TWI272872B

TWI272872B - Dual panel-type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same

Info

Publication number: TWI272872B
Application number: TW092134739A
Authority: TW
Inventors: Sung-Joon Bae; Jae-Yong Park
Original assignee: Lg Philips Lcd Co Ltd
Priority date: 2002-12-13
Filing date: 2003-12-09
Publication date: 2007-02-01
Also published as: NL1025012C2; JP4057517B2; TW200410592A; DE10357472A8; NL1025012A1; CN100355084C; GB2396245B; GB2396245A; US20050127825A1; US7211944B2; JP2004200167A; DE10357472B4; GB0328911D0; CN1509128A; DE10357472A1

Description

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五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】本發明係關於-種平面顯示裝置，特別係關於一種雔面板型有機電致發光顯示裝置及其製作方法。裡又【先前技術】 / 液晶顯示器（LCD )由於其重量輕以及低消耗特性已經漸漸成為平面顯示裝置的主流。然而，μ 、器並非自#光元件，而是需接收額外的光源所發以顯不影像。因此，液晶顯示器在改善亮度、對比 .角以及放大面板尺寸上是存有技術上的限制。所以二：決前述的問題便需研發新種類的平面顯示器。為解有機電致發光顯示裝置（〇rgani c 1 electroluminescent display ，〇ELD)由於 =器士所以其視角以及對比度均較液晶顯示裝置=的= 外，由於0ELD不需要如背光模組等裝置以作二匕 0ELD可具有較輕的重量、較小的二使侍率。再者，0ELD可由低壓直冶雷來驅動=古、消耗功時間’而且0ELD並非利用如液晶等液態材料而是固能-料，所以相較於LCD較能承受外部的撞擊以及的^才溫度範圍。相較於LCD亦具有較低的製造成本；^作如，0ELD通吊僅需要沈積及封裝的機 L⑶卻需要較多的製造機台。此外侧的製二二’而於LCD的製造流程亦較為簡單。％相車父 ^ 〇ELD通f可分為被動矩陣0ELD以及主動矩陣0ELD。谓的被動矩陣0ELD係透過掃瞄線與訊號線在矩陣架構中互

第9頁 1272872 五、發明說明（3) 面相結合，結合後的電子.與電洞將具有較低的能階。便利用此種電子與電洞相結合後的能階變化一。此外，〇ELD可藉由發光的方向而分為底發光型OELD 與頂發光型OELD。「第2圖」所示，為傳統底發光型〇ELD的局部剖視 =一如圖所不.一畫素P係包括有複數個子晝素^以分 m、G、B等三原色，且第—基板1G與第二基板3〇係相开置。卜基板10或第二基板30上係設有-密封圖 / 〇，错以接合弟一基板10與第二基板30，並防止兩基板之間的液晶露出。第一基板丨0之透明基板丨上的各個子苎素SP係分別設有複數個薄膜電晶體丁以及複數個連接至二 $電晶體T的第一電極12。一連接至薄膜電晶體τ的有機發光層14係設置在薄膜電晶體τ與第一電極12上，其中有機發光層14對應於第一電極12處可分為r、G、Β等三個區域，此外，有機發光層14上係設置有一第二電極16，則透過第一電極1 2與第二電極1 6可施加一電場至有機發光層，第二電極16係透過前述的密封圖形4〇以與第二基板3〇相隔離。第二基板1 6的内側係透過_半透明的膠帶^合有除濕劑。

當第一電極12作為陽極而第二電極16作為陰極時，第 —電極1 2係由透明導體所組成，而第二電極丨6則由低功率的材料所組成。有機發光層1 4係包括有一電洞注入層 14a、一電洞傳輸層14b、一發光層14c以及一電子傳輸層 I4d所組成。其中發光層14c係對應各子晝素讣配置有r :

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五、發明說明（4) G、B三原色的發光材料。「第3圖」所示，為「第2圖」中子晝素”的局部放大圖’如圖所示：此子晝素sp係包括有一發光區、一TFT區以及一儲存電容區。在TFT區中，透明基板i上係設置有一半導體層62、一閘電極68、一源電極8〇以及一汲電極82，攸而形成一薄膜電晶體T (如弟2圖所示）。自電源供應線 (圖中未示）延伸出的電源電極7 2以及有機電致發光二極體£係分別連接至源電極80與汲電極82。在儲存電容區中’與半導體層6 2材質相同的電容電極6 4係設置在電源電極7 2的下方，而絕緣層則設置在電源電極7 2與電容電極6 4 _ 之間’則電源電極7 2、絕緣層以及電容電極6 4即共同形成一儲存電容。在發光區中，有機電致發光二極體E係包括有一第一電極12以及一第二電極16，並在第一電極12與第二電極1 6之間設置一有機發光層1 4。「第4圖」所示，為傳統OELD的製造流程圖，如圖所不：首先，步驟ST1係包括有在第一基板上形成如掃瞄線、訊號線、電源線、開關薄膜電晶體以及驅動薄膜電晶體等陣列元件。掃瞄線係沿著一第一方向設置在透明基板上，而訊鉍線與電源線則沿著一垂直於第一方向的第二方向設置在透明基板上，其中訊號線與電源線係相互間隔並_ 分別與掃瞄線相交又。此外，掃瞄線與訊號線的交叉鄰近處係分別設有一開關薄膜電晶體，而掃瞄線與電源線的交叉鄰近處則分別設有一驅動薄膜電晶體。步驟ST2係包括有在各子晝素内圖案將第一電極以作

1272872 五、發明說明（5) —___ — 為有機電致發光二極體的第一組成部分、接至驅動薄膜電晶體。刀’此第一電極係連步驟S T 3係包括有在第一電極上形& 為有機電致發光二極體的第二組成部^分。^幾發光層以作陽極時，有機發光層係在第一電極的^當第一電極作為注入層、電洞傳輸層、發光層以及電子^ : ^序形成電動步驟ST4係包括有在發光層上形成一 1一有機電致發光二極體的第三組成部分，其弟―電/蛋以作為置於整個第一基板的表面以作為一接地電極。電本係。又

^ ^ ^ ^ 丞敗興第二基板，從 :第-基板受外部撞擊，以及防止有機發光層因外二而損壞。所以，第二基板的内表面可在設】有: “一底發光型OELD係將設置有陣列元件層以及有機電 ^ 一極體亚完成封裝的基板接合至一額外的封裝基板。ς 陣列兀件層與有機電致發光二極體設置在同一個基板上田時，面板的產能即取決於陣列元件層與有機電致& f個別的產月b。其中尤以有機電致發光二極體的產能影塑最大。因此，當厚度丨〇〇〇 A的薄膜成形因純度不足而掣^ 出有瑕疵的有機電致發光二極體時，此面板即被歸類為

良品，從而造成資源浪費與產品成本增加，並因而降低產能。 -J ^底發光型0ELD的優勢在於其高影像穩定度以及多種製造方法。然而，底發光型0ELD由於其開口率提升的限制广

第13頁 1272872 五、發明說明（6) ------ 使得其無法執行高解析度的影像處理。此外，由於頂發光型OELD係透過基板向上發出光線’使得所發出的光線^不會受到設置在發光層底部的薄膜電晶體的影鉋。相岸地，薄膜電晶體的設計即可因而簡化。再者，透過開口率的提升’即可有效延長OELD的使用壽命。然而，由於頂發光型 OELD通常係將陰極設置在發光層上，使得材料的選^與透光性均受到了限制，從而降低了透光度。若是透過薄膜鈍化層來防止透光度的下降’又容易因薄膜鈍化層造成外部. 空氣侵入到裝置内。【發明内容】秦因此’本發明係提供一種雙面板型有機電致發光顯示裝置及其製作方法，藉以解決並規避習知技藝所造成的限制及缺失。本發明的目的在於提供一種雙面板型有機電致發光顯示裝置’此顯示裝置具有改良之電極結構。本發明的另一目的在於提供一種雙面板型有機電致發光顯示裝置’此顯示裝置具有改良之接觸電極（c 〇 n t a C ^ electrodes) 〇本發明的目的在於提供一種雙面板型有機電致發光顯示裝置之製作方法，此製作方法具有改良之電極結構。鲁本發明的另一目的在於提供一種雙面板型有機電致發光顯示裝置之製作方法，此製作方法具有‘改良之接觸電極。有關本發明的特徵、組成元件與實作，將配合圖示作

第14頁 1272872 五、發明說明（7) 乘佳貫施例洋細說明如下你/土 4 審視本說明書而了解本於明^熟省本項技藝人士可藉由因此，為達上；ΐ;明=術手段及實施方式。電致發光顯示裝置：：丄i發明所揭露之雙面板型有機此基板之表面具有複數個子晝素，一篦一敬陣列元件層，此陣列元件、土板上之素之薄膜電晶體，二^有複數個對應於各個子晝此接觸電極係連接於：中於列兀件層上之接觸電極’ 置於此第二基板薄膜電晶體，-第-電極係設形成於各個子晝素之邊緩=一絕緣層及一電極隔離部係電極之下方，带—區域’而此絕緣層係形成於第一 . 電極隔離部係形成於絕緣声之下古 ^ 有機發光層及一第二雷托〃 /风於上、、象層之下方，與一極隔離部包括有一第一 ^係形成於各個子晝素上，而此電第-區域内包括有ί圖开:ί播一第…與-第三區域，成此有機發光層盘第fif構，以分別於各個子晝素中形結構，以於此電極隔離部丄此第二區域内包括有-圖形極，而第三區域内包括;:直接連接此接觸電極與第二電之-第二電極部盘第4 =形結構，以防止第-區域内情形，此外黛弟；^域内之-第二電極部產生短路的極。弟一區域内之第二電極係連接於接觸電法，：板型有機電致發光顯示裝置的製作方板包括右:ΐί第一基板與一第二基板，此第-基具有一有嫌:有一薄膜電晶體之陣列元件層，而第二基板有钱電致發光二極體，而一接觸電極係位於此第一

第15頁 1272872 五、發明說明（8) 基板與第二個子晝素之基板之第二基緣形成一絕緣層及，此方法包含下上形成一第一電有機發光層割；其中此一第三區域其寬度係由隔離部具有之弟一侧邊區域之電極一區域與第區域内，並而本發作方法，係數個薄膜電個第一子晝體之接觸電電與一第二電電極隔離部此第下表非對隔離部二區域與接觸明之另包含下晶體之素，於極，於形成一第一電極素，於各第及一電極隔一有機發光一子晝離部，層與一第面至稱結向該具有之間電極一雙列步陣列此陣具有而各素與於各極隔離極，並包含有域之電一上表構，此第一侧複數個，及其連接。面板型驟.於元件層列元件複數個個第二各第二第一子部，及藉由此一第一極隔離面漸增非對稱邊傾斜彼此分中此第列步驟極，於於各子電極隔區域、部係為，而第結構具之第二離之凹二電極 :於具有複數各子晝素之邊晝素上形成一離部加一第二一梯形二區域有一反侧邊，部，且係形成有機電致發光顯示裝一第一基板上形成一割’最後連接此第包含有一第一區域之電極隔離部係為一梯一基，而此層上形第二子子晝素子畫素晝素與電極，並藉由板與第二基板第二區域與一形結構，其寬第一基成一連晝素之係對應之邊緣各第二此電極 :其中第三區度係由板上具接於薄一第二於各第形成一子晝素隔離部此電極域，第一下表以分區域與結構，之電極向傾斜而第三位於第於第二置的製具有複有複數膜電晶基板上一子晝絕緣層上形成加以分隔離部 —區域面至一

第16頁 1272872 五、發明說明（9) 一 ---- 上表面漸增，而第二區域之電極隔離部具有一非對稱結 Ϊ 2 Ϊ對稱結•具有—&向傾斜之第-㈣與-朝；該、-H ^ j傾斜之第二侧邊，而第三區域之電極隔離部具有 ^固j此分離之凹部，且位於該第一區域與該第二區域 a ”中此第二區域内之第二電極係連接於此接觸電極0 本發明前述之說明及以下的詳細說明，均係作為實施例以供了解本發明的技術内容。【實施方式】以下所述者，僅為本發明之較佳實施例，並非用以限制本發明之技術範疇及應用範圍。明參考「第5圖」所示，為本發明雙面板型有機電致叙光顯示叙置之剖視示意圖，為簡化方便，圖中所示之雙面板型有機電致發光顯示裝置僅標示出驅動薄膜電晶體及其附近的元件，而未標示出儲存電容以及開關薄膜電晶體，如圖所示：第一基板110與第二基板15〇係相隔並^立配置，且兩基板1 1 〇、1 5 〇間係設置有複數個子畫素sp，第一基板110上設有一陣列元件層14〇，陣列元件層14〇設有複數個分別對應於各子晝素SP的薄膜電晶體打丁，而陣列元件層140上則設有連接至薄膜電晶體τ的接觸電極132。 _ 第二基板150的内侧面設有一第一電極丨52，各個子書素sp 的邊緣則分別設有一絕緣層1 5 4以及一電極隔離部丨5 6，各子晝素SP之電極分離部1 5 6間則在不需額外圖案製程的情形下，設有一有機發光層158以及一第二電極16〇\則第一

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電極152、第二致發光二極體E 電極160與發光層158可共同構成一有機

雖未於圖中明示，+ 之週緣形成一框羊社構電極隔離部156係沿著子晝素sp 以及第三’亚可區分為第一區域、第二區域子晝素：第：電域=極隔離部係用以隔離兩相鄰一弟〜區域則位於接觸電極132接觸第 ^電極160處。位於第—區域與第二區域之間的則用以防止相鄰子晝素的第二電極電性短路。電極—隔離成 156係對應於其第二區域，而接觸電極132

子晝素SP的第二電極16〇的底面。運接至各密封圖形1 7 0係設於第一基板1 1 〇或第二基板1 5 〇上，用以將兩基板110、150相接合。相接合的兩基板、丨Μ 之間則可注入惰性氣體或液體，藉以防止〇ELD的多層結接觸到外部空氣與濕氣。第一基板i i 〇的上表面設有一緩衝層112，而緩衝層112上對應各子晝素讣處則設有一半體層114，此半導體層114係具有一主動區域t、一源區域 11以及一汲區域111。源區域丨丨以及汲區域丨丨丨係設置於主動區域I的兩侧，而主動區域丨上則依序設有一閘絕緣層 11 6及一閘電極11 8。曰第一基板11 0上設有閘絕緣層丨丨6與閘電極丨丨8的整個_ 表面係形成有一第一鈍化層1 24，此第一鈍化層丨24係具有一第一接觸孔120與第二接觸孔122，藉以分別曝露源區域 I I與汲區域11 I。第一鈍化層1 24並設有分別透過第一接觸孔1 2 0與第二接觸孔1 2 2電性連接至源區域π與汲區域丨j j

第18頁 1272872 五、發明說明（11) 的源電極126以及汲電極12δ。此外，第二電極與靡128的整個表面係形二:純層具有—第三接觸孔13。以讓雪降、鱼妓鈍化層131並設有一透過第三接觸孔130以電性連接至汲電極丨28的接觸電極132。接觸電極132係與吕又在電極隔離部1 5 6下的® φ τΐ：·*；； 1 Pi π > — a 啡I i 3 ϋ卜扪弟一電極丨6 0之底部相觸接，從而使電流可經汲電極丨28流通至第二電極16〇。則半導體層 114、閘電極118、源電極126以及汲電極128可共同集成而為一驅動薄膜電晶體T。雖然圖中未示，但連接至驅動薄膜電晶體T的儲存電容與連接至驅動薄膜電晶體7閘電極 118的開關薄膜電晶體可集成而為一子晝素sp。一士「第6圖」所示，為本發明雙面板型有機電致發光顯不裝置的平面示意圖，如圖所示：分別用以顯示紅光 (R )、綠光（G )、藍光（B )的子晝素邊緣係設有一電極隔離部2 1 0，而第二電極2 1 2則透過電極隔離部2 1 〇的隔離’分別設置在各個子晝素SP内。此電極隔離部2丨〇係分為第一區域IV、第二區域v以及第三區域VI。第一區域IV 係用以分離各子晝素SP的第二電極212，而第二區域V則用以將接觸電極（圖中未示）連接至設於電極隔離部下的第二電極212，第三區域VI係設於第一區域IV與第二區域V之間’用以防止第二電極212在第一區域IV與第二區域V間電性短路。具有第一區域丨v、第二區域V以及第三區域v I的電極隔離部2 1 0可為一體成形（如第6圖所示），但各區域可具有不同的圖形結構。

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第7A圖」所示’為第6圖中沿A-A線切開之剖視示意圖’ 「第7B圖」所示，為第6圖中沿B-B線切開之剖視示意圖’ 「第7C圖」所示，為第6圖中沿c — c線切開之剖視示意圖’ 「第Μ圖」至「第7C圖」分別代表第6圖中的第一區域I V、第二區域V以及第三區域VI。在「第7A圖」中，一定義有複數個子畫素SP的基板250上係設有一第一電極 2 5 2 ’第一電極2 52上對應相鄰子畫素SP邊緣區域處係依序，有一絕緣層2 5 4與一電極隔離部2 5 6，有機發光層2 5 8與第二電極2 6 0則透過電極隔離部256的隔離設置在各個子晝素SP内。 —

在「第7 A圖」中，對應於第一區域丨v的電極隔離部 2= 6^及其圖形結構係為寬度從電極隔離部2 5 6的底部向頂部變寬的梯形圖形。透過電極隔離部25 6的隔離，各子晝素 sp内依序設有一有機發光層258與一第二電極26〇。因此當有機發光材料25 7與第二電極材料2 5 9依序設置在基板25() 上時，電極隔離部25 6係用以作為一遮罩以防止殘餘的有機發光材料257及第二電極材料25 9與有機發光層258及第 :電極26 0相觸接，從而使有機發光材料2 5 7與第二電極材料2 5 9維持在電極隔離部2 5 β的上表面。 # $ /1第7B圖」中，電極隔離部2 5 6相對於設於其下絕 % ί!曰二心線而吕，係為一非對稱的結構。第二電極 26 0係在電極隔離成形㈣域與接觸電才虽（圖巾未示）相 m亦：，電極隔離部256的第-側邊係為-類似於第 7A圖中之電極隔離部2 5 6其傾斜的樣子(tapered shape)

1272872 五、發明說明（13) 而電極隔離部2 5 6的第二側邊也具有相同傾斜的樣子，電極隔離部256左邊之有機發光層258與第二電極260與其右邊相鄰子晝素S P之有機發光層2 5 8與第二電極2 6 0係為電性隔絕。此外，有機發光層258與第二電極2 6〇係沿著一斜邊及電極隔離部2 5 6之上表面形成。而電極隔離部2 5 6係形成於一非發光區内，而第二電極2 6 0係形成於電極隔離部2 5 6 之上表面且直接與接觸電極相連結。由於電極隔離部2 5 6 係形成於非發光區内，因此，接觸電極可直接與第二電極 2 6 0構成電性連接，而不需在接觸電極與第二電極26〇之間多形成一層額外的連接圖形（c〇nnecting patten)。在「第7 C圖」中，電極隔離部2 5 6包含有複數個彼此互相隔離的凹部（depressed portion s)262。因此，在第二區域VI中，有機發光材料25 7與第二電極材料2 5 9係連續地形成於電極隔離部2 5 6之上，且形成於凹部2 6 2之上部。在第二區域V中之有機發光材料25 7與第二電極材料2 5 9即为別作為有機發光層2 5 8與第二電極2 6 0。此外，此凹部 2 6 2係形成有一高度，以不與絕緣層2 5 4接觸，而此凹部 2 62之製作方式可利用微影過程形成，例如：繞射曝光製. 程（diffraction exposure processes)。第8圖」所示係為製作本發明之雙面板型有機電致發光顯示裝置之製作流程圖。在「第8圖」中，第一步驟 ST1係於一基板上形成一第一電極，以定義出複數個子晝素。而此第一電極係由透明導電材料所形成，例如：氧化銦錫（indium tin oxide)。

第21頁 1272872 五、發明說明（14) 而第二步驟ST 2係於第一電極上之一第一子晝素及與其相鄰之另一子晝間之邊緣區域間形成一絕緣層與一電極隔離部2 56。而此絕緣層係用以改善第一電極與電極隔離部間的接觸特性，且其包含有絕緣材料，例如··矽。舉例而言’絕緣層可由無機絕緣材料所形成，例如：氮化矽 (Silicon nitride ;SiNx)及氧化矽（SiUc〇n 〇xide ; Si02)。、電極隔離部係包含有第一區域、第二區域及第三區域，而在第一區域中的電極隔離部係形成一上寬下窄之壯構，、以分隔各子晝素之有機發光層及第二電極。而在第二區域中的電極隔離部則是形成一非對稱的結構，以於電極隔離成形的區域内使接觸電極與第二電極相連结。而在第三區域中的電極隔離部則是包含有複數個凹部，以防止第一區域與第二區域之第二電極發生短路之情形。定義此電極隔離部圖形的方式可藉由微影製程中將一 J阻材料進行曝光、顯影的製程而形成。❿第三 =隔離部其凹部之形成方式，則是在微影製程之曝光步驟中，赭由繞射曝光方法（diffraction exp〇sure 、 :th〇d)在一些所希望的區域進行選擇性，部。更進一步而t，如果是使用正型光开此成材 =在曝光步驟中接觸到光的部份會在經過顯影處理後：二極f離二暖置放於光阻材料上之具有。^ (sl1卜pattern)的光罩經過曝光的步驟所形成，而^有

1272872 五、發明說明（15) 裂縫圖形的光罩其裂缝圖形係對應於凹部之圖形。而此對應於凹部之裂縫圖形係用以減少通過電極隔離部之凹區域的光密度。 ° 而此第二區域之電極隔離部則具有一對應於一中心線之非對稱結構，第二電極2 6 0係在電極隔離成形的區域“與、接觸電極相連結。.亦即，電極隔離部的第一侧邊係〃向傾斜的結構（inverse-tapered structure)，如此、_ ，丄對應於反向傾斜側邊之第二電極係接近於電極隔—離之反向傾斜側邊。而電極隔離部之第二側邊具有一 =1，對應於此斜面之第二電極係連續地形成於查: 3邊及電極隔離部之表面上。而與第 = 接觸電極係直接與第二電極接觸。兔『連接之一制二ίΠϊ側邊之電極隔離部之形成方式是藉由控 P rt-o !ί ^#^"Kllght transmiss1〇n ::: 光傳輸部之間距，以形成此傾斜結構。舉例而言，若採用正型光阻鉍视… ^ 呈有倾処/H + + 4 卩材枓以形成此電極隔離部，此一有傾斜侧邊之電極隔離部之一離部之t間部份到侧邊部份工，。措由將電極隔輸部之間距而形成。斤％此光傳輸部之寬度及光傳苐二步驟S T 3係於具有雷代阳 1 一有機發光材料及-第二電極"；離部之基板上連續形成成-有機發光層及-第二電極：# ’以於每個子晝素上形. 電極層.係藉由電極隔離部分別：：而此有機發光層及第二電極隔離部係位於每個相鄰的每個子晝素上’而此〕千畫素之邊緣區域。而對應

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五、發明說明（1β) =第=區域之電極隔離部的有機發光声樣形成於具有斜面之㈣及電極隔“ f :冑極層係同隔離部係為一非對稱之結構，以表面，此電極電極接觸。而對應於第— m卜一電極可直接與第二的有機發光材料二第_電二二=第二區域之電極隔離部上 :第二電極層；'“，對應於第二：m有=光層第二電極層。上為=光層及板結構中包含有一雷、、同、、*: 係為一薄板結構，此薄以及一電子傳輸層。：尤層（ …:第9Λ」所示係為製作本發明之雙面板型有機電致么先顯不&置之結構剖面圖。如「第9圖」所示，一 ΓΓ/與美=之一第一圖形314係利用—第-金屬材料形成於一基板310之上。一閘絕緣層316係形成於基板31〇上的整個表面，而此基板31〇上係形成有閘電極M2與第一圖形314。一第一半導體圖形318係覆蓋於閘電極312之上，而一第二半導體圖形32〇係覆蓋於第一圖形314之上，此第一半導體圖形3丨8及第二半導體圖形3 2 〇係分別由第一半V體材料及苐一半導體材料所形成。舉例而言，此第一《半導體圖形318包含有一由主動層318a及一歐姆接觸層 (ohmic contact layer) 31 8b組成之薄板結構，而第二半導體圖形320則是包含有一由第一層320a及第二層320b所組成之薄板結構。此主動層31 8 a與第一層3 2 0 a係包含有非

第24頁 1272872 五、發明說明（17) ·' " ---— =之㈣層31_第二層32〇b則是包含有捧雜有雜貝之非日日矽。源電極322與汲電極3 24係為相互分離，且‘ 形成於歐姆接觸層318b之上。此外，一第三圖形3 2 6係形成於第〃二半導體圖形3 2 0之上，而此源電極3 22、汲電極 3 2 4與，二圖形3 2 6係由相同材料所形成。因此，閘電極 312、第一半導體圖形318、源電極322與汲電極形成一薄膜電晶體T。如「第9圖」所示，一中間層33〇具有一第一接觸孔 3 28以曝露出源電極3 2 2係形成於整個基板3 1〇之表面，而此基板31 0上形成有源電極322、汲電極324與第三圖形 _ 32 6。電源供應線3 32係透過第一接觸孔328而連接於源電極322之一端’而一第四圖形336係形成於中間層33〇之上，且與苐二圖形3 2 6維持一距離，此第四圖形3 3 β係與電源供應線3 3 2使用相同的材料。一鈍化層3 4 〇具有一汲極接觸孔338以曝露出汲電極324係形成於整個基板31 〇之表面，而此基板310上形成有電源供應線33 2及第四圖形 3 3 6。一接觸電極342係透過形成於鈍化層34〇上之汲極接觸孔3 3 8而連接於汲電極3 2 4之一端。雖然圖中未示，此電源供應線33 2係用以提供薄膜電晶體τ之電源訊號。如「第9圖」中所示，接觸電極34 2更可覆蓋至第四圖_ 形336之上。而基板310上第一圖形314、第二圖形320、第三圖开>326、弟四圖形336與接觸電極342重疊之處係形成一投影區域V I I ’而此投影區域ν I I之一第一高度η 1係高於薄膜電晶體區域TR之一第二高度Η2。

第25頁 1272872 五、發明說明（18) 因此，一形成於電極隔離部請參考「第5圖」中所示）下方之第二電極160係直接連接於接觸電極342。此外，第二電極1 6 0 (請參考「第5圖」中所示）係於對應於投影區域VII之範圍内連接於接觸電極342。因此，如果由第圖形314、第一圖形320、第三圖形32β、第四圖形33Θ與接觸電極342組成之高度為Η1之投影區域νπ薄板結構之高度低於薄膜電晶體區域TR之第二高度Η2時，由於接觸電極 342與一上基板（upper substrate)(圖中未示）之距離可能會造成具有某一咼度之電極隔離部156與接觸電極342之連接。此外，對於電極隔離部1 56之高度亦有一定之限制。_ 如果電極隔離部1 5 6無法適當地連接於接觸電極3 4 2，這樣會造成子晝素與其鄰近的子晝素之電性無法導通，而形成一具有缺陷之矩陣元件。為克服上述之問題，此對應於投影區域v I I之薄板結構的第一高度H1需高於薄膜電晶體區域^之第二高度H2。而此弟一圖形314、第二圖形320、第三圖形326及第四圖形3 3 6係不與矩陣元件之任何元件連接，且係與閘電極 312、弟一半導體圖形318、源電極322、沒電極324及電源供應線3 3 2同時形成’並不需要額外的製程。如「第5圖」中所示’此薄膜電晶體τ係為驅動有機電· 致發光二極體E之元件。雖然「第5圖」中所示係為反向搖晃型式之閘結構（inverted staggered-type gate structure)，然而，本發明同樣可應用於具有不同型式之薄膜電晶體的有機電致發光顯示裝置，例如：具有一頂部

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閘結構（top gate s tructure)之薄膜電晶體。「第1 0圖」所示係為製作本發明之雙面板型有機電致餐光顯示裝置另一貫施例之結構剖面圖。如第1 〇圖所示，此有機電致發光顯示裝置包含有一薄膜電晶體區域以及一投影區域V I I I，此薄膜電晶體區域TR中包含有一薄膜電晶. 體T，而此投影區域V I I I中額外包含有一投影圖形 (projected pattern) 442，以增加投影區域yin之薄板結構之冋度。而如弟9圖中所不之許多薄板層，例如：第一圖形3 1 4、第二圖形3 2 0、第三圖形3 2 6及第四圖形3 3 6，皆是用以提高投影區域VI I之薄板結構的第一高度们，而此白馨額外的投影圖形44 2則是用以提高對應於投影區域¥丨丨丨之薄板結構的第一高度HI 1。如「第1 0圖」所示，薄膜電晶體T包含有形成於一基板41 0上之閘電極41 2、半導體層41 8、源電極422與汲電極 4 24。一中間層43 0具有一第一接觸孔428以曝露出源電極 422係形成於整個基板410之表面，而此基板41〇上形成有源電極422與汲電極324。一電源供應線432係透過第一接觸孔428而連接於源電極422之一端。一鈍化層44()具有一汲極接觸孔438以曝露出汲電極424係形成於整個基板4 1〇之表面，而此基板410上形成有電源供應線432。此與薄膜· 電晶體T分離之投影圖形4 4 2係在投影區域ν〗π之範圍内形成於鈍化層440之上。一接觸電極4 44係透過形成於投影圖形442上之汲極接觸孔438而連接於汲電極424及鈍化層44〇之一端。

1272872 五、發明說明（20) 此對應於投影區域V! π之投影圖形442之薄板結構的，一高度Η1 1係高於薄膜電晶體區域^之薄板結構的第二鬲度Η22。而此投影圖形442係由絕緣材料所形成，例如：有機絕緣材料’以形成一較厚的厚度。第11圖」所示係為製作本發明之雙面板型有機電致發光顯不裝置另一實施例之製作流程圖。在第一步驟ST j i 中係於:第二基板上形成一有機電致發光二極體，此有機電致發光二極體包含有複數個電極隔離部，而此電極隔離部内―形成有第-區域、第二區域及第三區立或。舉例而言，在第一步驟ST11中包含有下列步驟：於第一基板及第二基板上定義出複數個子晝素，於第二基板上形成一第一電極在子晝素之邊緣處形成一絕緣層及一電極隔離部，並於每一個晝素上形成一有機發光層與一第二電極。此電極隔離部包含有第一區域、第二區域及第三區 V。：電極隔離部之第一區域係為梯形的形狀，而其相對 ί =具有反向傾斜的表面。而此電極隔離部之第二區域你i π f %形狀，其第一側邊係為反向傾斜，而第二侧邊傾=的。而設置於第一區域與第二區域間之第三區域個凹部。而此具有第一區域、第二區域及第三區 i::;隔離部其定義圖形之方式是藉由繞射曝光方法， ‘此夯S罩以控制光穿透之密度，以形成此電極隔離部，距而i圖案係為根據光傳輸部之寬度及光傳輸部之間而弟二步驟ST12係在一薄膜電晶體區域内形成一薄膜

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五、發明說明（21) 電晶體，並於一彡域之薄板結構。舉衫品^内形成一高度高於薄膜電晶體區電晶體時，其包二例而言’在薄膜電晶體區域内形成薄膜極、一汲電極與1有形成一閘電極、一半導體層、一源電的高度係高於薄膜電，供應線。而此投影區域之薄板結構供一區域以連接於f曰曰，區域之薄板結構的高度，並係提而此投影區域之镇苐一區域之電極隔離部與一接觸電極。導體層、源電極溥板結構的高度可藉由在形成閘電極、半同時形成一第i j汲電極與電源供應線時，在投影區域内圖形，而增加波！：、一第二圖形、-第三圖形與-第四保護層之後再額：或是可藉由在形成完薄膜電晶體之投旦彡El # & i 外形成一投影圖形，以增加其高度。而此才又衫圖形係由有機絕緣材料所組成。人。^在第^步驟ST13中，則是將第一基板與第二基板接口此’籍由形成於電極隔離部之第二區域内之第二電極連接於投影區域内之接觸電極，即可將第一基板上之一陣列凡件層即可與第二基板上的有機電致發光二極體構成電性連接。本發明之雙面板型有機電致發光顯示裝置具有下列優點。（1)由於陣列元件層與有機電致發光二極體是形成於不同的基板上，因此，可提高產品的生產率、產品管理效率及產品的使用壽命。（2)由於此雙面板型有機電致發光顯示裝置可作為頂發光型有機電致發光顯示裝置，因此，可簡化薄膜電晶體之設計，並可達到高開口率及高解析度的要求。（3)由於此接觸電極可直接連接於電極隔離部上

第29頁 1272872 五、發明說明（22) --- 之第二電極，因此，不需要額外的佈接觸電極與第二電極。（4)由於是在非發光區之電極隔離成形的區域内使接觸電極與第二電極相連結，因&，玎避免發光區域受損。（5)由於投影區域之薄板結層、源電極、汲電極與電=由應在線·… :域^形成第一圖开[第二圖三圖形與第四圖谁I:曾加投影區域之薄板結構的高度。如此- 子晝素舆隔壁書= ^性連接特性’及- 產口 & 4 g + 一，了、的電性連接特性，同時提高· 屋〇口的生產率。（6)由於可在投形成-投影圖形而增加投影區域之/内猎由在保護層上1 域内形成各層狀堆疊之圖形的以；：而取代在投影區極與第二電極間之電性連接特可增進接觸電之矩陣元件的電性連接特性，同古^素與隔壁晝素雖然本發明以前述之較佳實施例揭㊉的生產率。用以限定本發明，任何熟習相像技藝者路。上’然其並非之精神和範圍β，當可作些許之更動 ^不脫離本發明之專利保護範圍須視本說明書 :。因此本發明者為準。所付之申睛專利範圍所界定

第30頁 1272872 圖式簡單說明第1圖係為傳統主動陣列〇 E L D的晝素電路结構圖；弟2圖係為傳統底發光型Q E L D的局部剖視圖；第3圖係為第2圖中子晝素SP的局部放大圖第4圖係為傳統OELD的製造流程圖；第5圖係為本發明雙面板型有機電致發光顯示裝置之剖視示意圖；第6圖係為本發明雙面板型有機電致發光顯示裝置的平面示意圖；苐7 A圖係為第6圖中沿A - A線切開之剖視示意圖·，，7B圖係為第6圖中沿β-β線切開之剖視示意圖；，7 C圖係為第6圖中沿c — ◦線切開之剖視示意圖；第8圖係為製作本發明之雙面板型有機電致發光顯示裝置之製作流程圖； ^ 9圖係為製作本發明之雙面板型有機電致發光顯示之結構剖面圖； =1 〇，係為製作本發明之雙面板型有機電致發光顯示 f 一貫施例之結構剖面圖，·及 =Υ ΐ係為製作本發明之雙面板型有機電致發光顯示裝置 κ知例之製作流程圖。

第31頁【圖式符號說明】透明基板丨掃瞄線 2 訊號線 4 電源供應線 6

Claims

1272872 六、申請專利範圍 h 一種雙，板型有機電致發光顯晝素^弟―基板與―第三基板，其表面包括=數個子杜廢句二陣列元件層，係設置於該第〆基板上，該陣列开各‘子晝J複數個薄膜電晶冑，各該薄臈電晶體係對應於其中；體係設置於該陣列元件層上，並連接於 —第一電極，係設置於該第二基板之—内表面；一絕緣層及一電極隔離部，係形成於各該子書素之邊緣區域，該絕緣層係形成於該第一電極之二 j力，而该電極隔離部係形成於該絕緣層之下方；及一有機發光層及/第二電極，係形成於各該子金素上； ' 其中該電極隔離部包括有一第/區域、一第二區域與一第三區域，該第一區域内包括有一第一圖形結構〆 (pattern structure)，以分別於各該子畫素中形成該有機發光層與該第二電極，該第二區域内包括有一第二圖# 結構，以於該電極隔離部下直接連接該接觸電極與該第二電極，而該第三區域内包括有一第三圖形結構，以防止兮第域内之一第二電極部（second electr〇de p〇rtic^) 與該第二區域内之一第二電極部產生短路的情形；其中該第二區域内之該第二電極係連接於該接觸電極0

1272872 六、申請專利範圍 2 ·如申請專利範圍第1項所述之雙面板型有機電致發光顯示裝置，其中該第一區域之該電極隔離部係為一梯形結構，該電極隔離部之一寬度係由一下表面至一上表面漸增，該第二區域之該電極隔離部具有一非對稱結構，該非對稱結構具有一反向傾斜之第一侧邊與一朝向該第一侧邊傾斜之第二侧邊，而該第三區域之該電極隔離部具有複數個凹部。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之雙面板型有機電致發光顯示裝置，其中該第二區域與該第三區域之該電極隔離部係由一繞射曝光方式形成。 4. 如申請專利範圍第1項所述之雙面板型有機電致發光顯示裝置，其中該第一電極、該第二電極與該有機發光層係組成一有機電致發光二極體，而該薄膜電晶體更包括有一閘電極、一半導體層、一源電極與一 >及電極，其中該薄膜電晶體係作為提供一電流至該有機電致發光二極體之一驅動薄膜電晶體，而該接觸電極係電性連接至該汲電極。 5. 如申請專利範圍第4項所述之雙面板型有機電致發光顯示I置，更包含有一投影區域，該投影區域包含有一設置，於為第一基板上之薄板結構，其中該薄板結構之高度係高於該陣列元件層之高度，且該接觸電極於該投影區域上連接於該第二電極。 6二如申叫專利範圍第5項所述之雙面板型有機電致發光顯不i置，其中該第—圖形、該第二圖形及該第三圖形係為島狀圖形（island shaped)，且係與該投影區域形成該閘

1272872 六、申請專利範圍 ------- 電，、該半導體層、該源電極與該汲電極時同時形成，且二亥第圖形、該第二圖形及該第三圖形所採用之材料係與該閘電極、該半導體層、該源電極與該汲電極之材料相/、 ^ 同。 ~ ^ =申請專利範圍第6項所述之雙面板型有機電致發光顯 ' 示衣置，更包括一電源供應線與一第四圖形，該電源供應，線係連接於該源電極，而該第四圖形係設置於該第三圖形之上’其中該電源供應線與該第四圖形係採用相同同時製作而成。 K ^申請專利範圍第}項所述之雙面板型有機電致發光顯_ 不裝置，更包括一具有一汲極接觸孔之保護層，以由該汲極接觸孔曝露該汲電極，一投影圖形係形成於該投影區域之該保護層上，與一設置於該投影圖形上之接觸電極，其中該接觸電極係透過該汲極接觸孔連接於該汲電極。^ 9二如申請專利範圍第8項所述之雙面板型有機電致發光顯示裝置’其中該投影圖形係由一絕緣材料所組成。 I 0 ·如申請專利範圍第9項所述之雙面板型有機電致發光顯示裝置’其中該絕緣材料包含有機絕緣材料。 II · 一種雙面板型有機電致發光顯示裝置之製作方法，該顯示裝置包含一第一基板與一第二基板，該第一基板包括_ 有一具有一薄膜電晶體之陣列元件層，該第二基板具有一 w 有機電致發光二極體，而一接觸電極係位於該第一基板與 · 該第^一基板之間’其包含下列步驟：，於具有複數個子畫素之該第二基板上形成一第一

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電極；於各該子晝素之邊緣形成一絕緣層及一電極隔離，及、4於各該子晝素上形成一有機發光層與一第二電極，並藉由該電極隔離部加以分割；、 ^其中該電極隔離部包含有一第一區域、一第二區域與一第三區域，該第一區域之該電極隔離部係為一梯形結構j，該電極隔離部之一寬度係由一下表面至一上表面漸增，該第二區域之該電極隔離部具有一非對稱結構，該非對稱結構具有一反向傾斜之第一側邊與一朝向該第一侧邊麵 j貝斜之弟一側邊，而该第三區域之該電極隔離部具有複數個彼此分離之凹部，且位於該第一區域與該第二區域之間；其中5亥弟一區域内之該第二電極係連接於該接觸電極。、 1 2.如申睛專利範圍第1 1項所述之雙面板型有機電致發光顯不裝置之製作方法，其中於形成該有機發光層與該第二電極之步驟後，更包括連接該第一基板與該第二基板的步驟，其f該第一基板與該第二基板係藉由該連接該接觸電極與該第二電極，而使該第一基板與該第二基板構成電性· 連接。 13.如申請專利範圍第η項所述之雙面板 =置之製作方法，其中該電極隔離部係二= 光

第38頁 1272872 -—---_ ___ 六、申請專利範圍 ^ ^ ^ --- 一" 如#申請專利範圍第1 3項所述之雙面板型有機電致發光妒不破置之製作方法，其中該第二區域之該電極隔離部之楂f方式是藉由控制該繞射曝光方式所使用之一光罩的光 1 5剧邻之寬度及光傳輸部之間距而形成。 g \如申請專利範圍第1 3項所述之雙面板型有機電致發光 ”、、頁不裳置之製作方法，其中該第三區域之該電極隔離部係由一具有一裂缝圖形的光罩經過該繞射曝光方式形成，而该裂縫圖形係對應於該凹部。 · _如申请專利範圍第1 1項所述之雙面板型有機電致發光㉝不裳置之製作方法，其中該薄膜電晶體包括有一閘電 ° 、一半導體層、一源電極、一汲電極與一電源供應線。 1 7 · _如申請專利範圍第1 6項所述之雙面板型有機電致發光顯了裳置之製作方法，其中該陣列元件層更包含有一具有一薄板結構之投影區域，而該薄板結構之高度係高於該薄 f電晶體之高度，且該接觸電極於該投影區域上連接於該弟一電極。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項所述之雙面板型有機電致發光顯示裝置之製作方法，其中於形成該有機發光層與該第二電極之步驟後，更包括連接該第一基板與該第二基板的步驟’其中該第一基板與該第二基板之電性連接，係於該投儀丨影區域上連接該接觸電極與該第二電極而成。 1 9 ·如申請專利範圍第1 7項所述之雙面板型有機電致發光顯示裝置之製作方法，其中該投影區域之該薄板結構具有相重疊之該第一圖形、該第二圖形、該第三圖形與該第四

1272872 六、申請專利範圍 _____ 圖形’該第-圖形、該第二圖形、該第三圖形盥形係分別與該閘電極、該半導體層、該〃、二弟四圖與該電源供應線同時形成，且係由鱼嗜問雷炻°亥及電極層、該源電極、該沒電極與該電源供應線相同之體成。 U炙材枓所形 20·如申請專利範圍第17項所述之雙 jsl ja λα ^ ^ '、有 /及極接觸孔之保護層的步驟，以由該汲極接觸孔曝露該薄膜電晶 /及電極，亚於該投影區域之該保護層上形成一投影圖形: 21.如申請專利範圍第20項所述之雙面板型有機電致發光儀，…頁示衣置之衣作方法，其中§亥投影圖形係由有機絕緣材料所組成。 2 2. —種雙面板型有機電致發光顯示裝置之製作方法，其包含下列步驟：於一第一基板上形成一具有複數個薄膜電晶體之陣列元件層，該第一基板上具有複數個第一子晝素；於該陣列元件層上形成一接觸電極連接於該薄膜電晶體；於具有複數個第二子晝素之一第二基板上形成^ 第一電極，而各該第二子晝素係對應於各該第一子畫素；於各該第一子畫素與各該第二子晝素之邊緣形成一絕緣層及一電極隔離部；於各該第一子晝素與各該第二子晝素上形成/有機發光層與一第二電極，並藉由該電極隔離部加以分割；

第40頁 1272872 申請專利範圍及連接該第一基板與該第二基板；、其中該電極隔離部包含有一第一區域、一第二區域與一第三區域，該第一區域之該電極隔離部係為一梯形結構，該電極隔離部之一寬度係由一下表面至一上表面漸增’該第二區域之該電極隔離部具有一非對稱結構，該非對稱結構具有一反向傾斜之第一側邊與一朝向該第一侧邊傾斜之第二側邊，而該第三區域之該電極隔離部具有複數個彼此分離之凹部，且位於該第一區域與該第二區域之間；其中該第二區域内之該第二電極係連接於該接觸電極。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項所述之雙面板型有機電致發光顯示裝置之製作方法，其中該電極隔離部係由一繞射曝光方式形成。 2 4.如申請專利範圍第2 3項所述之雙面板型有機電致發光顯示裝置之製作方法，其中該第二區域之該電極隔離部之形成方式是藉由控制該繞射曝光方式所使用之一光罩的光傳輸部之寬度及光傳輸部之間距而形成。 2 5 ·如申請專利範圍第2 3項所述之雙面板型有機電致發光顯示裝置之製作方法，其中該弟二區域之該電極隔離部係由一具有一裂縫圖形的光覃經過該繞射曝光方式形成’而該裂縫圖形係對應於該凹部° 2 6 ·如申請專利範圍第2 2項所述之雙面板型有機電致發光

笫41頁 1272872 六、申請專利範圍顯不裝置之製作方法，其中該薄膜電晶體包括有^一閘電極、一半導體層、一源電極、一汲電極與一電源供應線。 2 7 ·如申請專利範圍第2 6項所述之雙面板型有機電致發光顯示裝置之製作方法，其中該陣列元件層更包含有一具有一薄板結構之投影區域，而該薄板結構之高度係高於該薄‘ 膜電晶體之高度，且該接觸電極於該投影區域上連接於該第二電極。 28·如申請專利範圍第27項所述之雙面板型有機電致發光顯示裝置之製作方法，其中該投影區域之該薄板結構具有相重疊之該第一圖形、該第二圖形、該第三圖形與該第四· 圖形’該第一圖形、該第二圖形、該第三圖形與該第四圖形係分別與該閘電極、該半導體層、該源電極、該汲電極與該電源供應線同時形成，且係由與該閘電極、該半導體層、该源電極、該汲電極與該電源供應線相同之材料所形成。 = 請專利範圍第27項所述之雙面板型有機電致發光顯二裝置之製作方法，更包括形成一具有一汲極接觸孔之保濩層的步驟，以由該汲極接觸孔曝露該薄膜電晶體之該 3〇電極’並於該投影區域之該保護層上形成一投影圖形。 •-如$申請專利範圍第2 9項所述之雙面板型有機電致發 . =『裝置之製作方法，其中該投影圖形係由有 & 所組成。 °、豕何枓