JPH0823014A - 信号波形測定装置及び信号波形測定方法 - Google Patents

信号波形測定装置及び信号波形測定方法

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JPH0823014A
JPH0823014A JP6157285A JP15728594A JPH0823014A JP H0823014 A JPH0823014 A JP H0823014A JP 6157285 A JP6157285 A JP 6157285A JP 15728594 A JP15728594 A JP 15728594A JP H0823014 A JPH0823014 A JP H0823014A
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JP6157285A
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Shinichi Wakana
伸一 若菜
Kazuyuki Ozaki
一幸 尾崎
Yoshiaki Goto
善朗 後藤
Yasutoshi Umehara
康敏 梅原
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Advantest Corp
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Advantest Corp
Fujitsu Ltd
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    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/303Contactless testing of integrated circuits
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    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/84Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
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    • Y10S977/85Scanning probe control process

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 信号波形測定装置に関し、光導電素子を有す
る微細探針を用い、試料と探針間に流れる被測定電流量
を参照電圧のフィードバック操作により制御し、当該試
料の高速な信号波形を測定する。 【構成】 試料16と探針11Aとの間隔を調整するピエ
ゾ駆動手段11と、試料16と探針11Aとの間に流れる
被測定電流Iを短波長の光Lに基づいてチョッピングす
る光導電素子12と、被測定電流Iを入力して試料16
の測定電圧の演算基礎となる参照電圧VOUT をサンプリ
ングする信号処理手段13とを備える。信号処理手段1
3は、参照電圧VOUT を基準にして電圧に変換された被
測定電流Iをサンプリングし、かつ、被測定データDOU
T を出力するデータ出力手段13Aと、被測定データDOU
T と電流設定データDRとを比較して比較結果データD
Cを出力するデータ比較手段13Bと、比較結果データD
Cに基づいて参照電圧VOUTを出力する制御手段13Cと
を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、信号波形測定装置及び
信号波形測定方法に関するものであり、更に詳しく言え
ば、半導体集積回路(以下ICという)や超集積大規模
半導体回路(以下VLSIという)の高速な信号波形を
測定する装置及び方法の改善に関するものである。
【0002】近年、マスク・露光及び微細加工技術の発
達に伴い、超微細なパターンを有するICやVLSIが
製造され、それを検査する技術においては、年々高度化
の一途を辿り、今後、益々IC検査装置や故障解析装置
等の高空間分解化及び高時間分解能化への要求が厳しく
なる。これまで用いられきたレーザプローブや、電子線
プローブを用いた検査装置では、その原理上の制約,例
えば、光の波長の制約によるプローブ径の縮小限界や、
試料のチャージアップ等による正確な測定の妨げと言っ
た問題がある。今後、更なる微細加工技術の発展により
得られるであろう超微細パターンの検査において、現状
の検査装置では、益々、空間分解能を持たせることが困
難になりつつある。
【0003】そこで、原子像まで捕らえることが可能な
STM(トンネル顕微鏡)やAFM(原子間力顕微鏡)
を使用し、半導体デバイスの高速な信号波形を測定する
ことができる装置及びプローブのセンシング方法が望ま
れている。
【0004】
【従来の技術】図10,11は、従来例に係る説明図であ
る。図10は、従来例に係る第1のIC検査装置の構成図
であり、図11は、従来例に係る第2のIC検査装置の構
成図をそれぞれ示している。例えば、93年秋応用物理
学会(30a−P−4)に見られるような非接触プロー
ブ型のIC検査装置(第1のIC検査装置)は、図10に
示すように、ピエゾ駆動装置1A,光導電素子2B,波
形測定回路3A,パルス発振器4A,レーザ光源5A,
関数発生器6A,8A,混合回路7A及びオシロスコー
プ9Aを備える。ピエゾ駆動装置1AはSTMプローブ
101 ,ピエゾ素子102 及びフィードバック駆動部103 を
有し、プローブ101 とピエゾ素子102 との間に光導電素
子2Bが設けられる。波形測定回路3Aは、電流/電圧
変換器(以下単にI/V変換器という)301 及びアンプ
&ローパスフィルタ302 を有する。
【0005】当該装置の機能は、例えば、50Ω系のス
トリップライン(以下単にデバイスという)16の電圧
波形を観測する場合、まず、STMプローブ101 とデバ
イス16との間の距離がピエゾ素子102 により調整さ
れ、当該プローブ101 とデバイス16との間にトンネル
電流Itが流される。このトンネル電流Itは、フィー
ドバック駆動部103 により一定に制御される。なお、ダ
イオードを介して周波数fの正弦波信号(クロック信
号)が関数発生器8Aからデバイス16に供給される。
【0006】また、周波数fの正弦波信号が関数発生器
6Aにより発生され、それを+Δfずらしたトリガ信号
が当該発生器6Aからパルス発振器4A及び混合回路7
Aに出力される。パルス発振器4Aはトリガ信号に基づ
いてf+Δfのパルス列を発生し、レーザ光源5Aで
は、このf+Δfのパルス列に基づいてレーザ光Lをチ
ョッピングする。チョッピングされたレーザ光Lは、光
導電素子2Aに照射される。これにより、光導電素子2
Aがレーザ光により励起され、瞬間的に導通状態を作成
する。このため、トンネル電流Itがチョッピングさ
れ、その電流はI/V変換器301 により電圧に変換され
る。この電圧は、アンプ&ローパスフィルタ302 により
増幅・フィルタ処理されてオシロスコープ9Aに出力さ
れる。
【0007】混合回路7Aでは、関数発生器8Aからの
周波数fの正弦波信号と、関数発生器6Aから周波数f
+Δfのトリガ信号とを混合し、そのビート信号をオシ
ロスコープ9Aに出力する。これにより、高速に変化す
るトンネル電流Itをサンプリングすることにより、デ
バイス16の高速な電圧波形が観測され、その相対的な
電位が導かれる。
【0008】また、AFMカンチレバーをコンタクトプ
ローブとした接触プローブ型のIC検査装置(第2のI
C検査装置)は、図11に示すように、ピエゾ駆動装置1
B,光導電素子2B,波形測定回路3B,パルス発振器
4B,レーザ光源5B,関数発生器6B,8B,混合回
路7B及びオシロスコープ9Bを備える。ピエゾ駆動装
置1Bはコンタクトプローブ104 ,ピエゾ素子105 ,フ
ィードバック駆動部106 及び光検出器107 を有し、該プ
ローブ104 とピエゾ素子105 との間に光導電素子2Bが
設けられる。波形測定回路3Bは、電流/電圧変換器
(以下単にI/V変換器という)303 及びアンプ&ロー
パスフィルタ304 を有する。
【0009】当該装置の機能は、例えば、絶縁膜の付い
ていないデバイス16の電圧波形を観測する場合、ま
ず、プローブ104 がデバイス16に対してオーミックコ
ンタクトされ、当該プローブ104 とデバイス16との間
に被測定電流Iが流される。この被測定電流Iは、レー
ザてこの原理により光検出器107 が検出する変位検出信
号に基づいてフィードバック駆動部106 により、一定に
制御される。なお、ダイオードを介して周波数fの正弦
波信号が関数発生器8Bからデバイス16に供給され
る。
【0010】また、周波数fの正弦波信号が関数発生器
6Bにより発生され、それを+Δfずらしたトリガ信号
が当該発生器6Bからパルス発振器4B及び混合回路7
Bに出力される。レーザ光源5Bでは、f+Δfのパル
ス列に基づいてレーザ光Lをチョッピングする。チョッ
ピングされたレーザ光Lは、光導電素子2Bに照射され
る。これにより、光導電素子2Bがレーザ光により励起
され、瞬間的に導通状態を作成する。このため、被測定
電流Iがチョッピングされ、その電流はI/V変換器30
3 により電圧に変換される。この電圧は、アンプ&ロー
パスフィルタ304 により増幅・フィルタ処理されてオシ
ロスコープ9Bに出力される。
【0011】混合回路7Bでは、関数発生器8Bからの
周波数fの正弦波信号と、関数発生器6Bから周波数f
+Δfのトリガ信号とを混合し、そのビート信号をオシ
ロスコープ9Bに出力する。これにより、高速に変化す
る被測定電流Iをサンプリングすることにより、デバイ
ス16の高速な電圧波形が観測され、その相対的な電位
が導かれる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来例の第
1のIC検査装置によれば、通常、トンネル電流Itが
数十ナノアンペアにセットされるため、プローブの入力
インピーダンスを大きくすることができ、デバイス16
の回路負荷を小さくすることができる。また、完全に非
接触非破壊で電圧を測定することができるので、空間分
解能が高い。
【0013】しかし、波形測定回路3Bが極微量のトン
ネル電流Itを取り扱うため、デバイス16上の被測定
電圧が、ある一定以上の振幅をもった場合に、それがト
ンネル領域を越えてしまい、リニアな電圧測定をするこ
とが困難となる。また、表面画像と、電圧波形とを同時
に得ることが困難となるという問題がある。また、従来
例の第2のIC検査装置によれば、カンチレバーの変位
をレーザてこ方式により検出し、この検出量を駆動部10
6 にフィードバックしている。このため、接触を安定さ
せことができる。また、表面像も同時に取得でき、プロ
ーブ104 が直接、デバイス16にオーミックコンタクト
されるので、大きな被測定信号でもリニアな測定するこ
とができる。
【0014】しかし、光導電素子2Bをオン状態にした
ときに、オーミックコンタクト抵抗が比較的小さいこと
から、デバイス16上の回路負荷となり得る。また、デ
バイス16上に空気酸化膜等の絶縁層が残留している場
合には、プローブ104 を強く押しつける必要がある。こ
れは、絶縁層を突き破って、配線とオーミックコンタク
トとるためである。この際に、先鋭度の高い針先にダメ
ージを与える恐れがある。
【0015】また、第2のIC検査装置では、バネ定数
の小さなカンチレバーを使用するため、それを十分大き
な力で押さえることが難しい。さらに、プローブ104 の
先端電流がコンタクト抵抗とI/V変換器303 の入力イ
ンピーダンスによって決定されるため、針先の接触部分
及びデバイス(試料)16の配線パターン等の金属表面
が酸化膜により、抵抗変化を受けやすく、安定なプロー
ビングの妨げとなるという問題がある。
【0016】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、光導電素子を有する微細探針を用
い、試料と探針間に流れる被測定電流量を参照電圧のフ
ィードバック操作により制御し、当該試料の高速な信号
波形を測定することが可能となる信号波形測定装置及び
信号波形測定方法の提供を目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】図1,2は、本発明に係
る信号波形測定装置の原理図(その1,2)であり、図
3は、本発明に係る信号波形測定方法の原理図をそれぞ
れ示している。本発明の第1の信号波形測定装置は、図
1に示すように、試料16と探針11Aとの間隔を調整す
るピエゾ駆動手段11と、前記試料16と探針11Aとの
間に流れる被測定電流Iをレーザ光Lに基づいてチョッ
ピングする光導電素子12と、前記試料16の測定電圧
の演算基礎となる参照電圧VOUT に基づいて被測定電流
Iをサンプリングする信号処理手段13とを備えること
を特徴とする。
【0018】本発明の第1の信号波形測定装置におい
て、前記信号処理手段13は、図1に示すように、参照
電圧VOUT を基準にして電圧に変換された被測定電流I
をサンプリングし、かつ、被測定データDOUT を出力す
るデータ出力手段13Aと、前記被測定データDOUT と電
流設定データDRとを比較して比較結果データDCを出
力するデータ比較手段13Bと、前記比較結果データDC
に基づいて参照電圧VOUT を出力する制御手段13Cとを
有することを特徴とする。
【0019】本発明の第2の信号波形測定装置は、ピエ
ゾ駆動手段11が、図2に示すように、探針11Aを駆動
するピエゾ素子11Bと、前記探針11Aの変位を検出し変
位検出信号SPを出力する検出部11Cと、前記変位検出
信号SPに基づいてピエゾ素子11Bの出力制御をするフ
ィードバック駆動部11Dとを有することを特徴とする。
【0020】本発明の第3の信号波形測定装置は、図2
に示すように、ピエゾ駆動手段11又は試料16のいず
れかを走査する走査手段14と、前記走査により得られ
る探針11Aの変位量に基づいて試料16の画像情報を出
力する表示手段15とが設けられることを特徴とする。
本発明の第4又は第5の信号波形測定装置は、ピエゾ駆
動手段11が、少なくとも、カンチレバー方式又は垂直
針方式のいずれかの探針11Aを有することを特徴とす
る。
【0021】本発明の第1の信号波形測定方法は、図3
の処理フローチャートに示すように、まず、ステップP
1で試料16と探針11Aとの間の距離を調整して被測定
電流Iを発生し、次に、ステップP2で前記被測定電流
Iを短波長の光Lに基づいてチョッピングし、その後、
ステップP3で前記試料16の測定電圧の演算基礎とな
る参照電圧VOUT Xに基づいて被測定電流Iをサンプリ
ングすることを特徴とする。
【0022】本発明の第1の信号波形測定方法におい
て、前記被測定電流Iのサンプリングは、ステップP31
で被測定電流I及び参照電圧VOUT Xを入力して被比較
電流値IXを発生し、次に、ステップP32で前記被比較
電流値IXと電流設定値IRとを比較し、その後、ステ
ップP33で前記比較結果に基づいて被比較電流値IXを
電流設定値IRに収束させる参照電圧VOUT Xを発生す
ることを特徴とする。
【0023】本発明の第2の信号波形測定方法は、前記
試料16と探針11Aとの間の距離を調整してトンネル電
流Itを発生させることを特徴とする。本発明の第3の
信号波形測定方法は、前記被測定電流Iのサンプリング
の際に、探針11Aを試料16に押し当ててオーミックコ
ンタクトをし、前記オーミックコンタクトに基づいて被
測定電流Iを発生させることを特徴とする。
【0024】本発明の第4の信号波形測定方法は、前記
被測定電流Iのサンプリングの際に、試料16の信号波
形に対する測定位相φiを可変したサンプリング信号T
Piを生成し、前記サンプリング信号TPiに基づくレ
ーザ光LによりON/OFF制御することを特徴とする。
本発明の第5の信号波形測定方法は、前記被測定電流I
のサンプリングの際に、試料16への供給信号を固定
し、前記固定された試料16に対する参照電圧VOUT X
をスイープして、被測定電流値Iが最小になる第1の参
照電圧VOUT 1を探索し、かつ、電流設定値IRが得ら
れる第2の参照電圧VOUT 2を探索し、前記第1及び第
2の参照電圧VOUT 1,2からオフセット電圧Voff を
演算することを特徴とする。
【0025】本発明の第6の信号波形測定方法は、前記
被測定電流Iのサンプリングの際に、試料16への供給
信号に対する被比較電流値IXが得られる参照電圧VOU
T Xを探索し、前記参照電圧VOUT Xからオフセット電
圧Voff を減算することを特徴とし、上記目的を達成す
る。
【0026】
【作 用】本発明の第1の信号波形測定装置の動作を説
明する。例えば、試料16と探針11Aとの間隔がピエゾ
駆動手段11により調整されると、試料16と探針11A
との間に流れる被測定電流I,例えば、トンネル電流I
tが光導電素子12によりレーザ光Lに基づいてチョッ
ピングされる。この際に、試料16と探針11Aとをオー
ミックコンタクトすることにより被測定電流Iを発生す
る場合もある(第3の信号波形測定方法)。
【0027】このチョッピングされた被測定電流Iが、
試料16の測定電圧の演算基礎となる参照電圧VOUT に
基づいて信号処理手段13によりサンプリングされる
(第1,第2の信号波形測定方法)。この際に、データ
出力手段13Aでは、参照電圧VOUT を基準にして被測定
電流Iが電圧に変換される。また、電圧に変換された被
サンプル電圧Voがサンプリングされ、この結果、デー
タ出力手段13Aからデータ比較手段13Bに被測定データ
DOUT が出力される。なお、被測定データDOUT はメモ
リに格納される。
【0028】データ比較手段13Bでは、被測定データD
OUT と電流設定データDRとが比較され、比較結果デー
タDCがデータ比較手段13Bから制御手段13Cに出力さ
れる。制御手段13Cでは、比較結果データDCに基づい
て参照電圧VOUT が出力され、これが制御手段13Cから
データ出力手段13Aにフィードバックされる。このた
め、サンプリング対象となった被測定電流Iを参照電圧
VOUT Xに基づいて電流設定値IRに収束させることが
可能となる。このことで、極微量のトンネル電流Itを
信号処理手段13で高精度により取り扱うことができ
る。
【0029】これにより、試料16上の被測定電圧が、
ある一定以上の振幅をもった場合にも、それがトンネル
領域を越えた場合にも、例えば、トンネル電流Itが電
流設定値IRに収束するため、試料16のリニアな電圧
測定をすることが可能となる。本発明の第2の信号波形
測定装置によれば、ピエゾ駆動手段11の探針11Aがピ
エゾ素子11Bにより駆動されると、当該探針11Aの変位
が検出部11Cにより検出される。この変位検出信号SP
はフィードバック駆動部11Dに出力され、変位検出信号
SPに基づいてピエゾ素子11Bがフィードバック駆動部
11Dにより出力制御される。
【0030】このため、フィードバック駆動部11Dによ
り試料16と探針11Aとの間に流れる被測定電流I,例
えば、トンネル電流Itが一定制御されることから、そ
れを参照電圧VOUT に基づいて安定にサンプリングする
ことが可能となる。本発明の第3の信号波形測定装置に
よれば、ピエゾ駆動手段11又は試料16のいずれかが
走査手段14により走査され、この走査により得られる
探針11Aの変位量に基づいて試料16の画像情報が表示
手段15に出力される。
【0031】このため、試料16の表面像と、その電圧
波形とを同時に取得することが可能となる。本発明の第
4の信号波形測定装置によれば、例えば、バネ定数の小
さなカンチレバー方式の探針11Aを有するピエゾ駆動手
段11を用いた場合であっても、極微量のトンネル電流
It等を参照電圧VOUT に基づいて信号処理手段13に
よりサンプリングすることが可能となる。
【0032】これにより、従来例のように、カンチレバ
ーを試料16に無理な力で押さえることも無くなる。ま
た、試料16の酸化膜の上から安定なプロービングを行
うことが可能となり、針先の接触部分及び試料16の配
線パターン等の金属表面が所定形状に保護される。本発
明の第5の信号波形測定装置によれば、例えば、板バネ
支持の垂直針方式の探針11Aを有するピエゾ駆動手段1
1を用いた場合であっても、極微量のトンネル電流It
等を参照電圧VOUT に基づいて信号処理手段13により
サンプリングすることが可能となる。
【0033】これにより、探針11Aの先端電流を電流設
定データDRにより任意に設定することができ、従来例
のように被測定電流Iがコンタクト抵抗とデータ出力手
段の電流/電圧変換器の入力インピーダンス等によって
一義的に決定されることもない。また、試料16上に空
気酸化膜等の絶縁層が残留している場合にも、トンネル
電流Itが参照電圧VOUT に基づいてサンプリングされ
る。このことで、光導電素子12がオン状態のときのオ
ーミックコンタクト抵抗も比較的大きくなるため、試料
16上の回路負荷となり得ない。また、試料16上に探
針11Aを強く押しつける必要がない。これにより、針先
が先鋭度の高い所定形状に維持される。
【0034】本発明の第1の信号波形測定方法によれ
ば、図3の処理フローチャートに示すように、ステップ
P2で試料16と探針11Aとの間に発生された被測定電
流Iが、短波長の光Lに基づいてチョッピングされ、そ
の後、ステップP3で参照電圧VOUT Xに基づいて被測
定電流Iがサンプリングされる。例えば、ステップP31
で被測定電流I及び参照電圧VOUT Xに基づいて被比較
電流値IXが発生され、次に、ステップP32で被比較電
流値IXと電流設定値IRとが比較され、その後、ステ
ップP33で被比較電流値IXを電流設定値IRに収束さ
せる参照電圧VOUT Xが発生される。
【0035】このため、サンプリング対象となった被測
定電流Iを参照電圧VOUT Xに基づいて電流設定値IR
に収束させることが可能となる。このことで、ナノアン
ペア単位の極微量のトンネル電流It等を高精度により
取り扱うことができる。例えば、サンプリング信号TP
iに基づいてチョッピングされた被測定電流Iにより得
られる被測定データDOUT から、ステップP4で試料1
6の高速な信号波形を再現することが可能となる(第4
の信号波形測定方法)。
【0036】また、被測定データDOUT の演算に当たっ
ては、第1及び第2の参照電圧VOUT 1,2からオフセ
ット電圧Voff が演算(第5の信号波形測定方法)さ
れ、試料16の被比較電流値IXを与える参照電圧VOU
T Xからオフセット電圧Voffが減算(第6の信号波形
測定方法)される。これにより、再現された試料16の
信号波形から絶対電圧を測定することが可能となる。
【0037】
【実施例】次に、図を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明をする。図4〜9は、本発明の実施例に係る信
号波形測定装置及びその信号波形測定方法の説明図であ
る。 (1)第1の実施例の説明 図4は、本発明の第1の実施例に係る電圧波形測定装置
の構成図であり、図5は、その補足説明図をそれぞれ示
している。
【0038】例えば、本発明の第1,第2及び第5の信
号波形測定装置を組み合わせた垂直針方式の非接触型の
電圧波形測定装置は、図4に示すように、ピエゾ駆動装
置21,パルス発振器22A,レーザ光源22B,サンプリ
ング装置23,タイミング発生回路24,RAM(随時
書込み/読出し可能なメモリ)25及びレジスタ26を
備える。
【0039】ピエゾ駆動装置21は図1のピエゾ駆動手
段11の一例であり、試料16と探針11Aとの間隔を調
整するものである。例えば、ピエゾ駆動装置21は、垂
直針方式の探針11A,ピエゾ素子11B,検出部11C,フ
ィードバック駆動部11D,板バネ支持部11E及び光導電
素子12を有する。探針11Aは試料16の測定点にプロ
ービングする。ピエゾ素子11Bは探針11Aを駆動する。
検出部11Cは探針11Aの変位を検出し変位検出信号SP
をフィードバック駆動部11Dに出力する。当該駆動部11
Dは変位検出信号SPに基づいてピエゾ素子11Bの出力
制御をする。板バネ支持部11Eは探針11Aを保持する。
【0040】光導電素子12は、試料16と探針11Aと
の間に流れる被測定電流Iをレーザ光Lに基づいてチョ
ッピングするものである。光導電素子12は探針11Aの
途中に設けられる。例えば、光導電素子12は図5
(A)に示すように、Si基板12AにGaAsInP等
の半絶縁性層12Bが設けられ、当該半絶縁性層12Bに一
定距離を隔てて左右(上下)の探針11Aが設けられて成
る。光導電素子12の機能は、半絶縁性層12Bに短波長
のレーザ光Lを照射すると、その領域が励起し、瞬間的
に導通状態になる。
【0041】パルス発振器22Aはサンプリング信号(以
下トリガ信号という)TPi,〔i=0〜6〕に基づい
てf+Δfのパルス列を発生する。本発明の実施例で
は、図7に示すように基準位相φ0に対して6つの測定
位相φ1〜φ6を設定する。トリガ信号TP0〜TP6
は、基準位相φ0及び測定位相φ1〜φ6を設定する信
号となる。レーザ光源22Bはf+Δfのパルス列に基づ
いてレーザ光Lをチョッピングする。
【0042】サンプリング装置23は信号処理手段13
の一例であり、試料16の測定電圧の演算基礎となる参
照電圧VOUT に基づいて被測定電流Iをサンプリングす
るものである。例えば、サンプリング装置23は、I/
V変換器231 ,積分器232 ,サンプルホールド回路233
,A/D変換器234 ,比較器235 ,制御ロジック回路2
36 及びA/D変換器237 を有する。
【0043】I/V変換器231 ,積分器232 ,サンプル
ホールド回路233 及びA/D変換器234 は図1のデータ
出力手段13Aの一例を構成するものであり、I/V変換
器231 は、参照電圧VOUT を基準にして被測定電流Iを
被サンプル電圧Voに変換する。例えば、I/V変換器
231 は図5(B)に示すようなオペアンプから成り、被
サンプル電圧VoはVOUT ±IRとなる。本発明の実施
例では、被測定電流Iを10nAに設定した場合に、帰
還抵抗Rを10kΩ程度にする。参照電圧VOUT は5V
前後である。
【0044】積分器232 はローパスフィルタ等から成
り、被サンプル電圧Voを積分する。サンプルホールド
回路233 は、容量及びサンプリングスイッチから成り、
被サンプル電圧Voをサンプリングする。サンプリング
スイッチはクロック信号CK1に基づいてON/OFF動
作する。A/D変換器234 は容量に充電された被サンプ
ル電圧をクロック信号CK2に基づいてA/D変換し、
被測定データDOUT を発生する。
【0045】比較器235 はデータ比較手段13Bの一例で
あり、被測定データDOUT と電流設定データDRとを比
較して比較結果データDCを制御ロジック回路236 に出
力するものである。制御ロジック回路236 及びD/A変
換器237 は、制御手段13Cの一例を構成するものであ
り、当該ロジック回路236 は、比較結果データDCをデ
コードして制御データDLをD/A変換器237 に出力す
る。制御データDLの内容は、図5(C)に示すよう
に、サンプリング回数nに対して被測定電流Iを電流設
定値IRに収束するようなデータである。
【0046】例えば、ロジック回路236 は、比較結果デ
ータDCが+方向に推移する場合には、それを−方向に
推移するような制御データDLを出力し、当該データD
Cが−方向に推移する場合には、それを+方向に推移す
るような制御データDLを出力する。D/A変換器237
は制御データDLに基づいて参照電圧VOUT を発生し、
それをI/V変換器231 に出力する。
【0047】タイミング発生回路24は基準クロック信
号CKに基づいてトリガ信号TPi,クロック信号CK
1,CK2を発生し、それらをパルス発振器22A,サン
プルホールド回路233 及びA/D変換器234 に出力す
る。RAM25は、被測定データDOUT を格納する。レ
ジスタ26は電流設定データDRを保持する。このデー
タDRは探針11Aの電流設定パラメータであり、トンネ
ル電流Itを設定することができる。
【0048】次に、本発明の各実施例に係る電圧波形測
定方法について、装置の動作を説明する。図6は、本発
明の各実施例に係る電圧波形の測定フローチャートであ
り、図7は、その測定フローチャートの補足説明図であ
る。図8は、その参照電圧対被測定電流の関係図をそれ
ぞれ示している。例えば、試料16と探針11Aとの間に
流れるトンネル電流Itを監視し、試料16に供給した
クロック信号TCKに基づいて発生する測定点の電圧波
形を測定する場合、図6に示すように、まず、ステップ
P1で基準位相φ0に対して測定位相φiを設定する。
これは、試料16の信号波形の基準位相φ0に対する測
定位相φ1〜φ6のトリガ信号TP1〜TP6φを生成
し、このトリガ信号TP1〜TP6に基づくレーザ光L
を発生するためである。
【0049】なお、測定位相φiの設定によって、タイ
ミング発生回路24により、基準クロック信号CKに基
づくトリガ信号TP0,クロック信号CK1及びCK2
が発生され、それらがパルス発振器22A,サンプルホー
ルド回路233 及びA/D変換器234 にそれぞれ出力され
る。次に、ステップP2でレーザ光Lによってチョッピ
ングされた被測定電流Iを取り込む。ここでは、試料1
6の測定点に位置合わせされた探針11Aが、ピエゾ素子
11Bにより駆動されてプロービングされる。このとき、
探針11Aの変位が検出部11Cにより検出され、変位検出
信号SPがフィードバック駆動部11Dに出力される。変
位検出信号SPに基づいてピエゾ素子11Bが当該駆動部
11Dにより出力制御される。これにより、トンネル電流
It等の一定制御が可能となる。
【0050】また、トリガ信号TP0に基づいてパルス
発振器22Aは、f+Δfのパルス列を発生し、これに基
づいてレーザ光源22Bはレーザ光Lをチョッピングす
る。このレーザ光Lは光導電素子12を励起し、瞬間的
に探針11A間を導通状態にする。これにより、試料16
と探針11Aとの間に流れるトンネル電流Itがチョッピ
ングされる(第4の信号波形測定方法)。
【0051】なお、探針11Aを試料16に押し当ててオ
ーミックコンタクトをし、オーミックコンタクトに基づ
いて試料16と探針11Aとの間に被測定電流Iを発生し
ても良い(第3の信号波形測定方法)。次いで、ステッ
プP3で被測定電流I又はトンネル電流Itと参照電圧
VOUTXとに基づいて被比較電流値IXを発生する。例
えば、参照電圧VOUT を基準にしてトンネル電流Itが
I/V変換器231 により被サンプル電圧Voに変換され
る。VOUT ±IRが測定位相φiの被サンプル電圧Vo
となる。これは絶対電圧ではない。
【0052】また、被サンプル電圧Voが積分器232 に
より積分され、それがクロック信号CK1に基づいてサ
ンプルホールド回路233 の容量に充電される。また、充
電された被サンプル電圧Voは、クロック信号CK2に
基づいてA/D変換器234 によりA/D変換されて被測
定データDOUT となる。これにより、試料16の測定電
圧の演算基礎となる参照電圧VOUT Xに基づいてチョッ
ピングされたトンネル電流Itをサンプリングすること
ができる。
【0053】次に、ステップP4で被比較電流値IXと
電流設定値IRとを比較する。この際に、電流値IXが
設定値IRよりも大きい場合(YES)には、ステップP
5に移行して、制御データDLを小さくする。また、電
流値IXが設定値IRよりも小さい場合(NO)には、
ステップP6に移行して、制御データDLを大きくす
る。
【0054】具体的には、レジスタ26から比較器235
に電流設定データDRが転送されると、比較器235 では
被測定データDOUT と電流設定データDRとが比較さ
れ、比較結果データDCが制御ロジック回路236 に出力
される。ここで、制御ロジック回路236 では、比較結果
データDCがデコードされ、制御データDLがD/A変
換器237 に出力される。
【0055】その後、ステップP7で比較結果に基づい
て被比較電流値IXを電流設定値IRに収束させる参照
電圧VOUT Xを発生する。例えば、制御データDLの内
容は、図5(C)に示すようなサンプリング回数nに対
して被測定電流Iを電流設定値IRに収束するようなデ
ータである。具体的には、比較結果データDCが+方向
に推移する場合には、それを−方向に推移するような制
御データDLが、ロジック回路236 からD/A変換器23
7 に出力される。反対に比較結果データDCが−方向に
推移する場合には、それを+方向に推移するような制御
データDLがD/A変換器237 に出力される。この制御
データDLに基づいて参照電圧VOUT がD/A変換器23
7 により発生され、それがI/V変換器231 に出力され
る。
【0056】次いで、ステップP8で測定位相φiにつ
いてサンプリング回数nを実行したか否かを判断する。
この際に、例えば、測定位相φ1について回数nを実行
した場合(YES)には、ステップP9に移行し、回数n
を実行しない場合(NO)には、ステップP2に戻っ
て、被測定電流Iを取込み、サンプリングを継続する。
これは、基準位相φ0と測定位相φ1とで規定する1サ
イクル周期に多数サンプリングを行う場合であり、この
際に、図5(C)に示すように、最初の数回から数百回
程度では、参照電圧VOUT を比較的大きく変化させて、
被測定電流Iを取込み、その後、回数nに近づく程、被
測定電流Iを最適な値になるように参照電圧VOUT を小
さく変化させる。
【0057】また、ステップP9では測定位相φiを変
更するか否かを判断する。この際に、例えば、測定位相
φ1からφ2に変更する場合(YES)には、ステップP
1に戻って、新たな測定位相φ2を設定する。本発明の
実施例では残りの測定位相φ3〜φ6についてサンプリ
ングを行う。それを変更しない場合(NO)には、ステ
ップP11に移行する。なお、ステップP3で得られた被
測定データDOUT は、ステップP10でメモリ加算をす
る。具体的にはRAM25に、被測定データDOUT が格
納され、適当な回数nだけ積算される。これにより、被
測定データDOUTの信号対雑音比〔観測S/N比〕を改
善することができる。
【0058】また、ステップP11では試料16の電圧波
形を再現する。例えば、図7に示すようにトリガ信号T
P0〜TP6により取得した各測定位相φ0〜φ6の演
算データがプロットされ、試料16の電圧波形VXが再
現される。ここで、Vrは絶対電圧Vrであり、Voff
はオフセット電圧である。その後、ステップP12で波形
測定の終了判断をする。波形測定が終了していない場合
(NO)には、ステップP1に戻ってサンプリングを継
続する。(YES)により測定を終了する。
【0059】このようにして、本発明の第1の実施例に
係る信号波形測定装置によれば、図1に示すように、ピ
エゾ駆動装置21,パルス発振器22A,レーザ光源22
B,サンプリング装置23,タイミング発生回路24,
RAM(随時書込み/読出し可能なメモリ)25及びレ
ジスタ26を備える。このため、サンプリング対象とな
った被測定電流Iをサンプリング装置23により、参照
電圧VOUT Xに基づいてフィードバック制御をすること
により、電流設定値IRに収束させることが可能とな
る。このことで、図8(B)に示すように、絶縁破壊領
域Bに至らない電流設定値IRを設定すると、トンネル
領域Aにおいて、トンネル電流Itをある一定値になる
ように、サンプリングすることができる。
【0060】また、トンネル電流Itの印加電圧とギャ
ップ距離とに対する非線形性が信号波形測定に反映され
なくなるため、高精度な電圧波形測定を行うことが可能
となる。また、本発明の装置によれば、ピエゾ駆動装置
21の探針11Aが変位検出信号SPに基づいてフィード
バック駆動部11Dにより出力制御される。このため、試
料16と探針11Aとの間に流れるトンネル電流Itが一
定制御されることから、参照電圧VOUT に基づいて安定
にトンネル電流Itをサンプリングすることが可能とな
る。
【0061】さらに、本発明の装置によれば、光導電素
子12のオン抵抗が小さい状態でも、その先端の微小電
流を電流設定データDRにより任意に設定することがで
きる。このことで、従来例のように被測定電流Iがコン
タクト抵抗とI/V変換器231 の入力インピーダンスに
よって一義的に決定されることがない。また、I/V変
換器231 の入力をハイ・インピーダンスにでき、試料1
6に過大な負荷を与えない。これにより、板バネ支持の
垂直針方式の探針11Aにより、波形歪みの無い信号波形
を測定することが可能となる。
【0062】また、本発明の測定方法によれば、図6の
処理フローチャートに示すように、ステップP2で試料
16と探針11Aとの間に発生されたトンネル電流It
が、レーザ光Lに基づいてチョッピングされ、その後、
ステップP3で参照電圧VOUTXに基づいてトンネル電
流Itがサンプリングされる。このため、サンプリング
対象となった被測定電流Iを参照電圧VOUT Xに基づい
て、例えば、トンネル電流Itを与える電流設定値IR
に収束させることが可能となる。このことで、極微量の
トンネル電流It等を高精度により取り扱うことができ
る。
【0063】これにより、試料16上の被測定電流I
が、ある一定以上の振幅をもった場合にも、それがトン
ネル領域を越えた場合にも、トンネル電流Itが電流設
定値IRに収束するため、試料16のリニアな電圧測定
をすることが可能となる。例えば、試料16へのクロッ
ク信号TCKを固定し、図8(A)に示すように、参照
電圧VOUT Xをスイープして、被測定電流値Iが最小に
なる参照電圧VOUT 1を探索する。また、電流設定値I
Rが得られる参照電圧VOUT 2を探索し、両参照電圧V
OUT 1,2からオフセット電圧Voff を演算する(第5
の信号波形測定方法)。
【0064】さらに、試料16へのクロック信号TCK
に対する被比較電流値IXが得られる参照電圧VOUT X
を探索し、参照電圧VOUT Xからオフセット電圧Voff
を減算する(第6の信号波形測定方法)。これにより、
ステップP11でトンネルモードであって、完全にオーミ
ックコンタクトしていない状態でも、試料16の絶対電
圧Vrを正確に測定することが可能となる。
【0065】(2)第2の実施例の説明 図9は、本発明の第2の実施例に係る電圧波形測定装置
の構成図を示している。第2の実施例では第1の実施例
と異なり、ステージ駆動部34,モニタ35及びカンチ
レバー方式の探針31Aが設けられる。すなわち、本発明
の第1,第3及び第4の信号波形測定装置を組み合わせ
た非接触型の電圧波形測定装置は、図9に示すように、
カンチレバー方式の探針31A,ピエゾ素子31B,検出部
31C,フィードバック駆動部31D,光導電素子32,パ
ルス発振器32A,レーザ光源32B,I/V変換器331 ,
積分器332 ,サンプルホールド回路333 ,A/D変換器
334 ,比較器335 ,制御ロジック回路336 ,A/D変換
器337 ,ステージ駆動部34,モニタ35,レジスタ3
6及びタイミング発生回路37を備える。
【0066】ステージ駆動部34は走査手段14の一例
であり、試料16をXY方向に走査するものである。走
査手段14はカンチレバー,探針31A,ピエゾ素子31B
及び検出部31Cが組み込まれたピエゾ駆動装置を走査す
るものでも良い。モニタ35は表示手段15の一例であ
り、走査により得られる探針11Aの変位量に基づいて試
料16の画像情報を出力する。なお、第1の実施例と同
じ名称のものは、同じ機能を有するため、その説明を省
略する。
【0067】このようにして、本発明の第2の実施例に
係る電圧波形測定装置によれば、試料16がステージ駆
動部34により走査され、この走査により得られる探針
31Aの変位量に基づいて試料16の画像情報がモニタ3
5に出力される。このため、試料16の表面像と、その
電圧波形とを同時に取得することが可能となる。例え
ば、バネ定数の小さなカンチレバーを用いて配線上に数
十Å程度の空気酸化膜等が残留する試料16の信号波形
を測定する場合に、モニタ35の表面像の情報から任意
の測定点にプローブビングすることができる。また、従
来例のように探針31Aを絶縁層に突き当てたり、探針先
端に大きな力を加える必要もない。また、極微量のトン
ネル電流Itを参照電圧VOUT に基づいてI/V変換器
331 ,積分器332 ,サンプルホールド回路333 ,A/D
変換器334 ,比較器335 ,制御ロジック回路336 及びA
/D変換器337 によりサンプリングすることが可能とな
る。
【0068】これにより、配線と探針先端部との間に流
れるトンネル電流を観察することにより、波形歪みのな
い信号波形を測定することが可能となる。また、針先の
接触部分及び試料16の配線パターン等の金属表面が所
定形状に保護され、探針31Aの寿命を長くすることが可
能となる。
【0069】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の信号波形
測定装置によれば、試料と探針との間隔を調整するピエ
ゾ駆動手段と、その間に流れる被測定電流を短波長の光
に基づいてチョッピングする光導電素子と、参照電圧に
基づいて被測定電流をサンプリングする信号処理手段と
を備える。
【0070】このため、サンプリング対象となった被測
定電流を参照電圧に基づいて電流設定値に収束させるこ
とが可能となる。このことで、極微量のトンネル電流等
を信号処理手段により高精度に取り扱うことができ、試
料の絶対電圧を測定することが可能となる。本発明の他
の装置によれば、ピエゾ駆動手段のフィードバック駆動
部により試料と探針との間に流れる被測定電流が一定制
御される。このため、参照電圧に基づいて極微量のトン
ネル電流の変化を安定にサンプリングすることが可能と
なる。
【0071】本発明の他の装置によれば、ピエゾ駆動手
段又は試料のいずれかを走査する走査手段と、探針の変
位量に基づいて試料の画像情報を表示する表示手段が設
けられる。このため、試料の表面像と、その電圧波形と
を同時に取得することが可能となり、プロービング位置
の決定が容易になる。本発明の他の装置によれば、バネ
定数の小さなカンチレバー方式の探針や板バネ支持の垂
直針方式の探針を用いた信号波形測定装置を構成するこ
とができる。また、試料の酸化膜等の上から安定なプロ
ービングを行うことが可能となり、針先の接触部分及び
試料の配線パターン等の金属表面が所定形状に保護され
る。
【0072】本発明の信号波形測定方法によれば、試料
と探針との間に発生された被測定電流が、短波長の光に
基づいてチョッピングされ、その後、参照電圧に基づい
て被測定電流がサンプリングされる。このため、被測定
電流が参照電圧に基づいて電流設定値に収束されること
から、探針の先端電流を電流設定データにより任意に設
定することができる。また、試料上の信号波形が、ある
一定以上の振幅をもった場合にも、被測定電流を電流設
定値に収束させることができるため、試料のリニアな電
圧測定をすること、及び、高速な信号波形を再現するこ
とが可能となる。
【0073】また、本発明の他の方法によれば、試料上
に空気酸化膜等の絶縁層が残留している場合にも、トン
ネル電流が参照電圧に基づいてサンプリングされる。こ
のことから、試料上に探針を強く押しつける必要がな
く、針先が先鋭度の高い所定形状に維持される。これに
より、原子レベルのプロービング機能を備え、ICやV
LSI等の高速な信号波形を測定するトンネル電流型及
び原子間力型の信号波形測定装置の提供に寄与するとこ
ろが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る信号波形測定装置の原理図(その
1)である。
【図2】本発明に係る信号波形測定装置の原理図(その
2)である。
【図3】本発明に係る信号波形測定方法の原理図であ
る。
【図4】本発明の第1の実施例に係る電圧波形測定装置
の構成図である。
【図5】本発明の各実施例に係る電圧波形測定装置の補
足説明図である。
【図6】本発明の各実施例に係る電圧波形の測定フロー
チャートである。
【図7】本発明の各実施例に係る測定フローチャートの
補足説明図である。
【図8】本発明の各実施例に係る参照電圧対被測定電流
の関係図である。
【図9】本発明の第2の実施例に係る電圧波形測定装置
の構成図である。
【図10】従来例に係る第1のIC検査装置の構成図であ
る。
【図11】従来例に係る第2のIC検査装置の構成図であ
る。
【符号の説明】
11…ピエゾ駆動手段、 11A…探針、 11B…ピエゾ素子、 11C…検出部、 11D…フィードバック駆動部、 12…光導電素子、 13…信号処理手段、 13A…データ出力手段、 13B…データ比較手段、 13C…制御手段、 14…走査手段、 15…表示手段、 VOUT …参照電圧、 DOUT …被測定データ、 DR…電流設定データ、 DC…比較結果データ、 I…被測定電流、 It…トンネル電流、 SP…変位検出信号。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 善朗 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 梅原 康敏 宮城県仙台市青葉区上愛子字松原48番2 株式会社アドバンテスト研究所内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料(16)と探針(11A)との間隔を
    調整するピエゾ駆動手段(11)と、前記試料(16)
    と探針(11A)との間に流れる被測定電流(I)を短波
    長の光(L)に基づいてチョッピングする光導電素子
    (12)と、前記試料(16)の測定電圧の演算基礎と
    なる参照電圧(VOUT )に基づいて被測定電流(I)を
    サンプリングする信号処理手段(13)とを備えること
    を特徴とする信号波形測定装置。
  2. 【請求項2】 前記信号処理手段(13)は、参照電圧
    (VOUT )を基準にして電圧に変換された被測定電流
    (I)をサンプリングし、被測定データ(DOUT )を出
    力するデータ出力手段(13A)と、前記被測定データ
    (DOUT )と電流設定データ(DR)とを比較して比較
    結果データ(DC)を出力するデータ比較手段(13B)
    と、前記比較結果データ(DC)に基づいて参照電圧
    (VOUT )を出力する制御手段(13C)とを有すること
    を特徴とする請求項1記載の信号波形測定装置。
  3. 【請求項3】 ピエゾ駆動手段(11)は、探針(11
    A)を駆動するピエゾ素子(11B)と、前記探針(11
    A)の変位を検出し変位検出信号(SP)を出力する検
    出部(11C)と、前記変位検出信号(SP)に基づいて
    ピエゾ素子(11B)の出力制御をするフィードバック駆
    動部(11D)とを有することを特徴とする請求項1記載
    の信号波形測定装置。
  4. 【請求項4】 ピエゾ駆動手段(11)又は試料(1
    6)のいずれかを走査する走査手段(14)と、前記走
    査により得られる探針(11A)の変位量に基づいて試料
    (16)の画像情報を出力する表示手段(15)とが設
    けられることを特徴とする請求項1記載の信号波形測定
    装置。
  5. 【請求項5】 ピエゾ駆動手段(11)は、少なくと
    も、カンチレバー方式又は垂直針方式のいずれかの探針
    (11A)を有することを特徴とする請求項1記載の信号
    波形測定装置。
  6. 【請求項6】 試料(16)と探針(11A)との間の距
    離を調整して被測定電流(I)を発生し、前記被測定電
    流(I)を短波長の光(L)に基づいてチョッピング
    し、前記試料(16)の測定電圧の演算基礎となる参照
    電圧(VOUT X)に基づいて被測定電流(I)をサンプ
    リングすることを特徴とする信号波形測定方法。
  7. 【請求項7】 前記被測定電流(I)のサンプリング
    は、被測定電流(I)及び参照電圧(VOUT X)を入力
    して被比較電流値(IX)を発生し、前記被比較電流値
    (IX)と電流設定値(IR)とを比較し、前記比較結
    果に基づいて被比較電流値(IX)を電流設定値(I
    R)に収束させる参照電圧(VOUT X)を発生すること
    を特徴とする請求項6記載の信号波形測定方法。
  8. 【請求項8】 前記被測定電流(I)のサンプリングの
    際に、試料(16)と探針(11A)との間の距離を調整
    してトンネル電流(It)を発生させることを特徴とす
    る請求項6記載の信号波形測定方法。
  9. 【請求項9】 前記被測定電流(I)のサンプリングの
    際に、探針(11A)を試料(16)に押し当ててオーミ
    ックコンタクトをし、前記オーミックコンタクトに基づ
    いて被測定電流(I)を発生させることを特徴とする請
    求項6記載の信号波形測定方法。
  10. 【請求項10】 前記被測定電流(I)のサンプリングの
    際に、試料(16)の信号波形に対する測定位相(φ
    i)を可変したサンプリング信号(TPi)を生成し、
    前記サンプリング信号(TPi)に基づくレーザ光
    (L)によりON/OFF制御することを特徴とする請求
    項6記載の信号波形測定方法。
  11. 【請求項11】 前記被測定電流(I)のサンプリングの
    際に、試料(16)への供給信号を固定し、前記固定さ
    れた試料(16)に対する参照電圧(VOUTX)をスイ
    ープして、被測定電流値(I)が最小になる第1の参照
    電圧(VOUT1)を探索し、かつ、電流設定値(IR)
    が得られる第2の参照電圧(VOUT 2)を探索し、前記
    第1及び第2の参照電圧(VOUT 1,2)からオフセッ
    ト電圧(Voff )を演算することを特徴とする請求項6
    記載の信号波形測定方法。
  12. 【請求項12】 前記被測定電流(I)のサンプリングの
    際に、試料(16)への供給信号に対する被比較電流値
    (IX)が得られる参照電圧(VOUT X)を探索し、前
    記参照電圧(VOUT X)からオフセット電圧(Voff )
    を減算することを特徴とする請求項6記載の信号波形測
    定方法。
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