に形成した絶縁物と、この絶縁物上で容量領域
の形成領域内に形成した配線パターンとを備えたもので
ある。
頼性評価用パターンは、半導体基板の表面に形成した拡
散層と、この拡散層上に形成した絶縁物と、この絶縁物
上で拡散層の形成領域内に形成した配線パターンとを備
えたものである。請求項２記載の配線の信頼性評価用パ
ターンは、半導体基板上に形成した容量領域と、この容
量領域上に形成した絶縁物と、この絶縁物上で容量領域
の形成領域内に形成した配線パターンとを備えたもので
ある。
【０００７】請求項３記載の配線の信頼性評価方法は、
請求項１記載の配線の信頼性評価用パターンを用い、拡
散層に逆バイアスを印加して拡散層を発光させることに
より配線パターンの断線部から漏れる光を検出すること
によって、配線パターンの断線箇所を検出することを特
徴とする。請求項４記載の配線の信頼性評価方法は、請
求項２記載の配線の信頼性評価用パターンを用い、容量
領域にバイアスを印加して容量領域を発光させることに
より配線パターンから漏れる光を検出することによっ
て、配線パターンの断線箇所を検出することを特徴とす
る。
請求項１記載の配線の信頼性評価用パターンを用い、拡
散層に逆バイアスを印加して拡散層を発光させることに
より配線パターンの断線部から漏れる光を検出すること
によって、配線パターンの断線箇所を検出することを特
徴とする。請求項４記載の配線の信頼性評価方法は、請
求項２記載の配線の信頼性評価用パターンを用い、容量
領域にバイアスを印加して容量領域を発光させることに
より配線パターンから漏れる光を検出することによっ
て、配線パターンの断線箇所を検出することを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】請求項１記載の構成によれば、半導体基板の表
面に形成した拡散層と、この拡散層上に形成した絶縁物
と、この絶縁物上で拡散層の形成領域内に形成した配線
パターンとを備えることにより、拡散層に逆バイアスを
印加して拡散層を発光させ、配線パターンの断線部から
光を発生させることができる。
面に形成した拡散層と、この拡散層上に形成した絶縁物
と、この絶縁物上で拡散層の形成領域内に形成した配線
パターンとを備えることにより、拡散層に逆バイアスを
印加して拡散層を発光させ、配線パターンの断線部から
光を発生させることができる。
【０００９】請求項２記載の構成によれば、半導体基板
に形成した容量領域と、この容量領域上に形成した絶縁
物と、この絶縁物上で容量領域の形成領域内に形成した
配線パターンとを備えることにより、容量領域にバイア
スを印加して容量領域を発光させ、配線パターンの断線
部から光を発生させることができる。請求項３記載の構
成によれば、請求項１記載の配線の信頼性評価用パター
ンを用いて、拡散層に逆バイアスを印加して拡散層を発
光させることにより配線パターンの断線部から漏れる光
を検出することによって、配線パターンの断線箇所を検
出する。したがって、配線パターンに生じた断線部の隙
間が微小であっても、容易かつ迅速に断線箇所を検出す
ることができる。
に形成した容量領域と、この容量領域上に形成した絶縁
物と、この絶縁物上で容量領域の形成領域内に形成した
配線パターンとを備えることにより、容量領域にバイア
スを印加して容量領域を発光させ、配線パターンの断線
部から光を発生させることができる。請求項３記載の構
成によれば、請求項１記載の配線の信頼性評価用パター
ンを用いて、拡散層に逆バイアスを印加して拡散層を発
光させることにより配線パターンの断線部から漏れる光
を検出することによって、配線パターンの断線箇所を検
出する。したがって、配線パターンに生じた断線部の隙
間が微小であっても、容易かつ迅速に断線箇所を検出す
ることができる。
【００１０】請求項４記載の構成によれば、請求項２記
載の配線の信頼性評価用パターンを用いて、容量領域に
バイアスを印加して容量領域を発光させることにより配
線パターンから漏れる光を検出することによって、配線
パターンの断線箇所を検出する。したがって、配線パタ
ーンに生じた断線部の隙間が微小であっても、容易かつ
迅速に断線箇所を検出することができる。
載の配線の信頼性評価用パターンを用いて、容量領域に
バイアスを印加して容量領域を発光させることにより配
線パターンから漏れる光を検出することによって、配線
パターンの断線箇所を検出する。したがって、配線パタ
ーンに生じた断線部の隙間が微小であっても、容易かつ
迅速に断線箇所を検出することができる。
【００１１】
【実施例】この発明の一実施例を図１(a),(b) ないし図
２(a),(b) に基づいて説明する。図１(a) はこの発明の
第１の実施例の配線の信頼性評価用パターンの構成を示
す平面図、図１(b) は同配線の信頼性評価用パターンの
構成を示す断面図である。
２(a),(b) に基づいて説明する。図１(a) はこの発明の
第１の実施例の配線の信頼性評価用パターンの構成を示
す平面図、図１(b) は同配線の信頼性評価用パターンの
構成を示す断面図である。
【００１２】図１(a),(b) に示すように、配線の信頼性
評価用パターンＸは、半導体基板５０の表面に形成した
拡散層２００と、この拡散層２００上に形成した絶縁物
となる絶縁膜１５０と、この絶縁膜１５０上で拡散層２
００の形成領域内に形成した配線パターン１００とから
なる。拡散層２００は半導体基板５０の表面にドーズ量
６×１０15〔／cm2 〕程度の砒素を注入した後、温度９
００〔℃〕でアニールを施したものである。また、配線
パターン１００は、アルミニウム配線からなり、評価す
るべき配線寸法のものである。拡散層２００の面積は、
配線パターン100 の総面積をよりも十分に大きいもので
ある。また、拡散層200 と配線パターン100 とは絶縁膜
150 により電気的に絶縁する。また、配線パターン１０
０および拡散層２００には、電流および電圧を印加する
ための寸法１０ミクロン以上の各パッド１１０および２
１０を設けた。
評価用パターンＸは、半導体基板５０の表面に形成した
拡散層２００と、この拡散層２００上に形成した絶縁物
となる絶縁膜１５０と、この絶縁膜１５０上で拡散層２
００の形成領域内に形成した配線パターン１００とから
なる。拡散層２００は半導体基板５０の表面にドーズ量
６×１０15〔／cm2 〕程度の砒素を注入した後、温度９
００〔℃〕でアニールを施したものである。また、配線
パターン１００は、アルミニウム配線からなり、評価す
るべき配線寸法のものである。拡散層２００の面積は、
配線パターン100 の総面積をよりも十分に大きいもので
ある。また、拡散層200 と配線パターン100 とは絶縁膜
150 により電気的に絶縁する。また、配線パターン１０
０および拡散層２００には、電流および電圧を印加する
ための寸法１０ミクロン以上の各パッド１１０および２
１０を設けた。
【００１３】このように構成した配線の信頼性評価用パ
ターンを用いた配線の信頼性評価方法を以下説明する。
先ず、高温中（１５０〔°Ｃ〕）で配線の信頼性評価用
パターンＸに１０6 〔Ａ／cm2 〕以上の電流を供給した
り、高温中に配線の信頼性評価用パターンＸを放置した
りして、エレクトロマイグレーションやストレスマイグ
レーション劣化に対する配線パターン100 の耐性を調べ
ることにより信頼性試験を行う。これにより配線パター
ン100 に断線が生じた場合、拡散層200 と半導体基板50
との間に５〔Ｖ〕以上の逆バイアスを印加することによ
り拡散層２００を発光させる。この際、配線材料である
アルミニウムやタングステン等は光を遮断するため、配
線パターン１００自体は光を遮断するが、配線パターン
１００の断線部１００ａにおいては、下部の拡散層２０
０から可視光の光５００が漏れる。したがって、光学顕
微鏡（図示せず）を配線パターン１００の長さ方向に掃
引させ、断線部１００ａの下部から漏れる光５００を検
出することにより、容易かつ迅速に配線パターン１００
の断線箇所を検出することができる。
ターンを用いた配線の信頼性評価方法を以下説明する。
先ず、高温中（１５０〔°Ｃ〕）で配線の信頼性評価用
パターンＸに１０6 〔Ａ／cm2 〕以上の電流を供給した
り、高温中に配線の信頼性評価用パターンＸを放置した
りして、エレクトロマイグレーションやストレスマイグ
レーション劣化に対する配線パターン100 の耐性を調べ
ることにより信頼性試験を行う。これにより配線パター
ン100 に断線が生じた場合、拡散層200 と半導体基板50
との間に５〔Ｖ〕以上の逆バイアスを印加することによ
り拡散層２００を発光させる。この際、配線材料である
アルミニウムやタングステン等は光を遮断するため、配
線パターン１００自体は光を遮断するが、配線パターン
１００の断線部１００ａにおいては、下部の拡散層２０
０から可視光の光５００が漏れる。したがって、光学顕
微鏡（図示せず）を配線パターン１００の長さ方向に掃
引させ、断線部１００ａの下部から漏れる光５００を検
出することにより、容易かつ迅速に配線パターン１００
の断線箇所を検出することができる。
【００１４】図２(a) はこの発明の第２の実施例の配線
の信頼性評価用パターンの構成を示す平面図、図２(b)
は同配線の信頼性評価用パターンの構成を示す断面図で
ある。図２(a),(b) に示すように、配線の信頼性評価用
パターンＹは、半導体基板５０上に形成した容量領域１
０と、この容量領域１０上に形成した絶縁物となる絶縁
膜１５０と、この絶縁膜１５０上で容量領域１０の形成
領域内に形成した配線パターン１００とからなる。
の信頼性評価用パターンの構成を示す平面図、図２(b)
は同配線の信頼性評価用パターンの構成を示す断面図で
ある。図２(a),(b) に示すように、配線の信頼性評価用
パターンＹは、半導体基板５０上に形成した容量領域１
０と、この容量領域１０上に形成した絶縁物となる絶縁
膜１５０と、この絶縁膜１５０上で容量領域１０の形成
領域内に形成した配線パターン１００とからなる。
【００１５】容量領域１０は、酸化膜４００，ポリシリ
コン膜３５０および半導体基板５０から構成した。ま
た、絶縁膜１５０は容量領域１０と配線パターン１００
とを電気的に絶縁している。また、配線パターン１００
は、アルミニウム配線からなり、評価するべき配線寸法
のものである。容量領域10の面積は、配線パターン１０
０の総面積をよりも十分に大きいものである。また、配
線パターン100 および容量領域１０には、電流および電
圧を印加するための寸法１０ミクロン以上の各パッド11
0 および３１０を設けた。
コン膜３５０および半導体基板５０から構成した。ま
た、絶縁膜１５０は容量領域１０と配線パターン１００
とを電気的に絶縁している。また、配線パターン１００
は、アルミニウム配線からなり、評価するべき配線寸法
のものである。容量領域10の面積は、配線パターン１０
０の総面積をよりも十分に大きいものである。また、配
線パターン100 および容量領域１０には、電流および電
圧を印加するための寸法１０ミクロン以上の各パッド11
0 および３１０を設けた。
【００１６】このように構成した配線の信頼性評価用パ
ターンに対して、第１の実施例と同様の信頼性試験を行
う。この信頼性試験により配線パターン100 に断線が生
じた場合、ポリシリコン膜３５０から酸化膜４００に電
流を供給することにより、酸化膜４００を発光させる。
酸化膜４００に電流を供給するために印加する電圧は、
酸化膜４００の膜厚を１０〜２０〔ｎｍ〕およびポリシ
リコン膜350 の膜厚を３００〔ｎｍ〕程度にすれば、15
〔Ｖ〕程度で良い。
ターンに対して、第１の実施例と同様の信頼性試験を行
う。この信頼性試験により配線パターン100 に断線が生
じた場合、ポリシリコン膜３５０から酸化膜４００に電
流を供給することにより、酸化膜４００を発光させる。
酸化膜４００に電流を供給するために印加する電圧は、
酸化膜４００の膜厚を１０〜２０〔ｎｍ〕およびポリシ
リコン膜350 の膜厚を３００〔ｎｍ〕程度にすれば、15
〔Ｖ〕程度で良い。
【００１７】この際、配線材料であるアルミニウムやタ
ングステン等は光を遮断するため、配線パターン１００
自体は光を遮断するが、配線パターン１００の断線部１
００ｂにおいては、下部の容量領域１０から可視光の光
５００が漏れる。したがって、光学顕微鏡（図示せず）
を配線パターン１００の長さ方向に掃引させて、配線パ
ターン１００の断線部１００ｂの下部から漏れる光５０
０を検出することにより、容易かつ迅速に配線パターン
１００の断線箇所を検出することができる。
ングステン等は光を遮断するため、配線パターン１００
自体は光を遮断するが、配線パターン１００の断線部１
００ｂにおいては、下部の容量領域１０から可視光の光
５００が漏れる。したがって、光学顕微鏡（図示せず）
を配線パターン１００の長さ方向に掃引させて、配線パ
ターン１００の断線部１００ｂの下部から漏れる光５０
０を検出することにより、容易かつ迅速に配線パターン
１００の断線箇所を検出することができる。
【００１８】ここで、この実施例の原理を簡単に説明す
る。拡散層に逆バイアスをかけると、発光することは既
に知られている（A.G. Chioweth et al,Phys.Rev.,Vol
102,No 2 p.369、1956 ）。また、半導体基板上に形成し
た容量領域に電流を供給することにより、ＦＮ（Fowler
-Nordheim)電流を流すと、発光することも既に知られて
いる（Ching-Lang et al,IEDM Tech.Dig.,p.672,1986)
。これらは、電界から高エネルギーを得た内部のキャ
リアが、エネルギーを放出する際にフォトンを放出する
ことに起因している。また、この発光の波長は共に可視
光領域である。
る。拡散層に逆バイアスをかけると、発光することは既
に知られている（A.G. Chioweth et al,Phys.Rev.,Vol
102,No 2 p.369、1956 ）。また、半導体基板上に形成し
た容量領域に電流を供給することにより、ＦＮ（Fowler
-Nordheim)電流を流すと、発光することも既に知られて
いる（Ching-Lang et al,IEDM Tech.Dig.,p.672,1986)
。これらは、電界から高エネルギーを得た内部のキャ
リアが、エネルギーを放出する際にフォトンを放出する
ことに起因している。また、この発光の波長は共に可視
光領域である。
【００１９】なお、第１および第２の実施例において、
拡散層２００または容量領域１０の発光により配線パタ
ーン１００の断線部１００ａ，１００ｂの下部から漏れ
る光５００は光学顕微鏡の暗視野で容易に検出すること
ができるが、この光５００を増幅できる装置を用いれ
ば、より好ましい。また、配線パターン１００上にパッ
シベーション膜が形成されていても、配線パターン１０
０の断線部１００ａ，１００ｂの下部から漏れる光は全
く減衰することがなく、同様の効果を得ることができ
る。
拡散層２００または容量領域１０の発光により配線パタ
ーン１００の断線部１００ａ，１００ｂの下部から漏れ
る光５００は光学顕微鏡の暗視野で容易に検出すること
ができるが、この光５００を増幅できる装置を用いれ
ば、より好ましい。また、配線パターン１００上にパッ
シベーション膜が形成されていても、配線パターン１０
０の断線部１００ａ，１００ｂの下部から漏れる光は全
く減衰することがなく、同様の効果を得ることができ
る。
【００２０】また、第１の実施例の拡散層２００は半導
体基板５０に砒素を注入したｎ型のものであるが、半導
体基板の導電型に合わせてボロンを注入したｐ型の拡散
層でも良い。
体基板５０に砒素を注入したｎ型のものであるが、半導
体基板の導電型に合わせてボロンを注入したｐ型の拡散
層でも良い。
【００２１】
【発明の効果】この発明の配線の信頼性評価用パターン
と配線の信頼性評価方法によれば、信頼性試験により配
線パターンに断線が生じた場合、配線パターンの下部に
形成した拡散層または容量領域を発光させることにより
配線パターンの断線部から光を発生させることができ
る。したがって、この光を検出することにより配線パタ
ーンの断線箇所を検出することができる。
と配線の信頼性評価方法によれば、信頼性試験により配
線パターンに断線が生じた場合、配線パターンの下部に
形成した拡散層または容量領域を発光させることにより
配線パターンの断線部から光を発生させることができ
る。したがって、この光を検出することにより配線パタ
ーンの断線箇所を検出することができる。
【００２２】その結果、配線パターンの断線箇所を光学
顕微鏡を用いるだけで容易かつ迅速に検出することがで
き、配線パターンの不良解析を行うことができる。した
がって、配線の信頼性向上を図ることができ、その実用
的効果は大きい。
顕微鏡を用いるだけで容易かつ迅速に検出することがで
き、配線パターンの不良解析を行うことができる。した
がって、配線の信頼性向上を図ることができ、その実用
的効果は大きい。
【図１】図１(a) はこの発明の第１の実施例の配線の信
頼性評価用パターンの構成を示す平面図、図１(b) は同
配線の信頼性評価用パターンの構成を示す断面図であ
る。
頼性評価用パターンの構成を示す平面図、図１(b) は同
配線の信頼性評価用パターンの構成を示す断面図であ
る。
【図２】図２(a) はこの発明の第２の実施例の配線の信
頼性評価用パターンの構成を示す平面図、図２(b) は同
配線の信頼性評価用パターンの構成を示す断面図であ
る。
頼性評価用パターンの構成を示す平面図、図２(b) は同
配線の信頼性評価用パターンの構成を示す断面図であ
る。
【図３】図３は従来の配線の信頼性評価用パターンの構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
１０ 容量領域 ５０ 半導体基板 １００ 配線パターン １００ａ，１００ｂ 断線部 １５０ 絶縁物（絶縁膜） ２００ 拡散層 ５００ 光
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に形成した拡散層と、
この拡散層上に形成した絶縁物と、この絶縁物上で前記
拡散層の形成領域内に形成した配線パターンとを備えた
配線の信頼性評価用パターン。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成した容量領域と、こ
の容量領域上に形成した絶縁物と、この絶縁物上で前記
容量領域の形成領域内に形成した配線パターンとを備え
た配線の信頼性評価用パターン。 - 【請求項３】 拡散層に逆バイアスを印加して拡散層を
発光させることにより配線パターンの断線部から漏れる
光を検出することによって、前記配線パターンの断線箇
所を検出することを特徴とする請求項１記載の配線の信
頼性評価用パターンを用いた配線の信頼性評価方法。 - 【請求項４】 容量領域にバイアスを印加して容量領域
を発光させることにより配線パターンから漏れる光を検
出することによって、前記配線パターンの断線箇所を検
出することを特徴とする請求項２記載の配線の信頼性評
価用パターンを用いた配線の信頼性評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40003590A JPH05259251A (ja) | 1990-12-01 | 1990-12-01 | 配線の信頼性評価用パターンと配線の信頼性評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40003590A JPH05259251A (ja) | 1990-12-01 | 1990-12-01 | 配線の信頼性評価用パターンと配線の信頼性評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259251A true JPH05259251A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=18509953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40003590A Pending JPH05259251A (ja) | 1990-12-01 | 1990-12-01 | 配線の信頼性評価用パターンと配線の信頼性評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259251A (ja) |
-
1990
- 1990-12-01 JP JP40003590A patent/JPH05259251A/ja active Pending
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